檢測方法

2023-04-30 13:00:46

檢測方法
【專利摘要】一種檢測方法，適用於量測膠膜上已彼此劈裂的數個晶粒，包含以下步驟：提供一個標準間距範圍與一個臨界間距範圍，並量測及記錄所述晶粒彼此間的間距，再將所記錄的所述晶粒的間距與所提供的間距範圍比較，以判斷是否依序對所述晶粒進行檢測。本發明在檢測前，預先量測並記錄所述晶粒彼此間的間距，並利用標準間距範圍與臨界間距範圍而可選擇對間距差異過大的相鄰晶粒不檢測或整片晶粒不檢測，以減少檢測誤差，若要檢測，也能考慮相鄰晶粒之間的間距，而能對晶粒的光性檢測結果進行補正以提高檢測結果的正確性，因此，本發明有助於獲得更正確的檢測數據。
【專利說明】檢測方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體製程，特別是涉及一種晶粒(die)的檢測方法。
【背景技術】
[0002]以往的一種晶粒的檢測方法，適用於量測黏著於膠膜上且已彼此劈裂的數個晶粒，由於以往在檢測晶粒時，並不考慮到晶粒之間彼此的間距所造成的影響，也就是說，以往皆將晶粒間的間距視為相同，但實際上的情況為，在劈裂擴張後，晶粒彼此間的間距並不相同。而且晶粒之間不同的間距在進行光性檢測(optics measurement)時,會對檢測結果
產生一定的誤差影響。
[0003]因此，一種可以將晶粒的間距納入晶粒檢測標準以減少誤差影響，及晶粒依據晶粒間距而加入光性檢測補正的檢測方法，已成為目前相關業者的研發目標之一。

【發明內容】

[0004]本發明的目的在於提供一種可以將晶粒的間距作為是否要對晶粒進行檢測的標準，及晶粒依據晶粒彼此間的間距而加入光性檢測補正的檢測方法。
[0005]本發明檢測方法，適用於量測黏著於膠膜上且已彼此劈裂的數個晶粒，該檢測方法包含以下步驟:
[0006](A)提供一個針對晶粒間距的標準間距範圍，及一個大於該標準間距範圍的臨界間距範圍；
[0007](B)量測並記錄所述晶粒彼此間的間距；
[0008](C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標準間距範圍及該臨界間距範圍進行比較；及
[0009](D)依比較結果判斷是否對所述晶粒進行檢測；
[0010]其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
[0011]本發明的檢測方法，包含一個實施於該步驟(B)後的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據該步驟(B)所測得的晶粒彼此間的間距關係繪製出一個對應圖面。
[0012]本發明的檢測方法，包含一個實施於該步驟(D)後的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對間距超過該臨界間距範圍的晶粒省略檢測。
[0013]本發明的檢測方法，包含一個實施於該步驟(D)後的步驟(G)，在該步驟(G)中，對間距未超出該臨界間距範圍的晶粒進行檢測。
[0014]本發明的檢測方法，包含一個實施於該步驟(G)後的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對間距超過該標準間距範圍的晶粒的檢測結果進行換算補正。
[0015]本發明的檢測方法，該步驟(G)所進行的檢測為光性檢測。
[0016]本發明檢測方法的有益效果在於:在進行檢測以前，就先量測並記錄所述晶粒彼此間的間距，因此，可以在檢測前就先判斷相鄰晶粒的間距是否超出標準間距範圍或臨界間距範圍，作為晶粒是否檢測的判斷依據。接著，依判斷結果依序對所述晶粒進行檢測，並根據所述晶粒彼此間的間距對晶粒的光性檢測結果進行補正，因而能提高檢測結果的準確度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是一個流程圖，說明本發明檢測方法的一個較佳實施例；
[0018]圖2是一個示意圖，說明本較佳實施例的數個晶粒；
[0019]圖3是一個示意圖，說明本較佳實施例依據所記錄的晶粒的間距關係繪製出的對應圖面，本圖由計算機軟體繪製，僅為說明本發明一種對應圖面的繪製態樣，因此對於權利要求的保護範圍並無影響，僅起到說明功效的作用。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖及實施例對本發明進行詳細說明。
[0021]參閱圖1與圖2，本發明檢測方法的一個較佳實施例，適用於量測黏著於膠膜I上且已彼此劈裂的數個晶粒2，由於間距大小對晶粒的光性檢測數據影響較大，以下的檢測方法是以光性檢測為例進行說明，需要進行光性檢測的晶粒主要是應用於LED等發光元件上。該檢測方法包含以下步驟:
[0022]首先，進行一步驟101，針對晶粒2間距，提供一個標準間距範圍，及一個大於該標準間距範圍的臨界間距範圍。該標準間距範圍及該臨界間距範圍可依據所用的晶粒類型、晶粒的用途或設計需求分別設定，並使標準間距範圍被涵蓋在臨界間距範圍內。
[0023]再進行一步驟100，量測並記錄所述晶粒2彼此間的間距。其中，步驟101與步驟100的順序不受限，即使互換，仍然能夠獲得預定的效果。
[0024]接續地，進行一步驟200，依據該步驟100所測得的晶粒2彼此間的間距關係繪製成對應圖面，以讓使用者可以觀看對應圖面掌控檢測流程。
[0025]而後，進行一步驟300，將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標準間距範圍及該臨界間距範圍進行比較。
[0026]步驟400是依比較結果判斷是否對所述晶粒進行檢測。在本實施例中，將出現兩種判斷結果，當所述晶粒的間距超出該臨界間距範圍時，表示間距差異過大，進行檢測將增加檢測時間而影響製程效率，此時將選擇進行步驟401，對間距超出該臨界間距範圍的相鄰晶粒省略檢測。當所述晶粒的間距未超出該臨界間距範圍時，則進行步驟500，依序對間距符合檢測標準的所述晶粒進行光性檢測。
[0027]步驟600，是依據步驟100所測得並記錄的所述晶粒2彼此間的間距，對步驟500所量測的所述晶粒2的光性檢測結果進行換算補正，以提高所述晶粒2檢測結果的準確度。其中，換算補正主要依晶粒的類型或客戶設計需求不同而設定不同的補正因子。例如，可以設定對間距在該標準間距範圍的晶粒乘以100%的補正因子(相當於不進行補正)，對間距小於該標準間距範圍下限的晶粒乘以一數值大於100%的補正因子，並對間距大於該標準間距範圍上限的晶粒乘以一數值小於100%的補正因子。另外，也可以再將間距小於該標準間距範圍下限及大於該標準間距範圍上限的間距進一步細分為不同的次間距範圍，並對每一個次間距範圍分別規定補正因子，通常距離該標準間距範圍越遠的次間距範圍所指定的補正因子與標準間距範圍內所對應的補正因子的差值也會越大。藉由增加標準間距範圍外的次間距範圍的數目，可以再提升檢測數據的正確性等級，並能適用於對質量要求更高的廣品的晶粒的檢測。
[0028]值得說明的是，步驟200可與步驟300結合，也就是在繪製所述晶粒2彼此間的間距關係的對應圖面時，可依所述間距與該標準間距範圍及該臨界間距範圍的比較結果，以不同的符號分別標示間距在該標準間距範圍內的相鄰晶粒2、間距超過(包含大於上限與小於下限)該標準間距範圍的相鄰晶粒2，及間距超過該臨界間距範圍的相鄰晶粒2，藉此，可依間距好(位於該標準間距範圍內或接近該標準間距範圍)或壞(超出該臨界間距範圍或遠離該標準間距範圍)，繪製成與間距好壞有關的對應圖面，讓使用者可以再依據圖面快速地判定是否對特定晶粒2繼續後續的量測。
[0029]參閱圖2與圖3，其中圖3是根據步驟200與步驟300所述方式，針對一檢測區域10內的晶粒2量測間距後，依所記錄的晶粒2的間距繪製的對應圖面的一示意圖，該圓形的檢測區域10中的每一個檢測點2'分別對應一個晶粒2，在圖3中雖然只是以灰階方式呈現所述檢測點2'，但實際繪製時是根據該檢測點2'所對應的晶粒2與其相鄰晶粒2的間距範圍，而以不同顏色的彩色點標示該檢測點2'，藉此，使用者可根據所述檢測點2'的顏色，快速辨識出與該檢測點2，對應的晶粒2與相鄰晶粒2之間的間距範圍，而能快速判斷是否對該晶粒2進行檢測，而且進行檢測後也能依顏色提供的區別效果而能較快速地對晶粒2的檢測結果進行相應的換算補正，除了能獲得較正確的檢測結果外，也有助於快速完成檢測作業。另外，圖3中左側的長條形圖標主要以不同顏色的方格對應不同間距範圍，並記錄了不同間距範圍分別對應的晶粒數量，例如，第5個方格對應間距範圍0.6?0.8μπι的晶粒2，其顏色為藍色，方格中的數字表示該間距範圍的晶粒2數量有20個，也就是說在該圓形的檢測區域10中的藍色檢測點2'所對應的晶粒2與相鄰晶粒2的間距落在0.6?0.8 μ m的範圍，且量測結果顯示該檢測區域10中共有20個呈現該種藍色的檢測點2'，餘此類推。當然，本發明較佳實施例繪製的對應圖面也可不以不同顏色的彩色點標示檢測點，而以不同的符號標示檢測點說明晶粒彼此間距關係，對應圖面中晶粒的態樣不以本實施例為限。
[0030]需要補充說明的是，圖3中左側的長條形圖標是以間距範圍對應不同顏色的方格來呈現分別對應不同間距範圍的晶粒數量及其在檢測區域10中的分布情形，但實務上也可以直接以距離百分比或補正因子取代該間距範圍的標示。例如，假設將間距2.4?
2.6 μ m設定為標準間距範圍時，可以經由電腦程式的設計將該間距的標示改為距離百分t匕，並將與2.4?2.6對應的方格旁的2.4與2.6之數字標示改為100，及將位於上方的「間距(ym)」的標示改為「距離百分比(%)」，並以2.4?2.6之間距為100的基準，運算其他間距對應的距離百分比數值並將此結果製成類似圖3的對應圖，如此即可由該對應圖看出距離百分比低於100或高於100的晶粒數量與其分布情形，此外，也可以通過電腦程式運算對不同間距分別要求的補正因子，並以標示補正因子的方式取代原來圖3中的間距標示，如此即可看出搭配不同補正因子的晶粒數量與其分布情形，並快速得知該檢測區域10整體的補正幅度。
[0031]以下以一個具體例說明依據對特定類型的晶粒進行間距量測，以及依所記錄的所述晶粒2間距進行換算補正的情形:[0032]本具體例是針對一個產品編號為LED 1023的晶粒進行檢測，該類型晶粒的平均尺寸大小為長23 μ m，寬10 μ m。進行檢測時依客戶需求設定的標準間距範圍為3?4 μ m，且所設定的臨界間距範圍為9 μ m，由於臨界間距範圍設定為9 μ m，因此，對超過間距範圍9μπι的晶粒省略檢測，只針對間距範圍g 9μπι的所述晶粒進行換算補正，補正規則如下:
[0033](I)與相鄰晶粒的間距在標準間距範圍(3?4 μ m)的晶粒，不補正，其最終檢測數據為檢測原始值X 100%。
[0034](2)與相鄰晶粒的間距在O?3μπι的範圍內的晶粒，其最終檢測數據為檢測原始值 X101%。
[0035](3)與相鄰晶粒的間距在4?6 μ m的範圍內的晶粒，其最終檢測數據為檢測原始值 X 99%ο
[0036](4)與相鄰晶粒的間距在6?9 μ m的範圍內的晶粒，其最終檢測數據為檢測原始值 X 98%ο
[0037]經由上述的補正處理後，可以讓檢測過程中在相鄰晶粒幹擾下測得的檢測原始值獲得補正，並能獲得較接近被檢測晶粒的真實性能的數據，正確地反應所述晶粒的性能標準，進而能夠對其提供更精確有效的應用。
[0038]需要補充說明的是，可以依晶粒的類型不同，以及客戶所訂的規格標準與對準確的檢測結果的要求，分別調整標準間距範圍的補正因子的數值、每一補正因子所對應間距範圍、標準間距範圍及臨界間距範圍等參數。因此，上述具體例當用於不同晶粒或不同應用需求時，也有可能對與相鄰晶粒的間距在標準間距範圍內的晶粒的原始檢測值乘以一大於100%的補正因子或乘以一小於100%的補正因子進行補正，並對應地調整其他間距範圍的補正值，而補正間距範圍的分組方式也可依實際需求調整，例如，也可分別針對間距在O?I μ m> I?2μηι、2?3μηι、...、8?9μηι的範圍分別設定不同的補正因子，以進行更高規格的換算補正，對規格要求相對較低的產品，也可以只針對標準間距範圍、標準間距範圍下限與O之間、標準間距範圍上限與臨界間距之間的三組範圍分別設定相應的補正因子，以在符合產品規格的條件下加快檢測效率。此外，臨界間距範圍的設定也不受限，以上述具體例來說，也可以設定6 μ m為臨界間距範圍，當相鄰晶粒的間距大於6 μ m就省略檢測，當然，也可以設定12 μ m為臨界間距範圍，並於相鄰晶粒的間距大於12 μ m時才省略檢測。
[0039]綜上所述，由於在進行檢測之前，即先量測並記錄所述晶粒2彼此間的間距，作為晶粒是否檢測的標準。其後，在檢測時還能夠考慮相鄰晶粒2的間距，作為光性檢測結果的補正標準，因而能提高所述晶粒2檢測結果的準確度，確實能達到本發明的目的。
[0040]以上所述者，僅為本發明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施的範圍，即凡依權利要求書及說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利的範圍。
【權利要求】
1.一種檢測方法，適用於量測黏著於膠膜上且已彼此劈裂的數個晶粒，其特徵在於:該檢測方法包含以下步驟: (A)提供一個針對晶粒間距的標準間距範圍，及一個大於該標準間距範圍的臨界間距範圍； (B)量測並記錄所述晶粒彼此間的間距； (C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標準間距範圍及該臨界間距範圍進行比較；及 (D)依比較結果判斷是否對所述晶粒進行檢測； 其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
2.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於:所述檢測方法還包含一個實施於該步驟(B)後的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據該步驟(B)所測得的晶粒彼此間的間距關係繪製出一個對應圖面。
3.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於:所述檢測方法還包含一個實施於該步驟(D)後的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對間距超過該臨界間距範圍的晶粒省略檢測。
4.根據權利要求1所述的檢測方法，其特徵在於:所述檢測方法還包含一個實施於該步驟(D)後的步驟(G)，在該步驟(G)中，對間距未超出該臨界間距範圍的晶粒進行檢測。
5.根據權利要求4所述的檢測方法，其特徵在於:所述檢測方法還包含一個實施於該步驟(G)後的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對間距超過該標準間距範圍的晶粒的檢測結果進行換算補正。
6.根據權利要求5所述的檢測方法，其特徵在於:該步驟(G)所進行的檢測為光性檢測。
【文檔編號】H01L21/66GK103681394SQ201210352665
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月20日 優先權日:2012年9月20日
【發明者】賴允晉, 徐秋田, 謝宜昇 申請人:惠特科技股份有限公司