雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置的製作方法

2023-05-14 08:55:26 1

專利名稱：雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電阻裝置，特別是一種雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置。可供應用於高頻電路的低電感電阻，並可平面化或積層化，以供各種高頻電路選擇應用。
背景技術：
傳統製作低電感電阻裝置的方法，是以絕緣材料構成圓筒型核心或其他筒形核心，並在其上將電阻材料作雙向逆繞構成，其缺點為(1)佔用空間大；(2)無法薄膜化以供製成積層電路。

發明內容
本發明所要解決的技術問題是，針對現有技術的上述不足，而提供一種佔用空間小，可薄膜化以供製成積層電路的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置。
本發明所提供的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置是由如下技術方案來實現的。
一種雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是為單層或多層呈互逆螺旋布設的電阻體，包括由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料，呈雙向阿基米德螺旋布設或逆向彎折布設，並可依需要製成單層或多層結構，使其磁力線互相抵消，降低電阻器的電感提供高頻電路需求，其電阻為藉由塗布層或薄膜狀或陶瓷式或金屬材料卷繞式的電阻材料，包括一般電阻性材料或正溫度係數電阻材料，或負溫度係數電阻材料，而呈雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置彎折布設，並可依需要製成單層或多層的結構，以使其磁力線互相抵消，大幅降低電阻器的電感；其主要包含絕緣載體[101]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設置於絕緣載體[101]的表面，電阻體路徑中具有中間反向折返點[103]，而電阻體路徑起點[104]與電阻體路徑終點[105]，作為此項雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置的對外連接介面；藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體，使其磁力線互相抵消，以降低電阻器的電感值。
除上述必要技術特徵外，在具體實施過程中，還可補充如下技術內容進一步為多層化全結構，包括兩層或三層或三層以上的多層結構所構成，其兩層積層結構的主要構成如下絕緣載體[101]、[201]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]為由具電阻性質材料構成全塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷線式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體[101]、[201]的表面，其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第一層電阻體[102]的電阻體路徑起點[104]，與呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第二層電阻體[202]的電阻體路徑起點[204]相連接導通，電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點[203]，而由第一層電阻體路徑終點[105]及第二層電阻體路徑終點[205]構成對外的連接介面。
其三層(奇數)積層結構的主要構成如下絕緣載體[101]、[201]、[301]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[103]、[202]、[302]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]、[302]為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體[101]、[201]、[301]的表面，其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]，其電阻體路徑起點[104]與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[202]的電阻體路徑起點[204]相連接導通，而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[202]，其電阻體路徑終點[205]與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[302]的電阻體路徑終點[305]連接導通；電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點[203]、第三層電阻體具有中間反向折返點[303]，而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]的電阻體路徑終點[105]及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[302]的電阻體路徑起點[304]對外的連接介面。
其多層式結構中，多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻間的關係包括各層雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻的疊積位置為呈同形狀或不同形狀，或呈同尺寸或不同尺寸，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的同相位布設關係，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的逆相位布設關係，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的不同相位布設關係。
其多層式結構中，各層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻間的關係包括多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體為設置於絕緣載體的兩面，或由多層絕緣載體各別布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體再疊積為積層結構，各積層與積層間為預留間隙以供作通風冷卻的考慮，或為無間隙的密接或封裝結構，以供作結構的選擇。
其結構進一步為單面單彎折單層布設，除含有絕緣載體[101]、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其中電阻體[102]，為呈U形布設於絕緣載體的單邊，兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點[103]，而兩條狀電阻體並呈緊密靠近，使其磁力線互相抵消以減少電感；而兩條狀電阻體的接腳 、 則供作對外連接介面。
其結構進一步為單層單彎折雙面布設，除含有絕緣載體[101]、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其中電阻體[102]，為呈U形布設於單層絕緣載體[101]的雙面，而其折返點[103]為位於絕緣載體兩面電阻體同側端的串聯連接點；而兩電阻體的接腳 、 則供作對外連接介面。
其結構進一步為多層結構多彎摺疊設，除含有多層絕緣載體及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構成的電阻體及連接介面所構成，其中第一層電阻體[102]為呈U型布設於絕緣載體[101]的兩邊，而其折返點[103]為位於絕緣載體[101]兩面所設電阻體[102]同側端的串聯連接點；其第二層電阻體[202]為呈U型布設於絕緣載體[201]的兩邊，而其折返點[203]為位於絕載體[201]兩面所設電阻體[202]同側端的串聯連接點；其多層結構中各層相疊的電阻體間設有絕緣體[106]，而疊合時相鄰電阻體的接腳 、 為呈串接而外側的電阻體接腳 及 則供作對外連接介面。
其結構進一步為電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結構，為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體[102]兩邊設有撓性的絕緣載體[101]，而電阻體[102]於絕緣載體[101]上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設，而以其核心為折返點[103]，其兩外側接腳 、 則供作對外連接的介面。
本發明的優點在於本發明藉由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料，包括一般電阻性材料或正溫度係數(PTC)電阻材料，或負溫度孫數(NTC)電阻材料，而呈雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置彎折布設，並可依需要製成單層或多層的結構，以使其磁力線互相抵消，大幅降低電阻器的電感。
以下配合附圖詳細說明本發明的特徵及優點


圖1為本發明具方形分布電阻體路徑單層實施例示意圖。
圖2為本發明具圓型分布電阻體路徑單層實施例示意圖。
圖3為本發明的三角型路徑單層實施例示意圖。
圖4為以圖1實施例為基礎的兩層積層結構實施例示意圖。
圖5為以圖1實施例為基礎的三層積層結構實施例示意圖。
圖6為本發明電阻體呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊全同相位布設關係結構示意圖。
圖7為本發明電阻體呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的逆相位布設關係結構示意圖。
圖8為本發明電阻體呈90°電機角差布設例結構示意圖。
圖9為本發明單面單彎折單層布設實施例示意圖。
圖10為本發明單層單彎折雙面布設實施例。
圖11為本發明多層結構多彎摺疊布設實施例。
圖12為本發明電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結構實施例示意圖。
具體實施例方式
此項雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其雙向阿基米德螺旋的布設路徑，可為方形、或圓形、或三角形、或其他幾何形狀。
如圖1、圖2及圖3所示實施例，其主要構成含絕緣載體101為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102
呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設置於絕緣載體101的表面，電阻體路徑中具有中間反向折返點103，而電阻體路徑起點104與電阻體路徑終點105，作為此項雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置的對外連接介面藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體，使其磁力線互相抵消，以降低電阻器的電感值。
此項雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置進一步可為多層化的結構，包括兩層、或三層、或三層以上全多層結構所構成，以兩層代表雙數層，三層代表奇數多數層為例，說明如下圖4為以圖1實施例為基礎的兩層積層結構實施例示意圖。
圖4的實施例的主要構成如下一一絕緣載體101、201；為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成全絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102、202一一呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102、202為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷饒式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體101、201的表面，其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第一層電阻體102的電阻體路徑起點104，與呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第二層電阻體202的電阻體路徑起點204相連接導通，電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點103、第二層電阻體具有中間反向折返點203，而由第一層電阻體路徑終點105及第二層電阻體路徑終點205構成對外的連接介面。
如圖5實施例，其主要構成如下
一一絕緣載體101、201、301為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102、202、302；一一呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102、202、302為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體101、201、301的表面，其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102，其電阻體路徑起點104與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體202的電阻體路徑起點204相連接導通，而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體202，其電阻體路徑終點205與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體302的電阻體路徑終點305連接導通；電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點103、第二層電阻體具有中間反向折返點203、第三層電阻體具有中間反向折返點303，而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體102的電阻體路徑終點105及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體302的電阻體路徑起點304為對外的連接介面。
圖4及圖5所述的多層式結構中，多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻間的關係包括(1)同形狀或不同形狀；(2)同尺寸或不同尺寸(3)同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的同相位布設關係，如圖6所示；(4)同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的逆相位布設關係，如圖7所示；(5)同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的不同相位布設關係，如圖8所示為其呈90°電機角差布設例結構示意圖，其他電機角差關係可依此類推；(6)多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體可為設置於絕緣載體的兩面，或由多層絕緣載體各別布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體再疊積為積層結構，各積層與積層間可預留間隙以作通風冷卻的考慮，或為無間隙的密接或封裝結構，以作結構的選擇。
圖9所示為本發明單面單彎折單層布設實施例示意圖，除含有絕緣載體101、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其特徵為電阻體102，為呈U形布設於絕緣載體的單邊，兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點103，而兩條狀電阻體並呈緊密靠近，使其磁力線互相抵消以減少電感。而兩條狀電阻體的接腳1040、1050則供作對外連接介面。
圖10所示為本發明單層單彎折雙面布設實施例，除含有絕緣載體101、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其特徵為電阻體102，為呈U形布設於單層絕緣載體101的雙面，而其折返點103為位於絕緣載體兩面電阻體同側端的串聯連接點；而兩電阻體的接腳1040、1050則供作對外連接介面。
圖11所示為本發明多層結構多彎摺疊布設實施例，除含有多層絕緣載體及由塗飾層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構成的電阻體及連接介面所構成，其特徵為第一層電阻體102為呈U型布設於絕緣載體101的兩邊，而其折返點103為位於絕緣載體101兩面所設電阻體102同側端的串聯連接點；其第二層電阻體202為呈U型布設於絕緣載體201的兩邊，而其折返點203為位於絕緣載體201兩面所設電阻體202同側端的串聯連接點；其多層結構中各層相疊的電阻體間設有絕緣體106，而疊合時相鄰電阻體的接腳1050、2040為呈串接；而外側的電阻體接腳1040及2050則供作對外連接介面。
圖12所示為本發明電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結構實施例示意圖；為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體102兩邊設有撓性的絕緣載體101，而電阻體102於絕緣載體101上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設，而以其核心為折返點103，其兩外側接腳1040、1050則供作對外連接的介面。
綜合上述，此項雙向阿基米德螺旋狀布設的低感電阻裝置，首創以雙向阿基米德螺旋的路徑布設電阻材料，使高頻低電感電阻平面化及可積層化為其進步性所在，創意新穎，功能確切，爰提專利申請，請依法核審為祈。
權利要求
1.一種雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是為單層或多層呈互逆螺旋布設的電阻體，包括由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料，呈雙向阿基米德螺旋布設或逆向彎折布設，並可依需要製成單層或多層結構，使其磁力線互相抵消，降低電阻器的電感提供高頻電路需求，其電阻為藉由塗布層或薄膜狀或陶瓷式或金屬材料卷繞式的電阻材料，包括一般電阻性材料或正溫度係數電阻材料，或負溫度係數電阻材料，而呈雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置彎折布設，並可依需要製成單層或多層的結構，以使其磁力線互相抵消，大幅降低電阻器的電感；其主要包含絕緣載體[101]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑設置於絕緣載體[101]的表面，電阻體路徑中具有中間反向折返點[103]，而電阻體路徑起點[104]與電阻體路徑終點[105]，作為此項雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置的對外連接介面；藉著上述呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體，使其磁力線互相抵消，以降低電阻器的電感值。
2.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是進一步為多層化全結構，包括兩層或三層或三層以上的多層結構所構成，其兩層積層結構的主要構成如下絕緣載體[101]、[201]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]為由具電阻性質材料構成全塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷線式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體[101]、[201]的表面，其中呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第一層電阻體[102]的電阻體路徑起點[104]，與呈雙向阿基米德螺旋狀布設的第二層電阻體[202]的電阻體路徑起點[204]相連接導通，電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點[203]，而由第一層電阻體路徑終點[105]及第二層電阻體路徑終點[205]構成對外的連接介面。
3.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其三層積層結構的主要構成如下絕緣載體[101]、[201]、[301]為由軟性、或撓性、或硬性絕緣材料構成的絕緣膜或基板狀，或其他結構形態以供布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[103]、[202]、[302]；呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]、[202]、[302]為由具電阻性質材料構成的塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬卷繞式電阻，而呈方型、或圓型、或三角形、或其他幾何形狀的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設於絕緣載體[101]、[201]、[301]的表面，其中第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]，其電阻體路徑起點[104]與第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[202]的電阻體路徑起點[204]相連接導通，而第二層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[202]，其電阻體路徑終點[205]與第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[302]的電阻體路徑終點[305]連接導通；電阻體路徑中第一層電阻體具有中間反向折返點[103]、第二層電阻體具有中間反向折返點[203]、第三層電阻體具有中間反向折返點[303]，而以第一層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[102]的電阻體路徑終點[105]及第三層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體[302]的電阻體路徑起點[304]對外的連接介面。
4.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其多層式結構中，多層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻間的關係包括各層雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻的疊積位置為呈同形狀或不同形狀，或呈同尺寸或不同尺寸，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的同相位布設關係，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的逆相位布設關係，或呈同形狀、同尺寸，呈完全同位置重疊的不同相位布設關係。
5.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其多層式結構中，各層的雙向阿基米德螺旋狀的路徑布設的電阻間的關係包括多層積層呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體為設置於絕緣載體的兩面，或由多層絕緣載體各別布設呈雙向阿基米德螺旋狀布設的電阻體再疊積為積層結構，各積層與積層間為預留間隙以供作通風冷卻的考慮，或為無間隙的密接或封裝結構，以供作結構的選擇。
6.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其結構進一步為單面單彎折單層布設，除含有絕緣載體[101]、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其中電阻體[102]，為呈U形布設於絕緣載體的單邊，兩呈條形電阻體為以U型的彎折為折返點[103]，而兩條狀電阻體並呈緊密靠近，使其磁力線互相抵消以減少電感；而兩條狀電阻體的接腳[1040]、[1050]則供作對外連接介面。
7.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其結構進一步為單層單彎折雙面布設，除含有絕緣載體[101]、及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料構成的電阻體及連接介面所構成，其中電阻體[102]，為呈U形布設於單層絕緣載體[101]的雙面，而其折返點[103]為位於絕緣載體兩面電阻體同側端的串聯連接點；而兩電阻體的接腳[1040]、[1050]則供作對外連接介面。
8.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其結構進一步為多層結構多彎摺疊設，除含有多層絕緣載體及由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬電阻材料所構成的電阻體及連接介面所構成，其中第一層電阻體[102]為呈U型布設於絕緣載體[101]的兩邊，而其折返點[103]為位於絕緣載體[101]兩面所設電阻體[102]同側端的串聯連接點；其第二層電阻體[202]為呈U型布設於絕緣載體[201]的兩邊，而其折返點[203]為位於絕載體[201]兩面所設電阻體[202]同側端的串聯連接點；其多層結構中各層相疊的電阻體間設有絕緣體[106]，而疊合時相鄰電阻體的接腳[1050]、[2040]為呈串接而外側的電阻體接腳[1040]及[2050]則供作對外連接介面。
9.根據權利要求1所述的雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，其特徵是其結構進一步為電阻體兩面具撓性絕緣載體而呈卷繞式結構，為呈薄片或薄膜狀的撓性電阻體[102]兩邊設有撓性的絕緣載體[101]，而電阻體[102]於絕緣載體[101]上呈雙向阿基米德螺旋狀的布設，而以其核心為折返點[103]，其兩外側接腳[1040]、[1050]則供作對外連接的介面。
全文摘要
一種雙向阿基米德螺旋布設的低感電阻裝置，為揭示一種以單層或多層呈互逆螺旋布設的電阻體，包括由塗布層、或薄膜狀、或陶瓷式、或金屬材料卷繞式的電阻材料，呈雙向阿基米德螺旋布設或逆向彎折布設，並可依需要製成單層或多層結構，使其磁力線互相抵消，降低電阻器的電感提供高頻電路需求。
文檔編號H01C7/00GK1538466SQ0312197
公開日2004年10月20日 申請日期2003年4月18日 優先權日2003年4月18日
發明者楊泰和 申請人:楊泰和