基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法
2023-05-17 08:58:06 1
基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法
【專利摘要】本發明公開了一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法。其中該探測器包括：基底，基底中形成有貫穿基底頂表面和底表面的檢測窗口；兩個異質懸臂梁，每個異質懸臂梁位於基底之上，每個異質懸臂梁的固定端與基底相連，自由端懸空在檢測窗口之上；單壁碳納米管薄膜，單壁碳納米管薄膜橋接於兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間，其中，異質懸臂梁包括第一材料層和位於第一材料層之上的第二材料層，第一材料層與第二材料層的熱膨脹係數不相同。本發明的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器具有靈敏度高、結構簡單等優點。
【專利說明】基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微機電領域)，具體涉及一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法。
【背景技術】
[0002]1978年美國Texas Instruments在世界上首次研製成功第一個非製冷紅外熱像儀系統，主要紅外材料為α-Si (非晶矽)與BST(鈦酸鍶鋇)。1983年美國Honeywell開始研製室溫下的熱探測器，使用了矽微型機械加工技術，使熱隔離性提高，成本降低。1990-1994年美國很多公司從Honeywell獲技術轉讓，使以氧化釩為探測材料的非製冷探測器得到了迅速廣泛發展。氧化釩材料具有較高的熱電阻係數，目前世界上性能最好的非製冷探測器就是採用氧化釩材料製備的，近年Raytheon公司大規模開發α -Si (非晶矽)熱敏性紅外探測器，在世界紅外探測器市場佔有一定的空間。
[0003]單壁碳納米管(single walled carbon nanotubes, SffNTs)是近年來最熱門的新興材料之一。SWNTs在不同的溫度下具有不同的電阻值，具有很好的紅外吸收功能，其材料本身噪音與其他熱敏材料相比很低。因此已有科學研究者利用該特性製作高靈敏度的輻射熱計，該輻射熱計探測紅外線時具有低噪聲，靈敏度高，響應時間短等特性。另外，SWNTs對應力的影響也很敏感，受到應力作用時，單壁碳納米管薄膜的電阻有明顯的變化。
【發明內容】
[0004]本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此，本發明的目的在於提出一種靈敏度更高的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法。
[0005]有鑑於此，本發明第一方面提出了一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，可以包括:基底，所述基底中形成有貫穿所述基底頂表面和底表面的檢測窗口 ；兩個異質懸臂梁，每個所述異質懸臂梁位於所述基底之上，每個所述異質懸臂梁的固定端與所述基底相連，自由端懸空在所述檢測窗口之上；單壁碳納米管薄膜，所述單壁碳納米管薄膜橋接於所述兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間，其中，所述異質懸臂梁包括第一材料層和位於所述第一材料層之上的第二材料層，所述第一材料層與所述第二材料層的熱膨脹係數不相同。
[0006]本發明實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器受到紅外線照時，內部的雙懸臂梁受熱膨脹變形從而對單壁碳納米管薄膜產生應力進而導致薄膜電阻值變化，同時單壁碳納米管薄膜自身因為升溫而影響薄膜電阻值，在這雙重作用下，單壁碳納米管薄膜的電阻值變化非常明顯，這意味著該實施例的雙懸臂梁紅外探測器具有很高的靈敏度。該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器還具有結構簡單等優點。
[0007]有鑑於此，本發明第二方面提出了一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，可以包括以下步驟:提供基底；在所述基底之上依次形成第一材料層和第二材料層，所述第一材料層與所述第二材料層的熱膨脹係數不相同；在所述第一材料層和第二材料層中形成開口，所述開口貫穿所述第一材料層底表面和所述第二材料層頂表面；對所述基底進行背面刻蝕，所述進行背面刻蝕的位置與所述開口對應，以使所述基底中形成貫穿所述基底頂表面和底表面的檢測窗口，並使所述開口附近的所述第一材料層和第二材料層形成兩個異質懸臂梁的自由端；形成單壁碳納米管薄膜，所述單壁碳納米管薄膜橋接於所述兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間。
[0008]本發明實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法製得的紅外探測器受到紅外線照時，內部的雙懸臂梁受熱膨脹變形從而對單壁碳納米管薄膜產生應力進而導致薄膜電阻值變化，同時單壁碳納米管薄膜自身因為升溫而影響薄膜電阻值，在這雙重作用下，單壁碳納米管薄膜的電阻溫度係數變化非常明顯，這意味著該實施例的雙懸臂梁紅外探測器具有很高的靈敏度。該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法還具有工藝簡單、與現有MEMS工藝兼容等優點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是本發明一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的示意圖。
[0010]圖2是本發明另一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的示意圖。
[0011]圖3是本發明一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法的流程圖。
[0012]圖4是本發明另一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法的流程圖。
[0013]圖5a-圖5f是本發明一個具體實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法的過程示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
[0015]本發明第一方面提出了一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器。
[0016]圖1是本發明一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的示意圖。如圖1所示，包括:基底10、兩個異質懸臂梁2和單壁碳納米管薄膜3。基底10中形成有貫穿基底10的頂表面和底表面的檢測窗口 W。每個異質懸臂梁2位於基底10之上，每個異質懸臂梁2的固定端與基底10相連，自由端懸空在檢測窗口 W位置。單壁碳納米管薄膜3橋接於兩個異質複合懸臂梁2的兩個自由端之間，其中，異質懸臂梁2包括第一材料層21和位於第一材料層21之上的第二材料層22，第一材料層21與第二材料層22的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion, CTE)不相同。
[0017]該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的工作原理為:將探測器置於待檢測環境中，環境中的紅外線通過檢測窗口 W照射到兩個異質懸臂梁2的自由端以及單壁碳納米管薄膜3上。由於異質懸臂梁2由熱膨脹係數不匹配的第一材料層21與第二材料層22組成，因此在紅外線的熱效應下，第一材料層21與第二材料層22的伸長量不相同，異質懸臂梁2發生彎曲變形，然後兩個異質懸臂梁2牽引單壁碳納米管薄膜3 —同產生形變對單壁碳納米管薄膜產生應力，使得單壁碳納米管薄膜3的電阻值發生變化。同時，單壁碳納米管薄膜3本身就具有很高的電阻溫度係數(temperature coefficient ofresistance, TCR)。在形變產生的應力影響和溫度影響的雙重作用疊加效應下,單壁碳納米管薄膜的電阻值變化非常明顯，這意味著該實施例的雙懸臂梁紅外探測器具有很高的靈敏度。該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器還具有結構簡單的優點。
[0018]圖2是本發明另一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的示意圖。如圖2所示，該實施例的雙懸臂梁紅外探測器還包括鈍化層11。鈍化層11位於基底10與兩個異質懸臂梁2之間，以及位於基底10下表面。鈍化層11可以對基底10起到絕緣保護作用。
[0019]為了使紅外線更好地匯聚到紅外探測器中的兩個異質懸臂梁2的自由端以及單壁碳納米管薄膜3上，檢測窗口 W可以設計成頂部面積小於底部面積的形狀，例如上小下大的錐臺形狀或者稜台形狀，如圖2中的檢測窗口 W所示。
[0020]為了使兩個異質懸臂梁2受熱膨脹時產生明顯的撓曲變形，優選第一材料層21和第二材料層22的熱膨脹係數有顯著差異。例如:可以選擇第一材料層21為SiNx紅外吸收層，第二材料層22為Al金屬層。需要說明的是，也可以選擇其他熱膨脹係數小的紅外吸收層和熱膨脹係數大的金屬層。
[0021]為了獲得較好的薄膜質量，單壁碳納米管薄膜3可以是通過雙向電泳法製備的。雙向電泳法製備單壁碳納米管薄膜採用的設備簡單，成本低，成膜快，適宜於大規模製膜，製得的薄膜厚度均勻，電泳沉積時的料液可循環使用，無酸鹼汙染物排出，制膜過程具有綠色環保的優點。
[0022]本發明第二方面提出了一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法。
[0023]圖3是本發明一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法的流程圖。如圖3所示，該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法包括以下步驟:
[0024]S31.提供基底。
[0025]S32.在基底之上依次形成第一材料層和第二材料層，第一材料層與第二材料層的熱膨脹係數不相同。
[0026]需要說明的是，第一材料層21和第二材料層11的面積小於基底面積，具體尺寸由懸臂梁的設計尺寸決定。
[0027]S33.在第一材料層和第二材料層中形成開口，開口貫穿第一材料層底表面和第二材料層頂表面。
[0028]需要說明的是，該開口的形成過程可以為一次形成(即先形成第一材料層和第二材料層之後一次性加工形成貫穿這兩層的開口)，也可以為二次形成(即形成第一材料層後立即在第一材料層中開口，然後形成第二材料層後再在第二材料層中繼續開口)。具體工藝取決於第一材料層和第二材料層的材料特性。
[0029]S34.對基底進行背面刻蝕，進行背面刻蝕的位置與開口對應，以使基底中形成貫穿基底頂表面和底表面的檢測窗口，並使開口附近的第一材料層和第二材料層形成兩個異質懸臂梁的自由端。
[0030]S35.形成單壁碳納米管薄膜，單壁碳納米管薄膜橋接於兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間。
[0031]本發明實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法製得的紅外探測器受到紅外線照時，內部的雙懸臂梁受熱膨脹變形從而對單壁碳納米管薄膜變產生盈利而導致薄膜電阻值變化，同時單壁碳納米管薄膜自身因為升溫而影響薄膜電阻值，在這雙重作用下，單壁碳納米管薄膜的電阻溫度係數值變化非常明顯，這意味著該實施例的雙懸臂梁紅外探測器具有很高的靈敏度。該實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法還具有工藝簡單、與現有MEMS工藝兼容等優點。
[0032]圖4是本發明另一個實施例的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法的流程圖。如圖4所示，該實施例的形成方法中還包括步驟:在形成第一材料層和第二材料層之前，在基底表面形成鈍化層。鈍化層可以對基底起到絕緣保護作用。
[0033]為了使紅外線更好地匯聚到紅外探測器中的兩個異質懸臂梁的自由端以及單壁碳納米管薄膜上，檢測窗口可以加工成頂部面積小於底部面積的形狀，例如上小下大的錐臺形狀或者稜台形狀。
[0034]為了使兩個異質懸臂梁受熱膨脹時產生明顯的撓曲變形，優選第一材料層和第二材料層的熱膨脹係數有顯著差異。例如，可以選擇第一材料層為SiNx紅外吸收層，第二材料層為Al金屬層。需要說明的是，也可以選擇其他熱膨脹係數小的紅外吸收層和熱膨脹係數大的金屬層。
[0035]為了獲得較好的薄膜質量，可以通過雙向電泳法製備單壁碳納米管薄膜。雙向電泳法製備單壁碳納米管薄膜採用的設備簡單，成本低，成膜快，適宜於大規模製膜，製得的薄膜厚度均勻，電泳沉積時的料液可循環使用，無酸鹼汙染物排出，制膜過程具有綠色環保的優點。
[0036]為使本領域技術人員更好地理解本發明的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器及其形成方法，發明人結合圖5a_圖5f詳細解釋一個具體實施例如下:
[0037]如圖5a所示，選擇單晶矽材料的基底10，將其清洗、乾燥後備用。
[0038]如圖5b所示，對基底10進行熱氧化，以形成二氧化矽的鈍化層11。例如，可以在110CTC下米用低壓化學氣相沉積(low-pressure chemical vapor deposit1n, LPCVD)形成鈍化層11，鈍化層11的厚度約500nm。
[0039]如圖5c所示，在基底10頂部的鈍化層11之上依次形成長約120 μ m、寬約40 μ m的第一材料層21和第二材料層22。其中，第一材料層21的材料為SiNx,可以通過化學氣相沉積(chemical vapor deposit1n, CVD)形成,厚度大約500nm。第二材料層22的材料為Al,可以通過電子束蒸發沉積(electron beam evaporator deposit1n)形成,厚度大約200nmo
[0040]如圖5d所示，在第一材料層21和第二材料層22的中央位置開口。由於二者材料性質差異較大，故無法一次開口，而需要分兩次進行。例如，首先採用反應離子刻蝕(Reactive 1n Etching, RIE)工藝刻蝕掉Al以形成第二材料層22中的開口，刻蝕氣體可以採用為Cl2與BCl3的混合氣體。隨後利用SF6和He的混合氣體作為刻蝕氣體進行深度反應離子刻蝕(Deep Reactive 1n Etching,DRIE)形成第一材料層21中的開口。需要說明的是，第一材料層21中的開口面積和第二材料層22中的開口寬度可以相等，也可以第一材料層21中的開口寬度略小於第二材料層22中的開口寬度。開口寬度決定了後續雙電泳製備單壁碳納米管薄膜過程中電泳電極的距離。在本實施例中，開口寬度取值為15μπι。
[0041]如圖5e所示，在基底10的底部從背面進行刻蝕，形成檢測窗口 W。具體地，可以先通過平面印刷技術在基底10底部的鈍化層11上加工出的刻蝕圖形，該刻蝕圖形的位置與前面步驟加工形成的開口位置相對應。然後通過DRIE工藝去除掉刻蝕圖形區域處的二氧化矽，此時基底10底部的局部區域未被鈍化層11覆蓋而暴露出來。然後利用四甲基氫氧化銨(Tetramethylammonium Hydroxide, TMAH)溶液中對基底10的暴露區域進行溼化學腐蝕以去除矽材料。由於溼化學腐蝕具有各向同性的特點，因此容易得到底部面積大於頂部面積的刻蝕坑洞(該刻蝕坑洞即檢測窗口的前身)。隨後繼續DRIE工藝去除掉基底10頂部的鈍化層11的局部部分，可以得到了貫穿基底10的頂表面和底表面的檢測窗口 W，同時開口附近的第一材料層21和第二材料層22也變成兩個異質懸臂梁2的自由端。
[0042]如圖5f所示，兩個異質複合懸臂梁2的兩個自由端之間通過雙電泳法製備出單壁碳納米管薄膜3，該單壁碳納米管薄膜3橋接兩個自由端。具體地，
[0043]首先將Img單壁碳納米管(SWNTs)粉末加入到10ml質量百分數為I %的十二燒基硫酸鈉(sodium dodecyl sulfate, SDS)溶液中，並超聲2_3小時進行震蕩分散,然後12000rpm轉速下離心1min以撇去未分散的SWNTs，留取上層懸浮液待用。將開口兩端的兩個鋁層作為電泳的兩個電極，並在它們之間加載頻率為1MHz、振幅為10Vp-p的直流電場。將前面製備的懸浮液滴入兩個招電極之間時，懸浮液中的SWNTs由於具有雙電泳(dielectrophoresis, DEP)的特性,而在電場力的作用下向兩邊的電極運動。最終懸浮液中的部分SWNTs運動到兩端電極附近、部分SWNTs仍保留在兩個電極之間，即形成了一個鋪展的彎月形水膜(water meniscus)。所收集的單壁碳納米管是由表面張力和壓縮附著在鋁尖。得到單壁碳納米管薄膜3，厚度約為15 μ m。了一個基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器。
[0044]對上述過程製得的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器進在20°C到80°C範圍內進行測試。測試結果表明SiNx/Al異質懸臂梁吸收紅外輻射撓曲後受紅外輻射和應力影響雙重疊加作用下，單壁碳納米管薄膜的電阻溫度係數(temperature coefficient ofresistance，TCR)為2.38% K' TCR是指溫度上升I°C時電阻值的變化率。而在同樣環境下，無SiNx吸收層、單獨在紅外輻射影響下，單壁碳納米管薄膜的電阻溫度係數為1.85%K'由此可見，本發明的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器靈敏度更高。
[0045]在本發明的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「縱向」、「橫向」、「長度」、「寬度」、「厚度」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」 「內」、「外」、「順時針」、「逆時針」、「軸向」、「徑向」、「周向」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
[0046]此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有「第一」、「第二」的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特徵。在本發明的描述中，「多個」的含義是至少兩個，例如兩個，三個等，除非另有明確具體的限定。
[0047]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語「安裝」、「相連」、「連接」、「固定」等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係，除非另有明確的限定。對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
[0048]在本發明中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵「上」或「下」可以是第一和第二特徵直接接觸，或第一和第二特徵通過中間媒介間接接觸。而且，第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」可是第一特徵在第二特徵正上方或斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」可以是第一特徵在第二特徵正下方或斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
[0049]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用於實現特定邏輯功能或過程的步驟的可執行指令的代碼的模塊、片段或部分，並且本發明的優選實施方式的範圍包括另外的實現，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執行功能，這應被本發明的實施例所屬【技術領域】的技術人員所理解。
[0050]在本說明書的描述中，參考術語「一個實施例」、「一些實施例」、「示例」、「具體示例」、或「一些示例」等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不必須針對的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領域的技術人員可以將本說明書中描述的不同實施例或示例以及不同實施例或示例的特徵進行結合和組合。
[0051]儘管上面已經示出和描述了本發明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發明的限制，本領域的普通技術人員在本發明的範圍內可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【權利要求】
1.一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，其特徵在於，包括: 基底，所述基底中形成有貫穿所述基底頂表面和底表面的檢測窗口； 兩個異質懸臂梁，每個所述異質懸臂梁位於所述基底之上，每個所述異質懸臂梁的固定端與所述基底相連，自由端懸空在所述檢測窗口之上； 單壁碳納米管薄膜，所述單壁碳納米管薄膜橋接於所述兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間， 其中，所述異質懸臂梁包括第一材料層和位於所述第一材料層之上的第二材料層，所述第一材料層與所述第二材料層的熱膨脹係數不相同。
2.根據權利要求1所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，其特徵在於，所述檢測窗口的頂部面積小於底部面積。
3.根據權利要求1所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，其特徵在於，所述第一材料層為SiNx，所述第二材料層為Al。
4.根據權利要求1所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，其特徵在於，所述單壁碳納米管薄膜是通過雙向電泳法製備的。
5.根據權利要求1所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器，其特徵在於，還包括: 鈍化層，所述鈍化層位於所述基底與所述兩個異質懸臂梁之間，以及位於所述基底下表面。
6.一種基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，其特徵在於，包括以下步驟: 提供基底； 在所述基底之上依次形成第一材料層和第二材料層，所述第一材料層與所述第二材料層的熱膨脹係數不相同； 在所述第一材料層和第二材料層中形成開口，所述開口貫穿所述第一材料層底表面和所述第二材料層頂表面； 對所述基底進行背面刻蝕，所述進行背面刻蝕的位置與所述開口對應，以使所述基底中形成貫穿所述基底頂表面和底表面的檢測窗口，並使所述開口附近的所述第一材料層和第二材料層形成兩個異質懸臂梁的自由端； 形成單壁碳納米管薄膜，所述單壁碳納米管薄膜橋接於所述兩個異質複合懸臂梁的兩個自由端之間。
7.根據權利要求6所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，其特徵在於，所述檢測窗口的頂部面積小於底部面積。
8.根據權利要求6所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，其特徵在於，所述第一材料層為SiNx，所述第二材料層為Al。
9.根據權利要求6所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，其特徵在於，通過雙向電泳法製備所述單壁碳納米管薄膜。
10.根據權利要求6所述的基於單壁碳納米管的雙懸臂梁紅外探測器的形成方法，其特徵在於，還包括: 在形成第一材料層和第二材料層之前，在所述基底表面形成鈍化層。
【文檔編號】G01J5/20GK104071742SQ201410262035
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年6月12日 優先權日:2014年6月12日
【發明者】汪飛, 張紹達 申請人:南方科技大學