用於快速估計集成電路布局中的光刻綁定圖案的方法
2023-12-02 14:59:11
專利名稱：用於快速估計集成電路布局中的光刻綁定圖案的方法
用於快速估計集成電路布局中的光刻綁定圖案的方法技術領域
本發明廣義地涉及用於在半導體晶片上形成集成電路(IC)圖案的特徵的光刻印刷，並且具體地涉及在選擇和使用照射源特性與標線掩模上的衍射形狀的組合時的改進， 並且更具體地涉及在標識和優先化IC設計部分的改進，其中在IC設計部分上更加經濟成本地執行光刻過程的優化。
背景技術：
在集成電路的製造中普遍使用光刻過程，在這些過程中，通過經過圖案化的掩模投射輻射來圖案化晶片以在稱為光抗蝕劑或者簡稱為抗蝕劑的光敏材料上形成圖像圖案。 曝光的抗蝕劑材料被顯影以形成與圖像圖案對應的開口，然後通過如本領域已知的方法、 比如蝕刻向晶片襯底傳送圖案。
已經開發許多方法以補償在光學光刻系統的解析度逼近用來在半導體晶片上形成器件和集成電路(IC)的所需光刻圖案的關鍵尺度(CD)時出現的圖像退化。關鍵尺度 (CD)指代在設計規範所要求的在特徵與特徵重複(節距)之間的、且對於器件在晶片上的恰當工作而言關鍵的特徵尺寸和間隔。當所需IC圖案的CD逼近光刻系統的解析度(定義為系統可以可靠印刷的最小尺度)時，圖像失真變成顯著問題。如今，光刻工具的有限解析度帶來IC製造中的關鍵技術挑戰，並且這一困難將在將來隨著關鍵尺度變得越來越小而增加。為了使將來IC產品的製造可行，將要求光刻工具在最小CD與光刻系統的解析度之比很低時實現充分圖像保真度。
基本光刻系統由光源，包含將向晶片傳送的圖案的光掩模、透鏡組和用於對準晶片上的現有圖案與掩模上的圖案的裝置構成。如這裡描述的掩模設計過程覆蓋來自晶片設計、基於模型的光學鄰近校正(MBOPC)、OPC驗證和掩模製作的步驟。
光刻系統的解析度P可以由下述等式描述
# = Ii1;等式 I
其中P是可以光刻印刷的最小特徵尺寸，λ是投影系統中所用光源的波長，並且 NA(數值孔徑)是投影光學器件可以收集的光數量的測量。K1是因子，該因子代表光刻過程的除了波長或者數值孔徑之外的方面、比如抗蝕劑性質或者使用增強型掩模。當照射源是部分相干時，K1可以表達為1/[2(σ+1)]，其中σ是源的部分相干性的測量，其中σ具有在O與I之間的值。用於K1的典型值範圍從約O. 7至O. 3。
低K1圖案化通常對諸如劑量、掩模CD、焦距等光刻參數的波動極為敏感，這造成小的工藝窗口。已經提出用於優化源照射與掩模圖案一起的組合(下文稱為源-掩模優化或者「SM0」)的方法可以產生改進的工藝窗口(例如參見美國專利6，563，566)。然而SMO方法計算成本很高，並且對全晶片布局執行SMO不切實際。因此應當僅考慮從全晶片布局選擇的「難以印刷」圖案通過計算密集方法、比如SMO以實現全優化。
目前使用針對具體晶片設計而實驗確定的預定規則集來標識所謂「難以印刷」圖案。然而這樣的規則在一般情況下不適用。其它方法則依賴於對於許多應用而言太緩慢的近似成像方法。
鑑於上文，需要一種用於標識可以被優先化用於利用全優化方法處理的「難以印刷」圖案的快速方法。發明內容
本發明提供一種用於設計集成電路布局的方法和電腦程式產品，該方法包括以下步驟提供待印刷的特徵的多個布局；針對多個布局中的每個布局確定空間頻率空間中的衍射級；提供光刻難度度量；針對多個布局中的每個布局計算光刻難度度量的值；並且基於光刻難度度量的值評價多個布局中的每個布局。
本發明的光刻難度度量是以下因子的函數能量比因子，包括所述衍射級沿著空間頻率空間的角度坐標Qi的難以印刷能量與易於印刷能量之比，其中難以印刷能量包括衍射級在空間頻率空間的歸一化徑向坐標r的值處的能量，這些值在r = O的鄰域中和在 r = I的鄰域中，並且易於印刷能量包括衍射級位於歸一化徑向坐標r的中間值處的能量， 這些中間值在r = O的鄰域與r = I的鄰域之間；能量熵因子,包括衍射級沿著角度坐標 Θ i的能量熵；相位熵因子，包括衍射級沿著角度坐標Θ i的相位熵；以及總能量熵因子，包括衍射級的總能量熵。
根據本發明的一個方面，該方法還包括對多個布局中的具有光刻難度度量的值比預定光刻難度閾值更大的每個布局執行全優化處理。
根據本發明的另一方面，多個布局包括特徵的圖案的唯一瓦片集合，從而全晶片布局由從唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構成。
可以通常設置預定光刻難度閾值以標識所述唯一瓦片集合中的唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是全晶片布局的綁定圖案。
根據本發明的又一方面，在角度坐標Θ i的所選值計算光刻難度度量的計算的值， 並且該方法還包括針對多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，全局光刻難度度量包括來自角度坐標Θ i的所選值之中的光刻難度度量的最大值。
在另一方面中，提供一種設計集成電路布局的方法，該方法包括以下步驟提供設計瓦片集合，其中集合中的設計瓦片中的每個設計瓦片包括待印刷的特徵的唯一圖案布局；提供多個晶片布局，其中晶片布局中的每個晶片布局由從設計瓦片集合選擇的瓦片布置構成；提供光刻難度度量。該方法還包括針對晶片布局中的每個晶片布局執行以下方法步驟針對瓦片布置中的每個唯一瓦片確定空間頻率空間中的衍射級；針對瓦片布置中的唯一瓦片中的每個唯一瓦片計算光刻難度度量的值；基於光刻難度度量的值評價唯一瓦片中的每個唯一瓦片。
根據本發明的方法可以實施於一種包括計算機可用介質的電腦程式產品和計算機系統中，該計算機可用介質包括計算機可讀指令，其中計算機可讀指令當在計算機上執行時使計算機或者計算機系統執行以下方法步驟提供待印刷的特徵的多個布局；針對多個布局中的每個布局確定空間頻率空間中的衍射級；提供光刻難度度量；針對多個布局中的每個布局計算光刻難度度量的值；並且基於光刻難度度量的值評價多個布局中的每個布局。
將從本發明的以下具體實施方式
中清楚本發明的前述和其它特徵以及優點。
參照附圖，在附圖中，相似要素在未必按比例繪製的若干圖中編號相似
圖I圖示了常規光刻成像系統的示意圖。
圖2圖示了待印刷的重複圖案的單位單元的例子。
圖3圖示了與圖2的單位單元對應的在方向或者空間頻率空間中的衍射級繪圖。
圖4圖示了根據本發明的方法的一個實施例。
圖5圖示了設計布局的部分的示意圖。
圖6圖示了在空間頻率或者方向空間中的繪圖，在該繪圖中，角度坐標劃分成區域。
圖7A-7D圖示了可變節距的光柵圖案和衍射級幅度在空間頻率空間或者方向空間中的對應繪圖的例子。
圖8A圖示了相對難以印刷圖案的能量在方向空間中的示意繪圖。
圖8B圖示了相對易於印刷圖案的能量在方向空間中的示意繪圖。
圖9圖示了易於印刷濾波器的繪圖。
圖10圖示了難以印刷濾波器的繪圖。
圖11圖示了難以印刷和易於印刷濾波器的例子的另一繪圖。
圖12圖示了衍射級能量值的分布函數繪圖。
圖13圖示了待印刷的特徵圖案的部分。
圖14圖示了根據本發明的方法的一個實施例。
圖15圖示了計算機系統和包括用於執行這些方法步驟的指令的電腦程式產品O具體實施方式
本發明提供一種用於設計和優化用於在集成電路的製造中使用的布局，並且更具體地用於標識和優先化將針對其執行全優化方法的部分該布局的方法和裝置。
在圖I中圖示了投影光刻系統的基本部件。照射源110提供照射也稱為標線 (reticle)的掩模120的輻射；可以可互換地使用術語掩模和標線。標線120包括如下特徵，這些特徵作用於經過透鏡140衍射照射輻射，該透鏡向圖像平面、例如半導體晶片150 上投射圖像。從標線120向透鏡140透射的輻射總量可以由光瞳130控制。照射源110可以能夠控制各種源參數、比如方向和強度。晶片150通常包括光敏材料(稱為抗蝕劑)。當抗蝕劑暴露於投射的圖像時，顯影的特徵接近地符合期望IC電路和器件所需要的期望特徵圖案。
標線120上的特徵圖案充當與衍射光柵類似的衍射結構，該衍射結構透射可以構造性或者破壞性幹涉的輻射圖案。可以基於衍射光柵(或者標線120)的特徵的間距在方向空間(或者也等效地稱為空間頻率空間)中以傅立葉變換方便地描述這一構造性和破壞性幹涉圖案。衍射能量的與衍射結構的空間頻率關聯的傅立葉分量在本領域中稱為衍射級。例如零級與DC分量關聯，但是更高級與照射輻射的波長相關並且與在重複衍射特徵之間的間距(稱為節距)反相關。當特徵節距更小時，衍射角度更大，從而更高衍射級將在比透鏡的數值孔徑更大的角度衍射。
可以在方向空間中構造圖以指示基於期望圖案的重複尺度的光刻系統可以收集的衍射級。例如考慮圖2中所示單位單元圖案。單位單元圖案具有在水平方向上重複的尺度203和對角重複尺度205指示的(可替換地，在豎直方向y上的節距201指示的)交錯尺度。假設這一單位單元在衍射光柵中重複並且由軸上光束照射，衍射光柵的傅立葉變換是如圖3中所示的可以在空間頻率空間或者方向空間(ux，uy)中指示的衍射級a(ux，uy)。繪製衍射級(點300-326)的位置為以與軸上光束成角度衍射的光束的投射。繪製非零級與方向空間圖300的中心(該中心代表零級的位置並且也是軸上光束的方向)的距離為從軸上光束的角度的正弦，該正弦是照射的波長除以重複距離之比。例如水平重複距離203代表的+2級由點301代表而-2級由點310代表。類似地，點305和319基於豎直重複距離 201代表+2和-2級。水平並且豎直衍射其它級、比如表示為{-1，+1}級的級308。透鏡收集的僅有級是在光學系統的解析度限制350內的300、301、310、303、308、313和312。圓 350的半徑r是r= 1/2P = [(σ+1)ΝΑ]/λ。通常歸一化半徑r，並且為了易於討論，下文將圓350稱為單位圓。注意標線衍射的波前的幅度將依賴於照射幅度和掩模的衍射性質。
也可以如在下述等式中那樣在空間頻率範圍中以徑向坐標表示衍射級a(ux，Uy)
a (ux, uy) = a (r Z - θ )(等式 2)
其中r是在方向空間中的徑向坐標，並且Θ是在方向空間中的角坐標。
晶片設計布局通常包含數以百萬計的特徵，這些特徵中的許多特徵布置於可以在整個晶片布局內重複的圖案中。雖然可能希望執行對作為單個單位的整個晶片的優化，但是整個晶片的全優化由於比如計算機存儲器、計算時間和成本這樣的限制而不實際。出於優化的目的，將整個布局細分和分類成是在一起組裝時詳盡地代表晶片布局的，少的、計算的實際數目的唯一特徵圖案或者「瓦片」是有用的。優選地，最小瓦片尺寸包含特徵集，從而位於瓦片邊緣的特徵在位於瓦片中心的特徵周圍的光學影響半徑(ROI)內。ROI是位於 ROI以外的特徵將基本上不會在預定可變性容差內影響目標(例如中心)特徵的印刷時的距離。例如ROI可以設置成具有半徑的區域，其中位於ROI以外的特徵將按照少於5%的可變性容差影響在瓦片中心的特徵的印刷尺寸。根據實際限制、比如存儲器、CPU或者周轉時間要求和成本選擇最大瓦片尺寸。現在已知或者將來開發的任何方法可以用來標識這樣的瓦片。如下文進一步討論的那樣，許多瓦片可以代表在布局內重複的圖案，從而僅需針對整個布局對一個這樣的瓦片執行一次根據本發明的分析。
根據本發明，針對給定瓦片j定義光刻難度(等效地稱為「litho難度」)度量LD， 該度量LD提供第j個瓦片內的相對「難以印刷」圖案比對相對「易於印刷」圖案中的相對能量分布的測量。另外，沿著方向空間中的單位圓的給定角度坐標Qi定義Iitho難度度量， 其中為了方便，在下文中，索引i等效地指代給定角度坐標9i。用於第i個區域中的第j 個瓦片的Litho難度度量LNi是四個因素的函數1)能量比因子Af (見等式3)，該因子代表用於第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標Θ i的「難以」印刷比對「易於」印刷衍射能量之比；2)能量熵因子Si (見等式4)，該因子代表用於第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標Qi的能量熵的(通常歸一化)測量；3)相位熵因子(見等式5)，該因子代表用於第j個瓦片的沿著空間頻率空間中的角度坐標Θ i的相位熵的測量；以及4)總能量熵因子StI (見等式6)，該因子代表用於第j個瓦片的總能量熵的測量。
能量比因子A丨足義為
權利要求
1.一種設計集成電路布局的方法，包括以下步驟 提供待印刷的特徵的多個布局(410)； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(420)； 提供包括以下各項的函數的光刻難度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標Θ i的難以印刷能量與易於印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中並且在r = I的鄰域中，並且所述易於印刷能量包括所述衍射級的位於所述歸ー化徑向坐標r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);並且 基於所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
2.根據權利要求I所述的方法，還包括對所述多個布局中的具有比預定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執行全優化處理(1360)。
3.根據權利要求I所述的方法，其中所述多個布局包括特徵的圖案的唯一瓦片集合，從而使得全晶片布局由從所述唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構成(410)。
4.根據權利要求2所述的方法，其中設置所述預定光刻難度閾值以標識所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全晶片布局的綁定圖案。
5.根據權利要求I所述的方法，其中在所述角度坐標Θi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，並且所述方法還包括針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
6.根據權利要求I所述的方法，還包括針對所述多個布局中的每個布局 計算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述難以印刷能量與易於印刷能量值之比的最大值(430)； 計算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述能量熵值的最大值(440)； 計算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述相位熵值的最大值(440);並且計算所述能量熵因子(440);並且 計算全局光刻難度度量值，所述全局光刻難度度量值包括所述計算的全局能量比因子、所述計算的全局能量熵因子、所述計算的全局相位熵因子和所述計算的能量熵因子的函數(450)。
7.根據權利要求I所述的方法，其中將所述空間頻率空間細分成徑向區域，每個徑向區域包括角度坐標範圍，並且所述方法還包括針對所述徑向區域中的每個徑向區域計算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的區域值。
8.根據權利要求I所述的方法，還包括根據所述角度坐標Qi的相對重要度加權所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻難度度量(460)。
9.根據權利要求8所述的方法，其中所述加權基於照射源的分布(460)。
10.一種設計集成電路布局的方法，包括以下步驟 提供設計瓦片集合，其中所述集合中的所述設計瓦片中的每個設計瓦片包括待印刷的特徵的卩隹ー圖案布局； 提供多個晶片布局，其中所述晶片布局中的每個晶片布局由從所述設計瓦片集合選擇的瓦片布置構成(1310)； 提供包括以下各項的函數的光刻難度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標Qi的難以印刷能量與易於印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中並且在r = I的鄰域中，並且所述易於印刷能量包括所述衍射級的位於所述歸ー化徑向坐標r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述晶片布局中的每個晶片布局執行以下方法步驟(420，450，460) 針對所述瓦片布置中的每個唯一瓦片確定空間頻率空間中的衍射級； 針對所述瓦片布置中的所述唯一瓦片中的每個唯一瓦片計算所述光刻難度度量的值； 基於所述光刻難度度量的所述值評價所述唯一瓦片中的每個唯一瓦片。
11.根據權利要求10所述的方法，還包括如果與所述瓦片布置中的所述唯一瓦片之ー關聯的、所述光刻難度度量的所述值之一大於預定光刻難度閾值，則修改所述晶片布局之一 (1370)。
12.ー種包括計算機可用介質的電腦程式產品，所述計算機可用介質具有存儲於其中的計算機可讀指令，其中所述計算機可讀指令當在計算機上執行時使所述計算機執行以下方法步驟 提供待印刷的特徵的多個布局(410)； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(420)； 提供包括以下各項的函數的光刻難度度量(430，440) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標Θ i的難以印刷能量與易於印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標r的值的能量，所述值在r = O的鄰域中並且在r = I的鄰域中，並且所述易於印刷能量包括所述衍射級的位於所述歸ー化徑向坐標r的中間值的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);並且基於所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
13.根據權利要求12所述的電腦程式產品，所述方法步驟還包括對所述多個布局中的具有比預定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執行全優化處理(1360)。
14.根據權利要求12所述的電腦程式產品，其中所述多個布局包括特徵的圖案的ロ隹ー瓦片集合，從而使得全晶片布局由從所述卩隹ー瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構成(410)。
15.根據權利要求12所述的電腦程式產品，其中設置所述預定光刻難度閾值以標識所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全晶片布局的綁定圖案。
16.根據權利要求12所述的電腦程式產品，其中在所述角度坐標Qi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，並且所述方法步驟還包括針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量，所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
17.根據權利要求12所述的電腦程式產品，所述方法步驟還包括針對所述多個布局中的姆個布局 計算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述難以印刷能量與易於印刷能量值之比的最大值(430)； 計算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述能量熵值的最大值(440)； 計算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐標Qi的所選值計算的所述相位熵值的最大值(440);並且 計算所述能量熵因子(440);並且 計算全局光刻難度度量值，所述全局光刻難度度量值包括所述計算的全局能量比因子、所述計算的全局能量熵因子、所述計算的全局相位熵因子和所述計算的能量熵因子的函數(450)。
18.根據權利要求12所述的電腦程式產品，其中將所述空間頻率空間細分成徑向區域，每個徑向區域包括角度坐標範圍，並且所述方法步驟還包括針對所述徑向區域中的每個徑向區域計算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的區域值。
19.根據權利要求12所述的電腦程式產品，所述方法步驟還包括根據所述角度坐標Θ i的相對重要度加權所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻難度度量(460)。
20.根據權利要求19所述的電腦程式產品，其中所述加權基於照射源的分布(460)。
21.ー種用於設計集成電路布局的計算機系統，所述計算機系統包括存儲設備，所述存儲設備具有存儲於其中的計算機可讀指令，其中所述計算機可讀指令當在所述計算機系統上執行時使所述計算機系統執行以下步驟的方法 提供待印刷的特徵的多個布局； 針對所述多個布局中的甸個布局確定空間頻率空間中的衍射級(1310)； 提供包括以下各項的函數的光刻難度度量(1320，1330，1340) 能量比因子，包括所述衍射級沿著所述空間頻率空間的角度坐標Θ i的難以印刷能量與易於印刷能量之比，其中所述難以印刷能量包括所述衍射級在所述空間頻率空間的歸一化徑向坐標!■的值處的能量，所述值在!· = O的鄰域中並且在r = I的鄰域中，並且所述易於印刷能量包括所述衍射級的位於所述歸ー化徑向坐標r的中間值處的能量，所述中間值在所述r = O的鄰域與所述r = I的鄰域之間； 能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的能量熵； 相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標Θ i的相位熵；以及 總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵； 針對所述多個布局中的每個布局計算所述光刻難度度量的值(450);以及 基於所述光刻難度度量的所述值評價所述多個布局中的姆個布局(460)。
22.根據權利要求21所述的計算機系統，所述方法還包括以下步驟對所述多個布局中的具有比預定光刻難度閾值更大的所述光刻難度度量的值的每個布局執行全優化處理(1360)。
23.根據權利要求21所述的計算機系統，其中所述多個布局包括特徵的圖案的唯一瓦片集合，從而使得全晶片布局由從所述唯一瓦片集合選擇的多個瓦片的布置構成(410)。
24.根據權利要求23所述的計算機系統，其中設置所述預定光刻難度閾值以標識所述唯一瓦片集中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全晶片布局的綁定圖案。
25.根據權利要求21所述的計算機系統，其中在所述角度坐標Qi的所選值計算所述光刻難度度量的所述計算的值，並且所述方法還包括以下步驟針對所述多個布局中的每個布局確定全局光刻難度度量,所述全局光刻難度度量包括來自所述角度坐標Θ i的所述所選值之中的所述光刻難度度量的最大值(430，440)。
全文摘要
本發明提供光刻難度度量，該光刻難度度量是以下因子的函數能量比因子，包括衍射級沿著空間頻率空間的角度坐標θi的難以印刷能量與易於印刷能量之比；能量熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標θi的能量熵；相位熵因子，包括所述衍射級沿著所述角度坐標θi的相位熵；以及總能量熵因子，包括所述衍射級的總能量熵(430，440)。難以印刷能量包括衍射級在空間頻率空間的歸一化徑向坐標r的如下值處的能量，這些值在r＝0的鄰域中和在r＝1的鄰域中，並且易於印刷能量包括衍射級位於歸一化徑向坐標r的中間值處的能量，這些中間值在r＝0的鄰域與r＝1的鄰域之間。光刻難度度量的值可以用來標識設計布局的圖案，這些圖案是優化計算中的綁定圖案。光刻難度度量可以用來設計具有良好、相對易於印刷特性的集成電路。
文檔編號H01L21/027GK102986002SQ201180034018
公開日2013年3月20日 申請日期2011年7月6日 優先權日2010年7月14日
發明者S·巴赫裡, D·L·德瑪裡斯, M·加布拉尼, D·O·梅爾維爾, A·E·羅森布魯斯, 田克漢 申請人:國際商業機器公司