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無光纖熔接點的光纖陀螺和製作該光纖陀螺的方法

2023-11-08 06:16:32 4

無光纖熔接點的光纖陀螺和製作該光纖陀螺的方法
【專利摘要】本發明涉及無光纖熔接點的光纖陀螺,包括超輻射發光二極體、光纖耦合器、Y波導調製器、光纖環、第一光電探測器。光纖耦合器包括第一埠、第二埠、第三埠、第四埠;Y波導調製器包括一個第一埠和兩個第二埠。光纖耦合器的第一埠與超輻射發光二極體直接連接,光纖耦合器的第三埠與第一光電探測器直接連接,光纖耦合器的第四埠與Y波導調製器的第一埠直接連接,光纖環與Y波導調製器的兩個第二埠直接連接。光纖耦合器由第一光纖和第二光纖通過熔融拉錐的方法製作,光纖環由第三光纖繞制而成。本發明還涉及製作上述光纖陀螺的方法。本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺具有較強的環境適應性,故障率、傳輸損耗均較低。
【專利說明】無光纖熔接點的光纖陀螺和製作該光纖陀螺的方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及光纖陀螺。本發明還涉及製作光纖陀螺的方法。

【背景技術】
[0002]對於裝有慣性導航系統的運動體而言,其運動狀態是通過慣性導航系統中的陀螺儀或加速度計來確定的。光纖陀螺作為各種各樣的陀螺儀中的一種,其不需要精確加工和嚴格密封的光學腔,不需要高品質的反射鏡,並且其零部件少,不存在機械磨損問題,因而比雷射陀螺或機電式陀螺有著更好的應用前景。
[0003]如圖1所示,現有的光纖陀螺一般由分立的元件構成,主要包括:超輻射發光二極體1、光纖稱合器2、Y波導調製器3、光纖環4、光電探測器5和信號處理電路6。現有的光纖陀螺的各個元件均為獨立封裝,各個元件的輸入和輸出端的光纖通過光纖熔接技術依次連接。圖1用黑色圓點示意性地示出了各個元件之間的光纖熔接點,並且用箭頭示意性地不出了光的傳輸方向。
[0004]如上所述,各個元件的輸入和輸出端均為光纖,並且不同的光學元件之間均採用光纖熔接的方法進行連接。而光纖在相互熔接時切割角度的不同會導致熔接損耗的不同,且可能會出現缺陷,若在後續使用中保護不當,則可能發生斷裂。另外,各個熔接點可能是由保偏光纖與保偏光纖、保偏光纖與單模光纖、單模光纖與單模光纖之間的相互熔接。對於保偏光纖,其在熔接過程中的對軸誤差將會影響保偏光纖的偏振保持能力等參數。單模光纖和保偏光纖在熔接過程中也有可能出現缺陷。這些都會使光纖陀螺的重複性或一致性較差,也會導致較大的傳輸損耗。


【發明內容】

[0005]為解決現有的光纖陀螺中存在的上述問題,本發明提出一種無光纖熔接點的光纖陀螺。
[0006]本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺包括:超輻射發光二極體、光纖耦合器、Y波導調製器、光纖環、第一光電探測器。所述光纖耦合器包括第一埠、第二埠、第三埠、第四埠,所述Y波導調製器包括一個第一埠和兩個第二埠。所述光纖耦合器的第一埠與所述超輻射發光二極體直接連接,所述光纖耦合器的第三埠與所述第一光電探測器直接連接,所述光纖耦合器的第四埠與所述Y波導調製器的第一埠直接連接,所述光纖環與所述Y波導調製器的兩個第二埠直接連接。其中所述光纖耦合器由第一光纖和第二光纖通過熔融拉錐的方法製作,所述光纖環由第三光纖繞制而成,其中所述第一光纖的第一端部和第二端部分別用於形成所述光纖耦合器的第一埠和第二埠,所述第二光纖的第一端部和第二端部分別用於形成所述光纖耦合器的第三埠和第四埠。
[0007]相應地,本發明還提出一種製作無光纖熔接點的光纖陀螺的方法。
[0008]所述方法包括步驟:對第一光纖的第一端部進行處理,以便與超輻射發光二極體直接連接;對第二光纖的第一端部和第二端部進行處理,以便分別與第一光電探測器和Y波導調製器直接連接;將第三光纖繞製成光纖環,並且對第三光纖的第一端部和第二端部進行處理,以便與所述Y波導調製器直接連接;用所述第一光纖和所述第二光纖通過熔融拉錐的方法製作光纖耦合器;將所述第一光纖的第一端部與所述超輻射發光二極體直接連接;將所述第二光纖的第一端部和第二端部分別與所述第一光電探測器和所述Y波導調製器直接連接;以及將繞製成的光纖環的所述第三光纖的第一端部和第二端部與所述Y波導調製器直接連接。
[0009]本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺具有較強的環境適應性,而故障率、傳輸損耗均較低。另外,根據本發明的方法製作的光纖陀螺易於組裝,有利於工業化生產。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1示出了現有技術的光纖陀螺。
[0011]圖2示出了根據本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺。
[0012]圖3示出了用於圖2的光纖陀螺的、端部經過處理的第一光纖、第二光纖和第三光纖。
[0013]圖4示出了採用熔融拉錐方法製作光纖耦合器的原理圖。
[0014]圖5不出了第一光纖的第一端部與超福射發光二極體的I禹合。
[0015]圖6不出了第二光纖的第一端部與第一光電探測器的I禹合。
[0016]圖7示出了第二光纖的第二端部與Y波導調製器的耦合。
[0017]圖8示出了第三光纖的第一和第二端部與Y波導調製器的耦合。
[0018]圖9示出了根據本發明的另一形式的無光纖熔接點的光纖陀螺。
[0019]圖10示出了用於圖9的光纖陀螺的、端部經過處理的第一光纖、第二光纖和第三光纖。
[0020]圖11示出了第一光纖的第二端部與第二光電探測器的耦合。

【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖和實施例,對本發明進行具體描述。應當理解的是:在說明書和權利要求書中,「第一」、「第二」、「第三」等術語用於描述多個組成部分,但是這些組成部分之間不存在先後順序,這些術語僅僅是為了將一個組成部分與另一組成部分區分開。
[0022]圖2是根據本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺的示意圖。與現有技術的光纖陀螺類似,本發明的光纖陀螺包括超輻射發光二極體11、光纖耦合器12、Y波導調製器13、光纖環14、第一光電探測器15,還可以包括信號處理電路(未示出)。
[0023]圖2同樣用箭頭示出了光在光纖陀螺中的傳輸方向:超輻射發光二極體11發出的具有一定功率的光經由光纖I禹合器12的第一埠 a輸入光纖f禹合器12,並經由光纖I禹合器12的第四埠 d輸出;接著,從第四埠 d輸出的光經由Y波導調製器13的第一埠 e輸入Y波導調製器13 ;光在Y波導調製器13中被分為兩束並從Y波導調製器13的兩個第二埠 fl、f2輸出;從Y波導調製器13的兩個第二埠 f 1、f2輸出的兩束光在光纖環14中分別沿順時針和逆時針方向傳輸;在光纖環14中傳輸後,這兩束光返回Y波導調製器13並通過Y波導調製器13輸入光纖耦合器12的第四埠 d並經由光纖耦合器12的第三埠c輸出;輸出的光被第一光電探測器15接收,並且由與第一光電探測器15連接的信號處理電路(未示出)進行處理。
[0024]本發明的光纖陀螺中可以包含三根光纖,以下分別稱為第一光纖121、第二光纖122和第三光纖123。第一光纖121和第二光纖122用於製作光纖稱合器12,而第三光纖123用於製作光纖環14 ;其中第一光纖121的第一端部121a和第二端部121b分別用於形成光纖稱合器12的第一埠 a和第二埠 b,第二光纖122的第一端部122a和第二端部122b分別用於形成光纖耦合器12的第三埠 c和第四埠 d。
[0025]在本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺中,第一光纖121的第一端部121a與超輻射發光二極體11直接連接,第二光纖122的第二端部122b與Y波導調製器13的第一埠 e直接連接,第二光纖122的第一端部122a與第一光電探測器15直接連接。第三光纖123的第一端部123a和第二端部123b與Y波導調製器13的兩個第二埠 H、f2直接連接。儘管各個元件之間仍然是通過光纖連接,但是與圖1所示的光纖陀螺的不同之處在於,本發明的光纖陀螺的各個元件之間不是通過光纖熔接技術進行連接,因此各個元件之間沒有光纖熔接點。
[0026]根據本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺的製作方法大體包括:
[0027]?對第一光纖121的第一端部121a進行處理(步驟Sll);
[0028]?對第二光纖122的第一端部122a和第二端部122b進行處理(步驟S12);
[0029]?將第三光纖123繞製成光纖環14並對第三光纖123的第一端部123a和第二端部123b進行處理(步驟S13);
[0030]?用第一光纖121和第二光纖122製作光纖耦合器12 (步驟S14);
[0031]?將第一光纖121的第一端部121a與超福射發光二極體11 I禹合固定(步驟S15);
[0032]?將第二光纖122的第一端部122a和第二端部122b分別與第一光電探測器15和Y波導調製器13耦合固定(步驟S16);以及
[0033]?將繞製成的光纖環14的第三光纖123的第一端部123a和第二端部123b與Y波導調製器13耦合固定(步驟S17)。
[0034]以下對這些步驟進行具體描述。
[0035]步驟Sll:將第一光纖121的第一端部121a剝除光纖塗覆層,清理乾淨後製成錐形,然後將錐形尖端製成球形透鏡,再對第一端部121a進行金屬化。
[0036]通常可以採取化學腐蝕法、研磨法、熔拉法等方法將所述第一端部121a製成錐形,這些都是本領域技術人員熟知的方法,因而不屬於本發明的範圍,在此不作具體論述。在製成的錐形光纖尖端通過電弧放電的方式熔化錐形光纖尖端,形成球形透鏡,從而提高光纖的耦合效率。金屬化是指在非金屬表面上形成一層金屬層,從而達到耐磨、防腐、裝飾的目的。光纖表面金屬化工藝主要由前處理工藝和金屬層製備兩部分組成。本領域技術人員熟悉前處理工藝和金屬層製備的常規步驟,在此不作具體論述。
[0037]步驟S12:將第二光纖122的第一端部122a金屬化,並將其第二端部122b固定在第一 Y波導稱合小塊31上。
[0038]需要說明,與第一光纖121的第一端部121a不同,第二光纖122的第一端部122a不需要磨成錐形並製成球形透鏡,而是直接進行金屬化,這是因為製作球形透鏡的主要作用是增大耦合效率。第二光纖122的第一端部122a應用於光電探測器,而光電探測器的光敏面遠大於光纖的模場直徑,耦合效率本身較高。第一 Y波導耦合小塊31可以理解為一個長方形晶體塊,上面刻有一條長槽,將第二光纖122的第二端部122b放入槽中用粘合劑固定。
[0039]步驟S13:將第三光纖123以半自動或全自動的方式繞製成光纖環,類似於第二光纖122的第二端部122b,將第三光纖123的第一端部123a和第二端部123b分別固定在第二 Y波導稱合小塊32和第三Y波導稱合小塊33上。所述第一、第二、第三Y波導稱合小塊的結構相同,且與光纖的端部的固定方式也相同。
[0040]半自動繞環需要大量的人工介入,如人工變換放線輪、調整光纖位置、調節光纖在環上的排布等。由於人手的機動性和靈活性,以及對設備的複雜性要求不高,這種方式目前被廣泛採用。但此方式的主要缺點是繞環過程中光纖張力的一致性較差,光纖受力的不確定因素較多,繞制時間長,易出錯,對操作人員的要求較高。全自動的並可精確進行不同繞線方法的繞線機集成了繞制過程中動態傳感控制,包括可視化、自動檢錯糾錯功能提高系統穩定性,還可根據測試數據減少繞線錯誤,減少繞制時間,提高繞環的質量。
[0041]圖3示意性地示出了分別經過步驟S11、S12、S13的第一光纖121、第二光纖122、第三光纖123。
[0042]步驟S14:將第一光纖121和第二光纖122的中間部分剝去塗覆層,清理乾淨後靠攏,放置於特製的夾具上,然後在高溫下加熱熔融,同時向光纖兩端拉伸,最終在加熱區形成雙錐形的特殊波導耦合結構。
[0043]如圖4所示,Wl和W2分別是耦合結構的熔錐區II和III在光纖熔融時的拉伸長度;wo是耦合區域I的火焰寬度。在光纖的熔融拉錐過程中,實時監控分光比的變化,以達到所需的分光比,一般為1:1。熔融拉錐結束後,將光纖的熔融拉錐部位進行封裝。
[0044]步驟S15:在第一光纖121的第一端部121a上先後套設第二金屬管112和第一金屬管111並將這兩根金屬管焊接在所述第一端部121a上,如圖5所示。圖5還示出了超輻射發光二極體11的晶片113固定在設置於熱沉114上的過渡熱沉115上。熱沉114上固定有支架116,將第一金屬管111固定在支架116上,使得所述第一端部121a與所述晶片113的耦合。優選地,通過雷射焊接來實現支架116與熱沉114的固定以及第一金屬管111與支架116的固定。另外,第二金屬管112與超輻射發光二極體11的管殼117焊接牢固,保證管殼117的氣密性。優選地,第二金屬管112與管殼117的焊接為錫焊料焊接。
[0045]第一金屬管111的材料為鎳材料或KOVAR材料,第二金屬管112的材料為鎳材料;相應地,支架116的材料與第一金屬管111的材料相同。
[0046]如圖5所示,超輻射發光二極體11還包括熱敏電阻118和熱電製冷器119。熱敏電阻118的阻值隨著管殼117內的溫度的變化而變化。熱電製冷器119既可以製冷又可以制熱,其作用是保持晶片113的溫度,即,通過熱敏電阻118監測到的管殼117內的溫度來對管殼117內的溫度進行調節。
[0047]步驟S16:在第二光纖122的第一端部122a上套設第三金屬管151並將第三金屬管151與所述第一端部122a焊接,如圖6所不。圖6還不出了第三金屬管151與第一光電探測器15的殼體152焊接,以保證殼體152的氣密性。第三金屬管151與殼體152的焊接優選為錫焊料焊接。第二光纖122垂直於第一光電探測器15中的光電探測元件153,光電探測元件153的光敏面接收來自於第二光纖122的光,將光信號轉化為電信號。信號處理電路板155和光電探測元件載體154、光電探測元件153組成PIN-FET電路。PIN-FET電路將光電探測元件153轉化成的電信號進行放大。
[0048]如圖7所示,Y波導調製器13中的黑色線條為光傳輸通道。如前所述,第二光纖122的第二端部122b已經固定在第一 Y波導耦合小塊31上,現在將所述第二端部122b與Y波導調製器13耦合,以使光纖中傳輸的光儘可能多地入射到所述光傳輸通道中。耦合好的判據是:調整所述第二端部122b的位置,並在圖7的Y波導調製器13右側對光功率、消光比等參數進行檢測,當參數最優時可以認為第一 Y波導耦合小塊31與Y波導調製器13已經耦合好。然後用粘合劑對第一 Y波導耦合小塊31與Y波導調製器13進行粘接,使得最終將第二光纖122的第二端部122b與Y波導調製器13耦合。優選地,這裡的粘合劑選用紫外光固化膠,其正常狀態下為膠狀液體,受紫外光照射後固化成固體,使用較為方便。
[0049]步驟S17:將製成光纖環的第三光纖123的第一端部123a和第二端部123b與Y波導調製器13的第二埠 fl、f2耦合連接,如圖8所示。首先進行第三光纖123的第一端部123a的耦合,此時使第三光纖123的第二端部123b與光功率計相連,調整所述第一端部123a的位置,使光功率計檢測到的光功率最大;之後將第三光纖123的第二端部123b接入消光比測試儀,調整所述第一端部123a的位置,使消光比最大。前述過程反覆進行,使第三光纖123的第一端部123a的光功率和消光比均達到儘可能大的值,此時用粘合劑將第三光纖123的第一端部123a上的第二 Y波導耦合小塊32與Y波導調製器13進行粘接。
[0050]最後,調整第三光纖123的第二端部123b的位置,當第一光電探測器15中的PIN-FET電路輸出的信號為最大值時,第二端部123b即處於最佳位置,用粘合劑將所述第二端部123b上的第三Y波導耦合小塊33與Y波導調製器13進行粘接。
[0051]以上對本發明的無光纖熔接點的光纖陀螺的製作方法進行了描述,以此方法製作的無光纖熔接點的光纖陀螺如圖2所示。
[0052]在本發明的一個優選實施例中,如圖9所示,光纖陀螺還包括第二光電探測器17。第二光纖122的第二端部122b與光電探測器17直接連接。
[0053]第二光電探測器17用作超輻射發光二極體11的功率監測,可以作為反饋使超輻射發光二極體11的輸出光功率更加穩定。第二光電探測器17和超輻射發光二極體11及其光功率控制電路(未示出)組成一個光功率反饋控制系統,第二光電探測器17將超輻射發光二極體11輸出的功率作為測量值與所期望的給定值相比較,由此產生一個偏差信號,利用此偏差信號進行對超輻射發光二極體11進行調節控制,使輸出光功率儘量接近期望值。通過反饋可以使系統的精確度提高,響應時間縮短。
[0054]對應於該優選實施例,製作無光纖熔接點的光纖陀螺的步驟Sll進一步包括對第一光纖121的第二端部121b進行處理。具體地,將第一光纖121的第二端部121b插入陶瓷插芯171內部,第一光纖121的端面與陶瓷插芯171的端面平齊,用粘合劑固定,另外用粘合劑將用於保護陶瓷插芯171的保護套172與陶瓷插芯171、第一光纖121 (具體是第二端部121b)粘接在一起。圖10示意性地示出了在該優選實施例中分別經過步驟S11、S12、S13的第一光纖121、第二光纖122、第三光纖123,其中第二光纖122和第三光纖123與圖3所示的並無差別。
[0055]相應地,步驟S15進一步包括將第一光纖121的第二端部121b與第二光電探測器17耦合連接,並進行封裝。具體地,第一光纖121的第二端部121b與第二光電探測器17的光敏面對準,待耦合好後,將保護套172與第二光電探測器17用雷射焊接,所形成的結構如圖11所示。
[0056]以上僅是以示例的形式描述了本發明,而並非旨在對本發明作出任何限制。本領域技術人員可以想到對本發明作出簡單的變形或替換,而這些變形或替換仍屬於本發明的保護範圍。
【權利要求】
1.一種無光纖熔接點的光纖陀螺,其特徵在於,所述光纖陀螺包括超輻射發光二極體、光纖稱合器、Y波導調製器、光纖環、第一光電探測器,所述光纖稱合器包括第一埠、第二埠、第三埠、第四埠,所述Y波導調製器包括一個第一埠和兩個第二埠 ; 其中所述光纖耦合器的第一埠與所述超輻射發光二極體直接連接,所述光纖耦合器的第三埠與所述第一光電探測器直接連接,所述光纖耦合器的第四埠與所述Y波導調製器的第一埠直接連接,所述光纖環與所述Y波導調製器的兩個第二埠直接連接; 其中所述光纖耦合器由第一光纖和第二光纖通過熔融拉錐的方法製作,所述光纖環由第三光纖繞制而成,其中所述第一光纖的第一端部和第二端部分別用於形成所述光纖耦合器的第一埠和第二埠,所述第二光纖的第一端部和第二端部分別用於形成所述光纖耦合器的第三埠和第四埠。
2.根據權利要求1所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述超輻射發光二極體的熱沉上方的過渡熱沉上固定有晶片,所述熱沉上還設有支架,所述第一光纖的第一端部套設並焊接有第一金屬管,所述第一金屬管固定在所述支架上,以使所述第一光纖與所述晶片耦合。
3.根據權利要求2所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第一光纖的第一端部進一步套設並焊接有第二金屬管,所述第二金屬管與所述超輻射發光二極體的管殼焊接。
4.根據權利要求3所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第一金屬管和所述支架均由鎳材料或KOVAR材料製成,所述第二金屬管由鎳材料製成。
5.根據權利要求1所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第一光電探測器的光電探測元件的光敏面與所述第二光纖的第一端部垂直,以使所述光電探測元件接收來自所述第二光纖的光,從而第二光纖與所述第一光電探測器耦合,所述第二光纖的第一端部套設並焊接有第三金屬管,所述第三金屬管進一步與所述第一光電探測器的殼體焊接。
6.根據權利要求1所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第二光纖的第二端部固定在第一 Y波導耦合小塊上,所述第一 Y波導耦合小塊與所述Y波導調製器的第一埠進行粘接。
7.根據權利要求1所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第三光纖的第一端部和第二端部分別固定在第二 Y波導耦合小塊和第三Y波導耦合小塊上,所述第二 Y波導耦合小塊和所述第三Y波導耦合小塊分別與所述Y波導調製器的兩個第二埠中的一個進行粘接。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,進一步包括第二光電探測器,所述第一光纖的第二端部與所述第二光電探測器直接連接。
9.根據權利要求8所述的無光纖熔接點的光纖陀螺,其中所述第一光纖的第二端部插入陶瓷插芯內部並通過粘合劑固定,用於保護所述陶瓷插芯的保護套與所述陶瓷插芯、所述第一光纖的第二端部通過粘合劑粘接在一起,並且所述保護套與所述第二光電探測器通過雷射焊接。
10.一種製作無光纖熔接點的光纖陀螺的方法,其特徵在於,該方法包括以下步驟: 對第一光纖的第一端部進行處理,以便與超輻射發光二極體直接連接; 對第二光纖的第一端部和第二端部進行處理,以便分別與第一光電探測器和Y波導調製器直接連接; 將第三光纖繞製成光纖環,並且對第三光纖的第一端部和第二端部進行處理,以便與所述Y波導調製器直接連接; 用所述第一光纖和所述第二光纖通過熔融拉錐的方法製作光纖耦合器; 將所述第一光纖的第一端部與所述超輻射發光二極體直接連接; 將所述第二光纖的第一端部和第二端部分別與所述第一光電探測器和所述Y波導調製器直接連接;以及 將繞製成的光纖環的所述第三光纖的第一端部和第二端部與所述Y波導調製器直接連接。
11.根據權利要求10所述的方法,其中對所述第一光纖的第一端部進行處理包括: 將所述第一光纖的第一端部剝除光纖塗覆層; 對剝除光纖塗覆層的第一端部進行清理並製成錐形尖端; 將所述錐形尖端製成球形透鏡;以及 對所述第一光纖的第一端部進行金屬化。
12.根據權利要求10所述的方法,其中對所述第二光纖的第一端部和第二端部進行處理包括: 將所述第二光纖的第一端部金屬化; 將所述第二光纖的第二端部放入第一 Y波導耦合小塊中的長槽並用粘合劑固定。
13.根據權利要求10所述的方法,其中對所述第三光纖的第一端部和第二端部進行處理包括: 將所述第三光纖的第一端部放入第二Y波導耦合小塊中的長槽並用粘合劑固定; 將所述第三光纖的第二端部放入第三Y波導耦合小塊中的長槽並用粘合劑固定。
14.根據權利要求10所述的方法,其中將所述第一光纖的第一端部與所述超輻射發光二極體耦合包括: 在所述第一光纖的第一端部上先後套上第二金屬管和第一金屬管並將這兩根金屬管焊接在所述第一端部上; 將所述第一金屬管固定在所述超輻射發光二極體的熱沉上的支架上,以便使第一光纖與所述熱沉上的過渡熱沉上固定的所述超輻射發光二極體的晶片耦合; 將所述第二金屬管與所述超輻射發光二極體的管殼焊接。
15.根據權利要求14所述的方法,其中通過雷射焊接來實現所述支架與所述熱沉的固定以及所述第一金屬管與所述支架的固定。
16.根據權利要求14所述的方法,其中所述第二金屬管與所述超輻射發光二極體的管殼的焊接為錫焊料焊接。
17.根據權利要求12所述的方法,其中將所述第二光纖的第一端部與所述第一光電探測器耦合包括: 在所述第二光纖的第一端部套上第三金屬管並將所述第三金屬管與所述第二光纖的第一端部焊接,使所述第二光纖垂直於所述第一光電探測器中的光電探測元件。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述第三金屬管與所述第一光電探測器的殼體焊接。
19.根據權利要求18所述的方法,其中所述第三金屬管與所述第一光電探測器的殼體的焊接為錫焊料焊接。
20.根據權利要求12所述的方法,其中將所述第二光纖的第二端部與所述Y波導調製器率禹合包括: 調整所述第二光纖的第二端部的位置,當在所述Y波導調製器的兩個第二埠處檢測的光功率、消光比最優時,用粘合劑對所述第一 Y波導耦合小塊與所述Y波導調製器進行粘接。
21.根據權利要求13所述的方法,其中將繞製成的光纖環的所述第三光纖的第一端部和第二端部與所述Y波導調製器耦合包括: 調整所述第三光纖的第一端部的位置,使在所述第三光纖的第二端部處檢測的光功率、消光比最優時,用粘合劑將所述第二 Y波導耦合小塊與所述Y波導調製器進行粘接;調整所述第三光纖的第二端部的位置,當所述第一光電探測器中的PIN-FET電路輸出的信號為最大值時,用粘合劑將所述第三Y波導耦合小塊與所述Y波導調製器進行粘接。
22.根據權利要求10所述的方法,進一步包括:將所述第一光纖的第二端部插入陶瓷插芯內部,其中所述第一光纖的端面與所述陶瓷插芯的端面平齊,用粘合劑固定,並且用粘合劑將保護套與所述陶瓷插芯、所述第一光纖的第二端部粘接在一起。
23.根據權利要求22所述的方法,進一步包括:將所述第一光纖的第二端部與第二光電探測器的光敏面對準,以進行耦合,之後將所述保護套與所述第二光電探測器用雷射焊接。
【文檔編號】G01C19/72GK104422437SQ201310410382
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月10日 優先權日:2013年9月10日
【發明者】劉銀, 劉鐵權, 徐輝 申請人:北京世維通科技發展有限公司

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