高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法
2023-05-17 07:29:51 7
專利名稱：高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法
技術領域：
本發明涉及高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法，尤其涉及適於記錄再現微小標記的高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法。
背景技術：
向光磁碟記錄信息的方法主要有光調製方式和磁場調製方式兩種。
光調製方式是指根據記錄的信息來調製雷射的照射量的方式。在該方式中，由光學系統的特性決定了可記錄的最小標記的大小。
另一方面，在磁場調製方式中，通過照射恆定值的雷射，並翻轉磁場來記錄信息。但是，由於翻轉磁場需要有限的翻轉時間，因此若調製磁場的頻率變高，則根據磁場翻轉所形成的邊緣區域將變得不確定。因此，在再現具有這樣高頻率的被記錄的信號時，存在再現信號的跳動增加的問題。為解決這個問題，提出了將雷射以脈衝狀進行照射的方式。
當向記錄面照射雷射時，記錄面的溫度升高，而且在該溫度超過居裡點時，存在於記錄面上的磁化將消失。然後，停止照射雷射，在記錄面的溫度下降到低於居裡點時，隨著記錄面上的磁化方向形成記錄標記。
因此，若照射脈衝狀的雷射來進行磁場調製記錄，則上述磁化的翻轉時間並不影響記錄磁化的形成，從而能夠僅根據照射雷射脈衝的時刻來決定記錄磁化。由此，可減少再現信號的跳動。從而，磁場調製方式更適於微小標記的記錄。
另一方面，在再現已記錄的信息時，可檢測出的記錄標記的最小尺寸，一般由讀取雷射的波長和開口數NA的光學系統的參數來決定。被聚焦的雷射的光斑尺寸與雷射波長成正比，且與NA成反比。因此，雷射波長越短，並且NA越大，被聚焦的雷射的光斑尺寸就越小，所以能夠讀取更小的已記錄標記。
而且，為了再現已記錄的微小標記，還存在如下方法，該方法通過與上述再現裝置的技術有所不同的被稱為MSR(磁致超解像方式)、DWDD(磁疇壁移動檢測方式)、以及MAMMOS(磁疇放大再生方式)的介質技術，可檢測出由再現光學系統的參數所決定的界限以下的小尺寸的標記。
從而，如上所述，使用磁場調製方式進行記錄，並使用短波長雷射及高NA的光學系統或者使用DWDD等介質技術，可實現高密度光磁記錄再現。
如上所述，磁場調製方式與光調製方式不同，其是可以不根據記錄模式而使標記的邊緣位置最優化的方式。但是，當被記錄的標記長度是微小的記錄標記時，即使使用上述磁場調製方式也存在所記錄的標記的邊緣位置發生變動的問題。其原因如下。
圖1是根據現有技術的磁場調製方式進行信息記錄的示意圖。圖1(A)表示雷射束光斑101入射到光碟上時的光碟的溫度分布102，Tc表示居裡溫度。此外，箭頭103表示將入射的雷射束101作為基準時，光碟上的記錄軌道的前進方向。圖1(B)和(C)表示記錄於光碟上的軌道的記錄層104上的標記。在圖1(B)中，參考標號110表示目前正要記錄的標記，並且參考標號111表示在標記110之前已記錄的標記，參考標號112表示在標記111之前已記錄的標記。此外，箭頭105表示記錄標記110的記錄磁場的方向。在圖1(C)中，參考標號120表示目前正要記錄的標記，並且參考標號121表示在標記120之前記錄的標記，參考標號122表示在標記121之前記錄的標記。此外，箭頭105表示記錄標記110的記錄磁場的方向。圖1(D)表示記錄磁場105從前面已記錄的標記111或者121的記錄磁場向目前正記錄的標記110或者120的記錄磁場的轉換。此外，圖1(E)表示使得在磁場調製方式中使用的雷射發光的脈衝130。在圖1(E)中，脈衝130為高電平時使雷射發光。
在磁場調製方式中，前面已記錄的標記的退磁磁場比目前正記錄的標記的磁場對目前正記錄的標記影響更大。例如，如圖1(B)所示，當在目前正記錄的標記110緊前面已記錄的標記是短標記111時，該短標記111和其前面的標記112雙方的退磁磁場影響目前正記錄的標記110。具體地說，標記111的退磁磁場113和標記112的退磁磁場114被疊加在記錄磁場105上。但是，當標記111較短時，由於標記111的退磁磁場113和標記112的退磁磁場114的大小相近，所以所述兩個磁場將相互抵消，從而，在如圖1(D)所示的，記錄磁場105發生變化的點上通過磁場105形成標記110。即，從標記111向標記110的變化點接近磁場105的變化點。
與此相對，如圖1(C)所示，當位於目前正記錄的標記120緊前面的標記121為長標記時，只有緊前面的標記121的退磁磁場123影響目前正記錄的標記120的形成，標記122的退磁磁場124不影響目前正記錄的標記120的形成。因此，在這種情況下，緊前面的標記121的退磁磁場123被加到為形成標記120而施加的記錄磁場105上，從而實質上增加了記錄磁場。因此，如圖1(C)所示，當位於目前正記錄的標記120緊前面的標記121是長標記時，將在圖1(D)的記錄介質105的轉換點之前形成目前正記錄的標記120。即，存在如下問題根據位於目前正記錄的標記緊前面的標記是短標記還是長標記，目前正記錄的標記的邊緣位置會發生變化。
發明內容
本發明的目的是提供一種解決了上述現有技術的問題的高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法。
本發明的目的是提供一種能夠使得從記錄介質再現的標記的邊緣位置不發生變化地向記錄介質記錄標記的高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法。
此外，本發明的另一目的是提供一種從記錄介質再現標記時能夠補償標記的邊緣位置的變化的高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法。
為了達到所述目的，向光磁記錄介質記錄信息標記或者再現該信息標記的光磁記錄再現裝置包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記緊前面的已記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場強度的單元。
由此，由於再現的標記的邊緣位置不發生變化，因此能夠向記錄介質高密度地記錄數據。
附圖的簡單說明若參照所附的附圖來閱讀以下的詳細說明的話，將能夠更加清楚地了解本發明的其他目的、特徵以及優點。
圖1是根據現有技術的磁場調製方式的信息記錄的示意圖；圖2是本發明第一實施例的示意圖；圖3是本發明第二實施例的示意圖；圖4是本發明第二實施例的示意圖；圖5是本發明第三實施例的示意圖；圖6是本發明第四實施例的示意圖；圖7是本發明第五實施例的示意圖；圖8是本發明第六實施例的示意圖；圖9是本發明第七實施例的信號格式的示意圖；圖10是本發明第七實施例的相位檢測模式的再現信號時序示意圖；圖11是本發明第七實施例的簡要結構示意圖。
具體實施例方式
下面，利用
用於實施本發明的實施方式。
圖2示出了本發明第一實施例。在第一實施例中，在將標記記錄到記錄介質上時，通過對要記錄的標記進行校正來使再現的標記的位置保持在規定位置上。特別是，圖2示出了在目前正記錄的標記120緊前面已記錄了長標記121的情況下，使用對正記錄的標記進行校正的方法的例子。圖2(A)示出了在向光碟入射雷射束斑點時的光碟的溫度分布102，Tc表示居裡溫度。此外，箭頭103表示將入射的雷射束作為基準時，光碟上的記錄軌道的前進方向。圖2(B)示出了被記錄在光碟上的軌道記錄層104上的標記。參考標號120表示目前正記錄的標記，並且參考標號121表示在標記120之前記錄的標記，標記121為長標記。此外，箭頭105表示記錄標記120的記錄磁場。此外，圖2(C)的參考標號105表示記錄磁場105從前面已記錄的標記121的記錄磁場向目前正記錄的標記120的記錄磁場的轉換。當在緊前面記錄的標記為短標記時，假設記錄磁場的強度為-M、+M。此外，圖2(C)的參考標號130表示脈衝130，該脈衝130使得在磁場調製方式中使用的雷射發光，並且在脈衝130為高電平時雷射發光。當在緊前面記錄的標記為短標記時，將使雷射發光的脈衝130的強度設定為A。此外，從圖2(A)延伸到圖2(F)的虛線201表示在標記121為短標記時，記錄磁場105的轉換以及使雷射發光的脈衝130的發光時刻。
圖2(C)示出了記錄標記120時的校正的例子。圖2(C)是控制記錄介質105的振幅的方法。在圖2(C)中，將記錄磁場105從用於記錄長標記121的記錄磁場-M向用於記錄標記120的記錄磁場+M轉換的時刻與緊前面記錄的標記為短記錄的時候保持相同時刻。但是，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，使記錄標記120的磁場的強度下降並僅下降預定值m，從而使所述強度成為(M-m)。
另一方面，關於使雷射發光的脈衝130，其發光時刻與在緊前面記錄的標記為短標記時的發光時刻相同，且強度也和記錄短標記時的強度A相同。
圖2(D)示出了記錄標記120時的校正的其他實施例。圖2(D)是控制記錄介質105的變化時刻的方法。在圖2(D)中，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使記錄磁場105從用於記錄長標記121的記錄磁場-M向用於記錄標記120的記錄磁場+M變化的時刻延遲並僅延遲了t1時間。但是，不改變記錄標記120的磁場的強度，而使其保持+M。
另一方面，關於使雷射發光的脈衝130，其發光時刻與在緊前面記錄的標記為短標記時的發光時刻相同，且強度也和在緊前面記錄的標記為短標記時的強度A相同。
圖2(E)示出了記錄標記120時的校正的其他實施例。圖2(E)是控制使雷射發光的脈衝130的振幅的方法。在圖2(E)中，將使雷射發光的脈衝130的發光時刻保持在與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同的時刻上。但是，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使雷射發光的脈衝130的強度減小並僅減小預定值a，從而使其為(A-a)。
另一方面，關於記錄磁場105，其轉換時刻與在緊前面記錄的標記為短標記時的轉換時刻相同，且振幅也和在緊前面記錄的標記為短標記時的振幅-M、+M相同。
圖2(F)示出了記錄標記120時的校正的其他實施例。圖2(F)是控制使雷射發光的脈衝130的發光時刻的方法。在圖2(F)中，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使雷射發光的脈衝130的發光時刻延遲並僅延遲t2時間。但是，將使雷射發光的脈衝130的強度保持在與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同的值A上。
另一方面，關於記錄磁場105，其轉換時刻與在緊前面記錄的標記為短標記時的轉換時刻相同，且振幅也和在緊前面記錄的標記為短標記時的振幅-M、+M相同。
通過如上所述，在緊前面記錄的標記121為長標記的情況下，可在記錄時進行校正，使得在再現接下來記錄的標記120時被再現的標記的邊緣位置不發生變化。
此外，上述的實施例這樣構成即，將緊前面記錄的標記為短標記的情況作為基準，在緊前面記錄的標記為長標記的時候，控制被記錄的標記的記錄磁場105或者使雷射發光的脈衝130。但是，也可以如下構成即，將緊前面記錄的標記為長標記的場合作為基準，在緊前面記錄的標記為短標記的時候，與上述的實施例相反地控制被記錄的標記的記錄磁場105或者使雷射發光的脈衝130，根據這樣的構成，也同樣能夠在記錄時進行校正，以使被再現的標記的邊緣位置不發生變化。
此外，在上述的實施例中，雖然只將在緊前面記錄的標記的長度作為基準，但是通過組合其再前面的標記的長度，能夠更加精確地進行控制。
此外，雖然將緊前面的標記的長度劃為兩級，但也可以將其劃為其他級。
此外，也可以將最佳校正量m、t1、a、t2固定存儲在高密度光磁記錄再現裝置內，並根據在該模式的緊前面記錄的模式來讀取並使用。此外，為了更加精確地進行控制，也可以在記錄介質的文本區域中記錄文本模式，並從中讀取這些文本模式來進行確定。由此，可針對每個記錄介質更加精確地確定最佳校正量m、t1、a、t2。
接下來，利用圖3和圖4來說明本發明的第二實施例。圖3示出了本發明的高密度光磁記錄再現裝置的簡要框圖。本發明的高密度光磁記錄再現裝置主要由記錄系統310、磁頭311、光頭312以及再現系統320構成。在進行記錄時，向記錄系統310輸入要記錄的用戶數據301。記錄系統310將輸入進來的用戶數據301處理成記錄信號並輸出給磁頭311和光頭312。磁頭311和光頭312向光磁記錄介質313記錄由記錄系統310處理的信號。在進行再現時，由光頭312讀出記錄於光碟中的信號。通過光頭讀出的MO信號314和時鐘標記315被送給再現系統320進行再現信號處理，並輸出用戶數據321。
圖4是本發明第二實施例的示意圖，該圖與上述圖3所示的記錄系統310相對應。在圖4中標註了與圖3相同標號的結構單元表示相同的結構單元。本實施例示出了如下記錄部分的實施例，該記錄部分如在上述第一實施例中所說明的那樣，用於在向記錄介質記錄標記時，對要記錄的標記進行校正。圖4所示的記錄系統主要由調製電路401和記錄補償電路400構成。記錄補償電路400主要由標記長度檢測器402、記錄控制電路403、磁頭驅動電路404以及雷射驅動電路構成。
將用戶數據301輸入到調製電路401中來進行記錄調製。標記長度檢測器402檢測通過調製電路401調製的用戶數據的標記長度。在本實施例中，當通過標記長度檢測電路402所檢測出的標記長度具有預定的閾值以上的長度時，向記錄控制電路送出表示檢測出了長標記的信號。若從標記長度檢測電路402輸入了表示檢測出了長標記的信號，則在記錄所述長標記的下一個標記時，記錄控制電路403進行在第一實施例中由圖2(C)至圖2(F)示出的對記錄磁場或者使雷射發光的脈衝的振幅或者延遲時間的控制。而且，記錄控制電路403在進行了第一實施例的圖2(C)至圖2(F)所示的控制之後，分別向磁頭控制電路404和雷射驅動電路405提供驅動信號。磁頭控制電路404和雷射驅動電路405通過被提供的驅動信號來驅動磁頭311和光頭312，從而向光磁記錄介質313記錄信號。
如上所述，根據本發明，通過檢測長標記並對其後的記錄標記進行校正，可對光磁記錄介質313進行記錄。
接下來，利用圖5至圖8來說明記錄補償電路400的實施例。在圖5至圖8中，標註了與圖4相同標號的結構單元表示相同的結構單元。
圖5是本發明第三實施例的示意圖，該圖示出了記錄補償電路400的一個實施例，在該實施例中執行與圖2(C)相對應的操作。
圖5所示的記錄補償電路400主要由標記長度檢測器402、磁場強度設定部分501、磁頭驅動電路404、雷射驅動電路405以及時鐘生成器502構成。由圖4的調製電路401輸出的記錄數據411被提供給長度檢測器402和磁場強度設定電路501中。此外，由時鐘生成電路502生成的時鐘503被提供給磁場強度設定電路501和雷射驅動電路405中。磁場強度設定電路501和雷射驅動電路405以所提供的時鐘503為基準進行操作。
若由標記長度檢測電路402檢測出了具有預定長度以上的標記長度的長標記，則檢測信號504被提供給磁場強度設定電路501中。若磁場強度設定電路501接收到檢測信號504，則在記錄下一個標記時，使記錄磁場從用於記錄長標記的記錄磁場-M向用於記錄所述標記的記錄磁場+M變化的時刻保持在與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同的時刻上。但是，為磁頭驅動電路404設定磁場強度，使得與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，使記錄標記的磁場的強度下降並僅下降預定值m，從而使所述強度成為(M-m)。磁頭驅動電路404驅動磁頭311從而產生具有對應此設定值的磁場強度(M-m)的磁場。
與此相對，由於向雷射驅動電路405隻提供時鐘503，因此與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同，光頭通過雷射驅動電路405驅動。
接下來，圖6是本發明第四實施例的示意圖，該圖示出了記錄補償電路400的一個實施例，在該實施例中執行與圖2(D)相對應的操作。
圖6所示的記錄補償電路400主要由標記長度檢測器402、磁場翻轉位置調節部分601、磁頭驅動電路404、雷射驅動電路405以及時鐘生成器502構成。從圖4的調製電路401輸出的記錄數據411被提供給標記長度檢測器402和磁場翻轉位置調節部分601中。此外，由時鐘生成器502生成的時鐘503被提供給磁場翻轉位置調節部分601和雷射驅動電路405中。磁場翻轉位置調節部分601和雷射驅動電路405以所提供的時鐘503為基準進行操作。
若由標記長度檢測電路402檢測出了具有預定長度以上的標記長度的長標記，則檢測信號504被提供給磁場翻轉位置調節部分601。若磁場翻轉位置調節部分601接收到檢測信號504，則在記錄下一個標記時，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使記錄磁場從用於記錄長標記的記錄磁場-M向用於記錄所述標記的記錄磁場+M變化的時刻延遲並僅延遲t1時間。但是，不改變記錄標記的磁場的強度，使其保持+M。
與此相對，由於向雷射驅動電路405隻提供時鐘503，因此與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同，光頭通過雷射驅動電路405驅動。
接下來，圖7是本發明第五實施例的示意圖，該圖示出了記錄補償電路400的一個實施例，在該實施例中執行與圖2(E)相對應的操作。
圖7所示的記錄補償電路400主要由標記長度檢測器402、發光功率設定部分701、磁頭驅動電路404、雷射驅動電路405以及時鐘生成器502構成。從圖4的調製電路401輸出的記錄數據411被提供給標記長度檢測器402和磁頭驅動電路404。此外，由時鐘生成器502生成的時鐘503被提供給發光功率設定部分701和磁頭驅動電路404中。發光功率設定部分701和磁頭驅動電路404以所提供的時鐘503為基準進行操作。
若由標記長度檢測電路402檢測出了具有預定長度以上的標記長度的長標記，則檢測信號504被提供給發光功率設定部分701中。若發光功率設定部分701接收到檢測信號504，則在記錄下一個標記時，將使雷射發光的脈衝的發光時刻保持在與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同的時刻上。但是，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使雷射發光的脈衝的振幅減小並僅減小預定值a，從而使所述振幅為(A-a)。
與此相對，由於向磁頭驅動電路404提供時鐘503和記錄數據411，因此與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同，磁頭通過磁頭驅動電路404驅動，從而生成基於記錄數據的磁場。
接下來，圖8是本發明第六實施例的示意圖，該圖示出了記錄補償電路400的一個實施例，在該實施例中執行與圖2(F)相對應的操作。
圖8所示的記錄補償電路400主要由標記長度檢測器402、脈衝位置調節部分801、磁頭驅動電路404、雷射驅動電路405以及時鐘生成器502構成。從圖4的調製電路401輸出的記錄數據411被提供給標記長度檢測器402和磁頭驅動電路404。此外，由時鐘生成器502生成的時鐘503被提供給脈衝位置調節部分801和磁頭驅動電路404中。脈衝位置調節部分801和磁頭驅動電路404以所提供的時鐘503為基準進行操作。
若由標記長度檢測電路402檢測出了具有預定長度以上的標記長度的長標記，則檢測信號504被提供給脈衝位置調節部分801中。若脈衝位置調節部分801接收到檢測信號504，則在記錄下一個標記時，與緊前面記錄的標記為短標記的時候相比，將使雷射發光的脈衝的發光時刻延遲並僅延遲t2時間。但是，使雷射發光的脈衝的振幅與緊前面記錄的標記為短標記的時候保持相同。
與此相對，由於向磁頭驅動電路404提供時鐘503和記錄數據411，因此與緊前面記錄的標記為短標記的時候相同，磁頭通過磁頭驅動電路404驅動，從而生成基於記錄數據的磁場。
如在上述的實施例中所說明的那樣，可提供一種高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法，根據該裝置及方法，能夠使得從記錄介質再現的標記的邊緣位置不發生變化地向記錄介質記錄標記。
下面，利用圖9至圖11來說明本發明的第七實施例。在第七實施例中，從記錄介質再現標記時進行校正，以使再現的標記的邊緣位於規定位置上。
圖9示出了適應本發明的信號格式的一個實施例，所述信號格式中，為了在從記錄介質再現標記時，進行使得再現的標記的邊緣位於規定位置的校正而記錄位置檢測模式。本信號格式由配置有ID信號的預製凹坑區域901和MO記錄區域902構成。MO記錄區域902還包括適應本發明的配置有相位檢測模式的相位檢測模式部分903和用戶數據部分904。
圖10是配置於相位檢測模式部分903中的相位檢測模式的再現信號時序示意圖。圖10(A)示出了從相位檢測模式部分903再現的相位檢測模式。例如，如本實施例所示，相位檢測模式由作為最短模式的2T信號的重複(模式P1、P2、P3)和作為最長模式的8T信號的重複(模式P4、P5、P6)構成。圖10(B)示出了用於檢測相位檢測模式的時鐘信號。
圖11是適應本發明的再現系統的一個實施例的簡要結構示意圖。再現系統與圖3的再現系統320相對應。圖11所示的再現系統主要由放大器1101、波形均衡器1102、模/數轉換器1103、電平檢測器1104、鎖相環(PLL)1105、延遲器1106、選擇器1107、數據檢測器1108以及解調電路1109構成。
在本實施例中，首先最初，在從記錄介質再現標記時，為了將再現的標記的邊緣補到規定的位置上，使用從圖9的相位檢測模式部分903再現的相位檢測模式，並通過選擇器1107選擇要提供給模/數轉換器1103的時鐘。下面參照圖10來說明該操作。
由光頭312向再現系統320提供的時鐘標記315被提供給圖11的PLL1105，其中所述光頭312在圖3的本發明高密度光磁記錄再現裝置的簡要框圖中示出。PLL 1105生成與時鐘標記315同步的時鐘CLK。時鐘CLK被送給延遲器1106，並從延遲器的各分接抽頭1110輸出延遲並僅延遲了預定時間的時鐘CLK。選擇器1107根據來自電平檢測器1104的輸入信號1111，從經由各分接抽頭1110輸出的時鐘CLK中選擇某一時鐘。
電平檢測器1104在被設定為初始狀態時，向選擇器1107輸出選擇預定分接抽頭，例如中心分接抽頭的信號，並且監視來自模/數轉換器1103的輸出電平。
首先最初，電平檢測器1104控制選擇器1107選擇延遲器1106的分接抽頭1110，以使作為2T的重複模式的短模式P1、P2、P3的採樣值全部為+1或者-1中的某一值，而不使它們取零值附近的中間值。由此來確定緊前面的記錄模式為短標記時的最佳時鐘相位。
在圖10(A)中，用圓圈表示的點表示在所述短標記的最佳時鐘相位狀態下，被模/數轉換器1103採樣並轉換的數字值。時鐘CLK的上沿點表示模/數轉換器1103的採樣點。
如圖10(A)所示，當在緊前面記錄的標記為2T信號時(P1、P2、P3)，可採樣與-1或者+1的期望值幾乎相等的值。但是，如圓1001所示，由於P4的模式是8T，因此下一個模式P5的前端邊緣向緊前面的模式P4的最後部分內發生邊緣偏移，從而儘管期望值為-1，但還是採樣0值。下一個模式P6的前端邊緣也同樣偏移到緊前面的模式P5的最後部分，從而儘管期望值為+1，但還是採樣0值。由此，當對模式P5和P6採樣時，就提供給模/數轉換器1103的時鐘而言，在圖10的例子中，最好提供向前偏移了半個時鐘的時鐘。通過提供這樣的時鐘，由模/數轉換器1103採樣的由圓圈1002表示的點將提前半個時鐘被模/數轉換器1103所採樣，從而能夠可靠地採樣與期望值相同的+1。
因此，電平檢測器1104在監視模/數轉換器1103的輸出的同時，控制選擇器1107來依次選擇延遲器1106的延遲少的分接抽頭，從而選擇使與圓圈1002相應的採樣點為+1的延遲量。
通過上述來確定緊前面的記錄模式為長標記時的最佳時鐘相位。
如上述確定的緊前面的記錄模式為短標記時的最佳時鐘相位和緊前面的記錄模式為長標記時的最佳時鐘相位將分別被存儲到電平檢測器1104中。
接下來，實際說明再現用戶數據904的情況。當再現用戶數據904時，由數據檢測器1108監視模/數轉換器1103的輸出。而且，當目前正再現的模式為預定長度以下的短模式時，從數據檢測器1108向電平檢測器1104發送信號，以便選擇上述存儲在電平檢測器1104之中的、緊前面的記錄模式為短標記時的最佳時鐘相位。若接收到所述信號，則電平檢測器1104選擇分接抽頭，以使選擇器1107選擇緊前面的記錄模式為短標記時的最佳時鐘相位。另一方面，當目前正再現的模式為預定長度以上的長模式時，從數據檢測器1108向電平檢測器1104發送信號，以便選擇上述存儲在電平檢測器1104之中的、緊前面的記錄模式為長標記時的最佳時鐘相位。若接收到所述信號，則電平檢測器1104選擇分接抽頭，以使選擇器1107選擇緊前面的記錄模式為長標記時的最佳時鐘相位。
這樣，不管緊前面的模式是短模式還是長模式，向模/數轉換器1103提供的時鐘都可選擇到最佳相位。這樣，被模/數轉換並被數據檢測器1108檢測出的數據被送入解調電路1109中，從而輸出檢測到的用戶數據321。
如上所述，根據本發明，即使再現的標記的邊緣位置發生變化，也能夠將採樣標記的時鐘相位調節為最佳，因此可向記錄介質高密度地記錄數據。
本發明不限於具體公開的實施例，可在不脫離本發明請求保護的範圍內考慮各種變形例和實施例。
權利要求
1.一種向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記的光磁記錄再現裝置，其利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場強度的單元。
2.一種向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記的光磁記錄再現裝置，其利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場的變化點的單元。
3.一種向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記的光磁記錄再現裝置，其利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的雷射的發光功率的單元。
4.一種向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記的光磁記錄再現裝置，其利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記以及再現該記錄標記，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的雷射的發光時刻的單元。
5.一種利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的步驟；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場強度的步驟。
6.一種利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的步驟；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場的變化點的步驟。
7.一種利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的步驟；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的雷射的發光功率的步驟。
8.一種利用雷射和磁場向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其特徵在於，包括判斷記錄信息標記的長度的步驟；以及根據在該記錄信息標記的緊前面記錄的標記的長度來改變記錄該標記的雷射的發光時刻的步驟。
9.如權利要求5所述的向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其中還包括在記錄用戶數據之前，向光磁記錄介質的預定的試驗區域記錄預定信息的步驟；基於所述被記錄的預定信息的再現結果，確定要變更的記錄磁場強度的步驟。
10.如權利要求6所述的向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其中還包括在記錄用戶數據之前，向光磁記錄介質的預定的試驗區域記錄預定信息的步驟；基於所述被記錄的預定信息的再現結果，確定要變更的記錄磁場的變化點的步驟。
11.如權利要求7所述的向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其中還包括在記錄用戶數據之前，向光磁記錄介質的預定的試驗區域記錄預定信息的步驟；基於所述被記錄的預定信息的再現結果，確定要變更的雷射的發光功率的步驟。
12.如權利要求8所述的向光磁記錄介質記錄信息標記的方法，其中還包括在記錄用戶數據之前，向光磁記錄介質的預定的試驗區域記錄預定信息的步驟；基於所述被記錄的預定信息的再現結果，確定要變更的雷射的發光時刻的步驟。
13.一種從光磁記錄介質再現信息標記的方法，其特徵在於，包括在預定的採樣時刻採樣被再現的信息標記的步驟；檢測已被採樣的所述信息標記的長度的步驟；基於已被採樣的所述信息標記的長度，改變接下來採樣的信息標記的所述採樣時刻的步驟。
14.一種光磁記錄介質，其特徵在於，在記錄用戶數據的光磁記錄區域的一部分上設置了記錄相位檢測模式的區域，所述相位檢測模式檢測信息標記的邊緣偏移。
15.如權利要求13所述的從光磁記錄介質再現信息標記的方法，其特徵在於，該方法基於記錄在如權利要求14所述的光磁記錄介質上的相位檢測模式的再現結果，來確定要改變的所述採樣時刻。
全文摘要
本發明的目的是提供一種高密度光磁記錄再現裝置及高密度光磁記錄再現方法，所述裝置和方法可以使從記錄介質再現的標記的邊緣位置不發生變化地向記錄介質記錄標記。為了達到所述目的，向光磁記錄介質記錄信息標記或者再現該信息標記的光磁記錄再現裝置包括判斷記錄信息標記的長度的單元；以及根據在該記錄信息標記之前已記錄的標記的長度來改變記錄該標記的記錄磁場強度的單元。
文檔編號G11B11/105GK1625772SQ02828929
公開日2005年6月8日 申請日期2002年7月3日 優先權日2002年7月3日
發明者板倉昭宏 申請人:富士通株式會社