半導體結構及其製造方法與流程

2023-10-05 16:32:09 4

本發明實施例涉及半導體結構及其製造方法。

背景技術：

涉及半導體器件的電子設備對於許多現代化的應用來說是必不可少的。半導體器件已經經歷了快速增長。材料和設計的技術進步產生了多代半導體器件，其中，每一代都具有比先前一代更小且更複雜的電路。在進步和創新過程中，功能密度(即，每晶片面積的互連器件的數量)通常增大，而幾何尺寸(即，可以使用製造工藝創建的最小組件)卻已減小。這些進步增加了處理和製造半導體器件的複雜程度。

隨著技術發展，電子設備的設計變得更複雜且涉及大量電路以實施複雜的功能。因此，電子設備越來越需要大量的電能以支撐和實施這樣的數量增加的功能。諸如行動電話、攝像機、筆記本等的日益增多的電子設備由可充電電池供電。通常通過將電子設備上的終端通過導線或電線連接至電源充電或再充電電子設備。然而，這樣的引線連接方法對用戶來說可能是不方便的，因為在充電期間電子設備不得不物理連接至電源。此外，由於導線的長度上的限制，電子設備不得不靠近電源放置。

因此，需要不斷修改電子設備中的半導體器件的結構和製造方法，以在降低製造成本和處理時間的同時，為用戶帶來便利且提高電子設備的性能。

技術實現要素：

根據本發明的一個實施例，提供了一種半導體結構，包括：收發器，配置為與器件通信；模塑件，圍繞所述收發器；導電通道，延伸穿過所述模塑件；絕緣層，設置所述模塑件、所述導電通道和所述收發器上方；以及再分布層(RDL)，設置在所述絕緣層上方，且所述再分布層包括天線和圍繞所述天線的介電層，其中，所述天線的部分延伸穿過所述絕緣層和所述模塑件以與所述收發器電連接。

根據本發明的另一實施例，還提供了一種半導體結構，包括：充電器，配置為將充電功率從AC轉換為DC；收發器，配置為發射或接收預定電磁頻率的信號；模塑件，圍繞所述收發器和所述充電器；多個導電通道，延伸穿過所述模塑件；天線，配置為將所述信號發射至周圍環境或從周圍環境接收所述信號；以及介電層，覆蓋所述天線，其中，所述天線包括在所述模塑件上方延伸的伸長部分和延伸穿過所述模塑件以與所述收發器電連接的導電通道部分。

根據本發明的又一實施例，還提供了一種製造半導體結構的方法，包括：提供收發器；形成模塑件以圍繞所述收發器；形成延伸穿過所述模塑件的多個凹槽；在所述多個凹槽內設置導電材料以形成多個導電通道；在所述模塑件、所述多個導電通道和所述收發器上方設置絕緣層並且圖案化所述絕緣層；以及在所述絕緣層上方形成再分布層(RDL)；其中，所述RDL包括設置在所述絕緣層上方的天線和覆蓋所述天線的介電層，並且所述天線的部分延伸穿過所述絕緣層和所述模塑件以與所述收發器電連接。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明的實施例。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，對各種部件沒有按比例繪製並且僅僅用於說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或縮小。

圖1是根據本發明的一些實施例的半導體結構的示意性頂視圖。

圖2是根據本發明的一些實施例的沿圖1的AA'的半導體結構的示意性截面圖。

圖3是根據本發明的一些實施例的沿圖1的BB'的半導體結構的示意性截面圖。

圖4是根據本發明的一些實施例的製造半導體結構的方法的流程圖。

圖4A是根據本發明的一些實施例的具有收發器、充電器和共振器的襯底的示意性頂視圖。

圖4B是根據本發明的一些實施例的圖4A的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4C是根據本發明的一些實施例的圖4A的沿著BB'的示意性截面圖。

圖4D是根據本發明的一些實施例的具有模塑件的襯底的示意性頂視圖。

圖4E是根據本發明的一些實施例的圖4D的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4F是根據本發明的一些實施例的圖4D的沿著BB'的示意性截面圖。

圖4G是根據本發明的一些實施例的凹槽的示意性頂視圖。

圖4H是根據本發明的一些實施例的圖4G的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4I是根據本發明的一些實施例的圖4G的沿著BB'的示意性截面圖。

圖4J是根據本發明的一些實施例的導電通道和柱的示意性頂視圖。

圖4K是根據本發明的一些實施例的圖4J的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4L是根據本發明的一些實施例的圖4J的沿著BB'的示意性截面圖。

圖4M是根據本發明的一些實施例的絕緣層的示意性頂視圖。

圖4N是根據本發明的一些實施例的圖4M的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4O是根據本發明的一些實施例的圖4M的沿著BB'的示意性截面圖。

圖4P是根據本發明的一些實施例的再分布層(RDL)的示意性頂視圖。

圖4Q是根據本發明的一些實施例的圖4P的沿著AA'的示意性截面圖。

圖4R是根據本發明的一些實施例的圖4P的沿著BB'的示意性截面圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用於實現所提供主題的不同特徵的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例，並且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實例中重複參考標號和/或字母。該重複是為了簡單和清楚的目的，並且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關係。

而且，為便於描述，在此可以使用諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…之上」、「上部」等的空間相對術語，以便於描述如圖所示的一個組件或部件與另一個(或另一些)組件或部件的關係。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。

無線充電是通過空氣給電子設備充電或再充電的技術。涉及空中發射器(例如，在充電器中)和接收器(例如，在電子設備中)之間的功率傳輸。發射器和接收器分別包括天線，並且從發射器中的天線發射功率且由接收器中的天線接收功率。天線通常是單獨的組件，所以需要導線將天線與發射器或接收器互連。然而，這樣的互連將導致線路損失並且因此影響功率傳輸的性能。此外，具有對較小尺寸的天線的需求，因為發射器或接收器的幾何尺寸變得越來越小。不得不最小化天線以滿足這樣的需求而不妥協功率傳輸的性能和效率。

本發明涉及一種包括集成有天線的再分布層(RDL)的半導體結構。天線設置在RDL中並且配置為與將充電功率發射至半導體結構的發射器無線通信以用於充電電子器件。天線這樣地集成至RDL將最小化途徑損失並且因此最小化轉移覆蓋，使得從天線傳播的信號能夠到達更遠的距離。此外，來自設置在更遠的距離上的發射器的信號能夠由天線接收。還公開了其他實施例。

圖1示出了根據本發明的一些實施例的半導體結構100的示意性頂視圖。圖2示出了沿圖1的AA'的半導體結構100的示意性截面圖。圖3示出了沿圖1的BB'的半導體結構100的示意性截面圖。在一些實施例中，半導體結構100包括收發器101、模塑件102、導電通道103、再分布層(RDL)105和充電器106。

在一些實施例中，半導體結構100電連接至電源。在一些實施例中，半導體結構100配置為接收穿越空氣或中間間隙的電磁能中的充電功率。在一些實施例中，半導體結構100是接收器。在一些實施例中，從遠離半導體結構100且在預定距離內設置的遠程發射器發射充電功率，並且充電功率由用於充電或再充電電子設備(例如，行動電話、筆記本等)的半導體結構100接收。在一些實施例中，充電功率能夠從遠程發射器被無線地發射至半導體結構100。在一些實施例中，半導體結構100能夠將來自遠程發射器的電磁能的充電功率轉化為電能。電能用於充電或再充電電子設備。在一些實施例中，半導體結構100將來自遠程發射器的交流電(AC)的充電功率轉化為用於充電或再充電電子設備的直流電(DC)。

在一些實施例中，半導體結構100中的收發器101配置為與諸如遠程發射器等的器件通信。在一些實施例中，收發器101配置為發射信號至遠程發射器或接收來自遠程發射器的信號。在一些實施例中，當鄰近半導體結構100或在預定距離內設置發射器時，收發器101接收來自遠程發射器的預定電磁能信號。在一些實施例中，收發器101是包括用於實施各種功能的各種電路的半導體晶片。在一些實施例中，在半導體結構100的拐角處設置收發器101。

在一些實施例中，收發器101能夠發出信號並且遠程發射器能夠接收來自收發器101的電磁輻射信號，以及遠程發射器能夠發出電磁輻射信號並且收發器101能夠接收來自遠程發射器的信號，從而使得半導體結構100能夠通過收發器101與遠程發射器無線通信。在一些實施例中，收發器101能夠發射或接收預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，收發器101能夠發射或接收約2.4GHz的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，收發器101能夠發射或接收藍牙低功耗(BLE)的電磁輻射信號。收發器101能夠通過BLE與遠程發射器通信。在一些實施例中，在來自遠程發射器的預定電磁頻率信號由收發器101接收之後，半導體結構100無線地接收來自用於充電或再充電電子設備的遠程發射器的充電功率。當收發器101與遠程發射器無線通信時，啟動電子設備的充電或再充電。

在一些實施例中，半導體結構100包括圍繞收發器101的模塑件102。在一些實施例中，在收發器101上方設置模塑件102。在一些實施例中，模塑件102是單層膜或複合堆疊件。在一些實施例中，模塑件102是化合物，且形成有諸如橡膠、聚合物、環氧樹脂、樹脂、聚醯亞胺、聚苯並惡唑(PBO)等的複合材料。模塑件102具有高導熱性能、低吸溼率、板安裝溫度下的高彎曲強度或這些的組合。在一些實施例中，模塑件102具有約100um至約200um的厚度。

在一些實施例中，半導體結構100包括延伸穿過模塑件102的導電通道103。在一些實施例中，導電通道103由模塑件102圍繞。在一些實施例中，在半導體結構100的中心部分處設置導電通道103。在一些實施例中，沿著模塑件102的長度或寬度延伸導電通道103。在一些實施例中，導電通道103是集成電路穿孔(TIV)。在一些實施例中，導電通道103是配置為接收來自用於充電或再充電電子設備的遠程發射器的充電功率的天線線圈。在一些實施例中，導電通道103具有約6.78MHz的工作頻率。在一些實施例中，導電通道103包括諸如金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、錫和/或它們的合金的導電材料。在一些實施例中，導電通道103處於螺旋或環配置。在一些實施例中，導電通道103的截面是矩形、圓形、多邊形。在一些實施例中，導電通道103為條形。

在一些實施例中，導電通道103配置為圍繞偽結構。在一些實施例中，在半導體結構100的中心部分處設置偽結構。在一些實施例中，導電通道103配置為與導電結構電感耦合。在一些實施例中，導電通道103配置為與共振器107電連接。在一些實施例中，導電通道103配置為生成由磁場誘發的電流。在一些實施例中，導電通道103具有約100um至約200um的深度。在一些實施例中，導電通道103的深度為約150um。

在一些實施例中，柱108設置在收發器101上方且由模塑件102圍繞。在一些實施例中，柱108向著收發器101延伸穿過模塑件102。在一些實施例中，柱108配置為將收發器101與互連結構電連接。在一些實施例中，柱108包括諸如銅、銀、鎢、金、鉑、鈦、鎳、鋁等的導電材料。

在一些實施例中，在模塑件102、導電通道103和收發器101上方設置絕緣層104。在一些實施例中，絕緣層104包括聚合物、聚醯亞胺、聚苯並惡唑(PBO)等。在一些實施例中，絕緣層104具有約3um至約5um的厚度。在一些實施例中，絕緣層104的厚度為約4.5um。

在一些實施例中，半導體結構100包括在收發器101、模塑件102和導電通道103上方設置的RDL105。在一些實施例中，在絕緣層104上方設置RDL105。在一些實施例中，RDL105包括天線105a、互連結構105b和介電層105c。在一些實施例中，天線105a設置在絕緣層104上方且與收發器101電連接。在一些實施例中，天線105a的部分延伸穿過絕緣層104和模塑件102以與收發器101電連接。在一些實施例中，在絕緣層104上方沿著半導體結構100的長度或寬度延伸天線105a的另一部分。

在一些實施例中，收發器101能夠將信號無線地發射至遠程發射器或通過天線105a接收來自遠程發射器的信號。收發器101能夠通過天線105a與遠程發射器通信。在一些實施例中，天線105a配置為從收發器101發射電磁輻射信號至周圍環境或大氣環境。在一些實施例中，天線105a能夠發射或接收約2.4GHz的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，天線105a能夠發射或接收藍牙低功耗(BLE)的電磁輻射信號。在一些實施例中，在來自遠程發射器的預定電磁頻率信號由天線105a接收之後，半導體結構100無線地接收來自用於充電或再充電電子設備的遠程發射器的充電功率。當收發器101通過天線105a與遠程發射器無線通信時，啟動電子設備的充電或再充電。

在一些實施例中，天線105a發射達到大於約8米的距離的信號。在一些實施例中，從天線105a發射的信號能夠到達約10米的距離。在一些實施例中，天線105a配置為接收來自設置在距離大於約8米的遠程發射器的信號。在一些實施例中，天線105a能夠接收來自設置在距離大於約10米的遠程發射器的信號。在一些實施例中，天線105a具有約200um的長度和約10um的寬度。在一些實施例中，天線105a為條形。在一些實施例中，天線105a為藍牙天線。在一些實施例中，天線105a包括諸如銅、鈦、鎢等的導電材料。

在一些實施例中，天線105a包括在模塑件102上方延伸的伸長部分105d和延伸穿過模塑件102以與收發器101電連接的導電通道部分105e。在一些實施例中，在絕緣層104上方延伸伸長部分105d。在一些實施例中，導電通道部分105e在伸長部分105d和收發器101之間延伸。

在一些實施例中，天線105a具有約2.4GHz的共振頻率。在一些實施例中，天線105a能夠接收對應於天線105a的共振頻率的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，天線105a配置為與導電通道103電感耦合。

在一些實施例中，互連結構105b包括在模塑件102和絕緣層104上方延伸的伸長部分105f和延伸穿過絕緣層104至導電通道103的導電通道部分105g。在一些實施例中，互連結構105b與導電通道103電連接。在一些實施例中，互連結構105b通過柱108與收發器101電連接。在一些實施例中，互連結構105b包括諸如銅、鈦、鎢等的導電材料。

在一些實施例中，在絕緣層104、導電通道103、模塑件102和收發器101上方設置介電層105c。在一些實施例中，介電層105c圍繞和覆蓋天線105a和互連結構105b。在一些實施例中，介電層105c包括諸如氧化物、氧化矽、氮氧化矽等的介電材料。

在一些實施例中，半導體結構100包括充電器106和共振器107。在一些實施例中，共振器107與導電通道103和充電器106電連接。在一些實施例中，充電器106配置為將通過導電通道103接收的充電功率從AC轉換為DC。在一些實施例中，充電器106由模塑件102圍繞且由模塑件102覆蓋。

在一些實施例中，共振器107配置為振動和生成信號。在一些實施例中，共振器107配置為生成至充電器106的信號。在一些實施例中，共振器107由模塑件102圍繞且由模塑件102覆蓋。在一些實施例中，共振器107電連接至導電通道103。在一些實施例中，當來自遠程發射器的預定電磁頻率的充電功率由天線105a接收時，共振器107生成至充電器106的信號。在一些實施例中，共振器107具有與天線105a的共振頻率基本上不同的共振頻率。

在本發明中，還公開了一種製造半導體結構的方法。在一些實施例中，通過方法400形成半導體結構。方法400包括許多操作，而描述和說明不應該被視為限制操作的順序。

圖4是製造半導體結構100的方法400的實施例。方法400包括多步操作(401、402、403、404、405和406)。

在操作401中，如圖4A至圖4C所示，提供或接收收發器101。圖4B是圖4A的沿AA'的截面圖,以及圖4C是圖4A的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，在襯底109上方提供和設置收發器101。在一些實施例中，襯底109配置為支撐收發器101。在一些實施例中，收發器101臨時地附接至襯底109。在隨後的操作中將去除襯底109。在一些實施例中，襯底109是晶圓或載體。在一些實施例中，襯底109包括矽、陶瓷、玻璃等。

在一些實施例中，收發器101是包括半導體材料的管芯或晶片。在一些實施例中，收發器101配置為發射或接收預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，收發器101能夠發射或接收藍牙低功耗(BLE)的電磁輻射信號。在一些實施例中，收發器101能夠發射或接收約2.4GHz的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，在襯底109的拐角處設置收發器101。在一些實施例中，收發器101配置為提供與遠程發射器的無線通信。

在一些實施例中，還提供或接收充電器106和共振器107。在一些實施例中，在襯底109上方設置充電器106和共振器107。在一些實施例中，鄰近襯底109的拐角或邊緣設置充電器106和共振器107。在一些實施例中，充電器106和共振器107臨時地附接至襯底109，使得在隨後的操作中將去除襯底109。在一些實施例中，共振器107與充電器106電連接。在一些實施例中，充電器106配置為將從遠程發射器接收的充電功率從AC轉換為DC。在一些實施例中，共振器107配置為振動和生成信號。在一些實施例中，共振器107配置為生成至充電器106的信號。

在操作402中，如圖4D至圖4F所示，形成模塑件102。圖4E是圖4D的沿AA'的截面圖,以及圖4F是圖4D的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，在襯底109上方設置模塑件102。在一些實施例中，模塑件102圍繞和覆蓋收發器101、充電器106和共振器107。在一些實施例中，模塑件102是化合物且形成有諸如橡膠、聚合物、環氧、樹脂、聚醯亞胺、聚苯並惡唑(PBO)等的複合材料。在一些實施例中，通過諸如壓縮模製等的任何合適的操作形成模塑件102。

在操作403中，如圖4G至圖4I所示，形成若干凹槽(103a或108a)。圖4H是圖4G的沿AA'的截面圖,以及圖4I是圖4G的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，在襯底109上方延伸凹槽(103a或108a)。在一些實施例中，凹槽103a的每個延伸穿過模塑件102。在一些實施例中，凹槽108a的每個從模塑件102向著收發器101或充電器106延伸。在收發器101或充電器106上方設置凹槽108a。在一些實施例中，通過諸如光刻、蝕刻等的任何合適的操作形成凹槽(103a或108a)。

在操作404中，如圖4J至圖4L所示，在凹槽(103a或108a)內設置導電材料。圖4K是圖4J的沿AA'的截面圖,以及圖4L是圖4J的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，用導電材料填充凹槽(103a或108a)。在一些實施例中，填充凹槽103a的導電材料與填充凹槽108a的導電材料相同或不同。在一些實施例中，導電材料包括金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、錫和/或它們的合金。在一些實施例中，通過諸如濺射、電鍍、沉積等的任何合適的操作設置導電材料。

在一些實施例中，在凹槽103a內填充導電材料之後形成若干導電通道103。在一些實施例中，在凹槽108a內填充導電材料之後形成若干柱108。在一些實施例中，導電通道103和柱108由模塑件102圍繞。在一些實施例中，導電通道103延伸穿過模塑件102。在一些實施例中，柱108從模塑件102向著收發器101或充電器106延伸。在一些實施例中，形成導電通道103或柱108之後去除襯底109。

在操作405中，如圖4M至圖4O所示，設置並且圖案化絕緣層104。圖4N是圖4M的沿AA'的截面圖,以及圖4O是圖4M的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，在模塑件102、導電通道103、柱108、收發器101、充電器106和共振器107上方設置絕緣層104。在一些實施例中，絕緣層104包括聚合物、聚醯亞胺、聚苯並惡唑(PBO)等。在一些實施例中，通過諸如化學汽相沉積(CVD)等的任何合適的操作設置絕緣層104。

在一些實施例中，通過形成延伸穿過絕緣層104的若干個通道104a圖案化絕緣層104。在一些實施例中，通道104a暴露出導電通道103的部分或柱108的部分。在一些實施例中，通過去除導電通道103或柱108上方的絕緣層104的部分形成通道104a。在一些實施例中，通過諸如光刻、蝕刻的任何合適的操作去除絕緣層104的部分。

在操作406中，如圖4P至圖4R所示，形成再分布層(RDL)105。圖4Q是圖4P的沿AA'的截面圖,以及圖4R是圖4P的沿BB'的截面圖。在一些實施例中，如圖4P至圖4R所示，形成的半導體結構100具有與圖1至圖3中的上述或示出的半導體結構100相似的配置。在一些實施例中，半導體結構100是用於接收來自設置在預定距離內的遠程發射器的充電功率並且充電或再充電電子設備的接收器。

在一些實施例中，在絕緣層104上方形成RDL105。在一些實施例中，RDL 105包括在絕緣層104上方設置的天線105a和覆蓋天線105a的介電層105c。在一些實施例中，天線105a設置在絕緣層104上方且通過通道104a與收發器101電連接。在一些實施例中，通過諸如電鍍等的任何合適的操作設置天線105a。在一些實施例中，天線105a的部分延伸穿過絕緣層104和模塑件102以與收發器101電連接。在一些實施例中，天線105a包括諸如銅、鈦、鎢等的導電材料。在一些實施例中，天線105a是條形。在一些實施例中，天線105a為藍牙天線。

在一些實施例中，天線105a包括在絕緣層104上方延伸的伸長部分105d和沿著通道104a延伸穿過絕緣層104以與收發器101電連接的導電通道部分105e。在一些實施例中，導電通道部分105e在伸長部分105d和收發器101之間延伸。在一些實施例中，天線105a通過柱108與收發器101電連接。柱108從絕緣層104至收發器101延伸。

在一些實施例中，天線105a能夠將信號無線地發射至遠程發射器或接收來自遠程發射器的信號。在一些實施例中，天線105a能夠發射約2.4GHz的諸如藍牙低功耗(BLE)等的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，天線105a能夠發射到達大於約8米的距離的信號。在一些實施例中，天線105a配置為接收來自設置在距離大於約8米的遠程發射器的信號。

在一些實施例中，RDL 105包括在絕緣層104上方設置的互連結構105b。在一些實施例中，互連結構105b包括在絕緣層104上方延伸的伸長部分105f和延伸穿過絕緣層104至導電通道103或柱108的導電通道部分105g。在一些實施例中，互連結構105b與導電通道103或柱108電連接。在一些實施例中，互連結構105b通過柱108與收發器101或充電器106電連接。在一些實施例中，互連結構105b包括諸如銅、鈦、鎢等的導電材料。在一些實施例中，通過諸如電鍍等的任何合適的操作形成互連結構105b。

在一些實施例中，介電層105c設置在互連結構105b上方且覆蓋天線105a和互連結構105b。在一些實施例中，介電層105c包括諸如氧化物、氧化矽、氮化矽等的介電材料。在一些實施例中，通過諸如CVD等的任何合適的操作設置介電層105c。

在本發明中，公開了一種改進的半導體結構。該半導體結構包括設置在半導體結構中的天線。天線設置在RDL中並且由介電層覆蓋。天線至RDL內的集成將最小化路徑損失。結果，從天線發射的充電功率能夠覆蓋更遠的距離。因此，改善了通過半導體結構無線充電或再充電電子設備的性能。

在一些實施例中，一種半導體結構包括：配置為與器件通信的收發器；圍繞該收發器的模塑件；延伸穿過模塑件的導電通道；在模塑件、導電通道和收發器上方設置的絕緣層；以及在絕緣層上方設置的且包括天線和圍繞天線的介電層的再分布層(RDL)，其中，天線的部分延伸穿過絕緣層和模塑件以與收發器電連接。

在一些實施例中，導電通道配置為與天線電感耦合。在一些實施例中，導電通道是螺旋、環形、矩形、圓形或多邊形配置。在一些實施例中，導電通道具有約100um至約200um的深度。在一些實施例中，天線具有約2.4GHz的共振頻率。在一些實施例中，天線配置為發射或接收藍牙低功耗(BLE)信號或約2.4GHz的預定的電磁頻率信號。在一些實施例中，天線具有約200um的長度和約10um的寬度。在一些實施例中，絕緣層具有約3um至約5um的厚度。在一些實施例中，天線配置為發射到達大於約8米的距離的信號。在一些實施例中，半導體結構還包括由模塑件圍繞且配置為將充電功率從AC轉化為DC的充電器。在一些實施例中，半導體結構還包括配置為生成至充電器的信號的共振器。

在一些實施例中，一種半導體結構包括配置為將充電功率從AC轉換為DC的充電器、配置為發射或接收預定的電磁頻率的信號的收發器、圍繞收發器和充電器的模塑件、延伸穿過模塑件的多個導電通道、配置為發射信號至周圍環境/接收來自周圍環境的信號的天線、覆蓋天線的介電層，其中，天線包括在模塑件上方延伸的伸長部分和延伸穿過模塑件以與收發器電連接的導電通道部分。

在一些實施例中，天線配置為接收來自遠程發射器的預定的電磁頻率信號，且多個導電通道配置為接收來自遠程發射器的充電功率。在一些實施例中，多個導電通道的每個是延伸穿過模塑件且與天線電感耦合的集成電路導電通道(TIV)。在一些實施例中，天線具有約2.4GHz的共振頻率。在一些實施例中，天線為藍牙天線。在一些實施例中，模塑件具有約100um至約200um的厚度。

在一些實施例中，一種製造半導體結構的方法包括提供收發器，形成模塑件以圍繞收發器，形成延伸穿過模塑件的多個凹槽，在多個凹槽內設置導電材料以形成多個導電通道，在模塑件、多個導電通道和收發器上方設置絕緣層且圖案化絕緣層，以及在絕緣層上方形成再分布層(RDL)，其中，RDL包括在絕緣層上方設置的天線和覆蓋天線的介電層，並且天線的部分延伸穿過絕緣層和模塑件以與收發器電連接。

在一些實施例中，該方法還包括形成從絕緣層延伸至收發器的柱，以及天線通過柱與收發器電連接。在一些實施例中，通過電鍍操作設置天線。

根據本發明的一個實施例，提供了一種半導體結構，包括：收發器，配置為與器件通信；模塑件，圍繞所述收發器；導電通道，延伸穿過所述模塑件；絕緣層，設置所述模塑件、所述導電通道和所述收發器上方；以及再分布層(RDL)，設置在所述絕緣層上方，且所述再分布層包括天線和圍繞所述天線的介電層，其中，所述天線的部分延伸穿過所述絕緣層和所述模塑件以與所述收發器電連接。

在上述半導體結構中，所述導電通道配置為與所述天線電感耦合。

在上述半導體結構中，所述導電通道是螺旋的、環形的、矩形的、圓形的或多邊形的配置。

在上述半導體結構中，所述導電通道具有約100um至約200um的深度。

在上述半導體結構中，所述天線具有約2.4GHz的共振頻率。

在上述半導體結構中，所述天線配置為發射或接收約2.4GHz的預定電磁頻率或藍牙低功耗(BLE)的信號。

在上述半導體結構中，所述天線具有約200um的長度和約10um的寬度。

在上述半導體結構中，所述絕緣層具有約3um至約5um的厚度。

在上述半導體結構中，所述天線配置為發射到達大於約8米的距離的信號。

在上述半導體結構中，還包括由所述模塑件圍繞的且配置為將充電功率從AC轉化為DC的充電器。

在上述半導體結構中，還包括配置為生成至所述充電器的信號的共振器。

根據本發明的另一實施例，還提供了一種半導體結構，包括：充電器，配置為將充電功率從AC轉換為DC；收發器，配置為發射或接收預定電磁頻率的信號；模塑件，圍繞所述收發器和所述充電器；多個導電通道，延伸穿過所述模塑件；天線，配置為將所述信號發射至周圍環境或從周圍環境接收所述信號；以及介電層，覆蓋所述天線，其中，所述天線包括在所述模塑件上方延伸的伸長部分和延伸穿過所述模塑件以與所述收發器電連接的導電通道部分。

在上述半導體結構中，所述天線配置為接收來自發射器的預定電磁頻率的信號，且所述多個導電通道配置為接收來自所述發射器的所述充電功率。

在上述半導體結構中，所述多個導電通道的每個是延伸穿過所述模塑件且與所述天線電感耦合的集成電路穿孔(TIV)。

在上述半導體結構中，所述天線具有約2.4GHz的共振頻率。

在上述半導體結構中，所述天線是藍牙天線。

在上述半導體結構中，所述模塑件具有約100um至約200um的厚度。

根據本發明的又一實施例，還提供了一種製造半導體結構的方法，包括：提供收發器；形成模塑件以圍繞所述收發器；形成延伸穿過所述模塑件的多個凹槽；在所述多個凹槽內設置導電材料以形成多個導電通道；在所述模塑件、所述多個導電通道和所述收發器上方設置絕緣層並且圖案化所述絕緣層；以及在所述絕緣層上方形成再分布層(RDL)；其中，所述RDL包括設置在所述絕緣層上方的天線和覆蓋所述天線的介電層，並且所述天線的部分延伸穿過所述絕緣層和所述模塑件以與所述收發器電連接。

在上述方法中，還包括形成從所述絕緣層延伸至所述收發器的柱，並且所述天線通過所述柱與所述收發器電連接。

在上述方法中，通過電鍍操作設置所述天線。

上面概述了若干實施例的部件、使得本領域技術人員可以更好地理解本發明的方面。本領域技術人員應該理解，他們可以容易地使用本發明作為基礎來設計或修改用於實現與在此所介紹實施例相同的目的和/或實現相同優勢的其他工藝和結構。本領域技術人員也應該意識到，這種等同構造並不背離本發明的精神和範圍、並且在不背離本發明的精神和範圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。