堆迭式封裝結構及其製造方法
2023-10-05 02:07:44
專利名稱：堆迭式封裝結構及其製造方法
技術領域：
本發明是有關於一種堆迭式封裝結構及其製造方法。
背景技術：
在現今的資訊社會中，使用者均是追求高速度、高品質、多功能性的電子產品。就產品外觀而言，電子產品的設計是朝向輕、薄、短、小的趨勢邁進。為了達到上述目的，許多公司在進行電路設計時，均融入系統化的概念，使得單顆晶片可以具備有多種功能，以節省配置在電子產品中的晶片數目。另外，就電子封裝技術而言，為了配合輕、薄、短、小的設計趨勢，亦發展出諸如多晶片模塊(mult1-chip module ；MCM)的封裝設計概念、晶片尺寸構裝(chip scale package ；CSP)的封裝設計概念及晶片堆迭式封裝結構的封裝設計的概念
坐寸ο堆迭式封裝結構一般是指將一晶粒配置於另一晶粒上，其基本目的是要增加密度以在每單位空間中產生更大的功能性，以及更好的區域性效能，因此可降低整個堆迭式封裝結構的總面積，同時也降低其成本。—般晶粒相對表面的接點是經由娃穿孔結構(through silicon via)來達成。然而，矽穿孔結構的製造方法複雜且成本高，且其形成也容易讓晶粒受到額外的力量而造成損壞，因此降低晶粒的良率。
發明內容
本發明有關於一種堆迭式封裝結構及其製造方法。製造方法簡單、成本低。根據本發明的一方案，提出一種堆迭式封裝結構，包括一第一晶粒、一第二晶粒、一第一線路層、一第二線路層、一第三線路層與數個導電連接元件。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，第一表面是相對於第二表面，邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。第一晶粒的第二表面面對第二晶粒的第一表面。第一線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第一表面。第二線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第二表面。第一線路層的線路中至少一個經由第一晶粒的邊緣表面與第二線路層的線路中至少一個電性連結。第三線路層包含多個線路，位於第二晶粒的第一表面。導電連接元件包含導電部及/或焊料部。導電連接元件物理連接並電性連接於第一晶粒上的第二線路層與第二晶粒上的第三線路層。根據本發明的另一方案，提出一種堆迭式封裝結構，包括一第一晶粒、一第二晶粒、一第一線路層、一第二線路層、一第三線路層、一第四線路層與數個導電連接元件。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，第一表面是相對於第二表面，邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。第一晶粒的第二表面面對第二晶粒的第一表面。第一線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第一表面。第二線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第二表面。第一線路層的線路中至少一個經由第一晶粒的邊緣表面與第二線路層的線路中至少一個電性連結。第三線路層包含多個線路，位於第二晶粒的第一表面。第四線路層包含多個線路，位於第二晶粒的第二表面。第三線路層的線路中至少一個經由第二晶粒的邊緣表面與第四線路層的線路至少一個電性連結。導電連接元件包含導電部及/或焊料部。導電連接元件物理連接並電性連接於第一晶粒上的第二線路層與第二晶粒上的第三線路層。根據本發明的一另方案，提出一種堆迭式封裝結構的製造方法，包括以下步驟。提供第一晶粒及第二晶粒。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，第一表面是相對於第二表面，邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。形成數個導電連接元件於第一晶粒的第一表面、第二表面與邊緣表面上。導電連接元件包括焊料部。使焊料部物理連接並電性連接於第二晶粒的第一表面上的元件。根據本發明的又另一方案，提出一種堆迭式封裝結構，包括一第一晶粒、一第二晶粒、一第一線路層、一第二線路層、一第三線路層、與數個導電凸起連接件。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，第一表面是相對於第二表面，邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。第一晶粒的第一表面是面向第二晶粒的第二表面。第一線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第一表面。第二線路層包含多個線路，位於第一晶粒的第二表面。第一線路層的線路的至少一個經由第一晶粒的邊緣表面與第二線路層的線路的至少一個電性連結。第三線路層包含多個線路，位於第二晶粒的第一表面。導電凸起連接件包含導電部及焊料部，物理連接並電性連接第一晶粒上的第二線路層與第二晶粒上的第三線路層。根據本發明的再另一方案，提出一種堆迭式封裝結構的製造方法，包括以下步驟。提供第一晶粒及第二晶粒。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面,第一表面是相對於第二表面,邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。形成數個導電凸起連接件於第一晶粒的第一表面上。使導電凸起連接件物理連接並電性連接於第二晶粒的第二表面上的元件。為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下:
圖1繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元。圖2繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元的俯視圖。圖3繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。圖4繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。圖5繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。圖6繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構圖7A圖7A至圖7M繪示根據一實施例的半導體結構單元的製造方法。圖8繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元。圖9繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。 圖10繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。圖1lA至圖1lH繪示根據一實施例的半導體結構單元的製造方法。符號說明:
102、102A、102B、102C、102D、102E、202A、202C、202D、302、302A、302B、302C、302D、302E、302F、302G:半導體結構單元；104、104A、104B、104C、104D、104E、104F:晶粒；106、108、138、146:表面；110:邊緣表面；112:主動層；114:封環；116、116A:線路層；118、118A、118B、128、128A、128B、228A、228C、228D:導電連接元件；120、122、124:部分;126:接觸結構；130、330:導電凸起連接件；132:金屬柱體；332:導電部134:焊料球；334:焊料部136:晶圓；116、117:線路層；142、162:膠層；144、164:載體；148、156、166:光阻；150:空隙；152、158、168:開口；160、170、172:焊料材料；174:鋼圈；176:膠帶；H1、H2、H3、H4、H5、H6、H7:高度;W1、W2、W3:厚度。
具體實施例方式圖1繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元102。一晶粒104具有相對的一表面106與一表面108,以及介於表面106與表面108之間一邊緣表面110。一主動層112與一封環114是配置在晶粒104的表面106上。線路層116包括多數個線路，並配置在晶粒104的表面106上。線路層117包括多數個線路，並配置在晶粒104的表面108上。線路層116的至少一個線路可經由晶粒104的邊緣表面110與線路層117的至少一個電性連結，因此可不需要製造成本比線路層116與線路層117更昂貴的娃穿孔結構(through silicon via ;TSV),換句話說,半導體結構單元102的製造成本低。於一實施例中，舉例來說，線路層116或線路層117位在晶粒104的邊緣表面110上的部分的高度Hl是5μπι 50μπι。線路層116及/或線路層117可包括重新布線層(Re-Distribution Layer ；RDL)。數個導電連接元件118各包括部分120、122、124，物理連接並電性連接於晶粒104的表面106、表面108與邊緣表面110上的線路層116與線路層117。於一實施例中，導電連接元件118包括焊料部，因此，換句話說，部分120、122、124為焊料部分。於其他實施例中，導電連接元件118包括導電部，材質是銅或金，因此，換句話說，部分120、122、124為導電部分。於一實施例中，舉例來說，部分120的寬度Wl是IOym ΙΟΟμπι。部分120的高度Η2是10 μ m 100 μ m。部分122的寬度W2是10 μ m 100 μ m。部分122的高度H3是
10μ m 100 μ m。部分124的高度H4是5 μ m 50 μ m。圖2繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元102的俯視圖。舉例來說，位在晶粒104的表面106上的線路層116是重新布線層，其扇出(fan-out)形態的導線是與導電連接元件118及接觸結構126相連接。接觸結構126可包括由導電材料形成的接觸墊、或包括焊料球或金屬柱體的導電凸起連接件。在實施例中，位在晶粒104的表面108上線路層117也是包括扇出形態的導線的重新布線層(未繪示)。可經由扇出形態的導線的重新布線層達到高數目的引腳(high pin)。圖3繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。半導體結構單元102A是與半導體結構單元102B堆迭。半導體結構單元102A相似於圖1的半導體結構單元102。半導體結構單元102B相較於圖1的半導體結構單元102的差異在於，半導體結構單元102B省略了圖1的線路層117 ;線路層116隻有位在晶粒104的表面106上的部分；導電連接元件118B只有位在晶粒104的表面106上的部分。請參照圖3，半導體結構單元102A與半導體結構單元102B是經由導電連接元件118A與118B互相物理連接並電性連接。根據一實施例中導電連接元件118A與導電連接元件118B皆為焊料部，可進行回焊步驟來融合導電連接元件118A與導電連接元件118B。由於在回焊步驟中導電連接元件118A與導電連接元件118B熔融，因此即使半導體結構單元102A與半導體結構單元102B的平整度不均，也能輕易地經由具有熔融特性的導電連接元件118A與導電連接元件118B達到彼此連結，而在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成半導體結構單元102A與半導體結構單元102B損壞的額外力量來強迫導電連接元件118A碰觸到導電連接元件118B。此外，導電連接元件118A與導電連接元件118B的尺寸大，因此可接受較大範圍的工藝偏移，而能夠輕易地對位堆迭排列的半導體結構單元102A與半導體結構單元102B。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有高的良率。半導體結構單元102B的結構並不限於使用在只有兩個半導體結構單元的情況中，也能應用在其他更多個(三個以上)半導體結構單元的堆迭式封裝結構中，配置作為最底下的半導體結構單元。圖4的堆迭式封裝結構與圖3的堆迭式封裝結構的差異在於，位在下方的半導體結構單元202A其導電連接元件228A包括導電部，材質是金屬例如銅或金。半導體結構單元102A、202A是經由導電連接元件118A(焊料部)與導電連接元件228A(導電部，金屬例如銅或金)互相物理連接並電性連接。由於在回焊步驟中導電連接元件118A熔融，因此能輕易地連結導電連接元件228A (導電部)。在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成損壞的額外力量。此外，導電連接元件118A與導電連接元件228A的尺寸大，因此可接受較大範圍的工藝偏移。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有高的良率。圖5繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。具有導電連接元件118A、118B的半導體結構單元102A、102B及具有導電連接元件128A、128B的半導體結構單元102C、102D是交替地堆迭。於此實施例中，導電連接元件118A、118B、128A、128B包括焊料部。換句話說，半導體結構單元102A、102B、102C、102D可類似於圖1所示的半導體結構單元102。請參照圖5，半導體結構單元102A、102B、102C、102D是經由導電連接元件118A、118B與導電連接元件128AU28B互相物理連接並電性連接。根據一實施例中導電連接元件118AU18B與導電連接元件128AU28B兩者皆為焊料部，可進行回焊步驟來融合導電連接元件118A、118B與導電連接元件128A、128B。由於在回焊步驟中導電連接元件118A、118B與導電連接元件128A、128B熔融，因此即使半導體結構單元102A、102B、102C、102D的平整度不均，也能輕易地經由具有熔融特性的導電連接元件118AU18B與導電連接元件128A、128B達到彼此連結，而在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成半導體結構單元102A、102B、102C、102D損壞的額外力量來強迫導電連接元件118A、118B碰觸到導電連接元件128A、128B。此外，導電連接元件118A、118B與導電連接元件128A、128B的尺寸大，因此可接受較大範圍的工藝偏移，而能夠輕易地對位堆迭排列的半導體結構單元102AU02B、102CU02D。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有高的良率。根據另一實施例中導電連接元件118AU18B與另一導電連接兀件128A、128B兩者之一為焊料部，另一為導電部，導電部具有較聞的導電率，如此可提聞訊號傳輸效率，且可提供較佳的支撐(standoff)效果。圖6的堆迭式封裝結構與圖5的堆迭式封裝結構的差異在於，半導體結構單元202C、202D的導電連接元件228C、228D包括導電部，材質是金屬例如銅或金。半導體結構單元102A、102B、202C、202D是經由導電連接元件118A、118B (焊料部)與導電連接元件228C、228D(導電部，金屬例如銅或金)互相物理連接並電性連接。可進行回焊步驟來熔融導電連接元件118AU18B(焊料部)以連接導電連接元件228C、228D(導電部)。由於在回焊步驟中導電連接元件118A、118B熔融，因此即使半導體結構單元102A、102B、202C、202D的平整度不均，也能輕易地經由導電連接元件118AU18B(焊料部)熔融至導電連接元件228C、228D(導電部)達到彼此連結，而在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成半導體結構單元102A、102B、202C、202D損壞的額外力量來強迫導電連接元件118A、118B碰觸到導電連接元件228C、228D。此外，導電連接元件118A、118B與導電連接元件228C、228D的尺寸大，因此可接受較大範圍的工藝偏移，而能夠輕易地對位堆迭排列的半導體結構單元102AU02B、202C、202D。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有聞的良率。圖7A圖7A至圖7M繪示根據一實施例的半導體結構單元的製造方法。請參照圖7A，提供一晶圓136。晶圓136可包括矽。可配置封環114在晶圓136的表面138上。可配置主動層112在晶圓136的表面138上。在晶圓136的表面138上形成線路層116，例如包括多個線路的重新布線層。請參照圖7B，利用一膠層142將晶圓136貼附至一載體144，其中晶圓136的表面138是面向載體144。請參照圖7C，從晶圓136的表面146薄化晶圓136。此外，切割晶圓136以形成數個晶粒104A、104B。其中留在各晶粒104A、104B上的線路層116是位在晶粒104A、104B的表面106上。請參照圖7D，塗布光阻148在晶粒104A、104B的表面108上，並填充晶粒104A、104B的邊緣表面110之間的空隙150。請參照圖7E，將光阻148圖案化，以形成露出晶粒104AU04B的邊緣表面110與部分表面108的開口 152。請參照圖7F，形成線路層117在光阻148的開口 152所露出的晶粒104A、104B的邊緣表面110與表面108上。線路層117包括多個線路的重新布線層。線路層116與線路層117是互相電性連接。於一實施例中，舉例來說，晶粒104相對的表面106與表面108上的接觸點(未顯示)可經由線路層116與線路層117電性連接，因此可不需要製造成本比線路層116與線路層117更昂貴的娃穿孔結構(through silicon via ;TSV),換句話說,半導體結構單元的製造成本低。然後移除光阻148。請參照圖7G，形成光阻156在晶粒104A、104B的表面108上，並填充晶粒104A、104B之間的空隙150。請參照圖7H，將光阻156圖案化，以形成露出晶粒104A、104B之間的空隙150的開口 158。換句話說，光阻156的開口 158是露出線路層117位在邊緣表面110上與鄰近於邊緣表面110的表面108上的部分。請參照圖71,於一實施例中，以一焊料材料160填充光阻156的開口 158,於另一實施例中，以電鍍方式形成一導電部，例如電鍍銅或電鍍金。然後移除光阻156。請參照圖7J，利用一膠層162將晶粒104A、104B貼附至一載體164，其中晶粒104AU04B的表面108是面向載體164。此外，將膠層142與載體144移離晶粒104A、104B。形成光阻166在晶粒104A、104B的表面106上，並圖案化光阻166以形成開口 168，其露出焊料材料160與線路層116鄰近晶粒104A、104B的邊緣表面110的部分。請參照圖7K，以一焊料材料170填充光阻166的開口 168。然後移除光阻166。焊料材料160與焊料材料170是形成焊料材料172。請參照圖7L，將結構從載體164上的膠層162轉移至鋼圈174上的膠帶176。請參照圖7M，切割焊料材料172，以分開晶粒104A、104B。其中物理連接線路層116與線路層117的切割後的焊料材料172是形成導電連接元件118 (焊料部)。在其他實施例中，焊料材料172是由金屬例如銅或金所取代，換句話說，導電連接元件118 (導電部)可由材質是銅或金的導電連接元件所取代。圖8繪示根據一實施例中堆迭式封裝結構的半導體結構單元302。圖8的半導體結構單元302與圖1的半導體結構單元102的差異在於，省略了圖1的導電連接元件118。此外，導電凸起連接件330是配置在晶粒104的表面106上的線路層116，並電性連接線路層116。導電凸起連接件330可包括導電部332與配置在導電部上的焊料部334。導電部332可包括金屬柱體。導電部332的材質可包括金屬，例如銅或金。焊料部334可包括焊料球。於一實施例中，舉例來說，導電部332的高度H5是3μπι ΙΟΟμπι。導電部332的寬度W3是10 μ m 100 μ m。焊料部334的高度H6是3 μ m 50 μ m。請參照圖8，於一實施例中，舉例來說，晶粒104相對的表面106與表面108上的接觸點(未顯示)可經由線路層116與線路層117電性連接，因此可不需要製造成本比線路層116與線路層117更昂貴的矽穿孔結構，換句話說，半導體結構單元302的製造成本低。於一實施例中，舉例來說，線路層116或線路層117在晶粒104的邊緣表面110上的部分的高度H7是5μπι 50μπι。線路層116與線路層117可包括重新布線層。圖9繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。半導體結構單元302Α是與半導體結構單元302Β堆迭。半導體結構單元302Α相似於圖8的半導體結構單元302。半導體結構單元302Β相較於圖8的半導體結構單元302的差異在於，半導體結構單元302Β省略了圖8的線路層117，且線路層116隻有在晶粒104Β的表面106上的部分。請參照圖9，半導體結構單元302Β的晶粒104的表面106上的導電凸起連接件330的焊料部334是物理連接並電線連接至半導體結構單元302Α的晶粒104的表面108上的線路層117，藉此達到半導體結構單元302Α、302Β之間的物理連接與電性連接。可進行回焊步驟來熔融焊料部334以連接導電部332與線路層117。由於在回焊步驟中焊料部334熔融，因此即使半導體結構單元302Α、302Β的平整度不均，也能輕易地經由焊料部334熔融至線路層117達到彼此連結，而在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成半導體結構單元302Α、302Β損壞的額外力量來強迫焊料部334碰觸到線路層117。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有高的良率。半導體結構單元302Β的結構並不限於使用在只有兩個半導體結構單元的情況中，也能應用在其他更多個(三個以上)半導體結構單元的堆迭式封裝結構中，配置作為最底下的半導體結構單元。圖10繪示根據一實施例中的堆迭式封裝結構。舉例來說，晶粒104C、104D、104E的表面106上的導電凸起連接件330的焊料部334是物理連接並電線連接至晶粒104DU04E、104F的表面108上的線路層117，藉此達到半導體結構單元302C、302D、302E、302F之間的物理連接與電性連接。可進行回焊步驟來熔融焊料部334以連接導電部332與晶粒104D、104EU04F的表面108上的線路層117。由於在回焊步驟中焊料部334熔融，因此即使半導體結構單元302C、302D、302E、302F的平整度不均，也能輕易地經由焊料部334熔融至線路層117達到彼此連結，而在進行回焊步驟之前，並不需要施加可能造成半導體結構單元302C、302D、302E、302F損壞的額外力量來強迫焊料部334碰觸到線路層117。根據上述，堆迭式封裝結構的製造方法簡單、成本低、工藝彈性與產能高，且迭式封裝結構可具有高的良率。圖1lA至圖1lH繪示根據一實施例的半導體結構單元的製造方法。請參照圖11A，提供一晶圓136。可配置封環114在晶圓136的表面138上。可配置主動層112在晶圓136的表面138上。在晶圓136的表面138上形成線路層116，例如包括多個線路的重新布線層。請參照圖11B，形成數個導電部332於線路層116上。其中導電部332是電性連接至線路層116。形成數個焊料部334在導電部332上。焊料部334與導電部332是形成導電凸起連接件330。請參照圖11C，利用一膠層142將晶圓136貼附至一載體144，其中晶圓136的表面138是面向載體144。請參照圖11D，從晶圓136的表面146薄化晶圓136。此外，切割晶圓136以形成數個晶粒104C、104D。其中留在各晶粒104C、104D上的線路層116是位在晶粒104C、104D的表面106上。請參照圖11E，塗布光阻148在晶粒104C、104D的表面108上，並填充晶粒104C、104D的邊緣表面110之間的空隙150。請參照圖11F，將光阻148圖案化，以形成露出晶粒104CU04D的邊緣表面110與部分表面108的開口 152。請參照圖11G，形成線路層117在光阻148的開口 152所露出的晶粒104C、104D的邊緣表面110與表面108上。線路層117例如包括多個線路的重新布線層。線路層116與線路層117是互相電性連接。於一實施例中，舉例來說，晶粒104相對的表面106與表面108上的接觸點(未顯示)可經由線路層116與線路層117電性連接，因此可不需要製造成本比線路層116與線路層117更昂貴的娃穿孔結構(through silicon via ;TSV),換句話說，半導體結構單元的製造成本低。然後移除光阻148。請參照圖11H，將結構從載體144上的膠層142轉移至鋼圈174上的膠帶176。綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護範圍當視權利要求書所界定者為準。
權利要求
1.一種堆迭式封裝結構，其特徵在於，包括: 一第一晶粒； 一第二晶粒，其中該第一晶粒與該第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面,該第一表面是相對於該第二表面,該邊緣表面介於該第一表面與該第二表面之間,其中該第一晶粒的該第二表面面對該第二晶粒的該第一表面； 一第一線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第一表面； 一第二線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第二表面，其中該第一線路層的該些線路中至少一個經由該第一晶粒的該邊緣表面與該第二線路層的該些線路中至少一個電性連結； 一第三線路層，包含多個線路，位於該第二晶粒的該第一表面，其中所述第三線路層面對所述第二線路層；以及 數個導電連接元件，包含導電部及/或焊料部，該些導電連接元件物理連接並電性連接於該第一晶粒上的該第二線路層與該第二晶粒上的該第三線路層。
2.如權利要求1所述的堆迭式封裝結構，其特徵在於，該導電部的材質是銅或金。
3.如權利要求1所述的堆迭式封裝結構，其特徵在於，該焊料部包括: 一第一焊料部分，配置在該第一晶粒上的該第一線路層上； 一第二焊料部分，配置在該第一晶粒上的該第二線路層及該第二晶粒上的該第三線路層之間，並電性連結及物理連結該第二線路層及該第三線路層；以及 一第三焊料部分，配置在該第一晶粒、該第二晶粒或該二晶粒的該邊緣表面上。
4.如權利要求3所述的堆迭式封裝結構，其特徵在於，該第一線路層上更包括: 一金屬柱體，其中該金屬柱體的表面包含第一焊料部分。
5.一種堆迭式封裝結構，其特徵在於，包括: 一第一晶粒； 一第二晶粒，其中該第一晶粒與該第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面,該第一表面是相對於該第二表面,該邊緣表面介於該第一表面與該第二表面之間,其中該第一晶粒的該第二表面面對該第二晶粒的該第一表面； 一第一線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第一表面； 一第二線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第二表面，其中該第一線路層的該些線路中至少一個經由該第一晶粒的該邊緣表面與該第二線路層的該些線路中至少一個電性連結； 一第三線路層，包含多個線路，位於該第二晶粒的該第一表面； 一第四線路層，包含多個線路，位於該第二晶粒的該第二表面，其中該第三線路層的該些線路中至少一個經由該第二晶粒的該邊緣表面與該第四線路層的該些線路至少一個電性連結；以及 數個導電連接元件，包含導電部及/或焊料部，該些導電連接元件物理連接並電性連接於該第一晶粒上的該第二線路層與該第二晶粒上的該第三線路層。
6.一種堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，包括: 提供第一晶粒及第二晶粒，其中該第一晶粒與該第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，該第一表面是相對於該第二表面，該邊緣表面介於該第一表面與該第二表面之間； 形成數個導電連接兀件於該第一晶粒的該第一表面、該第二表面與該邊緣表面上，其中該些導電連接元件包括焊料部；以及 使該些焊料部物理連接並電性連接於該第二晶粒的該第一表面上的元件。
7.如權利要求6所述的堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，更包括: 在一晶圓上形成一第一線路層； 切割該晶圓以形成數個該第一晶粒； 在該第一晶粒的該第二表面形成一第二線路層，其中該第一線路層中至少一個線路經由該第一晶粒的該邊緣表面與該第二線路層的線路電性連結。
8.如權利要求6所述的堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，形成該些焊料部於該第一晶粒的該第一表面、該第二表面與該邊緣表面上的方法包括: 將數個該第一晶粒以一空隙互相隔開； 形成一光阻於該些第一晶粒上，其中該光阻具有一開口露出該些第一晶粒之間的該空隙； 以焊料材料填充該光阻的該開口所露出的該空隙； 移除該光阻；以及 切割該焊料材料以形成該些焊料部。
9.一種堆迭式封裝結構，其特徵在於，包括: 一第一晶粒； 一第二晶粒，其中該第一晶粒與該第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面,該第一表面是相對於該第二表面,該邊緣表面介於該第一表面與該第二表面之間,其中該第一晶粒的該第一表面是面向該第二晶粒的該第二表面； 一第一線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第一表面； 一第二線路層，包含多個線路，位於該第一晶粒的該第二表面，其中該第一線路層的該些線路的至少一個經由該第一晶粒的該邊緣表面與該第二線路層的該些線路的至少一個電性連結； 一第三線路層，包含多個線路，位於該第二晶粒的該第一表面；以及數個導電凸起連接件，包含導電部，物理連接並電性連接該第一晶粒上的該第二線路層與該第二晶粒上的該第三線路層。
10.如權利要求9所述的堆迭式封裝結構，其特徵在於，該導電部的高度是3μ m 100 μ m，該導電部的寬度是ΙΟμ 100 μ m。
11.如權利要求10所述的堆迭式封裝結構，其特徵在於，該數個導電連接元件，進一步包含焊料部。
12.—種堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，包括: 提供第一晶粒及第二晶粒，其中該第一晶粒與該第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，該第一表面是相對於該第二表面，該邊緣表面介於該第一表面與該第二表面之間； 形成數個導電凸起連接件於該第一晶粒的該第一表面上；以及 使該些導電凸起連接件物理連接並電性連接於該第二晶粒的該第二表面上的元件。
13.如權利要求12所述的堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，更包括: 形成數個金屬柱體於該第一晶粒的該第一表面上；以及 形成數個焊料球在該些金屬柱體上，其中該些焊料球與該些金屬柱體是形成該些導電凸起連接件。
14.如權利要求12所述的堆迭式封裝結構的製造方法，其特徵在於，更包括: 在一晶圓上形成一第一線路層； 在該第一線路層上形成該些導電凸起連接件； 切割該晶圓以 形成數個該第一晶粒； 在該第一晶粒的該第二表面形成一第二線路層，其中該第一線路層中至少一個線路經由該第一晶粒的該邊緣表面與該第二線路層的線路電性連結。
全文摘要
一種堆迭式封裝結構及其製造方法。堆迭式封裝結構的製造方法，包括以下步驟。提供第一晶粒及第二晶粒。第一晶粒與第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面與一邊緣表面，第一表面是相對於第二表面，邊緣表面介於第一表面與第二表面之間。形成數個導電連接元件於第一晶粒的第一表面、第二表面與邊緣表面上。導電連接元件包括焊料部。使焊料部物理連接並電性連接於第二晶粒的第一表面上的元件。
文檔編號H01L25/00GK103199071SQ20131010920
公開日2013年7月10日 申請日期2013年3月29日 優先權日2013年3月29日
發明者洪嘉臨 申請人:日月光半導體製造股份有限公司