一種圓柱狀石英晶體諧振器基座的製作方法
2023-10-10 07:08:54
專利名稱:一種圓柱狀石英晶體諧振器基座的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及石英晶體諧振器技術領域,尤其是一種圓柱狀石英晶體諧振器基座。
背景技術:
由於石英晶體內部晶片電極與基座引線的接觸是保證晶體電性能穩定的重要因素,而目前的圓柱狀基座鍍層普遍採用錫或高鉛,受熱時引線鍍層熔化會引發高頻柱狀晶體內部的導電膠與引線間的接觸不良,或者焊錫流淌造成晶體元件內部絕緣阻抗不良甚至短路,而引起晶體失效。
實用新型內容本實用新型的目的是為克服上述技術缺點,提供一種圓柱狀石英晶體諧振器基座。本實用新型解決技術問題採用的技術方案為一種圓柱狀石英晶體諧振器基座,包括基座圈及引線基體,所述基座圈及引線基體的一側設置有電鍍層底層,所述底層的外面設置有中間層,中間層外面設置有外層。所述底層是由銅或鑷鍍成,中間層是由錫或錫銅合金鍍成,外層是由金鍍成。所述中間層的厚度大於底層和外層的厚度。本實用新型所具有的有益效果是本實用新型結構設計合理,導電性能良好,具有好的抗氧化性,耐老化及耐潮溼,適合焊錫膏焊接及導電膠固化連接,容易形成規模化生產。
附圖為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型做以下詳細說明。如圖所示,本實用新型包括基座圈及引線基體1,所述基座圈及引線基體1的一側設置有電鍍層底層2,所述底層2的外面設置有中間層3,中間層3外面設置有外層4 ;所述底層2是由銅或鑷鍍成,中間層3是由錫或錫銅合金鍍成,外層4是由金鍍成;所述中間層3的厚度大於底層2和外層4的厚度。採用本實用新型的石英晶體諧振器經受240°C至260°C高溫時,即使引線上的鍍層熔化而最外面的鍍層也不會熔化,從而與水晶片電極保持良好接觸。
權利要求1.一種圓柱狀石英晶體諧振器基座,其特徵在於包括基座圈及引線基體,所述基座圈及引線基體的一側設置有電鍍層底層,所述底層的外面設置有中間層,中間層外面設置有外層。
2.根據權利要求1所述的一種圓柱狀石英晶體諧振器基座,其特徵在於所述底層是由銅或鑷鍍成,中間層是由錫或錫銅合金鍍成,外層是由金鍍成。
3.根據權利要求1所述的一種圓柱狀石英晶體諧振器基座,其特徵在於所述中間層的厚度大於底層和外層的厚度。
專利摘要本實用新型涉及石英晶體諧振器技術領域,尤其是涉及一種石英晶體諧振器基座,本實用新型包括基座圈及引線基體,所述基座圈及引線基體的一側設置有電鍍層底層,所述底層的外面設置有中間層,中間層外面設置有外層;所述底層是由銅或鑷鍍成,中間層是由錫或錫銅合金鍍成,外層是由金鍍成;所述中間層的厚度大於底層和外層的厚度;本實用新型結構設計合理,導電性能良好,具有好的抗氧化性,適合焊錫膏焊接及導電膠固化連接。
文檔編號H03H9/05GK202160148SQ20112027175
公開日2012年3月7日 申請日期2011年7月22日 優先權日2011年7月22日
發明者劉春晨, 宋兵, 郭志成 申請人:日照思科騁創電子科技有限公司