電壓源變換器的製作方法

2023-05-24 08:24:46

專利名稱：電壓源變換器的製作方法
電壓源變換器技術領域和
背景技術：
本發明涉及一種電壓源變換器，該電壓源變換器具有至少一個連接到該變換器 的直流電壓側的相對極的相臂(phase leg)，並且包括開關單元的串聯連接，每個所述開 關單元在其端子之間具有至少兩個電流通路，其中第一電流通路由一個或更多個串聯連 接的第一半導體組件形成，每個第一半導體組件具有關斷型半導體器件以及與該半導體 器件並聯連接的續流二極體(free-wheeling diode)；並且第二通路包括這樣的串聯連接 一方面至少一個具有關斷型半導體器件和與其並聯連接的續流二極體的第二半導體組 件，以及另一方面至少一個儲能電容器，開關單元的所述串聯連接的中點形成被配置成 要連接到該變換器的交流電壓側的相輸出，每個所述開關單元被配置成通過控制每個開 關單元的所述半導體器件來獲得兩個開關狀態，也就是第一開關狀態和第二開關狀態， 在第一開關狀態中，所述第一通路處於不導通狀態，並且在該開關單元的端子間施加所 述至少一個儲能電容器兩端的電壓，在第二開關狀態中，所述第一通路閉合，並且在該 開關單元的端子間施加零電壓，以在所述相輸出上獲得確定的交流電壓。這種變換器包括任意數量的所述相臂，但通常具有三個這種相臂，用於在其交 流電壓側具有三相交流電壓。這種類型的電壓源變換器可用於各種情況，其中直流電壓將被變換成交流電 壓，並且相反地交流電壓將被變換成直流電壓，其中這種使用的示例為，在HVDC工廠 設備(高壓直流)的站中，其中直流電壓通常被變換成三相交流電壓或者相反地三相交流 電壓被變換成直流電壓；或者在所謂的背靠背站中，其中交流電壓首先被變換成直流電 壓，然後再被變換成交流電壓；以及在SVC (靜態無功補償器)中，其中直流電壓側由自 由懸掛的電容器組成。然而，本發明不限於這些應用，其他應用也是可能的，諸如在用 於機器、車輛等的不同類型的驅動系統中。通過例如DE 101 03 031 Al和WO 2007/023064A1已知這種類型的電壓源變換
器，如其中所公開的通常稱為多單元變換器或M2LC。關於這種類型的變換器的功能參 考這些公開。變換器的所述開關單元可以具有與所述公開中示出的那些表現不同的其他 表現，例如，只要可以控制開關單元在引言中提到的兩個狀態之間進行轉換，那麼每個 開關單元可以具有多於一個所述儲能電容器。通過US 5 642 275已知另一個這種類型的電壓源變換器，這種類型的電壓源變 換器被用在靜態無功補償器中，其中開關單元具有所謂的全橋形式的不同表現。本發明主要地但不專門地針對這種被配置成傳輸大功率的電壓源變換器，因 此，下文中將主要對傳輸大功率的情況進行說明，但是不以任何方式將本發明限制於 此。當這種電壓源變換器用於傳輸大功率時，這也意味著處理高電壓，並且變換器的直 流電壓側的電壓由開關單元的所述儲能電容器兩端的電壓來確定。這意味著，由於在每 個所述開關單元中要串聯連接大量的半導體器件，即所述半導體組件，因此將要串聯連 接相當大數量的這樣的開關單元，當所述相臂中的開關單元的數量相當大時，這種類型 的電壓源變換器特別弓丨起關注。大量的串聯連接的這種開關單元意味著可以控制這些開
4關單元在所述第一開關狀態和第二開關狀態之間改變，並且通過那樣，已經在所述相輸 出處獲得非常近似於正弦電壓的交流電壓。依靠比在DE 101 03 031 Al的圖1中所示類 型的已知的電壓源變換器中通常所使用的轉換頻率充分低的轉換頻率，已經可以獲得上 述交流電壓，DE 101 03 031 Al的圖1中所示的電壓源變換器具有開關單元，該開關單 元具有至少一個關斷型的半導體器件和至少一個與該半導體器件反並聯連接的續流二極 管。這使得可以獲得充分低的損耗，並且還可以顯著地減少濾波和諧波電流以及無線電 幹擾的問題，因此使得設備可以花費更少。在這種類型的電壓源變換器中，其中為了處理高電壓，可以串聯連接若干個開 關單元，由於單開關單元或其半導體組件中的故障可以危害整個變換器的操作，因此可 靠性可能被降低。WO 2007/023064公開了通過獲得冗餘來解決該問題的方法。這是通 過旁路開關的設置來使有故障的開關單元短路來完成的。然而，這對用於使開關單元短 路的裝置，即開關的可靠性提出了更高的要求，並且還需要提供所述裝置的可靠控制
發明內容
本發明的目的是提供在引言中定義的類型的解決獲得冗餘的問題的電壓源變換 器，該冗餘用於以至少在某些方面比已知的解決方案更優選的方式對電壓源變換器的開 關單元的故障進行處理。根據本發明，通過提供在引言中定義的類型的電壓源變換器來獲得該目的，其 中所述開關單元的所述第一半導體組件被設置在每個包括至少一個半導體組件的棧中， 變換器包括被配置成獲得所述棧中的半導體組件之間的電接觸，同時保證在相應的開關 單元出現故障時，所述第一通路的半導體組件進入永久閉合電路狀態的設置，並且每個 開關單元的所述第二通路具有被配置成在出現所述故障時保持所述第二通路不導通的裝 置。通過使用由美國專利5 705 853已知的所謂的壓裝技術相互連接每個開關單元的 端子之間的所述第一通路中的第一半導體組件，可以保證所述第一通路將進入永久閉合 電路狀態，並且由此在開關單元出現故障時將自動旁路(by-pass)出現故障的開關單元。 此外，在每個開關單元的所述第二通路中設置所述裝置保證了在出現所述故障時所述第 二通路保持不導通，使得在出現這樣的故障時儲能電容器將被斷開，這對於保護變換器 的其他部件是非常重要的。這樣，所述裝置通過保證在出現所述故障時電容器是「隔離 的」來使得壓裝技術在開關單元的串聯連接中能夠有好的功能。因此，本發明提出了具 有通過非常簡單的裝置獲得的固有的可靠性的開關單元。根據本發明的一個實施例，所述裝置包括被配置成使所述第二通路中的第二半 導體組件互相連接的構件，並且該構件被配置成在出現所述故障時中斷第二通路並由此 將所述第二通路轉變成斷路狀態。這構成了用於獲得在出現開關單元的所述故障時使所 述第二通路不導通的可靠並且成本效率高的方法。獲得這個的有吸引力的方法在本發 明的另一個實施例中定義，其中所述構件包括使第二半導體組件互相接合的至少一個導 線，並且該導線被配置成在出現所述故障時由通過該導線的過電流燒穿並且使所述半導 體組件電斷開。這種串聯連接的半導體組件的導線接合模塊比使用所謂的壓裝技術的棧 的形式的模塊花費更少，並且這種使第二半導體組件互相連接的常規方法可以用於在開關單元發生故障的情況下獲得儲能電容器的可靠的斷開。根據本發明的另一實施例，所述裝置包括與所述第二通路中的所述儲能電容器 串聯連接的構件，並且所述構件被配置成在出現所述故障時被通過該構件的第二通路中 產生的過電流燒穿。因此該構件是熔絲是有利的。這意味著，可以使所述第二半導體 組件堆迭，同時，如果期望的話，使用所述壓裝技術，用來保持變換器的尺寸儘可能的 小，同時仍然保證在出現所述故障時有故障的開關單元的儲能電容器被斷開。根據本發明的另一實施例，所述裝置包括與所述第二通路中的所述儲能電容器 串聯連接的構件，並且所述構件被配置成在出現所述故障時機械地中斷通過其的所述第 二通路。本發明也覆蓋在所述第二通路中設置機械開關，用來在出現所述故障時使儲能 電容器隔離的情況。 根據本發明的另一實施例，所述布置包括被配置成向每個所述棧施加彈簧負載 壓力的裝置，當釋放所述裝置的構件中存儲的勢能時，將棧的兩端推向彼此。所述構件 可以是當被壓縮時存儲勢能的任何類型的構件，並且根據本發明的另一實施例，所述構 件是作用於每個所述棧的至少一端的彈簧，其中所述彈簧可以是機械彈簧以及其他類型 的彈簧，諸如氣壓彈簧。這意味著與尺寸的不規則性無關，可以以高可靠性來獲得所述 棧中的半導體組件之間的電接觸，諸如在所述棧中的半導體組件的並聯連接的情況下。 也沒有這樣的風險相鄰半導體組件的互相連接將會被在出現所述故障時產生的過電流 破壞，使得故障半導體組件永久地導通，並且因此旁路開關單元。根據本發明的另一實施例，每個所述開關單元具有在所述棧中彼此緊隨的N個 所述第一半導體組件，其中N是整數，並且N》或者N^4。根據本發明的另一實施例，所述相臂的開關單元的數量為24、>12, 230或 湯0。如上面已經提到的，當所述相臂的開關單元的數量相當大，產生大量可能量級的在 所述相輸出上遞送的電壓脈衝時，這種類型的變換器是特別引起關注的。根據本發明的另一實施例，開關單元組件的所述半導體器件是IGBT (絕緣柵雙 極電晶體)、IGCT (集成門板換向晶閘管)或GTO(門極關斷晶閘管)。雖然也可以想到 其它關斷型的半導體器件，然而這些是用於這樣的變換器適合的半導體器件。根據本發明的另一實施例，所述變換器被配置成使得所述直流電壓側連接到用 於發送高壓直流(HVDC)的直流電壓網絡，並且使得交流電壓側連接到屬於交流電壓網 絡的交流電壓相線。這是由於這種類型的變換器特別引起關注的應用需要大量的半導體 組件。根據本發明的另一實施例，變換器是SVC (靜態無功補償器)的部分，由開關單 元的所述儲能電容器形成直流電壓側，並且交流電壓相輸出連接到交流電壓網絡。在這 種類型的變換器的所謂全橋開關單元中出現故障時，該開關單元被轉變為M2LC類型的 半橋單元，然後重要的是所述第一通路進入永久閉合電路狀態，並且在開關單元中出 現另外的故障時，所述第二通路保持不導通，同時斷開開關單元的儲能電容器，這是通 過根據本發明的該實施例的變換器來保證的。根據本發明的另一實施例，變換器被配置成使得所述兩極之間的直流電壓為 lkV_1200kV、1 OkV-1200kV或IOOkV-1200kV。所述直流電壓越高本發明越引起關注。本發明也涉及根據為此所附的權利要求的用於傳輸電力的工廠設備。這樣的工廠設備的站可以被給予有吸引力的尺寸和相對於低花費的高可靠性。將通過以下描述來呈現本發明的更多的優勢以及有利的特徵。


參照附圖，以下是對本發明引用作為例子的實施例的描述。在附圖中圖1是根據本發明的類型的電壓源變換器的非常簡化的圖；
圖2和圖3圖解了兩種不同的已知開關單元，該開關單元可以是根據本發明的電 壓源變換器的部分；圖4是非常示意性地圖解根據本發明的電壓源變換器的簡化的圖；圖5是非常示意性地圖解如根據本發明的第一實施例的變換器中設計的圖3所示 類型的開關單元的簡化的圖；圖6是根據本發明的第二實施例的變換器中的開關單元的對應於圖5的圖；圖7是根據本發明的第三實施例的變換器中的開關單元的對應於圖5的圖；圖8非常示意性地圖解在靜態無功補償器中使用的根據本發明的變換器；圖9示意性地圖解圖8所示的變換器的開關單元；以及圖10圖解在圖9所示的開關單元中發生故障時，該開關單元發生什麼。
具體實施例方式圖1非常示意性地圖解本發明所涉及的類型的電壓源變換器1的一般構造。該 變換器具有連接到變換器的直流電壓側(諸如用於傳輸高壓直流電的直流電壓網絡)的 相對的極5、6的三個相臂2-4。每個相臂包括用方框表示的開關單元7的串聯連接，本 示例中數目為16個，並且該串聯連接被劃分成兩個相等的部分，上閥分支8和下閥分支 9，由形成相輸出的中點10-12分離該兩個相等的部分，該相輸出被配置成連接到變換器 的交流電壓側。相輸出10-12可以通過變壓器連接到三相交流電壓網絡、負載等。為了 改善所述交流電壓側上交流電壓的波形，還在所述交流電壓側設置濾波裝置。控制裝置13被設置成用於控制開關單元7，並且通過該控制裝置，變換器將直 流電壓變換成交流電壓以及相反地將交流電壓變換成直流電壓。電壓源變換器具有如下類型的開關單元7，一方面具有至少兩個半導體組件，每 個半導體組件具有關斷型半導體器件以及與其並聯連接的續流二極體；另一方面具有至 少一個儲能電容器，圖2和圖3示出了這種開關單元的兩個例子。開關單元的端子14、 15適合於連接到形成相臂的開關單元的串聯連接中的相鄰的開關單元。在這種情況下， 半導體器件16、17是與二極體18、19並聯連接的IGBT。雖然每個組件僅示出一個半導 體器件和一個二極體，但是這些可以分別代表用於分擔流經該組件的電流而並聯連接的 大量半導體器件和二極體。儲能電容器20與二極體和半導體器件的相應的串聯連接並聯 連接。一個端子14連接到兩個半導體器件之間的中點以及兩個二極體之間的中點。另 一個端子15連接到儲能電容器20，在圖2的實施例中，端子15連接到儲能電容器20的 一側，而在根據圖3的實施例中，端子15連接到其另一側。要指出的是，為了能夠處理 要處理的電壓，圖2和圖3中所示的每個半導體器件和每個二極體可以是多於一個的串聯連接，並且然後可以同時控制這樣串聯連接的半導體器件，以充當一個單個的半導體器 件。可以控制圖2和圖3所示的開關單元以獲得a)第一開關狀態和b)第二開關狀態 之一，其中對於a)，電容器20兩端的電壓被施加到端子14、15之間，而對於b)，零電 壓被施加到端子14、15之間。為了獲得圖2中的第一狀態，半導體器件16被接通且半 導體器件17被關斷，而在根據圖3的實施例中，半導體器件17被接通且半導體器件16 被關斷。通過改變該半導體器件的狀態將開關單元切換到第二狀態，使得在根據圖2的 實施例中，半導體器件16被關斷且17被接通，而在圖3中，半導體器件17被關斷且16 被接通。圖4稍微更加詳細地示出了如何通過圖3所示的類型的開關單元來形成根據圖1 的變換器的相臂，圖3中，為了簡化該圖，總共省去了 10個開關單元。控制裝置13適 合於通過控制開關單元的半導體器件來控制該開關單元，使得開關元件將遞送零電壓或 電容器兩端之間的電壓以添加到所述串聯連接中其他開關元件的電壓。這裡還示出了變 壓器21和濾波裝置22。示出了每個閥分支是如何通過相反應器50、51連接到相輸出 10，並且對於相輸出10、11和12，在圖1中應當也有這樣的相反應器，但是為了簡化該 圖示，已經被省去了。
圖5是非常示意性地圖解根據本發明的第一實施例的電壓源變換器的圖3所示類 型的每個開關單元7的設計。每個開關單元具有由以平板示意性地指示的、串聯連接的 多個第一半導體組件24形成的第一電流通路23，並且每個第一半導體組件24具有如圖3 所示的關斷型的半導體器件和與該關斷型半導體器件並聯連接的續流二極體。布置25被 配置成向第一半導體組件的這種棧30的相對端施加壓力，用於將組件壓向彼此，以獲得 所述棧中的半導體組件之間的電接觸。為此，該布置具有以彈簧26的形式存儲勢能的構 件，彈簧26作用在每個所述棧的至少一端，用於在釋放存儲在彈簧中的勢能時將棧的兩 端推向彼此。所述第一半導體組件的這種所謂的壓裝(presspack)設置導致其互連能夠承 受非常高的電流。開關單元還包括第二通路27，第二通路27包括這樣的串聯連接一方面至少一 個具有關斷型的半導體器件和與其並聯連接的續流二極體的第二半導體組件28，以及另 一方面至少一個儲能電容器20。在開關單元中出現故障時，重要的是將開關單元短路，並且儲能電容器20不 會通過第二通路27放電。在出現故障時，由第一半導體組件24組成的開關模塊和由第 二半導體組件28組成的開關模塊被打開。來自電容器20的放電電流因此將破壞第一半 導體組件24，使其進入旁路開關單元7的永久閉合電路狀態。因此同樣重要的是保持 第二通路27不導通，用於將電容器20從該變換器的其餘部分斷開。這可以用不同的方 式來達到。例如，可以將可阻斷在故障情況下出現的電壓的IGCT或GTO用作第二半導 體組件中的半導體器件，使得在出現所述故障時不需要為了斷開電容器而將第二通路轉 變成斷路狀態。在圖5所示的實施例中，也可以通過常規導線使第二通路中的第二半導體組件 28互相連接，該導線被配置成在出現故障時被通過該導線的第二通路中產生的過電流燒穿。
圖6所示的實施例中的開關單元與根據圖5的開關單元的不同在於構件29的設置，構件29與所述第二通路27中的所述儲能電容器串聯連接，並且被配置成在出現所述 故障時被通過其的所述第二通路中產生的過電流燒穿。在這種情況下，該構件是將半導 體組件連接到該開關單元的一個端子14的導線。圖7圖解了根據本發明的另一實施例的開關單元，其中燒穿的所述構件由熔絲 29』形成。在圖6和7所示的兩個實施例中，由於分別通過構件29和29』的設置仍然 保證了電容器20的斷開，因此甚至可以使用所謂的壓裝技來互聯第二通路中的半導體組 件28。圖7中的構件29』也可以代表被配置成在出現所述故障時打開的機械開關。圖8圖解了在用於無功功率補償的靜態無功補償器中使用的根據本發明的電壓 源變換器的一般構造。該變換器的直流電壓側由開關單元7」的所述儲能電容器形成， 並且該變換器的開關單元7」是如美國專利5 642275中公開的、帶有具有關斷型半導體器 件以及與其並聯連接的續流二極體的半導體組件的所謂全橋。參照圖9和10，現在假設在該開關單元7」中出現故障。這意味著模塊A和B 之一將是永久導通的，而另一個將被關斷。假設A是進入永久導通狀態的模塊，而模塊 B將被關斷，然後這將產生根據圖10的電路，其對應於根據圖5-7的開關單元。然後根 據本發明，將根據壓裝技術來製造模塊C，並且模塊D具有與針對根據圖5-7中的任何一 個的開關單元中的第二半導體組件28所描述的相同的特徵。這意味著在該開關單元中出 現另外的故障時，通過破壞該模塊C，第一通路23將進入永久閉合電路狀態，並且第二 通路27將轉換到不導通狀態，諸如斷開電容器20的永久斷路狀態。本發明當然不以任何方式局限於以上描述的實施例，而是在不脫離如所附權利 要求書中定義的本發明的基本思想的情況下，對其進行修改的很多可能性對於本領域的 技術人員來說將是明顯的。要指出，在每個所述棧中僅有一個半導體組件的情況在本發明的範圍內，並且 該組件的僅一個半導體器件需要根據所述壓裝設置來進行設置。這樣如US 5 705 853中 所公開的，每個半導體器件和二極體具有單獨的壓力接觸是可能的。具有帶晶片元件的 圓盤型器件也是可能的，其中外部壓力(例如在受壓的棧中)實現電接觸。圖5-7中的 非常示意性的圖解意在覆蓋使用壓裝技術的這些可選方案。
權利要求
1.一種電壓源變換器，其具有至少一個連接到所述變換器的直流電壓側的相對極 (5、6)的相臂(2-4)，並且包括開關單元(7、V、7」 )的串聯連接，每個所述開關單元 在其端子(14、15)之間具有至少兩個電流通路(23、27)，其中，第一電流通路(23)由一 個或更多個串聯連接的第一半導體組件(24)形成，並且每個所述第一半導體組件(24)具 有關斷型半導體器件(16、17)以及與所述關斷型半導體器件(16、17)並聯連接的續流二 極管(18、19)，並且第二通路(27)包括一方面至少一個具有關斷型的半導體器件和與其 並聯連接的續流二極體的第二半導體組件(28)，以及另一方面至少一個儲能電容器(20) 的串聯連接，開關單元的所述串聯連接的中點形成被配置成連接到所述變換器的交流電 壓側的相輸出(10-12)，每個所述開關單元被配置成通過控制每個開關單元的所述半導體 器件來獲得兩個開關狀態，即第一開關狀態和第二開關狀態，在所述第一開關狀態中， 所述第一通路(23)處於不導通狀態，並且在所述開關單元的所述端子(14、15)間施加所 述至少一個儲能電容器(20)兩端的電壓，在所述第二開關狀態中，所述第一通路(23)閉 合，並且在所述開關單元的所述端子(14、15)間施加零電壓，以在所述相輸出上獲得確 定的交流電壓，所述變換器的特徵在於，所述開關單元(7、V、7」 )的所述第一半導 體組件(24)被設置在棧中，每個所述棧包括至少一個半導體組件，所述變換器包括布置 (25)，所述布置(25)被配置成通過所述棧中的半導體組件(24)獲得電接觸，同時保證在 相應開關單元出現故障的情況下所述第一通路(23)的所述半導體組件進入永久閉合電路 狀態，並且每個開關單元(7、V、7」 )的所述第二通路(27)具有被配置成在出現所述 故障時保持所述第二通路不導通的裝置(29、29』)。
2.根據權利要求1的變換器，其特徵在於，所述裝置包括被配置成相互連接所述第二 通路(27)中的第二半導體組件(28)的構件，並且所述構件被配置成在出現所述故障時中 斷所述第二通路並由此使所述第二通路轉變成斷路狀態。
3.根據權利要求2的變換器，其特徵在於，所述構件包括將第二半導體組件(28)互 相接合的至少一個導線，並且所述導線被配置成在出現所述故障時通過經由該導線的過 電流熔斷並且電斷開所述第二半導體組件。
4.根據權利要求1的變換器，其特徵在於，所述裝置包括與所述第二通路(27)中的 所述儲能電容器(20)串聯連接的構件(29、29』)，並且所述構件(29、29』 )被配置成 在出現所述故障時被通過所述構件(29、29』 )的所述第二通路中產生的過電流燒穿。
5.根據權利要求4的變換器，其特徵在於，所述構件是熔絲(29』)。
6.根據權利要求1的變換器，其特徵在於，所述裝置包括與所述第二通路(27)中的 所述儲能電容器(20)串聯連接的構件(29』)，並且所述構件(29』)被配置成在出現所 述故障時機械地中斷通過所述構件(29』 )的所述第二通路。
7.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述布置(25)包括 被配置成向每個所述棧施加彈簧負載壓力的裝置，當釋放存儲在所述裝置的構件(26)中 的勢能時，將所述棧的兩端推向彼此。
8.根據權利要求7的變換器，其特徵在於，存儲勢能的所述構件(26)是作用於每個 所述棧的至少一端的彈簧。
9.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，每個所述開關單元 (7、V、7」)具有在所述棧中彼此緊隨的N個所述第一半導體組件，其中N是整數，並且N』或者N>4。
10.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述相臂(2-4)的 所述開關單元(7、V、7」 )的數目24、>12, >30或者湯0。
11.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述開關單元組件 的所述半導體器件(16、17)是IGBT(絕緣柵雙極電晶體)、IGCT(集成門極換向晶閘管) 或者GTO (門極關斷晶閘管)。
12.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述變換器被配置 成使得所述直流電壓側連接到用於傳輸高壓直流(HVDC)的直流電壓網絡(5、6)，並且 使得所述交流電壓側連接到屬於交流電壓網絡的交流電壓相線。
13.根據權利要求1-11的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述變換器是 SVC(靜態無功補償器)的部分，由所述開關單元的所述儲能電容器(20)形成直流電壓 側，並且所述交流電壓相輸出(10-12)連接到交流電壓網絡。
14.根據上述權利要求中的任一權利要求的變換器，其特徵在於，所述變換器 被配置成使得所述兩極(5、6)之間的直流電壓為lkV_1200kV、10kV_1200kV或者 1 OOkv-1200kV。
15.一種用於傳輸電力的工廠設備，包括直流電壓網絡以及通過站連接到所述直流電 壓網絡的至少一個交流電壓網絡，所述站適合於進行所述直流電壓網絡和所述交流電壓 網絡之間的電力傳輸，並且包括至少一個適合於將直流電壓變換成交流電壓以及相反地 將交流電壓變換成直流電壓的電壓源變換器，其特徵在於，所述工廠設備的所述站包括 根據權利要求1-14的任一權利要求的電壓源變換器。
全文摘要
一種電壓源變換器，其具有至少一個連接到變換器的直流電壓側的相對極的相臂，並且包括開關單元(7)的串聯連接，開關單元(7)具有布置(25)，布置(25)被配置成向半導體組件的棧的相對端施加壓力，用於將組件壓向彼此，以獲得所述棧中的半導體組件之間的電接觸，同時保證在各個開關單元出現故障時，變換器的每個開關單元的第一通路(23)的半導體組件進入永久閉合電路狀態。每個開關單元的第二通路(27)具有裝置(29)，裝置(29)被配置成在出現所述故障時保持包括儲能電容器(20)的所述第二通路不導通。
文檔編號H02M7/483GK102017384SQ200880128756
公開日2011年4月13日 申請日期2008年3月20日 優先權日2008年3月20日
發明者託馬斯·U·瓊森, 斯塔凡·諾爾加 申請人:Abb研究有限公司