包含至少一種選自二甲矽烷基咔唑、二甲矽烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並噻吩、二...的製作方法

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專利名稱：：包含至少一種選自二甲矽烷基咔唑、二甲矽烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並噻吩、二...的製作方法包含至少一種選自二曱矽烷基呼唑、二甲矽烷基二苯並呋喃、二曱矽烷基二苯並瘞吩、二甲矽烷基二苯並磷雜環戊二烯、二甲矽烷基二苯並噻吩s-氧化物和二甲矽烷基二苯並噻吩s，s-二氧化物的二曱矽烷基化合物的有機發光二極體本發明涉及一種包含陽極An和陰極Ka和發光層E和合適的話至少一個其它層的有機發光二極體，其中所M光層E和/或至少一個其它層包含至少一種選自二曱矽烷基吵唑、二曱矽烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並噻吩、二甲矽烷基二苯並磷雜環戊二烯、二甲矽烷基二苯並瘞吩S-氧化物和二曱矽烷基二苯並噻吩S，S-二氧化物的化合物，本發明還涉及一種包含至少一種上述化合物的發光層，上述化合物作為基質材料、空穴/激子阻擋材料、電子/激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導體材料和/或電子導體材料的用途，以及涉及一種選自包含至少一種本發明有機發光二極體的固定可視顯示單元、移動的可視顯示單元和照明單元的器件。有機發光二極體(OLED)利用了材料在受到電流激發時的發光性能。作為陰極射線管和液晶顯示器的替代品以生產平面可視顯示單元，OLED尤其受到關注。包含OLED的器件由於非常緊密的構造和固有的低能耗，它們特別適於移動應用，例如用於行動電話、筆記本電腦等，以及用於照明。OLED作用方式的基本原理和合適的OLED構造(層)對本領域熟練技術人員已知且例如描述於WO2005/113704中，在此引用該文獻。除了螢光材料(螢光發射體)外，所用發光材料(發射體)還可以為磷光材料(磷光發射體)。磷光發射體通常為有機金屬配合物，其與顯示單線態發射的螢光發射體相比而顯示三線態發射(三線態發射體)((M.A.Baldow等，Appl.Phys.Lett.1999，75,4-6)。因為量子力學原因，當使用三線態發射體(磷光發射體)時，至多四倍量子效率、能量效率和功率係數是可能的。為了實現有機金屬三線態發射體(磷光發射體)在實踐中的使用優點，必需提供操作壽命長、效率好、對熱應力穩定性高及使用電壓和操作電壓低的器件組件。這類器件組件例如可包含其中實際發光體以分布形式存在的特定的基質材料中。此外，組件可包含阻擋材料，其中空穴阻擋劑、激子阻擋劑和/或電子阻擋劑可存在於器件組件中。額外或作為替換，器件組件可進一步包含空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導體材料和/或電子導體材料。上述用於與實際發光體組合的材料的選擇對包括OLED的效率和壽命的參數具有顯著影響。現有技術提出了許多用於OLED不同層的不同材料。US2005/0238919Al涉及一種包含至少一種含有兩個或更多個珪原子的芳基化合物的有機發光二極體。列舉在US2005/0238919Al中的材料優選用作發光層中的基質材料。包含二甲矽烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並噻吩、二甲矽烷基二苯並磷雜環戊二烯、二甲矽烷基二苯並瘞吩S-氧化物和二甲矽烷基二苯並噻吩S，S-二氧化物或呻唑的有機發光二極體未公開在US2005/0238919Al中，其中當呻唑僅用於發光層或類似地用於發光層和空穴導體層時，其具有至少一個其它雜原子。此外，US2005/0238919Al列舉了大量不同取代的含矽化合物，但是僅有具有下式的式(l-l)和(l-2)的含矽化合物用於本申請的實施例中(1-2)formulaseeoriginaldocumentpage9Tsai等人，Adv.Mater.，2006，第18巻，第9期，第1216-1220頁公開了包含9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲矽烷基)咔唑作為基質材料的有機發藍光二極體。Yang等人，Angew.Chem.2007，119,2470-2473涉及適用於磷光OLED的發藍光的混合型(heteroleptic)銥(III)配合物。在Yang等人的實施例中，除了作為基質材料的9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲矽烷基)咔唑之外，空穴輸送材料和位於空穴導體層和發射體層之間的激子阻擋材料為9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲矽烷基)呼唑。JP2004253298A涉及其中取代的三苯基矽烷用作基質材料的有機發白光二極體。因此，相對於現有技術，本發明的目的為提供包含用於改進OLED性能的新材料的用於OLED的新器件組件。適合新器件組件的材料應該易於獲得，且與發射體組合為OLED帶來良好的效率和良好的壽命。該目的通過提供包含陽極An和陰極Ka和發光層E和合適的話至少一個選自如下的其它層的有機發光二極體而實現至少一個電子/激子阻擋層，至少一個空穴/激子阻擋層，至少一個空穴注入層，至少一個空穴導體層，至少一個電子注入層和至少一個電子導體層，其中有機發光二極體包含至少一種存在於發光層E和/或至少一個其它層中的通式I的化合物(R、>^rW^(Rb)r(i)其中X為NR1、S、O、PR1、S02或SO;W為取代或未取代的CVC2o烷基、取代或未取代的CVC3o芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的C廣C2Q烷基，或取代或未取代的CVC3。芳基，或通式(c)的結構、s,10Ra，Rb各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基，取代或未取代的C6-C30芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取代基C廣C2o烷氧基、C6-C鄧芳氧基、C廣C2o烷石克基、CVC3o芳硫基、SiR14R15R16、囟素基團、卣代C廣C加烷基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(-00(SR14))、羰氧基(-C=0(OR14》、氧羰基(-OCO(R14》、硫羰基(-SC-O(R"))、氨基(國NR"R15)、OH、擬滷素基團、醯胺基(-C-O(NR"))、-NR14C=0(R15)、膦酸根(-P(0)(OR14)2)、磷酸根(-OP(0)(OR14)2)、膦(-PR"R15)、氧化膦(-P(0)R142)、硫酸根(-OS(0)20R")、亞碸(-S(0)R14)、磺酸根(畫S(0)20R14)、磺醯基(-S(0)2R14)、磺醯胺(-S(0)2NR"R15)、N02、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-ONR"R15)、硼烷基團、錫烷基團、肼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞碸亞胺、鋁烷、鍺烷、環硼氧烷(boroxime)和環硼氮坑;R14、R15、R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基，或取代或未取代的C6-C3Q芳基；q、r各自獨立地為0、1、2或3;其中，在q或r為0的情況下，芳基的所有可取代位置由氬取代，其中在式(c)基團中基團和指數X'"、R5"'、R6"'、R7'"、Ra"'、Rb"'、q"'和r"'各自獨立地如對通式(I)的化合物的基團和指數X、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義；其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，在式(I)化合物中基團R1-117，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。通式(I)的化合物易於獲得，且在OLED中使用時，在發光層E中用作基質材料和當其用在OLED的至少一個其它層時，OLED具有良好的效率，並適合於提供具有長壽命的OLED。取決於其取代模式，式(I)化合物可在發光層E中用作基質，用作空穴/激子阻擋劑，用作電子/激子阻擋劑，用作空穴注入材料，用作電子注入材料，用作空穴導體和/或用作電子導體。OLED的對應層是本領域熟練技術人員已知的且例如列舉在WO2005/113704或WO2005/019373中。本發明OLED的結構本發明有機發光二極體(OLED)具有如下結構陽極(An)和陰極(Ka)和配置在陽極(An)和陰極(Ka)之間的發光層E，以及合適的話至少一個選自如下的其它層至少一個電子/激子阻擋層，至少一個空穴/激子阻擋層，至少一個空穴注入層，至少一個空穴導體層，至少一個電子注入層和至少一個電子導體層。另外可行的是將多種上述功能(電子/激子阻擋劑，空穴/激子阻擋劑，空穴注入，空穴傳導、電子注入、電子傳導)組合在一個層中且例如由單種存在於該層中的材料承擔這些功能。在一個實施方案中，用於空穴導體層的材料例如可同時阻擋激子和/或電子。此外，OLED的上述各個層又可由2或更多層形成。空穴導體層例如可由空穴由電極注入其中的層，以及輸送空穴離開空穴注入層，it7v發光層的層形成。電子導體層同樣可由多個層組成，例如其中電子通過電極注入的層，以及從電子注入層接受電子並將其輸送入發光層的層。所述層各自根據諸如能級、耐熱性和電荷栽體的遷移性以及所述各層與有機層或金屬電極之間的能量差而選擇。本領域熟練技術人員能夠選擇OLED的結構，以使它與根據本發明使用的作為發光體物質的有機化合物最優匹配。為了獲得特別有效的OLED,例如當上述層存在於本發明OLED中時，空穴導體層的HOMO(最高佔據分子軌道)應該與陽極的功涵匹配，並且電子導體層的LUMO(最低未佔分子軌道)應該與陰極的功涵匹配。在優選實施方案中，本發明OLED例如可包含如下層1.陽極2.空穴導體層3.發光層4.空穴/激子阻擋層5.電子導體層6.陰極不同於上述構造的層序列也是可行的，且是本領域熟練技術人員已知的。例如OLED可不具有所有上述層；例如，包含層(l)(陽極)、(3)(發光層)和(6)(陰極)的OLED同樣是適合的，在該情況下層(2)(空穴導體層)和(4)(空穴/激子阻擋層)和(5)(電子導體層)的功能由相鄰層承擔。具有層1)、(2)、(3)和(6)或層(1)、(3)、(4)、(5)和(6)的OLED同樣是合適的。此外，OLED可在陽極(l)和空穴導體層(2)之間具有電子/激子阻擋層。陽極(l)是提供正電荷載體的電極。它例如可以由包含金屬、不同金屬的混合物、金屬合金、金屬氧化物或不同金屬氧化物的混合物的材料構成。或者，陽極可以是導電聚合物。合適的金屬包括元素周期表中第Ib、IVa、Va和Via族的金屬以及第Villa族的過渡金屬。如果陽極透明，則通常使用元素周期表(舊IUPAC規則)中第1Ib、IIIb和IVb族的混合金屬氧化物，例如銦-錫氧化物(ITO)。陽極(l)同樣可以包含有機材料，例如聚苯胺，例如如Nature(自然)，第357巻，第477-479頁(1992年6月11日)所述。陽極或陰極中的至少一個應該至少部分是透明的，以允許所產生的光發射出來。用於陽極(l)的材料優選為ITO。用於本發明OLED的層(2)的合適空穴導體材料公開在例如Kirk-Othmer，EncyclopediaofChemicalTechnology(化學技術百科全書),第4版，第18巻，第837-860頁，1996中。空穴輸送分子和聚合物可以用作空穴輸送材料。經常使用的空穴輸送分子選自三[N-(l-萘基)-N-(苯基氨基)三苯基胺(1-NaphDATA)、4，4，-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基聯苯(a-NPD)、N,N，-二苯基陽N，N，-雙(3-曱基苯基)-[l，l，-聯苯卜4，4，-二胺(TPD)、1，1_雙[(二_4-甲苯基氨基)苯基]環己烷(TAPC)、N，N，-雙(4-曱基苯基)-N，N，畫雙(4-乙基苯基)[l，l，-(3,3，-二甲基)聯苯-4，4，-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N，N，N,N，-2，5-苯二胺(PDA)、a-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對-(二乙基氨基)苯曱酪二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、雙[4-(N，N-二乙基狄)-2-曱基苯基]-(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對-(二乙基絲)苯乙烯基-5-對-(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1，2-反式-雙(9H-呼唑-9-基)環丁烷(DCZB)、^^，]\，-四(4-甲基苯基)-(1，1，-聯苯)-4，4，-二胺(TTB)、4,4，，4，，-三(N，N-二苯基^J^)三苯基胺(TDTA)和卟啉化合物以及酞菁，如銅酞胥。常使用的空穴輸送聚合物選自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚矽烷和聚苯胺。同樣還可通過將空穴輸送分子摻雜入聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯來獲得空穴輸送聚合物。合適的空穴輸送分子是上面已經提及的分子。此外，在優選實施方案中，卡賓配合物可用作空穴導體材料，在該情況下所述至少一種空穴導體材料的帶隙通常大於所用發射體材料的帶隙。對本申請而言，帶隙應理解為指三線態能量。合適的卡賓配合物例如為如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2和WO2005/113704和在先歐洲專利申請EP06112228.9和EP06112198.4中所述的卡賓配合物，其在本申請優先4又日還未出版。發光層(3)包含至少一種發射體材料。其原則上可為螢光或磷光發射體，其中合適的發射體材料是本領域熟練技術人員已知的。所述至少一種發射體材料優選為磷光發射體。優選使用的磷光發射體化合物基於金屬配合物，特別是金屬Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物，尤其是Ir的配合物，其具有重要性。根據本發明使用的式I化合物特別適合與這類金屬配合物一起使用。在優選實施方案中，式(I)化合物用作基質材料和/或空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料。它們尤其適合與Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物一起，更優選與Ir的配合物一起用作基質材料和/或空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料。適用於本發明OLED的金屬配合物例如描述在文獻WO02/60910Al、US2001/0015432Al、US2001/0019782Al、US2002/0055014Al、US2002/0024293Al、US2002/0048689Al、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453Al、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512Al、WO02/15645Al、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301Al、14WO2006/067074Al和WO2006/056418中。其它合適的金屬配合物為市售金屬配合物三(2-苯基吡咬)銥(ni)、三(2-(4-甲苯基)吡啶-N，c2，)銥(in)、三(l-苯基異全啉)銥(III)、二(2-(2，-苯並噻吩)吡啶-N,C3，)(乙醯基丙酮根合)銥(III)、銥(III)二(2-(4，6-二氟苯基)p比咬-N,C"吡啶曱酸、銥(III)二(l-苯基異奮啉)(乙醯丙酮化物)、銥(III)二(二苯並[f，h喹喔啉)(乙醯丙酮化物)、銥(III)二(2-甲基二苯並[f，h喹喔啉)(乙醯丙酮化物)和三(3-甲基-l-苯基-4-三甲基乙醯基-5-吡峻啉)鋱(111)。此外，如下市售材料也是合適的三(二苯甲醯基丙酮根合)單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲醯基甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯曱醯基曱烷)單(5-氨基菲咯啉)銪(ni)、三(二-2-萘甲醯基甲烷)單(菲咯啉)銪(III)、三(4-溴苯甲醯基曱烷)單(菲咯啉)銪(m)、三(二(二苯基甲烷))單(菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲醯基曱烷)單(4，7-二苯基菲咯啉)銪(III)、三(二苯甲醯基甲烷)單(4，7-二甲基菲咯啉)銪(ni)、三(二苯甲醯基甲烷)單(4，7-二甲基菲咯啉二磺酸)銪(III)二鈉鹽、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲醯基曱烷)j單(菲咯啉)銪(II1)和三[二4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲醯基甲烷)單(5-氨基菲咯啉)銪(111)。特別優選的三線態發射體為卡賓配合物。在本發明的優選實施方案中，式(I)化合物在發光層中與作為三線態發射體的卡賓配合物一起用作基質材料。合適的卡賓配合物是本領域熟練技術人員已知的且列舉在某些上述申請和下文中。在另一優選實施方案中，將式(I)化合物與作為三線態發射體的卡賓配合物一起用作空穴/激子阻擋材料。式(I)化合物可額外與作為三線態發射體的卡賓配合物一起同時用作基質材料和空穴/激子阻擋材料。因此，適用於與式I化合物一起在OLED中用作基質材料和/或空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料的合適的金屬配合物也例如為如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2和WO2005/113704和在先歐洲申請EP06112228.9和EP06112198.4中所述的卡賓配合物，其在本申請優先權日還未公開。此處明確參考所述WO和EP申請的公開內容，且應將這些公開內容合併入本申請的內容。空穴/激子阻擋層(4)通常可包含用於OLED中的空穴阻擋材料，如2，9-二甲基-4，7-二苯基-l，10-菲咯啉(bathocuproin,(BCP))、二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-苯基苯代)鋁(III)(BAIq)、吩瘞溱S，S-二氧化物衍生物和1，3，5-三(N-苯基-2-千基咪唑)-苯(TPBI)，其中TPBI也適合作為電子導體材料。在另一實施方案中，如WO2006/100298所公開的包含經由含羰基的基團鍵接的芳族或雜芳族環的化合物可用作空穴/激子阻擋層(4)或在發光層(3)中用作基質材料。此外，空穴/激子阻擋層可包含通式(I)的化合物，在該情況下優選適用作空穴阻擋/激子阻擋材料的式(I)化合物如下所述。在優選實施方案中，本發明涉及一種包含層(l)陽極、(2)空穴導體層、(3)發光層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導體層和(6)陰極，以及合適的話其它層的本發明OLED，其中空穴/激子阻擋層包含至少一種式(I)化合物。在另一優選實施方案中，本發明涉及一種包含層(l)陽極、(2)空穴導體層、(3)發光層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導體層和(6)陰極，以及合適的話其它層的本發明OLED，其中發光層(3)包含至少一種式(I)化合物，以及空穴/激子阻擋層包含至少一種式(I)化合物。在另一實施方案中，本發明涉及一種包含層(l)陽極、(2)空穴導體層和/或(2，)電子/激子阻擋層(OLED可包含層(2)和(2，)兩者，或層(2)或層(2，)之一)、(3)發光層、(4)空穴/激子阻擋層、(5)電子導體層和(6)陰極，以及合適的話其它層的本發明OLED,其中電子/激子阻擋層和/或空穴導體層和合適的話發光層(3)包含至少一種式(I)化合物。適用於本發明OLED的層(5)的電子導體材料包括與下列物質螯合的金屬oxinoid化合物，例如2，2，，2"-(l，3，5-亞苯基)三[l-苯基-lH-苯並咪哇(TPBI)、三(8-羥基喹樹艮合)鋁(Alq3)，基於菲咯啉的化合物，例如2，9-二曱基-4，7-二苯基-l，10-菲咯啉(DDPA-BCP)或4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)以及唑類化合物，例如2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，47惡二唑(PBD)和3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-l，2，4-三唑(TAZ)。層(5)可以有助於電子傳輸或用作緩衝層或阻擋層，以避免OLED各層的界面處的激子的淬滅。層(5)優選改進電子的遷移性和降低激子的淬滅。在優選實施方案中，將TPBI用作電子導體材料。在上述作為空穴導體材料和電子導體材料的材料中，一些可以發揮多種功能。例如，一些具有低HOMO的電子導電材料同時作為空穴阻擋材料。它們例如可用在空穴/激子阻擋層(4)中。然而，作為空穴/激子阻擋劑的功能同樣也可由層(5)承擔，這樣可省略層(4)。電荷輸送層也可以電子摻雜，以改進所用材料的輸送性能，以首先使層厚度更大(避免針孔/短路)，其次將器件的操作電壓降至最低。例如，空穴導體材料可以摻雜電子受體；酞菁或芳基胺如TPD或TDTA例如可以摻雜四氟四^Jj^r啉二甲烷(F4-TCNQ)。電子導體材料例如可以摻雜鹼金屬，例如Alq3可以摻雜鋰。電子摻雜對於本領域熟練技術人員而言是已知的，並且例如公開於W.Gao，A.Kahn,J.Appl.Phys.，第94巻，第1期，2003年7月1日(p摻雜的有機層)；A.G.Werner，F丄i，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz,K.Leo，Appl.Phys.Lett.,第82巻，第25期，2003年6月23日和Pfeiffer等人，OrganicElectronics2003，4,89-103中。陰極(6)是用於引入電子或負電荷載體的電極。用於陰極的合適材料選自元素周期表(舊IUPAC規則)第Ia族的鹼金屬，例如Li、Cs，第IIa族的鹼土金屬如4丐、鋇或鎂，第IIb族金屬，包括鑭系金屬和僻系金屬如釤。此外，還可以使用諸如鋁或銦的金屬以及所有所述金屬的組合。另外，含鋰的有機金屬化合物或LiF可應用於有機層和陰極之間，以降低操作電壓。本發明的OLED可額外包含本領域熟練技術人員已知的其它層。例如，發光層(3)之間。或者，該額外層可用作保護層。以類似方式，在發光層(3)和層(4)之間可以存在額外的層，以有助於負電荷的傳輸和/或使各層的帶隙相互匹配。或者，該層可用作保護層。在優選實施方案中，本發明OLED除了層(l)-(6)之外還包含下列其它層中的至少一層-陽極(1)和空穴輸送層(2)之間的空穴注入層；-空穴輸送層(2)和發光層(3)之間的電子阻擋層；-電子輸送層(5)和陰極(6)之間的電子注入層。本領域熟練技術人員熟悉如何選擇合適的材料(例如基於電化學研17究)。用於各層的合適材料對於本領域熟練技術人員而言是已知的，並且例如>^開於WO00/70655中。此外，用於本發明OLED中的一些層可以進行表面處理，以增加電荷栽體輸送的效率。用於所述層的每一層的材料的選擇優選以為了獲得具有高效率和壽命的OLED而確定。本發明OLED可以通過本領域熟練技術人員已知的方法來生產。通常而言，本發明OLED通過將各層依次蒸氣沉積在合適的基材上而製備。合適的基材例如為玻璃、無機半導體或聚合物薄膜。對於蒸氣沉積，可以使用常規技術如熱蒸發、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和其它4支術。在另一方法中，OLED的有機層可以使用本領域熟練技術人員已知的塗敷技術由在合適溶劑中的溶液或M體塗敷。通常而言，不同層具有下列厚度陽極(l)50-500nm，優選100-200nm;空導體層(2)5-100nm，優選20-80nm，發光層(3)1-100nm，優選10-80nm;空穴/激子阻擋層(4)2-100nm，優選5-50nm;電子輸送層(5)5-100nm，優選20-80nm;陰極(6)20-1000nm，優選30-500nm。本發明OLED中的空穴和電子的複合區的相對於陰極的位置和因此的OLED的發射光譜尤其可受到各層的相對厚度的影響。這意味著電子輸送層的厚度的選擇優選應使複合區的位置與二極體的光學共振性能並因此與發射體的發射波長相匹配。OLED中各層的層厚的比例取決於所用材料。使用的任何額外層的層厚對於本領域的技術人員而言是已知的。電子導體層和/或空穴導體層可具有比當它們電子摻雜時規定的層厚大的厚度。根據本發明，任選存在於本發明OLED中的發光層E和/或至少一個其它層包含至少一種通式(I)的化合物。當所述至少一種通式(I)的化合物作為基質材料存在於發光層E中時，所述至少一種通式(I)的化合物在每種情況下可單獨或與至少一種適合相應層的其它上述材料一起用於所述至少一個本發明OLED的其它層中。取代或未取代的d-C2o烷基應理解為指具有1-20個碳原子的烷基。優選d-Cn)烷基，特別優選d-C6烷基。烷基可為直鏈或支化或環狀的，其中在環狀烷基的情況下烷基具有至少3個碳原子。此外，烷基可被一個或18多個選自如下的取代基取代C廣C2o烷氧基，卣素，優選F,以及CVC30芳基，其又可以是取代或未取代的。合適的芳基取代基和合適的烷氧基和囟素取代基如下所述。合適的烷基的實例為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基和辛基，以及由CVC30芳基、C廣C20烷氧基和/或囟素，特別是F,取代的所述烷基的衍生物，例如CF3。還包括所述基團的正異構體，以及支化異構體如異丙基、異丁基、異戊基、仲丁基、叔丁基、新戊基、3，3-二曱基丁基、3-乙基己基等。優選烷基為曱基、乙基、叔丁基和CF3。例為環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基和環癸基。合適的話環體系也可為多環體系如十氫化萘基、降冰片烷基、莰烷基或金剛烷基。合適的C廣C20烷氧基和d-C20烷硫勤目應衍生於上述C廣C2。烷基。此處，實例包括OCH3、OC2H5、OC3H7、OdH9和OC8H17，以及SCH3、SC2H5、SC3H7、SC4l9和SC8H17。C3H7、<:4119和CsHn應理解為指正異構體和支化異構體二者如異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基和2-乙基己基。特別優選的烷氧基或烷硫基為甲氧基、乙氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基和SCH3。對本申請而言，合適的卣素基團或卣素取代基為氟、氯、溴和碘，優選氟、氯和溴，更優選氟和氯，最優選氟。對本申請而言，合適的擬卣素基團為CN、SCN、OCN、N3和SeCN,其中優選CN和SCN。非常特別優選CN。在本發明中，c6-c3。芳基指衍生自不含任何環雜原子的單環、雙環或三環芳烴的基團。當體系不是單環體系時，術語芳基中的第二環也可以為飽和形式(全氫化形式)或部分不飽和形式(例如二氫化形式或四氫化形式)，其條件是具體形式已知且穩定。換言之，在本發明中術語芳基例如還包括其中兩個或所有三個基團均為芳族的雙環或三環基團，以及其中僅有一個環為芳族的雙環或三環基團，以及其中兩個環為芳族的三環基團。芳基的實例為苯基、萘基、2,3-二氫化茚基、1,2-二氫萘次曱基、1，4-二氫萘次甲基、茚基、蒽基、菲基或1，2，3，4-四氫萘基。特別優選C6-d。芳基，例如苯基或萘基，非常特別優選C6芳基如苯基。C6-C3o芳基可以是未取代的或被一個或多個其它基團取代。合適的其它基團選自d-C2。烷基、CVC30芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中具有給體或受體作用的合適取代基如下所述。C6-C30芳基優選未取代或被一個或多個d-C2o烷氧基、CN、CF3、F或M(NR"R15，其中合適的R"和Ri5基團如上所述)取代。C6-Qjo芳基的其它優選取代基取決於通式(I)的化合物的最終用途且如下所述。合適的CVC30芳氧基、C6-C30烷硫勤目應衍生於上述CVC30芳基。特別優選苯氧基和苯硫基。具有5-30個環原子的未取代或取代的雜芳基應理解為指部分衍生於上述芳基的單環、雙環或三環雜芳族基團，其中^f出芳基結構中的至少一個碳原子被雜原子替代。優選雜原子為N、O和S。雜芳基更優選具有5-13個環原子。特別優選雜芳基的基礎結構選自如下體系如吡啶和五元雜芳族化合物如漆酚、吡咯、咪哇或呔喃。該基礎結構可任選與一個或兩個六元芳基稠合。合適的稠合的雜芳基為咔唑基、苯並咪唑基、苯並呋喃基、二苯並呋喃基或二苯並噻吩基。基礎結構在一個可被取代的位置，或者在多於一個或所有可被取代的位置被取代，其中合適的取代基與在定義C6-C3Q芳基時描述的取代勤目同。然而，雜芳基優選未被取代。合適的雜芳基例如為吡咬-2-基、吡p定-3-基、吡啶-4-基、噻酚-2-基、蓉酚-3-基、吡咯-2-基、吡咯-3-基、呋喃-2-基、呋喃-3-基和咪唑-2-基，以及相應的苯並稠合基團，特別是咔唑基、苯並咪唑基、苯並呋喃基、二苯並呋喃基或二苯並塞吩基。對本申請而言，具有給體或受體作用的基團應理解為指如下基團C廣C20烷氧基、C6-C30芳氧基、d-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR14R15R16、卣素基團、卣代d-C2o烷基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(-C=0(SR14))、羰氧基(-C二O(OR"))、氧羰基(-(XX)(R14))、硫羰基(-SC=0(R14))、絲(-NR"R15)、OH、擬閨素基團、醯胺基(-C-O(NR"))、-NR"00(R15)、膦酸根(-P(0)(OR14)2)、磷酸根(-OP(0)(OR14)2)、膦(-PR"R15)、氧化膦(-P(0)R142)、硫酸根(-OS(0)20R14)、亞碸(S(0)R14)、磺酸根(-S(0)20R14)、磺醯基(-S(OhR14)、磺醯胺(-S(0)2NR"R15)、N02、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞絲(-C-NR"R15)、硼烷基團、錫烷基團、肼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、硼酸基、亞碸亞胺、鋁烷、鍺烷、環硼氧烷(boroxime)和環硼氮烷。優選的具有給體或受體作用的取代基選自C廣C2o烷氧基，優選C廣C6烷氧基，更優選乙氧基或甲氧基；C6-C30芳氧基，優選C6-C10芳氧基，更優選苯氧基；SiR"R15R16，其中R14、R15和R"優選各自獨立地為取代或未取代的烷基或取代或未取代的苯基；基團R14、R"或R"中至少一個更優選為取代或未取代的苯基；R14、R"和R"中至少一個最優選為取代的笨基，其中合適的取代基如上所述；滷素基團，優選F、Cl、Br，更優選F或C1，最優選F、卣代C廣C加烷基，優選卣代C廣C6烷基，最優選氟代C廣C6烷基，如CF3、CH2F、CHF2或C2Fs;氨基，優選二甲基氨基、二乙基氨基或二苯基氨基；OH、擬滷素基團，優選CN、SCN或OCN，更優選CN、《(0)0(:1-<:4烷基，優選-C(O)OMe、P(0)R2，優選P(0)Ph2，或S02R2，優選S02Ph。非常特別優選的具有給體或受體作用的取代基選自如下甲氧基、苯氧基、滷代C廣C4烷基，優選CF"CH2F、CHF2、C2F5、滷素，優選F、CN，其中合適的R14、R"和R"基團已經被提及的SiR14R15R16，二苯基氨基、-<:(0)0(:1-0:4烷基，優選一C(O)OMe、P(0)Ph2、S02Ph。上述具有給體或受體作用的基團並沒有排除也可具有給體或受體作用的其它上述基團的可能性。例如，上述雜芳基同樣為具有給體或受體作用的基團，而d-C20烷基為具有給體作用的基團。在上述具有給體或受體作用的基團中提及的基團R14、R"和R"各自如上文所定義，即R14、R"和R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2。烷基或取代或未取代的C6-C30芳基，其中合適且優選的烷基和芳基如上所述。基團R14、R"和R"更優選為Q-C6烷基如甲基、乙基或異丙基，苯基。在一個優選的實施方案中-在SiR14R15R16情況下-R14、R"和R"優選各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基或取代或未取代的苯基；基團R14、R^和R"中至少一個更優選為取代或未取代的苯基；基團R14、R"和R"中至少一個最優選為取代的苯基，其中合適取代基已在上文描述。額外用於本申請的術語"給電子取代基"和"吸電子取代基"為具有給體作用(給電子取代基)或具有受體作用(吸電子取代基)的取代基。因此，合適的給電子取代基和吸電子取代基為如上所述的具有給體或受體作用的取代基。式(I)化合物式(I)化合物為其中基團和指數各自如下所定義的二甲矽烷基化合物X為NR1、S、O、PR1、S02或SO;優選NR1、S或O;W為取代或未取代的C廣C20烷基、取代或未取代的CVC30芳基、或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基；優選取代或未取代的CrC20烷基或取代或未取代的CVC30芳基，更優選取代或未取代的CVdo芳基或未取代的d-C2。烷基，最優選取代或未取代的苯基，其中合適的的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基或取代或未取代的C6-C3。芳基或通式(c)的結構；基團R2、！^和R"中至少一個和/或基團R5、116和117中至少一個優選為取代或未取代的C6-C鄧芳基，更優選取代或未取代的CVd。芳基，最優選取代或未取代的苯基，其中合適的取代基如上所述，和/或基團R2、113和114中一個和/或基團R5、！^和R"中一個為結構(c)的基團；Ra、Rb各自獨立地為取代或未取代的Q-C2o烷基、取代或未取代的C6-C3o芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適且優選的具有給體或受體作用的取代基如上所述；R14、R15、R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基或取代或未取代的C6-C30芳基，優選取代或未取代的d-C6烷基或取代或未取代的C6-C10芳基，其中R14、R"和R"更優選各自獨立地為取代或未取代的C廣C20烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少22一個為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；q、r各自獨立地為0、1、2或3，優選為0,其中當q或r為0時，芳基的所有可取代位置帶有氫原子。在一個實施方案中，本發明涉及一種本發明有機發光二極體，其中在通式I化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，式(I)化合物中基團Ri-R7，Ra和Rb中至少一個包含至少一個雜原子。優選的雜原子為N、Si、滷素，特別是F或C1，O，S或P。所述雜原子可以基團RLR7、Ra或Rb中至少一個的取代基形式或以取代基一部分的形式存在或在基團RLR7、Ra或Rb中至少一個的基礎骨架中存在。合適的取代基或基礎骨架對本領域熟練技術人員已知並且在基團RLR7、Ra或Rb的定義下描述。本發明的一個優選實施方案涉及一種其中式(I)化合物中的基團R2、R3和R4中至少一個和/或基團R5、議6和R7中至少一個為取代或未取代的C6-C3o芳基的本發明有機發光二極體。優選的芳基及其取代基已在上文描述。本發明的另一實施方案涉及一種其中通式(I)的化合物為通式(Ia)的3，6-二曱矽烷基取代的化合物的本發明有機發光二極體(Ia)其中X為NR1、S、O、PR1、S02或SO;優選NR1、S或O;更優選NI^;R'為取代或未取代的CrC2。烷基、取代或未取代的C6-Qj芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基；優選取代或未取代的C6-C30芳基或取代或未取代的d-C20烷基，更優選取代或未取代的CVdo芳基或未被取代的d-C2。烷基，最優選取代或未取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基或取代或未取代的C6-C3o芳基或通式(c)的結構；基團R2、113和114中至少一個和/或基團R5、116和117中至少一個優選為取代或未取代的C6-C30芳基，更優選取代或未取代的C6-do芳基，最優選取代或未取代的苯基，其中合適的取代基如上所述，和/或基團R2、R"和I^中一個和/或基團R5、B^和R"中一個為結構(c)的基團；R8、R9、R1G、R11、R12、R"各自獨立地為氫或如對113和Rb所定義，即各自獨立地為取代或未取代的d-C20烷基、取代或未取代的CVC3C芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上所述；優選氫，取代或未取代的C廣C6烷基、取代或未取代的CVdo芳基或SiR14R15R16;更優選氫、甲基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16，其中R14、R"和R16優選各自獨立地為取代或未取代的C,-C20烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；且其它基團和指數R14、R15、R"各自如上所定義；其中在通式I化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，式(i)化合物中基團rLr7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。在特別優選的實施方案中，用於本發明有機發光二極體中的式(I)化合物對基團R"-R7、Ra和Rb和基團X具有如下定義X為NR1;Ri為取代或未取代的C6-C3。芳基或取代或未取代具有5-30個環原子的雜芳基，優選取代或未取代的C6-Cjo芳基，更優選取代或未取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基或取代或未取代的CVC30芳基，或通式(c)的結構，優選各自獨立地為取代或未取代的CrC6烷基或取代或未取代的C6-do芳基，更優選取代或未取代的Q-C6烷基或取代或未取代的苯基；其中，在一個實施方案中，基團R2、113和R4中至少一個和/或基團R5、議6和R7中至少一個為取代或未取代的C6-C30芳基，優選取代或未取代的CVd。芳基，更優選取代或未取代的苯基，其中優選的取代基如上所述；R8、R9、R1G、R11、R12、R"各自獨立地為氫或各自如對Ra和Rb所定義，即各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上所述；優選氫，取代或未取代的d-C6烷基、取代或未取代的C6-C1芳基或SiR14R15R16;更優選氫、曱基、乙基、苯基、CF3或SiR"R^R";R14、R15、R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基或取代或未取代的C6-C鄧芳基，優選取代或未取代的C廣C6烷基或取代或未取代的C6-C10芳基，其中R14、R"和R"更優選各自獨立地為取代或未取代的CVC20烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R"和R"至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述；其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中的情況下，式(I)化合物中基團RLR7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。優選的用於本發明OLED中的式(I)化合物如下所詳述i)優選的式(I)化合物，其中X為NRi或PR、優選的咔唑衍生物(X:NR1)詳述在下文中)。^^發明同樣包括其中在下式中的N由P替換的那些化合物(X二PR1》ia)式(I)化合物，更優選適合作為基質和/或電子/激子阻擋劑25formulaseeoriginaldocumentpage26formulaseeoriginaldocumentpage27formulaseeoriginaldocumentpage28formulaseeoriginaldocumentpage29formulaseeoriginaldocumentpage30ic)式(I)化合物，更優選適合作為基質:formulaseeoriginaldocumentpage30id)其它優選的式(I)化合物，其更優選適用作基質和/或空穴/激子阻擋劑和/或電子/激子阻擋劑formulaseeoriginaldocumentpage31formulaseeoriginaldocumentpage32formulaseeoriginaldocumentpage33formulaseeoriginaldocumentpage34formulaseeoriginaldocumentpage35formulaseeoriginaldocumentpage36formulaseeoriginaldocumentpage37formulaseeoriginaldocumentpage38formulaseeoriginaldocumentpage39在iia)和iib)下所列舉的式中，X優選為O、S、SO或S02。在另一優選實施方案中，本發明涉及一種其中使用式(I)化合物的有機發光二極體，其中基團R1和/或基團112、113和114中至少一個和/或基團R5、W和R7中至少一個獨立地為下式的取代或未取代的C6芳基其中P為0、1、2、3、4或5，優選0、1、2或3,更優選0、1或2;R"為氫，取代或未取代的CVC2o烷基、取代或未取代的CVC3o芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，其中合適的具有給體或受體作用的取代基如上所述，或通式a或b的基團X，為N或P，和基團和指數X"、r2'、r3、r4、r5，、r5、r6、r6"、r7，、r7"、ra、Ra"、Rb'、Rb"、q，、q"、r，和r"各自獨立地如對基團和指數X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義；或基團r2、W和i^之一和/或基團r5、W和i^之一為通式c的基團其中基團和指數X"'、R5，，，、R6，，，、r7，"、Ra，"、Rb，"、q"'和r"'各自獨立地如對基團和指數X、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義。優選的基團R"選自氯，取代或未取代的d-C6烷基，取代或未取代的CVdo芳基，取代或未取代的具有5-13個環原子的雜芳基，優選咔唑基，選自下列的具有給體或受體作用的取代基d-C2o烷氧基，優選d-C6烷氧基，更優選乙氧基或甲氧基；CVC3o芳氧基，優選C6-do芳氧基，更優選苯氧基；SiR14R15R16;滷素基團，優選F、Cl、Br，更優選F或C1，最優選F、卣代C,-C2o烷基，優選卣代d-C6烷基，最優選氟代d-C6烷基，如CF"CH2F、CHF2或C2Fs;#J^，優選二曱基氨基、二乙基#^或二苯基氨基，更優選二苯基氨基；OH，擬滷素基團，優選CN、SCN或OCN,更優選CN;C(0)OC!畫C4烷基，優選一C(O)OMe、P(0)Ph2、S02Ph,其中R14、R"和R"各自獨立地為取代或未取代的CrC6烷基或取代或未取代的CVdo芳基，且在SiR"R"R"的情況下，優選各自獨立地為取代或未40取代的C廣C20烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R15和R"中至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述。更優選的是，基團R"各自獨立地選自甲氧基、苯氧基、未取代的d-C4烷基，優選曱基、卣代C廣C4烷基，優選CF3、CHF2、CH2F、C2F5、CN、卣素，優選F、-C(0)0誦C廣C4烷基，優選-C(O)OMe、P(0)Ph2，以及取代或未取代的具有5-13個環原子的雜芳基，優選咔唑基，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，式(I)化合物中基團!^-R7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。在本發明的另一實施方案中，在式(I)化合物中指數r和q各自為0，即芳基的所有可取代位帶有氫原子。對所有其它基團和指數而言，適用上述定義。根據本發明使用的式(I)化合物可用於本發明有機發光二極體的不同層中，其中在本發明OLED中合適且優選的層序列如上所述。在一個實施方案中，本發明涉及其中式(I)化合物在發光層E中用作基質的有機發光二極體，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NW的情況下，式(I)化合物中基團R、R7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。在另一實施方案中，本發明涉及其中式(I)化合物在電子阻擋層中用作電子/激子阻擋劑和/或用在空穴注入層和/或用在空穴導體層中的本發明有機發光二極體，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，式(I)化合物中基團！^-R7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。式(I)化合物同樣可額外存在於發光層E和/或一個或多個下述層中。在另一實施方案中，本發明涉及其中式(I)化合物在空穴阻擋層中用作空穴/激子阻擋劑和/或用在電子注入層和/或用在電子導體層中的本發明有機發光二極體。式(I)化合物同樣可額外存在於發光層E和/或一個或多個上述層中。取決於其中使用式(I)化合物的層，式(I)化合具有不同優選的R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Ra和Rb基團和不同的X基團。除了其中式(I)化合物可用於本發明OLED中的層的功能之外，式(I)化合物的R、R7、Ra和Rb基團和X基團額外取決於用於本發明OLED中特定層的電子性能(HOMO和LUMO的相對位置)。因此，可藉助對式(I)化合物的合適取代來調整HOMO和LUMO軌道位置以適應在本發明OLED中j吏用的其他層並由此實現OLED的高穩定性以及由此實現長的操作壽命和良好的效率。關於OLED各層中HOMO與LUMO相對位置的原理對本領域熟練技術人員是已知的。例如關於與發光層相關的電子阻擋層和空穴阻擋層的特性在下文詳述在能量上，電子阻擋層的LUMO高於發光層中所用材料(使用的發射體材料和任何基質材料)的LUMO。電子阻擋層與發光層中材料的LUMO差越大，電子阻擋層的電子和/或激子阻擋特性越好。因此，適合作為6匕月匕中所用材料的電子性能(尤其是LUMO位置)在內的因素。在能量上，電子阻擋層的HOMO高於發光層中存在材料(存在的發射體材料和任何基質材料)的HOMO。空穴阻擋層與發光層中存在的材料的HOMO能量差越大，空穴阻擋層的空穴和/或激子阻擋特性越好。因此，適合作為空穴和/或激子阻擋材料的式(I)化合物的合適取代方式取決於包括發光層中存在材料的電子性肯fe(尤其是HOMO位置)在內的因素。涉及本發明OLED中使用的不同層的HOMO與LUMO相對位置的層。式(I)化合物的優選合適基團R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Ra和R13取決於其在本發明OLED不同層中的用途而在下文描述。需指出的是除了如下所述的那些外，對式(I)化合物的取代原則上可適合用於不同層中，這取決於OLED其他層的電性能，特別是發光層的電子性能。掙^if合^f發龍^五^^^差者#辨及適合^亍^於膽潛產、^^^入^和/4^^導體i哞的遽式(7，^合#42本發明的優選實施方案涉及一種有機發光二極體，其中將式(I)化合物用於電子阻擋層、空穴注入層和/或空穴導體層和/或用於發光層E中作為基質材料。可在上述層中至少一層使用的優選的式(I)化合物具有至少一個基團R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7，其為取代或未取代的d-C2。烷基、具有5-30個環原子的雜芳基、被至少一個具有給體作用的取代基取代的C6-C30芳基、被具有5-30個環原子的雜芳基取代的C6-C3o芳基或具有給體作用的取代基或在R2、R3、R4、R5、W或RM青況下為氫，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，式(I)化合物中基團R匸R7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。C廣C6烷基，優選甲基，取代和未取代的CVdo芳基，具有5-30個環原子的取代和未取代的富電子雜芳基，優選選自咔唑基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、巧悉唑基、蓬吩基，優選啼唑基、吡咯基和噻吩基，更優選呻唑基、C,-C20烷氧基，優選C,-C6烷氧基，更優選甲氧基和乙氧基，C6-C30芳氧基，優選C6-d。芳氧基，更優選苯氧基，C廣C2Q烷硫基，優選C廣C6烷硫基，更優選-SCH3，CVC30芳硫基，優選CVdo芳硫基，更優選-SPh，F，SiR14R15R16，其中R14、R"和R"優選為給體取代的苯基，氨基(-NR"R15)，優選二苯基氨基，膦(-PR"R15)，肼基，OH，給體取代的乙烯基，其中R14、R"和R"各自如上文定義並且優選為給體取代的苯基。非常特別優選的具有給體作用的取代基選自二苯基氨基、咔唑基、甲氧基、苯氧基，其中尤其非常特別優選甲氧基和咔唑基。在上述層中4吏用的至少一個基團更優選為^L至少一個具有給體作用的取代基和/或至少一個具有5-30個環原子的雜芳基取代的下式(d)的C6芳基formulaseeoriginaldocumentpage43其中P，為1、2、3、4或5,優選l、2或3,更優選1或2，和R"在每種情況下獨立地為取代或未取代的d-C6烷基，優選甲基，取代或未取代的CVd芳基，d-C20烷氧基，優選C廣C6烷氧基，更優選曱氧基和乙lL^，CVC3o芳氧基，優選Crdo芳絲，更優選苯氧基，C廣C2o烷石克基，優選C廣C6烷硫基，更優選-SCBb，C6-C30芳硫基，優選CVdo芳硫基，更優選-SPh,SiR14R15R16，其中R14、R15和R16各自如上文定義並且優選各自為給體取代的苯基，M(-NR"R15)，優選二苯基氨基，醯胺基(-NR"(00(R15)))，膦(-PR"R15)，肼基，OH，給體取代的乙烯基，其中R14、R"和R16各自如上文定義並且優選為g取代的苯基，或者R"為具有5-30個環原子的取代或未取代的富電子雜芳基，優選選自呻哇基、吡咯基、咪哇基、吡峻基、三喳基、，瑪唑基、漆吩基，更優選啼唑基、吡咯基和蓬吩基。優選的基團R"選自甲氧基、乙氧基、苯氧基，其中尤其非常特別優選曱氧基，以及啼唑基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、嗜、唑基和噻吩基，其中非常特別優選甲氧基、苯氧基、咔唑基和NR"R15，其中R"和r"各自為苯基或甲苯基。在上述層中使用的式(i)化合物更優選具有至少一個選自下列基團的基團r1、r2、r3、r4、r5、rIr7:在優選實施方案中，至少一個基團RJ為被至少一個具有給體作用的取代基和/或至少一個具有5-30個環原子的雜芳基取代的式(d)的C6芳基；和基團R2、R3、R4、R5、116和117優選各自為苯基、甲基或甲氧基-或苯氧基取代的苯基。^(7」必合參^發乂i五尹^^^"#^和/戎在^^膽潛層、鬯子S入i;^/成'冶f^伴^f時^途本發明進一步涉及一種本發明有機發光二極體，其中至少一種式(I)化合物存在於至少一層選自發光層E中、空穴阻斷層、電子注入層和電子導體層的層中。在上述層中使用的優選的式(I)化合物具有至少一個基團R1、R2、R3、R4、R5、W或R7,其為被至少一個具有受體作用的取代基(吸電子基團)取代的C廣C2。烷基、被至少一個具有受體作用的取代基取代的CVC30芳基、被至少一個具有5-30個環原子的雜芳基取代的C6-C3o芳基或具有受體作用的取代基。合適的具有受體作用的取代基(吸電子基團)選自具有5-30個環原子的貧電子雜芳基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(-C=0(SR14))、羰氧基(-C二O(OR"))、氧羰基(-OOO(R14》、硫羰基(-SOO(R14))、OH、滷素、滷代C廣C2o烷基、擬滷素基團、醯胺基(-00(NR14))、膦酸根(-P(0)(OR14)2)、磷酸根(-OP(0)(OR14)2)、氧化膦(-P(0)R"R15)、磺醯基(-S(0)2R14)、磺酸根(-S(0)2OR14)、硫酸根(-OS(0)2OR14)、亞碸(-S(O)R14)、磺醯胺(-S(0)2NR14R15)、N02、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C二NR"R15)、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、亞碸亞胺、SiR14R15R16、硼烷基團、錫烷基團、受體取代的乙烯基、環硼氧烷(boroxine)和環硼氮烷，其中R14、R15和R"各自為取代或未取代的C廣C20烷基，優選取代或未取代的d-C6烷基或取代或未取代的CVC3o芳基，優選取代或未取代的CVQo芳基。優選的具有受體作用的取代基選自卣素，優選F，卣代烷基，優選CF"CH2F、CHF2、C2F5、C3F3H4，擬鹵素，優選CN,羰氧基(畫OO(OR"))，優選-C^O(OCH3),氧化膦，優選P(0)Ph2及磺醯基，優選S(0)2Ph2。在上述層中使用的至少一個基團更優選為下式(e)的取代的C6芳基其中:p，,為1、2、3、4或5，優選l、2或3，更優選1或2;和R19為羰基(-CO(R14))、羰硫基(-C二0(SR14))、羰氧基(-C:O(OR"))、氧羰基(-OC-O(R"))、硫羰基(-SC-O(R"))、OH、滷素、滷代C廣C20烷基、擬滷素基團、醯胺基(-C^O(NR14))、膦酸根(-P(0)(OR14)2)、磷酸根(畫OP(0)(OR14)2)、氧化膦(畫P(0)R"R15)、磺醯基(畫S(0)2R")、磺酸根(-S(0)20R14)、硫酸根(-OS(0)20R14)、亞碸(-S(O)R")、磺醯胺(-S(OhNR"R15)、N02、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C=NR14R15)、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、亞碸亞胺、SiR14R15R16、硼烷基團、錫烷基團、受^代的乙烯基、環硼氧烷和環硼氮烷，其中R14、1115和R"各自為取代或未取代的d-C2o烷基，優選取代或未取代的d-C6烷基，或取代或未取代的C6-C30芳基，優選取代或未取代的CVCu)芳基；優選卣素，優選F，卣代烷基，優選CF3、CH2F、CHF2、C2Fs或C3F3H4，擬卣素，優選CN，羰氧基(-00(OR14)),優選-C二O(OCH;j)，氧化膦，優選P(0)Ph2及磺醯基，優選S(0)2Ph2;或者R"為具有5-30個環原子的取代或未取代的貧電子雜芳基，優選選自吡咬、嘧口定和三-秦基團。在上述層中使用的式(I)化合物更優選具有至少一個選自如下基團的基團R1、R2、R3、R4、R5、R6或R7:47浙務橫凝本^:效炎^^式")式(I)化合物原則上可通過本領域熟練技術人員已知的方法製備；例如式(I)的^t唑(X-NR"可通過將二苯胺(或其適當取代的衍生物)氧化閉環並且合適的話例如在氮上隨後取代而熱或光化學製備。此外，式(I)的咔唑可通過氧化由適當取代的四氫^唑獲得。典型的^唑合成為Borsche-Drechsel環化(Borsche，Ann.,359，49(1908);Drechsel,J.prakt.Chem.，[2]，38，69,1888)。上述四氫呻唑可通過本領域熟練技術人員已知的方法，例如通過將合適的話適當取代的苯肼與合適的話適當取代的環己酮縮合獲得相應亞胺而製備。在隨後步驟中，進行酸催化重排和閉環反應而獲得相應的四氫咔唑。同樣可以在一步中進行亞胺的製備和重排以及閉環反應。將如上所述的亞胺氧化成所需^"唑。式(I)化合物優選由下式(II)的相應基礎結構製備formulaseeoriginaldocumentpage48其中X為NR1、SO、S02、S、0或PR或NH或PH或PPh。合適的式(II)J^出結構可市購(尤其在X為S02、S、O、NH或PPh的情況下)或通過本領i或熟練才支術人員已知的方法製備(X^PH或SO)。在X為NH或PH的情況下，可將基團R1在引入基團Ra、Rb、SiR2R3R4和SiRSl^lf之前或之後引入，條件是在式(I)化合物或適合於引入基團Ra、Rb、Sil^RSl^和SiRSl^I^的前體化合物中存在基團Ra和Rb。因此，三種變型-在X^NR1和PR1情況下-是可能的。ia)製備適合於引入基團Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iia)引入基團R1，iiia)引入存在的話基團Ra、Rb以絲團SiR2R3R4和SiR5R6117。變型b)在基團R1為取代或未取代的d-C2Q烷基或C6-C3Q芳基或C,-C2o烷基取代的C6-C3。芳基時而尤其優選。變型a)變型b)ib)引入基團R1，iib)製備適合於引入基團Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iiib)引入存在的話基團Ra、Rb以;s^團SiR2R3R4和SiR5R6117。變型c)ic)製備適合於引入基團R3、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iic)引入存在的話基團R3、Rb以絲團SiR2R3R4和SiR5R6117，iiic)引入基團R1。在式(I)中x為nr1、so、S02、s、0或pW的情況下，省略"引入基團R"，的步驟，從而使得所述方法包括下列步驟(變型d):id)製備適合於引入基團Ra、Rb、SiR2R3R4和SiR5R6R7的前體化合物，iid)引入存在的話基團R3、Rb以踏團SiR2R3R4和SiR5R6R7。步驟ia)、iib)、ic)和id)用於引入基團Ra、Rb、SiWl^I^和SiRS^I^的合適前體化合物尤其為通式(in)的相應的囟代化合物，優選溴代化合物其中Hal為閨素，優選溴或碘，更優選溴，n在每種情況下為0、l或2(其中在式(III)中兩個n的總和至少為1)，優選在每種情況下為1,且在步驟ia)和ic)中X為NH或PH，在步驟ib)中X為NR1或PR1，以及在步驟id)中X為NR1、SO、S02、S、O或PR1。卣化可通過本領域熟練技術人員已知的方法進行。優選在式(II)的^出骨架的3和6位溴化或石典化。特別優選在^f氐溫如0。C下在水醋酸或氯仿中用B。溴化。合適方法例如在X^NPh時，描述於M.Park,J.R.Buck,C.J.Rizzo,Tetrahedron,1998，54，12707-12714中並且在X-S時，描述於W.Yang等，J.Mater.Chem.2003，13，1351中。此外，一些式(III)的溴化產品可市購(X^NH和S時)。步驟iia)、ib)和iiic)將基團W通過本領域熟練技術人員已知的方法引入。優選將基團通過使式(II)的基礎骨架或式(III)的化合物與式I^-Hal的烷基卣化物或芳基卣化物或雜芳基滷化物反應而引入，其中R1已在上文定義及Hal為F、Cl、Br或I，優選Br、I或F。基團R1的引入通常在鹼存在下進行。合適的鹼是本領域熟練技術人員已知的且優選選自如下鹼金屬和鹼土金屬氫氧化物如NaOH、KOH、Ca(OH)2，鹼金屬氫化物如NaH、KH，鹼金屬氨化物如NaNH2，鹼金屬或鹼土金屬碳酸鹽如K2C03或Cs2C03,以及鹼金屬醇鹽如NaOMe、NaOEt。還合適的是上述鹼的混合物。特別優選NaOH、KOH、K2C03或NaH。]\-烷基化(例如7>開在M.Tosa等人，Heterocycl.Communications,第7巻，第3期，2001,第2T7-282頁)或N-芳基化或N-雜芳基化(例如N-芳基化公開在H.Gilman和D.A.Shirley,丄Am.Chem.Soc.66(1944)888;D.Li等人,Dyes和Pigments49(2001)181-186)優選在溶劑中進行。合適的溶劑例如為極性非質子溶劑如二甲亞碸、二甲基甲醯胺或醇。同樣可以使用過量的烷基囟化物或(雜)芳基囟化物作為溶劑。當存在相轉移催化劑如四正丁1^克酸氫銨時，反應還可在非極性的非質子溶劑如甲苯中進行(例如公開在I.Gozlan等人，J.Heterocycl.Chem.21(1984)613-614中)。然而，N-(雜)芳基化例如還可通過銅催化式(II)或(III)化合物與(雜)芳基囟化物，例如芳J^典化物偶聯而進行(UlImann反應)。優選將基團R1通過在DMF中使式(II)或(III)化合物與烷基氟化物、芳基氟化物或雜芳基氟化物在NaH存在下反應(親核取代)或通過與烷基溴化物或碘化物、芳基溴化物或碘化物或雜芳基溴化物或碘化物在Cu/鹼(Ullmami，見上述)或Pd催化劑存在下反應而引入。式(II)或(III)化合物與式R、Hal的烷基囟化物或(雜)芳基閨化物的摩爾比例通常為1:1-1:15，優選1:1-1:6，更優選1:4。n-烷基化或n-(雜)芳基化通常在o-22o°c，優選M-:20(rc下進行。反應時間通常為0.5-48小時，優選l-24小時。通常而言，N-烷基化或N-芳50基化在標準壓力下進行。所得粗產物通過本領域熟練技術人員已知的方法後處理。步驟iia)、ib)和iiic)的優選實施方案以使用R^取代的苯基(F^芳基上的上述取代基；q=0、1、2、3、4或5)的實例的通用形式在下文中詳述n=0,1,2步驟iiia)、iiib)、iic)和iid)法通常優選i過卣素/金屬l換:隨後甲矽烷基化由'ian)囟代;體化合物製備。優選在第一步驟中，通過卣素/金屬交換，通過使式(III)的閨化化合物與烷基鋰化合物或Mg通常在-80。C至+80。C，優選-78。C至0。C(對於烷基鋰化合物)或0-80。C(對於Mg)，更優選0-4(TC(對於Mg)下反應而進行製備。特別優選使用烷基鋰化合物，特別是正丁基鋰或叔丁基鋰。反應通常在溶劑中，優選在THF(或醚，優選乙醚)中進行。直接在隨後的第二步中，優選通過與SiRmCl(")或SiRm(OR，)(4—m)反應進行甲矽烷基化而得到所需的式(I)化合物，其中m為l、2或3和R，為d-C6烷基。甲珪烷基化通常在溶劑中進行。優選溶劑為THF或醚，優選乙醚。甲矽烷基化通常在第一步中反應後直接進行，而不後處理或分離第一步之後得到的產物。滷素/金屬交換和隨後的曱矽烷基化通常對式(III)化合物中的所有待被甲珪烷基替換的n個閨素原子重複足夠次數。Tsai等，Adv.Mater.，2006,第18巻。第9期，第1216-1220頁。在鹵素/金屬交換和隨後的甲矽烷基化對其中X=NH或PH(變型c)，步驟iic))進行的情況下，必須藉助保護基團保護NH或PH基團並在甲珪烷基化之後又脫保護。保護基團通過熟練技術人員已知的方法引入。通常在首先脫質子之後引入保護基團。N-H和P-H的合適保護基團對本領域熟練技術人員是已知的，並且特別適合於該方法的是甲矽烷基保護基團，特別是其中R-烷基或芳基，優選甲基、乙基、苯基的SiR3。脫質子通常用鹼，例如用NaH、正丁基鋰或叔丁基鋰進行。脫質子同樣通過本領域熟練技術人員已知的方法進行。適合脫保護的試劑取決於所用保護基團。當將SiR3用作保護基團時，脫保護通常藉助酸或TBAF(四丁基氟化銨)進行。步驟iiia)、iiib)和iid)的優選實施方案在下文中以通用形式顯示(X二NR1、SO、S02、S、O或PR'):p=n-o1)卣素/金屬交換2)曱珪烷基化、SiRm(Cl)4-m或SiRm(ORVm當p二l或2，步驟1和2又可重複一次，直到p二0。在步驟iic)(X^NH或PH)中，卣素/金屬交換，隨後甲矽烷基化通常通過引入保護基團而進行。步驟ik)的優選實施方案使用X二NH的實例顯示在下文中52formulaseeoriginaldocumentpage53(Hal)nW^W^(Hal)n1)脫質子2)N-hH呆護基團n=0,1,23)滷素/金屬交換4)SiRm(CI)4管m或SiR巾(OR)4—mformulaseeoriginaldocumentpage53用其偶聯〈^通式(I)的化合物本發明式(I)化合物作為基質材料用於本發明OLED的發光層中和/或用於至少一個其它層中能夠獲得具有高效率和長壽命的OLED，所述化合物選自二甲矽烷基咔唑、二甲珪烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並瘞吩、二甲矽烷基二苯並磷雜環戊二烯、二甲矽烷基二苯並瘞吩S-氧化物和二甲矽烷基二苯並噻吩S，S-二氧化物。本發明OLED的效率還可以通過優化其它層而得到額外改進。例如，可以使用高效率的陰極，例如Ca或Ba，合適的話與LiF中間層結合。降低操作電壓或增加量子效率的成型基材和新空穴傳輸材料也可以用於本發明OLED中。此外，額外層也可以存在於OLED中，以調節不同層的能級且助於電致發光。本發明OLED可以用於其中使用電致發光的所有器件中。合適的器件優選選自固定和移動的可視顯示單元。固定的可視顯示單元例如包括計算機、電視的可視顯示單元，印表機、廚房用具、廣告板、照明和信息板中tr、j，4J^亞T)、幹7u，wH力幹/u。，夕w，Wj亞Tj、幹7u，j，Cj布秒勸^i佑、於拔電腦、數字照相才幾、車輛以;sy^共汽車和火車上的目的地顯示器中的可視顯示單元。此外，式(I)化合物可以用於具有反轉結構的OLED中。在這些反轉OLED中，根據本發明使用的式(I)化合物再次優選作為基質材料用於發光層中和/或用於OLED的至少一個其他層中。反轉OLED的結構和其中常使用的材料對於本領域的技術人員而言是已知的。本發明進一步涉及一種包含至少一種本發明式(I)化合物和至少一種發射體材料的發光層。優選的式(I)化合物和發射體材料如上所述。通常而言，所述至少一種式(I)化合物在本發明OLED發光層中的比例為10-99重量％，優選50-99重量％,更優選70-97重量％。所述至少一種發射體材料在發光層中的比例通常為l-卯重量％，優選1-50重量％，更優選3-30重量％,其中所述至少一種式(I)化合物和所述至少一種發射體化合物的比例總計100重量％。然而，發光層，以及所述至少一種通式(I)的化合物和所述至少一種發射體材料也可包含其它物質，如除了式(I)化合物外其它的稀釋劑材料、其它的基質材料，其中其它稀釋劑材料例如如上所述。本發明進一步提供了本申請的通式I化合物在有機發光二極體中作為基質材料、空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料和/或空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導體材料和/或電子導體材料的用途。優選將式(I)化合物作為基質材料和/或空穴/激子阻擋材料用於本發明OLED中。優選的式(I)化合物，優選的發射體材料和優選的實施方案如上所述，其中所述優選的實施方案涉及具有特定取代基的式(I)化合物在本發明OLED的特定層中的用途。本發明進一步涉及一種選自如下的器件固定可:f見顯示單元如計算機、電視的可^L顯示單元，印表機、廚房用具和廣告張貼板、照明和信息板中的可視顯示單元，移動可視顯示單元如行動電話、〗更攜式電腦、數字照相含至少一種本發明有機發光二極體或至少一種本明發光層的照明單元。如下實施例為本發明提供額外說明。實施例A.製備實施例實施例1:溴化N-取代的吵唑實施例la:合成9-(3，5-二(三氟甲基)苯基)-3，6-二溴^唑使9-(3,5-二(三氟甲基)苯基)-9H-呼唑(2.7g,leq)在冰醋酸(210ml)中的溶液與溴(2.3g，2.0eq)在冰醋酸(7ml)中的溶液緩慢混合。攪拌1小時後，使混合物與水水(1000ml)混合併攪拌1小時。濾出沉澱物並用水洗滌。使殘餘物在乙酸乙酯中再結晶。產率55%。！HNMR(THF-d8，400MHz):5二7.3(d，2H),7.6(d，2H)，8.2(s，lH),8,3(s，2H)，8.4(s，2H)。實施例lb:合成9-(3-氰基苯基)-3，6-二溴^唑使9-(3-氰基苯基)-9H-呻唑(3.5g，leq)在水醋酸(150ml)中的溶液與溴(4.1g，2.0eq)在水醋酸(5ml)中的溶液緩慢混合。攪拌3小時後，使混合物與冰水(500ml)混合併攪拌l小時。濾出沉澱物並用水洗滌。使殘餘物在乙醇中再結晶。產率69%。iHNMR(CDCl3，400MHz):5=7.2(d，2H),7.5(d，2H)，7.75(m，3H)，7.8(s，lH)，8.2(s，2H)。實施例2:^t唑的N-芳基化(通式H中X為N-H)55通用程序:將呻唑(leq)、苯基卣化物A、碳酸鉀和銅粉加熱至160-200"C並在該溫度下攪拌過夜。冷卻至室溫後，將混合物用丙酮或二氯甲烷萃取。濾出沉澱物並用柱色譜提純(矽膠，二氯甲烷/環己烷)。下表總結了各種根據通用方法進行的咔唑的N芳基化的數據:tableseeoriginaldocumentpage56tableseeoriginaldocumentpage57tableseeoriginaldocumentpage58&應R(CD2-Cl2,400MHz):S=1.4(s，9H)，7.25(d，2H)，7.37(d，2H)，7.47(d，2H)，7.6(d，2H)，8.2(s，2H).力匪R(CDC13400MHz):5=3.9(s，3H),7.1(d，2H)，7.2(d，2H),7.4(d，2H)，7.5(d，2H)，8.2(s，2H).實施例4:用甲矽烷基化合物使溴化N-芳基化的^唑衍生物和溴化的二苯並噻吩衍生物偶聯實施例4a:合成2，8-二(三苯基曱矽烷基)二苯並瘞吩1.正-BuU2.Ph,SiCI使2，8-二溴二苯並噻吩(3.0g，l叫)在乾燥的THF(165ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，13.7ml，2.5叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1小時。在-78。C下加入氯代三苯基眭烷(6.5g,2.5eq)在乾燥的THF(14ml)中的溶液後，將混合物加熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用THF、水和甲基叔丁基醚徹底洗滌。將合併的THF濾液濃縮至乾燥並用少量乙酸乙酯攪拌。濾出沉澱物並用柱色i普提純(珪膠，乙酸乙酯/環己烷)。產率46%。^NMR(CD-2CI2，400MHz):5=7.35-7.41(m,12H)，7.44-7.49(m，6H)，7.55-7.59(m,12H)，7.65(d,J二8.0，2H)，7.92(d，J=8.0，2H),8.16(s，2H)。實施例4b:合成9-苯基-3，6-二(三苯基甲矽烷基)啼唑formulaseeoriginaldocumentpage59將9-苯基-3，6-二溴-9H-啼唑(6.0g,leq)在乾燥的THF(500ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，28.2ml，3.0叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1小時。在-78'C下加入氯代三苯^fiJi:烷(13.5g，3.0eq)在乾燥的THF(100ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Cl2徹底洗滌。產物由合併的CH;jCl2濾液沉澱出。產率40%。如果產物未沉澱出，則將合併的CH2Cl2濾液濃縮至乾燥。用乙酸乙酯再結晶，得到產物。^NMR(CD-Cl3400MHz):5=7.35(m，12H),7.45(m，9H)，7.52-7.6(m，18H)，8.2(s，2H)。實施例4c:合成9-(3,4，5-三甲氧基苯基)-3，6-二(三苯基甲矽烷基)呻唑使9-(3，4,5-三甲氧基苯基)-3，6-二溴-9H-啼唑(1.5g,l叫)在乾燥的THF(lOOml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(l.6M，在己烷中，5.6ml，3.0叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1小時。在-78。C下加入氯代三苯基珪烷(2.7g，3.0eq)在乾燥的THF(40ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用二氯甲烷徹底洗滌。將合併的CH2Cl2濾液濃縮至乾燥。將固體在曱醇中攪拌並濾出。產率63%。^醒R(CDCl3400MHz):5二3.8(s，6H)，3.9正-BuLi/-78°CPh,SiCI/THF59(s，3H),6.75(s，2H)，7.3(m，12H)，7.4(m，8H)，7.6(m，14H)，8.2(s，2H)。實施例4d:合成3，6-二[(3，5-二(三氟曱基)苯基)二甲基甲矽烷基-9-苯基-咔使9-苯基-3,6-二溴-9H-^唑(1.3g,leq)在千燥的THF(50ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M,在己烷中，5.1ml，2.5叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌l小時。在-78。C下加入3，5-二(三氟甲基)苯基二甲基氯代矽烷(2.5g，2.5eq)在乾燥的THF(20ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Cl2徹底洗塗。將合併的二氯甲烷濾液用水萃取並濃縮至乾燥。將殘餘物通過柱色鐠(矽膠，二氯甲烷/環己烷)提純。產率60%。^NMR(CDCl3.400MHz):5=0.7(s，12H)，7.4-7.7(m，9H)，7.8(s，2H)，8.0(s，4H)，8.3(s,2H)。實施例4e:合成3，6-二[(4-甲氧基苯基)二甲基甲矽烷基-9-苯基咔唑使9-苯基-3，6-二溴-9H-^唑(1.6g,leq)在乾燥的THF(20ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，6.1ml,2.5叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1小時。在-78。C下加入4-甲氧基苯基-二甲基氯代矽烷(2.4g，3.1叫)在乾燥的THF(10ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Ch徹底洗滌。將合併的二氯甲烷濾液用水萃取並濃縮至乾燥。將殘餘物通過柱色譜(珪膠，己烷/乙酸乙酯)提純。產率40%。MALDI-MS:m/z=571.HPLC:99%純度。實施例4f:合成9-(3-甲氧基苯基)-3，6-二(三苯基曱矽烷基)咔唑使9-(3-甲氧基苯基)-3，6-二溴-9H-吵唑(2.5g，leq)在千燥的THF(100ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，5.6ml，2.5eq)緩慢混合，在-78。C下攪拌1小時。在-78。C下加入氯代三苯基眭烷(4,3g，2.5eq)在乾燥的THF(40ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用二氯甲烷徹底洗滌。將合併的二氯甲烷濾液用水萃取並濃縮至乾燥。將殘餘物通過柱色譜(珪膠，環己烷/二氯甲烷)提純。產率41%。iHNMR(CDCl;j,400MHz):5二3.9(s，3H)，7.05(d，2H)，7.15(m,14H)，7.20(m，8H)，7.55(d,2H),7.60(d，12H)，8.2(s，2H)。實施例4g:合成2.8-二(三苯基甲珪烷基)二苯並呋喃反應程序使6.02g(18.47毫摩爾)2,8-二溴二苯並呋喃懸浮在120mlTHF中並在刁8。C下小心地與22.9ml(36.64毫摩爾)正丁基鋰(1石M，在己烷中)混合。隨後，將混合物在-78。C下攪拌3小時。佳反應混合物與10.91g(37.00毫摩爾)氯代三苯基眭烷在120mlTHF中的溶液混合，將其溫熱至室溫並在室溫下正-BuLi，CISiPh攪拌16小時。小心地用10ml甲醇終止混合物，然後將其濃縮至乾燥。首先將殘餘物在甲醇中消化，然後在水中，隨後再在曱醇中消化將其濾出並乾燥。將粗產物溶解在二氯曱烷中，通過珪膠過濾並通過用環己烷覆蓋而結晶。濾出晶體並乾燥。獲得9.28g(73。/。)白色粉末。NMR:(CD2C12，500MHz):5=7.35-7.38(m,12H，CHAr)，7.41-7.44(m，6H，CHAr)，7.56-7.57(m，12H,CHAr)，7.58-7.63(m，4H，CHAr),8.09(s，2H，CBUr)。13C匪R(CD2Ch，125MHz):S=111.5(2C，CHAr),124.0(2C，Cquart)，128.1(12C，CHAr)，128.3(2C，Cquart)，129.2(2C，CHAr),129.8(6C，CHAr)，134.4(6C，Cquart)，135.6(2C，CHAr)，136.5(12C，CHAr)，157.5(2C，Cquart)。質量(EI):m/e=684(M+)實施例4h:合成3-溴-9-苯基-6-三苯基甲矽烷基寸唑使9-(3-甲氧基苯基)-3，6-二溴-9H-咔唑(2.6g，1叫)在千燥的THF(700ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，41ml，1叫)緩慢混合，在-78°C下攪拌2小時。在-78°C下加入氯代三苯基矽烷(30g，1.5叫)在乾燥的THF(150ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用二氯甲烷徹底洗滌。將合併的二氯甲烷濾液用水萃取並濃縮至乾燥。將殘餘物用丙酮攪拌並濾出。產率74%。'H醒R(CDC13400MHz):5=8.15(s，lH),8.28(s，lH)，7.3-7.7(m,24H)。實施例4i:合成3,6-二(甲基二苯基甲矽烷基)-9_苯基咔唑反應禾呈序:62反應程序使9-苯基-3，6-二溴-9H-^唑(3.1g,leq)在乾燥的THF(150ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M,在己烷中，12.2ml，2.5eq)緩慢混合，在-78"C下攪拌l小時。在-78。C下加入二苯基甲基氯代矽烷(5.6g，3.0eq)在乾燥的THF(10ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2C12徹底洗滌。柱色譜法(Si02，15:1環己烷/CH2Cl2)得到產物。產率60%。，H醒R(CDC13400MHz):S=0.9(s，6H)，7.3-7.4(m,14H)，7.4-7.5(m,3H),7.5-7.6(m，12H)，8.25(s，2H)。實施例4j:合成3，6-二(二甲基五氟苯基甲矽烷基)-9-苯基咔唑反應程序使9-苯基-3，6-二溴-9H-呻唑(3.1g,l叫)在乾燥的THF(150ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，12.2ml，2.5eq)緩慢混合，在-78。C下攪拌l小時。在-78。C下加入五氟苯基二甲基氯珪烷(flophemesylchloride)(6.1g,3.0eq)在乾燥的THF(10ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Cl2徹底洗滌。柱色語法(C18-Si02，MeCN)得到產物。產率65%。63H匪R(CDC13400MHz):5=0.8(s，12H)，7.38(d，2H)，7.5(m，3H)，7.6(m，4H),8.35(s，2H)。實施例4k:合成二(9-苯基-3-三苯基甲矽烷基咔唑基)二甲基矽烷反應程序步驟l:使9-苯基-3，6-二溴-9H-啼唑(12g，leq)在乾燥的THF(230ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，18.8ml，l叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1.5小時。在-78。C下加入二氯代二曱基法烷(1.9g,0.5叫)在乾燥的THF(20ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Cl2徹底洗滌。柱色譜法(Si02，10:1己烷/EtOAc)得到產物。產率74%。NMR(CDC13400MHz):5=0.7(s，6H),7.25(dd，4H)，7.40(d，2H),7.42-7.50(m，6H)，7.55-7.65(m,6H)8.22(s，2H)，8.30(s，2H)。步驟2:將來自步驟1的產物(3.5g，leq)在乾燥的THF(100ml)中的溶液在-78。C下在氬氣中與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，7.8ml，2.5叫)緩慢混合，在-78。C下攪拌1.5小時。在-78。C下加入氯代三苯基珪烷(3.6g，2.5叫)在乾燥的THF(20ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用CH2Cl2徹底洗滌。與丙酮沸騰並濾出，得到產物。產率45%。'H醒R(CDC13400MHz):S=0.65(s，6H)，7.28-7.38(m,22H)，7.42(t，2H)，7.51(m，12H)，7.61(d,12H)8.20(s，2H)，8.32(s，2H)。實施例5:將溴化呻唑衍生物(X^N-H)偶聯為甲矽烷基化合物實施例5a:合成3，6-二(三苯基甲矽烷基)-9H-咔唑且不分離中間體(方法1)formulaseeoriginaldocumentpage652)TBAFiyUb使3，6-二溴呻唑(9.1g，leq)在乾燥的THF(400ml)中的溶液在OC下在氬氣中與NaH(60。/0，在礦物油中，1.3g，1.2eq)緩慢混合併在0X:下攪拌2小時。加入氯代三乙基珪烷(5.1g，1.2eq)在乾燥的THF(80ml)中的溶液之後，將溶液在RT(室溫)下攪拌1小時。將溶液冷卻至-78°C，使其與正丁基鋰(1.6M，在己烷中，43.8ml，2.5eq)混合併在-78。C下攪拌1小時。在-78。C下加入氯代三苯基眭烷(29.8g,3.5叫)在乾燥的THF(100ml)中的溶液後，將混合物溫熱至室溫並攪拌過夜。將過量丁基鋰用飽和的氯化銨溶液水解。濾出沉澱產物並用二氯曱烷徹底洗滌。合併的二氯甲烷濾液通過用水振搖而萃取並經硫酸鈉乾燥。將有機相與四正丁基氟化銨(TBAF，1M，在THF中，2ml)混合併在RT下攪拌4小時。將混合物濃縮至100ml。濾出所得沉澱物並用正己烷洗滌。產率66%。1HNMR(CDC13400MHz):5=7.4(m,20H)，7.6(m，14H)，8.18(s，2H)，8.20(s,lH)。實施例5b:合成3,6-二(三苯基甲矽烷基)-9H-^唑並分離中間體i)3，6-二溴-9-三苯基甲矽烷基呻唑將NaH(60。/。油^i:體，1.5g，37毫摩爾)緩慢加入6-二溴^唑(10.4g，31毫摩爾)在乾燥的THF(1000ml)中的冷卻溶液(0。C)中。攪拌2小時後，在0。C下加入ClSiPh3(18.7g，62毫摩爾)在乾燥的THF(200ml)中的溶液。將混合物攪拌過夜，並加入飽和的NHUC1溶液。濾出所得鹽，並從水相中分離出有機相。水相用CH2Cl2萃取。有枳4目用水洗滌兩次。合併的有機相經Na2S04乾燥。通過Si02過濾，得到所需產物(定量)。ii)3,6，9-三(三苯基甲矽烷基)^唑將叔丁基鋰(1.7M，在戊烷中，58ml，99毫摩爾)緩慢加入3,6-二溴-9-三苯基甲矽烷基^唑(90%純度，參見i)，13g,22毫摩爾)在乾燥的THF(1000ml)中的冷卻溶液(-78。C)中。在-78。C下攪拌2小時後，加入ClSiPh3(34g,115毫摩爾)在乾燥的THF中的溶液。將混合物攪拌過夜，並加入飽和的NH4C1溶液。濾出所得鹽，並從水相中分離出有才A^目。7jC相用CH2Ch萃取。有機相用水洗滌兩次。合併的有機相經Na2S04乾燥。柱色i普(SK)2;5:1環己烷CH2Ch)後，獲得純的產物(R廣0.3，llg，53%)。iii)3，6-二(三苯基甲矽烷基)-9H-^唑將TBAF溶液(1M，在THF中，4.6ml，4.6毫摩爾)加入3,6，9-三(三"NaH,THF,0°C2)CISiPh3,THF,0。C->r.t.l)叔-BuLi,THF，-78°C2)CISiPh3,THF,-78°C->r.t.TBAFCH,CI.66苯基甲矽烷基)^唑(8.7g，9.2毫摩爾)在CH2Cl2(150ml)中的溶液中。攪拌1小時後，薄層色鐠顯示完全脫保護。在減壓下除去溶劑，並在環己烷(150ml)中將殘餘物在回流下加熱。冷卻後，將懸浮液過濾。將殘餘物通過SiO2(10:l環己烷:EtOAc)過濾，以獲得所需產物(7.6g，97%)。，HNMR(CDC13,400MHz):5=7.4(m，20H)，7.6(m，14H)，8.18(s，2H),8.20(s，lH)。實施例6:3，6-甲矽烷基化啼唑衍生物(X-N-H)的N-芳基化通用程序:將3,6-二(三苯基甲矽烷基)-9H-^唑(l叫)、苯基面化物A、碳酸鉀和銅粉加熱至150-200。C並在該溫度下攪拌過夜。冷卻至室溫後，將混合物用二氯曱烷萃取。濾出沉澱物並用柱色語提純(矽膠，二氯甲烷/環己烷)。下表總結了不同的根據通用程序進行的甲矽烷基化^t唑衍生物的N-芳基化的數據0(R)q當量o3Mol%CuT(°C)產率分析6a14.52.52117061^醒R(CDC13400MHz):S=7.3(dd，12H)，7.4(m，8H)，7.6(d，12H)，7.65(d，2H)，7.95(s，lH)，8.1(s，2H),8.2(s，2H).67tableseeoriginaldocumentpage68tableseeoriginaldocumentpage69tableseeoriginaldocumentpage70實施例7:將2,4,6-三氯-l，3，5-三噪(氰尿醯氯(cyanuricchloride))三取代以製備2,4,6-三(3，6-二(三苯l法烷基)^唑-9-基)-l，3，5-三嗪通用方法在氮氣氣氛下，在100ml配有氮氣入口和隔膜的2頸燒瓶中將1.70g(2.50毫摩爾)3，6-二(三苯基珪烷基)-9H-咔唑溶解在50ml無水甲苯中。隨後，使溶液在室溫下與1.92ml(2.50毫摩爾)仲丁基鋰(1.3M，在環己烷中)經10分鐘時間混合併再攪拌10分鐘。在250ml配有氮氣入口、回流冷凝管和隔膜的3頸燒瓶中，在氮氣氣氛下將0.14g(0.75毫摩爾)氰尿醯氯溶解在10ml無水THF和20ml無水甲苯的混合物中。藉助移液管，經20分鐘時間將呼唑溶液逐滴加入氰尿醯氯溶液中。隨後^^應混合物在回流下沸騰4小時。冷卻至室溫後，使溶劑蒸發並將殘餘物在200ml熱己烷中攪拌IO分鐘。將通過過濾獲得的固體用乙醚洗滌，在熱的乙醇中漿料化並熱過濾。產物藉助柱色語，用己烷/甲苯洗脫液混合物(1/4，V/V)提純，以獲得0.84g(53o/o)2，4，6-三(3，6-二(三苯lJii:烷基)咔唑-9-基)-l，3，5-三嗪，其呈白色固體。!H匪R(250MHz，CDCl3)3(ppm):8.97(d，6H)，8.08(s，6H)，7.63(d，6H)，7.60-7.53(m，30H),7.42-7.160n，60H)。MALDI-TOF:m/z=2126.53(M+)B應用實施例實施例1:用於生產OLED的典型工作方法首先將用作陽極的1TO基材用LCD生產用的市售清潔劑(Deconex⑧20NS和250RGAN-ACID⑧中和劑)清潔，隨後在丙酮/異丙醇混合物中在超聲浴中清潔。為除去可能的有機殘留物，再將基材在臭氧箱中曝於連續臭氧流下25分鐘。所述處理還改進了ITO的空穴注入性能。之後，在約10-8毫巴下將下述有機材料以約0.5-5nm/min的速率通過氣相沉積施加至清潔的基材上。施加至基材上的空穴導體和激子阻擋劑為厚度為45nm的Ir(dpbic)3:formulaseeoriginaldocumentpage71Ir(dpbic)3(對於製備，參見申請WO2005/019373中的Ir配合物(7))。隨後，通過氣相沉積以40nm的厚度施加7.5重量％化合物V5和92.5重量％化合物9-苯基-3，6-二(三苯基甲矽烷基)^唑(實施例4b)的混合物，其中前一化合物作為發射體，後者作為基質材料隨後，通過氣相沉積以10nm的厚度施加材料9-苯基-3，6-二(三苯基曱矽烷基yt唑(實施例4b)作為激子和空穴阻擋劑。隨後，通過氣相沉積以50nm的厚度施加電子輸送劑BCP(2，9-二甲基—4,7-二苯基-1，10-菲咯啉)，然後施加0.75nm厚的氟化鋰層，最後施加110nm厚的Al電極。為表徵OLED，記錄了在各種電流和電壓下的電致發光光i普。此外，結合發射光的輸出而測量特徵電流-電壓。光輸出可通過光度計的校準而轉化為光度參數。表1報告了不同的本發明OLED的電致發光數據(功率效率，量子效率(QE)和電壓)。特定OLED的構造描述在表l的右欄(器件結構)中。特定OLED才艮據上述典型工作方法生產。表l中報告的功率效率、量子效率(QE)和電壓值為相對值，在每種情況下基於參比OLED，該參比OLED結構與特定OLED相同，與特定的本發明OLED的不同之處在於9-苯基-3，6-二(三苯基甲矽烷基yt唑(實施例4b)既用作基質，也用作激子和空穴阻擋劑。表1中報告的功率效率、量子效率(QE)和電壓值對特定參比OLED定義為100%。將其中9-苯基-3，6-二(三苯基甲矽烷基)咔唑(實施例4b)既用作基質，也用作激子和空穴阻擋劑的二極體與其中使用(合成上明顯更難以獲得的)9-(4-叔丁基笨基)-3，6-二(三苯基曱矽烷基)咔唑代替9-苯基-3,6-二(三苯基甲矽烷基)味唑(實施例4b)的相同結構的二極體對比，結果說明這兩種OLED的電致發光數據僅在不明顯程度上相互區別。因此，在每種情況下用作參比OLED的包含了既作為基質，也作為激子和空穴阻擋劑的9-苯基-3,6-二(三苯基甲矽烷基)^"唑(實施例4b)的OLED也用作包含了既作為基質，也作為激子和空穴阻擋劑的9-(4-叔丁基苯基)-3，6-二(三苯基甲矽烷基)呻哇的OLED的參比。tableseeoriginaldocumentpage74tableseeoriginaldocumentpage75tableseeoriginaldocumentpage76tableseeoriginaldocumentpage77tableseeoriginaldocumentpage78權利要求1.一種包含陽極An和陰極Ka和發光層E和合適的話至少一個選自如下的其它層的有機發光二極體至少一個電子/激子阻擋層，至少一個空穴/激子阻擋層，至少一個空穴注入層，至少一個空穴導體層，至少一個電子注入層和至少一個電子導體層，其中有機發光二極體包含至少一種存在於發光層E和/或至少一個其它層中的通式I的化合物其中X為NR1、S、O、PR1、SO2或SO；R1為取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的C1-C20烷基、或取代或未取代的C6-C30芳基，或通式(c)的結構Ra、Rb各自獨立地為取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或選自如下的具有給體或受體作用的取代基C1-C20烷氧基、C6-C30芳氧基、C1-C20烷硫基、C6-C30芳硫基、SiR14R15R16、滷素基團、滷代C1-C20烷基、羰基(-CO(R14))、羰硫基(-C＝O(SR14))、羰氧基(-C＝O(OR14))、氧羰基(-OC＝O(R14))、硫羰基(-SC＝O(R14))、氨基(-NR14R15)、OH、擬滷素基團、醯胺基(-C＝O(NR14))、-NR14C＝O(R15)、膦酸根(-P(O)(OR14)2)、磷酸根(-OP(O)(OR14)2)、膦(-PR14R15)、氧化膦(-P(O)R142)、硫酸根(-OS(O)2OR14)、亞碸(-S(O)R14)、磺酸根(-S(O)2OR14)、磺醯基(-S(O)2R14)、磺醯胺(-S(O)2NR14R15)、NO2、有機硼酸酯(-OB(OR14)2)、亞氨基(-C＝NR14R15)、硼烷基團、錫烷基團、肼基、腙基、肟基、亞硝基、重氮基、乙烯基、亞碸亞胺、鋁烷、鍺烷、環硼氧烷和環硼氮烷；R14、R15、R16各自獨立地為取代或未取代的C1-C20烷基，或取代或未取代的C6-C30芳基；q、r各自獨立地為0、1、2或3；其中，在q或r為0的情況下，芳基的所有可取代位置由氫取代，其中在式(c)基團中基團和指數X″′、R5″′、R6″′、R7″′、Ra″′、Rb″′、q″′和r″′各自獨立地如對通式(I)的化合物的基團和指數X、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義；其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，在式(I)化合物中基團R1-R7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。2.根據權利要求l的有機發光二極體，其中基團R2、W和I^中至少一個和/或R5、116和R7中至少一個為取代或未取代的C6-Qk)芳基。3.根據權利要求1或2的有機發光二極體，其中通式(I)的化合物為通式(Ia)的3，6-二曱矽烷基取代的化合物(Ia)其中X為NR1、S、O、PR1、S02或SO;優選NR1、S或O;更優選NR、R1為取代或未取代的(VC20烷基、取代或未取代的CVC30芳基，或取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基；優選取代或未取代的C6-C鄧芳基或取代或未取代的C廣C20烷基，更優選取代或未取代的CVdo芳基或未被取代的C廣C加烷基，最優選取代或未取代的苯基；R2、R3、R4、R5、R6、f各自獨立地為取代或未取代的C廣C2o烷基或取代或未取代的C6-C3o芳基或通式(c)的結構；基團R2、RS和R"中至少一個和/或基團R5、116和117中至少一個優選為取代或未取代的C6-C3。芳基，更優選取代或未取代的C6-d。芳基，最優選取代或未取代的苯基，和/或基團R2、RS和R"中一個和/或基團R5、R6和R7中一個為結構(c)的基團；R8、R9、R1G、R"、R12、R"各自獨立地為氫或如對Ra和Rb所定義，即各自獨立地為取1'戈或未取^的C廣C2。;^基、取^或未取4戈的C6-C30芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基；優選氫，取代或未取代的d-C6烷基、取代或未取代的C6-do芳基或SiR14R15R16;其中R14、R"和R"優選各自獨立地為取代或未取代的d-C加烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R15和R16中至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代的苯基，其中合適的取代基如上所述。4.根據權利要求1-3中任一項的有機發光二極體，其中基團RLR7、Ra和Rb和基團X各自如下所定義X為NR1;W為取代或未取代的C6-C鄧芳基，優選取代或未取代的CVdo芳基，更優選取代或未取代的苯基；R2、R3、R4、R5、R6、R7各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基或取代或未取代的Q-C30芳基，或通式(c)的結構，優選各自獨立地為取代或未取代的d-C6烷基或取代或未取代的CVd芳基，更優選取代或未取代的d-C6烷基或取代或未取代的苯基；其中，在一個實施方案中，基團R2、R"和R4中至少一個和/或基團R5、議6和R7中至少一個為取代或未取代的C6-C;j芳基，優選取代或未取代的CVdo芳基，更優選取代或未取代的笨基；R8、R9、R1G、R11、R12、R"各自獨立地為氫或各自如對Ra和Rb所定義，即各自獨立地為取代或未取代的d-C2o烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基或具有給體或受體作用的取代基;優選氫、取代或未取代的C,-C6烷基、取代或未取代的C6-C10芳基或SiR14R15R16;更優選氫、曱基、乙基、苯基、CF3或SiR14R15R16;R14、R15、R"各自獨立地為取代或未取代的d-C2Q烷基或取代或未取代的CVC30芳基，優選取代或未取代的d-C6烷基或取代或未取代的C6-C10芳基，其中R14、R"和R"更優選各自獨立地為取代或未取代的CVC20烷基或取代或未取代的苯基；更優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代或未取代的苯基；最優選的是，基團R14、R"和R"中至少一個為取代的苯基。5.根據權利要求1-4中任一項的有機發光二極體，其中基團W和/或基團R2、RS和R"中至少一個和/或基團R5、116和117中至少一個獨立地為下式的取代或未取代的C6芳基formulaseeoriginaldocumentpage5其中P為O、1、2、3、4或5,優選0、1、2或3，更優選0、1或2;R"為氫，取代或未取代的CVC2o烷基，取代或未取代的CVC3o芳基、取代或未取代的具有5-30個環原子的雜芳基，具有給體或受體作用的取代基，或通式a或b的基團formulaseeoriginaldocumentpage5其中X'為N或P，和基團和指數X"、R2、R3、R4、R5、R5、R6、R6、R7、R7、Ra、Ra"、Rb'、Rb"、q，、q"、r，和r"各自獨立地如對基團和指數X、R2、R3、R4、R5、R6、R7、Ra、Rb、q和r所定義;或基團R2、W和I^之一和/或基團R5、！^和R"之一為通式c的基團:其中基團和指數X，"、r5'"、R6'"、R7"'、Ra"'、Rb"'、q"，和r"'各自獨立地如對基團和指數X、R5、R6、R7，Ra，Rb、q和r所定義。6.根據權利要求l-5中任一項的有機發光二極體，其中所述至少一個可存在的其它層選自電子阻擋層，空穴注入層和空穴導體層，其中至少一種式(I)化合物存在於至少一個其它層和/或發光層中，其中式(I)化合物具有至少一個選自如下基團的基團Rl、r2、r3、r4、r5、r6或r7:取代或未取代的C廣C加烷基、具有5-30個環原子的雜芳基、未取代的C6-C3o芳基、烷基取代的CVC3o芳基、被至少一個具有給體作用的取代基取代的C6-C30芳基、被具有5-30個環原子的雜芳基取代的C6-C3o芳基，以及具有給體作用的取代基。7.根據權利要求l-5中任一項的有機發光二極體，其中所述至少一個可存在的其它層選自空穴阻擋層，電子注入層和電子導體層，其中至少一種式(I)化合物存在於至少一個其它層和/或發光層中，其中式(I)化合物具有至少一個選自如下基團的基團Rl、R2、R3、R4、r5、r6或r7:被至少一個具有受體作用的取代基取代的d-C2。烷基、被至少一個具有受體作用的取代基取代的C6-C3o芳基、被至少一個具有5-30個環原子的雜芳基取代的CVC3。芳基，以及具有受體作用的取代基。8.—種包含至少一種根據權利要求1-7中任一項的式(I)化合物的發光層，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR，的情況下，在式(I)化合物中基團RLR7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。9.根據權利要求l-7中任一項的通式(I)化合物在有機發光二極體中作為基質材料、空穴/激子阻擋材料和/或電子/激子阻擋材料和/或空穴注入材料和/或電子注入材料和/或空穴導體材料和/或電子導體材料的用途，其中在通式(I)化合物僅存在於發光層或發光層和空穴導體層中且基團X為NR1的情況下，在式(I)化合物中基團RLR7，Ra或Rb中至少一個包含至少一個雜原子。10.—種選自包含至少一種根據權利要求1-7中任一項的有機發光二極體的固定可視顯示單元如計算機、電視的可視顯示單元，印表機、廚房用具和廣告張貼板、照明和信息板中的可視顯示單元，和移動可視顯示單元如行動電話、可攜式電腦、數位照相機、車輛以及公共汽車和火車中的目的地顯示中的可視顯示單元以及照明單元的器件。全文摘要本發明涉及一種包含陽極An和陰極Ka和配置在陽極An和陰極Ka之間的發光層E和合適的話至少一個其它層的有機發光二極體，其中所述發光層E和/或至少一個其它層包含至少一種選自二甲矽烷基咔唑、二甲矽烷基二苯並呋喃、二甲矽烷基二苯並噻吩、二甲矽烷基二苯並磷雜環戊二烯、二甲矽烷基二苯並噻吩S-氧化物和二甲矽烷基二苯並噻吩S，S-二氧化物的化合物，本發明還涉及一種包含至少一種上述化合物的發光層，上述化合物作為基質材料、空穴/激子阻擋材料、電子/激子阻擋材料、空穴注入材料、電子注入材料、空穴導體材料和/或電子導體材料的用途，以及涉及一種選自包含至少一種本發明有機發光二極體的固定可視顯示單元、移動的可視顯示單元和照明單元的器件。文檔編號C09K11/06GK101688114SQ200880023458公開日2010年3月31日申請日期2008年6月26日優先權日2007年7月5日發明者C·倫納茨,C·席爾德克內希特,E·福克斯,G·瓦根布拉斯特,J·魯道夫,K·卡勒,N·蘭格爾,O·莫爾特,渡邊宗一申請人:巴斯夫歐洲公司