用於光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件製造方法與流程

2023-05-20 11:55:01 5

用於光刻設備的支撐臺、光刻設備以及器件製造方法相關申請的交叉引用本申請要求於2013年9月27日遞交的美國臨時申請61/883,775和2013年12月5日遞交的申請US61/912,383的權益，並且其公開內容通過引用全文併入本文。技術領域本發明涉及用於光刻設備的支撐臺、光刻設備以及使用光刻設備製造器件的方法。

背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的製造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用於生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，矽晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到設置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(「掃描」方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也能夠通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸沒到具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤溼性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣高的折射率的流體，期望地，可以是具有比水高的折射率的流體。除氣體之外的流體尤其是希望的。這樣的想法是為了實現更小特徵的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高系統的有效數值孔徑(NA)，並且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達10nm的顆粒)的液體。所懸浮的顆粒可以具有或可以不具有與它們懸浮所在的液體的折射率相似或相同的折射率。可能合適的其它液體包括烴，例如芳香族化合物、氟代烴和/或水溶液。使襯底或襯底和襯底臺淹沒在液體浴器中(例如參見，美國專利號4,509,852)意味著在掃描曝光過程中必須加速較大體量的液體。這需要額外的或者更強大的電機，並且液體中的湍流可能導致不期望的和不可預測的效應。在浸沒設備中，通過流體處理系統、裝置結構或設備處理浸沒流體。在一個實施例中，流體處理系統可以提供浸沒流體，並且因此可以為流體供給系統。在一個實施例中，流體處理系統可以至少部分限制浸沒流體，並且由此可以為流體限制系統。在一個實施例中，流體處理系統可以給浸沒流體提供阻擋件，並且由此可以為阻擋構件，例如流體限制結構。在一個實施例中，流體處理系統可以例如形成或使用氣流以輔助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體，因此流體處理結構可以被稱為密封構件；該密封構件可以為流體限制結構。在一個實施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在那種情況中，流體處理系統可以為液體處理系統。參考前述說明，在本段中對關於流體限定的特徵的引用可以被理解為包括關於液體限定的特徵。

技術實現要素：
在光刻設備中利用浸沒流體可能引入某些困難。例如，浸沒流體的使用可能引起光刻設備內的附加的熱負荷，這可能影響襯底上圖像的形成的精度。在一些情況下，熱負荷在襯底上可能是不均勻的，引起圖像的不均勻變化。舉例來說，熱負荷可能由流體處理系統的操作和/或由浸沒流體的蒸發而引起。這些效應可能被局部化集中在一部分襯底上。結果，在襯底中可能存在局部的溫度改變，導致襯底的局部的熱膨脹或收縮。這又可能導致重疊誤差和/或臨界尺寸(CD)的局部變化。支撐臺可以包括調節系統以調節襯底的溫度。支撐臺可以包括多個突起部以增大襯底和支撐臺之間的熱耦合。該突起部會限制襯底和支撐臺之間的氣流。這會減慢襯底夾持或裝載到支撐臺上的速度。這會降低光刻設備的生產量。例如，期望提供能夠提高夾持或裝載的速度和/或能夠提高生產量的系統。根據本發明的一方面，提供了一種用於光刻設備的支撐臺，所述支撐臺被配置為支撐襯底的下表面，其中所述支撐臺包括：基部表面，所述基部表面被配置為與支撐在支撐臺上的襯底的下表面基本上平行；多個凸起(burls)，所述多個凸起突出於基部表面之上，所述多個凸起中的每一個凸起具有各自的遠端(distalend)和高於基部表面的第一高度，所述多個凸起被布置為使得當襯底被支撐臺支撐時，襯底被多個凸起中的每一個凸起的各自的遠端支撐；和被間隙分開的多個細長的凸起的突出部，所述多個細長的凸起的突出部中的每一個具有高於基部表面的第二高度，其中所述多個細長的凸起的突出部在凸起之間突出於基部表面之上，並且第二高度小於第一高度；其中突出部被布置為使得多個間隙被對準以形成朝向基部表面的邊緣的至少一個直線氣流路徑。根據本發明的一方面，提供了一種光刻設備，包括：本文所述的支撐臺。根據本發明的一方面，提供了一種器件製造方法，包括使用光刻設備以將圖案從圖案形成裝置轉移到襯底上，其中光刻設備包括支撐臺，所述支撐臺被配置為支撐襯底的下表面，其中所述支撐臺包括：基部表面，所述基部表面被配置為與支撐在支撐臺上的襯底的下表面基本上平行；多個凸起，所述多個凸起突出於基部表面之上，所述多個凸起中的每一個凸起具有各自的遠端和高於基部表面的第一高度，所述多個凸起被布置為使得當襯底被支撐臺支撐時，襯底被多個凸起中的每一個凸起的各自的遠端支撐；和被間隙分開的多個細長的凸起的突出部，所述多個細長的凸起的突出部中的每一個具有高於基部表面的第二高度，其中所述多個細長的凸起的突出部在凸起之間突出於基部表面之上，並且第二高度小於第一高度；其中突出部被布置為使得多個間隙被對準以形成朝向基部表面的邊緣的至少一個直線氣流路徑。附圖說明現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發明的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中：圖1示出根據本發明一實施例的光刻設備；圖2和3示出光刻投影設備中使用的液體供給系統；圖4示出光刻投影設備中使用的另一液體供給系統；圖5示出光刻投影設備中使用的另一液體供給系統；圖6以剖面圖示出光刻投影設備中使用的另一液體供給系統；圖7以平面圖示出用於光刻設備的支撐臺；圖8以平面圖示出根據本發明的實施例的支撐臺；圖9以平面圖示出圖8的支撐臺的區段的放大視圖；圖10以剖面圖示出根據本發明的實施例的支撐臺；和圖11和12分別以剖面圖示出根據本發明的實施例的支撐臺的細節。具體實施方式圖1示意地示出了根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括：照射系統(照射器)IL，其配置用於調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射、深紫外(DUV)輻射)；支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用於支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，並與被配置用於根據某些參數精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；支撐臺，例如支撐一個或多個傳感器的傳感器臺，或者襯底臺WT，其被構造用以保持襯底(例如塗覆有抗蝕劑的襯底)W並且與配置用於根據某些參數精確地定位臺(例如襯底W)的表面的第二定位裝置PW相連；和投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用於將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構以依賴於圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以採用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術來保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位於所需的位置上(例如相對於投影系統PS)。在這裡任何使用的術語「掩模版」或「掩模」都可以認為與更上位的術語「圖案形成裝置」同義。這裡所使用的術語「圖案形成裝置」應該被廣義地理解為表示能夠用於將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程LCD面板。掩模在光刻術中是公知的，並且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例採用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這裡使用的術語「投影系統」應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，所述投影系統的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對於所使用的曝光輻射所適合的、或對於諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這裡使用的術語「投影透鏡」可以認為是與更上位的術語「投影系統」同義。這裡如圖所示的，所述設備是透射型的(例如，採用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，採用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或採用反射式掩模)。光刻設備可以是具有兩個或更多臺(或平臺或支撐件)的類型，例如兩個或多個襯底臺，或者一個或多個襯底臺和一個或多個清洗、傳感器或測量臺的組合。例如，在一個實施例中，光刻設備為多平臺設備，所述多平臺設備包括定位在投影系統的曝光側的兩個或多個臺，每一個臺包括和/或保持一個或多個物體。在一個實施例中，所述臺中的一個或多個可以保持輻射敏感襯底。在一個實施例中，所述臺中的一個或多個可以保持傳感器以測量來自投影系統的輻射。在一個實施例中，多平臺設備包括被配置為保持輻射敏感襯底的第一臺(即，襯底臺)和沒有被配置為保持輻射敏感襯底的第二臺(下文通常地並且非限制性地被稱為測量、傳感器和/或清洗臺)。第二臺可以包括和/或可以保持除了輻射敏感襯底的一個或多個物體。所述一個或多個物體可以包括從下面選擇的一個或多個：測量來自投影系統的輻射的傳感器、一個或多個對準標記和/或清洗裝置(以清洗例如液體限制結構)。在這種「多平臺」(或「多個平臺」)機器中，可以平行地使用所述多臺，或者可以在一個或多個臺上執行預備步驟，而一個或多個其它的臺被用於曝光。光刻設備可以具有兩個或更多個圖案形成裝置臺(或者平臺或支撐件)，其可以以與襯底、清洗、傳感器和測量臺相似的方式平行地被使用。在一個實施例中，光刻設備可以包括編碼器系統以測量設備的部件的位置、速度等。在一個實施例中，該部件包括襯底臺。在一個實施例中，該部件包括測量和/或傳感器和/或清洗臺。編碼器系統可以附加於或者替代本文描述的用於臺的幹涉儀系統。編碼器系統包括傳感器、變換器或相關的讀出頭，例如成對的、具有刻度或柵格。在一個實施例中，可移動的部件(例如，襯底臺和/或測量和/或傳感器和/或清洗臺)具有一個或多個刻度或柵格，並且部件相對於其移動的光刻設備的框架具有傳感器、變換器或讀出頭中的一個或多個。傳感器、變換器或讀出頭中的一個或多個與刻度(或多個刻度)或柵格(或多個柵格)協作以確定部件的位置、速度等。在一個實施例中，部件相對於其移動的光刻設備的框架具有一個或多個刻度或柵格，並且可移動的部件(例如，襯底臺和/或測量和/或傳感器和/或清洗臺)具有傳感器、變換器或讀出頭中的一個或多個，傳感器、變換器或讀出頭中的一個或多個與刻度(或多個刻度)或柵格(或多個柵格)協作以確定部件的位置、速度等。參照圖1，所述照射器IL接收來自輻射源SO的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源SO為準分子雷射器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設備的一部分，並且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD一起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括被配置用於調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向範圍(一般分別稱為σ-外部和σ-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用於調節所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。與源SO類似，照射器IL可以被看作或不被看作光刻設備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設備的組成部分或可以是與光刻設備分開的實體。在後一種情形中，光刻設備可以配置成允許照射器IL安裝其上。可選地，照射器IL是可分離的並且可以單獨地設置(例如，由光刻設備製造商或其他供應商提供)。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，並且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA之後，所述輻射束B通過投影系統PS，所述投影系統PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，幹涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位於所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之後，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用於相對於所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現支撐結構MT的移動。類似地，可以採用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結構MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。儘管所示的襯底對準標記佔據了專用目標部分，但是它們可以位於目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多於一個的管芯設置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位於所述管芯之間。可以將所示的設備用於以下模式中的至少一種中：1.在步進模式中，在將支撐結構MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態曝光)。然後使所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結構MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT相對於支撐結構MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特徵來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用於保持可編程圖案形成裝置的支撐結構MT保持為基本靜止，並且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常採用脈衝輻射源，並且在所述襯底臺WT的每一次移動之後、或在掃描期間的連續輻射脈衝之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易於應用於利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術中。也可以採用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。雖然本文具體參考光刻設備在製造IC中的應用，但是應該理解，這裡所述的光刻設備可以具有在製造具有微尺度或甚至納米尺度的特徵的部件中的其他應用，例如製造集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。用以將液體提供到投影系統PS的最終元件和襯底之間的布置可以被分成三種一般類型。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒系統和全浸溼浸沒系統。在浴器類型布置中，整個襯底W和(可選地)襯底臺WT的一部分浸沒到液體浴器中。局部浸沒系統使用液體供給系統，其中將液體僅提供到襯底的局部區域。由液體填充的空間在平面圖中小於襯底的頂部表面，並且在襯底在由液體填充的區域下面移動的同時，該區域相對於投影系統PS基本上保持靜止。圖2-6示出了可被用於所述系統的不同的供給裝置。密封特徵存在以將液體密封在局部區域。已經提出來的一種用於設置上述解決方案的方法在公開號為W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。在一個全浸溼布置中，液體是非限制的。襯底的整個頂表面和襯底臺的全部或一部分被浸沒液體覆蓋。覆蓋至少襯底的液體的深度是小的。液體可以是在襯底上的液體的膜，例如薄膜。浸沒液體可以被供給至或在投影系統和面對投影系統的面對表面(所述面對表面可以為襯底和/或襯底臺的表面)的區域中。可以在所述系統中使用圖2-5的液體供給裝置中的任一個。然而，密封特徵不存在、沒有起作用、不如正常狀態有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區域。如圖2和3所示，液體通過至少一個入口、優選沿著襯底相對於最終元件的移動方向供給到襯底上。液體在已經通過投影系統下面之後通過至少一個出口去除。當襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時，液體在元件的+X一側供給並且在-X一側去除。圖2示意地示出所述布置，其中液體通過入口供給，並在元件的另一側通過與低壓源相連的出口去除。在圖2的圖示中，雖然液體沿著襯底相對於最終元件的移動方向供給，但這並不是必須的。可以在最終元件周圍定位具有各種取向和數目的入口和出口；圖3示出一個示例，其中在最終元件的周圍在兩側上以規則圖案設置了四組入口和出口。注意通過圖2和3中的箭頭示出了液體的流動方向。在圖4中示出了另一個具有局部液體供給系統的浸沒光刻方案。液體由位於投影系統PS兩側上的兩個槽狀入口供給，並由布置在入口的徑向向外的位置上的多個離散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，並且投影束通過該孔投影。液體由位於投影系統PS的一側上的一個槽狀入口提供，而由位於投影系統PS的另一側上的多個離散的出口去除，由此造成投影系統PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口和出口組合可以依賴於襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不起作用的)。注意通過圖4中的箭頭示出了襯底和液體流動的方向。已經提出的另一種布置是提供液體限制結構給液體供給系統，所述液體限制結構沿投影系統的最終元件和襯底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸。圖5中示出了這種布置。在一個實施例中，光刻設備包括液體限制結構，所述液體限制結構具有液體移除裝置，所述液體移除裝置具有用網眼或類似的多孔材料覆蓋的入口。網眼或類似的多孔材料提供二維陣列的孔，所述二維陣列的孔接觸投影系統的最終元件和可移動的臺(例如，襯底臺)之間的空間內的浸沒液體。在一個實施例中，網眼或類似的多孔材料包括蜂窩或其它多邊形網眼。在一個實施例中，網眼或類似的多孔材料包括金屬網眼。在一個實施例中，網眼或類似的多孔材料始終圍繞光刻設備的投影系統的像場延伸。在一個實施例中，網眼或類似的多孔材料位於液體限制結構的底表面上，並且具有朝向臺面對的表面。在一個實施例中，網眼或類似的多孔材料具有大致與臺的頂表面平行的至少一部分臺的底表面。圖5示意性地圖示了局部液體供給系統或流體處理結構12。該流體處理結構沿投影系統的最終元件和襯底臺WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。(請注意下文中對襯底W的表面的提及也附加地或替代地指襯底臺的表面，除非另外明確聲明)。儘管可以在Z方向上存在一些相對移動(在光軸的方向上)，流體處理結構12相對於投影系統在XY平面內基本上是靜止的。在一實施例中，在流體處理結構12和襯底W的表面之間形成密封，並且所述密封可以是非接觸密封，例如氣體密封(在歐洲專利申請公開號EP-A-1,420,298中公開了具有氣體密封的該系統)或液體密封。流體處理結構12至少部分地將液體限制在投影系統PS的最終元件和襯底W之間的空間11中。對襯底W的非接觸密封16可以形成在投影系統PS的像場周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統PS的最終元件之間的空間內部。該空間11至少部分地由位於投影系統PS的最終元件的下面和周圍的流體處理結構12形成。液體通過液體入口13被引入到投影系統PS下面的所述空間中和流體處理結構12內。液體可以通過液體出口13被去除。所述流體處理結構12可以延伸至稍高於投影系統的最終元件的位置。液面高於最終元件，使得能提供液體的緩衝。在一個實施例中，所述流體處理結構12的內周的上端處的形狀與投影系統的形狀或投影系統的最終元件的形狀緊密一致，並且例如可以是圓形。在底部，內周與像場的形狀緊密一致，例如矩形，但這並不是必須的。液體可以被在使用時形成在流體處理結構12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16限制在空間11中。氣體密封由氣體形成。該氣體密封中的氣體在壓力下通過入口15提供到流體處理結構12和襯底W之間的間隙。該氣體通過出口14抽取。氣體入口15處的過壓、出口14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內地限制液體的高速氣流16。氣體作用在流體處理結構12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內。入口/出口可以是圍繞空間11的環形槽。環形槽可以是連續的或非連續的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這種系統在美國專利申請出版物第US2004-0207824中公開，該文獻以其全部內容通過引用併入本文中。在一個實施例中，流體處理結構12不具有氣體密封。圖6圖示了作為液體供給系統的一部分的流體處理結構12。流體處理結構12圍繞投影系統PS的最終元件的外周(例如，圓周)延伸。在部分限定空間11的表面中的多個開口23為空間11提供液體。液體在進入空間11之前通過對應的腔室34、36分別穿過側壁28、32中的開口29、23.在流體處理結構12的底面和面對表面(例如，襯底W或襯底臺WT或兩者)之間提供密封。在圖6中，密封裝置被配置為提供非接觸式密封，並且由幾個部件組成。從投影系統PS的光軸徑向外側，設置有(可選的)流動控制板53，所述流動控制板延伸進入空間11。控制板53可以具有開口55以允許流動液體從其中通過；如果控制板53被沿Z方向(例如，與投影系統PS的光軸平行)移位，開口55可以是有益的。在面對(例如，與其相反)面對表面(例如，襯底W)的流體處理結構12的底面上的流動控制板53的徑向外側可以為開口180。開口180可以沿朝向面對表面的方向提供液體。在成像過程中，這通過使用液體填充襯底W和襯底臺WT之間的間隙而在防止浸沒液體中的氣泡形成方面可以是有用的。開口180的徑向外側可以為抽取器組件70，以從流體處理結構12和面對表面之間抽取液體。抽取器組件70可以作為單相抽取器或作為雙相抽取器工作。抽取器組件70作為液體的彎液面320的彎液面釘扎特徵。抽取器組件的徑向外側可以為氣刀90。在美國專利申請公開號US2006/0158627中詳細公開了抽取器組件和氣刀的布置，該專利文獻通過引用全文引入本文中。作為單相抽取器的抽取器組件70可以包括液體移除裝置、抽取器或入口，例如在美國專利申請公開號US2006-0038968中公開的，該專利文獻通過引用全文引入本文中。在一個實施例中，液體移除裝置70包括入口120，所述入口被覆蓋在多孔材料111中，多孔材料用於使液體與氣體分離以實現單液體相的液體抽取。腔室121中的低壓被選擇使得形成在多孔材料111的孔中的彎液面防止環境氣體被吸入液體移除裝置70的腔室121中。然而，當多孔材料111的表面與液體接觸時，沒有彎液面限制流動，並且液體能夠自由流入液體移除裝置70的腔室121中。多孔材料111具有大量的小孔，每一個小孔都具有在5至50微米範圍內的尺寸，例如寬度(諸如，直徑)。多孔材料111可以被保持在表面(諸如，面對表面，例如，襯底W的表面)以上50至300微米範圍內的高度處，液體將從所述表面被移除。在一個實施例中，多孔材料111是至少略微親液體的，即對浸沒液體(例如，水)具有小於90°的動態接觸角，期望地小於85°或者期望地小於80°。氣刀90的徑向外部可以設置有一個或多個出口210以從氣刀90和/或可能經過氣刀90逃逸的液體中移除氣體。一個或多個出口210可以位於氣刀的一個或多個出口之間。為了方便引導流體(氣體和/或液體)至出口210，在液體限制結構12中可以設置凹部220，所述凹部從氣刀90的出口和/或從氣刀90的出口之間指向出口210。雖然圖6中未明確示出，液體供給系統具有處理液體的液位變化的裝置。正是在投影系統PS和液體限制結構12之間積累(並且形成彎液面400)的該液體可以被處理並且不會逃逸。處理該液體的一種方法是提供疏液的(例如疏水的)塗層。塗層可以圍繞包圍開口的流體處理結構12的頂部和/或圍繞投影系統PS的最後的光學元件形成帶。塗層可以在投影系統PS的光軸的徑向外側。疏液的(例如疏水的)塗層輔助將浸沒液體保持在空間11中。附加地或者替代地，可以設置一個或多個出口201以移除相對於結構12達到某一高度的液體。另一種局部區域的布置是利用氣體拖曳原理的流體處理結構。例如在美國專利申請公開號US2008-0212046、US2009-0279060和US2009-0279062中已經描述了所謂的氣體拖曳原理。在該系統中，抽取孔被布置成可以期望地具有角的形狀。該角可以與諸如步進或掃描方向等優選的移動方向對準。相比兩個出口垂直於優選方向對齊，這種方式降低了對於沿優選方向的給定速度在流體處理結構的表面中的兩個開口之間的彎液面上的力。然而，本發明的實施例可以應用於在平面中具有任何形狀、或者具有諸如布置成任何形狀的抽取開口等部件的流體處理系統。在非限制性列表中，所述形狀可以包括諸如圓形的橢圓形、諸如矩形的直線形狀(例如正方形)、或諸如菱形的平行四邊形、或具有多於四個角的有角的形狀(例如四角或多角星)。在本發明的實施例可能涉及的US2008/0212046A1的系統的變形中，在其中布置有開口的有角形狀的幾何形狀對於沿掃描和步進方向對準的角允許存在銳角(在約60°至90°之間，期望地在75°至90°之間，並且更期望地在75°至85°之間)。這允許沿每一個對準的角的方向的增大的速度。這是因為減小了沿掃描方向由於不穩定的彎液面(例如在超過臨界速度的情況下)導致的液滴的形成。在角與掃描和步進方向對準的情況下，可以在那些方向上獲得增大的速度。期望地，沿掃描和步進方向的移動的速度可以基本上相等。在光刻設備中，襯底可以被支撐在襯底臺上。具體地，支撐臺可以被配置為支撐襯底的下表面。襯底臺例如可以包括基部表面，基部表面具有從基部表面上突出的多個凸起。襯底的下表面可以被支撐在凸起的上表面上。這種布置可以最小化或降低襯底與支撐臺接觸的總面積，最小化或降低汙染物在支撐臺和襯底之間被轉移的可能性和/或最小化或降低汙染物落在襯底和支撐臺上的其支撐件之間的可能性，而上述的可能性可能導致襯底的變形。在一個實施例中，在襯底下面、圍繞凸起的空間可以與低壓源連接。相應地，襯底可以被真空夾持在支撐臺上。在局部熱負荷作用在襯底和/或支撐臺上的情況下，例如在襯底內可能存在局部溫度變化，最顯著地，這導致在平行於襯底的上和下主面的方向上的局部熱膨脹或熱收縮。然而，襯底的熱膨脹和/或熱收縮可能受到夾持襯底的支撐臺的抵抗。具體地，抵抗熱膨脹和/或熱收縮的力可以通過凸起施加在襯底上。在朝向襯底的中心的區域內，圍繞襯底的每個局部在每一個方向上具有凸起。這些包圍的凸起可以提供抵抗熱膨脹和/或熱收縮的力。然而，在襯底的邊緣附近的區域，僅沿朝向襯底的中心的方向與凸起接觸。換句話說，沒有力從襯底的邊緣之外施加在襯底的區域上以抵擋熱膨脹和/或熱收縮。因此，對於襯底的局部區域的給定的溫度改變，襯底的淨熱膨脹或收縮(即考慮了由與凸起接觸提供的對膨脹或收縮的抵抗)在靠近襯底的邊緣的區域內將比襯底的中心更大。該效應不僅適用於由於襯底的局部熱負荷和/或局部溫度變化導致的熱膨脹和/或收縮，而且適用於均勻地施加在襯底上的熱負荷和/或溫度改變。為了降低或最小化襯底內的溫度改變，可以設置為支撐臺供給熱能和/或從支撐臺移除熱能的調節系統。相應地，能夠供給或移除熱量，以便補償襯底和/或支撐臺上的熱負荷。調節系統可以為支撐臺直接提供熱量或者從支撐臺直接移除熱量，以補償支撐臺上的熱負荷。而且，調節系統可以為支撐臺提供熱量或者能夠從支撐臺移除熱量，使得熱量從支撐臺流向襯底、或者從襯底流向支撐臺，以便補償襯底上的熱負荷。在一個實施例中，支撐臺、調節系統、或者二者被配置為使得在使用過程中由於調節系統的操作產生的至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在襯底上是不均勻的。具體地，在一個實施例中，系統被配置為使得襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞在襯底的、襯底的邊緣處的一個或多個區域中比位於或接近襯底的中心處的一個或多個區域中更大。換句話說，支撐臺和/或調節系統被配置為使得調節系統的作用在襯底的邊緣區域比在中心區域更大。這種系統可以被配置為使得，對於給定的熱負荷，襯底在其邊緣區域中的溫度改變可以小於襯底在其中心區域的溫度改變。這可以補償對於給定的局部溫度改變在襯底上產生的熱膨脹和/或熱收縮中的上述變化。相應地，可以減小或最小化在襯底上產生的襯底的熱膨脹和/或熱收縮中的上述變化。下面描述的是不同的實施例，所述不同的實施例可以在調節系統的操作過程中在襯底的邊緣區域比中心區域產生更大的襯底的每單位面積上至襯底的熱傳遞或來自襯底的熱傳遞。可以從調節系統的作用被最大化或增大的襯底的一個或多個邊緣區域向調節系統的作用不那麼大的一個或多個內部區域逐漸改變。在一個實施例中，支撐臺和/或調節系統可以被配置為使得在調節系統的作用較大的邊緣區域與調節系統的作用相對減小的中心區域之間存在明顯差別。不論何種情況，可以合適地選定邊緣區域與中心區域的相對位置的布置，以便在調節系統的作用上的變化能夠最好地補償襯底的響應於局部溫度改變的熱膨脹和/或熱收縮的變化。根據本發明的實施例的支撐臺可以利用這些方面的任意組合。圖7示出了用於光刻設備的支撐臺WT。支撐臺WT被配置為支撐襯底W的下表面。支撐臺WT包括基部表面22(參見圖10)。基部表面22被配置為與支撐在支撐臺WT上的襯底W的下表面基本上平行。支撐臺WT包括多個凸起20。凸起20突出於基部表面22之上。多個凸起20中的每一個凸起具有各自的末端。多個凸起20中的每一個凸起具有高於基部表面22的第一高度。凸起20被布置為使得當襯底W被支撐臺WT支撐時，襯底W被多個凸起20中的每一個凸起的各自的末端支撐。在一個實施例中，襯底W僅與凸起20的上表面接觸。在使用中，襯底W被支撐臺WT支撐。當襯底W被支撐臺WT支撐時，襯底W被多個凸起20中的每一個凸起的各自的末端支撐。凸起20被用於以相對少的襯底W和支撐臺WT之間的接觸將襯底W保持在支撐臺WT上。例如，在襯底W的約1％到3％的面積的範圍內與支撐臺WT的凸起20接觸。通過少量的接觸，減小了汙染物敏感性。在使用中，流體處理結構12在襯底W上施加熱負荷。例如，流體處理結構12的熱負荷能夠冷卻襯底W和/或支撐臺WT。在一個實施例中，支撐臺WT包括調節系統21(例如，參見圖10)。調節系統21給支撐臺WT(即，支撐襯底W的支撐臺WT的部分)供給熱能和/或從支撐臺WT(即，支撐襯底W的支撐臺WT的部分)移除熱能。支撐臺WT在曝光過程中可以調節襯底W，以便減小由於流體處理結構12的熱負荷導致的襯底W的變形。調節系統21可以調節支撐臺WT本身。在一個實施例中，調節系統21給支撐臺WT的其餘部分供給熱能和/或從支撐臺WT的其餘部分移除熱能。調節支撐臺WT能夠減小支撐臺WT的變形。支撐臺WT的變形的減小能夠導致襯底W的變形的減小。在一個實施例中，調節系統21可以包括位於支撐臺WT內的通道。可以提供調節流體以流過通道。在一個實施例中，調節系統21可以包括加熱器系統，所述加熱器系統能夠給支撐臺WT提供熱能。在一個實施例中，調節系統21可以被控制器500控制，所述控制器可以提供對調節系統21的改進的控制。在美國專利申請公開號2013/094005中公開了調節系統21的特徵，其全部內容通過引用引入本文中。由流體處理結構12引起的襯底W上的熱負荷會使襯底W變形。例如，襯底W可能收縮。凸起20是剛性的以抑制襯底W的變形。支撐臺WT的調節系統21調節襯底W的溫度。然而，由於襯底W與支撐臺WT之間有限的接觸面積，襯底W與支撐臺WT之間的熱耦合相對較低。低的熱耦合可能導致襯底W經受比支撐臺WT的溫度變化更大的溫度變化。這是不期望的。具體地，襯底W與支撐臺WT之間少量的接觸面積限制了可被支撐臺WT的調節系統21調節的襯底W的溫度範圍。不期望增大襯底W與支撐臺WT之間的接觸的量，因為這將增大汙染敏感性。如圖7所示，支撐臺WT包括多個細長凸起的突出部45。細長凸起的突出部45被間隙分開。多個細長凸起的突出部45中的每一個具有高於基部表面22的第二高度。多個細長凸起的突出部45在凸起20之間在基部表面22之上突起。第二高度小於第一高度。細長凸起的突出部45被配置為形成一系列同心的環形部。每一個環形部被分成幾個區段。通過設置多個細長凸起的突出部45，在細長凸起的突出部45定位所在的位置處襯底W與支撐臺WT之間的氣體層厚度被減小。這增大了襯底W與支撐臺WT之間的熱耦合。細長凸起的突出部45的頂部低於凸起20的頂部。細長凸起的突出部45不與襯底W接觸。否則細長凸起的突出部45將影響襯底W的平坦度。在使用中，襯底W被支撐臺WT保持。具體地，襯底W可以被夾持在支撐臺WT上。可以通過使襯底W與支撐臺WT之間的區域處於相比環境壓力(即襯底W與支撐臺WT周圍的壓力)較低的壓力下來輔助該夾持。被支撐臺WT和襯底W圍住的區域可以在接近真空的壓力下，使得襯底W被真空夾持在支撐臺WT上。在一個實施例中，支撐臺WT包括形成在其中的一個或多個孔。孔便於襯底W的夾持。可以通過該孔從被襯底W與支撐臺WT圍住的區域中抽取氣體，由此減小該區域內用於襯底W的夾持的壓力。改進襯底W與支撐臺WT之間的熱耦合的細長凸起的突出部45能夠限制從襯底W下面朝向孔的氣流。這可以減緩襯底W到支撐臺WT的夾持或裝載。這可以減小光刻設備的生產量。細長凸起的突出部45可以在襯底W下面在真空(或者接近真空)中產生非均勻性。在襯底W下面在真空的該非均勻性會影響襯底W的平坦度。圖8以平面圖示出了根據本發明的實施例的支撐臺WT。用於光刻設備的支撐臺WT被配置為支撐襯底W的下表面。支撐臺WT包括基部表面22(參見圖10)，基部表面22被配置為與支撐在支撐臺WT上的襯底W的下表面基本上平行。支撐臺WT包括突出於基部表面22之上(例如，從基部表面上突出)的多個凸起20。多個凸起20中的每一個凸起具有各自的末端。多個凸起20中的每一個凸起具有高於基部表面22的第一高度。多個凸起20被設置為使得當襯底W被支撐臺WT支撐時，襯底W被多個凸起20中的每一個凸起的各自的末端支撐。在一個實施例中，襯底W僅與凸起20接觸。支撐臺WT包括被間隙分開的多個細長凸起的突出部45。多個細長凸起的突出部45中的每一個具有處於基部表面22之上的第二高度。多個細長凸起的突出部45在凸起20之間在基部表面22之上突起(例如，從基部表面上突起)。第二高度小於第一高度。在一個實施例中，細長凸起的突出部45被布置為使得多個間隙(分開細長凸起的突出部45的)被對準以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個直線氣流路徑82。在一個實施例中，細長凸起的突出部45被配置為形成一個或多個形狀，每一個形狀被間隙分成細長凸起的突出部45。在一個實施例中，細長凸起的突出部45具有臺面(mesas)的形式。然而，細長凸起的突出部45不必需要具有臺面的形式。在一個實施例中，細長凸起的突出部45可以被配置為使得它們的上表面基本上形成圍繞支撐臺WT的外部區域24(參見圖11)延伸的一系列環形部(例如，一系列同心環)。每一個環形部被分成多個區段(即，每一個區段對應於形成環形部的細長凸起的突出部45中的一個)。這在細長凸起的突出部45之間提供了多個間隙以輔助確保在環形部的徑向內側處的基部表面22的區域和環形部的徑向外側處的基部表面22的區域之間更容易形成氣流。細長凸起的突出部45之間的間隙可以降低用於將襯底W真空夾持到支撐臺WT上的低壓的局部壓降。如下面進一步討論的，在一個實施例中，細長凸起的突出部45可以分布在整個支撐臺WT上，即同時在外部區域24和內部區域25中(參見圖11)。在這種布置中，細長凸起的突出部45可以被配置為一系列同心環，所述同心環的每一個可以具有如上所述的多個間隙。在這種布置中，細長凸起的突出部45的相鄰的同心環可以布置在凸起20之間。提供這種布置可以便於支撐臺WT的製造。在圖8中，形狀被示出為環形。然而，其它形狀也是可行的，例如正方形、矩形或星形。具體地，形狀可以被選擇為與襯底W和/或支撐臺WT的形狀對應。例如，在襯底W和/或支撐臺WT具有正方形形狀的情況下，由多個細長凸起的突出部45形成的形狀可以為正方形。在一個實施例中，細長凸起的突出部45被布置為形成大致同心的形狀。每一個形狀由被間隙分開的多個細長凸起的突出部45形成。在一個實施例中，同心的形狀形成一系列同心的形狀。順序的形狀包圍彼此。例如，在一個實施例中，多個細長凸起的突出部45形成兩個(第一和第二)形狀，其中第一形狀被第二形狀包圍。在一個實施例中，多個細長凸起的突出部45被布置為形成三個大致同心的形狀。在這種情況下，第三形狀包圍第二形狀(並因此也包圍第一形狀)。在一個實施例中，多個細長凸起的突出部45被布置為形成多於三個的大致同心的形狀。在這種情況下，每一個後續的形狀包圍在該系列內在前的形狀，以上面針對具有三個形狀的情況描述的方式。在一個實施例中，形狀可以不是大致同心的。形狀可以被間隙分成細長凸起的突出部45。在一個實施例中，多個細長凸起的突出部45被布置為使得多個間隙被對準以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個直線氣流路徑82。通過設置間隙被對準以形成朝向基部表面22的邊緣的至少一個直線氣流路徑82，可以補償由於細長凸起的突出部45導致的在真空夾持上的時間損失。直線氣流路徑82提供更乾淨的通道，氣體可以沿著該通道流動。直線氣流路徑82可以減小由細長凸起的突出部45導致的對氣流的限制。直線氣流路徑82加速並改進了襯底W的夾持。在一個實施例中，直線氣流路徑82的底部低於基部表面22，使得至少一個直線氣流路徑82在基部表面22中形成槽。更深的槽提供更大的空間和對氣流更小的限制。可以增大氣流，由此改進襯底W的夾持。在一個實施例中，直線氣流路徑82的底部與基部表面22處於基本上相同的高度上。通過將直線氣流路徑82和基部表面22設置在基本上相同的高度上，改進了支撐臺WT的可製造性。在一個實施例中，細長凸起的突出部45被布置為形成多個形狀，由此進一步增大了襯底W與支撐臺WT之間的熱耦合。增大的熱耦合增大了支撐臺WT的調節系統21能夠調節襯底W的溫度的範圍。這有助於減小由於流體處理結構12的熱負荷導致的襯底W的變形。在一個實施例中，形狀是大致同心的。通過將形狀設置為大致同心的，改進了支撐臺WT的可製造性。如上所述，在一個實施例中，支撐臺WT包括形成在其中的孔。在一個實施例中，所述至少一個直線氣流路徑82在孔的徑向外側的區域內。細長凸起的突出部45中的至少一些在孔的徑向外側，由此限制孔和基部表面22的邊緣之間的氣流。細長凸起的突出部45之間的直線氣流路徑82改進了孔和基部表面22的邊緣之間的氣流。在一個實施例中，直線氣流路徑82的底部整個處在基部表面22以下大致相同的距離處。通過設置直線氣流路徑82，增大了襯底W以下的氣流。在襯底W的裝載過程中，通過該孔抽取氣體。在支撐臺WT的直線氣流路徑82內的氣流比在其它區域內的氣流速度更大。在一個實施例中，所述至少一個直線氣流路徑82相對於基部表面22的中心是大致徑向的。這在圖8中被示出。通過設置每一個直線氣流路徑82大致徑向地延伸，尤其是孔和基部表面22的邊緣之間的氣流被增大。每一個直線氣流路徑82不必精確地沿徑向方向延伸。例如，直線氣流路徑82可以沿相對於徑向方向形成角度的方向延伸。在一個實施例中，一個或多個直線氣流路徑可以大致切向地延伸。在一個實施例中，每一個直線氣流路徑82形成大致直線。然而，在一個實施例中，氣流路徑可以為彎的或彎曲的。例如，彎的氣流路徑的一部分可以沿徑向方向延伸。彎的氣流路徑的另一部分可以相對於徑向方向形成角度。在一個實施例中，至少一個直線氣流路徑82至少在孔的徑向外側的區域內延伸。通過設置直線氣流路徑82在孔的徑向外側的區域內，增大了出口孔的徑向外側的區域內的氣流。具體地，增大了孔和基部表面22的邊緣之間的區域內的氣流。這是特別有幫助的，因為否則在該區域內氣流將會特別低。在支撐臺WT的邊緣處的增大的氣流是特別有益的，因為大部分氣體抽取在支撐臺WT的邊緣處。在裝載襯底W的過程期間，襯底W首先在基部表面22的中心區域內與支撐臺WT接觸。因此，相比基部表面22的中心區域，從基部表面22的外周區域有更多的氣流(例如，被吸入的)。在一個實施例中，直線氣流路徑82被設置為朝向支撐臺WT的邊緣。例如，直線氣流路徑82可以至少在一個或多個孔的徑向外側的區域內延伸。在一個實施例中，壓力在支撐臺WT上基本上是均勻的。壓力的這種均勻性改進了襯底W的平坦度。在朝向支撐臺WT的邊緣的區域內需要更大的氣流以保持襯底W。夾持力從中心朝向邊緣傳播。使直線氣流路徑82朝向支撐臺WT的邊緣能夠有助於引入環境氣體，同時減小或最小化任何壓降。然而，直線氣流路徑82在一個或多個孔的徑向外側的區域內不是必須的。在一個實施例中，直線氣流路徑82可以在孔的徑向內側處的區域內。在這種情況下，直線氣流路徑82增大孔的徑向內側的區域內的氣流。這增大了夾持襯底W的速度，由此增大了光刻設備的生產量。在一個實施例中，直線氣流路徑82可以相對於孔同時向內和向外延伸。在一個實施例中，所述多個間隙被對準以從基部表面22的中心朝向基部表面22的邊緣形成所述至少一個直線氣流路徑82。在一個實施例中，直線氣流路徑82可以一直延伸到基部表面22的中心。在一個實施例中，直線氣流路徑82在孔之間徑向地延伸。當裝載襯底W時氣流在孔與孔的徑向外側之間的區域內可以特別低。通過設置孔之間的直線氣流路徑82，在該區域氣流被增大，由此對於夾持襯底W的速度具有特別大的作用。在一個實施例中，孔位於所述至少一個直線氣流路徑82內。孔可以在直線氣流路徑82的直線上。在一個實施例中，直線氣流路徑82可以從孔朝向支撐臺WT的邊緣沿徑向向外延伸。在一個實施例中，每一個孔位於對應的直線氣流路徑82的一端處。在一個實施例中，每一個孔位於對應的直線氣流路徑82的徑向內側末端處。這種直線氣流路徑82具有增大襯底W和支撐臺WT之間的區域內的氣流的優點，在該區域處與出口孔連接的低壓可以具有最大的效用。直線氣流路徑82為直接引向孔的通道，使得氣流被大大增大，由此加速襯底W的夾持。在一個實施例中，可以僅具有在孔之間徑向延伸的直線氣流路徑82(即沒有任何孔位於直線氣流路徑82內)。在一個實施例中，可以僅具有如下直線氣流路徑82，即直線氣流路徑具有定位在其內的孔(即，沒有任何直線氣流路徑82在孔之間徑向延伸)。在一個實施例中，可以既具有在孔之間徑向延伸的直線氣流路徑82也具有包括孔的直線氣流路徑82。圖9以平面圖示出了根據本發明的實施例的支撐臺WT的區段的放大視圖。在一個實施例中，支撐臺WT還包括從所述至少一個直線氣流路徑82的底部上突出的多個另外的凸起40。另外的凸起40被布置為使得當襯底W被支撐臺WT支撐時，襯底W被多個另外的凸起40中的每一個的對應的遠端(末端)支撐。通過在直線氣流路徑82內設置另外的凸起40，增大了被支撐臺WT支撐的襯底W的平坦度。通過在直線氣流路徑82內設置另外的凸起40，降低了支撐襯底W的凸起20和/或另外的凸起40之間的最大距離，由此降低了襯底W在凸起20和/或另外的凸起40之間下沉或彎曲的可能性。然而，在一個實施例中，在直線氣流路徑82內沒有設置另外的凸起。在這種情況下，直線氣流路徑82被用於以更大程度增大氣流。氣流沒有被另外的凸起40幹擾。在一個實施例中，直線氣流路徑82內的另外的凸起40中的每一個為臺階式的凸起，即在垂直於基部表面22的平面內的橫截面具有臺階狀輪廓。臺階狀輪廓具有第一部分41，第一部分具有第三高度和各自的末端(遠端)，以便支撐襯底W的下表面。在一個實施例中，第一高度與第三高度基本上相等。臺階狀輪廓還具有包圍第一部分41的第二部分42。第二部分從所述至少一個直線氣流路徑82的底部上突起。第二部分具有高於基部表面22的第四高度。第四高度小於第三高度。假設其足夠大，那麼第二部分42增大了襯底W和支撐臺WT之間的熱耦合。在一個實施例中，第二高度與第四高度基本上相等，使得第二部分42的上表面與用於改進熱耦合的細長凸起的突出部45的上表面基本上平行。另外的凸起40在可製造性方面是有利的。另外的凸起40具有第一部分41，第一部分被布置為與襯底W的下表面接觸並且可以對應於非臺階式的凸起20。另外的凸起40還包括第二部分42，第二部分不與襯底W的下表面接觸。相應地，另外的凸起40的第二部分42中的每一個提供如下區域，在該區域內支撐臺WT和襯底W的下表面之間的間隔被減小，但是不會影響襯底W的下表面的與襯底W接觸的每單位面積的凸起20的總面積。另外的凸起40中的每一個的第二部分42可以包圍第一部分41。對於所有的另外的凸起40，第二部分42的尺寸不必相同。相應地，例如，另外的凸起40的第二部分42的寬度和/或高度可以隨著距離基部表面22的中心的距離增大而增大，使得對支撐臺WT和襯底W之間的熱傳遞的抵抗朝向襯底W的邊緣降低。不期望的襯底W的溫度改變的效果可以在襯底W的邊緣處更大。然而，朝向襯底W邊緣的降低的對支撐臺WT與襯底W之間的熱傳遞的抵抗允許更好的調節被施加在襯底W的邊緣上。相對於在中心的溫度改變，在襯底W的邊緣處的更好的調節更好地減小了在襯底W的邊緣處的溫度改變，由此補償了在襯底W的邊緣處的溫度改變的更大的影響。直線氣流路徑82內的另外的凸起40不必具有臺階式的橫截面。另外的凸起40的第二部分42可以被省略，由此增大直線氣流路徑82內的空間。直線氣流路徑82內的增大的空間可以具有增大通過直線氣流路徑82的氣流的作用。在一個實施例中，支撐臺WT在距離基部表面22的中心一定距離處包括多個孔。支撐臺WT可以具有半徑範圍，該半徑範圍內具有便於襯底W的夾持的孔的陣列。然而，其不必為孔的陣列。在一個實施例中，可以僅具有一個單獨的孔。在一個實施例中，可以具有距離基部表面22的中心不同距離的多個孔。直線氣流路徑82的底部相對於基部表面22的任何下降將進一步改進氣流，由此進一步加速襯底W的夾持和提高光刻設備的生產量。在一個實施例中，底部至少與凸起20從基部表面22之上突出一樣程度地低於基部表面22，使得所述至少一個直線氣流路徑82在基部表面22中形成槽。在這種情況下，襯底W和直線氣流路徑82的基部表面22之間的距離為襯底W的下表面和基部表面22之間的距離的至少兩倍。這有利於從基部表面22的邊緣向基部表面22的中心的快速氣體輸送。如圖8所示，在一個實施例中，順序形狀的細長凸起的突出部45之間的間隙沿著大致徑向方向對準。在一個實施例中，每一個形狀包含基部表面22的中心。例如，在一個實施例中，每一個形狀相對於基部表面22是居中的。在一個實施例中，支撐臺WT還包括環形密封件85。環形密封件85從基部表面22上突出。環形密封件85包圍凸起20。環形密封件85在支撐臺WT和襯底W之間。環形密封件85以及回填氣體可以輔助控制襯底W的溫度。在美國專利申請公開號2013/094005中公開了支撐臺WT的另外的可選的特徵，其全部內容通過引用引入本文中。圖10示意性地示出了支撐臺WT，本發明的實施例可以設置在該支撐臺中。圖10所示的實施例被簡化，並且支撐臺WT的不需要解釋本發明的實施例的特徵沒有被示出。無論如何，本發明的實施例的支撐臺WT可以包括許多此種附加的特徵。如圖所示，支撐臺WT可以進一步包括調節系統21，所述調節系統被配置為給支撐臺WT供給熱能和/或從支撐臺WT移除熱能。襯底W與支撐區段22熱耦合，例如利用通過與襯底W的下表面物理接觸的凸起20的熱傳導。換句話說，當調節系統21給支撐臺WT供給熱能或從支撐臺WT移除熱能時，能量依次分別從支撐臺WT向襯底W傳遞，或者從襯底W向支撐臺WT傳遞。如下所述，支撐臺WT和/或調節系統21被配置為使得，在操作過程中，襯底W的每單位面積上至襯底W或者來自襯底W的熱傳遞在襯底W的第一、外部區域(即臨近襯底W的邊緣的區域)中比在襯底的第二、內部區域中更大。為便於說明，可以領會：支撐臺WT包括與襯底W的外部區域臨近並且熱耦合的外部區域24。支撐區段還包括與襯底W的內部區域臨近並且熱耦合的內部區域25。如圖11所示，支撐臺WT可以包括設置在凸起20之間的一個或多個細長凸起的突出部45。細長凸起的突出部45可以被布置為使得它們不鄰接任何凸起20。這可以便於製造支撐臺WT。然而，通過在外部區域24內設置支撐臺WT的最上側表面與襯底W的下表面之間的間隔被減小的局部區域，對通過氣體間隙在支撐臺WT與襯底W之間傳遞熱能的抵抗可以被減小。反過來，對支撐臺WT與襯底W之間的熱能的傳遞的抵抗在外部區域24內可以比在內部區域25內更低。在一個實施例中，細長凸起的突出部45被設置為形成環形部。在一個實施例中，每一個環形部由被間隙分開的多個細長凸起的突出部45形成。在一個實施例中，每一個環形部圍繞支撐臺WT的外部區域24延伸，即包含內部區域25。這可以便於製造。在一個實施例中，至少一個細長凸起的突出部45可以被配置為使得細長凸起的突出部45的上表面與由支撐臺WT支撐的襯底W的下表面之間的間隔為10μm或更小。在該實施例中，基部表面22與襯底W的下表面的間隔可以為150μm。替代地，基部表面22與襯底W的下表面之間的間隔可以更大，例如400μm或更大。在具有多個細長凸起的突出部45的實施例中，襯底W的下表面的面積的約50％可以直接位於細長凸起的突出部45之上。相應地，可以改進支撐臺WT和襯底W之間的導熱性。具體地，熱傳遞可以以約2-3倍的係數被增大，所有其它係數保持不變。在一個實施例中，如圖12所示，細長凸起的突出部45的位置和尺寸可以被選定為使得，在浸沒式光刻設備的支撐臺WT的使用過程中，浸沒流體的薄層被布置在細長凸起的突出部45的上表面與襯底W的下表面之間。浸沒流體的該薄層可以顯著減小對支撐臺WT與襯底W之間的熱傳遞的抵抗，而不會給襯底W提供物理限制，例如如果細長凸起的突出部45與襯底W直接物理接觸將會發生的那樣。在一個實施例中，細長凸起的突出部45中的一個或多個可以位於兩個密封件47之間，所述密封件被布置為阻止或限制在襯底W下面的浸沒流體從襯底W的邊緣向襯底W的中心轉移。所述兩個密封件47可以由環形的細長凸起的突出部形成，所述環形的細長凸起的突出部延伸到足夠接近襯底W的下側的位置，以提供期望的密封功能。在一個實施例中，細長凸起的突出部被布置為形成不是環形的形狀，以輔助確保在兩個密封件47之間的區域內的壓力是均勻的。例如，該形狀可以被布置在外周(例如，圓周)路徑內，所述外周路徑具有在細長凸起的突出部45之間的間隙中的一個或多個間隙，以將最內側密封件47與細長凸起的突出部45之間的區域和最外側密封件47與細長凸起的突出部45之間的區域連接。在該位置，例如，在使用過程中，浸沒流體可以在凸起20周圍提供的低壓下被朝向細長凸起的突出部45吸入，所述低壓被用於將襯底W真空夾持在支撐臺WT上。細長凸起的突出部45相對於襯底W的下表面的高度可以被選定為使得細長凸起的突出部45的頂部與襯底W的下表面之間的間隙使得浸沒流體被保持在間隙內。具體地，間隙的尺寸可以被選定為使得將浸沒流體保持在間隙內的毛細壓力大於在細長凸起的突出部45上的氣體壓力中的差值，該差值可以由用於將襯底W真空夾持在支撐臺WT上的低壓產生。在一個實施例中，除了已經被提供用於執行浸沒式光刻術的流體之外的流體可以被提供給細長凸起的突出部45。相應地，合適地選定的流體的供給可以被提供給細長凸起的突出部45。如將領會的，上面描述的特徵中的任何特徵可以與任何其它特徵一起使用，並且不僅僅是覆蓋在本申請中的明確描述的那些組合。例如，本發明的實施例可以應用於圖2-4的實施例。而且，這裡討論的加熱或加熱器應當理解為分別包含冷卻或冷卻器。而且，雖然上面為方便起見在浸沒式光刻設備的背景下描述了本發明的實施例，但是應當領會本發明的實施例可以與任何形式的光刻設備結合使用。雖然本文具體參考光刻設備在製造IC中的應用，但是應該理解，這裡所述的光刻設備可以具有其他應用，例如製造集成光學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領域技術人員將會認識到，在這樣替換的應用情形中，任何使用的術語「晶片」或「管芯」可以分別認為是與更上位的術語「襯底」或「目標部分」同義。這裡所指的襯底可以在曝光之前或之後進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層塗到襯底上，並且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開的內容應用於這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使得這裡使用的所述術語「襯底」也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。此處所用的術語「輻射」和「束」包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有等於或約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術語「透鏡」可以表示不同類型的光學構件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學構件。雖然上面已經描述了本發明的具體實施例，可以認識到的是，除了所描述的方式，本發明還可以以其它方式實施。例如，本發明的實施例可以採取包含一個或多個機器可讀指令序列的電腦程式或於其中存儲該電腦程式的數據存儲介質(例如，半導體存儲器、磁碟或光碟)的形式，其中該機器可讀指令描述了上面所討論的方法。而且，該機器可讀指令可以包含在兩個或多個電腦程式中。該兩個或多個電腦程式可以存儲在一個或多個不同的存儲器和/或數據存儲介質上。在通過位於光刻設備的至少一個部件內的一個或多個計算機處理器讀取一個或多個電腦程式時，這裡所說的任何控制器可以每一個或組合地操作。控制器可以每一個或組合地具有任何合適的結構用於接收、處理以及發送信號。一個或多個處理器配置成與至少一個控制器通信。例如，每一個控制器可以包括一個或更多個用於執行電腦程式的處理器，所述電腦程式包括用於上述的方法的機器可讀指令。控制器還可以包括用於存儲這種電腦程式的數據存儲介質，和/或用以接收這種介質的硬體。因而，控制器可以根據一個或多個電腦程式的機器可讀指令操作。本發明的一個或更多個實施例可以應用於任何浸沒式光刻設備，具體地但不排他地，應用於上述的那些類型、無論浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒液體可以流過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸溼。在這種非限制的浸沒系統中，液體供給系統可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸沒液體限制，但是基本上不是完全的浸沒液體限制。這裡所述的液體供給系統應該廣義地解釋。在特定的實施例中，其可以是將液體供給至投影系統和襯底和/或襯底臺之間的空間的機構或結構的組合。其可以包括一個或更多個結構、一個或更多個流體開口的組合，所述一個或更多個流體開口包括一個或更多個液體開口、一個或更多個氣體開口或一個或更多個用於兩相流動的開口。所述開口每一個可以為進入浸沒空間的入口(或離開流體處理結構的出口)或離開浸沒空間的出口(或進入流體處理結構的入口)。在一個實施例中，空間的表面可以為襯底和/或襯底臺的一部分，或者空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者空間可以包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統可選地可以進一步包括一個或更多個元件以控制液體的位置、數量、質量、形狀、流量或任何其它特徵。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，對本領域的技術人員來說清楚的是，在不背離下面提出的權利要求書的範圍的情況下，可以對所描述的發明進行修改。