製造顯示設備的方法
2023-10-04 23:40:09
專利名稱：製造顯示設備的方法
技術領域：
此處公開的實施例一般涉及用於製造顯示設備的方法。背景近年來,整體上,在使用諸如液晶顯示元件、電致發光元件( EL元件)等之類的顯示元件的顯示設備中，除了重量節約和規模化之外，已經有對於長期可靠性、形狀的高自由度、曲面顯示器的可獲得性等的高階要求。因此，作為用於顯示設備的襯底，諸如透明塑料等之類的薄膜層已經取代重的、易碎的和難以增加面積的玻璃襯底，吸引了人們的注意。儘管也可能使用塑料基於角色到角色處理(role to role process)來形成顯示器,考慮到成本，存在用於製造顯示設備的方法，其中在諸如玻璃襯底之類的支承襯底上設置膜層，且在所述膜層上形成電路和顯示層，且然後，將所述膜層從所述支承襯底剝離。附圖簡述
圖1是根據實施例的顯示設備的上表面視圖；圖2A和圖2B是根據該實施例的顯示設備的部分截面視圖；圖3A到3C是示出根據本實施例的顯示設備的製造過程的截面圖；圖4A到4D是示出根據本實施例的顯示設備的製造過程的截面圖；圖5A到5C是示出根據本實施例的顯示設備的製造過程的截面圖；圖6是示出雷射器的能量密度和負載之間的關係的示圖；以及圖7是示出用紫外光照射之前以及之後的TFT的電流-電壓特性的示圖。詳細描述根據ー個實施例，公開了用於製造顯示設備的方法。所述方法包括用於在支承襯底上形成膜材料層的過程。所述方法可包括用於加熱所述膜材料層來形成膜層的第一加熱過程。所述方法可包括用於以高於所述第一加熱過程的溫度的溫度加熱圍繞著第一區域的第二區域的第二加熱過程。所述第一區域被設置在所述膜層的中央部分中。所述方法可包括用於在所述第一區域的部分中形成顯示層且在所述第二區域的至少一部分中形成外圍電路部分的過程。所述方法可包括用於以高於所述第二加熱過程的溫度的溫度加熱在其中形成所述顯示層的範圍之外的膜層的至少一部分的第三加熱過程。另外，所述方法可包括用於將所述膜層從所述支承襯底剝離的過程。實施例提供了顯示設備的製造方法，其中在形成電路和顯示層時難以將膜層從支承襯底剝離，而在形成所述電路和所述顯示層之後易於將所述膜層從所述支承襯底剝離。下文中將參考相應附圖而描述各實施例。這些附圖是示意性的或概念性的；且各部分的厚度和寬度之間、各部分之間尺寸的比例之間的關係等並不必要是與其實際值相同的。進ー步，尺寸和比例在各個附圖之間可被圖示為不同，即使是對於同一個部分。在本申請的說明書和附圖中，與相關於上文附圖而描述的那些組件相類似的組件被標記為類似的參考標號，且按需省略詳細描述。圖1是根據實施例的顯示設備的上表面視圖。圖2A示出沿圖1中的顯示設備400的線A-A的截面圖，也就是下文將要描述的第一區域的截面，以及圖2B示出沿圖1中的顯示設備400的線B-B的截面圖，也就是下文將要描述的第二區域的截面。如圖1中所示，顯示設備400具有ー個主表面。所述顯示設備400的ー個主表面具有設置在其中央部分中的第一區域310和圍繞該第一區域310的第二區域320。第一區域310的端側被定義為設置在所述顯示設備400的ー個主表面的端側更內部。在圖1中，所述第一區域310和第二區域320之間的界限通過使用虛線來表示。在第一區域310中，設置顯示層311和像素電路部分312。顯示層311，例如，是液晶層、有機電致發光層(0LEDE層)等。在第二區域的至少一部分中，設置外圍電路部分321 和安裝部分322 (在圖4C到圖4D中示出)。外圍電路部分321是用於驅動顯示層311的電路。進ー步，安裝部分322是連接了可連接至顯示設備的轉接襯底的部分。此處，顯示部分400是有源矩陣類型的顯示設備。如圖2A中所示，在第一區域310中，設置有膜襯底110、形成在膜襯底110上的像素的TFT (薄膜電晶體)310T、以及經由鈍化膜180和濾色器190設置在TFT310T上的顯示層311。像素的TFT310T是像素電路部分312的一部分，且用作用於驅動顯示層311的開關元件。作為顯示層311，此處使用有機電致發光層。偏轉板100設置在膜襯底110的相對於面向顯示層311的主表面的主表面上。在膜層110和像素的TFT311之間設置底塗層120。防止溼氣等穿透顯示層311的密封膜240被設置在顯示層311上。阻擋膜260經由粘合層250設置在密封膜240上。阻擋膜260防止溼氣等穿透顯示層311，且同時，具有作為支承元件的功能。像素的TFT310T利用此處的底柵型薄膜電晶體，其包括設置在底塗層120的一部分上的柵電極130 ;覆蓋柵電極130的柵絕緣膜140 ;經由柵絕緣膜140面對柵電極130的半導體層150 ;設置在半導體層150的一部分上的溝道保護膜160 ;以及連接至由溝道保護膜160組成的半導體層150的源電極170S和漏電極170D。作為半導體層150，可使用氧化物半導體和矽半導體。作為氧化物半導體，例如，可使用銦(In)、鎵(Ga)和包括鋅(Zn)的氧化物。具體地，作為氧化物半導體，可使用氧化銦鎵鋅。像素的TFT310T與未示出的信號線和掃描線一起形成像素電路部分310。鈍化膜180由絕緣材料製成。濾色器190傳輸具有特定波長的光，且，例如，具有傳輸紅光的部分、傳輸綠光的部分以及傳輸藍光的部分。鈍化膜180和濾色器190被設置為具有開ロ，其覆蓋源電極170D的一部分。顯示層311包括設置在濾色器190上的陽極200 ;設置在陽極200上的堤部(bank) 210 ;設置在堤部210上的發光層220 ；以及設置在發光層220上的陰極230。陽極200經由鈍化膜180和濾色器190的開ロ連接至源電極170D。堤部210被至少設置在像素的TFT310T上，且具有在其ー個部分上的開ロ。發光層220和陰極130被設置在堤部210和從堤部210暴露出來的陽極200上。發光層220經由堤部210的開ロ接觸陽極200。也就是，陽極200、發光層220、以及陰極230被堆疊在堤部210的開口中。當電壓被施加到顯不層311時,光從有機電致發光層中發射出來。第二區域320包括膜襯底110和設置在膜襯底110上的外圍電路的TFT320T。鈍化膜180被設置在外圍電路的TFT320T上。外圍電路的TFT320T與未示出的信號線和掃描線一起形成外圍電路部分322。外圍電路的TFT320T此處是底柵型電晶體，且包括設置在底塗層120的一部分上的柵電極130 ;覆蓋柵電極130的柵絕緣膜140 ;經由柵絕緣膜140面對柵電極130的半導體層150 ;設置在半導體層150的一部分上的溝道保護層160 ;以及從溝道保護層160連接至半導體層150的源電極170S和漏電極170D。外圍電路的TFT320與未示出的引線一起形成驅動電路。氧化物半導體，例如，可使用含有銦(In)、鎵(Ga)和鋅(Zn)的氧化物，諸如非晶氧化銦鎵鋅(a-1GZO)。
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儘管可使用有源矩陣類型作為顯示設備400，還可使用無源型顯示設備。進一歩，儘管可使用底柵型作為像素的TFT310T和外圍電路的TFT320T，還可使用頂柵型。在圖2A和2B中，儘管圖示頂柵型的配置作為像素的TFT310T和外圍電路的TFT320T，還可使用底柵型的配置。必要吋，設置濾色器190。作為膜層110，使用聚醯亞胺樹脂。由於使用聚醯亞胺的膜層110具有耐熱性，且線性膨脹係數很小，由加熱引起的尺寸變化難以產生。作為聚醯亞胺樹脂，諸如聚醯胺醯亞胺、聚苯並咪唑、聚醯亞胺酯、聚醚醯亞胺、聚矽醚醯亞胺等在其結構中具有醯亞胺團的聚合物都被包括在內。可以這樣的方式來形成聚醯亞胺樹脂，在溶劑存在的情況下，ニ(元)胺被導致與酸酐反應來產生聚醯胺酸聚合物，且該聚醯胺酸聚合物通過脫水(亞胺化反應)經受閉環作用。可使用絕緣材料作為底塗層120、柵絕緣膜140和溝道保護層160，例如，可使用氧
化矽、氮化矽等。可使用導電金屬作為柵電極130、源電極170S和漏電極170D。例如，可使用諸如鎢化鑰(MoW)、鉭化鑰(MoTa)、以及鎢(W)之類的高熔點金屬作為柵電極130。例如，可使用導電材料作為源電極140S和漏電極140D。例如，可使用鈦(Ti) /鋁(Al) /鈦(Ti)和鑰(Mo)/鋁(Al)/鑰(Mo)、以及氧化銦鎢(ITO)等的層疊膜。可使用絕緣材料作為鈍化膜180。例如，可使用氧化矽、氮化矽、四こ氧基甲矽烷
坐寸o可使用傳輸具有預確定波長的光的材料作為濾色器190，且，例如，可使用傳輸紅、綠、藍光的每ー種且吸收其他顔色可見光的顔料。可使用導電材料作為陰極200，且例如，可使用諸如氧化銦錫(ITO)等之類的金屬。可使用絕緣材料作為堤部210，且例如，可使用諸如光敏丙烯樹脂等之類的樹脂材料。可使用將發光材料發散到基質材料(host material)中的材料作為發光層220,該發光材料發出與低層的色濾器190所發出的光一樣的顏色。可選地，可使用包括發出紅色光的發光材料、發出綠色光的發光材料、以及發出藍色光的發光材料的基質材料。可使用透光且導電的材料作為陽極230，且例如，可使用諸如鋁(Al)之類的金屬。可使用透光且導電的材料作為密封膜240，且例如，可使用諸如氧化矽和氧化鋁之類的氧化物、諸如氮化矽之類的氮化物、諸如聚對ニ甲苯之類的有機膜、以及這些元件的層疊膜。可使用透光材料作為粘合層250，且例如，可使用熱固性樹脂和光固化樹脂。可使用透光且導電的材料作為阻擋膜260，且例如，可使用用密封膜材料塗覆塑料基底的材料等。下文將要描述的支承襯底90具有在形成像素電路部分312和外圍電路部分321、以及顯示層311和安裝部分322時能支撐膜層110的力量，且具有高於膜層110的耐熱性。支承襯底90優選地是透明的。例如，可使用玻璃襯底作為支承襯底90。由於膜層110耐熱性較低，使用該膜層110的顯示設備需要在低溫中製造。即使在低溫中被製造，使用氧化物半導體的薄膜電晶體可表現出充分特性。具體地，IGZO是非晶膜，其中驅動電流較高，且元件之間的變化較小，且元件之間的特性可被平衡，且另外，遷移率相對較高。由於有機電致發光層對比度較高，且具有從傾斜方向較好地可見的性質，其可被用於能進行曲面顯示的顯示設備的顯示層311。圖3A到圖3C以及圖4A到圖4D是示出根據本實施例的顯示設備的製造過程的截面圖。圖5A到圖5C是示出根據本實施例的顯示設備的製造過程的平面圖。圖5A到5C中示出的製造方法的每ー個過程對應於圖4A到4C中的製造方法的每ー個過程。在該實施例中，在支承襯底90上形成膜層110，且在膜層110上形成像素電路部分312、外圍電路部分321、顯示層311以及安裝部分322，且然後，將膜層110從支承襯底90剝離，藉此製造能顯示曲面的顯示設備400。首先，將描述如圖3A中所示的在支承襯底90上形成膜層110的過程。在該實施例中，使用聚醯亞胺作為膜層110的材料。在支承襯底90上塗覆聚醯亞胺酸溶液作為膜材料層111，且然後，乾燥支承襯底90，形成了膜材料層111 (圖3B)。 使膜材料層111經受熱處理使得聚醯胺こ酸醯亞胺化，且在支承襯底90上形成具有聚醯亞胺的膜層110 (第一加熱過程，圖3C)。可使用加熱方法，例如，燈加熱退火、加熱板、加熱爐等作為熱處理。在第一加熱過程中熱材料膜111的溫度被設定為Tl。Tl可以是超過將膜材料層可設為膜層110的溫度的溫度。例如，Tl可被設在200° C或者更大達小於500° C。在200° C或者更大到500° C或更小的範圍內施加熱量到膜材料層111可形成由聚醯亞胺樹脂製成的膜層110。當膜材料層111形成時，支承襯底90用作支承本體。接著，在高於第一加熱過程的溫度的溫度處加熱圍繞著設置在膜層110中央部分中的第一區域310的第二區域320的至少一部分(第二加熱過程，圖4A和圖5A)。在第一區域310中，稍後形成像素電路部分312和顯示層311。在第二區域320中，稍後形成外圍電路部分321和安裝部分322。作為第二加熱過程中的加熱方法，提供了用例如可見光、紅外光、紫外光、微波、毫米波、電子束和放射線照射膜層110的方法，以及用焦耳熱照射膜層110的方法。例如，有用雷射照射膜層110並用滷素燈加熱膜層110的方法。圖4A示出用雷射器I照射膜層110的情況。當執行雷射照射作為第二加熱過程時，例如，可使用摻雜Nd、Tm、和Ho的水晶(以YAG, YVO4, YLF和YAIO3來表示)的固體雷射器、受激準分子雷射器、CO2雷射器、氬雷射器或半導體雷射器。例如，可使用氯化氙(XeCl)受激準分子雷射器。使得在第二加熱過程中的膜層110的溫度高於第一加熱過程中膜層110的溫度。在第二加熱過程中膜層110的溫度被設定為T2。在Tl和T2之間存在T1〈T2的關係。具體地，當使用雷射器用於第二加熱過程時，可通過諸如雷射器的波長、脈衝寬度、頻率等條件在重複的雷射器照射時間調節T2。例如，可用加熱板或加熱爐來執行第一加熱過程，以設定Tl為350° C。當使用XeCl受激準分子雷射器用於第二加熱過程時，雷射器能量被設定為160mJ/cm2、中心波長被設定為308nm、重複頻率被設定為300Hz、且脈衝寬度被設定為29納秒，則T2可被設定為不小於 1000。C。通過第二加熱過程，増加了在經加熱部分320L中的支承襯底90和膜層110之間的粘合度。在沒有被第二加熱過程加熱的部分中，支承襯底90和膜層110之間的粘合力保持原狀。
接著，在膜層110上的第一區域310中形成像素電路部分312，且在第二區域中形成外圍電路部分321。接著，在第一區域310中形成顯示層311，且在第二區域中設置安裝部分322 (圖4B和圖5B)。在第二區域320中，加熱由第二加熱過程所加熱的範圍的至少一部分(第三加熱過程，圖4C和圖5C)。使得在第三加熱過程中的膜層110的溫度高於第二加熱過程中膜層110的溫度。在第三加熱過程中膜層110的溫度被設定為T3。在T2和T3之間存在T2〈T3的關係。作為第三加熱過程中的加熱方法，提供了用例如可見光、紅外光、紫外光、微波、毫米波、電子束和放射線照射膜層110的方法，以及用焦耳熱照射膜層110的方法。例如，有用雷射照射膜層110並用滷素燈加熱膜層110的方法。圖4C示出用雷射器2照射膜層110的情況。當執行雷射照射作為第三加熱過程吋，例如，可使用摻雜Nd、Tm、和Ho的水晶(以YAG，YVO4, YLF和YAIO3來表示)的固體雷射器、受激準分子雷射器、CO2雷射器、氬雷射器或半導體雷射器。當使用雷射器用於第三加熱過程時，可通過諸如雷射器的波長、脈衝寬度、頻率等條件在重複的雷射器照射時間調節T3。例如，可使用氯化氙(XeCl)受激準分子雷射器。當使用XeCl受激準分子雷射器時，雷射器能量可被設定為180mJ/cm2、中心波長可被設定為308nm、重複頻率可被設定為300Hz、且脈衝寬度可被設定為29納秒。此處，由第三加熱過程加熱的部分320M被定義為設置有外圍電路部分321和安裝部分322的部分。由第三加熱過程加熱的部分320M可比由第二加熱過程加熱的部分320L
寬或窄。由於通過第三加熱過程將較高能量施加給支承襯底90和膜層110，可將膜層110從支承襯底90剝離。例如，當用過雷射照射執行第三加熱過程吋，已經被照射的部分的膜層110，通過從支承襯底90 —側被用雷射器2照射，而從已經被照射的部分的支承襯底90剝離。第三加熱過程包括在支承襯底90和膜層110之間的至少一部分中形成空隙(airspace)。關於並非被用雷射照射的部分的其他部分，膜層110被機械地從支承襯底90剝離(圖4D)。為了機械地從支承襯底90剝離膜層110，例如，可採用剝離設備等。利用由第二加熱過程選擇性地增加的膜層110的第二區域320的溫度，可增加膜層110和支承襯底90之間的粘合力。儘管可考慮用於增加粘合力的數個模型，預計膜層110的溫度的增加進ー步提升膜層110內的亞胺化反應，而傳遞因此產生的溼氣到支承襯底90ー側的效果進一步增加了粘合力。當第二區域320的粘合力的至少一部分增加時，且稍後形成像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322，膜層100難以從支承襯底90剝離。因此，易於在膜層110上形成像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322，且因此，可改進顯示設備400的製造產量。由於當在膜層110上形成像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322時施加了熱量，當膜層110從支承襯底90剝離時可能在膜層110的尺寸上有改變。為了在膜層110上形成像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322，可採用在現有玻璃襯底上處理的相同的方法。即，在膜層110上可形成這些部分和顯示層類似於在玻璃襯底上形成有源矩陣系統顯示設備。在第二加熱過程中，關於其中改進了支承襯底90和膜層110之間的粘合力的部 分，如果企圖機械地將膜層110從支承襯底90剝離，諸如折縫、拉長、破縫等剝離缺陷在膜層110中產生。通過用雷射器在這個部分照射，導致膜層110懸浮於支承襯底90，藉此允許膜層110從支承襯底90剝離。雷射器的能量可被設置為導致膜層110懸浮於支承襯底90的限度之上。由於在施加了溫度的狀態下以壓カ結合來提供安裝部分，存在膜層110和支承襯底90之間的粘合力進ー步増加的ー些情況，藉此使得難以將膜層110從支承襯底90剝離。因此，儘管可將第二區域320的一部分或全部由雷射器照射來從支承襯底90剝離膜層110，具體地優選的是用雷射器照射其中設置了安裝部分322的部分。由於雷射器照射，第一區域310的像素電路部分312和顯示層311可能導致特性變化。具體地，當為像素電路部分312中設置的像素的TFT310T使用氧化物半導體且使用有機電致發光層220作為顯示層311吋，由於雷射器施加的熱和能量的結果，顯示設備400的顯示質量可能變得較差。然而，根據本實施例，在第一區域310中，由於沒有執行第二過程，因此支承襯底90和膜層110之間的粘合力沒有被増加，可不用雷射照射而是用機械剝離來將膜層110從支承襯底90剝離。支承襯底90的透溼性影響了支承襯底90和膜層110之間的可分離性。在乾燥和亞胺化膜材料層111時，膜材料層111中含有的有機溶劑集中在支承襯底90和膜層110之間的界面上。進一歩，由亞胺化反應所產生的水分子集中在支承襯底90和聚醯亞胺膜層110之間的界面上。藉此，支承襯底90和膜層110之間的粘合被抑制。因此，稍後當在膜層110上形成像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322時，可輕易地將膜層110從支承襯底90上剝離。此處，如果支承襯底90的透溼性很大，支承襯底90和膜層100之間界面中出現的水分子和有機溶劑被傳向外，且因此可増加支承襯底90和膜層110之間的粘合性。然而，如果粘合性太高，在像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322形成在膜層110之後，將膜層110從支承襯底90剝離時，剝離變得困難。反之，如果支承襯底90的透溼性很小，水分子和有機溶劑留在支承襯底90和膜層100之間界面中，且因此在像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322形成在膜層110時膜層110可能懸浮於支承襯底90。因此,可取決於支承襯底90的透溼性而調節支承襯底90和膜層110之間的粘合性。
進一歩，由於膜層110所使用的聚醯亞胺具有一定程度的透溼性，在支承襯底90和膜層Iio之間的界面的溼氣內容的消逝時間可能有改變。另外，由於諸如支承襯底90和膜層110之間表面自由能、環境溫度、以及環境溼度之類的外部因素改變界面的溼氣內容，難以控制界面的溼氣內容，且使用固定力量將膜層110從支承襯底90剝離是難的。因此，難以控制膜層110和支承襯底90之間的可分離性(或粘合力)。然而，根據本實施例，由於第一區域310和第二區域320之間的粘合性是可被改變的，可不管顯示設備為何而使用固定力量將膜層110從支承襯底90剝離，且這個導致良好
的大批量產率。具體地，如果由第二加熱過程加熱的部分具有圍繞著第一區域310的形狀，增加了第一區域310的外圍部分的粘合性。因此，在形成像素電路部分312、外圍電路部分321、顯示層311、以及安裝部分322的溼處理過程中，可減少環境氣氛中含有的液體和氣體進入支承襯底90和膜層110之間的可能性，且支承襯底90和膜層110之間的溼氣內容難以被改變。作為圍繞著第一區域310的形狀，如果第一區域310是大致長方形的，則圍繞著第一 區域310的形狀可以是類似框架的，且如果第一區域310是大致圓形的，則圍繞著第一區域310的形狀可以是環狀的。如上所述，根據該實施例，當像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322形成在膜層110上時，膜層110難以與支承襯底90彼此剝離，且在像素電路部分312、外圍電路部分320、顯示層311以及安裝部分322形成在膜層110上之後，可提供能易於將膜層110從支承襯底90上剝離的顯示設備以及製造該顯示設備的方法。(示例)由於通過第二加熱過程的支承襯底和膜層之間的粘合性已經被評估，這將如下描述。作為上支承襯底，在塗覆的聚醯亞胺膜(IOiim)上粘貼PEN襯底且形成在玻璃襯底上(膜厚度700 ym)，關於通過雷射照射的粘合性和聚醯亞胺的狀態進行評估。使用XeCl受激準分子雷射器(中心波長308nm)作為雷射器，並使用雷射器經由玻璃襯底照射聚醯亞胺界面。XeCl雷射器受脈衝作用，且將光束形成為形狀200mmX0. 4mm的線。圖6示出在使用雷射照射作為第二加熱過程時雷射器的能量密度De和將膜層剝離支承襯底所需要的應カFa之間的關係。雷射器的能量密度De呈現在垂直軸上，且將膜層剝離支承襯底所需要的應カFa呈現在水平軸上。使用在lOOmJ/cm2到300mJ/cm2的範圍內的能量密度De的雷射器來執行雷射照射，結果確定在不小於180mJ/cm2的範圍內在聚醯亞胺膜和玻璃襯底之間產生空間。因此，當雷射器的能量密度De被増加至不小於180mJ/cm2吋，發現聚醯亞胺被懸浮。進一歩，在160mJ/cm2密度，儘管在聚醯亞胺層自身外觀上沒有變化，作為執行剝離測試的結果，其粘合性基本被増加，且在具有小於該能量密度De的區域中，發現在外觀上沒有變化且在剝離力量上也沒有變化。儘管圖示出粘合性，可發現在聚醯亞胺被懸浮之前粘合性立即上升。這代表T2>T1，且預計是膜層的醯亞胺化的發展的結果。即，通過執行供給高於第一加熱過程的能量的能量的第二加熱過程來増加膜層和支承襯底之間的粘合性。進ー步，相關於這個顯示設備，圖7中示出用紫外(UV)光照射第一區域之前(曲線401)和之後(曲線402)的像素的TFT的電流-電壓特性。圖7的水平軸代表柵電壓，且水平軸代表漏電流。當用紫外光照射第一區域時，像素的TFT的電流-電壓特性被變化至負偵U。即，當在第一區域中進行第二加熱過程和第三加熱過程時，對於像素的TFT沒有獲得理想的特性，且顯示設備的顯示質量有時會變得較差。上文中，參考了具體示例而描述了本發明的示例性實施例。然而，本發明不限於這些具體示例。例如，本領域技術人員可通過合適地從現有技術中選擇特定配置而類似地實現本發明。達到可獲得本發明類似效果的程度的這樣的實現被包括在本發明的範圍內。進ー步，在包括了本發明主g的程度下，在技術可行性的範圍內可將具體示例的任何兩個或更多組件組合在一起，且被包括在本發明的範圍內。在本發明精神範圍內本領域技術人員可了解各種其他改變和修改，且可理解的是這些改變和修改也落在本發明範圍內。儘管已經描述了特定實施例，但這些實施例僅僅作為示例呈現，並且並非g在限 制本發明的範圍。實際上，本文中所述的新穎實施例可用各種其它形式來實現；此外，可作出本文中所述的各個實施例的形式的替代和改變，而不背離本發明的精神。所附權利要求及其等效方案g在覆蓋落入本發明的範圍和精神內的這些形式或修改。
權利要求
1.一種用於製造顯示設備的方法，包括用於在支承襯底上形成膜材料層的過程；用於在第一溫度加熱所述膜材料層以形成膜層的第一加熱過程；用於在高於所述溫度的第二溫度下加熱圍繞著第一區域的第二區域的第二加熱過程， 所述第一區域設置在所述膜層的中央部分中；用於在所述第一區域的部分中形成顯示層且在所述第二區域的至少一部分中形成外圍電路部分的過程；用於在高於所述第二溫度的第三溫度下加熱在其中形成所述顯示層的範圍之外的所述膜層的至少一部分的第三加熱過程；以及用於將所述膜層從所述支承襯底剝離的過程。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，在所述第二加熱過程中所述膜層的溫度高於所述第一加熱過程中所述膜層的溫度。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，在所述第三加熱過程中所述膜層的溫度高於所述第一加熱過程中所述膜層的溫度。
4.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，通過用雷射器照射所述膜層或通過用滷素燈加熱所述膜層來執行所述第二加熱過程。
5.如權利要求4所述的方法，其特徵在於，通過用雷射器照射所述膜層或通過用滷素燈加熱所述膜層來執行所述第三加熱過程。
6.如權利要求5所述的方法，其特徵在於，通過使用燈加熱退火、加熱板、以及加熱爐中的一個來執行所述第一加熱過程。
7.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述膜層是由含有聚醯亞胺的材料製成的。
8.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，用於形成顯示層和形成所述外圍電路部分的所述過程包括形成薄膜電晶體。
9.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，用於形成顯示層和形成所述外圍電路部分的所述過程包括形成半導體層。
10.如權利要求9所述的方法，其特徵在於，所述半導體層包括氧化物半導體。
11.如權利要求9所述的方法，其特徵在於，所述半導體層包括銦、鎵和鋅。
12.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，用於形成所述顯示層的所述過程包括形成液晶層。
13.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，用於形成所述顯示層的所述過程包括形成有機電致發光層。
14.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述第一加熱過程中的所述膜材料層的溫度不小於200° C且不大於500° C。
15.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述第二加熱過程中的所述膜材料層的溫度不小於1000° C。
16.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述支承襯底是玻璃襯底。
17.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述第三加熱過程包括使用具有不小於 180mJ/cm2的能量的雷射器照射所述膜層。
18.如權利要求17所述的方法，其特徵在於，所述第二加熱過程包括使用具有不小於160mJ/cm2且小於180mJ/cm2的能量的雷射器照射所述膜層。
19.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述第一加熱過程導致聚醯胺酸通過脫水經受閉環反應。
20.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述第三加熱過程包括在所述支承襯底和所述膜層之間的至少一部分中形成空隙。
全文摘要
根據一個實施例，公開了用於製造顯示設備的方法。在支承襯底上形成膜材料層。在第一溫度執行膜材料層的第一加熱過程從而形成膜層，並在高於所述第一溫度的第二溫度執行圍繞著第一區域的第二區域的第二加熱過程。所述第一區域被設置在所述膜層的中央部分中。在第一區域中形成顯示層且在第二區域的至少一部分中形成外圍電路部分。在高於所述第二溫度的第三溫度為所述膜層的至少一部分執行第三處理過程。另外，膜層被從支承襯底剝離。
文檔編號H01L21/77GK103021938SQ20121017790
公開日2013年4月3日 申請日期2012年5月31日 優先權日2011年9月27日
發明者坂野龍則, 三浦健太郎, 齊藤信美, 中野慎太郎, 上田知正, 山口 一 申請人:株式會社東芝