曝光裝置以及曝光方法
2023-05-24 22:13:46 2
專利名稱：曝光裝置以及曝光方法
技術領域：
本發明是關於一種曝光裝置，尤其是關於一種使靶材料等離子化而產生脈衝光，並以脈衝光進行曝光的曝光裝置以及曝光方法。
背景技術：
目前，在使用有脈衝光的曝光裝置中，自曝光裝置側對光源進行發光指示(觸發)，而光源則以其為依據產生曝光光線。即，曝光裝置側以使裝置的載物臺驅動與時序一致的方式觸發光源而進行曝光動作。藉此，可在曝光區域內獲得均一曝光量。
另一方面，在某種EUV光源中，間隙性供應靶材料並使其等離子化，而使用由等離子所輻射的X線(EUV光)。至於這種光源，存有液滴·雷射等離子X線源，其例如自噴嘴前端滴落液滴，並對液滴照射雷射使之等離子化。
專利文獻1日本專利早期公開第2000-215998號公報。
然而，在這種光源中，EUV光所發光的時刻，依存於靶材料所供應的時序，而與曝光裝置內部的時序並無關係。為此，即使自曝光裝置側觸發光源，也不會以曝光裝置所期望的時序使EUV光發光。該時序的偏差(延遲)最大為光源重複頻率的倒數。例如重複頻率為1kHz，則最大延遲為1ms。
為此，由於曝光裝置載物臺的啟動與EUV光發光時刻的偏差，因此曝光區域內的掃描開始部分以及掃描最終部中所照射的脈衝數在最差時不足一個脈衝，故而導致區域內的曝光量均一性惡化。
發明內容
本發明是為了解決現有技術存在的上述問題而提出的，其目的在於提供一種曝光裝置以及曝光方法，其即使在曝光用光源中使用將靶材料等離子化而產生的脈衝光時，也可獲得良好的曝光量均一性。
權利要求第1項所提出的曝光裝置，其特點是包括發光機構，其使間歇性供應的靶材料等離子化而產生脈衝光；標線片載物臺，其具備照射有上述脈衝光的標線片；感應基板載物臺，其配置有照射有在上述標線片經過圖案化的脈衝光的感應基板；控制機構，其於開始在上述感應基板上進行曝光前，以依據上述感應基板載物臺的驅動時序及上述脈衝光的發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與上述發光時序一致的方式，控制上述感應基板載物臺。
權利要求第2項所提出的曝光裝置，其特點是包括發光機構，其使間歇性供應的靶材料等離子化而產生脈衝光；標線片載物臺，其具備照射有上述脈衝光的標線片；感應基板載物臺，其配置有照射有在上述標線片經過圖案化的脈衝光的感應基板；控制機構，其於開始在上述感應基板上進行曝光前，以依據上述感應基板載物臺的驅動時序及上述脈衝光的發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與發光時序一致的方式，控制上述發光時序。
權利要求第3項所提出的曝光裝置是與權利要求第2項所提出的曝光裝置有關，其中通過使上述脈衝光的相位產生變化而調整上述發光時序。
權利要求第4項所提出的曝光裝置是與權利要求第2項所提出的曝光裝置有關，其中通過使上述脈衝光的發光頻率產生變化而調整上述發光時序。
權利要求第5項所提出的曝光裝置是與權利要求第1項至第4項中任一項所提出的曝光裝置有關，其中藉由檢測機構預先檢測上述脈衝光的發光時序。
權利要求第6項所提出的曝光裝置是與權利要求第1項至第4項中任一項所提出的曝光裝置有關，其中依據上述供應機構中上述靶材料的供應時序而求得上述脈衝光的發光時序。
權利要求第7項所提出的曝光裝置是與權利要求第6項所提出的曝光裝置有關，其中藉由檢測出上述靶材料的供應時刻而求得上述靶材料的供應時序。
權利要求第8項所提出的曝光裝置是與權利要求第6項所提出的曝光裝置有關，其中藉由供應上述靶材料的供應機構的驅動控制信號而求得上述靶材料的供應時序。
權利要求第9項所提出的曝光裝置是與權利要求第1項至第8項中任一項所提出的曝光裝置有關，其中上述感應基板載物臺，以固定的控制周期受到驅動控制。
權利要求第10項所提出的曝光裝置是與權利要求第9項所提出的曝光裝置有關，其中上述控制機構，以將上述控制周期與上述脈衝光的周期進行同步調整的方式開始曝光。
權利要求第11項所提出的曝光裝置是與權利要求第10項所提出的曝光裝置有關，以使上述感應基板載物臺的啟動開始時刻延遲的方式，進行上述同步調整。
權利要求第12項所提出的曝光裝置是與權利要求第11項所提出的曝光裝置有關，其中上述控制機構將上述啟動開始時刻的延遲時間設為最小。
權利要求第13項所提出的曝光方法，其是使用使間歇性供應的靶材料等離子化而產生脈衝光的發光機構而在感應基板上對圖案進行曝光，其特點是，在開始對上述感應基板上進行曝光前，測定上述脈衝光的發光時序。
權利要求第14項所提出的曝光方法是與權利要求第13項所提出的曝光方法有關，其中依據上述靶材料的供應時序而求出上述脈衝光的發光時序。
權利要求第15項所提出的曝光方法是與權利要求第13項所提出的曝光方法有關，其中藉由檢測出上述脈衝光的強度而求出上述脈衝光的發光時序。
權利要求第16項所提出的曝光裝置，其特點是包括發光機構，其使間歇性供應的靶材料等離子化而產生脈衝光；標線片載物臺，其具備照射有上述脈衝光的標線片；感應基板載物臺，其配置有照射有在上述標線片經過圖案化的脈衝光的感應基板；控制機構，其在開始對上述感應基板上進行曝光前，以依據上述感應基板載物臺的驅動條件及上述脈衝光的發光條件，而使曝光開始點或者曝光結束點與上述脈衝光的發光時序一致的方式，控制上述感應基板載物臺。
本發明的曝光裝置中，由於在開始對感應基板上進行曝光前，以依據感應基板載物臺的驅動時序與脈衝光的發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與發光時序一致的方式，對感應基板載物臺進行控制，因此即使在曝光用的光源中使用將靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也可獲得良好的曝光量均一性。
本發明的曝光裝置中，由於在開始對感應基板上進行曝光前，以依據感應基板載物臺的驅動時序與脈衝光的發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與發光時序一致的方式控制發光時序，因此即使在曝光用的光源中使用將靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也可獲得良好的曝光量均一性。
本發明的曝光裝置中，由於在開始對感應基板上進行曝光前，以依據感應基板載物臺的驅動條件與脈衝光的發光條件，而使曝光開始點或者曝光結束點與脈衝光的發光時序一致的方式，控制感應基板載物臺，因此即使在曝光用光源中使用將靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也可獲得良好的曝光量均一性。
本發明的曝光方法中，由於在曝光開始前測定脈衝光的發光時序，因此即使在曝光用的光源中使用將靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也可把握髮光時序，並以此為依據控制曝光量均一性。
為讓本發明的上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合附圖作詳細說明，其中圖1是表示本發明的曝光裝置的第1實施例的示意圖。
圖2是表示圖1的控制裝置中控制晶圓載物臺的時序圖的示意圖。
圖3是表示本發明的曝光裝置的第2實施例中，控制晶圓載物臺的時序圖的示意圖。
圖4是表示本發明的曝光裝置的第3實施例的示意圖。
具體實施例方式
以下使用附圖就本發明的實施例加以詳細說明。
第1實施例圖1表示有本發明的曝光裝置的第1實施例。在該實施例中，曝光用的光源中使用有採用液滴靶的雷射等離子X線源。該實施例的曝光裝置，具有EUV光產生部11以及曝光部13。
EUV光產生部11使靶材料等離子化並產生包含EUV光的脈衝光。該EUV光產生部11具有真空室15。在真空室15內，配置有反射EUV光的聚光鏡17，以及檢測EUV光的EUV光檢測器19。
在真空室15上側，配置有供應靶材料的靶材料供應裝置21。該靶材料供應裝置21，具有開口於真空室15內的噴嘴23，以及將靶材料供應至噴嘴23的供應部25。在真空室15下側，配置有回收靶材料的回收機構27。
在真空室15側方，配置有雷射光學系統33，其將來自產生雷射的雷射裝置29的雷射31導入至真空室15內。來自雷射裝置29的雷射31，經過反射鏡35、37反射後，藉由透鏡39而聚光，並藉由形成於真空室15的雷射導入窗41而導入至真空室15內。
雷射裝置29以及靶材料供應裝置21的供應部25，受到雷射·靶材料控制裝置43的控制。
曝光部13具有真空室45。在真空室45內，配置有標線片載物臺47以及晶圓載物臺49。由EUV光產生部11所產生的EUV光自EUV光導入部51導入至真空室45內的照明光學系統53中，並藉由照明光學系統53而導入至配置於標線片載物臺47下側的標線片55的下面。在標線片55經過圖案化並得到反射的EUV光，藉由投影光學系統57照射至作為配置於晶圓載物臺49上面的感應基板的晶圓59上，由此進行曝光。該實施例中將驅動標線片載物臺47以及晶圓載物臺49而進行掃描曝光。
在圖1中，符號61表示控制裝置。該控制裝置61輸入來自EUV光檢測器19以及雷射·靶材料控制裝置43的信號。同時，由標線片載物臺47以及晶圓載物臺49輸入驅動控制信號。繼而，對標線片載物臺47、晶圓載物臺49以及雷射·靶材料控制裝置43進行控制。
上述曝光裝置中，藉由靶材料供應裝置21的供應部25，自噴嘴23的前端，間歇性噴出包含例如液化氙的液滴靶63。經噴出的靶63到達特定位置(聚光鏡17的焦點)後，自雷射裝置29出射有雷射31，並藉由透鏡39而將其聚光於靶63上，以此使靶材料等離子化。
等離子65所放出的EUV光67通過聚光鏡17而聚光，並導入至曝光部13的照明光學系統53中。由照明光學系統53所出射的EUV光67將入射至標線片載物臺47的標線片55並被反射。標線片55的反射光將入射至投影光學系統57中，並將標線片55上的微細圖案成像於塗布有抗蝕劑的晶圓59上。
在此，雷射裝置29以及靶材料供應裝置21的供應部25，藉由雷射·靶控制裝置43，而在靶63位於特定位置(聚光鏡17的焦點)時以雷射31照射靶63的方式控制時序。例如，可通過調整自雷射裝置29朝向靶63的雷射的發光時序而得到控制。再者，該調整可藉由以下方式進行，即例如通過EUV光檢測器19等檢測器檢測EUV光的發光狀態。並且將由雷射裝置29所射出的雷射的脈衝周期與靶材料的供應周期(與靶63通過聚光鏡17的焦點的周期相同)調整為所設計的周期。
另一方面，如圖2所示，晶圓載物臺49的軌道追蹤控制為離散性的，其驅動控制周期為Ds。並且等離子65的發光也是離散性的，其EUV光(亦稱為脈衝光)的發光周期為De，而兩者並不同步。
繼而，在1次曝光照射的掃描曝光中，自晶圓載物臺49的啟動開始起直至曝光開始為止的時間Tse，在生成晶圓載物臺49軌道的時刻上是已知的。又，使啟動開始之前的驅動控制時序為時間原點0，則自此處起直至其後的脈衝光的發光點為止的時間差Tof，可通過某些硬體的測量機構進行測量，故其也為已知。
該實施例中，為獲得時間差Tof，而在曝光開始前使等離子65發光，並對脈衝光的發光時序與晶圓載物臺49的驅動控制時序的延遲時間進行檢測。該時間差Tof藉由通過EUV光檢測器19監視脈衝光而出現。該實施例中，於EUV光檢測器19中使用有發光二極體。當產生脈衝光時，電流(電壓)將會自發光二極體中輸出，以監視該信號，藉此可獲得脈衝光的發光時序。通過分析來自該發光二極體的信號與曝光裝置內部所具有的晶圓載物臺49的驅動控制時序的控制周期的時間差，可獲得Tof。
在此，使n為整數，則脈衝光的發光時序Tf(n)如下式所示。
Tf(n)＝n×De+Tof又，使m為整數，則曝光開始的驅動控制時序Ts(m)如下式所示。
Ts(m)＝m×Ds+Tse如圖2的直線a所示，若在最初的時間原點0處開始晶圓載物臺49的啟動，則脈衝光的發光時序未必與晶圓載物臺49到達曝光開始點的時序一致。為使其一致，則如圖2的直線b所示，可使晶圓載物臺49的啟動開始延遲(由於驅動控制為離散性，因而延遲為以一個試樣Ds為單位)。
在此，研究|Tf(n)-Ts(m)|＜Δ(Δ為所容許的時間差)成立的最小n、m。使用該m，即，自先前的時間原點0僅使晶圓載物臺49的啟動開始的驅動控制時序延遲m試樣，藉此以脈衝光的發光開始點靠近曝光開始點附近的方式進行控制(獲取同步)。
再者，周期De與周期Ds的值因時序的初始值而使n與m值過大，故而有可能使達到可進行曝光開始的狀態為止的時間延長。當其成為問題的情形時，也可預先使發光的時序或者晶圓載物臺49的驅動控制的時序即相位偏移，而以n、m值為較小的值獲得同步。至於使相位偏移的方法，例如，可使用改變軌道的開始位置(初始位置)，或者調整軌道生成的參數(加速度)等方法。
上述曝光裝置中，在開始對晶圓59上進行曝光前，以依據晶圓載物臺49的驅動控制時序與脈衝光的發光時序，而使曝光開始點與發光時序一致(同步)的方式，控制晶圓載物臺49的移動開始時序，因此即使在曝光用光源中使用使靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也可獲得良好的曝光量均一性。在此，所謂一致(同步)是指可容許裝置並無規格上問題的程度的時間差。
即，本質上可降低晶圓載物臺49的曝光開始時刻與脈衝光的發光時刻的偏差，使曝光區域內掃描開始部分中所照射的脈衝光的曝光區域內的脈衝數一直為固定的脈衝數，故使曝光區域內的曝光量為均一。
再者，上述曝光裝置中使用EUV光檢測器19檢測EUV光的發光時序，然而也可使用其他方法檢測發光時序。例如，如上所述，可以下述方式預先進行調整，使靶63的供應時序，與由雷射裝置29所射出的等離子激勵用的脈衝雷射的脈衝時序，取得同步。在該情形時，可將雷射裝置29的雷射發光時序作為EUV光的發光時序進行控制。在進行如此的控制時，若雷射裝置29的雷射發光周期與靶63的供應周期不同，則較好的是針對該不同之處進行分析。
第2實施例圖3表示有本發明的曝光裝置第2實施例的時序圖。
在該實施例中對與第1實施例相同的部分付與相同符號，並省略詳細說明。
在該實施例中，在開始對晶圓59上進行曝光前，將依據晶圓載物臺49的驅動控制時序與脈衝光的發光時序而調整發光時序，以使曝光開始與發光時序一致。
在該實施例中，發光時序的調整可藉由使脈衝光相位變化而進行。即，控制裝置61，在圖3的時刻A上，對晶圓載物臺49的驅動控制時序與脈衝光的發光時序的偏差量Tof進行檢測(與第1實施例相同)。繼而，依據該結果，計算出使脈衝光的發光時序偏移何種程度，則可在最短時間內使之與晶圓載物臺49的驅動控制時序一致。繼而，將該計算結果反饋至雷射·靶材料控制裝置43中。藉此，變更通過靶材料供應裝置21的供應部25而自噴嘴23所噴出的靶63的噴出時序，故將脈衝光的發光時序(相位)偏移(圖中調整有時刻A的發光與下次的發光為止的時序)。再者，在該實施例中，脈衝光的發光頻率(重複頻率)並不產生變化。
在該實施例中，也可獲得與第1實施例相同的效果，該實施例與第1實施例相比，可以更短時間使晶圓載物臺49的驅動控制時序與脈衝光的發光時序一致。因此，可減少等待時間，提高曝光裝置效率。
再者，該實施例中，就偏移有脈衝光的發光時序(相位)的例加以說明，然而也可設為改變脈衝光的發光頻率(重複頻率)。
即，當照射到晶圓59上1點的脈衝光的脈衝數較為充分，且曝光量均一性也較為充分時，則即使略微改變脈衝光的發光頻率也並無問題。因此，在這種情形時，也可以使晶圓載物臺49的驅動控制時序與脈衝光的發光時序一致的方式改變脈衝光的發光頻率。另外，也可以改變載物臺的驅動控制時序的相位或頻率。
第3實施例圖4表示本發明的曝光裝置的第3實施例。
在該實施例中，對於與第1實施例相同的部分，將付與相同符號並省略詳細說明。
該實施例中，藉由監視由噴嘴23噴出靶材料的時序，而可監視脈衝光的發光時序。
在該實施例中，在靶63的通過位置的單側配置有光照射器71，與光照射器71對向則配置有光檢測器73。光照射器71具有發光二極體75與聚光透鏡77。由發光二極體75所放出的光設計為藉由聚光透鏡77而在靶63所通過的位置處聚為焦點。在靶63所通過的時刻處，來自發光二極體75的光藉由靶63而遮斷或散射，因此由光檢測器73所檢測的光量將降低，則來自光檢測器73的輸出信號會降低。
因此，可藉由監視光檢測器73的輸出信號，而監視靶63所通過的時刻。繼而，自靶63通過起直至靶63發光為止的時間為固定的，因而可根據光檢測器73的檢測信號而推算出脈衝光的發光時序。
在該實施例中，也可獲得與第1實施例相同的效果。
再者，在該實施例中，就藉由光檢測器73而監視靶63所通過的時刻的例子加以說明，然而也可通過自雷射·靶材料控制裝置43求得輸出至靶材料供應裝置21的供應部25的材料供應信號，與靶材料的滴落時序相關性，而根據針對靶材料供應裝置21的材料供應信號推算出脈衝光的發光時序。
例如，當將脈衝電壓施加至靶材料供應裝置21的供應部25時，則相應於此，液滴將以特定應答時間自噴嘴23滴落。因此，可藉由預先測定施加脈衝電壓的時刻與脈衝光發光為止的時間差，而僅獲得脈衝電壓的施加時序，由此獲得脈衝光的發光時刻。
實施例的補充事項以上通過上述實施例說明本發明，然而本發明的技術性範圍並非限定於上述實施例，例如，也可為以下形態。
(1)上述實施例中，就使曝光開始點與脈衝光發光點同步之例加以說明，然而也可設為使曝光結束點與脈衝光發光點同步。何種條件較為重要可藉由曝光的曝光照射形狀等而決定，當無法同時使兩者同步時，較好的是控制為僅使較為重要者同步。例如，藉由對曝光照射邊緣附近有無圖案或照明均一性要求較高的圖案的有無等，而決定何者優先即可。
(2)在上述實施例中，就藉由EUV光檢測器19而監視脈衝光的發光時序之例加以說明，然而也可藉由例如對可視光、紅外線區具有敏感性的光檢測器而進行監視。即，自等離子65將與EUV光67同時產生紫外線、可視光及紅外線等，因此可藉由對其進行監視而獲得EUV光67的發光時序。
(3)在上述實施例中，就藉由EUV光67的光源中使用雷射生成等離子光源之例加以說明，然而也可使用例如間歇性將靶材料供應至電極間，據此進行放電而產生EUV光的放電等離子X線源。此外，至於間歇性的靶材料供應方法，存在有間歇性將氣體噴出至電極間，或者將液體狀或微粒子狀的靶材料供應至電極間的方法。
(4)在上述實施例中，就藉由靶材料中使用液化氙之例加以說明，然而也可使用例如錫(Sn)。在該情形時，較好的是對例如聚苯乙烯樹脂中分散有Sn固體微粒子者進行加熱，並以液體狀形態而使用。
(5)在上述實施例中，獲得有感應基板的載物臺控制時序與發光時序的同步，也可以相同方式，獲得標線片載物臺的控制時序與發光時序的同步。
權利要求
1.一種曝光裝置，其特徵在於，包括一發光機構，其使間歇性供應的一靶材料等離子化而產生一脈衝光；一標線片載物臺，其具備照射有所述脈衝光的一標線片；一感應基板載物臺，其配置有照射有在所述標線片經過圖案化的所述脈衝光的一感應基板；以及一控制機構，其在開始對所述感應基板上進行曝光前，以依據所述感應基板載物臺的一驅動時序及所述脈衝光的一發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與所述發光時序一致的方式，控制所述感應基板載物臺。
2.一種曝光裝置，其特徵在於，包括一發光機構，其使間歇性供應的一靶材料等離子化而產生一脈衝光；一標線片載物臺，其具備照射有所述脈衝光的一標線片；一感應基板載物臺，其配置有照射有在所述標線片經過圖案化的所述脈衝光的一感應基板；以及一控制機構，其在開始對所述感應基板上進行曝光前，以依據所述感應基板載物臺的一驅動時序及所述脈衝光的一發光時序，而使曝光開始點或者曝光結束點與所述發光時序一致的方式，控制所述發光時序。
3.如權利要求2所述的曝光裝置，其特徵在於，通過使所述脈衝光的一相位產生變化而調整所述發光時序。
4.如權利要求2所述的曝光裝置，其特徵在於，通過使所述脈衝光的一發光頻率產生變化而調整所述發光時序。
5.如權利要求1至4中任何一項所述的曝光裝置，其特徵在於，藉由一檢測機構預先檢測所述脈衝光的所述發光時序。
6.如權利要求1至4中任何一項所述的曝光裝置，其特徵在於，依據一供應機構中所述靶材料的一供應時序而求得所述脈衝光的所述發光時序。
7.如權利要求6所述的曝光裝置，其特徵在於，藉由檢測出所述靶材料的一供應時刻而求得所述靶材料的所述供應時序。
8.如權利要求6所述的曝光裝置，其特徵在於，藉由供應所述靶材料的所述供應機構的一驅動控制信號而求得所述靶材料的所述供應時序。
9.如權利要求1至8中任何一項所述的曝光裝置，其特徵在於，所述感應基板載物臺以固定的一控制周期受到驅動控制。
10.如權利要求9所述的曝光裝置，其特徵在於，所述控制機構以將所述控制周期與所述脈衝光的一周期進行一同步調整的方式開始曝光。
11.如權利要求10所述的曝光裝置，其特徵在於，所述控制機構以使所述感應基板載物臺的一啟動開始時刻延遲的方式，進行所述同步調整。
12.如權利要求11所述的曝光裝置，其特徵在於，所述控制機構將所述啟動開始時刻的一延遲時間設為最小。
13.一種曝光方法，其是使用使間歇性供應的一靶材料等離子化而產生一脈衝光的一發光機構，而在一感應基板上對圖案進行曝光，其特徵在於在開始對所述感應基板上進行曝光前，測定所述脈衝光的一發光時序。
14.如權利要求13所述的曝光方法，其特徵在於，依據所述靶材料的一供應時序而求出所述脈衝光的所述發光時序。
15.如權利要求13所述的曝光方法，其特徵在於，藉由檢測出所述脈衝光的一強度而求出所述脈衝光的所述發光時序。
16.一種曝光裝置，其特徵在於，包括一發光機構，其使間歇性供應的一靶材料等離子化而產生一脈衝光；一標線片載物臺，其具備照射有所述脈衝光的一標線片；一感應基板載物臺，其配置有照射有在所述標線片經過圖案化的所述脈衝光的一感應基板；以及一控制機構，其在開始對所述感應基板上進行曝光前，以依據所述感應基板載物臺的一驅動條件及所述脈衝光的一發光條件，而使曝光開始點或者曝光結束點與所述脈衝光的一發光時序一致的方式，控制所述感應基板載物臺。
全文摘要
一種曝光裝置以及曝光方法，使靶材料等離子化，並產生脈衝光，以脈衝光進行曝光。本發明的特點是包括發光機構，使間歇性供應的靶材料等離子化而產生脈衝光；標線片載物臺，具備照射脈衝光的標線片；感應基板載物臺，配置有照射於標線片經過圖案化的脈衝光的感應基板；控制機構，在開始對感應基板上進行曝光前，依據感應基板載物臺的驅動時序及脈衝光的發光時序，使曝光開始點或者曝光結束點與發光時序一致的方式，控制感應基板載物臺。本發明即使在曝光用光源中，使用使靶材料等離子化而產生的脈衝光的情形時，也能獲得良好的曝光量均一性。
文檔編號H05H1/24GK101015038SQ20058002823
公開日2007年8月8日 申請日期2005年11月7日 優先權日2004年11月8日
發明者近藤洋行, 宮地敬 申請人:株式會社尼康