缺陷區域管理方法及裝置的製作方法

2023-05-17 06:10:51

專利名稱：缺陷區域管理方法及裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及只寫一次的光學記錄介質，用於管理其中缺陷管理信息的方法和 裝置，尤其涉及用於分配臨時缺陷管理區域的方法和裝置、用於對缺陷管理分配備 用區域的方法、以及光學記錄介質，其中在諸如Blu-ray (藍射線)盤的只寫一次 類型的光學記錄介質上分配臨時缺陷管理區域和備用區域。
背景技術：
作為一類光學記錄介質，光碟可記錄大量數據並得到了廣泛的使用。當前， 諸如藍射線(Blu-my)盤的一類新穎的高密度數字多功能盤(HD-DVD)正在開發 中。該類介質可長時間地記錄並存儲高質量的視頻數據和高保真的音頻數據。Blu-ray盤是可存儲比常規DVD更多數據量的新一代光學記錄方案。Blu-ray盤一般採用波長為405納米的紫光藍雷射。該波長比常規DVD上使 用的紅色雷射短。紅色雷射的波長是650納米。Blu-ray盤厚度為1.2毫米直徑為 12釐米，並包括厚度約為0.1毫米的光線傳送層。因此，Blu-ray盤可存儲比常規 DVD更多的數據量。用於讀寫Blu-ray盤上數據的光碟裝置如圖1所示。它包括用於從光碟10中 讀寫信號的光學採集器11、用於將從光學採集器11中讀取的信號處理成重放信號， 或用於將外部輸入數據流調製並處理成適於記錄的記錄信號的視頻盤記錄儀 (VDR)系統12、以及用於編碼外部輸入的模擬信號並將已編碼的模擬信號輸出 到VDR系統12的編碼器13。Blu-ray盤可以是可改寫類型的，在此稱為Blu-my可改寫盤(BD-RE)。 BD-RE 具有可改寫功能，使得視頻和音頻數據能在其上重複寫入、擦除、並改寫。如圖2所示的BD-RE分成導入區域(UA)、數據區域和導出區域(LOA)， 且數據區域的前後都分配有內部備用區域(ISA)和外部備用區域(OSA)。使用以上述方式配置的BD-RE，圖1所示的光碟裝置的VDR系統12將外部 輸入的數據編碼並調製成適於記錄的信號，並按對應於錯誤校正塊單元的簇單元進 行記錄。如果在BD-RE上記錄數據時在數據區域中出現了缺陷區域，則根據線性 替換操作在缺陷區域上記錄的一個簇單元數據也被記錄在備用區域上(例如 BD-RE上的內部備用區域)。可執行一系列的線性替換操作。因此，即使在可改寫Blu-ray盤的數據區域中出現了缺陷區域，光碟裝置的 VDR系統12仍然將在缺陷區域上記錄的簇單元數據記錄到備用區域上。當對可改 寫Blu-ray盤執行回放操作時，讀取並重放記錄在備用區域上的數據從而可防止數 據錄製出錯。有關Blu-ray盤的各種標準正在開發中。在這方面，數據不能改寫(不可改寫的)而只能寫一次的第二類Blu-ray盤， 在此稱為只寫一次的Blu-ray盤(BD-WO)。當不需要重複改寫數據時，只寫一次 的Blu-ray盤就有用了。在BD-WO中，需要管理缺陷區域。但是由於可在BD-RE上重複記錄數據(因為BD-RE的特徵)，可改寫Blu-ray 盤的缺陷管理區域(DMA)的大小相對較小(參見圖2中的DMA1 DMA4)。相 反，由於在只寫一次Blu-ray盤上只能記錄數據一次，BD-WO中管理缺陷區域所 需的區域比只寫一次Blu-ray盤所需區域大。因此，應將足夠大的缺陷管理區域分 配給BD-WO。當應用了橫截面雙層記錄技術使得該盤一側上具有0.85 NA (透鏡數字孔徑) 的兩個記錄層時，具有足夠大的缺陷管理區域的諸如BD-WO的Blu-ray盤可存儲 比常規DVD更大量的數據。存儲容量的增長通過經透鏡到達光碟的近距離輻射射 線來獲取。Blu-ray盤一般具有高數字孔徑透鏡、增大的密度、以及0.32pm的磁跡間距。 使用Blu-ray盤技術製造的光碟能以比DVD ROM和CD ROM快得多的速度來傳 送數據。在格式化視頻和音頻數據時，當前應用於DVD的諸如MPEG2 (視頻)、 AC3、 MPEG1和層2 (音頻)的格式化方法應當用來保持與常規方法的兼容性。 有效保護數據的HD-DVD類盤(諸如BD-WO)的特徵應當是使得其數據可在大 多數當前使用的常規DVD盤上存儲並從其中進行複製。5發明內容因此，本發明涉及諸如BD-WO的只寫一次光學記錄介質、其缺陷管理信息 管理方法、以及用於實現該方法的裝置，基本上避免了因背景技術的限制和缺點而 引起的一個或多個問題。本發明的一個目的是要提供用於管理只寫一次光學記錄介質上的缺陷管理信 息的方法，以及包括缺陷管理信息的記錄區域的記錄介質。本發明的另一 目的是要提供對只寫一次Blu-ray盤的缺陷管理方法，以及包括 缺陷管理信息的記錄區域的記錄介質。本發明的其它優點、目的和特徵將在隨後的說明書中進行部分地陳述，且它 們對本領域技術人員而言在仔細閱讀隨後的內容之後將部分地變得更為顯然，或者 可從本發明的實踐中學習。本發明的目的和其它優點可通過在說明書及其權利要求 書以及附圖中特別指出的結構來實現並獲取。為了達到這些目的和其它優點並根據本發明的目的，如在此包括並廣泛描述 地，對只寫一次記錄介質的缺陷管理方法包括管理具有至少一個記錄層的只寫一次 的光學記錄介質上的缺陷的方法，該方法包括將至少一個替換區域和多個臨時缺陷 管理區域分配到光學記錄介質的步驟，其中臨時缺陷管理區域是分別提供的；並將 缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少之一上。在本發明的另一方面中，管理只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的裝置具有 至少一個記錄層，該裝置包括用於將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分 配到光學記錄介質的步驟，其中臨時缺陷管理區域被分別提供；以及用於將缺陷管 理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少之一上的裝置。在本方面的又一方面中，只寫一次的光學記錄介質包括至少一個替換區域； 以及多個分配到光學記錄介質的臨時缺陷管理區域，其中臨時缺陷管理區域被分別 提供。可以理解，本發明的前面一般描述和隨後詳細描述都是示例性和解釋性的， 並且旨在提供本發明的如權利要求聲明的進一步解釋。


參閱附圖和以下詳細說明書，本發明的其它目標和優點可得到更全面的理解，其中圖1是一般光碟裝置的示意配置；圖2示出BD-RE記錄區域的配置；圖3示出本發明BD-WO的光碟裝置的示意配置；圖4示出根據本發明一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的一個示例；圖5示出根據本發明另一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的另一示例；圖6示出根據本發明又一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的又一示例；圖7示出根據本發明一實施例的只寫一次光學記錄介質的記錄區域的另一示例；圖8示出本發明的臨時缺陷管理區域使用方法的一個示例；圖9示出本發明的臨時缺陷管理區域使用方法的另一示例；圖10示出本發明的臨時缺陷管理信息的合成方法的一個示例；圖11示出本發明的臨時缺陷管理信息的合成方法的另一示例；圖12根據本發明一實施例示出TDDS的配置和信息內容的一個示例；圖13是示出本發明的臨時缺陷管理區域的已滿標記配置的一個示例的示圖。
具體實施方式
現在將詳細引用本發明的優選實施例，其示例在附圖中示出。可能時，相同 的標號將在所有附圖中使用以指相同或相似的部件。參見圖13，根據本發明的BD-WO的光碟記錄/複製裝置20包括光學採集器 22，用於從諸如BD-WO的光學記錄介質21中讀/寫數據、用於控制光學採集器22 以保持光學採集器22中物鏡和光學記錄介質21之間距離並用於跟蹤附著軌跡的的 採集伺服單元23、用於處理輸入數據並將其提供給光學採集器22的數據處理器24、 用於與外部主機30交換數據的接口25、用於擦除有關缺陷管理的信息的存儲器27、 以及用於控制以上單元的微型計算機26。裝置20的所有組件在操作上都可耦合。 主機30與裝置20的接口 25相連，用於記錄/複製送往/來自光學記錄介質21的數 據以交換命令和數據。當載入諸如BD-WO的光學記錄介質時，裝置20將諸如DMA (缺陷管理區 域)信息、TDMA (臨時缺陷管理區域)信息等的有關缺陷管理的信息載入存儲器 27或其它適當存儲器。在操作期間，存儲器27根據缺陷管理操作周期性地更新。現有方法可使用圖1和圖3中所示的裝置或其它適當裝置或系統來實現。圖4示出根據本發明一實施例的BD-WO的記錄區域配置的一個示例。圖4 中所示的BD-WO具有單層盤的結構(即它具有單個記錄層)。此外，圖4中所示 的BD-WO包括導入區域(LIA)、數據區域和導出區域(LOA)。用戶數據區域位 於數據區域。導入和導出區域包括最終的或持久的缺陷管理區域(DMA 1~DMA 4)。每個區域中所示箭頭分別表示數據記錄方向的示例。根據本發明，臨時缺陷管理區域(TDMA1或TDMA2)在BD-WO的導入區 域和數據區域中提供。在此，TDMA (臨時缺陷管理區域)可與最終缺陷管理區域 (DMA 1、 DMA2、 DMA 3、 DMA4)區分開。特別地，臨時缺陷管理區域(TDMA) 是在BD-WO完成之前用來"臨時"記錄並管理缺陷管理信息的BD-WO區域。然 後，缺陷管理信息被記錄到圖4所示記錄層的多個缺陷管理區域至少一個上，例如 DMA 1~DMA 4。例如當已經完成將數據記錄在BD-WO的用戶數據區域時， BD-WO被視為要完成了。圖4所示BD-WO的數據區域包括用戶數據區域、內部備用區域(ISAO)和 外部備用區域(OSA0)。在OSA0中提供了第二個TDMA2。 OSAO還可包括一個 替換區域R/A，用於替換記錄對應於用戶數據區域中缺陷的數據。整個ISA0可用 作R/A。 g卩，在圖4所示實施例中，可在BD-WO上的指定區域分開提供多個臨時 缺陷管理區域(TDMA1、 TDMA 2)。例如，TDMA 1在導入區域中提供，而TDMA 2在外部備用區域中提供。這種指定區域的一個示例是BD-WO的內部圓周區域和 外部圓周區域。特別地，圖4示意地示出內部圓周區域在內部圓周區域提供而外部 圓周區域在數據區域的末端部分提供。在BD-WO外部圓周區域中提供的TDMA2的大小可以是固定的。另一方面， TDMA2的大小可根據備用區域(例如OSA0)的大小而改變。在更具體的示例中， 當OSA的大小是Nx 256簇時，TDMA2的大小是Mx 256簇。在此，M是根據 N/4確定的整數(M=N/4)。例如，當N-64時，備用區域(OSA0)的大小是16384 簇，且因為M-N/4， TDMA2的大小是4096簇。為什麼在BD-WO的外部圓周區域中提供的TDMA 2的大小可根據備用區域 (OSA0)的大小而改變是有原因的。 一個原因是，當在備用區域中提供要寫入數 據的替換區域時，替換區域的大小、臨時缺陷管理區域的大小和備用區域的大小是 互相相關的。如果其中之一的大小減小，則其它的大小將增大(反之亦然)。與 TDMA2的大小相比，在該特定實施例中，在內部圓周區域(導入區域)內提供的臨時缺陷管理區域(TDMA1)的大小保持固定值。在本發明的該實施例中，導入 區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA 1)可根據TDMA2的使用而使用。例如， 當備用區域(OSA0)中提供的TDMA2不管理缺陷時，可將備用區域分配為具有 '0'大小。因而，TDMA2的大小變成'0'。當所有的數據區域都用來記錄用戶 數據時這種情形會存在。無論如何，導入區域的TDMA 1仍然可用，且通過使用 DDS (盤定義結構)對特定信息的管理和描述也可用。然而，DDS不可用於缺陷 列表的管理。以下將參照圖10和圖11提供更具體的討論。當在用戶數據區域中檢測到缺陷區域時，要記錄到缺陷區域的數據被記錄到 替換區域R/A，且與該缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到TDMA 1和TDMA 2的一個或多個中。圖5示出本發明一實施例，它示出了BD-WO的另一配置。圖5所示的BD-WO 是具有包括導入區域、數據區域和導出區域的配置的單層盤。每個區域中的箭頭被 用來表示記錄數據的方向。每一個內部和外部備用區域ISA0和OSA0都包括一替 換區域R/A，用於替換記錄對應於用戶數據區域中缺陷區域(如果發現的話)的 數據。在圖5所示實施例中，在數據區域的開始部分(例如內部備用區域ISAO)提 供了臨時缺陷管理區域(TDMA1)。第二個TDMA2在外部備用區域(OSAO)中 提供。結果，在本發明該實施例中，在BD-WO的預定區域中(ISAO、 OSAO)分 開提供了多個臨時缺陷管理區域(TDMA 1和TDMA2)。第一個TDMA(TDMA 1) 在內部備用區域中提供，而第二個TDMA (TDMA2)在外部備用區域中提供。廣 言之，多個臨時缺陷管理區域的每一個在BD-WO的指定區域中分開提供。在此示 例中，指定區域是內部圓周區域和外部圓周區域。更精確地，在圖5所示實施例中， 內部圓周區域在數據區域的開始部分提供，而外部圓周區域在數據區域的結束部分 提供。在該實施例中，在BD-WO的外部區域中提供的臨時缺陷管理區域(例如 TDMA2)的大小是固定的或可根據備用區域(OSAO)的大小是可變的。類似地， TDMA1的大小可固定或按需變化。但是，導入區域中的TDMA1最好具有固定大 小，而OSAO中的TDMA 2具有可變大小。根據該示例，當檢測到缺陷區域時，要記錄到缺陷區域中的數據被記錄到替 換區域R7A，而與該缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄在TDMA 1和TDMA2 的一個或多個中。用於記錄缺陷信息的替換區域在備用區域之一中提供。圖6示出根據本發明的BD-WO的另一記錄區域配置。圖6中示出的BO-WO 具有兩個記錄層(層0和1)。第一層(層0)包括導入區域、數據區域50a、以及 外部區域"外部區域0"。第二層(層l)包括導出區域、數據區域50b、以及外部 區域"外部區域1"。在每一層上都提供多個DMA (DMA1 DMA4)。每個數據區 域50a和50b包括至少一個備用區域。相應區域中的箭頭表示記錄方向的示例。
在該實施例中，臨時缺陷管理區域(TDMA1或TDMA3)在導入區域或導出 區域中的每一層上提供。內部備用區域(ISAO、 ISA1)和外部備用區域(OSA0、 0SA1)分別在每一層上的數據區域50a和50b中提供。臨時缺陷管理區域(TDMA 2或TDMA4)分別在外部備用區域(OSAO或OSA1)的每一層上提供。在該示 例中，整個ISAO和ISA1都可用作替換R/A。 OSA0和0SA1的每一個都可包括替 換區域R/A。
該實施例可廣泛地描述為具有多個分開的臨時缺陷管理區域(TDMA 1、 TDMA3、 TDMA2、 TDMA4)，每一個都在BD-WO的指定區域中提供。第一對 (TDMA1、 TDMA3)在導入和導出區域中提供，而第二對(TDMA2、 TDMA4) 在外部備用區域OSA0和0SA1中提供。該實施例還可被描述為多個臨時缺陷管理 區域，分別在雙層BD-WO的內部圓周區域和外部圓周區域中的(每一層上)指定 區域內提供。特別地，內部圓周區域在導入和導出區域中提供，而外部圓周區域在 相應數據區域的結束部分提供。
在BD-WO的外部圓周區域中提供的TDMA 2和TDMA 4的大小固定或可根 據相關聯備用區域的大小而變化。例如，當外部圓周區域(OSA0、 0SA1)之一的 大小是N x 256簇時，TDMA2和TDMA4之一的尺寸可以變成M x 256簇。這裡， M是根據N/4(M/4)確定的整數。例如，當N:32時，每個(或任一個)外部備用區 域(OSA0、 0SA1)的大小是8192簇，而每個(或任一個)TDMA 2和TDMA 4 的大小變成2048簇(TDMA2=TDMA4=8192簇)，因為M=N/4=8。類似地，TDMA 1和3的大小可固定或變化。但導入和導出區域中的每個TDMA1和3最好都具有 固定大小，而外部備用區域OSA0和0SA1中的每個TDMA 2和4則具有可變大
為什麼在BD-WO的外部圓周區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA 2、 TDMA4)的大小可根據備用區域(OSA0、 0SA1)的大小而改變是有原因的。一 個原因是，當在備用區域中提供替換區域作為臨時缺陷管理區域的備選時，替換區 域的大小、臨時缺陷管理區域的大小和備用區域的大小是互相相關的。相比之下，在內部圓周區域(導入和導出區域)中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA 1、 TDMA 3)的大小最好是固定的。
在圖6示例中，在導入和導出區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA 1、 TDMA3)可根據臨時先前管理區域TDMA2、 TDMA4的使用而使用。例如，當 外部備用區域(OSA0、 0SA1)中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA2、 TDMA4) 不管理缺陷區域時，備用區域(ISA0、 ISA1)可分配為W大小。因而，當所有 數據區域用來記錄用戶數據時，TDMA2的大小變成'0'。然而，導入區域的臨時 缺陷管理區域(TDMA1、 TDMA3)仍然可用，且指定信息的管理和描述仍然可 以進行。在該情形中，不能管理DFL (缺陷列表)。這在下面將參照圖10和圖11 進行更詳細的描述。
當發現缺陷區域時，要記錄到用戶數據區域的缺陷區域的數據被記錄到替換 區域R/A，且與缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到BD-WO預定區域中提供 的臨時缺陷管理區域(TDMA1、 TDMA2、 TDMA3、 TDMA4)的一個或多個之 中。在圖6示例中，在備用區域之一的一部分中提供替換區域。
圖7示出根據本發明一實施例的BD-WO的記錄區域配置的另一示例。，除了 現在TDMA在每一層的內部和外部備用區域中提供之外，該示例與圖6的示例相 同。即，圖7的示例是圖5中所示單層盤配置的雙層盤版本。
特別地，圖7中的BD-W0示出雙層BD-W0的配置，包括導入區域、導出區 域、數據區域50a和50b、以及外部區域(外部區域0、全部區域l)相應區域中
的箭頭表示記錄方向的示例。
根據本實施例，第一臨時缺陷管理區域(TDMA1、 TDMA3)在每個記錄層 上相應數據區域50a、 50b的開始部分提供。即，它們在數據區域的內部備用區域 ISA0和ISA1中提供。第二臨時缺陷管理區域(TDMA2、 TDMA 4)在每個記錄 層上相應數據區域的結束部分處提供。§卩，它們在數據區域50a和50b的外部備用 區域(OSA0、 0SA1)中提供。
描述性地，圖7中所示的本發明實施例包括多個臨時缺陷管理區域(TDMA1、 TDMA2、 TDMA3、 TDMA4)，其中每個TDMA在數據區域的開始部分(內部備 用區域)和數據區域的結束部分(外部備用區域)提供。
在BD-WO的外部圓周區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA2、 TDMA4) 的大小可固定或根據外部備用區域(OSA0)的大小而變化。根據本實施例，如果 在將數據記錄到BD-WO時檢測到缺陷區域，要記錄到缺陷區域的數據可替換地記錄到替換區域R/A，且與缺陷區域相關聯的缺陷管理信息被記錄到它們相應的 BD-WO預定區域中提供的臨時缺陷管理區域(TDMA 1、TDMA2、TDMA 3、TDMA 4)的一個或多個之中。TDMA1和3的大小固定，而TDMA2和4的大小可變。
在另一實施例中，記錄缺陷管理信息的方法包括以下步驟提供一最近的缺 陷管理區域和一臨時缺陷管理區域、替換地將缺陷管理信息記錄到備用區域而非臨 時缺陷管理區域、將缺陷管理信息記錄到在BD-WO相應預定區域中分開提供的多 個臨時缺陷管理區域中、並在完全使用臨時缺陷管理區域之後將缺陷管理信息記錄 到最近的缺陷管理區域。
將圖4中BD-WO的配置用作示例，提供了多個臨時缺陷管理區域(TDMA 1、 TDMA2)，且在導出區域中提供的缺陷管理區域(DMA1、 DMA2 、 DMA3、 DMA 4)是最近的缺陷管理區域。如果在記錄數據時檢測到缺陷區域，則要記錄到數據 區域的數據被替換地記錄到備用區域中提供的替換區域，且相應缺陷管理信息被記 錄到臨時缺陷管理區域中。在臨時缺陷管理區域(TDMA)完全用完從而沒有更多 的TDMA可用於記錄缺陷管理信息之後，將"最後的"或最近的缺陷管理信息記 錄到最近的缺陷管理區域中(DMA1 DMA4)。
圖8示出根據本發明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時缺陷管 理區域(TDMA 1 TDMA4)的方法的一個示例。在該方法中，TDMA 1存儲TDDS (臨時盤定義結構)和TDFL(臨時缺陷列表)。然而，儘管未在示圖中示出，TDMA 2也包括TDDS和TDFL。圖8中所示實施例示出特定缺陷管理信息(TDDS和 TDFL)在記錄到TDMA2之前被記錄到TDMA 1。儘管僅示出TDMA 1和TDMA 2，該方法可應用於所有TDMA (TDMA1 TDMA4)。
現在提供對TDDS和TDFL的討論。在本發明，TDDS指臨時盤定義結構並 與DDS (盤定義結構)不同，因為TDDS是臨時的。類似地，TDFL指臨時缺陷 列表，並因為TDFL是臨時的也與DFL (缺陷列表)不同。在此，TDFL和TDDS 被包括在多個TDMA中。
臨時缺陷列表(TDFL)包含在使用介質期間被確定為有缺陷的(部分)簇列 表。與此相關，TDDS指定有關缺陷管理的盤的格式和狀態，且一般而言提供整體 的管理信息。盤的格式可包括有關盤上區域的特定布局的信息，用於管理缺陷區域， 而盤的狀態可包括各種標記(解釋如下)。TDFL包括缺陷區域和替換區域的地址。 記錄在臨時缺陷管理區域(例如TDMA 1和TDMA2)的TDDS和TDFL,變成寫 入最近的缺陷管理區域(例如DMAl-4)的持久信息(DDS和DFL)。當盤完成或不再管理缺陷時，存儲在TDMA中的最後的TDDS和TDFL分別作為DDS信息 和DFL信息被傳送並記錄在DMA的至少之一。在將數據記錄到用戶數據區域期 間，周期性地或同時更新TDDS和TDFL，並將更新記錄在TDMA中。這些的特 定操作將隨著討論的進展而變得越來越顯然。
在圖8所示實施例中，TDMA 1首先(在TDMA2使用之前)用來將諸如TDDS 和TDFL信息的缺陷管理信息記錄其中。當TDMA 1裝滿時，TDMA2用來將缺陷 管理信息記錄其中。然而，在另一變體中，首先使用的是TDMA2 (在TDMA 1 之前)。在此情形中，當TDMA2裝滿時，TDMA1被用來記錄缺陷管理信息。在 這種情形中，提供多個TDMA中哪個區域已滿的通知的信息由TDMA的"已滿標 記"來表示。"已滿標記"指示是必要的，因為在此揭示的優選實施例需要表示多 個TDMA中哪個區域已滿的信息。在一示例中，該TDMA 1已滿標記被包括在 TDDS中。
因此，在圖8的實施例中，順序使用TDMA 1和TDMA 2或TDMA 2和TDMA 1以將缺陷管理信息存儲其中。在其它實施例中，TDMA1和TDMA2位於BD-WO 的導入和導出區域。使用特定的TDMA依賴於各個因素，其示例將在對使用多個 TDMA的方法的討論中提供。
應注意，圖8的方法和在此討論的任何其它方法(圖9-13)可應用於圖4、 5、 6和7的盤結構以及在此討論的任何其它變化。還應注意，本發明包括在BD-WO 的每個記錄層上包括一個或多個TDMA的實施例。
在圖8和隨後的圖9中，僅示出TDMA 1和2。這些僅是表示的一個示例， 並可表示位於BD-WO上的任何其它TDMA (例如TDMA 1和3、 TDMA2和4、 TDMA3和6等)。
圖9示出根據本發明一實施例使用單層或雙層BD-WO中的多個臨時管理區 域(TDMA 1~ TDMA 4)的方法的另一個示例。然而，圖9的示例以及圖8的示 例在討論圖12所示的TDMA已滿標記以及圖13所示的相關結構的示例之後將得 到更好的理解。
圖12示出根據本發明缺陷管理信息的寫入配置的一個示例。在該示例中示出 的是表示TDMA是否己滿的TDMA已滿標記。該已滿標記被記錄在TDDS中。如 上所述，TDDS包括整體的管理信息。為了管理本發明中的缺陷區域，使用TDMA '已滿標記和諸如'TDMA1大小'、^DMA2大小，等的指示符。另一方面，在每 個情形中並非都需要已滿標記和大小指示符。特別地，已滿標記提供有關特定區域
13是否已滿的信息，並可以是對應於特定區域的1比特指示。在所示實施例中，如果
特定區域是該結構的TDMA，且相應已滿標記的比特值為"1"，則相應區域(例 如TDMA 1)被視為已滿或在(己滿，狀態。因此，由於該TDMA已滿，不再使 用該特定TDMA。
圖13示出8比特TDMA已滿標記的一個示例，表示一個或多個TDMA(TDMA 1 TDMA4)是否已滿。圖13中所示結構包括在圖12所示TDDS的欄位中。在 記錄如圖8所示的TDDS和TDFL時，TDDS的大小固定，例如1個簇，而TDFL 的大小可變。圖6和圖7中所示的雙層BD-WO的TDFL的大小可從1個簇變成8 個簇。該大小是考慮整個盤的容量和備用區域的大小而確定。
根據使用多個TDMA的方法，如果在將數據記錄到BD-WO時造成或發現缺 陷區域，記錄或要記錄在BD-WO缺陷區域上的數據被記錄到BD-WO的預定替換 區域(例如備用區域)。有關圖13的更多討論將在下面提供。
現在提供對圖9的討論。如所述，圖9示出本發明的臨時缺陷管理區域使用 方法的另一示例。在使用圖9中示出的使用臨時或缺陷管理區域的方法中，TDMA 1和TDMA2不需確定任何使用順序就可隨機使用。參照圖12和13討論的TDMA 已滿標記都可在此等價地應用。
如果在圖8和9所示情形中TDMA已滿標記表示特定TDMA已滿，隨後的 或另一個TDMA被用來將缺陷管理信息存儲其中。在諸如圖9所示情形的隨機情 形中，未指定使用順序。但是，如果所有TDMA已滿，則不再管理BD-WO上的 缺陷。當不再管理缺陷時，從TDMA傳送TDDS和TDFL的最後或最近信息，並 將其記錄在至少一個DMA (DMA 1 DMA4)上以反映當前的盤狀態。對DMA上 最終信息的記錄的更多討論將在後面提供。
根據圖9實施例，缺陷區域的數據被記錄在預定替換區域上。與該缺陷區域 和替換區域相關的缺陷管理信息被隨機記錄在所需TDMA上。例如，與位於 BD-WO上缺陷區域最近的TDMA可用於記錄這種缺陷管理信息。因此，如圖9 所示，TDMA可變化地或可按需使用。
在本發明的使用臨時缺陷管理區域的另一方法中，多個臨時缺陷管理區域可 依賴於各種條件可變地使用。
例如，考慮根據圖5-7所示的各個實施例用於管理缺陷的區域包括TDMA 1 和TDMA2。當使用BD-WO時，缺陷管理信息可僅記錄在TDMA2上。然後最近 的缺陷管理信息可在退出BD-WO時記錄在TDMA 1上。換言之，選擇記錄缺陷管理信息的區域在使用盤時記錄缺陷管理信息的區域和在退出盤時記錄缺陷管理信 息的區域之間確定。
根據使用臨時缺陷管理區域的方法的另一實施例，當把數據記錄在BD-WO 上時，如果在記錄數據的過程期間造成或發現了缺陷區域，則記錄(或要記錄)在 缺陷區域上的數據被記錄在預定替換區域上。缺陷管理信息在使用該盤時被記錄在 TDMA2上。相同的缺陷管理信息在退出該盤時再次記錄在TDMA1上。
作為使用該盤的另一種方法，使用各種對象用來選擇多個臨時缺陷管理區域 之一。使用該盤的一種方法是基於重要性的。例如，當更新缺陷管理信息的重要性 較低時，TDMA2可用來記錄缺陷管理信息。當更新缺陷管理信息的重要性較高時， TDMA1 (取代TDMA2)可用來記錄缺陷管理信息。在此，用來確定重要性的準 則可不同地設置。刷新缺陷管理信息(更新)的頻率可以是有條件的，或基於設計 者的選擇。退出盤的時間還可被指定為是記錄缺陷管理信息中的重要時間。在這種 情形中使用盤的時間被視為較不重要，從而在該時間段中缺陷管理信息可在TDMA 2 (而不是TDMA1)上記錄。退出盤的時間被視為較重要，從而在該時間段中缺 陷管理信息可在TDMA1 (而不是TDMA2)上記錄。使用TDMA 1 (或TDMA3) 優於使用TDMA2 (或TDMA4)，因為TDMA 1和3位於導入和導出區域而不是 數據區域，所以在載入盤時可更快速簡便地訪問它們。設計者決定使用的各方法可 區別地使用。
用來確定重要性的標準之一是更新間隔。換言之，如果前一缺陷管理信息的 更新時間與當前缺陷管理信息的更新時間之間的間隔較長，當前的更新信息被視為 相對重要。在此情形中，即使該盤正在使用中，缺陷管理信息仍可記錄到TDMA 1 上。確定重要性的另一準則是造成或發現的缺陷區域數量。如果有相對較多的缺陷 區域，由於它被視為需要更高可靠性，即使該盤正在使用中缺陷管理信息仍可被記 錄到TDMA 1上。
根據使用目標，如果根據重要性缺陷管理信息被記錄在TDMA上，由於TDMA 1位於內磁軌上，重要信息在載入盤的初始時間一開始就能快速並精確地獲得。
圖10和11示出本發明的臨時缺陷管理信息合成方法的兩個不同示例。在一 實施例中，本發明提供合成缺陷管理信息並將其記錄在TDMA上的方法，其中 TDDS和TDFL彼此分開。本發明的另一實施例提供合成缺陷管理信息並將其記錄 在TDMA上的方法，其中TDDS和TDFL彼此結合。圖10示出前一情形(分開) 而圖11示出後一情形(結合)。在此，每次更新缺陷管理信息時，都把最近的TDFL和TDDS信息記錄到TDMA中。
特別地，圖10示出合成缺陷管理信息並將其記錄在TDMA上的方法，其中 TDDS和TDFL彼此分開。每個TDDS具有例如1個簇的固定大小，而每個TDFL 的大小可變化，例如從1個簇到8個簇。
圖11示出示出合成缺陷管理信息並將其記錄在TDMA上的方法，其中TDMA 上的TDDS和TDFL彼此結合。缺陷管理信息以TDFL+TDDS的形式記錄，如圖 11所示。由於如上所述TDFL的大小可從1個簇到8個簇地變化，TDFL+TDDS 的大小也可從1個簇到8個簇地變化。
再參看圖12，每個TDMA (TDMA1 TDMA4)的大小以及TDMA已滿標記 在TDDS中示出。根據圖4和圖5的配置，僅描述TDMA1和TDMA2的大小的 信息在TDDS中提供。根據圖6和圖7的配置，可以說描述TDMA1、 TDMA2、 TDMA3和TDMA4的大小的信息在TDDS中提供。即，根據本發明缺陷管理信 息被記錄在BD-WO的預定區域中提供的多個臨時缺陷管理區域裡。因此，信息和 比特的量和類型、以及用於描述TDMA大小的表達方式並不限於圖12的示圖。
再次參看圖13，畫出的8比特是示出臨時缺陷管理區域已滿標記的示例。 TDMA已滿標記的一個比特被分配給每個TDMA，如圖13所示從TDMA 1到 TDMA4。例如，具有值'00000011，的TDMA已滿標記表示TDMA 1和TDMA 2 己滿。其大小和位映像不限於圖13中描述的TDMA己滿標記的偏置。
如圖13所示，在該示例中，從TDMA 1到TDMA 4的每個TDMA對應於TDMA 已滿標記從b0到b3的每個比特。根據圖4和圖5中的盤配置，TDMA3和TDMA 4的已滿標記比特並不是必須定義的。TDMA3和TDMA4的已滿標記比特可根據 圖6和圖7中所示的雙層盤配置來定義。在雙層BD-WO中，從邏輯觀點看，TDMA 2和TDMA4可用作統一的臨時缺陷管理區域。類似地，TDMA 1和TDMA3也可 用作統一的臨時缺陷管理區域。因此，定義己滿標記的方法可以是對TDMA l+TDMA3定義一已滿標記(或比特)，而對TDMA2+TDMA4定義另一已滿標記 (或比特)。
因此，當缺陷管理信息被記錄到多個臨時缺陷管理區域時，系統可確定是否 有寫區域可用。
行業可應用性
本發明提供在BD-WO上寫入數據期間發現缺陷區域時的缺陷管理方法。特 別地，通過替換地將要記錄在缺陷區域中的缺陷管理信息記錄到BD-WO的替換區域，並通過將缺陷管理信息記錄到在盤的預定區域中分開提供的多個臨時缺陷管理
區域，可在BD-WO上實現使用缺陷管理信息來寫入、記錄、複製和管理缺陷區域。對本領域技術人員而言，可對本發明作出各種更改和變化而不偏離本發明的精神或範圍是顯而易見的。因而，本發明旨在包括落於所附權利要求書及其等效方案的範圍內的本發明的更改和變化。
權利要求
1.一種管理記錄介質上的缺陷的方法，其特徵在於，所述方法包括以下步驟將至少一個備用區域分配到所述記錄介質，並且當多個臨時缺陷管理區域分開提供時將至少一個臨時缺陷管理區域分配到所述備用區域；將缺陷管理信息記錄在第一臨時缺陷管理區域上；以及在所述第一臨時缺陷管理區域已滿之後，將缺陷管理信息記錄在第二臨時缺陷管理區域上，所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述備用區域。
2. 如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到所述記錄介質的導入區域。
3. 如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述至少一個備用區域包括內部 備用區域和外部備用區域。
4. 如權利要求3所述的方法，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到導入區域，並且所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述外部備用區域。
5. 如權利要求3所述的方法，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到所述內部備用區域，並且所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述外部備用區 域。
6. 如權利要求1-5中任一項所述的方法，其特徵在於，還包括 在所述多個臨時缺陷管理區域中的一個上記錄指示哪個臨時缺陷管理區域已滿的信息。
7. —種管理記錄介質上的缺陷的裝置，其特徵在於，所述裝置包括 記錄/再現裝置，被配置成將至少一個備用區域分配到所述記錄介質，並且當多個臨時缺陷管理區域分開提供時將至少一個臨時缺陷管理區域分配到所述備用 區域，被配置成將缺陷管理信息記錄在第一臨時缺陷管理區域上，以及被配置成在所述第一臨時缺陷管理區域已滿之後，將缺陷管理信息記錄在第二臨時缺陷管理區 域上，所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述備用區域。
8. 如權利要求7所述的裝置，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到所述記錄介質的導入區域。
9. 如權利要求7所述的裝置，其特徵在於，所述至少一個備用區域包括內部 備用區域和外部備用區域。
10. 如權利要求9所述的裝置，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到導入區域，並且所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述外部備用區域。
11. 如權利要求9所述的裝置，其特徵在於，所述第一臨時缺陷管理區域被分 配到所述內部備用區域，並且所述第二臨時缺陷管理區域被分配到所述外部備用區 域。
12. 如權利要求7-11中任一項所述的裝置，其特徵在於，所述記錄/再現裝置 被配置成在所述多個臨時缺陷管理區域中的一個上記錄指示哪個臨時缺陷管理區 域已滿的信息。
13. —種管理記錄介質上的缺陷的方法，其特徵在於，所述方法包括以下步驟 從分配到所述記錄介質的導入區域的第一臨時缺陷管理區域再現缺陷管理信息；以及在所述第一臨時缺陷管理區域已滿之後，從分配到所述記錄介質的備用區域 的第二臨時缺陷管理區域再現缺陷管理信息。
14. 一種管理記錄介質上的缺陷的裝置，其特徵在於，所述裝置包括 記錄/再現裝置，被配置成從分配到所述記錄介質的導入區域的第一臨時缺陷管理區域再現缺陷管理信息，並且被配置成在所述第一臨時缺陷管理區域已滿之 後，從分配到所述記錄介質的備用區域的第二臨時缺陷管理區域再現缺陷管理信息。
全文摘要
本發明涉及一種缺陷區域管理方法及裝置。揭示了一種管理具有至少一個記錄層的只寫一次的光學記錄介質上的缺陷的方法。管理至少一記錄層上缺陷的方法包括以下步驟將至少一個替換區域和多個臨時缺陷管理區域分配到光學記錄介質，其中臨時缺陷管理區域分開提供，並將缺陷管理信息記錄在多個臨時缺陷管理區域的至少一個上。
文檔編號G11B7/005GK101635152SQ20091016373
公開日2010年1月27日 申請日期2003年10月1日 優先權日2003年3月13日
發明者樸容徹, 金成大 申請人:Lg電子株式會社