半導體光檢測元件和放射線檢測裝置的製作方法
2023-10-09 16:40:04 5
專利名稱：半導體光檢測元件和放射線檢測裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體光檢測元件以及具備該半導體光檢測元件的放射線檢測裝置。
背景技術：
這種半導體光檢測元件已知有在半導體基板的一方面側形成多個光電二極體，以其他方面作為光入射面的背面入射型光電二極體陣列(例如參照文獻1日本專利特開平11-74553號公報)。
專利文獻1日本專利特開平11-74553號公報發明內容在背面入射型光電二極體陣列的半導體基板的耗盡層以外的區域產生的載流子(carrier)擴散移動的距離(從產生的位置到耗盡層的距離)長。因此，在光電二極體之間的附近產生的載流子因不依存於電場的擴散移動而流入接鄰的光電二極體的機率高。其結果，在光電二極體之間容易發生串擾(crosstalk)。
但是，在上述文獻1所記載的背面入射型光電二極體陣列中，在接鄰的光電二極體之間形成有吸收X射線用的薄層。但是，文獻1中的薄層是用以除去散射X射線，並未考慮到上述串擾。
本發明鑑於上述問題作出，以提供可良好地抑制串擾的發生的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置為課題。
本發明的半導體光檢測元件，其特徵在於具備在被檢測光的入射面的相反面側形成有pn結型的多個光電二極體的半導體基板，在半導體基板的入射面的相反面側的多個光電二極體中接鄰的光電二極體之間形成有pn結區域。
在上述半導體光檢測元件中，因在半導體基板的入射面的相反面側的多個光電二極體中接鄰的光電二極體之間形成有pn結區域，故在鄰接的光電二極體附近產生、通過擴散移動要流入鄰接的光電二極體的載流子被從pn結區域吸出。由此，通過擴散移動要流入鄰接的光電二極體的載流子被除去，可良好地抑制光電二極體中串擾的發生。
此外，在背面入射型光電二極體陣列中，會發生某光電二極體因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損而變成電浮接狀態。在這種情況下，從該光電二極體溢出的載流子流入周圍的光電二極體，妨礙周圍的光電二極體輸出正常的信號。在上述文獻1所記載的背面入射型光電二極體陣列中，這種情況完全未敘述。
相對於此，在上述的半導體光檢測元件中，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接的狀態的情況下，也變成要流入鄰接的光電二極體的載流子會從pn結區域被吸出。由此，可良好地抑制載流子流入鄰接的光電二極體。
而且，優選pn結區域從相反面側看，形成為包圍光電二極體。在此情況下，要流入鄰接的光電二極體的載流子確實地被除去，可更良好地抑制串擾的發生。此外，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接的狀態的情況下，也能夠更良好地抑制載流子流入鄰接的光電二極體。
而且，優選在半導體基板的入射面的相反面側，在pn結區域與光電二極體之間形成有與半導體基板導電型相同的高濃度雜質半導體區域。在此情況下，高濃度雜質半導體區域變成具有分離鄰接的光電二極體的功能，鄰接的光電二極體被電分離。其結果，可更進一步降低光電二極體之間的串擾。此外，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接狀態的情況下，也能夠更進一步降低載流子流入鄰接的光電二極體。
而且，優選高濃度雜質半導體區域從入射面的相反面側看，形成為包圍光電二極體。在此情況下，可確實地電分離鄰接的光電二極體。
此外，在半導體基板的入射面的相反面側形成有電連接pn結區域和高濃度雜質半導體區域的電極，優選電極連接接地電位。在此情況下變成可謀求將pn結區域連接接地電位用的電極，和將高濃度雜質半導體區域連接接地電位用的電極的共享化，可防止電極數量增加。被從pn結區域吸出的載流子變成在半導體光檢測元件的內部消失。其結果，光電二極體之間的串擾降低。而且，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接的狀態時，流入鄰接光電二極體的載流子也降低。
而且，在半導體基板的入射面的相反面側形成有與pn結區域電連接的第一電極和與高濃度雜質半導體區域電連接的第二電極，第一電極與第二電極優選在相互電絕緣的狀態下各自連接接地電位。在此情況下，pn結區域與高濃度雜質半導體區域變成在半導體光檢測元件的內部中被電分離。由此，沒有pn結區域側的電位變動那樣的情況，能夠抑制光電二極體與pn結區域側的電位差造成的電流的流入。其結果，很難對來自光電二極體的輸出信號產生電性上的影響，可實現穩定的信號輸出。
而且，半導體基板為第一導電型，優選多個光電二極體和pn結區域由第二導電型雜質半導體區域與半導體基板構成。此外，優選高濃度雜質半導體區域為第一導電型。
而且，在半導體基板的入射面的相反面側具備支承部件，形成有與多個光電二極體的每一個電連接且形成包含凸塊電極(bumpelectrode)的電極，同時在半導體基板的相對面側形成有與多個光電二極體的每一個對應的電極墊(electrode pad)，也可以多個光電二極體的每一個隔著凸塊電極，與支承部件的對應電極墊電連接。
本發明的放射線檢測裝置，其特徵在於，包含上述半導體光檢測元件；和位於半導體基板的入射面側，通過放射線的入射發光的閃爍器(scintillator)。
在上述放射線檢測裝置中，因半導體光檢測元件被設計成上述半導體光檢測元件，故如上述，可良好地抑制光電二極體之間的串擾的發生。而且，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接的狀態的情況下，也能夠抑制載流子流入鄰接的光電二極體。其結果，可得到高的解析度。
根據本發明，能夠提供可良好地抑制串擾的發生的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。此外，能夠提供即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某光電二極體變成電浮接狀態的情況下，載流子流入鄰接的光電二極體也被良好地抑制的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。
圖1是表示第一實施方式的半導體光檢測元件的概略俯視圖。
圖2是用於說明沿圖1中的II-II線的剖面構成的模式圖。
圖3是表示第二實施方式的半導體光檢測元件的概略俯視圖。
圖4是用於說明沿圖3中的IV-IV線的剖面構成的模式圖。
圖5是用於說明本實施方式的半導體光檢測元件的變形例的剖面構成的模式圖。
圖6是用於說明本實施方式的半導體光檢測元件的變形例的剖面構成的模式圖。
圖7是用於說明本實施方式的放射線檢測裝置的剖面構成的模式圖。
圖8是用於說明圖2所示的半導體光檢測元件的變形例的剖面構成的模式圖。
符號說明3，13pn結區域 5n型半導體基板 7p型區域 9高濃度n型區域(高濃度雜質半導體區域) 11p型區域 15、19、31、41電極 61閃爍器 L光 PD1～PD4光電二極體陣列 RD放射線檢測裝置具體實施方式
參照
本發明的實施方式的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。其中，在說明中，相同要素或具有相同功能的要素用同一符號表示，省略重複說明。
(第一實施方式)圖1是表示第一實施方式的半導體光檢測元件的概略俯視圖。圖2是用於說明沿圖1中的II-II線的剖面構成的模式圖。此外，在以下的說明中以光L的入射面(圖2中的上側)為背面，以其相反側的面(圖2中的下側)為表面。
作為半導體光檢測元件的光電二極體陣列PD1是在表面側，由多個pn結區域3二維地有規律的縱橫排列成陣列狀，pn結區域3的每一個都具有作為光電二極體的光感應像素功能。
光電二極體陣列PD1具備由矽(Si)構成的n型(第一導電型)的半導體基板5。n型半導體基板5是其厚度為30～300μm(優選100μm左右)，其雜質濃度為1×1012～1015/cm3。
在n型半導體基板5的表面側，p型(第二導電型)區域7二維地有規律的縱橫排列成陣列狀。通過在該各p型區域7與n型半導體基板5之間形成的pn結區域3，構成有各光電二極體的光感應像素。p型區域7的雜質濃度為1×1013～1020/cm3，深度為0.05～20μm(優選0.2μm左右)。
在鄰接的p型區域7彼此之間配置有作為高濃度雜質半導體區域的高濃度n型區域(分離層)9和p型區域11。
高濃度n型區域9從基板5的表面側擴散n型雜質形成，從表面側看，包圍p型區域7(光電二極體)。該高濃度n型區域9具有電分離鄰接的光電二極體的功能。通過設置高濃度n型區域9，使鄰接的光電二極體確實地被電分離，可降低光電二極體彼此的串擾，而且也能夠控制崩潰電壓(breakdown voltage)(逆方向耐壓)。高濃度n型區域9的雜質濃度為1×1013～1020/cm3，厚度為0.1～數10μm(優選3μm左右)。
p型區域11從基板5的表面側擴散p型雜質形成，從表面側看，包圍p型區域7(光電二極體)和高濃度n型區域9。在該各p型區域11與n型半導體基板5之間形成有pn結區域13。而且，在pn結區域13與p型區域7(光電二極體)之間形成有高濃度n型區域9。p型區域11的雜質濃度為1×1013～1020/cm3，深度為0.05～20μm(優選0.2μm左右)。
位於半導體基板5的端部(晶片邊緣)的p型區域7因與該晶片邊緣側鄰接的p型區域7不存在，故無須在晶片邊緣側形成高濃度n型區域9和p型區域11。
在n型半導體基板5的表面形成有鈍化膜和作為電絕緣膜的熱氧化膜(未圖示)。而且，在n型半導體基板5的背面形成有保護背面，同時抑制光L的反射的AR膜(未圖示)。光電二極體陣列PD1中的n型半導體基板5的背面側作成大致平面。
在n型半導體基板5的表面側形成有與p型區域7電連接的電極15。電極15包含電極墊、凸塊底層金屬(Under Bump Metal(UBM))和凸塊電極17(其中，省略電極墊和UBM的圖示)。電極墊例如由鋁膜構成，透過形成於熱氧化膜的接觸孔(contact hole)，與p型區域7電連接。UBM在電極配線上通過依次電鍍例如Ni、Au形成。凸塊電極17由焊錫構成，形成於UBM上。
在n型半導體基板5的表面側形成有與高濃度n型區域9和p型區域11電連接的電極19。電極19包含電極配線21、UBM(未圖示)和凸塊電極23。電極配線21例如由鋁膜構成，透過形成於熱氧化膜的接觸孔，與高濃度n型區域9和p型區域11電連接。電極配線21也如圖2所示，從n型半導體基板5的表面側看，形成為覆蓋高濃度n型區域9和p型區域11。UBM是在電極配線21上通過依次電鍍例如Ni、Au形成。凸塊電極23由焊錫構成，形成於UBM上。電極19連接接地電位。
在光電二極體陣列PD1中，光電二極體的陽極的電極取出通過電極15實現，光電二極體的陰極的電極取出通過電極19實現。而且，在光電二極體陣列PD1中，變成在pn結區域3、13的邊界形成有耗盡層25。
而且，光電二極體陣列PD1若由背面側入射被檢測光L，則各光電二極體生成對應於該入射光的載流子。由所生成的載流子得到的光電流被從連接p型區域7的電極15(凸塊電極17)取出。來自該電極15的輸出也如圖2所示連接差動放大器27的反轉輸入端子。差動放大器27的非反轉輸入端子與電極19共通的接地電位連接。
圖8是說明圖2所示的用於半導體光檢測元件的變形例的剖面構成的模式圖。此處，作為半導體光檢測元件的光電二極體陣列PD5除半導體基板5之外，還具備作為支承半導體基板5的支承部件的配線基板80。
如上所述，在半導體基板5的表面側，形成有與p型區域7電連接的電極15。電極15在圖8所示的例子中通過電極墊15a、UBM15b和凸塊電極17構成。而且，在半導體基板5的表面側形成有與高濃度n型區域9和p型區域11電連接的電極19。電極19在圖8所示的例子中通過電極墊19a、UBM19b和凸塊電極23構成。
對於這些半導體基板5側的電極15、19，在配線基板80的半導體基板5的相對面側，形成有電極墊81，與p型區域7(光電二極體)對應。半導體基板5的p型區域7如圖8所示，隔著電極15的凸塊電極17與配線基板80的電極墊81電連接。
此外，在配線基板80的半導體基板5的相對面側形成有電極墊82，與高濃度n型區域9和p型區域11對應。半導體基極5的高濃度n型區域9和p型區域11如圖8所示，隔著電極19的凸塊電極23與配線基板80的電極墊82電連接。
如上所述，在本第一實施方式中，在n型半導體基板5的表面側的多個p型區域7(光電二極體)之中鄰接的p型區域7之間形成有p型區域11(pn結區域13)。由此，在n型半導體基板5內的耗盡層25以外的區域中，即使在鄰接的p型區域7附近產生載流子C的情況下，通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C如圖2中的箭頭A所示，變成被從p型區域11吸出。其結果，通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C被除去，可良好地抑制p型區域7之間的串擾的發生。
而且，在以光L的入射面作為背面的背面入射型光電二極體陣列PD1中，如在圖8所舉例說明的該連接構成，在對配線基板等的支承部件的連接中，使用凸塊電極的凸塊連接較適於使用。這樣在使用凸塊連接的構成中，因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，其結果會引起某p型區域7(光電二極體)變成電浮接的狀態。
相對於此，如果根據上述構成的光電二極體陣列PD1，即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某p型區域7變成電浮接的狀態的情況下，從該p型區域7溢出的載流子也被從p型區域11吸出。由此，可良好地抑制載流子流入鄰接的p型區域7。此外，這種構成對於使用凸塊連接以外的連接構成的情形也同樣有效。
而且，在本第一實施方式中，p型區域11從n型半導體基板5的表面側看，形成為包圍p型區域7。由此，變成通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C被確實地除去，可更良好地抑制串擾的發生。
此外如上所述，即使在因連接點的破損使某p型區域7變成電浮接狀態的情況下，從該p型區域7溢出的載流子也變成被從包圍p型區域7的p型區域11吸出。由此，可更良好地抑制載流子流入鄰接的p型區域7。
而且，在本第一實施方式中，在n型半導體基板5的表面側中的p型區域7和p型區域11之間形成有高濃度n型區域9。由此，鄰接的p型區域7被電分離，可更進一步降低p型區域7之間的串擾。此外，即使在因連接點的破損使某光電二極體變成電浮接狀態的情況下，也可更進一步降低載流子流入鄰接的光電二極體。
此外，在本第一實施方式中，高濃度n型區域9從n型半導體基板5的表面側看，形成為包圍p型區域7。由此，可確實電分離鄰接的p型區域7。
而且，在本第一實施方式中，在n型半導體基板5的表面側形成有與高濃度n型區域9和p型區域11電連接的電極19，該電極19連接接地電位。由此，變成可謀求用於使p型區域11連接在接地電位的電極，和用於使高濃度n型區域9連接在接地電位的電極的共享化，可防止電極數增加。在此情況下，被從p型區域11吸出的載流子C在光電二極體陣列PD1的內部消失。
此外，在本第一實施方式中，p型區域11可通過與p型區域7相同的工序形成。在此情況下，沒有光電二極體陣列PD1的工序複雜化的情況。
(第二實施方式)圖3是表示第二實施方式的半導體光檢測元件的概略俯視圖。圖4是用於說明沿圖3中的IV-IV線的剖面構成的模式圖。第二實施方式的光電二極體陣列PD2在高濃度n型區域9和p型區域11的電極構造方面，與第一實施方式的光電二極體陣列PD1不同。
在n型半導體基板5的表面側形成有與高濃度n型區域9電連接的電極31(相當於第二電極)。電極31包含電極配線33、UBM(未圖示)和凸塊電極35。電極配線33例如由鋁膜構成，透過形成於熱氧化膜的接觸孔，與高濃度n型區域9電連接。電極配線33也如圖4所示，從n型半導體基板5的表面側看，形成為覆蓋高濃度n型區域9。UBM在電極配線33上通過依次電鍍例如Ni、Au形成。凸塊電極35由焊錫構成，形成於UBM上。電極31連接差動放大器27的非反轉輸入端子，電極31與差動放大器27的非反轉輸入端子的中途部分連接接地電位。由此，變成電極31與差動放大器27的非反轉輸入端子連接共同的接地電位。
此外，在n型半導體基板5的表面側形成有與p型區域11電連接的電極41(相當於第一電極)。電極41包含電極配線43、UBM(未圖示)和凸塊電極45。電極配線43例如由鋁膜構成，透過形成於熱氧化膜的接觸孔，與p型區域11電連接。電極配線43也如圖4所示，從n型半導體基板5的表面側看，覆蓋p型區域11形成。UBM在電極配線43上通過依次電鍍例如Ni、Au形成。凸塊電極45由焊錫構成，形成於UBM上。電極41與電極31相互電絕緣。電極41在維持與電極31電絕緣的狀態下，在光電二極體陣列PD2的外部連接與電極31不同的接地電位。
如上所述，在本第二實施方式中與第一實施方式一樣，通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C變成被從p型區域11吸出。由此，通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C被除去，可良好地抑制p型區域7之間的串擾的發生。
此外，即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某p型區域7變成電浮接的狀態的情況下，從該p型區域7溢出的載流子也變成被從p型區域11吸出。由此，可良好地抑制載流子流入鄰接的p型區域7。
而且，在本第二實施方式中，在n型半導體基板5的表面側形成有與高濃度n型區域9的電極31和p型區域11電連接的電極41，電極31與電極41在相互電絕緣的狀態下各自連接不同的接地電位。在此構成中，高濃度n型區域9與p型區域11變成在光電二極體陣列PD2的內部被電分離。由此，即使在例如接地電位變動的情形下也不會有p型區域11的電位變動的情形，可抑制p型區域7與p型區域11的電位差造成的電流的流入。其結果，很難對來自p型區域7的輸出信號產生電氣上的影響(噪聲的重迭)，可實現穩定的信號輸出。
而且，在本第二實施方式中，p型區域11可通過與p型區域7相同的工序形成，另一方面，電極41也可以通過與電極31和電極15相同的工序形成。在此情況下，沒有光電二極體陣列PD2的工序複雜化的情況。
此外，在光電二極體陣列PD2中，因電極31與電極41處於相互電絕緣的狀態下，故逆向偏壓的施加也變的容易。因此，信號檢測通過使用積分放大器，也能容易進行低信號檢測。
接著，根據圖5和圖6說明本實施方式的半導體光檢測元件的更進一步的變形例。圖5和圖6是用於說明本實施方式的半導體光檢測元件的變形例的剖面構成的模式圖。
作為圖5所示的半導體光檢測元件的光電二極體陣列PD3，在n型半導體基板5的形狀方面與第一實施方式的光電二極體陣列PD1不同。作為圖6所示的半導體光檢測元件的光電二極體陣列PD4，在n型半導體基板5的形狀方面與第二實施方式的光電二極體陣列PD2不同。
在光電二極體陣列PD3、PD4中，在n型半導體基板5的背面側，對應存在於表面側的各pn結區域3(p型區域7)的區域形成有凹陷部51。由此，在對應鄰接的p型區域7之間的區域成為形成有突出部53，包圍對應p型區域7的區域。
在上述光電二極體陣列PD3、PD4中，與上述的實施方式相同，通過擴散移動要流入鄰接的p型區域7的載流子C被除去，可良好地抑制p型區域7之間的串擾的發生。
此外，即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某p型區域7變成電浮接的狀態的情況下，從該p型區域7溢出的載流子也變成被從p型區域11吸出。由此，可良好地抑制載流子流入鄰接的p型區域7。
而且，在光電二極體陣列PD3、PD4中，可一邊維持機械強度，一邊縮短從n型半導體基板5的背面(光L的入射面)到pn結區域3的距離。由於n型半導體基板5的表面到pn結區域3的距離短，故在n型半導體基板5內產生的載流子C在到pn結區域3的移動過程中的再結合被抑制。
其次，根據圖7說明本實施方式的放射線檢測裝置。圖7是用於說明本實施方式的放射線檢測裝置的剖面構成的模式圖。
放射線檢測裝置RD具備通過放射線的入射發光的閃爍器61和上述光電二極體陣列PD1。此外，取代使用光電二極體陣列PD1，使用光電二極體陣列PD2～4也可以。
閃爍器61位於光電二極體陣列PD1的背面側。出射自偵檢器61的光從光電二極體陣列PD1的背面入射到該光電二極體陣列PD1。閃爍器61接著於光電二極體陣列PD1的背面。對於閃爍器61與光電二極體陣列PD1的接著，可使用具有透光性的樹脂(例如環氧樹脂、丙烯酸樹脂等)。
在上述放射線檢測裝置RD中，由於具備光電二極體陣列PD1，所以p型區域7之間的串擾的發生被良好地抑制。而且，即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某光電二極體變成電浮接的狀態的情況下，載流子流入鄰接的光電二極體也被良好地抑制。由此，可得到高的解析度。
本發明並非限定於前述的實施方式。例如在本實施方式中，雖然本發明適用多個pn結為二維地有規律的縱橫排列的光電二極體陣列，但不限定於此，對於pn結為一維地排列的光電二極體陣列也能適用本發明。
本實施方式的光電二極體陣列PD1～4和放射線檢測裝置RD適合於X射線CT裝置。
如果按照本發明，提供可良好地抑制串擾的發生的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。而且，提供即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破損，使某光電二極體變成電浮接的狀態的情況下，也能抑制載流子流入鄰接的光電二極體的半導體光檢測元件的放射線檢測裝置。
產業上的可利用性本發明可利用為能夠良好地抑制串擾的發生的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。
權利要求
1.一種半導體光檢測元件，其特徵在於具備在被檢測光的入射面的相反面側形成有pn結型的多個光電二極體的半導體基板，在所述半導體基板的所述入射面的相反面側的所述多個光電二極體中鄰接的光電二極體之間形成有pn結區域。
2.如權利要求1所述的半導體光檢測元件，其特徵在於從所述相反面側看，所述pn結區域形成為包圍所述光電二極體。
3.如權利要求1所述的半導體光檢測元件，其特徵在於在所述半導體基板的所述相反面側的所述pn結區域與所述光電二極體之間，形成有與所述半導體基板導電型相同的高濃度雜質半導體區域。
4.如權利要求3所述的半導體光檢測元件，其特徵在於從所述相反面側看，所述高濃度雜質半導體區域形成為包圍所述光電二極體。
5.如權利要求4所述的半導體光檢測元件，其特徵在於在所述半導體基板的所述相反面側形成有與所述pn結區域和所述高濃度雜質半導體區域電連接的電極，所述電極連接接地電位。
6.如權利要求4所述的半導體光檢測元件，其特徵在於在所述半導體基板的所述相反面側形成有與所述pn結區域電連接的第一電極和與所述高濃度雜質半導體區域電連接的第二電極，所述第一電極和所述第二電極在相互電絕緣的狀態下各自連接接地電位。
7.如權利要求1所述的半導體光檢測元件，其特徵在於所述半導體基板為第一導電型，所述多個光電二極體和所述pn結區域由第二導電型雜質半導體區域與所述半導體基板構成。
8.如權利要求3所述的半導體光檢測元件，其特徵在於所述半導體基板和所述高濃度雜質半導體區域為第一導電型，所述多個光電二極體和所述pn結區域由第二導電型雜質半導體區域與所述半導體基板構成。
9.如權利要求1所述的半導體光檢測元件，其特徵在於，具備支承部件，在所述半導體基板的所述相反面側形成有與所述多個光電二極體分別電連接且包含凸塊電極的電極，同時在所述半導體基板的相對面側形成有與所述多個光電二極體分別對應的電極墊，其中，所述多個光電二極體的每一個隔著所述凸塊電極與所述支承部件對應的所述電極墊電連接。
10.一种放射線檢測裝置，其特徵在於，具有權利要求1所述的半導體光檢測元件；和位於所述半導體基板的所述入射面側，通過放射線的入射發光的閃爍器。
全文摘要
在n型半導體基板(5)的表面側中，p型區域(7)排列成二維陣列狀。在鄰接的p型區域(7)彼此之間配置有高濃度n型區域(9)和p型區域(11)。高濃度n型區域(9)從基板(5)的表面側擴散n型雜質形成，從表面側看，包圍p型區域(7)。p型區域(11)從基板(5)的表面側擴散p型雜質形成，從表面側看，包圍p型區域(7)和高濃度n型區域(9)。在n型半導體基板(5)的表面側形成有電連接p型區域(7)的電極(15)；電連接高濃度n型區域(9)和p型區域(11)的電極(19)。由此，可良好地抑制串擾的發生，以及即使在因初期的連接錯誤或溫度循環等發生連接點的破壞，使某光電二極體變成電浮接狀態時，也能夠實現抑制載流子流入鄰接的光電二極體的半導體光檢測元件和放射線檢測裝置。
文檔編號H01L27/146GK1836331SQ20048002347
公開日2006年9月20日 申請日期2004年9月7日 優先權日2003年10月20日
發明者山中辰己 申請人:浜松光子學株式會社