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像素電路、顯示面板和顯示裝置製造方法

2023-10-10 21:29:39 1

像素電路、顯示面板和顯示裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種像素電路,包括電源端、電源傳導電晶體、驅動電晶體、發光件、重置模塊、存儲電容和補償模塊。補償模塊的第一端與像素電路的數據寫入端相連,補償模塊的第二端與驅動電晶體的柵極相連,補償模塊的第三端與驅動電晶體的第一極相連,補償模塊的第四端與驅動電晶體的第二極相連,且存儲電容的第二端通過補償模塊與驅動電晶體的第一極相連,補償模塊能夠在像素電路的重置階段結束後,在補償模塊的第四端輸出數據寫入端輸入的數據電壓,並利用數據電壓對存儲電容進行充電,以補償驅動電晶體的閾值電壓。本實用新型還提供一種顯示面板和一種顯示裝置。顯示面板在顯示時亮度均勻。
【專利說明】
像素電路、顯示面板和顯示裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及有機發光二極體顯示領域,具體地,涉及一種像素電路、一種包括所述像素電路的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。

【背景技術】
[0002]有機發光顯示器是當今平板顯示器研究領域的熱點之一,與液晶顯示器相比,有機發光二極體具有低能耗、生產成本低、自發光、寬視角及響應速度快等優點,目前,在手機、PDA、數位相機等顯示領域,已經開始採用有機發光二極體顯示面板取代傳統的液晶顯示面板。像素驅動電路設計是有源矩陣有機發光二極體顯示面板(AMOLED)核心技術內容,具有重要的研究意義。
[0003]與液晶面板中利用穩定的電壓控制亮度不同,有機發光二極體屬於電流驅動,需要穩定的電流來控制發光。
[0004]圖1中所示的是一種常用的2T1C像素電路,該像素電路包括存儲電容C、驅動電晶體DTFT和開關電晶體TC。當掃描線掃描一行像素時,開關電晶體TO導通,數據寫入信號(此處,數據寫入信號為電壓)寫入存儲電容C,該行掃描結束時,開關電晶體TO關閉,存儲在存儲電容C中的電壓驅動所述驅動電晶體DTFT,使其產生電路驅動發光件0LED,保證發光件在一幀內持續發光。驅動電晶體DTFT的飽和電流為Imd = K(Ves-Vth)2。其中,1led為驅動電晶體DTFT的飽和電流,Ves為驅動電晶體DTFT的柵源電壓,Vth為驅動電晶體DTFT的閾值電壓。
[0005]由於工藝製程和器件老化等原因,各像素點的驅動電晶體的閾值電壓存在不均勻性,這樣就導致了流過每個像素點中有機發光二極體的電流發生變化使得顯示亮度不均,從而影響整個圖像的顯示效果。
[0006]因此,如何提高顯示面板的亮度均勻性成為本領域亟待解決的技術問題。
實用新型內容
[0007]本實用新型的目的在於提供一種像素電路、一種包括所述像素電路的顯示面板和一種包括所述顯示面板的顯示裝置。包括所述像素電路的顯示面板顯示亮度均勻。
[0008]為了實現上述目的,作為本實用新型的一個方面,提供一種像素電路,所述像素電路包括電源端、電源傳導電晶體、驅動電晶體、發光件、重置模塊、存儲電容和補償模塊,
[0009]所述存儲電容的第一端與所述電源端相連,所述存儲電容的第二端與所述驅動電晶體的柵極相連;
[0010]所述電源傳導電晶體的第一極與所述電源端相連,且所述電源傳導電晶體能夠在所述像素電路的發光階段導通;
[0011]所述驅動電晶體的第一極與所述電源傳導電晶體的第二極相連;
[0012]所述重置模塊與所述驅動電晶體的柵極相連,以在所述像素電路的重置階段將所述驅動電晶體的柵極電壓重置;
[0013]所述補償模塊的第一端與所述像素電路的數據寫入端相連,所述補償模塊的第二端與所述驅動電晶體的柵極相連,所述補償模塊的第三端與所述驅動電晶體的第一極相連,所述補償模塊的第四端與所述驅動電晶體的第二極相連,且所述存儲電容的第二端通過所述補償模塊與驅動電晶體的第一極相連,所述補償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結束後,在所述補償模塊的第四端輸出所述數據寫入端輸入的數據電壓,並利用所述數據電壓對所述存儲電容進行充電,以補償所述驅動電晶體的閾值電壓。
[0014]優選地,所述補償模塊包括第一補償電晶體和第二補償電晶體,所述第一補償電晶體的第一極與所述存儲電容的第二端相連,所述第一補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極相連,所述第二補償電晶體的第一極與所述像素電路的數據寫入端相連,所述第二補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極相連,所述第一補償電晶體能夠在所述補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉,且所述第二補償電晶體能夠在所述補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉。
[0015]優選地,所述像素電路包括第一掃描信號端,所述第一補償電晶體的柵極以及所述第二補償電晶體的柵極均與所述第一掃描信號端相連,所述第一補償電晶體和所述第二補償電晶體的類型相同。
[0016]優選地,所述重置模塊還包括重置電晶體和重置電壓端,所述重置電晶體的第一極與所述重置電壓端相連,所述重置電晶體的第二極與所述驅動電晶體的柵極相連,所述重置電晶體能夠在所述像素電路的重置階段導通,並且在所述像素電路的補償階段和發光階段關閉。
[0017]優選地,所述像素電路包括第二掃描信號端,所述第二掃描信號端與所述重置電晶體的柵極相連。
[0018]優選地,所述像素電路還包括發光件控制電晶體,所述發光件控制電晶體的第一極與所述發光件的陽極相連,所述發光件控制電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極相連,所述發光件控制電晶體能夠在所述像素電路的重置階段和補償階段關閉,並且在所述像素電路的發光階段導通。
[0019]優選地,所述像素電路還包括發光掃描信號端,所述電源傳導電晶體的柵極以及所述發光件控制電晶體的柵極均與所述發光掃描信號端相連,所述電源傳導電晶體的類型與所述發光件控制電晶體的類型相同。
[0020]優選地,所述電源傳導電晶體、所述驅動電晶體、所述第一補償電晶體和所述第二補償電晶體均為P型電晶體。
[0021]作為本實用新型的另一個方面,提供一種顯示面板,所述顯示面板包括像素電路,其中,所述像素電路為本實用新型所提供的上述像素電路。
[0022]作為本實用新型的還一個方面,提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括本實用新型所提供的上述顯示面板。
[0023]在本實用新型所提供的像素電路中,消除了驅動電晶體的閾值電壓漂移對流過發光件的電流的影響,可以提高包括所述像素電路的顯示面板的亮度均勻性,並且使得所述顯示面板在顯示時不會產生殘影等顯示缺陷,進而優化顯示面板的顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]附圖是用來提供對本實用新型的進一步理解,並且構成說明書的一部分,與下面的【具體實施方式】一起用於解釋本實用新型,但並不構成對本實用新型的限制。在附圖中:
[0025]圖1是現有的2T1C像素電路的電路圖;
[0026]圖2是本實用新型所提供的像素電路的模塊示意圖;
[0027]圖3是本實用新型的優選實施方式所提供的像素電路的示意圖;
[0028]圖4是驅動本實用新型所提供的像素電路時,各信號的時序圖;
[0029]圖5是圖3中所示的像素電路在重置階段的等效電路圖;
[0030]圖6是圖3中所示的像素電路在補償階段的等效電路圖;
[0031]圖7是圖3中所示的像素電路在發光階段的等效電路圖。
[0032]附圖標記說明
[0033]Tl:電源傳導電晶體T2:第一補償電晶體
[0034]T3:復位電晶體T4:第二補償電晶體
[0035]T5:發光件控制電晶體C:存儲電容
[0036]DTFT:驅動電晶體OLED:發光件
[0037]Em:發光掃描信號端Scan[l]:第一掃描線
[0038]Scan [2]:第二掃描線Vdd:電源端
[0039]TO:開關電晶體

【具體實施方式】
[0040]以下結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行詳細說明。應當理解的是,此處所描述的【具體實施方式】僅用於說明和解釋本實用新型,並不用於限制本實用新型。
[0041]如圖2所示,作為本實用新型的一個方面,提供一種像素電路,所述像素電路包括電源端vdd、電源傳導電晶體Tl、驅動電晶體DTFT、發光件0LED、存儲電容C和重置模塊。
[0042]存儲電容C的第一端與電源端Vdd相連,存儲電容C的第二端與驅動電晶體DTFT的柵極相連。電源傳導電晶體Tl的第一極與電源端Vdd相連,且電源傳導電晶體Tl能夠在所述像素電路的發光階段(圖4中的階段3)導通,且在所述像素電路的重置階段(圖4中的階段I)和補償階段(圖4中的階段2)關閉。驅動電晶體DTFT的第一極與電源傳導電晶體Tl的第二極相連。
[0043]所述重置模塊與驅動電晶體DTFT的柵極相連,以在所述像素電路的重置階段將所述驅動電晶體的柵極電壓重置。
[0044]所述像素電路還包括補償模塊,所述補償模塊的第一端I與所述像素電路的數據寫入端相連,所述補償模塊的第二端2與驅動電晶體DTFT的柵極相連,所述補償模塊的第三端3與驅動電晶體DTFT的第一極相連,所述補償模塊的第四端4與驅動電晶體DTFT的第二極相連。如圖2所示,存儲電容C的第二端與所述補償模塊的第二端2相連,存儲電容C的第二端通過所述補償模塊與驅動電晶體DTFT的第二極相連相連,使得所述補償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結束後,在所述補償模塊的第四端輸出所述數據寫入端輸入的數據電壓Vdata,並利用所述數據電壓Vdata對存儲電容C進行充電,以補償所述驅動電晶體DTFT的閾值電壓。
[0045]本領域技術人員應當理解的是,驅動電晶體DTFT的源極和漏極並不是固定不變的。驅動電晶體DTFT的第一極既可以是該驅動電晶體DTFT的源極,也可以是該驅動電晶體DTFT的漏極,相應地,驅動電晶體DTFT的第二極既可以是該驅動電晶體DTFT的漏極,也可以是該驅動電晶體DTFT的源極。在通電狀態下,驅動電晶體DTFT的第一極和第二極中接入高電平的一者為驅動電晶體DTFT的源極,接入低電平的一者為驅動電晶體DTFT的漏極。
[0046]具體地,如果驅動電晶體DTFT的第一極接入高電平,而驅動電晶體DTFT的第二極接入低電平,那麼驅動電晶體DTFT的第一極為驅動電晶體DTFT的源極,驅動電晶體DTFT的第二極為該驅動電晶體DTFT的漏極。反之,如果驅動電晶體DTFT的第一極接入低電平,而驅動電晶體DTFT的第二極接入高電平,那麼驅動電晶體DTFT的第一極為驅動電晶體DTFT的漏極,驅動電晶體DTFT的第二極為該驅動電晶體DTFT的源極。
[0047]本實用新型中,其他電晶體(包括上文中的電源傳導電晶體Tl和下文中將要描述的第一補償電晶體T2、第二補償電晶體T4、重置電晶體T3和發光件控制電晶體T5)的第一極和第二極的含義與驅動電晶體第一極和第二極的含義類似。
[0048]容易理解的是,在重置階段,對驅動電晶體DTFT的柵極電壓信號進行重置,在驅動電晶體DTFT的柵極的電平設置為該驅動電晶體DTFT的開啟電平。此處,開啟電平的意思是,在驅動電晶體DTFT的第一極和第二極中的一者接入高電平另一者接入低電平的情況下,能夠使得驅動電晶體DTFT導通的電平。
[0049]重置階段結束後,所述像素電路進入補償階段,在該補償階段,將數據電壓通過補償模塊寫入像素電路。在此階段,所述補償模塊的第四端輸出數據電壓Vdata,即所述數據寫入端通過所述補償模塊的第四端將驅動電晶體DTFT的第二極的電位始終維持在Vdata,驅動電晶體DTFT的第一極與存儲電容C的第二端相連,對存儲電容進行充電。由於驅動電晶體DTFT的柵極與存儲電容C的第二端相連,因此,所述數據輸入端對存儲電容C進行充電的同時,還對驅動電晶體DTFT的柵極進行充電,當將驅動電晶體DTFT的柵極的電位拉高至Vdata-Vth時,驅動電晶體DTFT的柵極和第二極之間的電位差為Vth,即,驅動電晶體DTFT的柵源電壓VGS為Vth,此時處於驅動電晶體的臨界狀態,繼續充電時,驅動電晶體DTFT的柵極電位稍有升高則會使得驅動電晶體DTFT斷開,充電完畢,而存儲電容C會將驅動電晶體DTFT的柵極電壓維持在Vdata-Vth。
[0050]在所述像素電路的補償階段結束後,所述像素電路進入發光階段,電源傳導電晶體Tl導通,驅動電晶體DTFT導通,以形成通過發光件OLED的電流。此時,驅動電晶體DTF的柵極電壓為Vdata-Vth,而驅動電晶體DTFT第一極電壓為Vdd,因此,在發光階段,驅動電晶體 DTFT 的柵源電壓 Ves = Vdd-(Vdata-Vth)。
[0051]通過下述公式(I)計算通過發光件OLED的電流:
[0052]1led = K(Vcs-Vth)2(I)
[0053]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0054]= K (Vdd-Vdata)2
[0055]其中,Ves為驅動電晶體DTFT的柵源電壓,Vth為驅動電晶體DTFT的閾值電壓。
[0056]由上式可知,流過發光件OLED的電流大小隻與電源端提供的電壓Vdd以及數據端輸入的電壓Vdata有關,不再受到驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth的影響。
[0057]由此可知,即便驅動電晶體DTFT的閾值電壓發生漂移,流過發光件OLED的電流也不會發生改變。即,在本實用新型所提供的像素電路中,消除了驅動電晶體DTFT的閾值電壓漂移對流過發光件OLED的電流的影響,從而可以提高包括所述像素電路的顯示面板的亮度均勻性,並且使得所述顯示面板在顯示時不會產生殘影等顯示缺陷,進而優化顯示面板的顯示效果。
[0058]作為本實用新型的一種優選實施方式,如圖3所示,所述補償模塊可以包括第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4,第一補償電晶體T2的第一極(相當於所述補償模塊的第二端)與存儲電容C的第二端相連,第一補償電晶體T2的第二極(相當於所述補償模塊的第三端)與驅動電晶體DTFT的第一極相連,第二補償電晶體T4的第一極(相當於所述補償模塊的第一端)與所述像素電路的數據寫入端相連,第二補償電晶體T4的第二極(相當於所述補償模塊的第四端)與驅動電晶體DTFT的第二極相連,第一補償電晶體T2能夠在所述像素電路的補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉,且第二補償電晶體T4能夠在所述補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉。
[0059]具體地,在補償階段,第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4導通,此時,驅動電晶體DTFT的第二極的電位始終是Vdata,數據輸入端對驅動電晶體DTFT進行充電,當將驅動電晶體DTFT的柵極的電位拉高至Vdata-Vth時,驅動電晶體DTFT的柵極和第二極之間的電位差為Vth,充電完畢,存儲電容C會將驅動電晶體DTFT的柵極電壓維持在Vdata-Vth。
[0060]在本實用新型中,可以分別在第一補償電晶體T2的柵極和第二補償電晶體T4的柵極設置控制端,以通過分別向第一補償電晶體T2的柵極和第二補償電晶體T4的柵極提供控制信號實現第一補償電晶體T2以及第二補償電晶體T4在重置階段和發光階段關閉,並且在補償階段導通。
[0061]由上文中的描述可知,第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4的開啟和關閉時同步的,為了簡化像素電路的結構,優選地,所述像素電路包括第一掃描信號端,所述第一補償電晶體的柵極以及所述第二補償電晶體的柵極均與所述第一掃描信號端相連,在這種實施方式中,第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4的類型相同。即,第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4同為N型電晶體,或者同為P型電晶體。
[0062]為了實現在重置階段向驅動電晶體DTFT提供重置電平,優選地,所述像素電路還包括重置電晶體T3和重置電壓端V。》,所述重置電晶體T3的第一極與重置電壓端V.相連,重置電晶體T3的第二極與驅動電晶體DTFT的柵極相連,重置電晶體T3能夠在所述像素電路的重置階段導通,並且能夠在所述像素電路的補償階段和發光階段關閉。
[0063]為了實現重置電晶體T3能夠在所述像素電路的重置階段導通,並且能夠在所述像素電路的補償階段和發光階段關閉,優選地,所述像素電路可以包括第二掃描信號端,所述第二掃描信號端與重置電晶體T3的柵極相連。
[0064]作為本實用新型的一種優選實施方式,如圖3中所示,所述像素電路還可以包括發光件控制電晶體T5,該發光件控制電晶體T5的第一極與發光件OLED的陽極相連,發光件控制電晶體T5的第二極與驅動電晶體DTFT的第二極相連,發光件控制電晶體T5能夠在像素電路的重置階段和補償階段關閉,並且在所述像素電路的發光階段導通。
[0065]由於發光件控制電晶體T5在像素電路的重置階段和補償階段關閉,從而可以防止在重置階段和補償階段有電流通過發光件0LED,從而延長了發光件OLED的使用壽命。
[0066]如上文中所述,電源傳導電晶體Tl在所述像素電路的發光階段導通,在像素電路的重置階段和補償階段均關閉。由此可知,電源傳導電晶體Tl的導通和關閉時序與發光件控制電晶體T5的導通和關閉時序是同步的。
[0067]在本實用新型中,為了以簡單的結構實現電源傳導電晶體Tl和發光件控制電晶體T5的同步控制,優選地,所述像素電路還可以包括發光掃描信號端,電源傳導電晶體Tl的柵極以及發光件控制電晶體T5的柵極均與所述發光掃描信號端相連,在這種實施方式中,電源傳導電晶體Tl和發光件控制電晶體T5的類型相同。S卩,電源傳導電晶體Tl和發光件控制電晶體T5可以同為N型電晶體或者同為P型電晶體。
[0068]在本實用新型中,對各個電晶體的具體形式並沒有特殊的限定。例如,作為本實用新型的一種【具體實施方式】,電源傳導電晶體Tl、驅動電晶體DTFT、第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4均可以為P型電晶體,進一步地,復位電晶體T3和發光件控制電晶體T5也是P型電晶體。
[0069]下面介紹本實用新型所提供的上述像素電路的驅動方法,所述驅動方法包括:
[0070]重置步驟:在所述像素電路的重置階段(圖4中的階段I),利用所述重置模塊向所述驅動電晶體的柵極輸出重置電壓;
[0071]在所述重置步驟結束後進行的補償步驟:在補償階段(圖4中的階段2),數據寫入信號和掃描信號有效,通過所述補償模塊將所述數據寫入端輸入的數據寫入信號對所述存儲電容進行充電,以補償所述驅動電晶體的閾值電壓;
[0072]發光步驟:在發光階段(圖4中的階段3),發光控制信號有效,所述電源傳導電晶體和所述驅動電晶體開啟從而驅動發光件發光。
[0073]在驅動本實用新型所提供的像素電路中,消除了驅動電晶體DTFT的閾值電壓漂移對流過發光件OLED的電流的影響,從而使得所述顯示面板在顯示時不會產生殘影等顯示缺陷,進而優化顯示面板的顯示效果。
[0074]在所述補償步驟中,通過數據寫入信號對存儲電容進行充電,以補償驅動電晶體的閾值電壓,不需要引入其他的補償信號,因此,本實用新型所提供的像素驅動方法較為簡單。
[0075]如上文中所述,為了簡化像素電路的結構,所述像素電路包括第一掃描信號端,第一補償電晶體T2的柵極以及第二補償電晶體T4的柵極均與所述第一掃描信號端相連,第一補償電晶體T2與第二補償電晶體T4的類型相同。相應地,包括所述像素電路的顯示面板包括第一掃描線Scan [I],該第一掃描線Scan [I]與所述第一掃描信號端相連,以向所述第一掃描信號端輸入第一掃描信號。
[0076]因此,所述驅動方法包括:在所述補償步驟中,通過第一掃描線Scan [I]向第一掃描信號端提供第一掃描信號,以控制第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4同步地導通或關閉。作為本實用新型的一種實施方式,第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4均為P型電晶體,因此,如圖4中所示,第一掃描線Scan[l]可以在重置階段以及發光階段輸出高電平信號,控制第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4關閉,並且第一掃描線Scan[l]可以在補償階段輸出低電平信號,控制第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4導通。
[0077]如上文中所述,為了便於控制所述像素電路進行重置,優選地,所述重置模塊可以包括重置電晶體T3和重置電壓端,重置電晶體T3的第一極與所述重置電壓端相連,重置電晶體T3的第二極與驅動電晶體DTFT的柵極相連,重置電晶體T3的柵極與第二掃描信號端相連。相應地,所述驅動方法包括:在所述重置步驟中,向重置電晶體T3的柵極輸入第二掃描信號,控制重置電晶體T3在所述像素電路的重置階段導通,並且控制重置電晶體T3在所述像素電路的補償階段和發光階段關閉。
[0078]為了實現所述像素電路的重置,像素電路包括第二掃描信號端,所述第二掃描信號端與重置電晶體T3的柵極相連,相應地,包括所述像素電路的顯示面板還包括第二掃描線Scan [2],該第二掃描線Scan [2]與所述第二掃描信號端相連,以為所述第二掃描信號端提供第二掃描信號。因此,所述驅動方法包括:在所述重置步驟中,向所述重置電壓端輸入第二掃描信號,以控制重置電晶體在所述像素電路的重置階段導通。
[0079]通過第二掃描線Scan[2]向所述第二掃描信號端提供信號控制重置電晶體T3的導通和關閉。在本實用新型所提供的實施方式中,重置電晶體T3可以為P型電晶體,因此,第二掃描線Scan [2]在重置階段提供使重置電晶體T3導通的低電平,在補償階段和發光階段輸出使重置電晶體T3關閉的高電平。
[0080]作為本實用新型的一種優選實施方式,所述像素電路還包括發光件控制電晶體T5,該發光件控制電晶體T5的第一極與發光件OLED的陽極相連,發光件控制電晶體T5的第二極與驅動電晶體DTFT的第二極相連,發光件控制電晶體T5能夠在所述像素電路的重置階段和補償階段關閉,並且在所述像素電路的發光階段關閉。
[0081]相應地,所述驅動方法可以包括:在所述發光步驟中,向所述發光掃描信號端輸入發光掃描信號,以控制所述發光件控制電晶體在所述像素電路的重置階段和補償階段關閉,並且在所述像素電路的發光階段導通。
[0082]為了簡化像素電路的結構,優選地,所述像素電路還包括發光掃描信號端,電源傳導電晶體Tl的柵極以及發光件控制電晶體T5的柵極均與所述發光掃描信號端相連,在這種情況中,電源傳導電晶體Tl與發光件控制電晶體T5的類型相同。相應地,每組所述掃描線還包括發光掃描信號線Em,發光掃描信號線Em與所述發光掃描信號端相連。通過發光掃描線Em向所述發光掃描信號端輸出發光掃描信號,控制電源傳導電晶體Tl和發光件控制電晶體T5的開啟和關閉。
[0083]在本實用新型的實施方式中,電源傳導電晶體Tl和發光件控制電晶體T5均為P型電晶體,因此,發光掃描線Em在重置階段和補償階段輸出低電平信號,在發光階段輸出聞電平?目號。
[0084]如上文中所述,電源傳導電晶體Tl、驅動電晶體DTFT、第一補償電晶體Τ2和第二補償電晶體Τ4均可以為P型電晶體,進一步地,復位電晶體Τ3和發光件控制電晶體Τ5也是P型電晶體。
[0085]下面結合圖3至圖7介紹包括本實用新型所提供的優選實施方式的像素電路的顯示基板的驅動方法。
[0086]在圖3中所示的像素電路為5T1C像素電路,這種像素電路中僅使用了 5個電晶體和一個電容,因此,可以有效地提高像素電路的開口率。並且,在圖3中所示的像素電路中,所使用的電晶體均為低電平導通的P型電晶體。圖5至圖7中箭頭所示的是電流的流動方向,虛線表示的部分為沒有電流通過的部分。
[0087]重置步驟:在圖5中所示的重置階段,第二掃描線Scan[2]向所述第二控制端輸出低電平信號,控制重置電晶體T3導通,從而向驅動電晶體DTFT的柵極寫入重置電壓V.。在此階段,第一掃描線Scan [I]和發光掃描信號線Em均輸出高電平,因此,電源傳導電晶體Tl、發光控制電晶體T5、第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4均關閉。
[0088]補償步驟:在圖6中所示的補償階段,數據線寫入數據信號Vdata,第一掃描線Scan[l]輸出低電平信號控制第一補償電晶體T2和第二補償電晶體T4導通,由於驅動電晶體DTFT的柵極為重置階段寫入的重置電壓V。》,因此,此時驅動電晶體DTFT也是導通的,此時,可以將驅動電晶體DTFT的柵極電壓改變為Vdata-Vth。在此階段,第二掃描線Scan[2]和發光掃描信號線Em均輸出高電平,因此,電源傳導電晶體Tl、發光控制電晶體T5和重置電晶體T3均關閉。
[0089]發光步驟:在圖7中所示的發光階段,發光掃描信號線Em輸出低電平,使電源傳導電晶體Tl和發光控制電晶體T5開啟,因此,發光件OLED可以發光。此時,第一掃描線Scan[l]和第二掃描線Scan[2]均輸出高電平,因此,第一補償電晶體T2、第二補償電晶體T4和重置電晶體T3均關閉。如上文中所述,流過發光件OLED的電流I_D可以通過如下公式計算:
[0090]1led — K (VGS_Vth)
[0091 ]= K [Vdd-(V data-V th) -V th]2
[0092]= K(Vdd-Vdata)2
[0093]由上述公式可知,流過發光件OLED的電流大小隻與電源端提供的電壓Vdd以及數據端輸入的電壓Vdata有關,不再受到驅動電晶體DTFT的閾值電壓Vth的影響。
[0094]作為本實用新型的再一個方面,提供一種顯示面板,所述顯示面板包括像素電路,其中,所述像素電路為本實用新型所提供的上述像素電路。
[0095]所述顯示面板發光亮度均勻,並且不存在殘影等顯示缺陷,可以顯示高質量的圖像。
[0096]作為本實用新型的還一個方面,提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括本實用新型所提供的上述顯示面板。本實用新型的顯示裝置可以為電視、電腦顯示屏、手機等中。
[0097]可以理解的是,以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而採用的示例性實施方式,然而本實用新型並不局限於此。對於本領域內的普通技術人員而言,在不脫離本實用新型的精神和實質的情況下,可以做出各種變型和改進,這些變型和改進也視為本實用新型的保護範圍。
【權利要求】
1.一種像素電路,其特徵在於,所述像素電路包括電源端、電源傳導電晶體、驅動電晶體、發光件、重置模塊、存儲電容和補償模塊, 所述存儲電容的第一端與所述電源端相連,所述存儲電容的第二端與所述驅動電晶體的柵極相連; 所述電源傳導電晶體的第一極與所述電源端相連,且所述電源傳導電晶體能夠在所述像素電路的發光階段導通; 所述驅動電晶體的第一極與所述電源傳導電晶體的第二極相連; 所述重置模塊與所述驅動電晶體的柵極相連,以在所述像素電路的重置階段將所述驅動電晶體的柵極電壓重置; 所述補償模塊的第一端與所述像素電路的數據寫入端相連,所述補償模塊的第二端與所述驅動電晶體的柵極相連,所述補償模塊的第三端與所述驅動電晶體的第一極相連,所述補償模塊的第四端與所述驅動電晶體的第二極相連,且所述存儲電容的第二端通過所述補償模塊與驅動電晶體的第一極相連,所述補償模塊能夠在所述像素電路的重置階段結束後,在所述補償模塊的第四端輸出所述數據寫入端輸入的數據電壓,並利用所述數據電壓對所述存儲電容進行充電,以補償所述驅動電晶體的閾值電壓。
2.根據權利要求1所述的像素電路,其特徵在於,所述補償模塊包括第一補償電晶體和第二補償電晶體,所述第一補償電晶體的第一極與所述存儲電容的第二端相連,所述第一補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第一極相連,所述第二補償電晶體的第一極與所述像素電路的數據寫入端相連,所述第二補償電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極相連,所述第一補償電晶體能夠在所述補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉,且所述第二補償電晶體能夠在所述補償階段導通,並在所述重置階段和所述發光階段關閉。
3.根據權利要求2所述的像素電路,其特徵在於,所述像素電路包括第一掃描信號端,所述第一補償電晶體的柵極以及所述第二補償電晶體的柵極均與所述第一掃描信號端相連,所述第一補償電晶體和所述第二補償電晶體的類型相同。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的像素電路,其特徵在於,所述重置模塊包括重置電晶體和重置電壓端,所述重置電晶體的第一極與所述重置電壓端相連,所述重置電晶體的第二極與所述驅動電晶體的柵極相連,所述重置電晶體能夠在所述像素電路的重置階段導通,並且在所述像素電路的補償階段和發光階段關閉。
5.根據權利要求4所述的像素電路,其特徵在於,所述像素電路包括第二掃描信號端,所述第二掃描信號端與所述重置電晶體的柵極相連。
6.根據權利要求1至3中任意一項所述的像素電路,其特徵在於,所述像素電路還包括發光件控制電晶體,所述發光件控制電晶體的第一極與所述發光件的陽極相連,所述發光件控制電晶體的第二極與所述驅動電晶體的第二極相連,所述發光件控制電晶體能夠在所述像素電路的重置階段和補償階段關閉,並且在所述像素電路的發光階段導通。
7.根據權利要求6所述的像素電路,其特徵在於,所述像素電路還包括發光掃描信號端,所述電源傳導電晶體的柵極以及所述發光件控制電晶體的柵極均與所述發光掃描信號端相連,所述電源傳導電晶體的類型與所述發光件控制電晶體的類型相同。
8.根據權利要求2或3所述的像素電路,其特徵在於,所述電源傳導電晶體、所述驅動電晶體、所述第一補償電晶體和所述第二補償電晶體均為P型電晶體。
9.一種顯示面板,所述顯示面板包括像素電路,其特徵在於,所述像素電路為權利要求1至8中任意一項所述的像素電路。
10.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括顯示面板,其特徵在於,所述顯示面板為權利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號】G09G3/32GK204066686SQ201420556227
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年9月25日 優先權日:2014年9月25日
【發明者】楊盛際 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司

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