一種NANDFlash存儲器、NANDFlash存儲器實現方法及其系統的製作方法
2023-04-28 12:31:56 4
一種NAND Flash存儲器、NAND Flash存儲器實現方法及其系統的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種NAND?Flash存儲器、NAND?Flash存儲器實現方法及其系統，所述NAND?Flash存儲器包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列，可實現第一次使用時預先在所述寄存器中存儲所述NAND?Flash存儲器的存儲模式和配置信息，將存儲模式配置成包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式中的一種模式，其中配置信息包括存儲塊的地址和存儲塊的類型，其中所述存儲塊類型為SLC類型、MLC類型或TLC類型。本發明能實現對各存儲塊的靈活配置，以實現多種存儲模式，使存儲器的自由度更高。
【專利說明】—種NAND Flash存儲器、NAND FI ash存儲器實現方法及其
系統【技術領域】
[0001]本發明涉數據存儲【技術領域】，尤其涉及一種NAND Flash存儲器、NANDFlash存儲器實現方法及其系統。
【背景技術】
[0002]快閃記憶體(Flash Memory,閃速存儲器，簡稱快閃記憶體)是誕生於20世紀80年代末的一種新型存儲介質。由於具有非易失、高速、高抗震、低功耗、小巧輕便等優良特性，快閃記憶體近年來被廣泛應用於移動通信、數據採集等領域的嵌入式系統和可攜式設備上，如手機、可攜式媒體播放器、數位相機、數碼攝像機、傳感器，也用於航空航天等領域，如航空太空飛行器等。
[0003]通常，快閃記憶體在存儲數據「O」或「I」的一個單元中存儲I位數據。為了實現比此更強的存儲能力，實現更高密度的存儲，可實現在一個單元中存儲兩位或多位數據。
[0004]NAND Flash是一種可在線進行電擦寫的非易失半導體快閃記憶體，具有擦寫速度快、低功耗、大容量、低成本等優點，應用非常廣泛。NAND Flash中存在著兩種主流存儲模式，SP單值存儲(SLC)和多值存儲(MLC)。單值存儲I個存儲單元存儲Ibit數據，速度快，可反覆擦寫次數多，可靠性更高。但是容量小，Ibit相應的單價高。多值存儲I個存儲單元存儲2bit數據，速度相對慢一些，可反覆擦寫次數稍弱一些。但是容量大，相應的Ibit單價低。兩種模式各有特點，都有各自相對擅長的應用。
[0005]而在一些場合中，既要求單值存儲的高速度，又要求多值存儲的大容量，這種特殊的需求就要求存儲器系統擁有一定的自由度，可靈活配置存儲晶片，使其部分實現多值存儲，部分實現單值存儲，或者全部為某一種模式的存儲。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在於提出一種NAND Flash存儲器、NAND Flash存儲器實現方法及其系統。能夠多種存儲模式並存。
[0007]為達此目的，本發明採用以下技術方案:
[0008]一種NAND Flash存儲器，所述NAND Flash存儲器包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列；
[0009]第一次使用時，預先在所述寄存器中存儲所述NAND Flash存儲器的存儲模式和配置信息，其中所述存儲模式包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，其中所述配置信息包括存儲塊的地址和存儲塊的類型，其中所述存儲塊類型為SLC類型、MLC類型或TLC類型；
[0010]當所述NAND Flash收到讀取地址時，用所述比較器將所述讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式，所述地址解碼器依據所述存儲模式對所述讀取地址進行解碼；
[0011]所述存儲陣列根據解碼後的地址返回對應的數據塊的信息。[0012]進一步地,第一次使用時進一步包括:
[0013]若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則:
[0014]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊，用n+2位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0015]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，用n+1位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0016]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址；
[0017]進一步地，所述依據所述存儲模式對所述讀取地址進行解碼包括:
[0018]當所述讀取地址為η位時，用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼；
[0019]當所述讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼，否則，用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼；
[0020]當所述讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後兩位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼；
[0021]所述根據解碼後的地址從所述存儲陣列中讀取信息包括:
[0022]計算所述解碼後的地址的位數；
[0023]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據；
[0024]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據；
[0025]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後兩位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
[0026]進一步地，
[0027]第一次使用時，將所述存儲模式設置為部分SLC模式部分MLC模式，將預先設置為MLC模式的存儲塊的地址存儲在所述寄存器中；
[0028]若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用n+1位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0029]當所述NAND Flash收到讀取地址時:
[0030]用所述比較器將所述讀取地址的前η位與所述寄存器中的存儲的地址進行比較，查看所述讀取地址是否所述寄存器中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式；
[0031]若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則直接進行解碼，即對AD〈n:0>進行解碼；
[0032]當使用所述解碼器獲取的解碼地址從存儲陣列讀取信息時，計算該解碼地址的位數，[0033]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據；
[0034]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
[0035]進一步地，
[0036]第一次使用時，將所述存儲模式設置為部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，在寄存器中分別建立兩個地址列表分別用於存儲MLC模式的存儲塊的地址和TLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在MLC列表中，將設定為TLC模式的存儲塊的地址存儲在TLC列表中；
[0037]若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用n+2位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地指定倒數第二位且於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0038]當所述NAND Flash收到讀取地址時:
[0039]用所述比較器將所述讀取地址的前η位與寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則，進一步用所述比較器將所述讀取地址的前η位與所述寄存器中TLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在TLC列表中，若是，則確定該存儲塊為TLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式；
[0040]若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後兩位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0041]當使用所述解碼器獲取的解碼地址從存儲陣列讀取信息時，計算該解碼地址的位數，
[0042]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據；
[0043]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據；
[0044]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後兩位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
[0045]根據本發明的同一構思，本發明還提供了一種NAND Flash存儲器實現方法，該方法基於包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列的NAND Flash存儲器實現，其特徵在於，包括:
[0046]第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式；
[0047]若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則包括如下設置:
[0048]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息；[0049]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0050]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址；
[0051]當所述NAND Flash存儲器接到讀取命令時，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式；
[0052]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼；
[0053]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0054]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0055]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進行如下操作:
[0056]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據；
[0057]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息；
[0058]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
[0059]進一步地，
[0060]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0061]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0062]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
[0063]進一步地，
[0064]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用開始兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定第一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0065]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定第一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0066]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定前兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
[0067]本發明提出了一種NAND Flash存儲器實現系統，該系統基於包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列的NAND Flash存儲器實現，包括:
[0068]存儲模式配置模塊，用於第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NANDFlash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式；
[0069]存儲地址設置模塊，若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用於進行如下設置:
[0070]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息；
[0071]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0072]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址；
[0073]地址讀取與編譯模塊，當所述NAND Flash接到讀取命令時，用於:
[0074]用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式；
[0075]用於當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼；
[0076]用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否貝IJ，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0077]用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0078]數據讀取模塊，用於當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進一步用於:
[0079]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據；
[0080]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息；
[0081 ] 若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
[0082]進一步地，
[0083]所述存儲地址設置模塊中，
[0084]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0085]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0086]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
[0087]進一步地，
[0088]所述存儲地址設置模塊中，
[0089]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用開始兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定第一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0090]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定第一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0091]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定前兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
[0092]本發明提出了 NAND Flash存儲器、NAND Flash存儲器實現方法及其系統，可以自由配置的存儲器，使其能夠實現部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式或部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，完成對存儲陣列進行自由配置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0093]圖1 (a)是本發明所述的部分SLC模式部分MLC模式的NAND Flash存儲器的結構框圖；
[0094]圖1 (b)是本發明所述的部分SLC模式部分TLC模式的NAND Flash存儲器的結構框圖；
[0095]圖1 (c)是本發明所述的部分MLC模式部分TLC模式的NAND Flash存儲器的結構框圖；
[0096]圖1 (d)是本發明所述的部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式的NANDFlash存儲器的結構框圖；
[0097]圖2是本發明具體實施例四所述的NAND Flash存儲器實現方法流程圖；
[0098]圖3是本發明具體實施例五所述的NAND Flash存儲器實現系統結構框圖。
【具體實施方式】
[0099]本發明實現了一種NAND Flash存儲器、一種NAND Flash存儲器實現方法，以及一種NAND Flash存儲器實現系統，下面結合附圖並通過【具體實施方式】來進一步說明本發明的技術方案。
[0100]實施例一
[0101]本實施例提供了一種NAND Flash存儲器，該NAND Flash存儲器可自由配置各存儲塊的存儲模式，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和/或TLC模式。其中:[0102]SLC (Single-Level Cell,單值單元),代表I個存儲器儲存單元存放I位元，即lbit/cell ο
[0103]MLC (Mult 1-Level Cell,多值存儲單元)通過不同級別的電壓在一個單元中記錄多組位信息，在存儲單元中實現多位存儲能力，典型的是2bit，即2bit/cell，代表為I個存儲器儲存單元存放2位元，速度壽命能較好平衡，將SLC的存儲密度理論提升一倍，一般應用在固態硬碟，移動硬碟，高性能U盤上。
[0104]TLC (Trinary-Level Cell,三值存儲單元)代表I個存儲器儲存單元可存放3位元，即3bit/cell，利用不同電位的電荷，一個浮動柵存儲3個bit的信息，存儲密度理論上較之MLC快閃記憶體擴大了 0.5倍。TLC是2bit/cell的MLC快閃記憶體延伸，速度性能一般，約500次擦寫壽命，價格便宜，多運用在一些性能低劣的U盤，手機TF卡上，這種晶片對讀寫速度要求不要，只保存臨時數據甚至只讀不寫的領域。
[0105]圖1是本發明具體實施例一所述的NAND Flash存儲器的結構框圖，如圖1所示，本實施例所述的NAND Flash存儲器，外圍電路中包括一個寄存器、一個比較器和一個地址解碼器，它們之間的連接關係如圖所示。
[0106]在NAND Flash存儲器使用之前需要預先對存儲陣列中各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中。
[0107]由於每個單元均可配置成SLC模式、MLC模式或TLC模式，因此，整個NANDFlash存儲器的存儲模式可包括如下幾種:
[0108]模式一、全SLC模式；
[0109]模式二、全MLC模式；
[0110]模式三、全TLC模式；
[0111]模式四、部分SLC模式部分MLC模式；
[0112]模式五、部分SLC模式部分TLC模式；
[0113]模式六、部分MLC模式部分TLC模式；
[0114]模式七、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式。
[0115]上述將配置信息存儲在所述寄存器中，具體可採用不同方式，只需在通過地址讀取存儲塊的信息時，能通過讀取地址確定該存儲塊的類型是SLC模式、MLC模式或TLC模式就行。
[0116]本實施例提供的方法包括:
[0117]對前三種模式，模式一、模式二、模式三來說，因為各存儲塊均為單純的模式，不需要存儲。
[0118]對模式四、模式五、模式六來說，因為同一存儲器中包含兩種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中一種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，存儲器採用模式四存儲時，將該存儲器中分配的MLC模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，只需將讀取地址與存儲器中這些地址進行比較，判斷該讀取地址是否在存儲器中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則為SLC模式。
[0119]對模式七來說，因為同一存儲器中包含三種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中兩種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，分別將該存儲器中分配的MLC模式和TLC模式的存儲塊地址列表存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，先將讀取地址與存儲器中MLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在MLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則再將讀取地址與存儲器中TLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在TLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為TLC模式，否則為SLC模式。
[0120]其中，具體選擇將哪種存儲模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，依據各類型的存儲塊的數量，優先將存儲塊較少的存儲模式的塊地址存儲在寄存器中，以提高查詢速度。
[0121]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的存儲塊個數為2n時，需要使用η位地址定位到存儲塊，若各存儲都不全是純SLC模式，即採用模式二到模式七之一的模式，則還需要另外的地址位定位到相應的電位。
[0122]具體如下:
[0123]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊，如模式三、模式五、模式六或模式七，存儲時需要使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。進一步需要從所述指定的兩位中預先指定一位用於表示當所述地址指向的存儲塊為TLC模式時的無效信息，則另一位為用於MLC模式的存儲塊的無效地址位。例如模式六和模式七的存儲模式下，包含了 MLC模式，需要指定用地址中哪一位來存儲電位信息，即確定到底讀取採用MLC模式的存儲單元的高位信息還是低位信息。
[0124]例如，存儲地址為:AD〈n+l:0>，指定AD〈n+l: 2>用於存儲該存儲塊的地址，指定AD存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，指定AD〈1>存儲MLC模式的存儲塊的電位信
肩、O
[0125]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，如模式二或模式四，存儲時，需要使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。
[0126]通常指定最後一位，例如，存儲地址為:AD〈n:0>，指定AD〈n: 1>用於存儲該存儲塊的地址，指定AD〈0>存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。
[0127]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，如模式一，僅需要使用η位數據來存儲各存儲塊的地址。
[0128]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0129]用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式。
[0130]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接對讀取地址進行解碼；
[0131]例如，模式一，所有的存儲塊都被指定為SLC，讀取命令中的讀取地址僅為η位，地址解碼器直接對讀取地址進行解碼，直接通過該解碼地址從存儲陣列中讀取對應的數據。
[0132]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將用於MLC模式的存儲塊的無效地址位設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0133]例如，模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後一位，則先將地址AD〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼。
[0134]例如，模式二或模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，則使用解碼器進行直接解碼。
[0135]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於MLC模式的存儲塊的無效地址位進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼。
[0136]例如，模式七，各存儲單元的讀取地址均為n+2位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後兩位，則先將地址AD〈1:0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，若設置時指定的電位信息位為倒數第二位，則先將地址AD〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為TLC模式，則使用解碼器進行解碼。
[0137]解碼器解碼後，用解碼後的地址所述存儲陣列中讀取數據，具體包括:
[0138]從所述地址解碼器獲取地址，計算該地址的位數，進行如下操作:
[0139]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據；
[0140]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息；
[0141]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
[0142]實施例二
[0143]本實施例提供的NAND Flash存儲器，首次使用時，將該存儲器設置成部分SLC模式部分MLC模式(即上實施例的模式四)。在寄存器中建立地址列表用於存儲MLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在所述MLC列表中。
[0144]若需要使用η位地址定位到存儲塊，則需要使用n+1位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+1位信息中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。通常指定頭一位或最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息
[0145]例如，若指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，各存儲單元的地址為AD〈n:0>，其中，指定AD〈0>用來存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。則對於SLC模式的存儲塊來說，AD〈1: 0>為無效信息，對於MLC模式的存儲塊來說，AD〈0>記錄電位信息。
[0146]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0147]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n:l>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。
[0148]若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼，即對AD〈n: 1>進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則直接進行解碼，即對AD〈n:0>進行解碼。
[0149]解碼以後，該存儲器中，SLC模式的存儲塊地址均為η位，MLC模式的存儲塊地址均為n+1位，其中前η位表示存儲塊的地址，最後一位表示電位信息，如「I」表示該存儲塊的低電位，「O」表示該存儲塊的高電位，通過上述地址信息和電位信息讀取該存儲塊指定電位的數據。
[0150]實施例三
[0151]本實施例提供的NAND Flash存儲器，首次使用時，將該存儲器設置成部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式(即上實施例的模式七)。在寄存器中分別建立兩個地址列表分別用於存儲MLC模式的存儲塊的地址和TLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在MLC列表中，將設定為TLC模式的存儲塊的地址存儲在TLC列表中。
[0152]若需要使用η位地址定位到存儲塊，則需要使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於表示當所述地址指向的存儲塊為MLC模式時的無效信息。通常指定頭兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，其中第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，或者，指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，其中倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。
[0153]若採用後一種模式，各存儲單元的地址為AD〈n+l:0>，其中，指定AD〈1:0>用來存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，指定AD〈1>用來存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。則對於SLC模式的存儲塊來說，AD〈1: 0>為無效信息，對於MLC模式的存儲塊來說，AD為無效信息。
[0154]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0155]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l: 2>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則，進一步用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l:2>與所述寄存器中TLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在TLC列表中，若是，則確定該存儲塊為TLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。
[0156]若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後兩位設置為無效並進行解碼，即對AD〈n+l:2>進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼，即對AD〈n+l: 1>進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼，即對AD〈n+l:0>進行解碼。
[0157]解碼以後，該存儲器中，SLC模式的存儲塊地址均為η位，MLC模式的存儲塊地址均為n+1位，其中前η位表示存儲塊的地址，最後一位表示電位信息，如「I」表示該存儲塊的低電位，「O」表示該存儲塊的高電位，TLC模式的存儲塊地址均為n+2位，其中前η位表示存儲塊的地址，最後兩位表示電位信息，如「11」表示該存儲塊的第一電位，「 10」表示該存儲塊的第二電位，「01」表示該存儲塊的第三電位。通過上述地址信息和電位信息讀取該存儲塊指定電位的數據。
[0158]實施例四
[0159]本實施例提供了一種NAND Flash存儲器實現方法，圖2是本實施例所述的NANDFlash存儲器實現方法流程圖，如圖2所示，本實施例所述的NAND Flash存儲器實現方法包括:
[0160]S201、第一次使用時，進行模式配置；
[0161]第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式；
[0162]進行配置以後，該NAND Flash存儲器的存儲模式為下述模式中的一種:
[0163]模式一、全SLC模式；
[0164]模式二、全MLC模式；
[0165]模式三、全TLC模式；
[0166]模式四、部分SLC模式部分MLC模式；
[0167]模式五、部分SLC模式部分TLC模式；
[0168]模式六、部分MLC模式部分TLC模式；
[0169]模式七、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式。
[0170]上述將配置信息存儲在所述寄存器中，具體可採用不同方式，只需在通過地址讀取存儲塊的信息時，能通過讀取地址確定該存儲塊的類型是SLC模式、MLC模式或TLC模式就行。
[0171]本實施例提供的方法包括:
[0172]對前三種模式，模式一、模式二、模式三來說，因為各存儲塊均為單純的模式，不需要存儲。
[0173]對模式四、模式五、模式六來說，因為同一存儲器中包含兩種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中一種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，存儲器採用模式四存儲時，將該存儲器中分配的MLC模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，只需將讀取地址與存儲器中這些地址進行比較，判斷該讀取地址是否在存儲器中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則為SLC模式。
[0174]對模式七來說，因為同一存儲器中包含三種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中兩種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，分別將該存儲器中分配的MLC模式和TLC模式的存儲塊地址列表存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，先將讀取地址與存儲器中MLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在MLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則再將讀取地址與存儲器中TLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在TLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為TLC模式，否則為SLC模式。
[0175]其中，具體選擇將哪種存儲模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，依據各類型的存儲塊的數量，優先將存儲塊較少的存儲模式的塊地址存儲在寄存器中，以提高查詢速度。
[0176]S202、確定存儲時地址長度並指定電位信息位；
[0177]若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則包括如下設置:
[0178]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息；
[0179]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0180]當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址。
[0181]例如，若所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的存儲塊個數為2n時，則需要使用η位地址定位到存儲塊，若各存儲都不全是純SLC模式，即採用模式二到模式七之一的模式，則還需要另外的地址位定位到相應的電位。
[0182]具體如下:
[0183]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊，如模式三、模式五、模式六或模式七，存儲時需要使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。進一步需要從所述指定的兩位中預先指定一位用於表示當所述地址指向的存儲塊為TLC模式時的無效信息，則另一位為用於MLC模式的存儲塊的無效地址位。例如模式六和模式七的存儲模式下，包含了 MLC模式，需要指定用地址中哪一位來存儲電位信息，即確定到底讀取採用MLC模式的存儲單元的高位信息還是低位信息。
[0184]例如，存儲地址為:AD〈n+l:0>，指定AD〈n+l: 2>用於存儲該存儲塊的地址，指定AD存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，指定AD〈1>存儲MLC模式的存儲塊的電位信
肩、O
[0185]優選地，
[0186]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0187]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。
[0188]S203、判斷是否有讀取命令的消息中斷時，若是則執行步驟S204。
[0189]S204、獲取地址塊的存儲模式；
[0190]當所述NAND Flash存儲器接到讀取命令時，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式；
[0191]例如模式四，首次使用時，將該存儲器設置成部分SLC模式部分MLC模式。在寄存器中建立地址列表用於存儲MLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在所述MLC列表中。
[0192]若指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，各存儲單元的地址為AD,其中，指定AD〈0>用來存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。則對於SLC模式的存儲塊來說，AD〈1: 0>為無效信息，對於MLC模式的存儲塊來說，AD〈0>記錄電位信息。
[0193]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0194]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n:l>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。[0195]又如，模式七，若存儲和設置採用如上相似的方法時，
[0196]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0197]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l:2>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則，進一步用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l:2>與所述寄存器中TLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在TLC列表中，若是，則確定該存儲塊為TLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。
[0198]S205、對地址進行解碼，獲取解碼地址；
[0199]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼；
[0200]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0201]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0202]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0203]用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式。
[0204]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接對讀取地址進行解碼；
[0205]例如，模式一，所有的存儲塊都被指定為SLC，讀取命令中的讀取地址僅為η位，地址解碼器直接對讀取地址進行解碼，直接通過該解碼地址從存儲陣列中讀取對應的數據。
[0206]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將用於MLC模式的存儲塊的無效地址位設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0207]例如，模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後一位，則先將地址AD〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼。
[0208]例如，模式二或模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，則使用解碼器進行直接解碼。
[0209]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於MLC模式的存儲塊的無效地址位進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼。
[0210]例如，模式七，各存儲單元的讀取地址均為n+2位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後兩位，則先將地址AD〈1:0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，若設置時指定的電位信息位為倒數第二位，則先將地址ad〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為TLC模式，則使用解碼器進行解碼。
[0211]S206、用解碼地址讀取存儲塊信息。
[0212]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進行如下操作:
[0213]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據；
[0214]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息；
[0215]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
[0216]實施例五
[0217]根據本發明的同一構思，本發明還提供了一種信息推送系統，圖3是實施例所述的NAND Flash存儲器實現系統結構框圖。如圖3所示，本實施例所述的NAND Flash存儲器實現系統包括:
[0218]存儲模式配置模塊:用於第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NANDFlash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式；
[0219]進行配置以後，該NAND Flash存儲器的存儲模式為下述模式中的一種:
[0220]模式一、全SLC模式；
[0221]模式二、全MLC模式；
[0222]模式三、全TLC模式；
[0223]模式四、部分SLC模式部分MLC模式；
[0224]模式五、部分SLC模式部分TLC模式；
[0225]模式六、部分MLC模式部分TLC模式；
[0226]模式七、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式。
[0227]上述將配置信息存儲在所述寄存器中，具體可採用不同方式，只需在通過地址讀取存儲塊的信息時，能通過讀取地址確定該存儲塊的類型是SLC模式、MLC模式或TLC模式就行。
[0228]對前三種模式，模式一、模式二、模式三來說，因為各存儲塊均為單純的模式，不
需要存儲。
[0229]對模式四、模式五、模式六來說，因為同一存儲器中包含兩種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中一種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，存儲器採用模式四存儲時，將該存儲器中分配的MLC模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，只需將讀取地址與存儲器中這些地址進行比較，判斷該讀取地址是否在存儲器中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則為SLC模式。
[0230]對模式七來說，因為同一存儲器中包含三種存儲模式的存儲塊，需要將配置的其中兩種存付模式的所有存儲塊的地址(僅需包括能定位到具體塊的地址信息)存儲在寄存器中即可，例如，分別將該存儲器中分配的MLC模式和TLC模式的存儲塊地址列表存儲在寄存器中，進行讀取訪問時，先將讀取地址與存儲器中MLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在MLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為MLC模式，否則再將讀取地址與存儲器中TLC模式的地址列表進行比較，判斷該讀取地址是否在TLC模式的地址列表中，若是，則該地址對應的存儲塊為TLC模式，否則為SLC模式。
[0231]其中，具體選擇將哪種存儲模式的存儲塊地址存儲在寄存器中，依據各類型的存儲塊的數量，優先將存儲塊較少的存儲模式的塊地址存儲在寄存器中，以提高查詢速度。
[0232]存儲地址設置模塊:若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用於進行如下設置:
[0233]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息；
[0234]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息；
[0235]用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址；
[0236]例如，若所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的存儲塊個數為2n時，則需要使用η位地址定位到存儲塊，若各存儲都不全是純SLC模式，即採用模式二到模式七之一的模式，則還需要另外的地址位定位到相應的電位。
[0237]具體如下:
[0238]如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊，如模式三、模式五、模式六或模式七，存儲時需要使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。進一步需要從所述指定的兩位中預先指定一位用於表示當所述地址指向的存儲塊為TLC模式時的無效信息，則另一位為用於MLC模式的存儲塊的無效地址位。例如模式六和模式七的存儲模式下，包含了 MLC模式，需要指定用地址中哪一位來存儲電位信息，即確定到底讀取採用MLC模式的存儲單元的高位信息還是低位信息。
[0239]例如，存儲地址為:AD〈n+l:0>，指定AD〈n+l: 2>用於存儲該存儲塊的地址，指定AD存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，指定AD〈1>存儲MLC模式的存儲塊的電位信
肩、O
[0240]優選地，
[0241]當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息；
[0242]當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。
[0243]地址讀取與編譯模塊:當所述NAND Flash接到讀取命令時，用於:
[0244]用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式；
[0245]用於當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼；
[0246]用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否貝IJ，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0247]用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0248]例如模式四，首次使用時，將該存儲器設置成部分SLC模式部分MLC模式。在寄存器中建立地址列表用於存儲MLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在所述MLC列表中。
[0249]若指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，各存儲單元的地址為AD,其中，指定AD〈0>用來存儲MLC模式的存儲塊的電位信息。則對於SLC模式的存儲塊來說，AD〈1: 0>為無效信息，對於MLC模式的存儲塊來說，AD〈0>記錄電位信息。
[0250]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0251]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n:l>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。
[0252]又如，模式七，若存儲和設置採用如上相似的方法時，
[0253]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0254]首先，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l: 2>與所述寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則，進一步用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址的前η位，即AD〈n+l:2>與所述寄存器中TLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在TLC列表中，若是，則確定該存儲塊為TLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式。
[0255]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼；
[0256]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0257]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼；
[0258]當所述NAND Flash接到讀取命令時,包括如下方法:
[0259]用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式。[0260]當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接對讀取地址進行解碼；
[0261]例如，模式一，所有的存儲塊都被指定為SLC，讀取命令中的讀取地址僅為η位，地址解碼器直接對讀取地址進行解碼，直接通過該解碼地址從存儲陣列中讀取對應的數據。
[0262]當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將用於MLC模式的存儲塊的無效地址位設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼；
[0263]例如，模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後一位，則先將地址AD〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼。
[0264]例如，模式二或模式四，各存儲單元的讀取地址均為n+1位，若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，則使用解碼器進行直接解碼。
[0265]當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於MLC模式的存儲塊的無效地址位進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼。
[0266]例如，模式七，各存儲單元的讀取地址均為n+2位，若某存儲單元的存儲模式為SLC模式，若設置時指定的電位信息位為最後兩位，則先將地址AD〈1: 0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為MLC模式，若設置時指定的電位信息位為倒數第二位，則先將地址AD〈0>設為無效再使用解碼器進行解碼；若某存儲單元的存儲模式為TLC模式，則使用解碼器進行解碼。
[0267]數據讀取模塊:用於當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進一步用於:
[0268]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據；
[0269]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息；
[0270]優選地，
[0271]若該地址為n+2位，配置時預設的兩位電位信息為最後兩位，或若該地址為n+1位，配置時預設的兩位電位信息為最後一位，則:
[0272]若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據；
[0273]若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據；
[0274]若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後兩位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
[0275]以上實施例提供的技術方案中的全部或部分內容可以通過軟體編程實現，其軟體程序存儲在可讀取的存儲介質中，存儲介質例如:計算機中的硬碟、光碟或軟盤。
[0276]以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種NAND Flash存儲器，其特徵在於，所述NAND Flash存儲器包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列； 第一次使用時，預先在所述寄存器中存儲所述NAND Flash存儲器的存儲模式和配置信息，其中所述存儲模式包括部分SLC模式部分MLC模式、部分SLC模式部分TLC模式、部分MLC模式部分TLC模式、部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，其中所述配置信息包括存儲塊的地址和存儲塊的類型，其中所述存儲塊類型為SLC類型、MLC類型或TLC類型；當所述NAND Flash收到讀取地址時，用所述比較器將所述讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式，所述地址解碼器依據所述存儲模式對所述讀取地址進行解碼； 所述存儲陣列根據解碼後的地址返回對應的數據塊的信息。
2.如權利要求1所述的NANDFlash存儲器，其特徵在於，第一次使用時進一步包括: 若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則: 如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊，用n+2位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，用n+1位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 如果所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址；
3.如權利要求1或2所述的NANDFlash存儲器，其特徵在於，所述地址解碼器依據所述存儲模式對所述讀取地址進行解碼包括: 當所述讀取地址為η位時，用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼； 當所述讀取地址為n+ 1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼，否則，用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼； 當所述讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後兩位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並用所述地址解碼器進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則用所述地址解碼器對所述讀取地址進行直接解碼； 所述根據解碼後的地址從所述存儲陣列中讀取信息包括: 計算所述解碼後的地址的位數； 若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據； 若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據； 若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後兩位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
4.如權利要求3所述的NANDFlash存儲器，其特徵在於， 第一次使用時，將所述存儲模式設置為部分SLC模式部分MLC模式，將預先設置為MLC模式的存儲塊的地址存儲在所述寄存器中； 若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用n+1位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述NAND Flash收到讀取地址時: 用所述比較器將所述讀取地址的前η位與所述寄存器中的存儲的地址進行比較，查看所述讀取地址是否所述寄存器中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式； 若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則直接進行解碼，即對AD〈n:0>進行解碼； 當使用所述解碼器獲取的解碼地址從存儲陣列讀取信息時，計算該解碼地址的位數， 若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據； 若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
5.如權利要求3所述的NANDFlash存儲器，其特徵在於， 第一次使用時，將所述存儲模式設置為部分SLC模式部分MLC模式部分TLC模式，在寄存器中分別建立兩個地址列表分別用於存儲MLC模式的存儲塊的地址和TLC模式的存儲塊的地址，將設定為MLC模式的存儲塊的地址存儲在MLC列表中，將設定為TLC模式的存儲塊的地址存儲在TLC列表中； 若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用n+2位地址存儲各存儲塊的地址，指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地指定倒數第二位且於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述NAND Flash收到讀取地址時: 用所述比較器將所述讀取地址的前η位與寄存器中MLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在MLC列表中，若是，則確定該存儲塊為MLC模式，否則，進一步用所述比較器將所述讀取地址的前η位與所述寄存器中TLC列表中的地址進行比較，查看所述讀取地址是否在TLC列表中，若是，則確定該存儲塊為TLC模式，否則確定該存儲塊為SLC模式； 若所述存儲模式為SLC模式，則將所述讀取地址中最後兩位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述讀取地址中最後一位設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼； 當使用所述解碼器獲取的解碼地址從存儲陣列讀取信息時，計算該解碼地址的位數， 若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按該地址直接讀取數據； 若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後一位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據； 若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，按該地址的前η位地址定位到對應塊，按最後兩位指定的電位信息讀取該對應塊的所述電位的數據。
6.一種NAND Flash存儲器的實現方法，該方法基於包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列的NAND Flash存儲器實現，其特徵在於，包括: 第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NAND Flash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式； 若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則包括如下設置: 當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息； 當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址； 當所述NAND Flash存儲器接到讀取命令時，用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式；當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼； 當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼； 當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進行如下操作: 若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據； 若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息； 若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
7.如權利要求6所述的NANDFlash存儲器的實現方法，其特徵在於， 當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
8.如權利要求6所述的NANDFlash存儲器的實現方法，其特徵在於，當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用開始兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定第一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定第一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定前兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
9.一種NAND Flash存儲器的實現系統，該系統基於包括寄存器、比較器、地址解碼器和存儲陣列的NAND Flash存儲器實現，其特徵在於，包括: 存儲模式配置模塊，用於第一次使用所述NAND Flash存儲器時，預先對所述NANDFlash存儲器的存儲陣列的各存儲塊的存儲模式進行配置，將配置信息存儲在所述寄存器中，其中所述存儲模式包括SLC模式、MLC模式和TLC模式； 存儲地址設置模塊，若需要用η位地址定位到所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中的存儲塊，則用於進行如下設置: 用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中配置有包含TLC模式的存儲塊時，使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址，從所述n+2位信息中預先指定兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步從所述指定的兩位中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，另一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息； 用於當所述NAND Flash存 儲器的存儲陣列中沒有配置包含TLC模式的存儲塊而配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用n+1位數據來存儲各存儲塊的地址，從所述地址中預先指定一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 用於當所述NAND Flash存儲器的存儲陣列中既沒配置包含TLC模式的存儲塊也沒配置有包含MLC模式的存儲塊時，使用η位數據來存儲各存儲塊的地址； 地址讀取與編譯模塊，當所述NAND Flash接到讀取命令時，用於: 用所述比較器將所述讀取命令中的讀取地址與所述寄存器中的配置信息進行比較，獲取所述讀取地址對應的存儲塊的存儲模式； 用於當所述讀取命令中的讀取地址為η位時，所述地址解碼器直接進行解碼； 用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+1位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並進行解碼，否則，所述地址解碼器對所述地址進行直接解碼； 用於當所述讀取命令中的讀取地址為n+2位時，若所述存儲模式為SLC模式，則將所述地址中預先指定的兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息設置為無效並只對進行解碼；若所述存儲模式為MLC模式，則將所述地址中預先指定的一位用於存儲存儲塊為TLC模式時的無效信息設置為無效並進行解碼；若所述存儲模式為TLC模式，則所述地址解碼器直接進行解碼； 數據讀取模塊，用於當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址時，計算該地址的位數，進一步用於: 若該地址為η位，則該存儲塊為SLC模式，按所述η位地址直接讀取數據； 若該地址為n+1位，則該存儲塊為MLC模式，從預設的一位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息； 若該地址為n+2位，則該存儲塊為TLC模式，從預設的兩位電位信息位讀取電位信息，從其他位讀取地址信息。
10.如權利要求9所述的NANDFlash存儲器的實現系統，其特徵在於， 所述存儲地址設置模塊中， 當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定倒數第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定最後一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定最後一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定最後兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
11.如權利要求9所述的NANDFlash存儲器的實現系統，其特徵在於， 所述存儲地址設置模塊中， 當使用n+2位信息來存儲各存儲塊的地址時，預設用開始兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息，進一步地，預先指定第二位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息，預先指定第一位用於存儲存儲塊為MLC模式時的無效信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+1位時，預先指定第一位用於存儲MLC模式的存儲塊的電位信息； 當所述存儲陣列從所述地址解碼器獲取地址為n+2位時，預先指定前兩位用於存儲TLC模式的存儲塊的電位信息。
【文檔編號】G11C16/02GK103811054SQ201210461393
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優先權日:2012年11月15日
【發明者】蘇志強, 舒清明, 丁衝, 張君宇 申請人:北京兆易創新科技股份有限公司