有機電致發光器件及其製造方法
2023-05-06 02:04:01 2
專利名稱：有機電致發光器件及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種有機電致發光器件，並尤其涉及一種可以提高發光效率和孔徑比的有機電致發光器件及其製造方法。
背景技術：
新型平板顯示器件(FPD)其中之一為有機電致發光器件。由於有機電致發光器件為自發光顯示器件，其和LCD比較具有高對比度和寬視角的優點。此外，由於有機電致發光器件不需要背光組件，因此其重量輕而且外形薄。而且，該有機電致發光器件可以降低功耗。
此外，可以在低直流電壓下驅動有機電致發光器件並且該器件具有快速的響應時間。由於有機電致發光器件的所有元件均由固體材料形成，因此其耐外界碰撞性能很好。該器件還可以用於較寬的溫度範圍內並製造成本低廉。
具體地，採用沉積裝置和封裝裝置可以很容易地製造有機電致發光器件。因此，該有機電致發光器件的製造方法和製造裝置比LCD和PDP的製造方法和製造裝置更簡單。
通過不需要單獨開關元件的無源矩陣模式驅動現有技術的有機電致發光器件。在無源矩陣模式中，掃描線和信號線彼此交叉從而以矩陣形式限定像素。為了驅動像素，根據時間順序驅動掃描線。因此，為了產生所需的平均亮度，該無源矩陣電致發光器件提供相當於平均亮度和線數量的乘積的瞬時亮度。
然而，在有源矩陣模式中，作為開關元件以打開/關斷像素的薄膜電晶體(TFT)設置於各子像素中。按照子像素對連接到TFT的第一電極開啟和關閉，而面向第一電極的第二電極為公共電極。
在有源矩陣中，由於將施加到像素的電壓充入到存儲電容(CST)中，電壓一直施加到輸入下一幀信號。因此，在當前幀周期內可以連續驅動有機電致發光器件而和掃描線數量無關。
如果以有源矩陣模式驅動有機電致發光器件，即使在施加低電流時也可以獲得均勻的亮度。因此，有源矩陣型有機電致發光器件具有低功耗、高清晰度和大尺寸的優點。
以下，將詳細說明有源矩陣型有機電致發光器件的基本結構和操作特性。
圖1為現有技術的有源矩陣型有機電致發光器件的電路圖。
參照圖1，在第一方向上形成掃描線2。在與第一方向交叉的第二方向上形成信號線3和電源線4並且以預定距離彼此隔開。通過掃描線2、信號線3和電源線4限定一個子像素區。
在掃描線2和信號線3的交叉部分形成用作尋址元件的開關TFT 5。將存儲電容CST6連接到開關TFT 5和電源線4。將用作電流源元件的驅動TFT 7連接到存儲電容CST和電源線4上。電致發光二極體8與驅動TFT 7連接。
在向電致發光二極體8的有機發光材料施加正向電流時，由於用作空穴提供層的陽極和用作電子提供層的陰極之間的P-N結的作用，電子和空穴移動並複合。此時，發出光線。
有機電致發光器件根據電致發光二極體8的發光方向分為頂部發光型有機電致發光器件和底部發光型有機電致發光器件。
圖2為現有技術底部發光型有機電致發光器件的示意性截面圖。在圖2中，為了簡便僅示出一個包括紅、綠和藍子像素的像素區域。
參照圖2，第一基板10和第二基板30彼此相對設置。通過密封圖案40封裝第一和第二基板10和30的邊緣部分。在子像素單元中第一基板10的透明基板上形成TFT T。第一電極12與TFT T連接。在TFT T和第一電極12上形成有機電致發光層14並且對應於第一電極12設置該發光層。該有機電致發光層14包含具有紅、綠和藍色的發光材料。在有機電致發光層14上形成第二電極16。
該第一和第二電極12和16用於向有機電致發光層14施加電場。
由於密封圖案40，第二電極16和第二基板30彼此間隔預定距離。因此，在第二基板30的內表面還可以設置吸收劑(未示出)和半透明膠帶(未示出)。該吸收劑吸收由外界侵入的溼氣，並且該半透明膠帶將吸收劑粘著在第二基板30上。
在底部發光型結構中，當第一電極12和第二電極16分別用作陽極和陰極時，該第一電極12有透明導電材料形成並且第二電極16由低功函的金屬形成。
在這種條件下，有機電致發光層14包括順序形成於第一電極12上的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發光層14c、電子傳輸層14d。
發光層14c具有用於各子像素的紅、綠和監色濾色片。
圖3為在圖2所示的底部發光型有機電致發光器件中一個子像素區域的放大截面圖。
參照圖2，在透明基板1上順序形成半導體層62、柵極68以及源極80和漏極82，從而限定了TFT區域。延伸自電源線(未示出)的電源電極72和電致發光二極體E分別連接到源極80和漏極82。
電容電極64設置於對應於電源電極72的下部。在電源電極72和電容電極64之間夾入介電層。對應於這些層的區域為存儲電容區域。
除了電致發光二極體E，形成於TFT區域和存儲電容區域的元件均為陣列元件A。
該電致發光二極體E包括第一電極12、第二電極16以及夾在第一和第二電極12和16之間的有機電極發光層14。電致發光二極體E設置於發射自發光光線的區域。
這樣，在現有技術的有機電致發光器件中，陣列元件(A)和電致發光二極體(E)層迭於同一基板上。
圖4為製造現有技術有機電致發光器件的方法的流程圖。
參照圖4，在第一基板上形成陣列元件(st1)。該第一基板為透明基板。該陣列元件包括掃描線、與掃描線垂直並與掃描線間隔預定距離的信號線、電源線、形成於掃描線和信號線交叉部分的開關TFT以及連接到開關TFT上的驅動TFT。
形成作為電致發光二極體的第一部分的第一電極並將該第一電極連接到驅動TFT(st2)。在各子像素中構圖第一電極。
在第一電極上形成作為電致發光二極體第二部分的有機電致發光層(st3)。當第一電極用作陽極時，該有機電致發光層包括以一定下述次序順序層迭的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層。
在有機電致發光層上形成作為電致發光二極體的第三部分的第二電極(st4)。該第二電極作為基板上的公共電極形成。
採用第二基板封裝第一基板(st5)。該第二基板保護第一基板不受外界碰撞並防止由於外界空氣的入侵損壞有機電致發光層。吸收劑可以包括在第二基本的內表面。
這樣，通過將形成有陣列元件和有機電致發光二極體的基板粘接到用於封裝的單獨基板上製造底部發光型有機電致發光器件。在這種情況下，有機電致發光器件的產量由陣列元件的產量和有機電致發光二極體的產量的乘積決定。因此，整個工序的產量受到後工序的限制，即，形成有機電致發光二極體的工序。例如，儘管可以形成優良的陣列元件，但是如果在形成厚度為1000的薄膜的有機電致發光層時外界顆粒或其他因素產生缺陷，則該相應的有機電致發光器件被定為缺陷級。
因此，損失了花費在非缺陷陣列元件上的費用和材料成本，導致產量降低。
此外，底部發光型有機電致發光器件由於封裝具有高穩定性和自由度，但是在孔徑比方面具有一定局限性。因此，底部發光型有機電致發光器件很難應用於高清晰產品中。同時，在頂部發光型有機電致發光器件的情況，TFT的設計很容易並且孔徑比很高。因此，其在產品壽命方面具有一定的優勢。但是，由於陰極設置於有機電致發光層上，因此材料的選擇受到限制。因此，限制了透光率並降低了發光效率。
發明內容
僅作為介紹，在一個實施方式中的有機電致發光器件包括彼此以預定距離間隔的第一基板和第二基板；位於第一基板上包括對應於子像素的開關TFT(薄膜電晶體)的陣列元件；位於第二基板上對應於子像素設置的第一電極；位於第一電極上用於將子像素分為第一區域和第二區域的隔離體；在第一區域的第一電極上形成的有機電致發光層和第二電極；以及用於電連接第二區域的第一電極和陣列元件的襯墊料。
在本發明的另一方面，本發明提供了一種有機電致發光器件，其包括彼此以預定距離間隔的第一和第二基板；位於第一基板上包括對應於子像素的開關TFT(薄膜電晶體)的陣列元件，該子像素被分為第一區域和第二區域；在第二基板上對應子像素形成的電致發光二極體；以及用於電連接陣列元件和電致發光二極體的襯墊料。
在本發明的再一方面，提供了一種有機電致發光器件的製造方法，該製造方法包括在第一基板上形成包括相對應於子像素的TFT(薄膜電晶體)陣列元件，該子像素分為第一區域和第二區域；在第二基板上形成對應於子像素的第一電極；在第一電極上形成隔離體以將子像素分為第一區域和第二區域；在第一和第二區域其中之一的第一電極上形成有機電致發光層；在有機電致發光層上形成第二電極；電連接第一基板的陣列元件和第二基板的第一電極；並將第一基板粘結到第二基板上。
可以理解上述的概括性描述和以下的詳細說明均為示例性的和解釋性的並旨在提供進一步如權利要求所述的本發明的解釋。
包含用來提供本發明進一步理解並結合進來組成本申請一部分的附圖，其示出了本發明的實施方式，並和說明書一起用於解釋本發明的原理。在附圖中圖1所示為現有技術的有源矩陣型有機電致發光器件的電路圖；圖2所示為現有技術底部發光型有機電致發光器件的示意性截面圖；圖3所示為在圖2所示的底部發光型有機電致發光器件中一個子像素區域的放大截面圖；圖4所示為製造現有技術有機電致發光器件的方法的流程圖；圖5所示根據本發明第一實施方式的雙板型有機電致發光器件的示意性截面圖；圖6A到6E所示為根據本發明實施方式的雙板型有機電致發光器件製造方法的截面圖；圖7A和7B所示為在製造有機電致發光層中使用的陰罩的示圖；圖8A到8E所示為根據本發明實施方式的有機電致發光器件製造方法的截面圖；圖9所示為用於說明根據本發明實施方式的雙板型有機電致發光器件第二基板的一個子像素的平面圖；以及圖10所示為在根據本發明第二實施方式的雙板型有機電致發光器件中一個子像素的截面圖。
具體實施例方式
現在詳細說明本發明的實施方式，其實施例在附圖中示出。在整個附圖中儘可能使用同樣的附圖標記表示相同或相近的部件。
圖5根據本發明第一實施方式的雙板型有機電致發光器件的一個子像素的示意性截面圖。為了方便，以下的說明將集中於一個子像素。
參照圖5，第一和第二基板110和130彼此間隔預定距離。在第一基板110的透明基板100的內表面形成陣列元件120並且在第二基板130的透明基板101的內表面形成電致發光二極體E。通過密封圖案140封裝第一和第二基板110和130。
該有機電致發光器件包括陰極區域和陽極區域。在陽極區域，第一基板110的陣列元件120和導電襯墊料114彼此電連接。
在陰極區域形成電致發光二極體E。該電致發光二極體E包括第一電極132、第二電極138a，以及夾在二者之間的有機電致發光層136。因此，當將電壓施加給第一電極132和第二電極138a時，在第一和第二電極132和138a之間形成電場。由於存在該電場，有機電致發光層136發光。
在現有技術中，由於陣列元件和電致發光二極體形成在一起，從而降低了孔徑比和發光效率。此外，複雜的工序導致產率降低。
相反，根據本發明，陣列元件120和電致發光二極體E形成於不同基板110和130。因此，降低了工序中的缺陷率，從而提高了產品收率。而且，由於有機電致發光器件的形成和陣列元件無關，因此提高了有機電致發光器件的容限，進而提高孔徑比和發光效率。
第一電極132通過導電襯墊料114與連接到第一基板110的陣列元件120的驅動TFT T的漏極112的接觸電極128電接觸。
電致發光二極體E包括用作公共電極的第一電極132、設置於第一電極132子像素邊緣的隔離體134、設置於隔離體134內側的有機電致發光層136，以及根據各子像素構圖的第二電極138a。
第一電極132形成於陰極區域和陽極區域上，同時有機電致發光層136和第二電極138a形成於陰極區域。
有機電致發光層136包括依次層迭的第一載流子傳輸層136a、發光層136b，以及第二載流子傳輸層136c。該第一和第二載流子傳輸層136a和136c用於向發光層136b注入或傳輸電子和空穴。
根據陽極電極和陰極電極的排列確定第一載流子傳輸層136a和第二載流子傳輸層136c。例如，當發光層136由高分子化合物形成並且第一和第二電極132和138a分別配置為陽極電極和陰極電極時，與第一電極132接觸的第一載流子傳輸層136a具有空穴注入層和空穴傳輸層的層迭結構。此外，與第二電極138a接觸的第二載流子傳輸層136c具有電子注入層和電子傳輸層的層迭結構。
在隔離體134上保留第二電極圖案。
陣列元件120包括驅動TFT T。為了向電致發光二極體E提供電流，在各子像素中第二電極138a和TFT T連接的位置設置柱狀導電襯墊料114。
與普通LCD的襯墊料不同，導電襯墊料114的主要功能為電連接基板110的TFT和第一電極132而不是保持盒間隙。由於在兩個基板之間存在預定柱狀高度，因此在此簡單的稱之為襯墊料。
現在將更詳細的說明導電襯墊料114和TFT T的連接部分。在TFT區域形成鈍化層124。該鈍化層124包括漏接觸孔115d以暴露出漏極112的一部分。通過漏接觸孔115d在第一鈍化層124上形成漏極112。在形成有暴露出漏極112的連接接觸孔127的第二鈍化層126上，連接電極128通過連接接觸孔127連接到漏極112。導電襯墊料114設置在連接電極128上。
導電襯墊料114可以充分地連接到TFT T的源極111或漏極112。
可以通過在構圖後的襯墊料上沉積導電材料138b形成導電襯墊料114並電連接第一電極132和連接電極128，所述構圖後的襯墊料採用無機或有機材料。然而，本發明不限於此。即，採用由導電材料形成的襯墊料可以實現電連接。
導電襯墊料114選自導電材料，優選的為具有可塑性和低電阻率的金屬材料。
在第二基板130上形成有機電致發光層136後，在陽極區域的第一電極132上形成導電襯墊料114。此外，可以在形成陣列元件120的工序中在連接電極128上形成導電襯墊料114。該TFT T相當連接到第一電極132的驅動TFTT。
根據本發明的實施方式，該有機電致發光器件為將來自有機電致發光層136的光發射給第二基板130的頂部發光型。因此，優選的第一電極選自具有透射屬性的導電材料，而第二電極138a選擇不透明的金屬材料。
具有陣列元件120的第一基板110包括位於透明基板100和半導體層108之間的緩衝層106。在緩衝層106上該半導體層108由多晶矽形成，並且在半導體層108上形成柵絕緣層122。
通過向半導體層108的兩側摻雜雜質離子形成源和漏雜質區域108s和108d。在源和漏雜質區域108s和108d之間形成有源層108a。在半導體層108的中心部分上方的柵絕緣層122上形成柵極113。在柵極113上形成第一鈍化層124。在第一鈍化層124和柵絕緣層122上形成源和漏接觸孔115s和115d。形成源極111和漏極112以通過源和漏接觸孔115s和115d與源和漏雜質區域108s和108d接觸。在源極111和漏極112上形成由絕緣材料形成的第二鈍化層126。在第二鈍化層126上形成連接接觸孔127以暴露出漏極112的一部分。在第二鈍化層126上形成連接電極128。該連接電極128通過連接接觸孔127電連接到漏極112。該連接電極128與導電襯墊料114接觸使得該連接電極128電連接到用作第二基板130的陽極電極的第一電極132。
同時，位於第一基板110和第二基板130之間的空間可以填充惰性氣體或者絕緣液體。
儘管在圖中未示出，該陣列元件還包括掃描線、信號線和與掃描線交叉並以預定距離彼此間隔的電源線、設置於掃描線和信號線的重疊部分的開關TFT，以及存儲電容。
圖6A到6E為根據本發明實施方式的雙板型有機電致發光器件製造方法的截面圖。
參照圖6A，在形成有電致發光二極體E的第二基板130中，在各子像素中的透明基板101上形成第一電極132。
該第一電極132由透明導電材料形成。該第一電極132可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(IZO)、和/或氧化銦錫鋅(ITZO)形成。
參照圖6B，在第一電極132上形成堤133和隔離體134，堤133由絕緣材料形成並分割陰極區域和陽極區域。在堤133上以倒錐形圖案形成隔離體134。
由於存在隔離體134，第二電極138a可以形成在各子像素的陰極區域中。
隔離體134形成在子像素邊緣以及陰極區域和陽極區域的邊緣。該隔離體134將各子像素彼此分開並分割陰極區域和陽極區域。
參照圖6C，在第二基板130上順序形成用於有機電致發光層136的材料以覆蓋陰罩160，在該陰罩160中透射部分160a和遮光部分160b交替重複。
圖7A到7B為在形成有機電致發光層136中使用的陰罩160的示圖。
參照圖7A，在陰罩160中，透射部分160a和遮光部分160b形成一個子像素。每隔一個子像素形成該透射部分160a。
因此，當通過採用陰罩160在子像素的陰極區域形成有機電致發光層136時，沿一個方向移動該陰罩160。
在圖7B所示的陰罩160中，形成透射部分160a使得像素的陰極區域完全打開。
透射部分160a對應於子像素中的陰極區域並且遮光部分160b對應於陽極區域。
具體地，有機電致發光層136包括順序層迭的第一載流子傳輸層136a、發光層136b，以及第二載流子傳輸層136c。第一和第二載流子傳輸層136a和136c用於向發光層136b注入電子或空穴，或者用於傳輸電子或空穴。
通過陽極電極和陰極電極的排列確定第一和第二載流子傳輸層136a和136c。例如，當發光層136由高分子化合物形成並且第一和第二電極132和138a分別配置為陽極電極和陰極電極時，與第一電極132接觸的第一載流子傳輸層136a具有空穴注入層和空穴傳輸層的層迭結構。此外，與第二電極138a接觸的第二載流子傳輸層136c具有電子注入層和電子傳輸層的層迭結構。
因為具有透射部分160a和遮光部分160b的陰罩，有機電致發光層136僅形成在陰極區域。
參照圖6D，襯墊料114在暴露陽極區域的第一電極132上由有機材料或者無機材料形成。另外，襯墊料114也可以在形成有機電致發光層136之前形成，例如，可以在圖6B所示形成隔離體134之後形成。
參照圖6E，在第二基板130的整個表面上塗敷導電材料，並對該導電材料進行構圖。該導電材料為諸如ITO、IZO和ITZO的透明導電材料。
在倒錐形隔離體134上形成第二電極138a。在由隔離體134分離的陰極區域中的有機電致發光層136上形成第二電極138a。
構圖後的導電材料138b形成在陽極區域的襯墊料114上以形成電連接到第一電極132的導電襯墊料114。
在雙板型有機電致發光器件中，以水平結構形成用作陰極電極和陽極電極的第一和第二電極132和138a。
這樣，將第二基板130分為陰極區域和陽極區域。該陽極區域通過導電襯墊料114電連接到第一基板110的陣列元件120上。
通過導電襯墊料114施加的信號可以在夾有有機電致發光層136的第一和第二電極132和138a之間形成電場。
圖8A到8E所示為形成其上形成有陣列元件的基板的工序的截面圖。
參照圖8A，第一基板110包括位於透明基板100和半導體層108之間的緩衝層106。
該半導體層108由在緩衝層106上的多晶矽形成。
參照圖8B，在半導體層108上形成柵絕緣層122。在半導體層108的中心部分形成柵極113。
參照圖8C，採用柵極作為掩模，通過向半導體層108的兩側摻雜雜質離子形成源和漏雜質區域108s和108d。在源和漏雜質區域108s和108d之間形成有源層108a。
參照圖8D，在柵極113上形成第一鈍化層124。在第一鈍化層124和柵絕緣層122上形成源和漏接觸孔115s和115d，使得源和漏接觸孔115s和115d貫穿第一鈍化層124和柵絕緣層122暴露出源和漏雜質區域108s和108d。形成源和漏極111和112以通過源和漏接觸孔115s和115d與源和漏雜質區域108s和108d接觸。
參照圖8E，在源和漏極111和112上形成第二鈍化層126。在第二鈍化層126上形成連接接觸孔127以暴露出漏極112的一部分。在第二鈍化層126上形成連接電極128。連接電極128貫穿連接接觸孔127電連接到漏極112上。
連接電極128與導電襯墊料114接觸使得連接電極128連接到用作第二基板130的陽極電極的第一電極132上。
第一和第二基板110和130彼此相對設置。第一和第二基板110和130的邊緣部分通過密封圖案140封裝。
同時，在第一基本110和第二基板130之間的空間填充惰性氣體或者絕緣液體。
由於陣列元件和電致發光二極體形成在不同基板上，因此，該電致發光二極體不會受到陣列元件產率的影響，從而提高了生產管理的效率。
此外，如果屏幕配置為頂部發光型，可以在不必考慮孔徑比的情況下設計TFT，從而提高了工序效率並提供高孔徑比/高解析度。由於以雙面板型形成電致發光二極體，可以有效阻擋外界空氣，從而提高產品的穩定性。
此外，由於在陣列元件中採用具有高電荷遷移率的多晶矽形成低溫多晶矽(LTPS)TFT，因此可以保證底部基板的可靠性。因此，可以應用於大尺寸基板。
應用到本發明的有機電致發光器件的TFT除了上柵型電晶體外還可以應用各種類型的TFT。
圖9為用於說明根據本發明實施方式的雙板型有機電致發光器件的第二基板的一個子像素的平面圖。
參照圖9，在第二基板130的一個子像素上以水平結構形成陰極區域C和陽極區域A。通過將第一電極132與導電襯墊料114電連接形成陽極區域A。
在陰極區域C順序層迭第一電極132、有機電致發光層136以及第二電極138a。通過堤133和隔離體134分離陰極區域C和陽極區域A。
因此，第一電極132通過貫穿隔離體134底部可以在陰極區域C和陽極A上作為一個整體形成。
圖10為在根據本發明第二實施方式的雙板型有機電致發光器件中一個子像素的截面圖。
這裡將省略和圖5一樣的元件的說明，並且還將省略類似參考標記的說明。
參照圖10，設置第一和第二基板210和230彼此間隔預定距離。在第一基板210的透明基板200的內表面形成陣列元件220。在第二基板230的透明基板210的內表面形成電致發光二極體E。通過密封圖案240封裝第一和第二基板210和230的邊緣。
將第二基板230分為陰極區域和陽極區域。通過導電襯墊料214將陽極區域電連接到第一基板210的陣列元件220上。
在陰極區域形成電致發光二極體E。通過在第一電極232和第二電極238之間夾有有機電致發光層236形成電致發光二極體E。因此，施加給第一和第二電極232和238的電壓在第一和第二電極232和238之間形成電場。在電場的作用下，光從有機電致發光層236發出。
如上所述，在單個基板上以水平結構形成用作陰極電極和陽極電極的第一和第二電極232和238。
用作陽極電極的第一電極232與陣列元件220的驅動TFT T的漏極212電接觸或者與連接到驅動TFT T的連接電極圖案電接觸。
該陣列元件220包括TFT。為了向電致發光二極體提供電流，將該柱狀導電襯墊料214設置在各子像素中第二電極238和TFT T連接的位置。
該TFT T對應於連接到第一電極232的驅動TFT T。
在該TFT中，在透明基板200上形成柵極213，在柵極213上形成柵絕緣層222。在柵極213所在的柵絕緣層222上形成非晶矽(a-Si)的有源層208。在有源層208的兩側採用其中摻雜有雜質的非晶矽形成歐姆接觸層207。形成源極211和漏極212以和歐姆接觸層207接觸並且兩電極彼此間隔預定距離。在源極211和漏極212上形成鈍化層224。該鈍化層224包括暴露出漏極212一部分的漏接觸孔227。在鈍化層224上形成連接電極228使得接觸電極228通過漏接觸孔227和漏極212接觸。該連接電極228與導電襯墊料214接觸並電連接到用作第二基板230的陽極的第一電極232。
同時，第一基板210和第二基板230之間的空間I可以填充惰性氣體或絕緣液體。
儘管在附圖中未示出，該陣列元件220還包括掃描線、信號線和與掃描線交叉並與掃描線彼此間隔預定距離的電源線、設置於掃描線和信號線的交迭部分的開關TFT，以及存儲電容。
如上所述，由於在不同的基板上形成陣列元件和電致發光二極體，因此，電致發光二極體不會受到陣列元件產率的影響，從而提高了生產管理的效率。
此外，如果屏幕為頂部發光型，可以在不考慮孔徑比的情況下設計TFT，從而提高工序效率並提供高孔徑比/高解析度。
而且，由於在陣列元件中採用具有高電荷遷移率的多晶矽形成LTPS TFT，因此可以保證底部基板的可靠性。因此，其可以應用於大尺寸基板。
顯然，對於熟悉本領域的技術人員來說可以對本發明進行各種改進和變型。因而，本發明意在覆蓋落入由所附權利要求及其等效物限定的本發明的改進和變型。
權利要求
1.一種有機電致發光器件，包括彼此間隔預定距離的第一和第二基板；陣列元件，位於第一基板上包括對應於子像素的開關薄膜電晶體；位於第二基板上對應於子像素設置的第一電極；隔離體，位於第一電極上用於將子像素分離為第一區域和第二區域；在第一區域的第一電極上形成的有機電致發光層和第二電極；以及襯墊料，用於電連接第二區域的第一電極和陣列元件。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括用於封裝第一和第二基板邊緣的密封圖案。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述開關薄膜電晶體還包括在第一基板上形成的緩衝層；位於緩衝層上包含多晶矽的半導體層；在半導體層上形成的柵絕緣層和柵極；在柵極上形成的第一鈍化層；以及在半導體層上形成的源極和漏極，所述源極和漏極貫穿柵絕緣層和第一鈍化層。
4.根據權利要求3所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括在源極和漏極上形成的第二鈍化層；以及貫穿第二鈍化層並連接到漏極的連接電極。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述開關薄膜電晶體包括在第一基板形成的柵極；在柵極上形成的柵絕緣層；位於柵絕緣層上包含非晶矽的半導體層；以及在半導體基板上形成的源極和漏極並且兩電極彼此間隔預定距離。
6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括在源極和漏極上形成的鈍化層；以及貫穿鈍化層並連接到漏極上的連接電極。
7.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料包括導電材料。
8.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料包括有機或者無機材料以及在上述材料表面上形成的導電材料。
9.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述第一和第二電極包括透明導電電極材料。
10.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述第一和第二電極的一個包括透明導電電極材料而所述第一和第二電極的另一個包括不透明導電電極材料。
11.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料接觸開關薄膜電晶體的漏極和第一電極。
12.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料形成在所述第一和第二基板其中之一上。
13.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述隔離體具有倒錐形圖案。
14.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述有機電致發光層和第二電極與隔離體隔開預定距離。
15.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括與有機電致發光層的邊緣接觸的絕緣堤，設置於堤上的隔離體使得所述隔離體不與有機電致發光層接觸。
16.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括在鄰近子像素的第一電極上形成的絕緣堤，該絕緣堤隔離所述鄰近子像素第一電極。
17.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料形成在第一電極上。
18.一種有機電致發光器件，包括彼此以預定距離間隔的第一和第二基板；陣列元件，位於第一基板上包括對應於子像素的開關薄膜電晶體，所述子像素被分為第一區域和第二區域；位於第二基板上對應於子像素形成的電致發光二極體；以及用於電連接陣列元件和電致發光二極體的襯墊料。
19.根據權利要求18所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括在第一基板上形成的隔離體，所述隔離體將子像素分為第一區域和第二區域。
20.根據權利要求18所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述電致發光二極體包括在第一基板上的第一和第二區域上方形成的第一電極；在第一和第二區域其中之一的第一電極上形成的有機電致發光層；以及在有機電致發光層上形成的第二電極。
21.根據權利要求18所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料電連接陣列元件的電極和電致發光二極體的電極。
22.根據權利要求21所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料形成在第一區域和第二區域其中之一。
23.根據權利要求21所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料包括有機或者無機材料以及在上述材料表面上形成的導電材料，所述導電材料與電致發光二極體的電極接觸。
24.根據權利要求20所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括與有機電致發光層的邊緣接觸的絕緣堤。
25.根據權利要求18所述的有機電致發光器件，其特徵在於，還包括用於分開相鄰子像素的絕緣堤。
26.根據權利要求18所述的有機電致發光器件，其特徵在於，所述襯墊料形成在第二基板上。
27.一種有機電致發光器件的製造方法，該製造方法包括在第一基板上形成包括對應於子像素的薄膜電晶體的陣列元件；在第二基板上形成對應於子像素的第一電極；在第一電極上形成隔離體以將子像素分為第一區域和第二區域；在第一和第二區域其中之一的第一電極上形成有機電致發光層；在有機電致發光層上形成第二電極；電連接第一基板的陣列元件和第二基板的第一電極；以及將第一基板粘結到第二基板上。
28.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，所述形成陣列元件的步驟包括在第一基板上形成緩衝層；在緩衝層上採用多晶矽形成半導體層；在半導體層上形成柵絕緣層和柵極；在柵極上形成第一鈍化層；以及貫穿所述柵絕緣層和第一鈍化層並在半導體層上形成源極和漏極。
29.根據權利要求28所述的製造方法，其特徵在於，還包括在漏極上形成的第二鈍化層；以及形成貫穿第二鈍化層且連接到漏極的連接電極。
30.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，所述形成陣列元件的步驟包括在第一基板上形成柵極和柵絕緣層；在柵絕緣層上採用非晶矽形成半導體層；以及在半導體層上形成彼此間隔預定距離的源極和漏極。
31.根據權利要求30所述的製造方法，其特徵在於，還包括在源極和漏極上形成鈍化層；以及形成貫穿鈍化層且連接到漏極上的連接電極。
32.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，在所述形成第二電極的步驟之前還包括在第一電極上形成由有機材料或無機材料構成的襯墊料。
33.根據權利要求31所述的製造方法，其特徵在於，還包括在所述襯墊料上塗敷導電材料。
34.根據權利要求33所述的製造方法，其特徵在於，在所述襯墊料上的導電材料不覆蓋有機電致發光層。
35.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，在所述形成第二電極的步驟之後還包括在第二電極上形成由導電材料構成的導電襯墊料。
36.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，所述形成的有機電致發光層的步驟包括在第二基板上設置掩模，該掩模具有透射部分和遮光部分；以及通過掩模的透射部分在第二基板的第一部分上沉積有機電致發光材料。
37.根據權利要求36所述的製造方法，其特徵在於，還包括在第二基板的第一部分上沉積有機電致發光材料後移動所述掩模，並且通過掩模的透射部分在第二基板的第二部分上沉積有機電致發光材料。
38.根據權利要求36所述的製造方法，其特徵在於，在所述在第二基板上沉積有機電致發光材料的步驟之前還包括形成絕緣堤，並沉積有機電致發光材料使得所述有機電致發光材料與堤的邊緣接觸。
39.根據權利要求38所述的製造方法，其特徵在於，還包括在堤上形成隔離體使得所述隔離體不與有機電致發光材料接觸。
40.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，所述第一和第二電極其中之一包括透明導電電極材料，並且第一和第二電極中的另一個包括不透明導電電極材料。
41.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，在所述形成隔離體的步驟之前還包括形成絕緣堤。
42.根據權利要求41所述的製造方法，其特徵在於，還包括形成隔離體或者堤至少之一使得隔離體或堤至少之一隔離鄰近子像素的第一電極。
43.根據權利要求27所述的製造方法，其特徵在於，在所述形成有機電致發光材料的步驟之前還包括形成隔離體。
全文摘要
本發明公開了一種有機電致發光器件及其製造方法。在第一基板上形成陣列元件並在第二基板上形成電致發光二極體。該陣列元件和電致發光二極體通過襯墊料電連接在一起。隔離體將子像素分為第一區域和第二區域。在電致發光二極體中，陽極電極整個形成於第一和第二區域上。在第一和第二區域其中之一的陽極電極上形成有機電致發光層和陰極電極。
文檔編號H05B33/10GK1761371SQ20051011259
公開日2006年4月19日 申請日期2005年10月12日 優先權日2004年10月12日
發明者金昌淵, 安泰浚 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社