一種超級電容檢測電路的製作方法

2024-01-23 22:57:15 1

一種超級電容檢測電路的製作方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種超級電容檢測電路，包括控制模塊、電流檢測電阻、充電開關模塊、電源模塊、放電開關模塊以及超級電容；超級電容分別與電流檢測電阻第一端、控制模塊以及放電開關模塊連接，放電開關模塊與控制模塊連接，電流檢測電阻第二端分別與控制模塊和充電開關模塊連接，電流檢測電阻第一端與控制模塊連接，充電開關模塊分別與控制模塊和電源模塊連接；這種電路可以檢測出超級電容的等效串聯電阻，精確地判定超級電容是否失效。
【專利說明】-種超級電容檢測電路

【技術領域】
[0001] 本發明涉及電子【技術領域】，尤其涉及一種超級電容檢測電路。

【背景技術】
[0002] 固態硬碟（Solid State Disk，SSD)是最近幾年發展起來的一種基於FLASH技術 的新型存儲技術，SSD寫入操作分為透寫和回寫兩種模式。透寫速度慢，回寫速度快，但是在 回寫模式下，是先將數據寫在控制器的緩存buffer裡，即向主機返回寫入成功，再由控制 器將數據下刷到後端FLASH，如果這個時候掉電，buffer中的數據就會丟失。因此，在SSD 設計中，都會增加一個備電模塊，用於在意外掉電發生時，為SSD提供將buffer中的數據下 刷到FLASH所需的供電。
[0003] SSD中的備電模塊中的備電介質主要有超級電容，超級電容用於直流備電，因此主 要影響應用的是等效串聯電阻（Equivalent Series Resistance，ESR)和理想電容值C。當 ESR增大到一定門限或者C減小到一定門限，即會使超級電容失效，不能滿足SSD的在線備 電要求，但是隨著溫度和使用時間增加，ESR會不斷增大；超級電容的理想電容的容值也會 隨著溫度和使用時間增加不斷減小。因此需要實時在線檢測超級電容的ESR和C，避免掉電 情況的發生。現有技術中，主要是通過在線檢測超級電容理想電容值C的變化來判定超級 電容是否失效，但是在實際應用中，由於將超級電容串聯起來抬高電壓進行應用，使得超級 電容的ESR成倍增加，因此超級電容的ESR對超級電容備電能力影響更大，僅僅檢測超級電 容理想電容值C不能準確反映超級電容是否失效。


【發明內容】

[0004] 本發明實施例提供了一種超級電容檢測電路，可以檢測出超級電容的等效串聯電 阻，精確地判定超級電容是否失效。
[0005] 本發明第一方面提供一種電容檢測電路，可包括：控制模塊、電流檢測電阻、充電 開關模塊、電源模塊、放電開關模塊以及超級電容；
[0006] 所述超級電容分別與所述電流檢測電阻第一端、所述控制模塊以及所述放電開關 模塊連接，所述放電開關模塊與所述控制模塊連接，所述電流檢測電阻第二端分別與所述 控制模塊和所述充電開關模塊連接，所述電流檢測電阻第一端與所述控制模塊連接，所述 充電開關模塊分別與所述控制模塊和所述電源模塊連接；
[0007] 當所述超級電容兩端的電壓放電至預設範圍內時，所述控制模塊檢測所述電流檢 測電阻第一端的第一電壓；所述控制模塊控制所述放電開關模塊關閉，所述控制模塊控制 所述充電開關模塊打開，延時第一預設時間後，所述控制模塊檢測所述電流檢測電阻第一 端的第二電壓和所述電流檢測電阻第二端的第三電壓，並根據所述第一電壓、所述第二電 壓、所述第三電壓以及所述電流檢測電阻的阻值，獲得所述超級電容的等效串聯電阻，若所 述等效串聯電阻大於第一預設閾值，則判定所述超級電容失效。
[0008] 基於第一方面，在第一種可行的實施方式中，所述電路還包括放電負載電阻；
[0009] 所述放電開關模塊通過所述放電負載電阻與所述超級電容連接；
[0010] 當需要對所述超級電容進行放電時，所述控制模塊控制所述充電開關模塊關閉， 所述控制模塊控制所述放電開關模塊打開，當所述超級電容放電第二預設時間後，所述控 制模塊檢測所述電流檢測電阻第一端的第四電壓，並測量所述電流檢測電阻第一端的電壓 由所述第四電壓下降至所述第一電壓的放電時間，所述第四電壓與所述第一電壓相差預設 電壓值，所述控制模塊根據所述放電負載電阻的阻值、所述第四電壓、所述第一電壓以及所 述放電時間，獲得所述超級電容的理想電容值，若所述理想電容值小於第二預設閾值，則判 定所述超級電容失效。
[0011] 基於第一方面第一種可行的實施方式，在第二種可行的實施方式中，所述電路還 包括延時模塊；
[0012] 所述充電開關模塊通過所述延時模塊分別與所述控制模塊和所述電源模塊連接， 所述電源模塊分別與所述延時模塊和所述控制模塊連接。
[0013] 基於第一方面第二種可行的實施方式，在第三種可行的實施方式中，所述電路還 包括限流模塊；
[0014] 所述電源模塊通過所述限流模塊與所述充電開關模塊連接；
[0015] 所述限流模塊用於限定對所述超級電容充電時的充電電流。
[0016] 基於第一方面第三種可行的實施方式，在第四種可行的實施方式中，所述充電開 關模塊包括第一三極體；
[0017] 所述第一三極體的集電極與所述限流模塊連接，所述第一三極體的基極與所述延 時模塊連接，所述第一三極體的發射極與所述電流檢測電阻第二端連接。
[0018] 基於第一方面第一種可行的實施方式，在第五種可行的實施方式中，所述放電開 關模塊包括第二三極體；
[0019] 所述第二三極體的發射極接地，所述第二三極體的基極與所述控制模塊連接，所 述第二三極體的集電極與所述放電負載電阻連接。
[0020] 基於第一方面第二種可行的實施方式，在第六種可行的實施方式中，所述控制模 塊包括專用集成電路；
[0021] 所述專用集成電路的第一輸出端與所述電流檢測電阻第一端連接，所述專用集成 電路的第二輸出端與所述電流檢測電阻第二端連接，所述專用集成電路的第三輸出端分別 與所述電源模塊和所述延時模塊連接，所述專用集成電路的第四輸出端與所述第二三極體 的基極連接。
[0022] 基於第一方面或者第一方面第一種可行的實施方式或者第一方面第二種可行的 實施方式或者第一方面第三種可行的實施方式或者第一方面第四種可行的實施方式或者 第一方面第五種可行的實施方式或者第一方面第六種可行的實施方式，在第七種可行的實 施方式，所述專用集成電路包括模數轉換電路。
[0023] 本發明實施例中，當超級電容放電至預設範圍內時，控制模塊檢測電流檢測電阻 第一端的第一電壓，控制模塊再控制電路充電，並在延時第一預設時間後，控制模塊檢測電 流檢測電阻第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三電壓，最後根據第一電壓、第 二電壓、第三電壓以及電流檢測電阻的阻值，獲得超級電容的等效串聯電阻，並在等效串聯 電阻大於第一預設閾值時，判定超級電容失效。本發明實施例中通過超級電容等效串聯電 阻的阻值大小來判定超級電容是否失效，判定方法準確度高，實用性強。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0025] 圖1是本發明實施例提供的一種超級電容檢測電路的框圖；
[0026] 圖2是本發明實施例提供的另一種超級電容檢測電路的框圖；
[0027] 圖3是本發明實施例提供的一種超級電容檢測電路的電路原理圖；
[0028] 圖4是本發明實施例提供的一种放電充電曲線和等效電路圖。

【具體實施方式】
[0029] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0030] 本發明實施例所述的超級電容檢測電路適用於SSD對超級電容的ESR和理想電容 的同時在線檢測，從而預測超級電容是否失效，從而實現超級電容備電壽命的可靠檢測。
[0031] 請參考圖1，為本發明實施例提供的一種超級電容檢測電路的框圖；該超級電容 檢測電路包括電源模塊、控制模塊、充電開關模塊、電流檢測電阻、放電開關模塊和超級電 容；
[0032] 超級電容分別與電流檢測電阻第一端、控制模塊以及放電開關模塊連接，放電開 關模塊與控制模塊連接，電流檢測電阻第二端分別與控制模塊和充電開關模塊連接，電流 檢測電阻第一端與控制模塊連接，充電開關模塊分別與控制模塊和電源模塊連接；
[0033] 當超級電容兩端的電壓放電至預設範圍內時，控制模塊檢測電流檢測電阻第一端 的第一電壓；控制模塊控制放電開關模塊關閉，控制模塊控制充電開關模塊打開，延時第一 預設時間後，控制模塊檢測電流檢測電阻第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三 電壓，並根據第一電壓、第二電壓、第三電壓以及電流檢測電阻的阻值，獲得超級電容的等 效串聯電阻，若等效串聯電阻大於第一預設閾值，則判定超級電容失效。
[0034] 本發明實施例中，當超級電容放電至預設範圍內時，控制模塊檢測電流檢測電阻 第一端的第一電壓，控制模塊再控制電路充電，並在延時第一預設時間後，控制模塊檢測電 流檢測電阻第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三電壓，最後根據第一電壓、第 二電壓、第三電壓以及電流檢測電阻的阻值，獲得超級電容的等效串聯電阻，並在等效串聯 電阻大於第一預設閾值時，判定超級電容失效。本發明實施例中通過超級電容等效串聯電 阻的阻值大小來判定超級電容是否失效，判定方法準確度高，實用性強。
[0035] 請參考圖2,為本發明實施例提供的另一種超級電容檢測電路的框圖；該超級電 容檢測電路包括控制模塊、電流檢測電阻、充電開關模塊、電源模塊、放電開關模塊、超級電 容、負載電阻、延時模塊以及限流模塊，其中，控制模塊、電流檢測電阻、充電開關模塊、電源 模塊、放電開關模塊和超級電容請參照圖1的描述，在此不再贅述。
[0036] 放電開關模塊通過放電負載電阻與超級電容連接；充電開關模塊通過延時模塊分 別與控制模塊和電源模塊連接，電源模塊分別與延時模塊和控制模塊連接，電源模塊通過 限流模塊與充電開關模塊連接；限流模塊用於限定對超級電容充電時的充電電流。
[0037] 當需要對超級電容進行放電時，控制模塊控制充電開關模塊關閉，控制模塊控制 放電開關模塊打開，當超級電容放電第二預設時間後，控制模塊檢測電流檢測電阻第一端 的第四電壓，並測量電流檢測電阻第一端的電壓由第四電壓下降至第一電壓的放電時間， 第四電壓與第一電壓相差預設電壓值，控制模塊根據放電負載電阻的阻值、第四電壓、第一 電壓以及放電時間，獲得超級電容的理想電容值，若理想電容值小於第二預設閾值，則判定 超級電容失效。
[0038] 本發明實施例中，當超級電容放電至預設範圍內時，控制模塊檢測電流檢測電阻 第一端的第一電壓，控制模塊再控制電路充電，並在延時第一預設時間後，控制模塊檢測電 流檢測電阻第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三電壓，最後根據第一電壓、第 二電壓、第三電壓以及電流檢測電阻的阻值，獲得超級電容的等效串聯電阻，並在等效串聯 電阻大於第一預設閾值時，判定超級電容失效。本發明實施例中通過超級電容等效串聯電 阻的阻值大小來判定超級電容是否失效，判定方法準確度高，實用性強。
[0039] 請參照圖3,為本發明實施例提供的一種超級電容檢測電路的電路原理圖，在本實 施方式中，充電開關模塊包括第一三極體，如圖3所示，第一三極體的集電極與限流模塊中 的限流器件連接，第一三極體的基極與延時模塊連接，第一三極體的發射極分別與電流檢 測電阻的第二端和控制模塊連接。
[0040] 充電控制使能EN信號由控制模塊輸出，並經過延時模塊延時50ms後輸入第一三 極管的基極，控制第一三極體的通斷。當第一三極體處於通路狀態時，整個電路對超級電容 進行充電，如圖4所示的充電等效電路圖，電源通過電流檢測電阻R1和超級電容中的等效 串聯電阻ESR對超級電容充電，需要說明的是，等效串聯電阻為超級電容中的物理模塊。當 第一三極體處於斷開狀態時，超級電容進行放電，因此整個電路是通過控制模塊輸出使能 信號控制第一三極體的通斷從而達到超級電容充放電的控制。
[0041] 在本實施方式中，放電開關模塊包括第二三極體，如圖3所示，第二三極體的發射 極接地，第二三極體的基極與控制模塊連接，第二三極體的集電極與放電負載電阻連接。
[0042] 放電控制使能EN信號由控制模塊輸出，並輸入至第二三極體的基極，控制第二三 極管的通斷，當第二三極體處於通路狀態時，如圖4所示的放電等效電路圖所示，超級電容 通過放電負載電阻RL和等效串聯電阻ESR進行放電，需要說明的是，等效串聯電阻為超級 電容中的物理模塊。當第二三極體處於斷開截止狀態時，電源對超級電容進行充電。
[0043] 在本實施方式中，控制模塊包括專用集成電路（Application Specific Integrated Circuits，ASIC)，該專用集成電路可以是SSD中的專用控制器，專用集成電路 中可以包括模數轉換器（Analog to Digital Converter, ADC),ADC對電壓值進行採用取 值。如圖3所示，專用集成電路的第一輸出端與電流檢測電阻R1的第一端連接，用於檢測 電流檢測電阻R1第一端的電壓值，專用集成電路的第二輸出端與電流檢測電阻R1的第二 端連接，用於檢測電流檢測電阻R1第二端的電壓值，專用集成電路的第三輸出端和第四輸 出端分別為使能信號輸出端，專用集成電路的第三輸出端與分別與電源模塊和延時模塊連 接，專用集成電路的第四輸出端與第二三極體的基極連接。專用集成電路的第三輸出端輸 出充電控制使能信號，專用集成電路的第四輸出端輸出放電控制使能信號。
[0044] 在本實施方式中，超級電容可以是多個超級電容進行串聯，例如3-5顆超級電容 串聯，圖3所示的電容為無 ESR的理想電容，實際應用中ESR和理想電容為同一個物理模 塊。如圖3所示，超級電容的正極分別與專用集成電路的第一輸出端、電流檢測電阻第一端 以及放電負載電阻的一端連接，超級電容的負極用於接地。
[0045] 在本實施方式中，電源模塊中的電源型號可以是CHARGE BUCK，是常見的降壓型電 源模塊，具有快速的動態響應。
[0046] 可選的，放電負載電阻的作用為超級電容放電時提供負載的電阻，放電負載電阻 的阻值可以是82歐姆。
[0047] 可選的，電流檢測電阻的阻值可以是0. 05歐姆。
[0048] 可選的，本實施方式中的超級電容檢測電路還可以包括限流模塊，限流模塊中主 要為限流器件，用於限制充電電流，充電電流不能過大，防止超過PCB承載能力。
[0049] 可選的，本實施方式中的超級電容檢測電路還可以包括延時模塊，延時模塊主要 用於信號延時，在本實施方式中，延時模塊的作用為待電源模塊上電後，延時50ms後再打 開充電開關，保證電源能夠響應放電到充電時的電流快速變化。
[0050] 本發明實施例的用於超級電容檢測的電路工作過程如下：
[0051] SSD每隔一定時間間隔T，啟動一次檢測，充放電曲線及等效電路如圖4所示，檢測 步驟及方法如下：
[0052] 1)放電前電容保持充電狀態，超級電容的電容電壓（TP1點）保持在V0,（初次上 電時會先充電5秒）；
[0053] 2)控制模塊判斷充電電壓是否正常，如果異常則停止檢測，上報硬體故障，正常則 繼續；
[0054] 3) t0時刻，控制模塊輸出充電使能EN信號，控制關閉充電buck晶片，同時控制模 塊輸出放電使能EN信號，控制打開放電開關模塊中的三極體，開啟放電；
[0055] 4)當超級電容放電第二預設時間（例如放電1S)到B點時，控制模塊檢測電流檢 測電阻第一端的第四電壓，即是檢測TP1點VI，如圖4所示的放電曲線所示，B點即是所檢 測的電壓VI。繼續放電到C點，C點的電壓為V2,即是電流檢測電阻第一端的第一電壓為 V2, VI與V2之間相差預設電壓值，（例如，VI減去IV等於V2)，控制模塊測量由B點放電 到C點的時間T(T = t2-tl);
[0056] 5) t2時刻，超級電容兩端的電壓已經放電至預設範圍內，且控制模塊檢測到電流 檢測電阻第一端的第一電壓為V2,控制模塊關閉放電開關模塊中的第二三極體，打開充 電使能EN，控制充電開關模塊中的第一三極體打開，充電開啟瞬間，超級電容的電容電壓 (TP1點）會從C點階躍到D點，電壓會由V2階躍至V3 (如圖4的充放電曲線所示），使能 開啟後延時第一預設時間（例如：60ms)檢測t3時刻（t3為t2延時60ms)電流檢測電阻 第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三電壓，即是檢測TP1點的電壓V4,以及電 阻R1另一端TP2點的電壓值V5, t3時刻TP1點的電壓V4即是圖4中的E點。
[0057] 6)繼續充電至V0,並保持；
[0058] 7)控制模塊根據電容放電公式C = T/[RL*Ln(Vl/V2)]計算超級電容的理想電容 值C，其中放電負載電阻RL = 82歐姆，並判斷理想電容的電容容值C是否小於最小容值門 限Cmin ;如果C〈Cmin，則返回超級電容失效，提醒用戶更換碟片，否則繼續；需要說明的是， 電阻RL為放電負載電阻的阻值。
[0059] 8)根據公式ESR= (V4-V2)/[(V5-V4)/R1](公式推導過程見後文中的公式推導部 分）計算ESR，其中，電流檢測電阻R1 = 0. 05歐姆，並判斷ESR是否大於最大門限ESRmax ; 如果ESR>ESRmax，則返回超級電容失效，提醒用戶更換碟片，否則繼續；需要說明的是，電 阻R1為電流檢測電阻的阻值。
[0060] ESR的公式推導具體過程如下，需要說明的是，以下所提及的電壓Vesr即是超級 電容的等效串聯電阻ESR上的電壓：
[0061] 如圖4所示，在t2時刻開啟充電前的放電等效電路如圖4右上圖所示，此時電路 滿足以下兩個等式：
[0062] V2 = Vesr (放電）+Vcl (1)
[0063] Vesr = I (放電電流）X ESR (2)
[0064] (備註：V2和C點電壓還存在一個50ms延時，但是由於放電電流很小基本上小於 20mA，並且時間很短基本上是小於50ms，因此兩個點之間電壓的差異幾乎可忽略，使用V2 替代C點電壓）。
[0065] 由於放電時當Vcl很小，放電電流很小，不到20mA ;同時ESR很小，因此公式2中 的Vesr〈0. 01幾乎為0 ;從而代入公式1得到：
[0066] V2 ^ Vcl (3)
[0067] 而在t2時刻關閉放電開啟充電後的等效電路如圖4右下圖所示，此時滿足：
[0068] V3 = Vesr (充電）+Vc2 (4)
[0069] Vesr = I (充電電流）X ESR (5)
[0070] 由於電容特性即電壓不會瞬間跳變，因此在放電和充電開啟的短時間內（60ms以 內），滿足：
[0071] Vcl ^ Vc2 (6)
[0072] V3 ^ V4 (7)
[0073] 將（3)、（6)、（7)代入公式⑷得到：
[0074] V4 = Vesr (充電）+V2 (8)
[0075] Vesr = V4-V2 ； (9)
[0076] 且此時充電電流I = (V5_V4)/R1，其中R1 = 0. 05歐姆，因此得到：
[0077] ESR = (V4-V2) / [ (V5-V4) /0. 05]
[0078] 本發明實施例中，當超級電容放電至預設範圍內時，控制模塊檢測電流檢測電阻 第一端的第一電壓，控制模塊再控制電路充電，並在延時第一預設時間後，控制模塊檢測電 流檢測電阻第一端的第二電壓和電流檢測電阻第二端的第三電壓，最後根據第一電壓、第 二電壓、第三電壓以及電流檢測電阻的阻值，獲得超級電容的等效串聯電阻，並在等效串聯 電阻大於第一預設閾值時，判定超級電容失效。本發明實施例中通過超級電容等效串聯電 阻的阻值大小來判定超級電容是否失效，判定方法準確度高，實用性強。
[0079] 以上所揭露的僅為本發明較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利範 圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的範圍。
【權利要求】
1. 一種超級電容檢測電路，其特徵在於，包括控制模塊、電流檢測電阻、充電開關模塊、 電源模塊、放電開關模塊以及超級電容； 所述超級電容分別與所述電流檢測電阻第一端、所述控制模塊以及所述放電開關模塊 連接，所述放電開關模塊與所述控制模塊連接，所述電流檢測電阻第二端分別與所述控制 模塊和所述充電開關模塊連接，所述電流檢測電阻第一端與所述控制模塊連接，所述充電 開關模塊分別與所述控制模塊和所述電源模塊連接； 當所述超級電容兩端的電壓放電至預設範圍內時，所述控制模塊檢測所述電流檢測電 阻第一端的第一電壓；所述控制模塊控制所述放電開關模塊關閉，所述控制模塊控制所述 充電開關模塊打開，延時第一預設時間後，所述控制模塊檢測所述電流檢測電阻第一端的 第二電壓和所述電流檢測電阻第二端的第三電壓，並根據所述第一電壓、所述第二電壓、所 述第三電壓以及所述電流檢測電阻的阻值，獲得所述超級電容的等效串聯電阻，若所述等 效串聯電阻大於第一預設閾值，則判定所述超級電容失效。
2. 如權利要求1所述的電路，其特徵在於，所述電路還包括放電負載電阻； 所述放電開關模塊通過所述放電負載電阻與所述超級電容連接； 當需要對所述超級電容進行放電時，所述控制模塊控制所述充電開關模塊關閉，所述 控制模塊控制所述放電開關模塊打開，當所述超級電容放電第二預設時間後，所述控制模 塊檢測所述電流檢測電阻第一端的第四電壓，並測量所述電流檢測電阻第一端的電壓由所 述第四電壓下降至所述第一電壓的放電時間，所述第四電壓與所述第一電壓相差預設電壓 值，所述控制模塊根據所述放電負載電阻的阻值、所述第四電壓、所述第一電壓以及所述放 電時間，獲得所述超級電容的理想電容值，若所述理想電容值小於第二預設閾值，則判定所 述超級電容失效。
3. 如權利要求2所述的電路，其特徵在於，所述電路還包括延時模塊； 所述充電開關模塊通過所述延時模塊分別與所述控制模塊和所述電源模塊連接，所述 電源模塊分別與所述延時模塊和所述控制模塊連接。
4. 如權利要求3所述的電路，其特徵在於，所述電路還包括限流模塊； 所述電源模塊通過所述限流模塊與所述充電開關模塊連接； 所述限流模塊用於限定對所述超級電容充電時的充電電流。
5. 如權利要求4所述的電路，其特徵在於，所述充電開關模塊包括第一三極體； 所述第一三極體的集電極與所述限流模塊連接，所述第一三極體的基極與所述延時模 塊連接，所述第一三極體的發射極與所述電流檢測電阻第二端連接。
6. 如權利要求2所述的電路，其特徵在於，所述放電開關模塊包括第二三極體； 所述第二三極體的發射極接地，所述第二三極體的基極與所述控制模塊連接，所述第 二三極體的集電極與所述放電負載電阻連接。
7. 如權利要求3所述的電路，其特徵在於，所述控制模塊包括專用集成電路； 所述專用集成電路的第一輸出端與所述電流檢測電阻第一端連接，所述專用集成電路 的第二輸出端與所述電流檢測電阻第二端連接，所述專用集成電路的第三輸出端分別與所 述電源模塊和所述延時模塊連接，所述專用集成電路的第四輸出端與所述第二三極體的基 極連接。
8. 如權利要求1至7任一項所述的電路，其特徵在於，所述專用集成電路包括模數轉換 電路。
【文檔編號】G01R27/02GK104062504SQ201410265380
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月13日 優先權日:2014年6月13日
【發明者】餘霄, 章根林, 張睿夫 申請人:華為技術有限公司