發光裝置、列印頭及圖像形成設備的製作方法

2023-05-03 15:39:11

專利名稱：發光裝置、列印頭及圖像形成設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及發光裝置、列印頭及圖像形成設備。
背景技術：
在諸如印表機、複印機或傳真機之類的電子照相圖像形成設備中，以如下方式在 記錄紙上形成圖像。首先，通過使光記錄單元發光以將圖像信息轉印到感光體上來在均勻 帶電的感光體上形成靜電潛像。然後，利用調色劑對靜電潛像進行顯影使其可視。最後，將 調色劑圖像轉印並定影到記錄片材上。除了利用雷射束沿第一掃描方向進行雷射掃描來執 行曝光的光掃描記錄單元以外，近年來響應於對設備小型化的要求，還採用了利用下面的 LED列印頭(LPH)的記錄裝置作為這種光記錄單元。該LPH包括大量沿第一掃描方向排列 的發光二極體(LED)，這些發光二極體用作發光元件。日本專利申請特許公開第2004-181741號描述了一種自掃描發光元件陣列晶片， 其由於不具有連接至一些移位部(shift-part)晶間管的相應的發光部晶間管而具有能夠 點亮多個發光部晶閘管、利用中斷寫入數據的結構。日本專利申請特許公開第2002-137445號描述了下面的自掃描發光元件陣列的 驅動方法。在該方法中，通過以下的方式進行驅動當自掃描發光元件陣列中的一個傳遞部 (transfer-part)晶閘管導通時，僅使對應於該傳遞部晶閘管的發光部晶閘管發光，以及當 兩個相鄰的傳遞部晶間管導通時，使對應於這些傳遞部晶間管的兩個相鄰發光部晶間管發光。在利用了採用自掃描發光裝置陣列(SLED)的LPH的記錄裝置中，對於按照順序使 發光元件逐一點亮的SLED晶片，逐晶片地提供用於向發光元件提供進行點亮(發光)的電 流的點亮信號。同時，對於均具有多個自掃描發光裝置陣列的SLED晶片，分別向每個自掃 描發光裝置陣列提供點亮信號。要求向SLED晶片提供點亮信號的信號線具有低阻抗，這是因為它是用於提供電 流的信號線。因此，在通過將多個SLED晶片排列成一行而形成的LPH中，如果在其上安裝 有多個SLED晶片的電路板上設置有大量用於傳送點亮信號的寬且低電阻的配線，則該電 路板的寬度會變得很大，這就阻礙了小型化。此外，如果這些配線被構造為具有多層以使電 路板的寬度變窄，則該構造就阻礙了成本降低。本發明的一個目的在於提供一種能夠減少用於點亮信號的配線數量的發光裝置， 同時提供一種利用該發光裝置的列印頭以及圖像形成設備。

發明內容
根據本發明的第一方面，提供了一種發光裝置，其包括發光元件陣列，其由排列 成一行、且與用來提供用於進行點亮的電流的點亮信號線連接的多個發光元件形成；存儲 元件陣列，其由多個存儲元件形成，這些存儲元件被設置為對應於形成發光元件陣列的各 發光元件，這些存儲元件通過各自的電阻連接至存儲信號線，該存儲信號線用於提供信號以指定將被點亮的發光元件，這些存儲元件中的每一個存儲元件均具有ON狀態和OFF狀 態，並且每個存儲元件通過變成ON狀態來記住(memorize，存儲)相應的一個發光元件將被 點亮；以及開關元件陣列，其由多個開關元件形成，這些開關元件被設置為對應於形成所述 存儲元件陣列的各存儲元件，這些開關元件電連接至各存儲元件，這些開關元件中的每一 個開關元件都具有ON狀態和OFF狀態，這些開關元件連接至傳遞信號線，該傳遞信號線提 供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情 況相比，這些開關元件通過變成ON狀態來使各存儲元件易於被設定為ON狀態。根據本發明的第二方面，在第一方面的發光裝置中，發光裝置還包括保持元件陣 列，其由多個保持元件形成，這些保持元件被設置為對應於形成發光元件陣列的各發光元 件和形成存儲元件陣列的各存儲元件，這些保持元件中的每個保持元件均具有ON狀態和 OFF狀態，這些保持元件通過各自的電阻連接至用於提供改變為ON狀態的信號的保持信號 線，以及，與處於OFF狀態的情況相比，這些保持元件通過變成ON狀態來連同處於ON狀態 的相應的一個存儲元件一起來使相應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件 被設置為對應於各發光元件。根據本發明的第三方面，在第一和第二方面的發光裝置中，該發光裝置還包括保 存元件陣列，其由多個保存元件形成，這些保存元件被設置為對應於形成存儲元件陣列的 各存儲元件，這些保存元件中的每一個保存元件在相應的一個存儲元件處於ON狀態時變 成ON狀態，以將相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。根據本發明的第四方面，在第一和第二方面的發光裝置中，通過各電阻連接至形 成存儲元件陣列的各存儲元件的存儲信號線被形成為從存儲元件陣列的兩側傳送用於指 定將被點亮的發光元件的信號。根據本發明的第五方面，提供了一種發光裝置，其包括襯底；發光晶閘管陣列， 其由多個發光晶間管形成，這些發光晶間管在襯底上排列成一行，每個發光晶間管都具有 第一陽極、第一柵極和第一陰極，且每個發光晶間管的第一陽極和第一陰極中的一個連接 至用以提供用於進行點亮的電流的點亮信號線；存儲晶閘管陣列，其由設置在襯底上的多 個存儲晶閘管形成，這些存儲晶閘管被設置為對應於形成發光晶閘管陣列的各發光晶閘 管，每個存儲晶間管都具有第二陽極、第二柵極和第二陰極，每個存儲晶間管的第二陽極和 第二陰極中的一個通過各自的電阻連接至用以提供指定將被點亮的發光晶閘管的信號的 存儲信號線，每個存儲晶閘管都具有ON狀態和OFF狀態，以及每個存儲晶閘管通過變成ON 狀態來記住相應的一個發光晶閘管將被點亮；以及傳遞晶閘管陣列，其由設置在襯底上的 多個傳遞晶閘管形成，這些傳遞晶閘管被設置為對應於形成存儲晶閘管陣列的各存儲晶閘 管，每個傳遞晶間管都具有第三陽極、第三柵極和第三陰極，每個傳遞晶間管的第三柵極都 通過第一電氣元件連接至相應的一個存儲晶閘管的第二柵極，每個傳遞晶閘管都具有ON 狀態和OFF狀態，每個傳遞晶閘管的第三陽極和第三陰極中的一個連接至用以提供進行設 定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號的傳遞信號線，以及與處於OFF狀態 情況相比，所述多個傳遞晶閘管通過變成ON狀態來將各存儲晶閘管的閾值電壓改變為使 各存儲晶閘管易於被設定為ON狀態的值。根據本發明的第六方面，在第五方面的發光裝置中，該發光裝置還包括保持晶閘 管陣列，其由設置在襯底上的多個保持晶閘管形成，這些保持晶閘管陣列被設置為對應於形成發光晶閘管陣列的各發光晶閘管和形成存儲晶閘管陣列的各存儲晶閘管，每個保持晶 閘管具有第四陽極、第四柵極和第四陰極，每個保持晶閘管的第四柵極連接至相應的一個 發光晶閘管的第一柵極，每個保持晶閘管都具有ON狀態和OFF狀態，每個保持晶閘管的第 四陽極和第四陰極中的一個通過各自的電阻連接至保持信號線，所述保持信號線提供連同 處於ON狀態的相應的一個存儲晶閘管一起來變成ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的 情況相比，所述多個保持晶閘管通過變成ON狀態來將各發光晶閘管的閾值電壓改變成使 各發光晶閘管易於被設定為ON狀態的值，各存儲晶閘管被設置為對應於各發光晶閘管。根據本發明的第七方面，在第五和第六方面的發光裝置中，該發光裝置還包括保 存晶閘管陣列，其由設置在襯底上的多個保存晶閘管形成，這些保存晶閘管被設置為對應 於形成存儲晶閘管陣列的各存儲晶閘管，每個保存晶閘管具有第五陽極、第五柵極和第五 陰極，每個保存晶間管的第五柵極連接至相應的一個存儲晶間管的第二柵極，以及每個保 存晶閘管在相應的一個存儲晶閘管處於ON狀態時變成ON狀態，以保存該相應的一個存儲 晶閘管處於ON狀態。根據本發明的第八方面，在第七方面的發光裝置中，形成保存晶閘管陣列的多個 保存晶間管中的每一個的第五陽極和第五陰極中的一個通過肖特基勢壘二極體連接至提 供電力的電源線。根據本發明的第九方面，在第七方面的發光裝置中，形成保存晶閘管陣列的多個 保存晶閘管中的每一個的第五柵極通過第二電氣元件連接至消除信號線(其傳送用於將 處於ON狀態的保存晶閘管改變成OFF狀態的消除信號)，該消除信號線通過肖特基勢壘二 極管連接至消除信號被傳送到的消除信號端子。根據本發明的第十方面，提供了一種列印頭，其包括曝光單元，該曝光單元包括 多個發光裝置，且其對圖像載體進行曝光以形成靜電潛像。每個發光裝置都包括發光元 件陣列，其由排列成一行、且連接至用以提供用於進行點亮的電流的點亮信號線的多個發 光元件形成；存儲元件陣列，其由多個存儲元件形成，這些存儲元件被設置為對應於形成發 光元件陣列的各發光元件，這些存儲元件通過各自的電阻連接至存儲信號線，該存儲信號 線用以提供指定將被點亮的發光元件的信號，這些存儲元件中的每一個具有ON狀態和OFF 狀態，每個存儲元件通過變成ON狀態來記住相應的一個發光元件將被點亮；以及開關元件 陣列，其由多個開關元件形成，這些開關元件被設置為對應於形成所述存儲元件陣列的各 存儲元件，這些開關元件電連接至各存儲元件，這些開關元件中的每一個都具有ON狀態和 OFF狀態，這些開關元件都連接至傳遞信號線，所述傳遞信號線提供用於進行設定以使得從 一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個開 關元件通過變成ON狀態來使各存儲元件易於被設定為ON狀態。該列印頭還包括光學單 元，其將由曝光單元發出的光聚焦到圖像載體上；以及信號產生單元，其產生驅動信號來控 制多個組中的每一組的發光元件的發光，其中所述多個組通過將每個發光裝置中的發光元 件陣列的多個發光元件進行劃分來獲得。根據本發明的第十一方面，在第十方面的列印頭中，每個發光裝置還包括保持元 件陣列，其由多個保持元件形成，這些保持元件被設置為對應於形成發光元件陣列的各發 光元件和形成存儲元件陣列的各存儲元件，這些保持元件中的每一個具有ON狀態和OFF狀 態，這些保持元件通過各自的電阻連接至保持信號線，該信號保持線提供改變為ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，這些保持元件通過變成ON狀態來連同處於ON狀態 的相應的一個存儲元件一起來使相應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件 被設置為對應於各發光元件。根據本發明的第十二方面，在第十方面的列印頭中，每個發光裝置都還包括保存 元件陣列，其由多個保存元件形成，這些保存元件被設置為對應於成存儲元件陣列的各存 儲元件，這些保存元件中的每一個保存元件在相應的一個存儲元件處於ON狀態時變成ON 狀態，以將該相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。根據本發明的第十三方面，在第十二方面的列印頭中，每個發光裝置還包括消除 信號線，其用於將處於ON狀態的保存元件改變為OFF狀態，該保存元件形成保存元件陣列。根據本發明的第十四方面，在第十至第十三方面的列印頭中，由信號產生單元產 生的驅動信號被提供至每個發光裝置中的發光元件陣列的多個發光元件，這些驅動信號包 括用於使形成發光元件陣列的發光元件點亮的點亮信號，且該點亮信號被共同提供給至少 兩個發光裝置。根據本發明的第十五方面，在第十四方面的列印頭中，包括在由信號產生單元產 生的驅動信號中的點亮信號根據想要點亮的發光元件的數量向每個發光裝置中的發光元 件陣列的多個發光元件提供電流。根據本發明的第十六方面，提供了一種圖像形成設備，其包括充電單元，其對圖 像載體進行充電；曝光單元，該曝光單元包括多個發光裝置，且其對圖像載體進行曝光以形 成靜電潛像。每個發光裝置包括發光元件陣列，其由排列成一行、且連接至用以提供用於 進行點亮的電流的點亮信號線的多個發光元件形成；存儲元件陣列，其由多個存儲元件形 成，這些存儲元件被設置為對應於形成發光元件陣列的各發光元件，這些存儲元件通過各 自的電阻連接至存儲信號線，該存儲信號線用以提供指定將被點亮的發光元件的信號，這 些存儲元件中的每一個存儲元件都具有ON狀態和OFF狀態，每個存儲元件都通過變成ON 狀態來存儲相應的一個發光元件將被點亮；以及開關元件陣列，其由多個開關元件形成，這 些開關元件被設置為對應於形成所述存儲元件陣列的各存儲元件，這些開關元件電連接至 各存儲元件，這些開關元件中的每一個開關元件都具有ON狀態和OFF狀態，這些開關元件 連接至傳遞信號線，所述傳遞信號線提供用於進行設定以使得從一端側向另一端側順序移 位ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個開關元件通過變成ON狀態來 使各存儲元件易於被設定為ON狀態。該圖像形成設備還包括光學單元，其將由曝光單元 發出的光聚焦到圖像載體上；以及信號產生單元，其產生驅動信號來控制多個組中的每一 組的發光元件的發光，其中所述多個組通過將每個發光裝置中的發光元件陣列的多個發光 元件進行劃分來獲得；顯影單元，其對形成在圖像載體上的靜電潛像進行顯影；以及轉印 單元，其將在圖像載體上顯影的圖像轉印到轉印體。根據本發明的第十七方面，在第十六方面的圖像形成設備中，每個發光裝置都還 包括保持元件陣列，其由多個保持元件形成，這些保持元件被設置為對應於形成發光元件 陣列的各發光元件和形成存儲元件陣列的各存儲元件，這些保持元件中的每一個保持元件 都具有ON狀態和OFF狀態，這些保持元件通過各自的電阻連接至保持信號線，該保持信號 線提供改變為ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，這些保持元件通過變成ON 狀態來連同處於ON狀態的相應的一個存儲元件一起來使相應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件被設置為對應於各發光元件。根據本發明的第十八方面，在第十六和第十七方面的圖像形成設備中，每個發光 裝置都還包括保存元件陣列，其由多個保存元件形成，這些保存元件被設置為對應於形成 存儲元件陣列的各存儲元件，這些保存元件中的每一個保存元件在相應的一個存儲元件處 於ON狀態時變成ON狀態，以將相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。根據本發明的第一方面，相比於未採用當前構造的情況，可以通過以多個發光裝 置共用點亮信號來減少用於點亮信號的配線的數量。根據本發明的第二方面，相比於未採用當前構造的情況，可以縮短停止發光裝置 發光的周期。根據本發明的第三方面，相比於未採用當前構造的情況，可以容易地驅動發光裝置。根據本發明的第四方面，相比於未採用當前構造的情況，可以利用幅值較小的信 號來驅動發光裝置。根據本發明的第五方面，相比於未採用當前構造的情況，可以通過以多個發光裝 置共用點亮信號來減少用於點亮信號的配線的數量。根據本發明的第六方面，相比於未採用當前構造的情況，可以縮短停止發光裝置 發光的周期。根據本發明的第七方面，相比於未採用當前構造的情況，可以容易地驅動發光裝置。根據本發明的第八方面，相比於未採用當前構造的情況，可以更容易地驅動發光
直ο根據本發明的第九方面，相比於未採用當前構造的情況，可以穩定地驅動發光裝置。根據本發明的第十方面，相比於未採用當前構造的情況，可以實現尺寸更小的打 印頭。根據本發明的第十一方面，相比於未採用當前構造的情況，可以縮短列印頭的曝 光時間。根據本發明的第十二方面，相比於未採用當前構造的情況，可以容易地驅動列印 頭。根據本發明的第十三方面，相比於未未用當前構造的情況，可以穩定地驅動列印 頭。根據本發明的第十四方面，相比於未未用當前構造的情況，可以實現尺寸更小的 列印頭。根據本發明的第十五方面，相比於未採用當前構造的情況，可以減少發光強度的變化。根據本發明的第十六方面，相比於未採用當前構造的情況，可以實現尺寸更小的 圖像形成設備。根據本發明的第十七方面，相比於未採用當前構造的情況，可以加速圖像形成。根據本發明的第十八方面，相比於未採用當前構造的情況，可以容易地驅動圖像形成設備。


下面將參照附圖對本發明的示例性實施例進行更詳細地描述，附圖中圖1是示出應用了第一示例性實施例的圖像形成設備的整體構造的實例的示意 圖；圖2是示出應用了第一示例性實施例的列印頭的結構的視圖；圖3是列印頭中的電路板和發光部分的俯視圖；圖4是示出第一示例性實施例中的安裝在電路板上的信號產生電路的構造以及 電路板的配線構造的示意圖；圖5A和圖5B是用於說明第一示例性實施例中發光晶片的概要的示意圖；圖6是用於說明第一示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖7A和圖7B是第一示例性實施例中發光晶片的平面布局及截面圖；圖8是用於說明第一示例性實施例中發光晶片的操作的時序圖；圖9是用於說明第一示例性實施例中發光晶片的操作的另一時序圖；圖10是示出第二示例性實施例中的安裝在電路板上的信號產生電路的構造以及 電路板的配線構造的示意圖；圖IlA和圖IlB是用於說明第二示例性實施例中發光晶片的概要的示意圖；圖12是用於說明第二示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖13A和圖13B是第二示例性實施例中發光晶片的平面布局及截面圖；圖14是用於說明第二示例性實施例中發光晶片的操作的時序圖；圖15是用於說明第二示例性實施例中發光晶片的操作的另一時序圖；圖16是用於說明第三示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖17A和圖17B是第三示例性實施例中發光晶片的平面布局及截面圖；圖18是用於說明第三示例性實施例中發光晶片的操作的時序圖；圖19是用於說明第四示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖20是用於說明第五示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖21是示出第六示例性實施例中的安裝在電路板上的信號產生電路的構造以及 電路板的配線構造的示意圖；圖22是用於說明第六示例性實施例中發光晶片的概要的示意圖；圖23是用於說明第六示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；圖24是用於說明第六示例性實施例中發光晶片的操作的時序圖；圖25是用於說明第七示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖；以及圖26是用於說明第八示例性實施例中發光晶片的電路構造的示意圖。
具體實施例方式下文中，將參照附圖給出本發明示例性實施例的描述。圖1是示出應用了第一示例性實施例的圖像形成設備1的整體體構造的實例的示意圖。圖1所示的圖像形成設備1通常稱作串聯式(tandem)式圖像形成設備。圖像形成 設備1包括圖像形成處理單元10、圖像輸出控制器30、和圖像處理器40。圖像形成處理單 元10根據不同顏色的圖像數據形成圖像。圖像輸出控制器30控制圖像形成處理單元10。 連接至諸如個人計算機(PC) 2之類的裝置以及圖像讀取設備3的圖像處理器40對從上述 裝置接收到的圖像數據執行預定的圖像處理。圖像形成處理單元10包括圖像形成單元11，該圖像形成單元由以預先設定的間 隔平行排列的多個引擎形成。圖像形成單元11由四個圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK 形成。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK中的每一個都包括感光鼓12、充電裝置13、列印 頭14和顯影裝置15。在感光鼓(其為圖像載體的一個實例)12上，形成靜電潛像，且感光 鼓12保持調色劑圖像。充電裝置13(作為充電單元的一個實例)以預定電位對感光鼓12 的表面進行充電。列印頭14對由充電裝置13進行了充電的感光鼓12進行曝光。顯影裝 置15 (作為顯影單元的一個實例)對由列印頭14形成的靜電潛像進行顯影。此處，除了放 置在顯影裝置15中的調色劑顏色不同以外，圖像形成單元11Y、11M、1IC和1IK具有近似相 同的構造。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK分別形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C)和 黑色⑷調色劑圖像。此外，圖像形成處理單元10還包括片材傳輸帶21、驅動輥22、轉印輥23和定影裝 置24。片材傳輸帶21傳輸作為轉印體的記錄片材，以通過多層轉印將分別形成在圖像形成 單元11Y、11M、11C和IlK的感光鼓12上的不同顏色的調色劑圖像轉印到記錄片材上。驅 動輥22是驅動片材傳輸帶21的輥。每個轉印輥23 (作為轉印單元的一個實例)將形成在 相應感光鼓12上的調色劑圖像轉印到記錄片材上。定影裝置24將調色劑圖像定影到記錄 片材上。在該圖像形成設備1中，圖像形成處理單元10基於由圖像輸出控制器30提供的 各種控制信號來執行圖像形成操作。在圖像輸出控制器30的控制下，由圖像處理器40對 從個人計算機(PC)2或圖像讀取設備3接收的圖像數據進行圖像處理，然後將得到的數據 提供給相應的圖像形成單元11。然後，例如在黑色(K)圖像形成單元IlK中，在感光鼓12 沿箭頭A的方向轉動的同時，由充電裝置13以預定電位對感光鼓12進行充電，然後由基於 由圖像處理器40提供的圖像數據而點亮(發光)的列印頭14對感光鼓12進行曝光。通 過該操作，在感光鼓12上形成了黑色(K)圖像的靜電潛像。之後，由顯影裝置15對形成在 感光鼓12上的靜電潛像進行顯影，從而在感光鼓12上形成了黑色(K)的調色劑圖像。類 似地，分別在圖像形成單元IlYUlM和IlC中形成黃色(Y)、品紅色(M)和青色(C)的調色 劑圖像。在各圖像形成單元11中形成的感光鼓12上的各種顏色的調色劑圖像按照次序被 靜電轉印到隨著通過施加至轉印輥23的轉印電場所引起的片材傳輸帶21的運動而提供的 記錄片材上。此處，片材傳輸帶21沿箭頭B的方向運動。通過該操作，在記錄片材上形成 了合成調色劑圖像(其為疊加的各種顏色的調色劑圖像)。此後，其上靜電轉印有合成調色劑圖像的記錄片材被傳輸至定影裝置24。傳輸至 定影裝置24的記錄片材上的合成調色劑圖像由定影裝置24通過進行利用加熱和加壓的定 影處理而定影在記錄片材上，然後從圖像形成設備1輸出。圖2是示出應用了第一示例性實施例的列印頭14的結構的視圖。列印頭14包括外殼61、發光部分63、電路板62和棒狀透鏡陣列64。發光部分63 (作為曝光單元的一個實 例)具有多個發光元件(在第一示例性實施例中為發光晶間管)。在電路板62上安裝有發 光部分63、信號產生電路100 (見後面描述的圖3)等。信號產生電路100 (作為信號產生單 元的一個實例)產生驅動發光部分63的信號(驅動信號)。棒狀透鏡陣列64 (作為光學單 元的一個實例)將由發光部分63發出的光聚焦到感光鼓12的表面上。外殼61例如由金屬製成並且支撐電路板62和棒狀透鏡陣列64。外殼61被設置 為使得發光部分63的發光點位於棒狀透鏡陣列64的焦平面上。此外，棒狀透鏡陣列64沿 感光鼓12的軸向(第一掃描方向)布置。圖3是列印頭14中的電路板62和發光部分63的俯視圖。如圖3所示，發光部分63由在電路板62上沿第一掃描方向布置成兩行的六十個 發光晶片C(C1至C60)(其中每個發光晶片都是發光裝置的一個實例)形成。此處，這六十 個發光晶片C(C1至C60)排列成Z形圖案，其中發光晶片Cl至C60中每相鄰的兩個發光芯 片彼此面對。此外，如上所述，在電路板62上安裝有驅動發光部分63的信號產生電路100。圖4是示出第一示例性實施例中安裝在電路板62 (見圖2和圖3)上的信號產生 電路100的構造、以及電路板62的配線構造的示意圖。儘管省略了說明，但是從圖像輸出控制器30和圖像處理器40(見圖1)將經過圖 像處理的圖像數據和各種控制信號都輸入至信號產生電路100。然後，信號產生電路100 基於圖像數據和各種控制信號來執行圖像數據的重排列、發光強度校正等。信號產生電路 100包括點亮信號產生單元110，其將點亮信號φ (φΠ至φΙ30)輸出至各發光晶片c(ci 至 C60)。信號產生電路100包括存儲信號產生單元120，其基於圖像數據輸出存儲信號(pm ((pmlA至(pm60A和CpmlB至(pm60B )，這些存儲信號用於指定和記住各發光晶片C(C1至 C60)中將被點亮的發光元件。此外，信號產生電路100還包括傳遞信號產生單元130，其基於各種控制信號向發 光晶片C (Cl至C60)發送第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2。具體地，信號產生電路100產生點亮信號φι (φ 至φΙ30)、存儲信號φιη (φιηΙΑ
至cpm60A和cpmlB至(pm60B )、第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2，這些信號作為驅動信號 的實例。為電路板62提供有電源線104。電源線104連接至發光晶片C (Cl至C60)的Vsub 端子(見後面描述的圖6)，並提供基準電位Vsub(例如，0V)。此外，還為電路板提供有另一 電源線105。電源線105連接至發光晶片C(Cl至C60)的Vga端子(見後面描述的圖6)， 並為電源(例如，"3. 3V)提供電源電位Vga。此外，還為電路板62提供第一傳遞信號線106和第二傳遞信號線107。第一傳遞 信號線106和第二傳遞信號線107分別將第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2從信號產生 電路100的傳遞信號產生單元130傳送到發光部分63。第一傳遞信號線106和第二傳遞信 號線107分別並聯連接至發光晶片C(C1至C60)的φ 端子和φ2端子(見後面描述的圖5Α 至圖6)。此外，電路板62還設置有三十條點亮信號線109 (109_1至109_30)。這些點亮信 號線109將來自信號產生電路100的點亮信號產生單元110的各點亮信號φι (φ 至φΙ30)傳送至相應的發光晶片C (Cl至C60)。點亮信號線109(109_1至109_30)中的每一條都 用於相應的由兩個發光晶片C形成的對。具體地，點亮信號CpIl被共同傳送至發光晶片Cl 和C2。點亮信號φΙ2被共同傳送至發光晶片C3和C4。點亮信號φΙ30被共同傳送至發光芯 片C59和C60。其他的點亮信號也都具有相同的配置。應該注意到，儘管本文中將一個點亮信號φ 傳送至兩個發光晶片C，但是並不限 於此配置。一個點亮信號φ 可以傳送至一個發光晶片C，或傳送至三個或更多個發光晶片 C0此外，電路板62還設置有一百二十條存儲信號線108(108_1Α至108_60Α以及 108_1Β至108_60Β)。這些存儲信號線108將來自信號產生電路100的存儲信號產生單元 120的各存儲信號φιη (CpmlA至φιη60Α和cpmlB至(pm60B )傳送至相應的發光晶片C(C1至 C60)。在第一示例性實施例中，每個發光晶片C都被提供有兩條存儲信號線108(108_1A至 108_60A以及108_1B至108_60B)。具體地，存儲信號CpmlA和CpmlB被傳送至發光晶片Cl。 存儲信號φπι2Α和cpm2B被傳送至發光晶片C2。存儲信號cpm60A和cpm60B被傳送至發光晶片 C60。後面將描述為何為每個發光晶片C都傳送兩個存儲信號φπι的原因。如上所述，基準電位Vsub和電源電位Vga被共同提供給電路板62上的每個發光 晶片C(C1至C60)，且第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2也共同傳送至此。同時，每個點亮 信號φ 都被共同傳送至相應對中所包含的發光晶片C。此外，各存儲信號φπι分別傳送至各 發光晶片Co圖5Α和圖5Β是用於說明第一示例性實施例中的發光晶片的概要的示意圖。將發 光晶片Cl作為實例進行描述，從而用發光晶片Cl(C)表示各發光晶片C。這對於發光晶片 C2至C60來說也是相同的。儘管在該方式中將發光晶片Cl描述為一個實施例，但是如果各 發光晶片C(C1至C60)都具有相同的配置，則以發光晶片Cl(C)來表示發光晶片Cl。這同 樣適用於其他術語。在發光晶片Cl(C)中，將多個發光元件(具體地為發光晶閘管)分成多個組，每 一組都包括預定數量的發光元件，並且針對這些組中的每一組發光元件來控制點亮和熄滅 (進行點亮控制)。圖5A示出了其中發光晶片Cl (C)中每四個發光元件形成一組來操作的 情形中發光元件的組合，而圖5B示出了其中發光晶片Cl (C)中每八個發光元件形成一組來 操作的情形。在圖5A和圖5B中，發光晶片Cl (C)包括由SLED_A和SLED_B表示的兩個自掃描 發光元件陣列(SLED)。31^0_々和51^0_8均包括沿發光晶片(1(0邊緣設置的發光晶閘管 Ll至L128 (其為128個發光元件的實例)。當不對SLED_A和SLED_B進行區分時，它們都 以SLED表示。發光晶片Cl (C)包括φ 1端子、φ2端子、(pmA端子、cpmB端子和φ 端子。此外，發光 晶片Cl (C)還包括位於其正面的Vga端子和位於其背面的Vsub端子。當不對(pmA端子和 CpmB端子進行區分時，它們都以cpm端子來表示。這些端子中，基準電位Vsub、電源電位Vga、第一傳遞信號φ 1、第二傳遞信號φ2和 點亮信號φ (φ )都被共同傳送至SLED_A*SLED_B。同時，存儲信號cpmlA((pmA)被 傳送至SLED_A，存儲信號CpmlB(CpmB)被傳送至SLED_B。即，存儲信號φιη被分別傳送至各 SLED0
在圖5A中，按照圖中從左到右的順序為SLED_A的發光晶閘管Ll至L128設置編 號。這些發光元件(發光晶閘管)被分成多個組，每組都由四個晶閘管(諸如按照圖中從左 到右的順序的組#1的四個(發光晶閘管Ll至L4)、#II的四個(發光晶閘管L5至L8)···) 形成。另一方面，按照圖中從右到左的順序為SLED_B的發光晶閘管Ll至L128設置編 號。這些發光元件(發光晶閘管)被分成多個組，每組都由四個晶閘管(諸如按照圖中從右 到左的順序的組#1的四個(發光晶閘管Ll至L4)、#II的四個(發光晶閘管L5至L8)···) 形成。當不對發光晶閘管Li、L2、L3…進行區分時，將它們都稱為發光晶閘管L。通過將SLED_A和SLED_B中的組#I、#II…中的每一個組看作一個單元，則按時間 順序根據組#1、#π···的順序對屬於每一組的各發光晶閘管L的點亮和熄滅進行控制(執 行點亮控制)。應該注意到，例如對於組#1，不同時點亮或熄滅組#1中的發光晶閘管Ll至 L4，而是分別控制發光晶閘管Ll至L4中的每一個發光晶閘管的點亮和熄滅。對SLEDA和 SLED_B並行進行點亮控制，從而從SLED_A中最左側的組#1以及從SLED_B中最右側的組 #1開始順序進行點亮控制。下面將給出點亮控制的詳細描述。同樣在圖5B中，按照圖中從左到右的順序為SLED_A的發光晶閘管Ll至L128設 置編號。這些發光元件(發光晶閘管)被分成多個組，每一組都由八個晶閘管(諸如按照 圖中從左到右的順序的組#1的八個(發光晶閘管Ll至L8)、組#11的八個(發光晶閘管 L9至L16)…)形成。類似於圖5A所示的情況，通過將組#1、#11…中的每一個組看作一個 單元，對屬於每一組的八個發光元件(發光晶間管)的點亮和熄滅進行控制(執行點亮控 制)。應該注意，圖5A和圖5B中的發光晶片Cl (C)的配置是相同的，而圖5A和圖5B中 的組#1、#11…的配置(發光晶閘管L的數量)是不同的。圖6是示出用於說明第一示例性實施例中的發光晶片C的電路構造的示意圖。此 處，將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl (C)來表示各發光 晶片C。應該注意，圖6中示出了與發光晶閘管Ll至L8相關的部分。為了便於描述，在該 附圖的左側邊緣上示出Vga端子、φι端子、φ2端子、cpmA端子和φ 端。儘管未示出，但是除 了在該附圖的橫向上為翻轉的以外，SLED_B具有相同的配置。應該注意，儘管cpmA端子被 (pmB端子代替，但是Vga端子、φ 端子、φ2端子和φ 端子是公共的。其他的發光晶片C2至 C60具有與發光晶片Cl的相同的配置。發光晶片Cl (C)的分包括由排列成一行的傳遞晶閘管Τ1、Τ2、Τ3…(作 為開關元件的一個實例)形成的傳遞晶閘管陣列(開關元件陣列)、由同樣排成一行的存 儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3…(作為存儲元件的一個實例)形成的存儲晶閘管陣列(存儲元件陣 列)、以及由同樣排成一行的發光晶閘管L1、L2、L3…形成的發光晶閘管陣列(發光元件陣 列)，上述各陣列都位於襯底80上(見稍後將描述的圖7A和圖7B。此處，當不對傳遞晶閘管T1、T2、T3…進行區分時，將它們統稱為傳遞晶閘管T。類 似地，當不對存儲晶閘管Ml、Μ2、Μ3…進行區分時，將它們統稱為存儲晶閘管Μ。應該注意，上述晶閘管(傳遞晶閘管Τ、存儲晶閘管M和發光晶閘管L)都是半導體 器件，它們各自都具有三個端子，即陽極端子、陰極端子和柵極端子。發光晶閘管L的陽極端子、陰極端子和柵極端子分別稱為第一陽極、第一陰極和第一柵極。存儲晶間管M的陽極端子、陰極端子和柵極端子分別稱為第二陽極、第二陰極和 第二柵極。傳遞晶間管T的陽極端子、陰極端子和柵極端子分別稱為第三陽極、第三陰極和
第三柵極。發光晶片Cl (C)的SLED_A部分包括耦合二極體Dcl、Dc2、Dc3···，這些耦合二極體 按照編號順序將由傳遞晶閘管T1、T2、T3…中每兩個所組成的各對傳遞晶閘管連接起來。此 外，發光晶片Cl(C)包括連接二極體Dml、Dm2、Dm3···(其中的每一個都作為第一電氣元件 的一個實例)。此外，發光晶片Cl(C)的分還包括電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3···、電源線 電阻 Rml、Rm2、Rm3···、和電阻 Rnl、Rn2、Rn3···。此處，類似於傳遞晶閘管T等，當不分別對耦合二極體Del、Dc2、Dc3···、連接二極 管Dml、Dm2、Dm3...、電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3...、電源線電阻Rml、Rm2、Rm3...、以及電阻Rnl、 Rn2、Rn3···進行區分時，將它們分別統稱為耦合二極體Dc、連接二極體Dm、電源線電阻Rt、 電源線電阻Rm、以及電阻Rn。例如，如果傳遞晶閘管陣列中的傳遞晶閘管T的數量被設置為128，則存儲晶閘管 M的數量和發光晶閘管L的數量也為128。類似地，連接二極體Dm的數量、電源線電阻Rt 和Rm各自的數量、以及電阻Rn的數量也為128。同時，耦合二極體Dc的數量為127，其比 傳遞晶閘管T的數量少1。此外，發光晶片Cl (C)的SLED_A部分還包括一個啟動二極體Ds。為了防止過大的 電流流入第一傳遞信號線72和第二傳遞信號線73，發光晶片Cl (C)的SLED_A部分還包括 限流電阻Rl和R2。應該注意，傳遞晶閘管T1、T2、T3…從圖6左側開始按照編號順序排列。類似地，存 儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3···、發光晶閘管L1、L2、L3…也都從圖6左側開始按照編號順序排列。此 外，耦合二極體Dcl、Dc2、Dc3…、連接二極體Dml、Dm2、Dm3...、電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3...、 電源線電阻Rml、Rm2、Rm3···、以及電阻Rnl、Rn2、Rn3···也都從圖6左側開始按照編號順序 排列。接下來，下面將給出發光晶片Cl(C)的SLED_A部分中各元件之間的電連接的描 述。傳遞晶閘管T1、T2、T3…的陽極端子、存儲晶閘管M1、M2、M3…的陽極端子、以及發 光晶閘管1^1丄2丄3丨的陽極端子都連接至發光晶片(1(0的襯底80(陽極共用)。這些陽 極端子都通過為襯底80設置的Vsub端子連接至電源線104(見圖4)。為該電源線104提 供有基準電位Vsub。傳遞晶閘管Tl、T2、T3…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3···通過被設置為對應於各傳遞 晶閘管T1、T2、T3…的各電源線電阻Rtl、Rt2、Rt3…而連接至電源線71。電源線71連接至 Vga端子。Vga端子連接至電源線105 (見圖4)，且給Vga端子提供電源電位Vga。從傳遞晶閘管Tl開始，沿著傳遞晶閘管陣列，奇數傳遞晶閘管T1、T3、T5…的陰極 端子連接至第一傳遞信號線72。第一傳遞信號線72通過限流電阻Rl連接至作為第一傳遞 信號φι的輸入端子的φι端子。第一傳遞信號線106(見圖4)連接至該φ 1端子，且第一傳遞 信號φ 1被提供給該端子。同時，沿著傳遞晶閘管陣列，偶數傳遞晶閘管Τ2、Τ4、Τ6…的陰極端子連接至第二傳遞信號線73。第二傳遞信號線73通過限流電阻R2連接至作為第二傳遞信號φ2的輸入 端子的φ2端子。第二傳遞信號線107 (見圖4)連接至該φ2端子，且第二傳遞信號φ2被提供 給該端子。存儲晶閘管Ml、M2、M3…的陰極端子通過被設置為對應於這些存儲晶閘管的各電 阻Rnl、Rn2、Rn3···連接至存儲信號線74A。存儲信號線74A連接至作為存儲信號(pm的輸入 端子的CpmA端子。存儲信號線108_1A(見圖4)連接至CpmA端子，且存儲信號(pmlA提供至該 端子。儘管未示出，但是在SLED_B中，存儲晶閘管M1、M2、M3…的陰極端子通過被設置為對 應於這些存儲晶閘管的各電阻Rnl、Rn2、Rn3···連接至類似於存儲信號線74A的存儲信號線 74B(未示出)。存儲信號線74B連接至作為存儲信號(pm的輸入端子的CpmB端子(見圖5A 和圖5B)。存儲信號線108_1B(見圖4)連接至CpmB端子，且存儲信號(pmlB被提供給該端 子。圖6中，傳遞晶閘管Tl、T2、T3…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3…中的每一個通過連 接二極體Dml、Dm2、Dm3···中的每一個以一對一的關係連接至存儲晶閘管Ml、M2、M3…的柵 極端子Gml、Gm2、Gm3···(其與要連接至的柵極端子Gt具有相同的數量)中的一個。具體 地，連接二極體Dml、Dm2、Dm3···的陽極端子分別連接至傳遞晶閘管T1、T2、T3…的柵極端子 Gtl、Gt2、Gt3···，而連接二極體Dml、Dm2、Dm3···的陰極端子分別連接至存儲晶閘管Ml、M2、 M3…的柵極端子Gml、Gm2、Gm3…。此處，當不對柵極端子6丨1、6丨2、6丨3'"和柵極端子61111、61112、611^"進行區分時，分 別將它們統稱為柵極端子Gt和柵極端子Gm。連接二極體Dm被連接為使得電流從各傳遞晶閘管T的柵極端子Gt流向各存儲晶 閘管M的柵極端子Gm。存儲晶閘管Ml、M2、M3…的柵極端子Gml、Gm2、Gm3…中的每一個通過被設置為對 應於存儲晶閘管Ml、M2、M3…中每一個的電源線電阻Rml、Rm2、Rm3…中的每一個連接至電 源線71。耦合二極體Dcl、Dc2、Dc3…中的每一個都連接在每對柵極端子Gt之間，該對柵極 端子Gt是傳遞晶閘管T1、T2、T3…的柵極端子Gtl、Gt2、Gt3…中按照編號順序的兩個柵極 端子。具體地，耦合二極體Del、Dc2、Dc3···以將柵極端子Gtl、Gt2、Gt3…中的每一個夾置 於中間的方式串聯連接。耦合二極體Dcl被連接為使得其方向與從柵極端子Gtl流向柵極 端子Gt2的電流方向相同。相同的配置適用於其他的耦合二極體Dc2、Dc3、Dc4···。發光晶閘管Ll、L2、L3…的柵極端子Gl 1、Gl2、Gl3· 連接至各存儲晶閘管Ml、M2、 M3…的柵極端子Gml、Gm2、Gm3…。發光晶閘管Li、L2、L3…的各陰極端子連接至點亮信號線75，該點亮信號線連接 至φI端子。點亮信號線109(見圖4 用於發光晶片Cl的點亮信號線109_1)連接至該φI端 子，且點亮信號φι (見圖4 用於發光晶片Cl的點亮信號φι)被提供給該φI端子。應該注 意，對於均由兩個發光晶片C形成的各對，點亮信號φ 至φΙ30被共同提供至其他發光芯 片C2至C60的φ I端子。位於傳遞晶閘管陣列一端側的傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl連接至啟動二極體 Ds的陰極端子。同時，啟動二極體Ds的陰極端子連接至第二傳遞信號線73。圖7Α和圖7Β是第一示例性實施例中發光晶片C的平面布局以及截面視圖。將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl (C)表示各發光晶片C。圖 7A是與發光晶片Cl (C)的SLED_A部分中的發光晶閘管Ll至L4相關部分的平面布局。圖 7B是沿圖7A的線VIIB-VIIB取的截面圖。具體地，圖7B示出了傳遞晶閘管Tl、連接二極 管Dml、存儲晶閘管Ml和發光晶閘管Ll的截面。應該注意，在圖7A和圖7B中，利用上述名 稱來示出各元件和端子。如圖7B所示，通過在作為ρ型半導體的襯底80上順序堆疊ρ型第一半導體層81、 η型第二半導體層82、ρ型第三半導體層83和η型第四半導體層84來構造發光晶片Cl (C)。此外，通過順序對第一半導體層81、第二半導體層82、第三半導體層83和第四半 導體層84進行蝕刻來形成多個島(第一島141至第六島146)。如圖7Α所示，在第一島141中形成發光晶閘管Ll和存儲晶閘管Μ1，在第二島142 中形成電源線電阻Rml和Rtl，且在第三島143中形成耦合二極體Del、連接二極體Dml和 傳遞晶閘管Tl。此外，還在襯底80上並行形成類似於第一島141至第三島143的多個島。 類似於第一島141至第三島143，在這些島中形成發光晶閘管L2、L3、L4…、傳遞晶閘管T2、 T3、T4···等。省略對此的描述。同時，在第四島144中形成啟動二極體Ds，在第五島145中形成限流電阻R2，以及 在第六島146中形成限流電阻R1。在襯底80的背面形成作為Vsub端子的背面公共電極。形成在第一島141中的發光晶閘管Ll包括設置為陽極端子的襯底80、設置為陰極 端子的η型歐姆電極121、和設置為柵極端子Gll的ρ型歐姆電極131。此處，η型歐姆電 極121形成在η型第四半導體層84的區域111中，而ρ型歐姆電極131形成在通過利用蝕 刻去除η型第一半導體層84而暴露的ρ型第三半導體層83上。在發光晶閘管Ll處於ON 狀態時，η型第四半導體層84的表面上除了形成有η型歐姆電極121的部分以外的部分發 光。此外，形成在第一島141中的存儲晶閘管Ml包括設置為陽極端子的襯底80、設置 為陰極端子的η型歐姆電極122、和設置為柵極端子Gml的ρ型歐姆電極131。此處，η型 歐姆電極122形成在η型第四半導體層84的區域112中。應該注意，ρ型歐姆電極131為 發光晶閘管Ll的柵極端子Gll共用。形成在第二島142中的電源線電阻Rml和Rtl形成在在ρ型第三半導體層83上 形成的P型歐姆電極(P型歐姆電極132等)之間。S卩，電源線電阻Rml和Rtl包括作為電 阻層的P型第三半導體層83。形成在第三島143中的傳遞晶閘管Tl包括設置為陽極端子的襯底80、設置為陰極 端子的η型歐姆電極124、和設置為柵極端子Gtl的ρ型歐姆電極133。此處，η型歐姆電 極124形成在η型第四半導體層84的區域114中，而ρ型歐姆電極133形成在通過利用蝕 刻去除η型第四半導體層84而暴露的ρ型第三半導體層83上。類似地，形成在第三島143 中的連接二極體Dml包括η型第四半導體層84的區域113中被設置為陰極端子的η型歐 姆電極123、和通過去除η型第四半導體層84暴露的ρ型第三半導體層83上被設置為陽極 端子的P型歐姆電極133。儘管圖7Β中未示出，但是類似於連接二極體Dml還形成了耦合二極體Del。形成在第四島144中的啟動二極體Ds包括設置在η型第四半導體層84上的被設置為陰極端子的η型歐姆電極126、和通過去除η型第四半導體層84而暴露的ρ型第三半 導體層83上的被設置為陽極端子的ρ型歐姆電極135。類似於電源線電阻Rtl和Rml，分別形成在第五島145和第六島146中的限流電阻 R2和Rl包括被設置為電阻層的ρ型第三半導體層83。下面將給出圖7A的連接關係的描述。第一島141中的發光晶閘管Ll的柵極端子Gll和存儲晶閘管Ml的柵極端子Gml 都是P型歐姆電極131，其連接至第二島142中的電源線電阻Rml的ρ型歐姆電極132。此 外，P型歐姆電極132連接至作為第三島143中連接二極體Dml的陰極端子的η型歐姆電 極123。另外，作為第一島141中存儲晶閘管Ml的陰極端子的η型歐姆電極122連接至電 阻Rnl的一個端子。該電阻Rnl的另一個端子連接至存儲信號線74Α。存儲信號線74Α連 接至(pmA端子。第二島142中的電源線電阻Rml的另一個端子連接至電源線71。電源線電阻Rtl 的另一個端子為電源線電阻Rml的另一個端子共用，且連接至電源線71，該電源線71連接 至Vga端子。作為第三島143中連接二極體Dml的陽極端子的ρ型歐姆電極133是傳遞晶閘管 Tl的柵極端子Gtl，且連接至第四島144中的啟動二極體Ds的陰極端子。第三島143中的耦合二極體Dcl的陰極端子連接至相鄰傳遞晶閘管T2的柵極端 子Gt2。此外，耦合二極體Del的陰極端子連接至電源線電阻Rtl的另一端子。作為第一島141中發光晶閘管Ll的陰極端子的η型歐姆電極121通過點亮信號 線75連接至φI端子。作為第三島143中傳遞晶閘管Tl的陰極端子的η型歐姆電極124連接至第一傳 遞信號線72，且通過第六島146中的限流電阻Rl連接至φ 1端子。作為傳遞晶閘管Τ2的陰 極端子的η型歐姆電極連接至第二傳遞信號線73，且通過第五島145中的限流電阻R2連接 至φ2端子。另外，作為第四島144中的啟動二極體Ds的陽極端子的ρ型歐姆電極135也連 接至第二傳遞信號線73。儘管本文中省略了其他發光晶閘管L、傳遞晶閘管Τ、存儲晶閘管Μ、耦合二極體 Dc、連接二極體Dm、電源線電阻Rm和Rt、以及電阻Rn之間連接關係的描述，但是它們之間 的連接關係與上述相同。圖6所示的發光晶片C的電路構造如上所述。接下來，將給出發光部分63的操作的描述。如圖4所示，第一傳遞信號φ 1和第二 傳遞信號φ2被共同傳送至形成發光部分63的發光晶片C(C1至C60)中的每一個。如圖5A 和圖5B所示，每一個發光晶片C (Cl至C60)均包括SLED_A* SLED_B。另外，第一傳遞信 號φ 1和第二傳遞信號φ2對還被共同傳送至SLED_A和SLED_B。因此，第一傳遞信號φ 1和第 二傳遞信號φ2被共同傳送至發光晶片C (Cl至C60)中的所有SLED，從而並行驅動所有這些 SLED0同時，基於圖像數據傳送對於每個SLED來說不同的存儲信號cpm (φπιΙΑ至φπι60Α 以及CpmlB至cpm60B)。另外，至於成對的每兩個發光晶片C(Cl至C60)，將點亮信號φ (φ 1 至φΙ30)中的每一個都共同傳送至相對應的一對發光晶片C(C1至C60)。簡言之，在第一示例性實施例中，第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2被共同傳送至所有SLED。另一方面，存儲信號Cpm被分別傳送至每個SLED。每個點亮信號φ 被共同傳送 至相對應的成對的兩個發光晶片C中的SLED。由於所有的SLED都並行進行類似的操作，因 此如果描述了發光晶片Cl的SLED_A部分的操作，就認識了發光部分63的操作。下文中， 將以發光晶片Cl的SLED_A為實例來描述發光晶片C的操作。圖8是用於說明第一示例性實施例中發光晶片C的操作的時序圖。此處，以發光 晶片Cl的分為實例進行說明。圖8示出了對圖5A所示的每一組均由四個發光 晶閘管L形成的多個組執行點亮控制的情形。應該注意，圖8僅示出了對發光晶閘管L的 組#1和組#11進行點亮控制的部分。在圖8的周期T(I)中，組#1中的所有四個發光晶閘管Ll至L4都被點亮。在周 期T(II)中，組#11中的四個發光晶閘管L5至L8中的發光晶閘管L5、L7和L8被點亮。當 不對周期T (I)、T (II)…進行區分時，將它們統稱為周期T。在圖8中，按照字母順序示出從時間點a到時間點r所經歷的時間。在從時間點 c到時間點q的周期T(I)中對圖5A所示的組#1中的發光晶閘管Ll至L4進行點亮控制。 在從時間點q到時間點r的周期T(II)中對圖5A所示的組#11中的發光晶閘管L5至L8 進行點亮控制。儘管圖8中未示出，但是周期T(II)之後是其中對圖5A所示的組#111中 的發光晶閘管L9至L12進行點亮控制的周期T(III)。在發光晶片Cl (C)的SLED_A包括 128個發光晶閘管L的情況中，對每一組均包括四個發光晶閘管的多個組進行點亮控制，直 到L128為止。除了根據圖像數據改變的存儲信號cpmlA(cpm)以外，周期T(I)、T(II)…中的波 形以相同的方式重複。因此，下面只描述從時間點c到時間點q的周期Τ(Ι)。應該注意，在 從時間點a到時間點c的周期中，發光晶片Cl(C)開始操作。將連同對操作的描述一起來 描述該周期中的信號。下面將給出周期T(I)中第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、存儲信號 cpmlA (cpm)禾口點亮信號φ (φ )。第一傳遞信號φ 1在時間點c具有低電平電位(下文中，稱為「L」)、在時間點e從 「L」改變為高電平電位(下文中，稱為「H」)、然後在時間點g從「H」改變為「L」。隨後，第 一傳遞信號Φ1在時間點k從「L」改變為「H」，在時間點η從「H」改變為「L」。之後，第一傳 遞信號Φ 1保持在「L」，直到時間點q為止。第二傳遞信號φ2在時間點C為「H」、在時間點d從「H」改變為「L」、然後在時間點 h從「L」改變為「H」。隨後，第二傳遞信號φ2在時間點j從「H」改變為「L」，在時間點ο從 「L」改變為「H」。之後，第二傳遞信號φ 保持在「H」，直到時間點q為止。此處，在時間點c和q之間的周期內，當將第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2進 行比較時，它們在存在插入周期的情況下彼此交替地重複「H」和「L」，在所述插入周期中 這兩個信號都被設置為「L」 (例如，時間點d和e之間的周期，以及時間點g和h之間的周 期)。第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2不具有它們的電位同時被設置為「H」的周期。存儲信號cpmlA (Cpm)在時間點c從「H」改變為「L」，在時間點d從「L」改變為存 儲電平的電位(下文中稱為「S」)。應該注意，儘管稍後將給出詳細描述，但是此處應當了 解存儲電平「S」是介於「H」和「L」之間的電平(電位)，並且是可以保持已經導通的存儲晶 閘管M的ON狀態的電位電平。
存儲信號(pmlA (cpra)在時間點f從「S」改變為「L」，在時間點g從「L」改變「S」。 此外，存儲信號CpmlA (φιη)在時間點i從「S」改變為「L」，在時間點j從「L」改變「S」，在 時間點1從「S」改變為「L」，然後在時間點η從「L」改變「H」。存儲信號(pmlA(cpm)在時間 點q保持在「H」。S卩，存儲信號Cpm具有三個電平，即作為第一電位實例的「L」、作為第二電位實例的 「S」、和作為第三電位實例的「H」。此處，將給出存儲信號(pmlA (cpm)與第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2之間的 關係的描述。在第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2中只有一個被設置為「L」的周期內，存 儲信號(pmlA (cpm)設置為「L」。例如，在只有第一傳遞信號φ 被設置為「L」時，存儲信號 (pmlA (cpm)在時間點c和d之間的周期內被設置為「L」，以及當只有第二傳遞信號φ2被設 置為「L」時，存儲信號(pmlA (φπι)在時間點f和g之間的周期內被設置為「L」。同時，在第一示例性實施例中，點亮信號φ (φ )是用於向發光晶閘管L提供電 流以使發光晶閘管L發光的信號，下面將對此進行描述。點亮信號φ 在時間點c被設置為 「H」，在時間點m從「H」改變為點亮電平(下文中稱為「Le」)的電位。點亮信號φ (φ ) 在時間點P從「Le」改變為「H」，然後在時間點q保持在「H」。點亮電平「Le」是介於「H」和「L」之間的電平(電位)，並且是可以使被設置為準 備點亮的發光晶閘管L導通從而點亮(發光)的電位電平，這將在下面進行詳細描述。在描述發光晶片Cl (C)的SLED_A的操作之前，先描述晶閘管(傳遞晶閘管T、存儲 晶閘管M、以及發光晶閘管L)的基本操作。晶閘管是包括三個端子(陽極端子、陰極端子和 柵極端子)的半導體器件。在下面的描述中，例如，將提供至圖6所示的設置在襯底80上的晶閘管的陽極端 子(Vsub端子)的基準電位Vsub設置為0V( 「H」)，而將提供至Vga端子的電源電位Vga 設置為_3.3V( 「L」)。如圖7A和圖7B所示，晶閘管由ρ型半導體層和η型半導體層(諸 如GaAs或GaAlAs)的堆疊層形成，且ρη結的擴散電位(正向電位)Vd設置為1. 5V。當向陰極端子施加低於(在負數意義上高於)閾值電壓V的電位時，晶閘管導通 (ON)。當晶閘管導通時，該晶閘管就被設置為其中電流流經陽極端子和陰極端子的狀態(ON 狀態)。此處，晶閘管的閾值電壓可以通過從柵極端子的電位減去擴散電位來得到。從而， 如果晶閘管的柵極端子的電位為-1. 5V，則閾值電壓為-3V。換言之，在向陰極端子施加了 低於-3V的電壓時，晶閘管導通。在晶閘管導通之後，晶閘管的柵極端子的電位幾乎等於晶閘管陽極端子電位。由 於該晶閘管的陽極端子被設置為0V，因此該晶閘管的柵極端子的電位變為-ο. IV。該值接 近於0V，從而為了便於描述，在假設柵極端子的電位為OV的情況下進行描述。此外，晶閘管 的陰極端子具有擴散電位Vd，在該情況下為-1. 5V。一旦晶閘管導通，該晶閘管就保持ON狀態，直到陰極端子的電位達到高於(在負 數意義上低於)使晶閘管保持ON狀態所需的電位(保持電壓)的電位。由於處於ON狀態 的晶閘管的陰極端子的電位為-1. 5V，因此在向陰極端子施加低於-1. 5V的電位並提供保 持ON狀態所需的電流後，ON狀態得到保持。應該注意，當陰極端子被設置為「H」 (OV)以具有和陽極端子相同的電位時，該晶 閘管就不能再保持ON狀態而是關斷(OFF)。當關斷時，該晶閘管被設置為其中電流不流經陽極端子和陰極端子的狀態(OFF狀態)。換言之，一旦將晶閘管設置成ON狀態，該晶閘管 就保持其中有電流流經的狀態，該晶閘管可以根據柵極端子的電位而不會關斷。從而，晶閘管具有保持(記住、維持)0N狀態的功能。在這樣的晶閘管中，保持ON 狀態的電位(保持電壓)可以低於使晶閘管導通的電位。應該注意，發光晶閘管L在導通時點亮(發光)，而在關斷時熄滅(不發光)。參照圖6，將根據圖8所示的時序圖描述發光部分63和發光晶片Cl的操作。(初始狀態)在圖8所示的時序圖的時間點a，發光部分63的發光晶片C(C1至C60)的Vsub 端子被設置為基準電位Vsub( 「H」(0V))。另一方面，其Vga端子被設置為電源電位 Vga( 「L」 (-3. 3V))(見圖4)。傳遞信號產生單元130將第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號 φ2都設置為「H」(OV)。存儲信號產生單元120將存儲信號Cpm ((pmlA至cpm60A和(pmlB至 cpm60B)設置為「H」(0V)(見圖4)。類似地，點亮信號產生單元110將點亮信號φ (φ 至 φΙ30)設置為「H」(OV)。禾Ij用這些設置，第一傳遞信號線106被設置為「H」，以及通過發光 部分63的每個發光晶片C的φ 端子將每個發光晶片C的第一傳遞信號線72設置為「H」。 類似地，第二傳遞信號線107被設置為「H」，以及通過每個發光晶片C的φ2端子將每個發光 晶片C的第二傳遞信號線73設置為「H」。存儲信號線108 (108_1Α至108_60Α以及108_1Β 至108_60Β)中的每一條都被設置為「H」，以及通過每個發光晶片C的CpmA端子和φπιΒ端子 將每個發光晶片C的存儲信號線74Α和74Β設置為「H」。此外，每條點亮信號線109(109_1 至109_30)都被設置為「H」，以及通過每個發光晶片C的φ 端子將每個發光晶片C的點亮 信號線75設置為「H」。接下來，以發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例來描述SLED_A和SLED_B的操作。 發光晶片Cl至C60的其他SLED_A和SLED_B與光晶片Cl的SLED_A和SLED_B並行地進行操作。傳遞晶閘管11、12、13 "、存儲晶閘管機^2、10 "、以及發光晶閘管1^1、1^2、1^·· 的陽極端子都連接至Vsub端子，從而被提供了 「H」 (OV)。另一方面，奇數傳遞晶閘管T1、T3、T5…的陰極端子都連接至被設置為「H」的第一 傳遞信號線72，而偶數傳遞晶閘管Τ2、Τ4、Τ6…的陰極端子都連接至被設置為「H」的第二傳 遞信號線73。由於每個傳遞晶閘管T的陽極端子和陰極端子都被設置為「H」，因此每個傳 遞晶閘管T都處於OFF狀態。類似地，存儲晶閘管Ml、M2、M3…的陰極端子連接至被設置為「H」的存儲信號線 74A。由於每個存儲晶閘管的陽極端子和陰極端子都被設置為「H」，因此每個存儲晶閘管M 都處於OFF狀態。此外，發光晶閘管Li、L2、L3…的陰極端子連接至被設置為「H」的點亮信號線75。 由於每個發光晶閘管L的陽極端子和陰極端子都被設置為「H」，因此每個發光晶閘管L都處 於OFF狀態。除了將在後面描述的柵極端子Gtl和Gt2以外，傳遞晶閘管T的柵極端子Gt都通 過各自的電源線電阻Rt被設置為電源電位Vga ( 「L」 (-3. 3V))。類似地，除了將在後面描述的柵極端子Gml以外，存儲晶閘管M的柵極端子Gm都 通過各自的電源線電阻Rm被設置為電源電位Vga ( 「L」 (-3. 3V))。此外，發光晶閘管L的柵極端子Gl連接至存儲晶閘管M的各柵極端子Gm。因此，除了柵極端子Gll以外，發光晶 閘管L的柵極端子Gl的電位也被設置為「L」。如上所述，圖6中傳遞晶閘管陣列一端側的柵極端子Gtl連接至啟動二極體Ds的 陰極端子。啟動二極體Ds的陽極端子連接至被設置為「H」的第二傳遞信號線73。由於啟動 二極體Ds具有被設置為「L」(-3. 3V)的陰極和被設置「H」(OV)的陽極端子，因此沿正向偏 置方向(正向偏置)施加電壓。連接至啟動二極體Ds的陰極端子的端子Gtl被設置為-1.5V 的值，該值是通過從陽極端子的「H」 (OV)中減去啟動二極體Ds的擴散電位Vd(l. 5V)得到 的。如上所述，傳遞晶閘管Tl的閾值電壓為-3V，該-3V是通過從柵極端子Gtl的電位 (-1. 5V)減去擴散電位Vd(l. 5V)得到的。與傳遞晶閘管Tl相鄰的傳遞晶閘管T2的柵極端子Gt2通過耦合二極體Dcl連接 至柵極端子Gtl。從而，傳遞晶間管T2的柵極端子Gt2的電位是-3V，該-3V是通過從柵極 端子Gtl的電位(-1.5V)減去擴散電位Vd(1.5V)得到的。因此，傳遞晶閘管T2的閾值電 壓是-4. 5V。類似地，存儲晶閘管Ml的柵極端子Gml (同樣適用於發光晶閘管Ll的柵極端子 Gll)通過連接二極體Dml連接至柵極端子Gtl。從而，存儲晶閘管Ml的柵極端子Gml (柵 極端子Gll)的電位為-3V，該-3V是通過從柵極端子Gtl的電位(-1.5V)減去連接二極體 Dml的擴散電位Vd(1.5V)得到的。因此，存儲晶閘管Ml (以及發光晶閘管Li)的閾值電壓 為-4. 5V。除了柵極端子Gtl、Gt2、Gml和Gll以外，柵極端子Gt、Gm和Gl的電位都為電源 電位Vga(-3. 3V)。從而，除了傳遞晶閘管Tl和T2、存儲晶閘管Ml和發光晶閘管Ll以夕卜， 傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M和發光晶閘管L的閾值電壓都為-4. 8V。(操作啟動)在時間點b，第一傳遞信號φ 從「H」(OV)改變為「L」(-3.3V)。於是，閾值電壓 為-3V的傳遞晶閘管Tl導通。編號為3或更大的奇數傳遞晶閘管T不導通，這是因為它們 的閾值電壓為-4. 8V。同時，傳遞晶閘管Τ2不導通，這是因為即使其閾值電壓為-4. 5V，但 是第一傳遞信號φ 1仍為「H」。SP，在時間點b只有傳遞晶閘管Tl導通。當傳遞晶閘管Tl導通時，如上所述，柵極端子Gtl的電位變成陽極端子的電位，即 「H」(OV)。陰極端子(第一傳遞信號線72)的電位變為從陽極端子的電位「H」(OV)減去擴 散電位Vd(1.5V)得到的-1.5V。耦合二極體Dcl被設置為正向偏置，這是因為柵極端子Gtl的電位為「H」，而柵極 端子Gt2的電位為-3V。於是，柵極端子Gt2的電位變為通過從柵極端子Gtl的電位(OV) 減去耦合二極體Dcl的擴散電位Vd(l. 5V)得到的-1. 5V。從而，傳遞晶閘管T2的閾值電壓 為-3V。通過耦合二極體Dc2連接至傳遞晶閘管T2的柵極端子Gt2的柵極端子Gt3的電 位變成-3V。從而，傳遞晶閘管T3的閾值電壓為-4. 5V。編號為4或更大的傳遞晶閘管T 的柵極端子Gt的電位為-3. 3V的電源電位Vga，且它們的閾值電壓保持在-4. 8V。當傳遞晶閘管Tl導通時，柵極端子Gtl的電位變成「H」(0V)。於是，柵極端子Gtl的電位為「H」(0V)，且柵極端子Gml的電位為-3V，從而連接二極體Dml具有正向偏壓。柵 極端子Gml和柵極端子Gll的電位變成通過從柵極端子Gtl的電位「H」(0V)減去連接二極 管Dml的擴散電位Vd(l. 5V)得到的-1. 5V。因此，存儲晶閘管Ml的閾值電壓和發光晶閘管 Ll的閾值電壓都為-3V。應該注意，相鄰的存儲晶閘管M2的柵極端子Gm2(同樣適用於發光晶閘管L2的柵 極端子G12)為-3V，這是因為耦合二極體Dcl和連接二極體Dm2置於為「H」 (OV)的柵極端 子Gtl和存儲晶閘管M2之間。因此，存儲晶閘管T2的(同樣適用於發光晶閘管L2)閾值 電壓為-4. 5V。編號為3或更大的存儲晶閘管M的柵極端子Gm(發光晶閘管L的柵極端子Gl)的 電位為「L」(-3.3V)的電源電位Vga，這是因為其電位不受處在「H」 (OV)的柵極端子Gtl的 影響。從而，編號為3或更大的存儲晶閘管M(發光晶閘管L)的閾值電壓為-4. 8V。應該注意，由於在時間點b，第二傳遞信號φ2為「H」，所以傳遞晶閘管Τ2和編號為 4或更大的偶數傳遞晶閘管T不導通。此外，由於存儲信號(pmlA (cpm)為「H」，且點亮信號 φ (φ )也為「H」，所以存儲晶閘管M和發光晶閘管L都不導通。從而，傳遞晶閘管Tl在時間點b之後立刻(在晶閘管等的狀態由於信號電位在時 間點b的改變而發生改變之後)處於ON狀態。(操作狀態)在時間點C，存儲信號CpmlA (cpm)從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)。於是，存儲晶 閘管Ml導通，這是因為如上所述，其閾值電壓為-3V。編號為2或更大的奇數傳遞晶閘管T 不導通，這是因為它們的閾值電壓低於「L」 (-3. 3V)。S卩，只有存儲晶閘管Ml導通。當存儲晶閘管Ml導通時，柵極端子Gml的電位變成「H」(OV)，這與傳遞晶閘管Tl 類似。於是，連接至柵極端子Gml的發光晶閘管Ll的柵極端子Gll的電位變為「H」(OV)， 從而發光晶閘管Ll的閾值電壓為-1.5V。然而，由於點亮信號φ (φ )為「H」，因此沒有發光晶閘管L導通。從而，在時間點c後，傳遞晶閘管Tl和存儲晶閘管Ml立刻保持在ON狀態下。此時，存儲晶閘管Ml的陰極端子的電位為通過從「H」(0V)減去擴散電位Vd(l. 5V) 得到的-1.5V。然而，存儲晶閘管Ml通過電阻Rnl連接至存儲信號線74A。因此，存儲信號 線74A的電位保持為「L」 (-3. 3V)。相反，電阻Rn被設置為使存儲信號線74A的電位保持 為「L」的值。至此已單獨描述了晶閘管(傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M、和發光晶閘管L)和二極 管(耦合二極體Dc和連接二極體Dm)的操作。作為替代，可以如下描述晶閘管和二極體的 操作。具體地，當晶閘管導通時，其柵極端子(柵極端子Gt、柵極端子Gm和柵極端子 Gl)的電位變為「H」(0V)。通過一級(一個)正向偏置的二極體連接至電位為「H」(OV) 的柵極端子的柵極端子的電位為-I. 5V，該-1. 5V的電位是通過從「H」 (OV)減去擴散電位 Vd(1.5V)得到的。包括該柵極端子的晶閘管的閾值電壓為-3V。此外，通過兩級(彼此之 間串聯連接的兩個)正向偏置的二極體連接至電位為「H」(OV)的柵極端子的柵極端子的 電位為-3￥，該-3￥的電位是通過從「『(0力減去兩倍的擴散電位Vd(1.5V)得到的。包括該柵極端子的晶閘管的閾值電壓為-4. 5V。此外，通過三級或更多級二極體連接至電位為 「H」 (OV)的柵極端子的柵極端子不受處在「H」 (OV)的柵極端子的影響，並操持為電源電位 Vga( 「L」 (-3. 3V))。因此，包括通過三級或更多級二極體連接的柵極端子的晶閘管的閾值 電壓保持為-4. 8V。包括通過一級二極體連接至電位為「H」 (OV)的柵極端子的柵極端子的晶閘管在 電位「L」(-3.3V)下導通。同時，包括通過二級或更多級二極體連接的柵極端子的晶閘管在 電位「L」 (-3. 3V)下不導通。S卩，包括通過一級二極體連接至電位為「H」 (OV)的柵極端子的柵極端子的晶閘管
導通，只需關注該晶閘管。下文中，將只給出對包括通過一級二極體連接至電位為「H」 (OV)的柵極端子的柵 極端子的晶閘管的描述。將省略對不導通的晶閘管的柵極端子的電位或閾值電壓的變化的 說明。返回參照圖8，將進一步描述發光晶片Cl(C)的操作。在時間點d，存儲信號CpmlA (屮111)從「1/，改變為「5」，且第二傳遞信號( 2從「『改 變為「L」。「S」是使導通的存儲晶閘管M保持ON狀態的電位。「S」是使處於ON狀態的存儲 晶閘管M保持ON狀態、而使處於OFF狀態的存儲晶閘管不導通的電位。如上所述，期望導通的存儲晶閘管M的閾值電壓為-3V。處於ON狀態的存儲晶閘 管M的陰極端子的電位是通過減去擴散電位Vd得到的-1. 5V。因此，「S」設置為高於-3V 的存儲晶閘管M的閾值電壓且低於處於ON狀態的陰極端子的電位(-1.5V)的電位(-3V <「S」彡-1. 5V)。應該注意，需要將「S」設置成足以提供使處於ON狀態的存儲晶閘管M保 持ON狀態的電流。如上所述，即使在存儲信號CpmlA ((pm)從「L」改變為「S」時，處於ON狀態的存儲
晶閘管Ml仍然保持ON狀態。另一方面，當第二傳遞信號φ2在時間點d從「H」改變為「L」時，閾值電壓為-3V的 傳遞晶閘管T2導通。當傳遞晶閘管T2導通時，柵極端子Gt2的電位變為「H」 (OV)。於是，通過一級正 向偏置的二極體(耦合二極體Dc2)連接至柵極端子Gt2的傳遞晶間管T3的閾值電壓設置 為-3V。類似地，通過一級二極體(連接二極體Dm2)連接至柵極端子Gt2的存儲晶閘管M2 和發光晶閘管L2中的每一個的閾值電壓都設置為-3V。此時，傳遞晶閘管Tl保持ON狀態。因此，連接至傳遞晶閘管T3的陰極端子的第 一傳遞信號線72的電位保持在-1. 5V，該-1. 5V是處於ON狀態的傳遞晶閘管Tl的陰極端 子的電位。從而，傳遞晶閘管T3不導通。此夕卜，由於存儲信號φπιΙΑ (Cpm)為「S」，因此存儲晶閘管Μ2不導通。類似地，由於 點亮信號φ (φ )為「H」，因此發光晶閘管L2不導通。應該注意，在時間點d，存儲信號(pmlA(cpm)從「L」改變為「S」，同時第二傳遞信號 φ2從「H」改變為「L」。然而，由於第二傳遞信號φ2改變為「L」，因此傳遞晶閘管Τ2導通。於是，如上所述， 存儲晶閘管Μ2的閾值電壓被設置為-3V。為了防止存儲晶閘管Μ2由於保持為「H」的存儲信號(pmlA (φπι)而導通，在第二傳遞信號從「H」改變為「L」之前，存儲信號cpmlA ((pm)將 從「L」改變為「S」。緊接著時間d之後，傳遞晶閘管Tl和T2都處於ON狀態，且存儲晶閘管Ml也處於 ON狀態。在時間點e，第一傳遞信號φ 從「L」改變為「H」。於是，傳遞晶閘管Tl由於其陰極 端子和陽極端子的電位都被設置為「H」而關斷。此時，傳遞晶閘管Tl的柵極端子Gtl通過電源線電阻Rtl連接至電源線71，從而 被設置為電源電位Vga的「L」 (-3. 3V)。由於柵極端子Gtl (-3. 3V)和Gt2 (OV)之間的耦合 二極體具有反向偏壓，因此柵極端子Gtl不受處在「H」 (OV)的柵極端子Gt2的影響。類似地，由於存儲晶閘管Ml處於ON狀態，因此柵極端子Gml被設置為「H」 (OV)。 然而，由於柵極端子Gtl (-3. 3V)和柵極端子Gml (OV)之間的連接二極體Dml具有反向偏 壓，因此柵極端子Gtl不受處在「H」 (OV)的柵極端子Gml的影響。換言之，通過反向偏置的二極體連接至電位為「H」 (OV)的柵極端子的柵極端子的 電位不受處在「H」(OV)的柵極端子的影響。應該注意，對於通過該反向偏置的二極體連接 的柵極端子之間的電位關係來說，上述情況同樣適用於其他二極體，因此本文中省略了對 其他二極體關係的描述。緊接著時間點e之後，存儲晶閘管Ml和傳遞晶閘管T2保持ON狀態。接下來，在時間點f，存儲信號cpmlA (Cpm)從「S」改變為「L」 (-3. 3V)，於是，閾值 電壓為-3V的存儲晶閘管M2導通。柵極端子Gm2(Gl 2)的電位為「H」 (OV)，且發光晶閘管 L2的閾值電壓為-1. 5V。然而，由於點亮信號φ (φ )為「H」，因此發光晶間管L2不導通。從而，緊接著時間點f後，存儲晶閘管Ml和M2都處於ON狀態。傳遞晶閘管T2也 保持ON狀態。在時間點g，存儲信號(pmlA (屮111)從「1/，改變為「5」，且第一傳遞信號( 1從「!1」改 變為「L」。即使在存儲信號(pmlA (cpm)從「L」改變為「S」時，處於ON狀態的存儲晶閘管Ml 和M2也保持ON狀態。另一方面，當第一傳遞信號φ ι從「H」改變為「L」時，閾值電壓為-3V的傳遞晶閘管 Τ3導通。柵極端子Gt3的電位被設置為「H」(0V)，且通過一級正向偏置的二極體(耦合二 極管Dc3)連接至柵極端子Gt3的傳遞晶間管T4的閾值電壓被設置為-3V。類似地，通過一 級正向偏置的二極體(連接二極體Dm3)連接至柵極端子Gt3的存儲晶閘管M3和發光晶閘 管L3中的每一個的閾值電壓都被設置為-3V。此時，傳遞晶閘管T2保持ON狀態。因此，連接至傳遞晶閘管T2的陰極端子的第 二傳遞信號線73的電位通過處於ON狀態的傳遞晶閘管T2保持在-1. 5V。因此，傳遞晶閘 管T4不導通。此夕卜，由於存儲信號cpmlA (cpm)為「S」，因此，存儲晶閘管Μ3不導通。類似地，由 於點亮信號φ (φ )為「H」，因此發光晶閘管L3不導通。在時間點g，存儲信號(pmlA ((pm)從「L」改變為「S」，同時第一傳遞信號φ 1從「H」 改變為「L」。類似於時間點d，在第一傳遞信號φ 1從「H」改變為「L」前，存儲信號(pralA (φπι) 將從「L」改變為「S」。
緊接著時間點g之後，存儲晶閘管Ml和M2都保持在ON狀態。傳遞晶閘管T2和 T3都處於ON狀態。接下來，在時間點h，第二傳遞信號φ2從「L」改變為「H」。然後，類似於時間點e， 傳遞晶閘管T2關斷。傳遞晶閘管T2的柵極端子Gt2通過電源線電阻Rt2被設置為電源電 位 Vga 的 「L」 (-3. 3V)。從而，緊接著時間點h之後，存儲晶閘管Ml和M2，以及傳遞晶閘管T3都保持在ON 狀態。在時間點i，存儲信號(pmlA (Cpm)從「S」改變為「L」 (-3. 3V)。類似於時間點f，閾 值電壓為-3V的存儲晶閘管M3導通。於是，柵極端子Gm3(G13)的電位被設置為「H」 (OV)， 且發光晶閘管L3的閾值電壓被設置為-1.5V。然而，由於點亮信號φ (φ )為「H」，因此 發光晶閘管L3不導通。從而，緊接著時間點i之後，存儲晶閘管Ml、M2和M3都處於ON狀態。傳遞晶閘管 T3也保持在ON狀態。在時間點j，存儲信號(pmlA (屮111)從「1/，改變為「5」，且第二傳遞信號( 2從「!1」改 變為「L」。類似於時間點g，即使當存儲信號CpmlA(Cpm)從「L」改變為「S」，處於ON狀態的存 儲晶閘管Ml、M2和M3仍保持ON狀態。另一方面，當第二傳遞信號φ2從「H」改變為「L」時，閾值電壓為-3V的傳遞晶閘管 Τ4導通。於是，柵極端子Gt4的電位被設置為「H」(0V)，且通過一級正向偏置的二極體(耦 合二極體Dc4)連接至柵極端子Gt4的傳遞晶間管T5的閾值電壓被設置為-3V。類似地，通 過一級正向偏置的二極體(連接二極體Dm4)連接至柵極端子Gt4的發光晶間管L4和存儲 晶閘管M4中的每一個的閾值電壓都被設置為-3V。此時，傳遞晶閘管T3保持ON狀態。由於連接至傳遞晶閘管T5的陰極端子的第一 傳遞信號線72的電位被處於ON狀態的傳遞晶閘管T3保持在-1. 5V，因此傳遞晶閘管T5不 導通。此夕卜，由於存儲信號φιηΙΑ (φιη)為「S」，因此存儲晶閘管Μ4不導通。類似地，由於 點亮信號φΠ為「H」，因此發光晶閘管L4不導通。在時間點j，存儲信號(pmlA (cpm)從「L」改變為「S」，同時第二傳遞信號φ2從 「H」改變為「L」。類似於時間點d，在第二傳遞信號φ2從「H」改變為「L」之前，存儲信號 φπιΙΑ (卬111)將從「1/』改變為「5」。從而，緊接著時間點j之後，存儲晶閘管Ml、M2和M3保持在ON狀態。傳遞晶閘管 T3和T4處於ON狀態。在時間點k，第一傳遞信號φ 從「L」改變為「H」。於是，類似於時間點h，傳遞晶閘 管T3關斷。傳遞晶閘管T3的柵極端子Gt3通過電源線電阻Rt 3被設置為電源電位Vga 的 「L」 (-3. 3V)。從而，緊接著時間點k之後，存儲晶閘管Ml、M2和M3，以及傳遞晶閘管T4保持在 ON狀態。在時間點1，存儲信號(pmlA (cpm)從「S」改變為「L」。於是，類似於時間點i，閾值 電壓為-3V的存儲晶閘管M4導通。柵極端子Gm4(G14)的電位被設置為「H」(OV)，從而發光晶閘管L4的閾值電壓被設置為-1.5V。然而，由於點亮信號φ (φ )為「H」，因此發光 晶閘管L4不導通。緊接著時間點1之後，存儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4都處於ON狀態，傳遞晶閘管Τ4 保持在ON狀態。存儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4處於ON狀態，且它們的柵極端子Gml (Gll)、Gm2 (G12)、 Gm3 (G13)和Gm4(G14)都被設置為「H」 (OV)。因此，發光晶閘管Li、L2、L3和L4中每一個 的閾值電壓都被設置為-1. 5V。應該注意，鄰近發光晶閘管L4的發光晶閘管L5的柵極端子 G15通過兩級正向偏置的二極體(耦合二極體Dc4和連接二極體Dm5)連接至處在「H」(0V) 的柵極端子Gt4，從而其閾值電壓為-4. 5V。此外，編號為6或更大的發光晶閘管L的閾值 電壓被設置為-4. 8V。在時間點m,點亮信號φ (φ )的電位被設置為「Le」(_3V <「Le」彡_1· 5V)，其 小於發光晶閘管L1、L2、L3和L4中每一個的前述閾值電壓(_1. 5V)，且大於在時間點η (稍 後描述)的發光晶閘管L5的閾值電壓(-3V)。由於發光晶閘管L1、L2、L3和L4中每一個的閾值電壓(_1. 5V)都大於「Le」，因此 發光晶閘管Li、L2、L3和L4都導通並點亮(發光)。另一方面，發光晶閘管L5和編號為6或更大的發光晶閘管L由於其閾值小於「Le」 而不導通。S卩，在第一示例性實施例中，多個(該實例中為四個)發光晶閘管被同時點亮。應該注意，在第一示例性實施例中，「同時點亮」指的是通過使點亮信號 φ (φ )從「H」改變為「Le」而並行點亮多個發光晶閘管L的狀態。緊接著時間點m之後，發光晶閘管Li、L2、L3和L4，存儲晶閘管Ml、M2、M3和M4， 以及傳遞晶閘管T4處於ON狀態。在時間點n，存儲信號(pmlA (Cpm)從「L」改變為「H」，以及第一傳遞信號φ 從「H」 改變為「L」。由於存儲信號(pmlA (Cpm)從「L」改變為「H」，存儲晶閘管M1、M2、M3和M4的陰極 端子的電位被設置為與其陽極端子的「H」 (OV)相同的電位。從而，存儲晶閘管Ml、M2、M3 和M4關斷。另一方面，當第一傳遞信號φ 1從「H」改變為「L」時，閾值電壓為-3V的傳遞晶閘管 Τ5導通。柵極端子Gt5的電位被設置為「H」(0V)，且通過一級正向偏置的二極體(耦合二 極管Dc5)連接至柵極端子Gt5的傳遞晶間管T6的閾值電壓被設置為-3V。類似地，通過一 級正向偏置的二極體(連接二極體Dm5)連接至柵極端子Gt5的存儲晶閘管M5和發光晶閘 管L5中每一個的閾值電壓都被設置為-3V。此時，傳遞晶閘管T4保持其ON狀態。連接至傳遞晶閘管T6的陰極端子的第二傳 遞信號線73的電位由於處於ON狀態的晶閘管T4而保持在-1. 5V，因此，傳遞晶閘管T6不 導通。同時，如果存儲信號(pmlA (Cpm)為「H」，則存儲晶閘管M5不導通。另一方面，由於 點亮信號φ 處於點亮電平「Le」 (-3V <「Le」彡-1. 5V)，因此發光晶閘管L5不導通且保持 熄滅。在時間點n，存儲信號(pmlA (屮111)從「1/』改變為「!1」，同時第一傳遞信號φ 從「H」改變為「L」。然而，將第一傳遞信號φ 設置為「L」使得傳遞晶閘管T5導通，以及處於「L」 的存儲信號φπιΙΑ(φπι)使得具有-3V閾值電壓的存儲晶閘管M5導通。為了防止這樣，在第 一傳遞信號φ 1從「H」改變為「L」之前，存儲信號<pmlA (φυι)將從「H」改變為「L」。此時，為了防止閾值電壓為-3V的發光晶閘管L5點亮(發光)，將點亮信號 屮11(91)的電位範圍設置為「1^，，(-3V<"Le"^-1.5V)0緊接著時間點η之後，發光晶閘管L1、L2、L3和L4保持在點亮(ON)狀態。傳遞晶 閘管T4和T5也處於ON狀態。在時間點0，第二傳遞信號φ2從「L」改變為「H」。於是，傳遞晶閘管Τ4關斷。傳遞 晶閘管Τ4的柵極端子Gt4通過電源線電阻Rt4被設置為電源電位Vga的「L」 (3. 3V)。從而，緊接著時間點ο之後，發光晶閘管Li、L2、L3和L4保持在點亮(ON)狀態。 傳遞晶閘管T5保持ON狀態。在時間點p，點亮信號φ (φ )從「Le」改變為「H」。於是發光晶閘管L1、L2、L3 和L4的陰極端子的電位被設置為與其陽極端子的電位相同的「H」 (OV)。從而，發光晶閘管 L1、L2、L3和L4不再保持在點亮(ON)狀態而是被熄滅(關斷)。從時間點m到時間點ρ的 周期是發光晶閘管Li、L2、L3和L4的點亮周期。發光晶閘管Li、L2、L3和L4的點亮周期 相同。如果存儲信號(pmlA (cpm)從「H」改變為「L」，以使存儲晶閘管M5在時間點ο和ρ 之間的周期(在該周期期間，點亮信號Φ Il ( Φ I)為「Le」)內導通，則柵極端子Gm5(等同 於柵極端子G15)被設置成「!1」(0力，且發光晶閘管1^的閾值變壓變為-1.5￥。這使得發光 晶閘管L5導通從而點亮(發光)。鑑於以上情況，在第一示例性實施例中，存儲信號(pmlA (屮111)不改變為「1/，，直到 經過了發光晶閘管Li、L2、L3和L4被熄滅的時間點P。從而，緊接著時間點ρ之後，只有傳遞晶閘管Τ5保持在ON狀態。在時間點q，存儲信號(pmlA ( cpm)從「H」改變為「L」。於是，類似於時間點C，閾值 電壓為-3V的存儲晶閘管M5導通。以與時間點c之後的操作相同的方式重複後續操作，且 在周期T(II)中以與T(I)相同的方式對發光晶閘管L5至L8進行點亮控制。此處省略了 對後續操作的說明。如上所述，發光部分63中的發光晶片C2至C60的SLED_A以及發光晶片Cl至C60 的SLED_B與發光晶片Cl的SLED_A並行地進行操作。從而，在對發光晶片Cl的SLED_A中 的發光晶閘管Ll至L4進行點亮控制的周期T(I)期間，在發光部分63中的發光晶片C2至 C60的SLED_A以及發光晶片Cl至C60的SLED_B中，對各發光晶閘管Ll至L4並行地進行 點亮控制。類似地，在對發光晶片Cl的SLED_A中的發光晶閘管L5至L8進行點亮控制的周 期T(II)期間，在發光部分63中的發光晶片C2至C60的SLED_A以及發光晶片Cl至C60 的SLED_B中，對各發光晶閘管L5至L8並行地進行點亮控制。其他的點亮晶閘管L也是如 此。然而，發光晶閘管L的點亮周期(例如，周期T(I)中從時間點m到時間點ρ的周 期)取決於點亮信號φ (φ )。從而，發光晶閘管L的點亮周期可以被設置為對於點亮 信號φ 共同傳送至的每對發光晶片c來說不同。此外，發光晶閘管L的點亮周期被設置為對於點亮控制的周期T(I)、T(II)…中的每一個來說不同。例如，可以通過調整發光晶閘管 L的點亮周期來校正發光光量的不同。在上述說明中，在圖8所示的周期T(I)中所有的發光晶閘管L1、L2、L3和L4都被 點亮。然而，如果根據圖像數據一些發光晶閘管L未被點亮，則只需將存儲信號CpmlA (cpm) 保持在「S」。具體地，在如圖8中周期T(II)中的M6_off所示的時間點(時刻)，只需將存 儲信號CpmlA ( cpm)保持在「S」。由於「S」是-3V < 「S」彡-1. 5V範圍內的電位，因此閾值 電壓為-3V的存儲晶閘管M6不導通。從而，存儲晶閘管M6保持在OFF狀態，其閾值電壓保 持在-4.8V。當點亮信號φ (φ )改變為「Le」，閾值電壓為-1.5V的發光晶閘管L5、L7 和L8導通從而點亮(發光)。然而，發光晶閘管L6保持OFF狀態，且不點亮(發光)。可替換地，可以如下描述上述說明。具體地，在第一示例性實施例中，響應於第一傳遞信號φι和第二傳遞信號φ2，傳 遞晶閘管T按照編號順序從OFF狀態改變為ON狀態，或從ON狀態改變為OFF狀態，且存在 其中相鄰的兩個傳遞晶閘管T都處於ON狀態的周期(例如，時間點d和e之間的周期)。 即，ON狀態按照傳遞晶閘管陣列的編號順序移位通過傳遞晶閘管T。當第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2中的一個為「L」時，只有一個傳遞晶閘管T 處於ON狀態。例如，在時間點c和d之間的周期內只有傳遞晶閘管Tl處於ON狀態。當傳遞晶閘管T處於ON狀態時，其柵極端子連接至傳遞晶閘管T的柵極端子Gt 的存儲晶閘管M的閾值電壓升高。即，與傳遞晶閘管T處於OFF狀態相比，當傳遞晶閘管T 處於ON狀態時，存儲晶閘管M易於被設置為ON狀態。從而，在只有一個傳遞晶閘管T處於ON狀態的時刻(例如，圖8中的時間點c、f、 i、和1)，通過將存儲信號cpm改變為「L」使閾值電壓已升高的存儲晶閘管M導通。S卩，通過 將具有相同(相應)編號的存儲晶閘管M改變為ON狀態來記住被點亮的發光晶閘管L的 位置(編號)。存儲信號Cpm在「S」和「L」之間改變而不會返回至「H」。以此方式，具有與將要點 亮的發光晶閘管L相同的編號的存儲晶閘管M保持在ON狀態，而具有與將不會點亮的發光 晶閘管L相同的編號的存儲晶閘管M保持在OFF狀態。然後，通過將點亮信號φ 從「H」改變為「Le」(_3V < 「Le」彡5V)使多個將要 點亮的發光晶閘管L同時點亮。換言之，處於ON狀態的存儲晶閘管M的柵極端子Gm的電位變為「H」 (OV)，這使 得具有相同編號的發光晶閘管L的閾值電壓升高。從而，通過將點亮信號φI從「H」改變為 「Le」 (-3V <「Le」彡-1. 5V)只可以使具有與處於ON狀態的存儲晶閘管M相同的編號的發 光晶閘管L點亮(發光)。即，與存儲晶閘管M處於OFF狀態相比，當存儲晶閘管M處於ON 狀態時，發光晶閘管L易於被設置為ON狀態(能夠點亮)。存儲晶閘管M具有根據圖像數據記住將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的 功能(鎖存功能)。傳遞晶閘管T具有移位功能，從而順序設置將被點亮的發光晶閘管L的位置。同 時，存儲信號艸根據圖像信號被設置成「L」或「S」，從而指定已被設定的發光晶閘管L是否 被點亮。具有與將被同時點亮的發光晶閘管L相同的編號的存儲晶閘管M保持在ON狀態。 從而，存儲晶閘管M記住將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)。如上所述，將被點亮的發光晶閘管L的數量不限於一個。該數量可以是多個，或者在沒有發光晶閘管L將被點亮 的情況下還可以是0。應該注意，當發光晶閘管L點亮時，存儲信號Cpm改變為「H」，所有的存儲晶閘管M 關斷，且刪除對將要點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的記憶。換言之，存儲信號cpm的「L」是使發光晶閘管L點亮的指令，存儲信號φπι的「S」是 保持存儲晶閘管M的ON狀態以及不使發光晶閘管L點亮的指令，以及存儲信號(Pm的「H」是 清除(復位)存儲指令的指令。在第一示例性實施例中，存儲晶閘管M的陰極端子通過電阻Rn連接至提供有存儲 信號(Pm的存儲信號線74A或74B。因此，即使在存儲晶閘管M被設置為ON狀態時，存儲信 號線74A或74B也不會被拉到存儲晶閘管M的陰極端子的電位(-1. 5V)。從而，即使一些存 儲晶閘管M處於ON狀態，也可以在其他的存儲晶閘管M的閾值電壓變為高於「L」時使這些 其他的存儲晶閘管M導通。以此方式，具有與將要點亮的多個發光晶閘管L相同的編號的多個存儲晶閘管M 被設置為ON狀態，並被保持在ON狀態。從而，連同點亮信號φ 的提供，使將要點亮的發光 晶閘管L導通，並點亮(發光)。如上所述，存儲信號Cpm對應於圖像數據。針對被並行驅動的每個SLED，傳送不同 的存儲信號<Pm。相反，允許多個發光晶片C(即多個SLED)共用點亮信號φ ，這是因為點亮 信號φ 給對應於處於ON狀態的存儲晶閘管M的發光晶閘管L提供電力(電流)。因此，點 亮信號φ 可以被電路板62上的所有發光晶片C共用。由存儲信號<pm提供的電流只需大到足以使存儲晶閘管保持ON狀態，從而其可以 低於使發光晶閘管L點亮的電流。因此，允許將發光晶片C的襯底80上的電阻Rn佔據的 面積設置得很小。此外，允許存儲信號線108的配線寬度很小，從而使存儲信號線108在電 路板62上佔據的面積變得更小。同時，由於點亮信號φ 給發光晶閘管L提供使其點亮的電流，因此需要點亮信號 線109是具有小電阻(即，大的配線寬度)的配線。通過共用點亮信號線109使點亮信號 線109在電路板62上佔據的面積變得更小。如上所述，在第一示例性實施例中，在點亮信號φ 從「H」改變為「Le」的時刻(在 傳送點亮信號φ 的時刻)(例如在時間點1)，多個發光晶閘管L被同時點亮。因此，與逐一 對發光晶閘管L進行點亮控制的情況相比，總的點亮周期會變得更短。換言之，從列印頭14 的方面來說，可以縮短對感光鼓12的寫入時間。應該注意，在圖6的電路中，可以用電流來驅動點亮信號φ 。此外，為了抑制發光 點的發光強度的變化，可以根據將被同時點亮的發光晶閘管L的數量來設置要提供的電流 的值。相反，當以預訂電壓驅動點亮信號φ 時，只需在點亮信號線75和每個發光晶閘管 L的陰極端子之間提供諸如電阻Rn之類的電阻。在這種情況下，流入點亮(發光)著的發 光晶閘管L的電流變為恆定。然而，由於新提供的電阻而造成的電力消耗變得更大，這是因 為使發光晶閘管L點亮(發光)的電流大於使存儲晶閘管M保持ON狀態的電流。此外，由 電阻產生的熱量改變發光晶片C的溫度，這會導致發光特性的改變。此外，由於大電流流 經，新提供的電阻的面積變得更大，從而發光晶片C的面積變得更大。
相反，如果以電流來驅動點亮信號φ ，則不需要在點亮信號線75和每個發光晶閘 管L的陰極端子之間提供電阻。在此情況下，利用電源電位V、擴散電位Vd和外部電阻R， 將流入發光晶片C的電流I表示為I = (V-Vd)/R。從而，流入同時點亮(發光)著的多個 發光晶閘管L中的每一個的電流都具有通過以點亮(發光)著的發光晶閘管L的數量除I 得到的值。即，流入每個發光晶閘管L的電流值根據將要同時點亮(發光)的發光晶閘管L 的數量而變得不同。為了避免這樣，可以根據將要被點亮的發光晶閘管L的數量設置要提 供的電流值。利用賦予發光晶片C的圖像數據得到在點亮信號CpI從「H」改變為「Le」的時刻(當 傳送點亮信號φ 的時刻)(例如，在時間點1)被點亮的發光晶閘管的數量。從而，可以根據 要點亮的發光晶閘管的數量容易地設定該電流值。圖9是用於說明發光晶閘管C的操作的另一個時序圖。以發光晶片Cl的SLED_A 部分作為實例進行描述。圖9示出了對圖5B所示的包括八個發光晶閘管L的每一組進行點 亮控制的情況。應該注意，圖9示出了對組#1的八個發光晶閘管L進行點亮控制的部分。假設使組#1的全部八個發光晶閘管Ll至L8在圖9中的周期T(I)點亮。圖9中，類似於圖8，除了下面描述的部分(時間點m)，按字母順序示出從時間點 a到時間點r所經歷的時間，且使用了與圖8相同的時間點。在時間點c和q之間的周期 T(I)中，對圖5B中的組#1的發光晶閘管Ll至L8進行點亮控制。圖9中的周期T(I)重複兩次圖8所示的時間點c和η之間的周期，在該周期內將 四個存儲晶閘管M設置為ON狀態。從而，點亮信號φ (91)從「11」改變為「1^」的時間 點m移位到位於時間點ο和ρ之間。發光晶片Cl的SLED_A部分的操作與上述四個發光晶閘管L的情況下的相同，因 此省略了對其進行描述。應該注意，如圖8和9所示，僅僅通過改變第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、存 儲信號cpmlA (cpm)和點亮信號φ (φ )的時序，而不需要改變發光晶片Cl (C)，就可以 同時點亮八個發光點(發光晶閘管L)。從而，可以任意設置要被同時點亮的發光點(發光晶閘管L)的數量。〈第二示例性實施例〉在第一示例性實施例中，將對應於將要點亮(發光)的多個發光晶閘管L的多個 存儲晶閘管M改變為ON狀態，存儲將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)，然後提供點 亮信號φ ，從而使發光晶閘管L點亮(發光)。例如，如圖8所示，在從時間點c到時間點1 的周期內，四個存儲晶閘管Ml至Μ4被改變為ON狀態，然後在從時間點m到時間點ρ的周 期內使發光晶閘管Ll至L4點亮(發光)。從而，在從時間點m到時間點ρ的周期內，存儲 晶閘管M5等沒有被改變為ON狀態，以使編號為5或更大的發光晶閘管L點亮。換言之，在第一示例性實施例中，按照時間順序設置存儲晶閘管M改變為ON狀態 的周期(從時間點c到時間點1)以及使發光晶閘管L點亮(發光)的周期(從時間點m 到時間點P)。在第二示例性實施例中，在使一組中的發光晶閘管L點亮(發光)的點亮周期內， 使存儲晶閘管M記住下一組中將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)。從而，在短的時間 間隔內使該組中的發光晶閘管L以及下一組中的發光晶閘管L點亮(發光)。
出於該目的，第二示例性實施例具有向第一示例性實施例中的發光晶片C新添加 了臨時保持將被點亮(發光)的發光點(發光晶閘管L)的位置(編號)的保持晶閘管Bi、 B2、B3…(見圖12)的構造。應該注意，在第二示例性實施例中，對相同的部件給予了與第 一示例性實施例中相同的參考標號，且省略其詳細描述。圖10是示出第二示例性實施例中安裝在電路板62(見圖2)上的信號產生電路 100的構造以及電路板62的配線構造的示意圖。類似於第一示例性實施例，包括在信號產生電路100中的點亮信號產生單元110 將點亮信號φ (φπ至φΙ30)中的每一個都輸出至相對應的一對發光晶片C(Cl至C60)。 此處，每對發光晶片C都由兩個發光晶片C組成。類似於第一示例性實施例，包括在信號產生電路100中的存儲信號產生單元120 基於圖像數據輸出用於記住將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的存儲信號φιηΙΑ ((pml至(pm60禾πφπιΙΒ至(pm60B )。類似於第一示例性實施例，包括在信號產生電路100中的傳遞信號產生單元130 將第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2傳送至發光晶片c(ci至C60)，並輸出用於執行控制 以臨時保持要被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的保持信號(Pb。具體地，信號產生電路100(作為信號產生單元的實例)產生點亮信號φι (φ 至 φΙ30)、存儲信號cpm (cpmlA至cpm60A和φπιΙΒ至cpm60B)、第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號 φ2和保持信號(Pb，這些信號作為驅動信號的實例。因此，除了第一示例性實施例的構造之外，電路板62還具有傳送保持信號Cpb的保 持信號線103。保持信號線103並行連接至發光晶片C (Cl至C60)的Cpb端子(見稍後描述 的圖IlA和12)。圖IlA和圖IlB是用於說明第二示例性實施例中的發光晶片C的概要的示意圖。 將發光晶片Cl作為一個實例進行描述，從而以發光晶片Cl(C)來表示發光晶片C。對於其 他的發光晶片C2至C60也是一樣。在發光晶片Cl (C)中，將多個發光元件(具體地，為發光晶閘管)分成多個組，每 一組都包括預定數量的發光元件，並且針對每一組來控制點亮和熄滅(進行點亮控制)。圖 IlA示出了其中發光晶片Cl (C)中每四個發光元件形成一組來進行操作的情形中發光元件 的組合，而圖IlB示出了其中發光晶片Cl (C)中每八個發光元件形成一組來進行操作的情 形。與圖5A和圖5B所示的發光晶片Cl (C)不同之處在於圖IlA和圖IlB所示的發光晶片 Cl(C)具有Cpb端子。保持信號Cpb被共同提供給SLED_A*SLED_B。至於其他的，圖IlA和 圖IlB所示的發光晶片Cl(C)與圖5A和圖5B所示的發光晶片Cl(C)類似，從而省略其詳 細描述。圖12是用於說明第二示例性實施例中的發光晶片C的電路構造的示意圖。此處， 將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片C。 應該注意，圖12中示出了與發光晶閘管Ll至L8有關的部分。對與圖6中所示的第一示例 性實施例中的相同的部件給予相同的參考標號，從而省略其詳細描述。除了第一示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分之外，第二示例性實施 例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分還包括由排列成一行的保持晶閘管B1、B2、B3…(其 為保持元件的實例)組成的保持晶閘管陣列(保持元件陣列)，這些保持晶閘管設置在襯底80(見稍後描述的圖13A和圖13B)上。此外，第二示例性實施例中的發光晶片Cl的SLED_ A部分還包括連接二極體Dbl、Dbl、Db3...，以及還包括電源線電阻詘1、詘2、詘3...、和電阻 Rcl、Rc2、Rc3..·。此處，類似於第一示例性實施例，當不對保持晶閘管B1、B2、B3…進行區分時，將它 們稱為保持晶閘管B。當不對連接二極體Db 1、Db 1、Db3…、電源線電阻Rb 1、Rb2、Rb3…、以 及電阻Rcl、Rc2、Rc3…進行區分時，將它們分別稱為連接二極體Db、電源線電阻Rb以及電 阻Re。應該注意，保持晶閘管B也是半導體器件，每個保持晶閘管都具有三個端子，即陽 極端子、陰極端子和柵極端子。保持晶間管B的陽極端子、陰極端子和柵極端子分別稱為第 四陽極、第四陰極、和第四柵極。類似於第一示例性實施例，保持晶閘管B、電源線電阻Rb以及電阻Rc的數量分別 為 128。類似於第一示例性實施例中的傳遞晶閘管Tl、T2、T3…等，保持晶閘管B1、B2、 B3…從圖12左側開始按照編號順序進行排列。類似地，連接二極體Dbl、Dbl、Db3···、電源 線電阻詘1、詘2、詘3'"、以及電阻此1、此2、! (^"也從圖12左側開始按照編號順序進行排 列。接下來，將給出發光晶片Cl (C)的SLED_A部分中各元件間的電氣連接的描述。如上所述，第二示例性實施例的構造為另外向第一示例性實施例中的發光晶片 Cl(C)的SLED_A部分提供保持晶閘管B、連接二極體Db、電源線電阻Rb以及電阻Re。從而， 將主要描述新添加元件的電氣連接。類似於傳遞晶閘管Tl、T2、T3…等的陽極端子，保持晶閘管Bi、B2、B3…的陽極端 子連接至襯底80。這些陽極端子通過設置在襯底80上的Vsub端子連接至電源線104(見 圖10)。給該電源線104提供基準電位Vsub ( 「H」(0V))。保持晶閘管Bi、B2、B3…的柵極端子Gbl、Gb3、Gb3···通過設置為對應於各保持晶 閘管Bi、B2、B3…的各電源線電阻Rbl、Rb2、Rb3…連接至電源線71 ( 「L」 (-3. 3V))。此處，當不對柵極端子Gbl、Gb3、Gb3···進行區分時，將它們稱為柵極端子Gb。保持晶閘管B1、B2、B3…的陰極端子通過設置為對應於各保持晶閘管B1、B2、B3… 的各電阻Rcl、Rc2、Rc3…連接至保持信號線76。保持信號線76連接至作為保持信號Cpb的 輸入端子的Cpb端子。保持信號線103(見圖10)連接至Cpb端子，且保持信號Cpb提供至該端 子。保持晶閘管Bi、B2、B3…的柵極端子Gbl、Gb3、Gb3…中的每一個以一對一的關係 通過連接二極體Dbl、Db2、Db3…中的每一個連接至存儲晶閘管M1、M2、M3…的柵極端子 Gml、Gm2、Gm3…中的具有與其連接的Gb相同的編號的一個。具體地，連接二極體Dbl、Db2、 Db3···的陰極端子分別連接至保持晶閘管Bi、B2、B3…的柵極端子Gbl、Gb3、Gb3···，連接二 極管Db 1、Db2、Db3…的陽極端子分別連接至存儲晶閘管Ml、M2、M3…的柵極端子Gml、Gm2、 Gm3*** ο連接二極體Db連接為使得電流沿從各存儲晶閘管M的柵極端子Gm到各保持晶閘 管B的柵極端子Gb的方向流動。圖13A和圖13B是第二示例性實施例中的發光晶片C的平面布局和截面視圖。此處，將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl (C)來表示發光芯 片C。圖13A是與發光晶片Cl (C)的SLED_A部分中發光晶閘管Ll至L4有關的部分的平 面布局。圖13B是沿圖13A中的線XIIIB-XIIIB所取的截面圖。應該注意，在圖13A和圖 13B中，使用上述的名稱來示出各元件和端子。在第二示例性實施例中，由於提供了保持晶閘管B從而新提供了第七島147等。保 持晶間管Bl設置在第一島141中，以及存儲晶間管Ml和連接二極體Dbl設置在第七島147 中。作為保持晶閘管Bl的陰極端子的η型歐姆電極122通過電阻Rcl連接至保持信 號線76。保持信號線76連接至(Pb端子，並提供有保持信號(Pb。接下來，將給出對發光部分63的操作的描述。如圖10所示，第一傳遞信號φ 、第 二傳遞信號φ2和保持信號Cpb被共同傳送至形成發光部分63的每個發光晶片C (Cl至C60)。 此外，如圖IlA和IlB所示，每個發光晶片C(Cl至C60)都包括SLED_A和SLED_B。第一傳 遞信號φ 、第二傳遞信號φ2和保持信號Cpb被共同傳送至SLED_A*SLED_B。從而，第一傳 遞信號φ 、第二傳遞信號φ2和保持信號(pb被共同傳送至發光晶片C(C1至C60)的所有的 SLED，從而所有的SLED被並行驅動。同時，基於圖像數據傳送對於每個SLED來說都不同的存儲信號(pm ((pralA至 (pm60A以及cpmlB至cpm60B)。此外，針對成對的每兩個發光晶片C，點亮信號φ (φ 至 φΙ30)中的每一個被共同傳送至相對應的一對發光晶片C(C1至C60)。簡言之，在第二示例性實施例中，第一傳遞信號φι、第二傳遞信號φ2和保持信號 (Pb被共同傳送至所有的SLED。另一方面，存儲信號Cpm被分別傳送至各SLED。點亮信號φ 被共同傳送至各對發光晶片C。由於所有的SLED都同樣地進行操作，從而如果描述了發光 晶片Cl的SLED_A部分的操作，就可以知道發光部分63的操作。下文中，將以發光晶片Cl 的SLED_A為實例來描述發光晶片C的操作。應該注意，與第一示例性實施例的不同之處在於共同傳送給所有SLED的保持信 號Cpb是新添加的。圖14是用於說明第二示例性實施例中的發光晶片C的操作的時序圖。此處，以發 光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述。圖14示出了對圖IlA所示的每組四個發光晶閘管L進行點亮控制的情況。使組 #1、#11、#111和#IV中各自的四個發光晶閘管L全部同時點亮。在圖14中，以字母順序來說明從時間點a到時間點ζ所經歷的時間。在從時間點 c到到時間點P的周期T(I)中，為了使圖IlA所示的組#1中的四個發光晶閘管Ll至L4同 時點亮，使存儲晶閘管Ml至Μ4導通，從而記住發光晶閘管Ll至L4的位置(編號)。然後， 在從時間點η到時間點r的周期內，使發光晶閘管Ll至L4點亮(發光)。接下來，在從時 間點P到到時間點t的周期T(II)中，為了使組#11中的四個發光晶閘管L5至L8同時點 亮，使存儲晶閘管M5至M8導通，從而記住發光晶閘管L5至L8的位置(編號)。然後，在從 時間點s到時間點u的周期內，使發光晶閘管L5至L8點亮(發光)。類似地，在從時間點 t到時間點w的周期T(III)中，為了使組#111中的四個發光晶閘管L9至L12同時點亮， 使存儲晶閘管M9至M12導通，從而記住發光晶閘管L9至L12的位置(編號)。然後，在從 時間點ν到時間點χ的周期內，使發光晶閘管L9至L12點亮(發光)。此外，在從時間點w到時間點ζ的周期T(IV)中，為了使組#IV中的四個發光晶閘管L13至L16同時點亮，使存 儲晶閘管M13至M16導通，從而存儲發光晶閘管L13至L16的位置(編號)。然後，與上述 類似，如果發光晶閘管L的數量是128，則進行點亮控制，直到發光晶閘管L128為止。第一傳遞信號φι、第二傳遞信號φ2和保持信號(Pb分別具有以諸如周期τ(Ι)、周 期T(II)…之類的每個周期進行重複的相同波形。同時，存儲信號cpmlA (cpm)根據圖像數 據來進行變化。然而，存儲信號CpmlA (φιη)也具有以諸如周期Τ(Ι)、周期T(II)之類…的 每個周期進行重複的相同波形，這是因為在圖14中使同時對其進行點亮控制的四個發光 晶閘管L全部點亮。周期T(I)中的時間點c對應於發光晶片Cl (C)進入操作狀態的時刻，從而此時沒 有發光晶閘管L點亮(發光)。從而，點亮信號911(( 1)的波形在周期1(1)和周期T(II) 中不同。然而，在周期T(II)以及隨後的周期中，重複相同的波形。因此，下文中，還將給出從時間點c到時間點P的周期T (I)中除點亮信號 φ (φ )以外的一些信號的波形的說明。對於點亮信號φ (φ )，將給出其在從時間 點P到時間點t的周期T(II)中的波形的說明。應該注意，與第一示例性實施例相同，從時 間點a到時間點c的周期是啟動發光晶片Cl (C)的操作的周期。將給出周期T(I)中第一傳遞信號cpl、第二傳遞信號φ2、存儲信號(pmlA (cpm)和 保持信號cpb的波形的說明。第一傳遞信號φ1在時間點c為「L」，在時間點e從「L」改變為「H」，然後在時間點 g從「H」改變為「L」。隨後，第一傳遞信號φ 在時間點k從「L」改變為「H」，在時間點η從 「H」改變為「L」。此後，第一傳遞信號φ 1保持在「L」，直到時間點ρ。該波形類似於第一示例 性實施例中在圖8中所示的第一傳遞信號φ 的波形。第二傳遞信號φ2在時間點c為「H」，在時間點d從「H」改變為「L」，然後在時間點 h從「L」改變為「H」。隨後，第二傳遞信號φ2在時間點j從「H」改變為「L」，在時間點ο從 「L」改變為「H」。此後，第二傳遞信號φ2保持在「H」，直到時間點ρ。該波形類似於第一示例 性實施例中在圖8中所示的第二傳遞信號φ2的波形。此處，當將第一傳遞信號φι和第二傳遞信號φ2進行比較時，它們在時間點(和O 之間的周期中彼此交替地重複「H」和「L」，其中具有這兩個信號都被設置為「L」的插入周期 (例如，時間點d和e之間的周期，以及時間點g和h之間的周期)。第一傳遞信號φ 和第 二傳遞信號φ2不具有它們的電位同時被設置為「H」的周期。存儲信號CpmlA ((pm)在時間點c從「H」改變為「L」，在時間點d從「L」改變為「S」。 存儲信號(pmlA (cpm)然後在時間點f從「S」改變為「L」，在時間點g從「L」改變為「S」。 此夕卜，存儲信號(pmlA (cpm)在時間點i從「S」改變為「L」，在時間點j從「L」改變為「S」， 在時間點1從「S」改變為「L」，然後在時間點η從「L」改變為「H」。存儲信號CpmlA (cpm) 在時間點P保持在「H」。該波形類似於第一示例性實施例中在圖8中所示的存儲信號CpmlA ((pm)的波形。存儲信號cpmlA (cpm)與第一傳遞信號cpl和第二傳遞信號φ2之間的關係類似於 第一示例性實施例中它們之間的關係。具體地，在第一傳遞信號φ 1和第二傳遞信號φ2中只 有一個被設置為「L」的周期中，存儲信號(pmlA (φπι)被設置為「L」。例如，在當只有第一傳遞信號φ 1被設置為「L」時的時間點C和d之間的周期中，以及在當只有第二傳遞信號φ2被 設置為「L」時的時間點f和g之間的周期中存儲信號cpmlA (cpm)被設置為「L」。在第二示例性實施例中新提供的保持信號Cpb在時間點c為「H」，在時間點m從「H」 改變為「L」。此後，保持信號(Pb在時間點ο從「L」改變為「H」，且在時間點ρ保持在「H」。點亮信號φΙ1( φι )在周期T(I)中的時間點η從「H」改變為「Le」，並在周期T(II) 的起始時間點P保持在「Le」。然後點亮信號φΙ1( φ )在時間點r從「Le」改變為「H」，並 在時間點s從「H」改變為「Le」。此後，點亮信號φ (φ )在時間點t保持在「Le」。接下來，參照圖12，將根據圖14所示的時序圖來描述發光部分63以及發光晶片C 的操作。除了與第二示例性實施例中新提供的保持晶閘管B有關的部分以外，發光晶片C 的操作類似於第一示例性實施例中發光晶片C的操作。從而，將主要給出對與新提供的保 持晶閘管B有關的發光晶片C的操作的描述，並省略對類似於第一示例性實施例中的操作 的描述。(初始狀態)在圖14所示的時序圖中的時間點a，設置在發光部分63的每個發光晶片C (Cl至 C60)上的Vsub端子被設置為基準電位Vsub ( 「H」(OV))。同時，每個Vga端子都被設置為 電源電位 Vga( 「L」 (-3. 3V))(見圖 10)。此外，第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2和保持信號cpb都被設置為「H」，以及存 儲信號cpm (cpmlA至cpm60A以及cpmlB至cpm60B)和點亮信號φ (屮11至屮130)也被設置
為「H」。從而，在第二示例性實施例中添加的保持信號線103的電位變為「H」，而每個發光 晶片C的保持信號線76的電位通過每個發光晶片C的Cpb端子而變為「H」。類似於其他晶閘管(傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M和發光晶閘管L)，保持晶閘管B 的陽極端子連接至Vsub端子並提供有「H」 (OV)。同時，保持晶閘管B的陰極端子連接至具 有設置為「H」的電位的保持信號線76。從而，保持晶閘管B的陽極端子和陰極端子的全部 電位都變為「H」，從而保持晶閘管B處於OFF狀態。由於其他晶閘管(傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M和發光晶閘管L)與第一示例性實 施例中的其他晶閘管相同，因此所有的晶閘管(傳遞晶閘管T、、存儲晶閘管M、保持晶閘管 B和發光晶閘管L)都處於OFF狀態。由於啟動二極體Ds與第一示例性實施例中的啟動二極體相同，因此柵極端子Gtl 的電位被該啟動二極體Ds設置為-1.5V。從而，傳遞晶閘管Tl的閾值電壓為-3V。每個保持晶間管B的柵極端子Gb都通過相應的一個連接二極體Db連接至相應的 一個存儲晶閘管M的柵極端子Gm。同時，每個保持晶閘管B的柵極端子Gb都通過相應的一 個電源線電阻Rb連接至具有電源電位Vga(「L」(-3.3V))的電源線71。柵極端子Gbl通過 兩級正向偏置的二極體(連接二極體Dml和連接二極體Dbl)連接至具有-1. 5V電位的柵極 端子Gtl。從而，柵極端子Gbl不受具有-1.5V電位的柵極端子Gtl的影響。因此，柵極端 子Gb的電位變為「L」 (-3. 3V)，且發光晶閘管L和保持晶閘管B的閾值電壓都變為-4. SV0(操作啟動)在時間點b，第一傳遞信號φ 從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)。於是，類似於第一 示例性實施例，第一傳遞晶閘管Tl改變為ON狀態。(操作狀態)
存儲晶閘管M在從時間點c到時間點1的周期內的操作類似於第一示例性實施例 中的操作。應該注意，圖14中時間點c到時間點1與圖8所示的相同。具體地，存儲晶閘管M1、M2、M3和M4分別在時間點c、f、i和1導通。緊接著時間點1之後，傳遞晶閘管T4與這些存儲晶閘管M1、M2、M3和M4 —樣也處 於ON狀態。當存儲晶閘管Ml在時間點c導通時，柵極端子Gml的電位變為「H」 (OV)。保持晶 閘管Bl的柵極端子Gbl通過正向偏置的連接二極體Dbl連接至柵極端子Gml。從而，保持 晶閘管Bl的柵極端子Gbl的電位變為-1.5V，保持晶閘管Bl的閾值電壓變為-3V。此外， 由於柵極端子Gbl連接至發光晶閘管Ll的柵極端子G11，因此，發光晶閘管Ll的閾值電壓 也變為-3V。然而，由於保持信號(pb和點亮信號φ 1 (φ )在時間點c都為「H」 (OV)，因此，保 持晶閘管Bl不導通。發光晶閘管Ll也不導通，從而也就不點亮(發光)。在時間點f、i和1重複同樣的操作。從而，緊接著時間點1後，存儲晶閘管M1、M2、 M3和M4都處於ON狀態，且傳遞晶閘管T4也保持ON狀態。此外，保持晶閘管B1、B2、B3和 B4的閾值電壓以及發光晶閘管L1、L2、L3和L4的閾值電壓都為-3V。如上所述，在時間點1，傳遞晶閘管T5的柵極端子Gt5的電位變為5V。然而，保 持晶閘管B5的柵極端子Gb5的電位保持在-3. 3V，從而保持晶閘管B5的閾值電壓為_4. SV0 這對於編號為6或更大的保持晶閘管B的閾值電壓來說也是一樣的。接下來，在時間點m，保持信號Cpb從「H」改變為「L」(_3. 3V)。從而，閾值電壓為-3V 的保持晶閘管Bi、B2、B3和B4導通。另一方面，編號為5或更大的保持晶閘管B保持OFF 狀態，這是因為其閾值電壓為-4. 8V。應該注意，保持晶閘管B通過各自的電阻Rc連接至保持信號線76。從而，即使一 個保持晶閘管B改變為ON狀態且其陰極端子的電位變為-1. 5V，保持信號線76的電位也保 持在「L」，而不會被拉至其陰極端子的電位(-1.5V)。從而，具有高於「L」的閾值電壓的多 個保持晶閘管B(此處為保持晶閘管B1、B2、B3和B4)全部都可能導通。電阻Rc被設置為 使得保持信號線76的電位不被拉至處於ON狀態的保持晶閘管B的陰極端子的電位。當保持晶閘管B1、B2、B3和B4導通時，其柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和Gb4的電位都 變為「H」 (OV)。從而，分別連接至保持晶閘管B1、B2、B3和B4的柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和 Gb4的發光晶閘管L1、L2、L3和L4的柵極端子G11、G12、G13和G14的電位也變為「H」(0V)。 從而，發光晶閘管Li、L2、L3和L4的閾值電壓變為-1. 5V。應該注意，編號為5或更大的發光晶閘管L的閾值電壓保持在-4. 8V，這類似於編 號為5或更大的保持晶閘管B的閾值電壓。在時間點n，點亮信號φ (φ )從「H」改變為「Le」。於是，發光晶閘管L1、L2、L3 和L4導通且點亮(發光)。應該注意，發光晶閘管L連接至點亮信號線75，而它們之間不存在電阻。由於點亮 信號φ 用電流進行驅動，因此它們之間不需要電阻。在時間點η，存儲信號CpmlA (φπι)從「L」改變為「H」。於是，保持在ON狀態的存 儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4的陰極端子和陽極端子的電位被設置為相同的「H」，從而，存儲晶 閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4關斷。因此，存儲晶閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4丟失與被點亮的發光晶閘管Li、L2、L3和L4的位置(編號)有關的信息。此處，通過使保持晶閘管B導通，發光晶閘管L的閾值電壓升高，以及通過將點亮 信號φ (φ )從「H」改變為"Le") (-3V < "Le" ( -1. 5V)，使發光晶閘管L導通並點亮 (發光)。應該注意，通過在時間點η之前的時間點m將保持晶閘管B改變為ON狀態，與將 被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)有關的信息被傳遞(拷貝)到保持晶閘管B。因此， 通過使存儲晶閘管M關斷來使存儲晶閘管M丟失與被點亮的發光晶閘管L的位置(編號) 有關的信息是可接受的。還是在時間點n，第一傳遞信號φ 從「H」改變為「L」。與該改變有關的傳遞晶閘管 T的操作類似於第一示例性實施例中傳遞晶閘管T在時間點η的操作。在第二示例性實施例中，在時間點η，同時執行第一傳遞信號φ 1從「H」到「L」的改 變、存儲信號cpmlA (cpm)從「L」到「H」的改變、以及點亮信號φ (φ )從「H」到「Le」的 改變。然而，這些改變不需要同時進行。只需在在時間點m的保持信號Cpb從「H」到「L」的 改變之後執行存儲信號cpmlA (Cpm)從「L」到「H」的改變。只需在在時間m的保持信號(pb 從「H」到「L」的改變之後、且在時間點ο的保持信號(Pb從「L」到「H」的改變之前執行點亮 信號φ (φ )從「H」到「Le」的改變。通過該操作，將與將被點亮的發光晶閘管L的位置 (編號)有關的信息從存儲晶閘管M拷貝到保持晶閘管B，然後該信息被傳送給發光晶閘管 L，而中途不會丟失。另一方面，可以在存儲信號cpmlA ((pm)從「L」改變為「H」之後執行第一傳遞信 號φ1從「H」到「L」的改變。如果在存儲信號CpmlA為「L」時第一傳遞信號φ1從「H」改變 為「L」，則存儲晶閘管Μ5的閾值電壓由於傳遞晶閘管Τ5的導通而變為-3V，從而存儲晶閘 管Μ5導通。於是，保持晶間管Β5具有-3V的閾值電壓，且導通，這使得發光晶間管L5點亮 (發光)。具體地，這導致發光晶閘管L1、L2、L3、L4和L5在時間點η之後就處於ON狀態， 從而點亮(發光)。緊接著時間點η之後，發光晶閘管L1、L2、L3和L4處於點亮(ON)狀態，且保持晶 閘管Bi、B2、B3和B4以及傳遞晶閘管T4和T5處於ON狀態。在時間點O，保持信號Cpb從「L」改變為「H」，且第二傳遞信號φ2從「L」改變為「H」。當保持信號(Pb從「L」改變為「H」時，保持晶閘管B的陰極端子和陽極端子的電位 都變為「H」，從而處於ON狀態的保持晶閘管Bi、B2、B3和B4關斷。從而，保持晶閘管B丟 失與被點亮的發光晶閘管的位置(編號)有關的信息。然而，在時間點ο之前的時間點n， 發光晶閘管L已經被點亮，從而也就不存在保持晶閘管B是否丟失與被點亮的發光晶閘管 L的位置(編號)有關的信息的問題。此外，通過將第二傳遞信號φ2從「L」改變為「H」，傳遞晶閘管Τ4關斷。因此，緊接著時間點ο之後，發光晶閘管L1、L2、L3和L4處於點亮(ON)狀態，且傳 遞晶閘管T5保持在ON狀態。在時間點P，存儲信號cpm從「H」改變為「L」，於是存儲晶閘管M5導通。從而，保持 晶閘管B5的柵極端子Gb5的電位通過正向偏置的連接二極體Db5而變為-1. 5V(同樣適用 於發光晶閘管L5的柵極端子G15)。從而，保持晶閘管B5的閾值電壓變為_3V(同樣適用於 發光晶閘管L5)。應該注意，存儲晶閘管M6的柵極端子Gm6的電位為-3V。從而，保持晶閘管B6的柵極端子Gb6的電位保持在電源電位Vga(-3. 3V)，以及保持晶閘管B6的閾值電壓為_4. SV0 編號為7或更大的保持晶閘管B的閾值電壓也為-4. 8V。另一方面，處於ON狀態的傳遞晶閘管T5的柵極端子Gt5的電位為「H」(0V)。然而， 由於耦合二極體Dc4為反向偏置，因此傳遞晶閘管T4的柵極端子Gt4不受電位為「H」 (OV) 的柵極端子Gt5的影響，從而柵極端子Gt4的電位處於電源電位Vga(-3. 3V)。從而，保 持晶閘管B4的柵極端子Gb4的電位也處於Vga(-3. 3V)，且保持晶閘管B4的閾值電壓變 為-4. 8V。類似地，編號為3或更小的保持晶閘管B的閾值電壓也為-4. 8V。應該注意，由於保持信號Cpb在時間點ρ為「H」，因此保持晶閘管B5不導通。此外，由於點亮信號φ (φ )在時間點P為「Le」 (-3V <「Le」彡5V)，因此閾 值電壓為-3V的發光晶閘管L5不導通，從而也就不點亮(發光)。從而，緊接著時間點ρ之後，發光晶閘管L1、L2、L3和L4保持點亮(ON)狀態，且傳 遞晶閘管T5和存儲晶閘管M5處於ON狀態。如上所述，在第二示例性實施例中，在使一組中的發光晶閘管L點亮(發光)的點 亮周期中，使存儲晶閘管M記住下一組中將被點亮的發光晶閘管的位置(編號)。從而，在 短的時間間隔內使該組中的發光晶閘管L和下一組中的發光晶閘管L點亮(發光)。類似地，在周期T (II)中，存儲晶閘管M6、M7和M8和存儲晶閘管M5 —樣在從時間 點P到時間點q的周期中順序導通。從而，保持晶閘管B6、B7和B8的閾值電壓變為_3V(同 樣適用於發光晶閘管L6、L7和L8)。與上述類似，發光晶閘管L6、L7和L8不導通，而是保 持熄滅。另一方面，發光晶閘管Li、L2、L3和L4在從時間點ρ到時間點q的周期內保持點 亮(ON)狀態。具體地，緊接著時間點q之後，發光晶閘管L1、L2、L3和L4保持ON狀態並點亮(發 光)，同時傳遞晶閘管T8和存儲晶閘管M5、M6、M7和M8處於ON狀態。接下來，在時間點r，點亮信號φ (91)從「1^」改變為「!1」，且保持信號鍾從「!1」 改變為「L」。當點亮信號φ (( 1)從「1^」改變為「『時，已經點亮(發光)的發光晶閘管Li、 L2、L3和L4的陰極端子和陽極端子的電位都被設置為相同的「H」。從而，發光晶閘管Li、 L2、L3和L4關斷並熄滅。同時，當保持信號Cpb從「H」改變為「L」時，閾值電壓為-3V的保持晶間管B5、B6、 B7和B8導通。於是，類似於時間點m，發光晶閘管L5、L6、L7和L8的閾值電壓變為-1. 5V。應該注意，在時間點r，同時執行點亮信號φ (( 1)從「1^」到「!1」的改變和保持 信號Cpb從「H」到「L」的改變。此處，可以在點亮信號φ (屮1)從「1^」改變為「!1」之後執 行保持信號《Pb從「H」到「L」的改變。這是因為如果在點亮信號φ (91)為「1^」時保持 信號(pb從「H」改變為「L」，則閾值電壓為-1. 5V的發光晶閘管L5、L6、L7和L8導通並點亮 (發光)。因此，緊接著時間點r之後，存儲晶閘管M5、M6、M7和M8、保持晶閘管B5、B6、B7和 B8、以及發光晶閘管L5、L6、L7和L8處於ON狀態。接下來，在時間點S，點亮信號φ (屮1)從「『改變為「1^」。於是，類似於時間點 η,閾值電壓為-1. 5V的發光晶閘管L5、L6、L7和L8導通並點亮(發光)。在同一時間點S，第一傳遞信號φι從「H」改變為「L」，且存儲信號(pmlA (φπι)從「L」改變為「H」。這些變化類似於時間點η處的那些變化，因此省略對其的詳細描述。如上所述，在第二示例性實施例中，並行地執行發光晶閘管L的點亮(發光)以及 用以導通記住接下來將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的存儲晶閘管M的操作。從 而，與第一示例性實施例的情況相比，在插入較短的停止周期(圖14中從時間點r到時間 點s)中連續執行發光晶閘管L的點亮(發光)。因此，由列印頭14對感光鼓12進行寫入的寫入時間變得較短。這歸因於以下事實通過提供保持晶閘管B，在存儲晶閘管B中存儲的與將被點亮 的發光晶閘管L的位置(編號)有關的信息被傳遞到保持晶閘管B，從存儲晶閘管B中刪除 (清除)與將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)有關的信息，以及在存儲晶閘管M中存 儲接下來將被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)。換言之，這歸因於以下事實通過在存儲晶閘管M和發光晶閘管L之間插入保持晶 閘管B，切斷了二者之間的電氣連接，從而防止了存儲晶閘管M的狀態改變影響發光晶閘管 L0類似於第一示例性實施例中的存儲晶閘管M，與處於OFF狀態的情況相比，保持晶 閘管B通過改變為ON狀態來使各發光晶閘管L易於被設置為ON狀態。在圖14中，組#1、#11、#111和#IV中的所有發光晶閘管L都被點亮。然而，類似 於第一示例性實施例，如果一些發光晶閘管L未被點亮，則只需將存儲信號Cpm保持為「S」， 從而防止存儲晶閘管M導通(保持OFF狀態)。當存儲晶閘管M處於OFF狀態時，相應的保 持晶閘管B也不導通，從而發光晶閘管L不點亮(發光)。圖15是用於說明第二示例性實施例中發光晶片C的操作的另一時序圖。以發光 晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述。圖15示出了對圖IlB所示的每組八個發光晶 閘管L進行點亮控制的情況。應該注意，圖15示出了對八個發光晶閘管L的組#1進行點 亮控制的部分。假設組#1的所有八個發光晶閘管Ll至L8在圖15中的時間點c和時間點t之間 的周期T (I)中都點亮。在圖15中，類似於圖14，按照字母順序示出了從時間點a到時間點u所經歷的時 間。在時間點c和t之間的周期T(I)中，對圖IlB中的組#1的發光晶閘管Ll至L8進行 點亮控制。在圖15中的周期T(I)中的時間點c和q之間的周期中重複兩次在圖14中時間 點C和11之間所進行的將四個存儲晶閘管M設置為ON狀態的操作。然後，保持信號(Pb在時 間點r從「H」改變為「L」，以及點亮信號φ ( φ )在時間點s從「H」改變為「Le」。發光晶片Cl (C)的SLED_A部分的操作與上述四個發光點(發光晶閘管L)的情況 中的操作相同，因此省略其描述。應該注意，如圖14和圖15所示，僅僅通過改變第一傳遞信號φ1、第二傳遞信號 φ2、存儲信號cpmlA (cpm)、保持信號cpb和點亮信號φ (φ )的波形，而無需改變發光 晶片Cl(C)，就可以使八個發光點(發光晶閘管L)同時導通，從而點亮(發光)。因此，可以任意設定將被點亮的發光點(發光晶閘管L)的數量。
第三示例性實施例中的發光晶片C的構造與第二示例性實施例中的不同。第一和第二示例性實施例中的發光晶片C以具有三個電位電平(三個值)的存儲 信號(pm (cpmlA至cpm60A以及φπιΙΒ至(pm60B)來進行驅動。具體地，「L」 (-3. 3V)是使發 光晶閘管L點亮的指令、從而使存儲晶閘管M導通。「H」 (OV)是用於清除(復位)所記住 的對將被點亮的發光晶閘管L的指定的指令、從而使處於ON狀態的存儲晶閘管M關斷。此 外，存儲電平「S」 (-3 <「S」彡-1. 5V)是介於「H」和「L」之間的電位，且是不會使處於OFF 狀態的存儲晶閘管M導通、而是使存儲晶閘管M保持ON狀態而不關斷的電位。因此，第一和第二示例性實施例中的發光晶片C由輸出具有三個值的電位的電源 來驅動。第三示例性實施例中的發光晶片C以具有兩個電位電平(兩個值)的存儲信號(Pm (cpmlA至(pm60A以及φιηΙΒ至cpm60B)來進行驅動。從而，第三示例性實施例中的發光晶片 C可以由輸出具有兩個值的電位的電源進行驅動，從而能更容易地被驅動。第三示例性實施例中安裝在電路板62(見圖2)上的信號產生電路100的構造以 及電路板62的配線構造與圖10所示的第二示例性實施例中的相應構造相同。從而，將省 略對安裝在電路板62上的信號產生電路100的構造以及電路板62的配線構造的描述。此外，發光晶片C的概要也與圖IlA和圖IlB所示的第二示例性實施例中的相同。 因此，將省略對發光晶片C的概要的描述。圖16是用於說明第三示例性實施例中發光晶片C的電路構造的示意圖。此處，以 發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，因而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片C。圖 16示出了與發光晶閘管Ll至L5有關的部分。對與圖12所示的第二示例性實施例中的那 些部件相同的部件賦予相同的參考標號，並省略其詳細描述。第三示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分包括由布置在襯底80上的 排列成一行的保存晶閘管Ni、N2、N3…(作為保存元件的一個實例)形成的保存晶閘管陣 列(保存元件陣列)(見稍後描述的圖17A和圖17B)，來代替第二示例性實施例中發光芯 片Cl (C)的SLED_A部分中的連接二極體Dbl、Db2、Db3···(見圖12)，其中這些保存晶閘管 保存(記住)各存儲晶閘管M已導通的信息。此處，當不對保存晶閘管Ni、N2、N3…進行區分時，將它們稱為保存晶閘管N。應該注意，保存晶閘管N是半導體器件，每個保存晶閘管都具有三個端子，即陽極 端子、陰極端子和柵極端子。保存晶間管N的陽極端子、陰極端子和柵極端子分別稱為第五 陽極、第五陰極和第五柵極。類似於第一示例性實施例，保存晶閘管N的數量是128。類似於第二示例性實施例中的傳遞晶閘管Tl、T2、T3…等，保存晶閘管N1、N2、 N3…從圖16的左側開始按編號順序排列。其他部件與圖12所示的第二示例性實施例中的相同。因此，對與第二示例性實施 例中相同的那些部件賦予相同的參考標號，並省略其詳細描述。接下來，將給出對發光晶片Cl(C)的SLED_A部分中各元件之間的電氣連接的描 述。此處，將主要描述取代圖12所示的第二示例性實施例中的連接二極體Db而提供的保 存晶閘管N的電氣連接。保存晶閘管Ni、N2、N3…的陽極端子連接至襯底80，這類似於傳遞晶閘管Tl、T2、T3…等的陽極端子。這些陽極端子通過設置在襯底80上的Vsub端子連接至電源線104(見 圖10)。該電源線104提供有基準電位Vsub。保存晶閘管m、N2、N3…的柵極端子分別連接至存儲晶閘管M1、M2、M3…的柵極端 子 Gml、Gm2、Gm3...0此外，保存晶閘管N的陰極端子分別連接至保持晶閘管B的柵極端子Gb以及發光 晶閘管L的柵極端子Gl。圖17A和圖17B是第三示例性實施例中發光晶片C的平面布局和截面視圖。此處， 以發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，因而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片C。 圖17A是與發光晶片Cl (C)的SLED_A部分中的發光晶閘管Ll至L4有關的部分的平面布 局。圖17B是沿圖17A中的線XVIIB-XVIIB所取的截面圖。應該注意，在圖17A和圖17B 中，使用上面提及的名稱來示出各元件和端子。在第三示例性實施例中，取代圖13A和圖13B所示的第二示例性實施例的平面布 局中的第七島147中的連接二極體Dbl，設置了保存晶閘管m。保存晶閘管m具有設置為陽極端子的襯底80、設置為陰極端子的η型歐姆電極 125、和設置為與存儲晶閘管Ml共用的柵極端子Gml的ρ型歐姆電極134。此處，η型歐姆 電極125形成在η型第四半導體層84的區域115中，而ρ型歐姆電極134形成在利用蝕刻 去除η型第四半導體層84而暴露的ρ型第三半導體層83上。作為保存晶閘管m的陰極端子的η型歐姆電極125連接至保持晶閘管Bl的柵極 端子Gbl (還用作發光晶閘管Ll的柵極端子Gll)。接下來，將給出對發光部分63的操作的描述。如圖10所示，第一傳遞信號φ 、第 二傳遞信號φ2和保持信號Cpb被共同傳送至形成發光部分63的每個發光晶片C (Cl至C60)。 此外，如圖IlA和IlB所示，每個發光晶片C(Cl至C60)都包括SLED_A和SLED_B。第一傳 遞信號φ 、第二傳遞信號φ2和保持信號Cpb被共同傳送至sled_a和sled_b。從而，第一傳 遞信號φι、第二傳遞信號φ2和保持信號(Pb被共同傳送至發光晶片c(ci至C60)的所有的 SLED，從而所有的SLED被並行驅動。同時，基於圖像數據來傳送對於每個SLED來說都不同的存儲信號cpm (CpmlA至 (pm60A以及cpmlB至cpm60B)。此外，至於成對的每兩個發光晶片C，每個點亮信號φ (φ 至φΙ30)被共同傳送至相對應的一對發光晶片C(C1至C60)。簡言之，在第三示例性實施例中，第一傳遞信號φι、第二傳遞信號φ2和保持信號 ipb被共同傳送至所有的SLED。另一方面，存儲信號cpm被分別傳送至各SLED。點亮信號φ 被共同傳送至各對發光晶片C。由於所有的SLED都同樣地進行操作，從而如果描述了發光 晶片Cl的SLED_A部分的操作，就可以知道發光部分63的操作。下文中，將以發光晶片Cl 的SLED_A為實例來描述發光晶片C的操作。圖18是用於說明第三示例性實施例中發光晶片C的操作的時序圖。以發光晶片 Cl的SLED_A部分作為實例進行描述。圖18示出了對圖IlA所示的每組四個發光晶閘管L進行點亮控制的情況。此處， 組#1和組#11中各自的四個發光晶閘管L全部被同時點亮。在圖18中，以字母順序來說明從時間點a到時間點χ所經歷的時間。在從時間點 c到時間點u的周期T(I)中，為了使圖IlA所示的組#1中的四個發光晶閘管Ll至L4同時點亮，使存儲晶閘管Ml、M2、M3和M4順序導通。與存儲晶閘管Ml、M2、M3和M4的導通一 起，使保存晶閘管m、N2、N3和N4順序導通，以記住將被點亮的發光晶閘管Ll至L4的位置 (編號)。然後，在從時間點r到時間點ν的周期內，使發光晶閘管Ll至L4點亮(發光)。接下來，在從時間點u到時間點χ的周期T(II)中，儘管圖18中未示出，但是為了 使圖IlA所示的組#11中的四個發光晶閘管L5至L8同時點亮，使存儲晶閘管M5、M6、M7和 M8順序導通。與存儲晶閘管M5、M6、M7和M8的導通一起，使保存晶閘管N5、N6、N7和N8導 通，以存儲將被點亮的發光晶閘管L5、L6、L7和L8的位置(編號)。然後，在從時間點w開 始的隨後周期內，使發光晶閘管L5、L6、L7和L8點亮(發光)。於是，與上述類似，如果發光晶閘管L的數量為128，則執行點亮控制，直到發光晶 閘管L128為止。在第三示例性實施例中，存儲晶閘管M、保存晶閘管N、保持晶閘管B和發光晶閘管 L的操作彼此關聯。因此，說明圖18所示的第三示例性實施例的時序圖的方式不同於說明 圖14所示的第二示例性實施例的時序圖的方式。具體地，在圖18中，存儲晶閘管Ml至M4、 保存晶閘管附至N4、保持晶閘管Bl至B4以及發光晶閘管Ll至L4的ON狀態(On)和OFF 狀態(Off)與第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、存儲信號φιηΙΑ、保持信號(pb和點亮信號 φ —同示出。第一傳遞信號φι、第二傳遞信號φ2和保持信號cpb分別具有以每個周期(諸如周 期T(I)、周期T(II)···)來重複的相同信號波形。同時，存儲信號cpmlA (Cpm)基於圖像數 據進行改變。然而，存儲信號cpmlA (Cpm)在每個周期(諸如周期T(I)、周期T(II)…)中 都具有相同的波形，這是因為在圖18中在周期T(I)和周期T(II)中同時對其進行點亮控 制的四個發光晶閘管L都被點亮。周期T (I)的起始時間點c對應於發光晶片Cl (C)進入操作狀態的時刻，從而此時 沒有發光晶閘管L點亮(發光)。從而，點亮信號φ (φ )的波形在周期T(I)和周期T(II) 中不同。然而，在周期T(II)以及隨後的周期中，重複相同的波形。因此，下文中，將給出對周期T (I)(從時間點c到時間點U)中除點亮信號 φ (φ )以外的一些信號的波形的說明。關於點亮信號φ (φ )，將給出其在周期 T(II)(從時間點u到時間點χ)中的波形的說明。與第二示例性實施例相似，從時間點a到時間點c的周期是啟動發光晶片Cl (C) 的操作的周期。將給出對周期T(I)中第一傳遞信號φι、第二傳遞信號φ2、存儲信號(pmlA (cpm) 和保持信號<Pb的波形的說明。第一傳遞信號φ 在周期T(I)的起始時間點c為「L」，在時間點f從「L」改變為 「H」，然後在時間點i從「H」改變為「L」。隨後，第一傳遞信號φ 在時間點η從「L」改變為 「H」，在時間點r從「H」改變為「L」。此後，第一傳遞信號φ 保持在「L」，直到周期T(I)的結 束時間點U。第二傳遞信號φ2在周期T(I)的起始時間點c為「H」，在時間點e從「H」改變為 「L」，然後在時間點j從「L」改變為「H」。隨後，第二傳遞信號φ2在時間點m從「H」改變為 「L」，在時間點t從「L」改變為「H」。此後，第二傳遞信號φ2保持在「H」，直到周期T(I)的結 束時間點U。
此處，當將第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2進行比較時，它們在時間點c和u 之間的周期中彼此交替地重複「H」和「L」，其中插入有這兩個信號都設置為「L」的插入周期 (例如，時間點e和f之間的周期，以及時間點i和j之間的周期)。第一傳遞信號φ 和第 二傳遞信號φ2不具有它們的電位被同時設置為「H」的周期。存儲信號CpmlA ((pm)在T⑴的起始時間點c從「H」改變為「L」，在時間點d從「L」 改變為「H」。然後，存儲信號CpmlA (Cpm)在時間點g從「H」改變為「L」，在時間點h從「L」 改變為「H」。此夕卜，存儲信號CpmlA (<pm)在時間點k從「H」改變為「L」，在時間點1從「L」 改變為「H」，在時間點ο從「H」改變為「L」，然後在時間點ρ從「L」改變為「H」。存儲信號 CpmlA (屮111)保持在「!1」，直到1(1)的結束時間點u為止。具體地，在第三示例性實施例中，存儲信號cpmlA (φπΟ與第一和第二示例性實施 例不同之處在於沒有存儲信號CpmlA ((pm)為「S」的周期。現在描述存儲信號cpmlA (cpm)與第一傳遞信號cpl和第二傳遞信號φ2之間的關 系。在第一傳遞信號φ 和第二傳遞信號φ2中只有一個被設置為「L」的周期中，存儲信號 cpmlA (φπι)被設置為「L」。例如，當只有第一傳遞信號φ 1被設置為「L」時，在從時間點b到 時間點e的周期中的時間點c和d之間的周期中，存儲信號(pmlA(cpm)被設置為「L」，以及 當只有第二傳遞信號φ2被設置為「L」時，在從時間點f到時間點i的周期中的時間點g和 h之間的周期中，存儲信號(pmlA (屮！^被設置為「!/』。另一方面，保持信號(Pb在周期T(I)的起始時間點c為「H」，在時間點q從「H」改 變為「L」。此後，保持信號(Pb在時間點s從「L」改變為「H」，並保持在「H」，直到周期T(I) 的結束時間點P為止。點亮信號φ (φ )在周期T(I)中的時間點r從「H」改變為「Le」 (-3V <「Le」彡-1. 5V)，並在周期T (II)的時間點ν從「Le」改變為「H」。然後點亮信號φ 1 ( φ ) 在時間點w再次從「H」改變為「Le」。之後，點亮信號φ (φ )在周期T(II)的結束時間點 χ保持在「Le」。發光晶閘管Li、L2、L3和L4在從時間點r到時間點ν的「Le」周期內被點 亮(發光)。然後，儘管圖18未示出，但是發光晶閘管L5至L8在從時間點w開始的「Le」 周期內被點亮。保持信號(Pb和點亮信號φ (φι)之間的關係如下。在保持信號Cpb為「L」時的周 期(例如，從時間點q到時間點S的周期)中，點亮信號φ (φ )從「H」改變為「Le」。接下來，參照圖16，將根據圖18所示的時序圖來描述發光部分63以及發光晶片 Cl(C)的SLED_A部分的操作。發光晶片Cl (C)的SLED_A部分的操作類似於第二示例性實 施例中的發光晶片Cl(C)的SLED_A部分的操作。從而，在對第三示例性實施例中的發光芯 片Cl (C)的分的操作的描述中，將省略對與第一和第二示例性實施例中相似的那 些操作的描述。在圖18所示的時序圖中的時間點a，設置在發光部分63上的每個發光晶片C (Cl 至C60)上的Vsub端子被設置為基準電位Vsub ( 「H」(0V))。發光部分63的每個發光晶片 C(C1至C60)的Vga端子都被設置為電源電位Vga(見圖10)。然而，電源電位Vga並不是 第二示例性實施例中的「L」 (-3. 3V)，而是滿足稍後描述的-3V < Vga彡-1. 5V的電位。下 文中，作為實例將電源電位Vga假設為-2. 5V，並用Vga(-2. 5V)來表示。
信號產生電路100將第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2和保持信號q>b設置為 「H」，並將存儲信號cpm ((pmlA至q>m60A和cpralB至cpm60B)和點亮信號φ (屮11至( 130)
設置為「H」。於是，每個發光晶片C的φ 端子、φ2端子、cpmA端子、cpmB端子、cpb端子和φ 端子
的電位都變為「H」。從而，第一傳遞信號線72、第二傳遞信號線73、存儲信號線74Α和74Β、 保持信號線76和點亮信號線75的電位都變為「H」。從而，傳遞晶閘管Τ、存儲晶閘管Μ、保持晶閘管B和發光晶閘管L的陽極端子和陰 極端子都具有被設置為「H」的電位，從而它們都處於OFF狀態。另一方面，保存晶閘管N的陰極端子(柵極端子Gb(Gl))通過各電源線電阻Rb連 接至電源線71。因此，保存晶閘管N的陰極端子的電位被設置為Vga(-2. 5V)。如在第一示例性實施例中所描述的，柵極端子Gtl的電位通過啟動二極體Ds被設 置為-1. 5V，從而傳遞晶閘管Tl的閾值電壓為-3V。編號為2或更大的柵極端子Gt的電位由通過各電源線電阻Rt連接的電源線71 設置為Vga(-2. 5V)。從而，編號為2或更大的傳遞晶閘管T的閾值電壓為-4V。另一方面，由於存儲晶閘管M和保存晶閘管N的柵極端子Gm通過各電源線電阻Rm 連接至電源線71，因此其電位被設置為Vga(-2. 5V)。因此，存儲晶閘管M和保存晶閘管N 的閾值電壓為-4V。從而，即使存儲晶閘管的陰極端子的電位處於Vga(-2. 5V)，存儲晶閘管 N也不導通。(操作狀態)在時間點b，第一傳遞信號φ 從「H」(OV)改變為「L」(-3.3V)。於是，閾值電壓 為-3V的傳遞晶閘管Tl改變為ON狀態(這與第一示例性實施例相類似)，並且傳遞晶閘管 Tl的柵極端子Gtl的電位變為「H」 (OV)。從而，柵極端子Gt2的電位變為-1. 5V，且傳遞晶 閘管T2的閾值電壓變為-3V。通過正向偏置的連接二極體Dml連接至具有「H」(0V)電位的柵極端子Gtl的柵極 端子Gml的電位變為-1.5V。因而，存儲晶閘管Ml和保存晶閘管m的閾值電壓變為-3V。 然而，存儲晶閘管Ml由於其陰極端子的電位為「H」 (OV)而不導通。保存晶閘管m由於其 陰極端子的電位為Vga(-2. 5V)而不導通。此外，即使在柵極端子Gt2的電位變為-1.5V時，柵極端子Gm2的電位也為 Vga(-2.5V)。從而，存儲晶閘管M2和保存晶閘管N2的閾值電壓保持在-4V。在時間點C，存儲信號(pmlA (Cpm)從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)。於是，閾值電 壓為-3V的存儲晶閘管Ml導通。柵極端子Gml的電位變為「H」(OV)，保存晶閘管m的閾 值電壓變為-1.5V。於是，保存晶閘管m由於其陰極端子的電位為Vga(-2. 5V)而導通。從 而，保存晶閘管W的陰極端子的電位變為-1. 5V的擴散電位Vd。由於保存晶閘管m的陰極端子連接至保持晶閘管Bl的柵極端子Gbl以及發光晶 閘管Ll的柵極端子G11，因此保持晶閘管Bl和發光晶閘管Ll的閾值電壓變為-3V。在時間點d，存儲信號cpmlA ((pm)從「L」 (-3. 3V)改變為「H」 (OV)。於是，存儲晶 閘管Ml由於其陰極端子和陽極端子的電位都變為「H」 (OV)而關斷。然而，保存晶閘管m由於其陰極端子通過電源線電阻Rbl連接至電位為 Vga (-2. 5V)的電源線71而保持ON狀態。
在上述第二示例性實施例中，存儲信號cpmlA (Cpm)在時間點d改變為「S」 (-3V <「S」< -1. 5V)，從而存儲晶閘管Ml保持在ON狀態。相反，在第三示例性實施例中，存儲信 號CpmlA (φπι)在時間點d改變為「H」(0V)，從而存儲晶閘管Ml關斷。然而，由於保存晶閘 管m保持在ON狀態，因此保存晶閘管m記住與將被點亮的發光晶閘管Ll的位置(編號) 有關的信息。以此方式，第三示例性實施例將兩個值(即「H」 (OV)和「L」 (-3. 3V))用於存 儲信號cpmlA( φπι)的電位，而沒有使用介於「H」和「L」之間的「S」(-3V < 「S」彡-1. 5V)。接下來，在時間點e，第二傳遞信號φ2從「H」 (OV)改變為「L」(_3. 3V)，於是，閾值 電壓為-3V的傳遞晶閘管Τ2導通。然後，柵極端子Gt2和Gt3的電位分別變為「H」 (OV) 和-1. 5V，且傳遞晶閘管T3的閾值電壓變為-3V。同時，由於柵極端子Gt2的電位改變為「H」(OV)，所以柵極端子Gm2的電位變 為-1. 5V，以及存儲晶閘管M2和保存晶閘管N2的閾值電壓變為-3V。然而，存儲晶閘管M2 由於存儲信號CpmlA ((pm)處於「H」(0V)而不導通。保存晶閘管N2由於其陰極端子的電位 處於Vga (-2. 5V)而不導通。從而，緊接著時間點e之後，傳遞晶閘管Tl和T2以及保存晶閘管m處於ON狀態。在時間點f，第一傳遞信號φ 從「L」 (-3. 3V)改變為「H」 (OV)。於是，傳遞晶閘管 Tl由於其陰極端子和陽極端子的電位都被設置為「H」(OV)而關斷。從而，柵極端子Gtl 的電位向Vga(-2. 5V)改變。由於耦合二極體Dcl變為反向偏置，因此柵極端子不受處於 「H」(0V)的柵極端子Gt2的影響。保存晶閘管m處於ON狀態，從而柵極端子Gml也被設置 為「H」(0V)。因此，由於連接二極體Dml變為反向偏置，因此柵極端子Gtl不受處於「H」(0V) 的柵極端子Gml的影響。因此，傳遞晶閘管Tl的閾值電壓變為-4V。在時間點g，存儲信號φιηΙΑ (cpm)再次從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)，於是，閾值 電壓分別為-1. 5V和-3V的存儲晶閘管Ml和M2都導通。然後，類似於時間點c，存儲晶閘管M2的柵極端子Gm2的電位變為「H」(OV)，以 及保存晶閘管N2的閾值電壓變為-1.5V。保存晶閘管N2由於其陰極端子的電位處於 Vga(-2. 5V)而導通。即使當存儲晶閘管Ml再次導通，處於ON狀態的存儲晶閘管m也不受影響並且保 持ON狀態。因此，緊接著時間點g之後，傳遞晶閘管T2、存儲晶閘管Ml和M2、以及保存晶閘管 Nl和N2保持ON狀態。在時間點h，存儲信號(pmlA (cpm)從「L」 (-3. 3V)改變為「H」(0V)，於是存儲晶閘 管Ml和M2都關斷。然而，保存晶閘管附和N2保持ON狀態。因此，緊接著時間點h之後，傳遞晶閘管T2以及保存晶閘管附和N2保持ON狀態。類似地，在時間點k，存儲信號CpmlA (cpm)從「H」(OV)改變為「L」(-3. 3V)，存儲 晶閘管M1、M2和M3導通。於是，保存晶閘管N3新導通。緊接著時間點1之後，傳遞晶閘管 T3和保存晶閘管附、N2和N3保持ON狀態。此外，在時間點O，存儲信號cpmlA (φπι)從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)，存儲晶 閘管Μ1、Μ2、Μ3和Μ4導通。於是，保存晶閘管Ν4新導通。緊接著時間點ρ之後，傳遞晶閘 管Τ4和保存晶閘管Nl、Ν2、Ν3和Ν4保持ON狀態。具體地，緊接著時間點ρ之後，處於ON狀態的保存晶閘管附、Ν2、Ν3和N4記住將被點亮的發光晶閘管L1、L2、L3和L4的位置(編號)。由於保存晶閘管m、N2、N3和N4處 於ON狀態，因此它們的陰極端子的電位為-1.5V的擴散電位Vd。從而，保持晶閘管B1、B2、 B3和B4、以及發光晶閘管的Li、L2、L3和L4的閾值電壓為-3V。在時間點q，保持信號Cpb從「H」 (OV)改變為「L」(_3. 3V)，於是，閾值電壓為-3V的 保持晶閘管B1、B2、B3和B4導通。從而，保持晶閘管B1、B2、B3和B4的柵極端子Gb 1 (Gl2)、 Gb2(G12)、Gb3(G13)和Gb4(G14)的電位都變為「H」(OV)，且發光晶閘管L1、L2、L3和L4的 閾值電壓變為-1.5V。由於保存晶閘管m、N2、N3和N4的陰極端子的電位此時變為「H」(0V)，因此保存晶 閘管m、N2、N3和N4關斷。在時間點r，點亮信號φ (φ )從「H」(OV)改變為「Le」(-3V <「Le」 ( -1. 5V)，於是閾值電壓為-1. 5V的發光晶閘管L1、L2、L3和L4導通，並點亮(發 光)。然後，發光閘管的Li、L2、L3和L4的柵極端子Gil、G12、G13和G14的電位變為 「H」 (OV)。 在上述說明中，保持晶閘管B1、B2、B3和B4在時間點q導通，柵極端子Gb 1、Gb2、 Gb3和Gb4的電位變為「H」 (OV)。然而，柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和Gb4的電位受到電源線 電阻Rbl、Rb2、Rb3和Rb4的影響。因此，柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和Gb4隻需要具有使得發 光晶閘管L1、L2、L3和L4能夠通過點亮信號φ ( φ )在時間點r從「H」 (OV)到「Le」的 改變而點亮(發光)的電位。類似地，使保存晶閘管Ni、N2、N3和N4關斷的不必是柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和 Gb4在時間點q的電位。在時間點r導通從而點亮(發光)的發光晶閘管Li、L2、L3和L4 使柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和Gb4的電位升高，這會使保存晶閘管附、N2、N3和N4關斷。當傳遞晶閘管T5在時間點r導通從而柵極端子Gt5的電位為「H」(0V)時，存儲晶 閘管M5和保存晶閘管N5的閾值電壓變為-3V。然後，當存儲信號(pmlA (Cpm)在時間點u 從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)時，存儲晶閘管M5和保存晶閘管N5導通。於是，保存晶閘 管N5的陰極端子(柵極端子Gb5和G15)的電位變為-1. 5V。從而，保持晶閘管B5和發光 晶閘管L5的閾值電壓變為-3V。因此，在時間點u，點亮信號φ (φ )被設置為「Le」(-3V <「Le」<-1.5V)以使發光晶閘管L5不導通。從時間點u到時間點χ的周期T(II)是對發光晶閘管L5至L8進行點亮控制的周 期。因此，除了依賴於圖像數據的存儲信號φηιΙΑ(φιη)以外，可以重複與周期T(I)中相同 的信號波形。當點亮信號φ (φ )在時間點ν從「Le」改變為「H」(OV)時，處於ON狀態並點 亮(發光)的發光晶閘管L1、L2、L3和L4關斷從而熄滅。時間點r和ν之間的周期是發光晶閘管Li、L2、L3和L4的點亮周期。應該注意，當沒有使發光晶閘管L點亮時，存儲信號CpmlA (φπι)可以保持在 「H」(OV)。例如，在圖18中，如果沒有使發光晶閘管L2點亮，則存儲信號CpmlA (Cpm)可以 在從時間點g到時間點h的周期內保持在「H」(0V)。在時間點g，存儲晶閘管Ml和M2的閾 值電壓分別為-I. 5V和-3V。然而，由於存儲信號CpmlA ( cpm)保持在「H」 (OV)，因此存儲晶 閘管Ml和M2都不導通。因此，保存晶閘管N2不導通。存儲晶閘管M2和保存晶閘管N2的 閾值電壓因而保持在-4V。此時，保存晶閘管m保持在ON狀態。
在時間點k，存儲信號cpmlA (cpmW『H」(0V)改變為「L」(-3. 3V)，於是，閾值電
壓分別為-1. 5V和-3V的存儲晶閘管Ml和M3導通。然而，存儲晶閘管M2由於其閾值電壓 為-4V而不導通。如上所述，可以通過保持與將不被點亮的發光晶閘管L相對應的保存晶閘管N的 OFF狀態來記住將不被點亮的發光晶閘管L的位置(編號)。在第三示例性實施例中，通過將保存晶閘管N改變為ON狀態來記住將被點亮(發 光)的發光晶閘管L的位置(編號)。由具有Vga(-2.5V)電位的電源線71通過電源線電 阻Rb來提供使保存晶閘管N保持在ON狀態的電流。如果使保存晶閘管N保持在ON狀態 的電流為0. 1mA，則可以將電源線電阻Rb的電阻值設置為IOkQ或更小，這是因為保存晶閘 管N的陰極端子的電位為-1. 5V。 如上所述，還是在第三示例性實施例中，並行地執行發光晶閘管L的點亮(發光)、 以及用以導通存儲晶閘管M(也包括保存晶閘管N)從而記住接下來將被點亮的發光晶閘管 L的位置(編號)的操作，這與第二示例性實施例類似。從而，與第一示例性實施例的情況 相比，可以以較短的停止周期來連續執行發光晶閘管L的點亮(發光)。因此，由列印頭14 對感光鼓12進行寫入的寫入時間可以變得較短。此外，第三示例性實施例中的發光晶片C由具有二值的電位的存儲信號φηι來驅 動，從而能更容易地被驅動。應該注意，電源電位Vga被設置為一個電位，該電位使得當存儲晶閘管M導通時 保存晶閘管N導通、以及當柵極端子Gm的電位被具有「H」 (OV)電位的柵極端子Gt改變 為-1. 5V時保存晶閘管N不導通。具體地，當存儲晶閘管M導通時，柵極端子Gm的電位變為「H」 (OV)，從而保存晶閘 管N的閾值電壓變為-1. 5V。同時，當柵極端子Gt的電位變為「H」(0V)，通過正向偏置的連 接二極體Dm與其連接的柵極端子Gm的電位變為-1. 5V，於是保存晶閘管N的閾值電壓變 為-3V。因此，電源電位Vga滿足-3V < Vga ( -1. 5V。〈第四示例性實施例〉在第三示例性實施例中，保存晶閘管N設置在第二示例性實施例的發光晶片C中。 在第四示例性實施例中，保存晶閘管N設置在圖6所示的第一示例性實施例的發光晶片C 中。圖19是用於說明第四示例性實施例中發光晶片C的電路構造的示意圖。在此處 也將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl(C)表示發光晶片 C0從第一示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的操作和第三示例性實施例中所述的 保存晶閘管N的操作可以容易地理解圖19所示的發光晶片Cl (C)的操作。從而，省略其詳 細描述。第四示例性實施例中的發光晶片Cl (C)由具有二值的電位的存儲信號Cpm來驅動， 從而驅動起來更容易。第五示例性實施例中的發光晶片C的構造不同於第三示例性實施例中的發光芯 片C的構造。
在第三示例性實施例中，電源電位Vga是-3V < Vga < -1. 5V範圍內的電位，且不 同於第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、存儲信號cpm和保持信號cpb的「L」 (-3. 3V)。在第五示例性實施例中，電源電位Vga被設置為與第一傳遞信號φ 、第二傳遞信 號φ2、存儲信號cpm和保持信號<pb的「L」相同的電位。因此，第五示例性實施例中的發光芯 片C可以更容易地被驅動。第五示例性實施例中安裝在電路板62(見圖2)上的信號產生電路100的構造以 及電路板62的配線構造與圖10所示的第二示例性實施例中的相應構造相同。從而，將省 略對安裝在電路板62上的信號產生電路100的構造以及電路板62的配線構造的描述。此外，該發光晶片C的概要也與圖IlA和圖IlB所示的第二示例性實施例中的相 同，其中，以發光晶片Cl(C)表示發光晶片C。因此，將省略對發光晶片C的概要的描述。圖20是用於說明第五示例性實施例中發光晶片C的電路構造的示意圖。在此處 也將發光晶片Cl的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl(C)表示發光晶片 C。對與圖16所示的第三示例性實施例中的那些部件相同的部件賦予相同的參考標號，並 省略其詳細描述。應該注意，圖20示出了與發光晶閘管Ll至L5有關的部分。第五示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的分包括介於圖16所示的第三 示例性實施例中發光晶片Cl (C)的SLED_A部分中的各電源線電阻Rbl、Rb2、Rb3···和電源 線71之間的肖特基勢壘二極體SB1、SB2、SB3···。當不對肖特基勢壘二極體SB1、SB2、SB3… 進行區分時，將它們稱作肖特基勢壘二極體SB。肖特基勢壘二極體SB的陰極端子連接至電源線71，其陽極端子連接至各電源線 電阻Rb。應該注意，設置在ρ型半導體層和η型半導體層(諸如GaAs或GaAlAs)上的肖特 基勢壘二極體SB的正向電壓Vs為0. 5V。其他的部件類似於第三示例性實施例的發光晶片C中的其他部件，從而省略其詳 細描述。此外，第五示例性實施例中的發光晶片Cl(C)可以通過將肖特基勢壘電極提供給 由圖17Α所示的第三示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的平面布局中的ρ型第三半導體層 83形成的電源線電阻Rb的相應的一個端部、以及通過將每個肖特基勢壘電極都連接至電 源線71來獲得。從而，省略去詳細描述。此外，示出第五示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的操作的時序圖與圖18所示的 第三示例性實施例中的相同。在第三示例性實施例中，將電源電位Vga設置為使得保存晶閘管N在具有 「H」(OV)電位的柵極端子Gt將柵極端子Gm的電位改變為-1.5V時導通的電位(-3V < Vga 彡-1. 5V)。然而，在第五示例性實施例中，肖特基勢壘二極體SB設置在各電源線電阻Rb和 提供電源電位Vga的電源線71之間。從而，與第三示例性實施例中的電源電位Vga(_3V <Vga^-1.5V)相比，第五示例性實施例中的電源電位Vga可以通過肖特基勢壘二極體SB 的正向電壓(0.5V)降低。具體地，電源電位Vga可以被設置為滿足-3. 5Vb的「L」相同的電位。因此，第五示例性實施例中的發光 晶片C可以比第四示例性實施例中的發光晶片C更容易地被驅動。第六示例性實施例中的發光晶片C的構造不同於第二示例性實施例中的發光芯 片C的構造。第六示例性實施例中的發光晶片C可以由具有二值的電位的存儲信號Cpm來驅 動，這類似於第三示例性實施例。在第三示例性實施例中，保持晶閘管B或發光晶閘管L導通，從而柵極端子Gm或 Gl的電位變為「H」(0V)，這使處於ON狀態的保存晶閘管N關斷。然而，保持晶閘管B的柵 極端子Gb或發光晶閘管L的柵極端子Gl的電位取決於電源線電阻Rb與處於ON狀態的 保持晶閘管B的柵極端子Gb和陽極端子之間的電阻之間的關係；或者電源線電阻Rb與處 於ON狀態的發光晶閘管L的柵極端子Gl和陽極端子之間的電阻之間的關係。在第六示例性實施例中，使處於ON狀態的保存晶閘管N更可靠地關斷。圖21是示出第六示例性實施例中安裝在電路板62(見圖2)上的信號產生電路 100的構造以及電路板62的配線構造的示意圖。類似於第二示例性實施例，包括在信號產生電路100中的點亮信號產生單元110 將每個點亮信號φ (φΙ1-φΙ30)輸出至相對應的一對發光晶片C(C1至C60)。此處，每對 都由兩個發光晶片C組成。包括在信號產生電路100中的存儲信號產生單元120基於圖像數據輸出用於記 住將要點亮的發光晶閘管L的位置(編號)的存儲信號cpm (cpmlA至cpm60A以及cpmlB至 cpm60B )。包括在信號產生電路100中的傳遞信號產生單元130將第一傳遞信號φ 、第二傳 遞信號φ2和保持信號(pb傳送至發光晶片C (Cl至C60)，並輸出用於使處於ON狀態的保存晶 閘管N關斷的消除信號Cpht5具體地，信號產生電路100(作為信號產生單元的實例)產生點亮信號φ (φ 至 φΙ30)、存儲信號cpm (tpmlA至cpm60A和cpmlB至cpm60B)、第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號
φ2、保持信號cpb和消除信號cph，這些信號作為驅動信號的實例。從而，除了第二示例性實施例的構造之外，電路板62還具有傳送消除信號Cph的消 除信號線102。消除信號線102並行連接至發光晶片C (Cl至C60)的各Cph端子(見稍後描 述的圖22和圖23)，每個Cph端子都作為消除信號端子的實例。圖22是用於說明第六示例性實施例中發光晶片C的概要的示意圖。將發光晶片 Cl作為一個實例進行描述，從而以發光晶片Cl(C)來表示發光晶片C。對於其他的發光晶片C2至C60也是一樣。在發光晶片Cl (C)中，將多個發光元件(具體地是發光晶閘管)分成多個組，每一 組都包括預定數量的發光元件，且針對每一組來控制點亮和熄滅(進行點亮控制)。圖22 示出了在發光晶片Cl(C)中的每四個發光元件形成一組來進行操作的情形中發光元件的 組合，與圖IlA和圖IlB所示的發光晶片Cl(C)不同之處在於圖22所示的發光晶片Cl(C) 具有Cph端子。消除信號Cph被共同提供給SLED_A*SLED_B。至於其他方面，圖22中所示 的發光晶片Cl (C)與圖IlA和圖IlB所示的發光晶片Cl(C)類似，從而省略其詳細描述。圖23是用於說明第六示例性實施例中的發光晶片C的電路構造的示意圖。在此 處也將發光晶片C的SLED_A部分作為實例進行描述，從而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片 C0類似於第三示例性實施例，除了第二示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_ A部分(見圖12)以外，第六示例性實施例中的發光晶片Cl(C)的分還包括由排 列成一行的保存晶閘管Ni、N2、N3…(作為保存元件的一個實例)形成的保存晶閘管陣列 (保存元件陣列)，這些保存晶閘管布置在襯底80上，保存(記住)各存儲晶閘管M已導通 的信息。第六示例性實施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分包括將各保存晶閘管Ni、 N2、N3···的陰極端子和消除信號線77連接起來的消除電阻Rhl、Rh2、Rh3···。第六示例性實 施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分還包括介於<ph端子和消除信號線77之間的肖特基
勢壘二極體SBO。當不對保存晶閘管附、N2、N3…和消除電阻Rh 1、Rh2、Rh3…進行區分時，分別將它 們稱為保存晶閘管N和消除電阻Rh。類似於第一示例性實施例，保存晶閘管N和消除電阻Rh的數量分別為128。類似於第二示例性實施例中的傳遞晶閘管Tl、T2、T3…等，保存晶閘管N1、N2、 N3…和消除電阻Rhl、Rh2、Rh3···從圖23的左側開始按編號順序排列。應該注意，保存晶閘 管N也是半導體器件，其具有三個端子，即陽極端子、陰極端子和柵極端子。其他部件與圖12中所示的第二示例性實施例中的部件相同。因此，對與第二示例 性實施例中相同的那些部件賦予相同的參考標號，並省略其詳細描述。接下來，將給出對發光晶片Cl(C)的SLED_A部分中各元件之間的電氣連接的描 述。此處，將主要描述保存晶閘管N的電氣連接。保存晶閘管Ni、N2、N3…的陽極端子連接至襯底80，這類似於傳遞晶閘管Tl、T2、 T3…等的陽極端子。這些陽極端子通過設置在襯底80上的Vsub端子連接至電源線104 (見 圖21)。該電源線104提供有基準電位Vsub。保存晶閘管m、N2、N3…的柵極端子分別連接至存儲晶閘管M1、M2、M3…的柵極端 子Gml、Gm2、Gm3···。因此，存儲晶閘管M與保存晶閘管N具有公共柵極端子Gm。此外，保存晶閘管N的陰極端子通過消除電阻Rh(每一個都作為第二電氣元件的 一個實例)連接至消除信號線77。 消除信號線77通過肖特基勢壘二極體SBO連接至Cph端子。肖特基勢壘二極體SBO 的陽極端子連接至消除信號線77，其陰極端子連接至Cph端子。沿使得電流從消除信號線77 向(Ph端子流動的方向連接肖特基勢壘二極體SB0。電路板62的消除信號線102連接至該Cph端子，且消除信號Cph傳送至該<ph端子。圖24是用於說明第六示例性實施例中發光晶片C的操作的時序圖。以發光晶片 Cl的SLED_A部分作為實例進行描述。圖24示出了對圖22所示的每組四個發光晶閘管L進行點亮控制的情況。在圖24 中，對組#1和組#11進行描述。此處，使組#1和組#11各自的四個發光晶閘管L都同時點殼。在圖24中，以字母順序來說明從時間點a到時間點χ所經歷的時間。在從時間點 c到時間點u的周期T(I)中，為了使圖22所示的組#1中的四個發光晶閘管Ll至L4同時 點亮，使存儲晶閘管Ml至Μ4順序導通。連同存儲晶閘管Ml至Μ4的導通一起，使保存晶閘 管m至Ν4導通，以記住發光晶閘管Ll至L4的位置(編號)。然後，在從時間點r到時間 點ν的周期內，使發光晶閘管Ll至L4點亮(發光)。接下來，在從時間點u到時間點χ的周期T(II)中，儘管圖24中未示出，但是為了 使圖22所示的組#11中的四個發光晶閘管L5至L8同時點亮，使存儲晶閘管M5至M8順序 導通。連同存儲晶閘管M5至M8導通一起，使保存晶閘管N5至N8導通，以記住發光晶閘管 L5至L8的位置(編號)。然後，類似於發光晶閘管Ll至L4，在從時間點w開始的周期內， 使發光晶閘管L5至L8點亮(發光)。然後，與上述類似，如果發光晶閘管L的數量為128，則執行點亮控制，直到發光晶 閘管L128為止。在第六示例性實施例中，存儲晶閘管M、保存晶閘管N、保持晶閘管B和發光晶閘管 L的操作彼此關聯。因此，類似於圖18所示的第三示例性實施例的時序圖，在圖24中，存儲 晶閘管Ml至M4、保存晶閘管m至N4、保持晶閘管Bl至B4以及發光晶閘管Ll至L4的ON 狀態(On)和OFF狀態(Off)與第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、存儲信號CpmlA、消除信 號cph、保持信號Cpb和點亮信號φ 的波形一同示出。由於第一傳遞信號φ1、第二傳遞信號φ2、存儲信號cpmlA (Cpm)和保持信號(Pb的
波形與圖18所示的第三示例性實施例中的這些信號的波形相同，因此省略其描述。現在描述在第六示例性實施例中新提供的消除信號Cph。在周期T(I)中，消除信號 cph在起始時間點C為「L」 (-3. 3V)，在時間點r從「L」 (-3. 3V)改變為「H」 (OV)，然後在時 間點t從「H」 (OV)改變為「1/』(-3.3力。隨後，在周期T(I)的結束時間點u，消除信號(ph保 持在「L」(-3.3V)。在周期T(II)及隨後的周期中，消除信號Cph重複周期T(I)中的波形。接下來，參照圖23，將根據圖24所示的時序圖來描述發光部分63以及發光晶片 Cl(C)的SLED_A部分的操作。發光晶片Cl (C)的SLED_A部分的操作部分類似於第三示例 性實施例中的發光晶片Cl (C)的SLED_A部分的操作。從而，在對第六示例性實施例中的發 光晶片Cl (C)的SLED_A部分的操作的描述中，將省略對與第三示例性實施例中相似的那些 操作的描述。(初始狀態)在圖24所示的時序圖中的時間點a，設置在發光部分63上的每個發光晶片C(C1 至C60)上的Vsub端子被設置為基準電位Vsub ( 「H」(0V))。同時，每個Vga端子都設置為 電源電位 Vga ( 「L」 (-3. 3V))(見圖 21)。信號產生電路100將第一傳遞信號φ 、第二傳遞信號φ2、保持信號cpb、存儲信號cpm (φπιΙΑ至cpm60A和cpmlB至cpm60B)和點亮信號φ (屮11至( 130)設置為 「H」。於是，每個發光晶片C的φ 端子、φ2端子、cpmA端子、φιηΒ端子、(pb端子和φ 端子
的電位都變為「H」。從而，第一傳遞信號線72、第二傳遞信號線73、存儲信號線74Α和74Β、 保持信號線76和點亮信號線75的電位都變為「H」。從而，傳遞晶閘管Τ、存儲晶閘管Μ、保持晶閘管B和發光晶閘管L的陽極端子和陰 極端子都具有被設置為「H」的電位，從而它們都處於OFF狀態。同時，信號產生電路100將消除信號q>h設置為「L」 (-3. 3V)。於是，每個發光晶片 C的CPh端子的電位都變為「L」 (-3. 3V)。此時，肖特基勢壘二極體SBO為正向偏置，從而消 除信號線77和保存晶閘管N的陰極端子的電位都變為-2. 8V。如在第一示例性實施例中描述的，柵極端子Gtl的電位被啟動二極體Ds設置 為-1. 5V，從而傳遞晶閘管Tl的閾值電壓為-3V。此外，柵極端子Gt2的電位變為-3V，從而 傳遞晶閘管T2的閾值電壓為-4. 5V。編號為3或更大的柵極端子Gt的電位由通過各電源 線電阻Rt連接的電源線71設置為「L」 (-3. 3V)。從而，編號為3或更大的傳遞晶閘管T的 閾值電壓為-4. 8V。另一方面，由於連接二極體Dml而使得柵極端子Gml的電位為-3V。從而，存 儲晶閘管Ml和保存晶閘管m的閾值電壓為-4. 5V。然而，柵極端子Gbl和Gll不受處 於-1. 5V的柵極端子Gtl的影響，且其電位由於通過電源線電阻Rbl連接的電源線71而處 於「L」 (-3. 3V)。因此，保持晶閘管Bl和發光晶閘管Ll的閾值電壓為-4. 8V。此外，編號為2或更大的柵極端子Gm、Gb和Gl不受處於-1. 5V的柵極端子Gtl的 影響。編號為2或更大的柵極端子Gm、Gb和Gl通過各電源線電阻Rm和Rb連接至電源線 71，從而其電位為「L」(-3.3V)。因此，編號為2或更大的存儲晶閘管M、保持晶閘管B和發 光晶閘管L的閾值電壓為-4. 8V。如上所述，保存晶閘管m的閾值電壓為-4. 5V，編號為2或更大的保存晶閘管N的 閾值電壓為-4. 8V。由於保存晶閘管N的陰極端子的電位為-2. 8V(如上所述)，因此保存 晶閘管N處於OFF狀態。(操作狀態)在時間點b，第一傳遞信號φ 從「H」(OV)改變為「L」(_3.3V)。於是，閾值電壓 為-3V的傳遞晶閘管Tl改變為ON狀態(類似於第一示例性實施例)，並且傳遞晶閘管Tl 的柵極端子Gtl的電位變為「H」(OV)。從而，柵極端子Gt2的電位變為-1.5V，且傳遞晶閘 管T2的閾值電壓變為-3V。當柵極端子Gtl的電位變為「H」 (OV)時，柵極端子Gml的電位變為-1. 5V。因而， 存儲晶閘管Ml和保存晶閘管m的閾值電壓變為-3V。然而，存儲晶閘管Ml由於其陰極端 子的電位為「H」(ov)而不導通。保存晶閘管m由於其陰極端子的電位為-2. 8V而不導通。此外，即使在柵極端子Gt2的電位變為-1. 5V時，柵極端子Gm2的電位也為_3V。 從而，存儲晶閘管M2和保存晶閘管N2的閾值電壓保持在-4. 5V。因此，保存晶閘管N2由於 其陰極端子的電位為-2. 8V而不導通。在時間點C，存儲信號CpmlA (φπι)從「H」 (OV)改變為「L」 (-3. 3V)。於是，閾值電 壓為-3V的存儲晶閘管Ml導通。柵極端子Gml的電位變為「H」(OV)，保存晶閘管m的閾 值電壓變為-1.5V。於是，保存晶閘管m由於其陰極端子的電位處於-2. 8V而導通。從而，保存晶閘管m的陰極端子的電位變為-1.5V的擴散電位Vd。然而，由於保存晶閘管m的 陰極端子和消除信號線77通過消除電阻Rhl連接，因此消除信號線77保持-2. 8V的電位。當存儲晶閘管Ml和保存晶閘管附導通且柵極端子Gml的電位變為「H」 (OV)時， 通過正向偏置的連接二極體Dbl連接至柵極端子Gml的保持晶閘管Bl的柵極端子Gbl和 發光晶閘管Ll的柵極端子Gll的電位變為-1.5V。從而，保持晶閘管Bl和發光晶閘管Ll 的閾值電壓變為-3V。在時間點d，存儲信號(pmlA ((pm)從「L」 (-3. 3V)改變為「H」 (OV)。於是，存儲晶 閘管Ml由於其陰極端子和陽極端子的電位都變為「H」 (OV)而關斷。然而，保存晶閘管m由於其陰極端子通過消除電阻Rhl連接至電位為-2. 8V的消 除信號線71而保持ON狀態。具體地，同樣是在第六示例性實施例中，儘管存儲晶閘管Ml改變為OFF狀態，但是 保存晶閘管m保持在ON狀態並記得將被點亮的發光晶閘管Ll的位置(編號)，這類似於第 三示例性實施例。以此方式，第六示例性實施例對存儲信號cpmlA (cpm)的電位使用了兩個 值(BP"H"(OV)和「L」(-3. 3V))，而未使用介於「H」和「L」之間的「S」(-3V <「S」彡-1. 5V)。此後，類似於第三示例性實施例，使保存晶閘管N2、N3和N4隨著存儲晶閘管M2、 M3和M4的順序導通而順序導通。然後，在時間點r，點亮信號φ (φ )從「H」(OV)改變 為"Le" (-3V < "Le"彡-1. 5V)，於是其柵極端子GlU G12、G13和G14分別連接至處於ON 狀態的保持晶閘管Β1、Β2、Β3和Β4的柵極端子Gbl、Gb2、Gb3和Gb4的發光閘管的L1、L2、 L3和L4導通，並點亮(發光)。此夕卜，在時間點r，消除信號<ph從「L」(_3.3V)改變為「H」(0V)。於是，肖特基勢壘 二極體SBO變為反向偏置，這防止了電流流向消除信號線77。具體地，處於ON狀態的保存 晶閘管附、N2、N3和N4由於電流停止向其流動而不能保持ON狀態，從而關斷。由於後續的操作與第三示例性實施例的類似，因而省略其描述。如上所述，在第六 示例性實施例中，通過將消除信號CPh從「L」 (-3. 3V)改變為「H」 (OV)(例如，在時間點r)來 使肖特基勢壘二極體SBO反向偏置。於是，通過使電流停止向處於ON狀態的保存晶閘管N 流動而使保存晶閘管N關斷。因此，在第六示例性實施例中，使處於導通狀態的保存晶閘管 N可靠地關斷。第七示例性實施例中的發光晶片C的構造不同於第一示例性實施例中的發光芯 片C的構造。第一示例性實施例中的發光晶片C包括SLED_A* SLED_B，它們每個都具有128個
發光晶閘管L。相反，第七示例性實施例中的發光晶片C包括一個具有256個發光晶閘管L的 SLED0第七示例性實施例中安裝在電路板62上的信號產生電路100的構造以及電路板 62的配線構造與圖4所示的第一示例性實施例中的相應構造相同。此外，發光晶片C的概 要類似於圖5A和圖5B所示的第一示例性實施例的發光晶片的概要。因此，省略其詳細描 述。圖25是用於說明第七示例性實施例中發光晶片C的電路構造的示意圖。此處，以發光晶片Cl作為實例進行描述，因而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片C。在第七示例性實 施例中，將圖6所示的第一示例性實施例的發光晶片Cl (C)中的發光晶閘管L的數量設置 為256。此外，將傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M、連接二極體Dm、電源線電阻Rt和Rm、以及電 阻Rn的數量也分別設置為256。應該注意，耦合二極體Dc的數量是255。對與圖6所示的 那些部件相同的部件賦予相同的參考標號，並省略其詳細描述。下文中，將描述與圖6所示 部件不同的那些部件。第一傳遞信號線72通過限流電阻Rl從位於傳遞晶閘管陣列左側邊緣的傳遞晶閘 管Tl側(圖25的附圖中的最左側)連接至φ 1端子。另一方面，第二傳遞信號線73通過限 流電阻R2從位於傳遞晶閘管陣列右側邊緣的傳遞晶閘管Τ256側(圖25的附圖中的最右 側)連接至φ2端子。應該注意，φ 端子和φ2端子可以類似於第一示例性實施例而設置在傳 遞晶閘管陣列的同一側(例如，傳遞晶閘管Tl側)。存儲晶閘管Ml至Μ128通過各電阻Rnl至Rnl28連接至存儲信號線74A。存儲信 號線74A從位於存儲晶閘管陣列的左側邊緣的存儲晶閘管Ml側(圖25的附圖中的最左 側)連接至CpmA端子。存儲晶閘管Ml29至M256的陰極端子通過各電阻Rn 129至Rn256連接至存儲信號 線74B。存儲信號線74B從位於存儲晶閘管陣列的右側邊緣的存儲晶閘管M256側(圖25 的附圖中的最右側)連接至φπιΒ端子。存儲信號(pm被共同提供給CpmA端子和CpmB端子。例 如，在圖4中，發光晶片Cl的CpmA端子連接至存儲信號線108_1A。CpmB端子連接至存儲信 號線108_1B。信號產生電路100的存儲信號產生單元120將存儲信號Cpml共同傳送至存儲 信號線108_1A和108_1B。即，在第七示例性實施例中，順序地對256個發光晶閘管L進行 點亮控制，從而無需將存儲信號cpml分成存儲信號CpmlA和cpmlB。第七示例性實施例中的發光晶片C的平面布局和截面結構類似於圖7A和圖7B所 示的第一示例性實施例中發光晶片C的平面布局和截面結構。此外，第七示例性實施例中 的發光晶片Cl (C)的操作類似於第一示例性實施例中的操作。從而，省略其詳細描述。在第七示例性實施例中的發光晶片C的SLED中，利用存儲信號線74A和74B從 SLED的兩側提供存儲信號(Pm。如上所述，在第一至第五示例性實施例中，將多個存儲晶閘管M順序改變為ON狀 態，以使多個發光晶閘管L同時導通。從而，由於流向已經處於ON狀態的存儲晶閘管M的 電流而使得存儲信號線74A或74B發生電位下降。出於該原因，要求向連接至存儲信號線74A或74B中電位下降最大的部分的存儲 晶閘管M提供一個低於閾值電壓的電位，以使存儲晶閘管M導通。連接至存儲信號線74A或74B中電位下降最大的部分的是位於存儲晶閘管陣列中 央的存儲晶間管Ml28和Ml29。作為一個實例，在使通過電阻Rn連接至存儲信號線74A的八個發光晶閘管L同時 點亮的情況下，如果存儲信號線74A或74B在兩個相鄰存儲晶閘管M之間的電阻值(例如， 存儲信號線74A在存儲晶閘管Ml和M2之間的電阻值)被設置為0. 1 Ω，則向CpmA端子提供 以使存儲晶閘管Ml導通的電位為-3V，而向(pmA端子提供以使存儲晶閘管Μ128導通的電位 為-3. 25V。因此，第七示例性實施例中的發光晶片C可以以電位為「L」 (-3. 3V)的存儲信號cpm來驅動。另一方面，考慮從存儲信號線(存儲信號線74A和74B連接至的導線)的一端(例 如，存儲晶閘管Ml側的CpmA端子)來向256個存儲晶閘管M提供存儲信號Cpm的情況。於 是，提供給<PmA端子以使存儲晶閘管Ml導通的電位為-3V，而提供給CpmA端子以使存儲晶閘 管M256導通的電位為-3. 5V。在此情況下，發光晶片C不可以以電位為「L」(-3.3V)的存儲信號cpm來驅動。如上所述，通過將存儲信號線分成兩部分(存儲信號線74Α和74Β)，減少了由於存 儲信號線74的電阻造成的電位下降的影響，從而減小了存儲信號(pm的電位的絕對值。〈第八示例性實施例〉第八示例性實施例中的發光晶片C的構造不同於第七示例性實施例中的發光芯 片C的構造。圖26是用於說明第八示例性實施例中發光晶片C的電路構造的示意圖。以發光 晶片Cl作為實例進行描述，因而以發光晶片Cl (C)表示發光晶片C。在第八示例性實施例中的發光晶片C中，圖25所示的第七示例性實施例中的存儲 信號線74A和74B在存儲晶閘管M128和M129的部分處連接在一起，從而得到了存儲信號 線74。此外，存儲信號線74的兩端分別連接至(pmA端子和(pmB端子。存儲信號<pm被共同提 供給cpmA端子和cpmB端子，這類似於第七示例性實施例。從而，減少了由於存儲信號線74的電阻造成的電位下降的影響，從而減小了存儲 信號(Pm的電位的絕對值，這類似於第七示例性實施例。在第一至第六示例性實施例中，在假設包括在發光晶片C的每個自掃描發光元件 陣列(SLED)中的發光點的數量被設定為128的情況下，進行了說明。然而，該數量是可任 意設定的。此外，儘管假設有兩個SLED安裝在每個發光晶片C上，但是SLED的數量可以是 一個、三個或更多個。此外，在第七和第八示例性實施例中，在假設包括在發光晶片C的每個自掃描發 光元件陣列(SLED)中的發光點的數量被設定為256的情況下，進行了說明。然而，該數量 是可任意設定的。此外，儘管假設有一個SLED安裝在每個發光晶片C上，但是SLED的數量 可以是兩個或更多個。在第一至第八示例性實施例中，作為第一電氣元件的實例的每個耦合二極體Dc 均只需是能夠傳送柵極端子的電位變化的電氣元件，且可以是電阻等。對於連接二極體Dm 和Db也是一樣。此外，作為第二電氣元件的實例的每個消除電阻Rh均只需是能夠產生電 位差的電氣元件，且可以是二極體等。在第一至第八示例性實施例中，已經描述了陽極端子被設置為襯底的共陽極晶閘 管(傳遞晶閘管T、存儲晶閘管M、發光晶閘管L、保持晶閘管B(在第二、第三、第五和第六示 例性實施例中)以及保存晶閘管N(在第三、第四、第五和第六示例性實施例中)中的每一 個)。然而，可以通過改變電路極性來使用陰極端子被設置為襯底的共陰極晶閘管(傳遞晶 閘管T、存儲晶閘管M、發光晶閘管L、保持晶閘管B(在第二、第三、第五和第六示例性實施例 中)以及保存晶閘管N(在第三、第四、第五和第六示例性實施例中)中的每一個)。應該注意，本發明所使用的發光裝置不限於在電子照相圖像形成單元中使用的曝 光裝置。除了電子照相記錄、顯示、照明、光通信等之外，本發明中的發光裝置還可以用於光寫入。 為了示出和說明，提供了上述對本發明的示例性實施例的描述。其目的並不在於 窮盡或將本發明限於所公開的精確形式。顯然，多種改進和變型對於本領域技術人員來說 是顯而易見的。選擇並描述這些示例性實施例是為了更好地說明本發明的原理及其實際應 用，從而使得本領域技術人員能夠理解用於各種實施例的本發明以及具有適於期望的特定 用途的各種變型的本發明。其目的在於由所附權利要求及其等同物來限定本發明的範圍。
權利要求
一種發光裝置，其包括發光元件陣列，由排列成一行並且連接至點亮信號線的多個發光元件形成，所述點亮信號線提供用於進行點亮的電流；存儲元件陣列，由多個存儲元件形成，所述多個存儲元件被設置為對應於形成所述發光元件陣列的各發光元件，所述多個存儲元件通過各自的電阻連接至存儲信號線，所述存儲信號線提供用於指定將被點亮的發光元件的信號，所述多個存儲元件中的每一個存儲元件都具有ON狀態和OFF狀態，且所述多個存儲元件中的每一個存儲元件都通過變成ON狀態來記住所述多個發光元件中相應的一個發光元件將被點亮；以及開關元件陣列，由多個開關元件形成，所述多個開關元件被設置為對應於形成所述存儲元件陣列的各存儲元件，所述多個開關元件電連接至各存儲元件，所述多個開關元件中的每一個開關元件都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個開關元件連接至傳遞信號線，所述傳遞信號線提供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個開關元件通過變成ON狀態來使各存儲元件易於被設定為ON狀態。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，還包括保持元件陣列，由多個保持元件形成，所 述多個保持元件被設置為對應於形成所述發光元件陣列的各發光元件和形成所述存儲元 件陣列的各存儲元件，所述多個保持元件中的每一個保持元件都具有ON狀態和OFF狀態， 所述多個保持元件通過各自的電阻連接至保持信號線，所述保持信號線用於提供改變為ON 狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個保持元件通過變成ON狀態來連同 處於ON狀態的所述多個存儲元件中相應的一個存儲元件一起來使所述多個發光元件中相 應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件被設置為對應於各發光元件。
3.根據權利要求1和2中任一項所述的發光裝置，還包括保存元件陣列，由多個保存 元件形成，所述多個保存元件被設置為對應於形成所述存儲元件陣列的各存儲元件，所述 多個保存元件中的每一個保存元件在相應的一個存儲元件處於ON狀態時變成ON狀態，以 將該相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。
4.根據權利要求1和2中任一項所述的發光裝置，其中，通過各自的電阻連接至形成所 述存儲元件陣列的所述多個存儲元件的存儲信號線被形成為從所述存儲元件陣列的兩端 側傳送用於指定將被點亮的發光元件的信號。
5.一種發光裝置，包括襯底；發光晶閘管陣列，由多個發光晶閘管形成，所述多個發光晶閘管在所述襯底上排列成 一行，所述多個發光晶間管中的每一個發光晶間管都具有第一陽極、第一柵極和第一陰極， 且所述多個發光晶閘管中的每一個發光晶閘管的第一陽極和第一陰極中的一個連接至點 亮信號線，所述點亮信號線提供用於進行點亮的電流；存儲晶閘管陣列，由設置在所述襯底上的多個存儲晶閘管形成，所述多個存儲晶閘管 被設置為對應於形成所述發光晶閘管陣列的各發光晶閘管，所述多個存儲晶閘管中的每一 個存儲晶間管都具有第二陽極、第二柵極和第二陰極，所述多個存儲晶間管中的每一個存 儲晶閘管的第二陽極和第二陰極中的一個通過各自的電阻連接至存儲信號線，所述存儲信 號線提供用於指定將被點亮的發光晶閘管的信號，所述多個存儲晶閘管中的每一個存儲晶閘管都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個存儲晶閘管中的每一個存儲晶閘管都通過變成ON 狀態來記住所述多個發光晶間管中相應的一個存儲晶間管將被點亮；以及 傳遞晶閘管陣列，由設置在所述襯底上的多個傳遞晶閘管形成，所述多個傳遞晶閘管 被設置為對應於形成所述存儲晶閘管陣列的各存儲晶閘管，所述多個傳遞晶閘管中的每一 個傳遞晶間管都具有第三陽極、第三柵極和第三陰極，所述多個傳遞晶間管中的每一個傳 遞晶間管的第三柵極通過第一電氣元件連接至相應的一個存儲晶間管的第二柵極，所述多 個傳遞晶閘管中的每一個傳遞晶閘管都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個傳遞晶閘管中的 每一個傳遞晶間管的第三陽極和第三陰極中的一個連接至傳遞信號線，所述傳遞信號線提 供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情 況相比，所述多個傳遞晶閘管通過變成ON狀態來將所述多個存儲晶閘管各自的閾值電壓 改變為使各存儲晶閘管易於被設定為ON狀態的值。
6.根據權利要求5所述的發光裝置，還包括保持晶閘管陣列，由設置在所述襯底上的 多個保持晶閘管形成，所述多個保持晶閘管被設置為對應於形成所述發光晶閘管陣列的各 發光晶閘管和形成所述存儲晶閘管陣列的各存儲晶閘管，所述多個保持晶閘管中的每一個 保持晶閘管都具有第四陽極、第四柵極和第四陰極，所述多個保持晶閘管中的每一個保持 晶閘管的第四柵極連接至相應的一個發光晶閘管的第一柵極，所述多個保持晶閘管中的每 一個保持晶閘管都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個保持晶閘管中的每一個保持晶閘管的 第四陽極和第四陰極中的一個通過各自的電阻連接至保持信號線，所述保持信號線提供連 同處於ON狀態的相應的一個存儲晶閘管一起來變成ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態 的情況相比，所述多個保持晶閘管通過變成ON狀態來將所述多個發光晶閘管各自的閾值 電壓改變成使各發光晶閘管易於被設定為ON狀態的值，各存儲晶閘管被設置為對應於各 發光晶閘管。
7.根據權利要求5和6中任一項所述的發光裝置，還包括保存晶閘管陣列，由設置在 所述襯底上的多個保存晶間管形成，所述多個保存晶間管被設置為對應於形成所述存儲晶 閘管陣列的各存儲晶閘管，所述多個保存晶閘管中的每一個保存晶閘管都具有第五陽極、 第五柵極和第五陰極，所述多個保存晶間管中的每一個保存晶間管的第五柵極連接至相應 的一個存儲晶閘管的第二柵極，以及所述多個保存晶閘管中的每一個保存晶閘管在相應的 一個存儲晶閘管處於ON狀態時變成ON狀態，以將該相應的一個存儲晶閘管處於ON狀態保 存起來。
8.根據權利要求7所述的發光裝置，其中，形成所述保存晶閘管陣列的多個保存晶閘 管中的每一個保存晶間管的第五陽極和第五陰極中的一個通過肖特基勢壘二極體連接至 提供電力的電源線。
9.根據權利要求7所述的發光裝置，其中，形成所述保存晶閘管陣列的所述多個保存晶閘管中的每個保存晶閘管的第五柵極通 過第二電氣元件連接至消除信號線，其中，通過所述消除信號線傳送使處於ON狀態的保存 晶閘管改變為OFF狀態的消除信號，以及所述消除信號線通過肖特基勢壘二極體連接至所述消除信號被傳送到的消除信號端子。
10.一種列印頭，其包括曝光單元，包括多個發光裝置，並且對圖像載體進行曝光以形成靜電潛像，每個發光裝 置都包括發光元件陣列，由排列成一行並且連接至點亮信號線的多個發光元件形成，所述點亮 信號線提供用於進行點亮的電流；存儲元件陣列，由多個存儲元件形成，所述多個存儲元件被設置為對應於形成所述發 光元件陣列的各發光元件，所述多個存儲元件通過各自的電阻連接至存儲信號線，所述存 儲信號線提供用於指定將被點亮的發光元件的信號，所述多個存儲元件中的每一個存儲元 件都具有ON狀態和OFF狀態，且所述多個存儲元件中的每一個存儲元件都通過變成ON狀 態來存儲所述多個發光元件中相應的一個發光元件將被點亮；以及開關元件陣列，由多個開關元件形成，所述多個開關元件被設置為對應於形成所述存 儲元件陣列的各存儲元件，所述多個開關元件電連接至各存儲元件，所述多個開關元件中 的每一個開關元件都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個開關元件連接至傳遞信號線，所述 傳遞信號線提供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處 於OFF狀態的情況相比，所述多個開關元件通過變成ON狀態來使各存儲元件易於被設定為 ON狀態，光學單元，其將由所述曝光單元發出的光聚焦到所述圖像載體上；以及信號產生單元，其產生驅動信號來控制多組中的每一組發光元件的發光，其中多組是 通過將每個發光裝置中的發光元件陣列的多個發光元件進行劃分來獲得的。
11.根據權利要求10所述的列印頭，其中，每個發光裝置還包括保持元件陣列，由多 個保持元件形成，所述多個保持元件被設置為對應於形成所述發光元件陣列的各發光元件 和形成所述存儲元件陣列的各存儲元件，所述多個保持元件中的每一個保持元件都具有ON 狀態和OFF狀態，所述多個保持元件通過各自的電阻連接至保持信號線，所述保持信號線 提供改變為ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個保持元件通過變成 ON狀態來連同處於ON狀態的所述多個存儲元件中相應的一個存儲元件一起來使所述多個 發光元件中相應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件被設置為對應於各發 光元件。
12.根據權利要求10所述的列印頭，其中，每個發光裝置都還包括保存元件陣列，由 多個保存元件形成，所述多個保存元件被設置為對應於形成所述存儲元件陣列的各存儲元 件，所述多個保存元件中的每一個保存元件在相應的一個存儲元件處於ON狀態時變成ON 狀態，以將該相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。
13.根據權利要求12所述的列印頭，其中，每個發光裝置還包括消除信號線，其用於 將處於ON狀態的保存元件改變為OFF狀態，該保存元件形成所述保存元件陣列。
14.根據權利要求10和13中任一項所述的列印頭，其中，由所述信號產生單元產生的驅動信號被提供給每個發光裝置中的發光元件陣列的多 個發光元件，以及所述驅動信號包括使形成所述發光元件陣列的各發光元件點亮的點亮信 號；以及所述點亮信號被共同提供給至少兩個發光裝置。
15.根據權利要求14所述的列印頭，其中，包括在由所述信號產生單元產生的驅動信 號中的點亮信號根據想要點亮的發光元件的數量向每個發光裝置中的發光元件陣列的多個發光元件提供電流。
16.一種圖像形成設備，其包括充電單元，用於對圖像載體進行充電；曝光單元，包括多個發光裝置，並且對圖像載體進行曝光以形成靜電潛像，每個發光裝 置包括發光元件陣列，由排列成一行並且連接至點亮信號線的多個發光元件形成，所述點亮 信號線提供用於點亮的電流；存儲元件陣列，由多個存儲元件形成，所述多個存儲元件被設置為對應於形成所述發 光元件陣列的各發光元件，所述多個存儲元件通過各自的電阻連接至存儲信號線，所述存 儲信號線提供指定將被點亮的發光元件的信號，所述多個存儲元件中的每一個存儲元件都 具有ON狀態和OFF狀態，且所述多個存儲元件中的每一個存儲元件通過變成ON狀態來存 儲所述多個發光元件中相應的一個發光元件將被點亮；以及開關元件陣列，由多個開關元件形成，所述多個開關元件被設置為對應於形成所述存 儲元件陣列的各存儲元件，所述多個開關元件電連接至各存儲元件，所述多個開關元件中 的每一個開關元件都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個開關元件連接至傳遞信號線，所述 傳遞信號線提供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，以及與處 於OFF狀態的情況相比，所述多個開關元件通過變成ON狀態來使各存儲元件易於被設定為 ON狀態，光學單元，將由所述曝光單元發出的光聚焦到所述圖像載體上；信號產生單元，產生驅動信號來控制多組中的每一組發光元件的發光，其中多組是通 過將每個發光裝置中的發光元件陣列的多個發光元件進行劃分來獲得的；顯影單元，用於對形成在所述圖像載體上的靜電潛像進行顯影；以及轉印單元，用於將在所述圖像載體上顯影的圖像轉印到轉印體。
17.根據權利要求16所述的圖像形成設備，其中，每個發光裝置還包括保持元件陣 列，由多個保持元件形成，所述多個保持元件被設置為對應於形成所述發光元件陣列的各 發光元件和形成所述存儲元件陣列的各存儲元件，所述多個保持元件中的每一個保持元件 都具有ON狀態和OFF狀態，所述多個保持元件通過各自的電阻連接至保持信號線，所述保 持信號線提供改變為ON狀態的信號，以及與處於OFF狀態的情況相比，所述多個保持元件 通過變成ON狀態來連同處於ON狀態的所述多個存儲元件中相應的一個存儲元件一起來使 所述多個發光元件中相應的一個發光元件易於被設定為ON狀態，各存儲元件被設置為對 應於各發光元件。
18.根據權利要求16和17中任一項所述的圖像形成設備，其中，每個發光裝置還包括 保存元件陣列，由多個保存元件形成，所述多個保存元件被設置為對應於形成所述存儲元 件陣列的各存儲元件，所述多個保存元件中的每一個保存元件在所述多個存儲元件中相應 的一個存儲元件處於ON狀態時變成ON狀態，以將該相應的一個存儲元件處於ON狀態保存起來。
全文摘要
本發明提供了發光裝置、列印頭以及圖像形成設備。該發光裝置包括發光元件陣列，這些發光元件連接至用以提供用於進行點亮的電流的點亮信號線；存儲元件陣列，這些存儲元件設置為對應於各發光元件，這些存儲元件通過各自的電阻連接至用以提供指定將被點亮的發光元件的信號的存儲信號線，這些存儲元件通過導通來存儲相應的一個發光元件將被點亮；開關元件陣列，這些開關元件設置為對應於各存儲元件，這些開關元件電連接至各存儲元件，這些開關元件都連接至傳遞信號線，該傳遞信號線提供進行設定以使得從一端側向另一端側順序移位ON狀態的信號，這些開關元件通過導通來使各存儲元件易於被設定為ON狀態。
文檔編號H01L27/15GK101964350SQ201010233850
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月22日 優先權日2009年7月22日
發明者大野誠治, 藤本貴士 申請人:富士施樂株式會社