一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法
2023-04-23 14:33:56 1
一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法
【專利摘要】本發明提供了一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法，當DRAM處於非繁忙狀態，運行在溫度敏感模式下，非易失性存儲器中的存儲單元替代當前溫度範圍內中檢測到的最差存儲單元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一時刻檢測到當前溫度變化到另一溫度範圍，那麼更新最差存儲單元信息，更新刷新周期；如果DRAM運行在溫度不敏感模式，非易失性存儲器中的存儲單元替代檢測到的最差存儲單元，重新配置DRAM的刷新周期；如果在某一時刻DRAM運行溫度超過規定值時，DRAM會由低功耗刷新模式切換回常規刷新模式。本發明的技術方案實現了刷新周期的提高，節省了刷新功耗，並且基本不影響原DRAM的存儲與讀取性能。
【專利說明】一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於計算機硬體領域，涉及一種內存條刷新方法，尤其涉及一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法。
【背景技術】
[0002]在過去幾十年，動態隨機訪問存儲器(DRAM)成本隨著摩爾定律不斷降低。但隨著特徵尺寸越來越小，晶片對功耗的要求越來越高，由於DRAM存儲電容漏電因此每隔一段時間就必須刷新一次，隨著DRAM容量越來越大，刷新功耗也越來越大，如圖1所示。刷新操作不僅耗電，而且由於幹涉到存儲器存取因此DRAM性能也會下降。目前DRAM刷新頻率是由最差存儲單元(tail bit)所決定的,例如64ms,存儲單元保持時間分布如圖2所示，圖中可以看出絕大數單元的保持數據的能力是遠比刷新周期要長的。並且隨著溫度升高，刷新頻率也會上升。因此如何降低刷新功耗、降低刷新頻率是提高DRAM性能亟需解決的問題。
[0003]目前DRAM有兩種基本的刷新方式,集中式刷新(burst refresh)和分布式刷新(distributed refresh)。集中式刷新方式中將刷新周期分成兩部分:在一個時間段內，刷新存儲器所有行，此時CPU停止訪問內存；另一個時間段內，CPU可以訪問內存，刷新電路不工作。這種刷新模式存在讀寫死區時間，適用於高速存儲器。分布式刷新電路是CPU與刷新電路交替訪問內存，在一個刷新周期內，所有的行都被刷新一次，且同一行被刷新的時間間隔等於存儲晶片的刷新周期，兩種刷新方式如圖3所示。例如對一個4K行的DRAM存儲器陣列來說，刷新周期為64ms，一個刷新周期內有4096個刷新次數，對每一行刷新需要的時間為130ns。對集中式刷新方式來說，需要對4096行集中刷新，時間為:`[0004]4096 X 130ns=532480ns ^ 0.532ms ；
[0005]64ms_0.532ms=63.468ms ；
[0006]也就是說在一個刷新周期內，有0.532ms的時間耗費在刷新上，此時CPU無法訪問DRAM,剩餘63.468ms提供給CPU對DRAM進行讀或者寫操作。對分布式刷新方式來說，64ms分配到每一行是:
[0007]64ms-1-4096=15.6us ；
[0008]15.6us_0.13us=15.47us ；
[0009]也就是說在一個刷新周期內，DRAM中的每一行有0.13us耗費在刷新上，剩餘15.47us可供CPU對該行進行讀寫操作。
[0010]自動溫度補償自刷新技術(AutoTemperature Compensated Self Refresh)是一種低功耗的DRAM刷新技術。當溫度升高，刷新頻率必須提高以免數據丟失，刷新功耗也隨之上升；相反，當溫度降低，數據保持能力也會上升，刷新頻率可隨之降低，如圖4所示。其實現結構圖如圖5所示。自動溫度補償自刷新模塊利用一個內建溫度傳感器去感應周圍溫度，然後自動調整刷新間隔，從而顯著降低功耗。傳統的溫度補償自刷新模塊可以從外部來改變溫度寄存器的值從而調整刷新頻率。這種技術雖然能夠降低刷新頻率，但是在一定的溫度範圍內，所設定的刷新頻率是固定的，並沒有考慮到最差存儲單元的分布。而且隨著技術發展DRAM離CPU越來越近，溫度也會越來越高，這種降低功耗的方法也越來越局限。
[0011]一種基於數據保持時間的DRAM智能刷新技術是將DRAM行根據保持時間的不同分成不同的組，對每一個組以不同的刷新頻率進行刷新。那些包含最差存儲單元的組以正常刷新頻率刷新，而絕大部分的行刷新頻率大大降低，無需對DRAM陣列進行修正，只需對DRAM控制器進行最小限度的修正。資料顯示在32GB DRAM的八核系統中，刷新頻率能夠降低74.6%，平均DRAM功耗可降低16.1%。雖然這種方法考慮了最差存儲單元，但是不論DRAM是否繁忙，包含最差存儲單元的行仍需要以正常刷新頻率進行刷新。
[0012]近來，一些新型的DRAM結構或者存儲材料被提出來以解決當前DRAM技術的缺陷。IBM公司主張用非易失性存儲器相變存儲器(PCM)與DRAM結合形成一種混合存儲器。其結構如圖6所示。DRAM只作為高速緩存器，緩存最近使用的信息，只有在需要時才將數據存儲到PCM中。由於DRAM只是作為緩存，容量不需要很大，PCM作為主存儲介質在存儲數據時無需定時刷新，因此這種結構能夠大大降低數據存儲的功耗，但是由於PCM存儲與存取速度較慢，因此這種結構在整體性能上明顯下降。另一種混合存儲結構如圖7所示，其中5為非易失性存儲器，7為邏輯檢測模塊。利用非易失性存儲器5中的存儲單元替代原DRAM主存儲器2中位於尾端分布區的存儲單元，從而可以大大提高刷新周期，降低刷新頻率，極大地降低了原DRAM刷新功耗。
【發明內容】
[0013]有鑑於此，本發明基於混合存儲器結構，在考慮最差存儲單元的前提下實現刷新頻率的降低，節省刷新功耗，並且基本不影響原DRAM的存取性能。
[0014]為達到上述目的，具體技術方案如下:
[0015]一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法，所述混合存儲器結構包括DRAM、非易失性存儲器和邏輯檢測模塊，以及可在所述混合存儲器上配置的溫度傳感器，包括以下步驟:
[0016]步驟I，檢測所述DRAM內部最差存儲單元信息，並將最差存儲單元信息存儲在所述非易失性存儲器中；
[0017]步驟2，如果所述DRAM處於繁忙狀態，所述DRAM以常規刷新模式工作，此時所述DRAM的刷新周期為常規刷新周期；
[0018]步驟3，如果所述DRAM處於非繁忙狀態，那麼所述DRAM進入低功耗刷新模式，所述低功耗刷新模式包括溫度敏感模式和溫度不敏感模式，如果選擇溫度敏感模式，那麼進入步驟4，如果選擇溫度不敏感模式，則進入步驟5 ；
[0019]步驟4，如果所述DRAM運行在溫度敏感模式下，所述非易失性存儲器中的存儲單元替代當前溫度範圍內在步驟I中檢測到的最差存儲單元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一時刻檢測到當前溫度變化到另一溫度範圍，那麼更新最差存儲單元信息，更新刷新周期；
[0020]步驟5，如果所述DRAM運行在溫度不敏感模式，所述非易失性存儲器中的存儲單元替代在步驟I中檢測到的最差存儲單元，重新配置所述DRAM的刷新周期；如果在某一時刻所述DRAM運行溫度超過規定值時，所述DRAM會由低功耗刷新模式切換回常規刷新模式。
[0021]優選的，還包括步驟6:當檢測在低功耗刷新模式下運行的所述DRAM處於繁忙狀態，那麼將所述非易失性存儲單元中的數據寫回至所述DRAM中，所述DRAM切換至常規刷新模式。
[0022]優選的，所述步驟I中的最差存儲單元信息包括基於溫度變化的最差存儲單元信息或不基於溫度變化的最差存儲單元信息。
[0023]優選的，當對所述DRAM存取功耗接近或小於所述DRAM自身刷新功耗，那麼所述DRAM處於非繁忙狀態。
[0024]優選的，步驟2中所述溫度感應器感應所述DRAM當前工作溫度，所述DRAM以最短刷新周期T_refresh_spec周期刷新,並檢測所述DRAM是否處於繁忙狀態。
[0025]優選的，所述步驟I中的檢測方法包括:
[0026]步驟1.1，所述DRAM在初始測試溫度Temp下第一次進行刷新檢測，刷新周期為T_refresh_spec,所述刷新周期為最短刷新周期；
[0027]步驟1.2,記錄檢測在當前刷新周期T_refresh下的最差存儲單元信息；
[0028]步驟1.3，對可工作在溫度敏感模式下的DRAM，需要檢測在不同溫度下的最差存儲單元信息；先判斷當前測試溫度是否達到檢測上限溫度Tempjnax，未達到則在當前檢測後將當前溫度提高AT，將此新的測試溫度覆蓋成Temp，再返回步驟1.1重新檢測；否則，將此測試溫度設置回第一次初始測試溫度Temp，再進行步驟1.4 ;若所述DRAM僅工作在溫度不敏感模式下，那麼直接進入步驟1.4 ；
[0029]步驟1.4，判斷當前測試刷新周期是否達到上限檢測刷新周期T_refreSh_max，若達到，則停止檢測進入步驟1.5 ;若未達到，通過延遲時間提高At來提高刷新周期，將此時新刷新周期覆蓋成T_refresh_spec,再返回步驟1.1 ；
[0030]步驟1.5，分析檢測結果，並將最優方案結果保存至非易失性存儲器中。
[0031]優選的，所述步驟1.5中，對於可工作在溫度敏感模式下的所述DRAM，需要記錄在不同溫度範圍下的最優方案；對於僅工作在溫度不敏感模式下的所述DRAM，只需要記錄在當前溫度範圍內的最優方案。
[0032]優選的，所述步驟1.1中的刷新檢測為分布式刷新檢測或者集中式刷新檢測。
[0033]優選的，所述步驟1.2中的最差存儲單元信息即在當前溫度範圍內，數據保持時間小於當前所述DRAM刷新周期的所述DRAM存儲單元的物理地址信息。
[0034]相對於現有技術，本發明的技術方案的優點有:
[0035]本發明的技術方案在考慮最差存儲單元的前提下實現刷新頻率的降低，節省刷新功耗，並且基本不影響原DRAM的存取性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036]構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0037]圖1是刷新功耗隨DRAM容量變化示意圖；
[0038]圖2是DRAM中存儲單元保持能力分布圖；
[0039]圖3是DRAM中兩種刷新模式時序示意圖；
[0040]圖4是DRAM中存儲單元保持能力隨溫度變化示意圖；
[0041]圖5是自動溫度補償自刷新技術的結構示意圖；[0042]圖6是IBM混合DRAM結構示意圖；
[0043]圖7是基於最差存儲單元的混合DRAM結構示意圖；
[0044]圖8是本發明實施例混合DRAM低功耗刷新的實現方法流程示意圖；
[0045]圖9是本發明實施例檢測DRAM中最差存儲單兀/[目息流程不意圖；
[0046]圖10是本發明實施例DRAM塊陣列示意圖；
[0047]圖11是本發明實施例分布式檢測最差存儲單元時序圖；
[0048]圖12是本發明實施例DRAM塊陣列分成m個子單元示意圖；
[0049]圖13是本發明實例I時序圖；
[0050]圖14是本發明實施例集中式檢測最差存儲單元時序圖；
[0051]圖15是本發明實例2時序圖；
[0052]圖16是本發明最差存儲單元地址示例圖；
[0053]圖17是本發明實施例最差存儲單元數隨溫度變化示意圖；
[0054]圖18是本發明實施例最差存儲單元數隨刷新周期提高變化示意圖；
[0055]圖19是本發明實施例DRAM結構分塊和分層結構示意圖；
[0056]圖20是本發明實施例作業系統改善混合DRAM性能示例圖。
【具體實施方式】
[0057]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0058]需要說明的是，在不衝突的情況下，本發明中的實施例及實施例中的特徵可以相
互組合。
[0059]以下將結合附圖對本發明的實施例做具體闡釋。
[0060]在DRAM繁忙時，DRAM主要功耗為存取功耗，而DRAM非繁忙時，DRAM主要功耗為刷新功耗。本發明的實施例基於最差存儲單元為基礎的，結構如圖7所示，其中2為DRAM存儲陣列，5為非易失性存儲器，7為邏輯檢測模塊，8為溫度傳感器，其可以是混合DRAM晶片內置的，也可以是系統中的。若溫度檢測器是DRAM外部系統中的，一旦溫度範圍發生變化，那麼外部系統需發送指令至DRAM晶片以便進行調整；若是存在於該DRAM內部，那麼無需外部系統發送指令DRAM可自動進行調整。
[0061]本發明實施例的實現方法流程如圖8所示:
[0062]步驟1，混合DRAM晶片首先檢測內部最差存儲單元信息，檢測包括基於溫度變化的最差存儲單元信息或不基於溫度變化的最差存儲單元信息，並將最差存儲單元信息存儲在非易失性存儲器5中。
[0063]步驟2，在DRAM正常運行時，邏輯檢測模塊檢測DRAM運行狀態，如果工作在繁忙狀態，此時對DRAM的刷新功耗非主要功耗，此時DRAM以常規刷新模式工作。
[0064]步驟3，如果需工作在非繁忙狀態，那麼DRAM將進入低功耗刷新模式，如果是「溫度敏感模式」，那麼進入步驟4，如果是「溫度不敏感模式」，則進入步驟5。
[0065]步驟4，如果DRAM運行在溫度敏感模式下，用非易失性存儲器中的存儲單元替代當前溫度範圍內在步驟I中檢測到的最差存儲單元，配置DRAM新的刷新周期，DRAM以新的刷新周期運行在低功耗刷新模式下。如果在某一時刻檢測到當前溫度變化到另一溫度範圍，那麼更新最差存儲單元信息，更新刷新周期。如果在某一時刻檢測到DRAM工作狀態轉換為繁忙，那麼進入步驟6。
[0066]步驟5，如果DRAM運行在溫度不敏感模式，同樣用非易失性存儲器中的存儲單元替代在步驟I中檢測到的最差存儲單元，配置DRAM新的刷新周期。如果在某一時刻DRAM運行溫度超過規定值時(比如85°C)，DRAM會由低功耗刷新模式切換回常規刷新模式，進入步驟6。
[0067]步驟6，在低功耗刷新模式下運行的DRAM不論以溫度敏感模式或者溫度不敏感模式運行，一旦檢測到運行狀態為繁忙，那麼會立即將非易失性存儲單元中的數據寫回至DRAM中的指定單元，配置DRAM回到常規刷新周期，然後切換至常規刷新模式。
[0068]本發明的實施例根據運行狀態在低功耗刷新模式和常規刷新模式下進行切換。
[0069]首先本發明實施例的步驟I是要檢測DRAM中最差存儲單元的位置以及數據保持時間。
[0070]本發明實施例的DRAM刷新檢測方法如圖9所示:
[0071]步驟1.1:DRAM在初始測試溫度Temp下第一次進行刷新檢測，刷新周期為T_refresh_spec,該刷新周期應等於DRAM數據手冊上規定的最短刷新周期,例如64ms,方式可以是分布式刷新檢測或者集中式刷新檢測。
[0072]步驟1.2:記錄檢測在當前刷新周期T_refresh下的最差存儲單元信息。
[0073]步驟1.3:對可工作在溫度敏感模式下的DRAM，需要檢測在不同溫度下的最差存儲單元信息。先判斷當前測試溫度是否達到檢測上限溫度Tempjnax，未達到則在當前檢測後將當前溫度提高AT，將此新的測試溫度覆蓋成Temp，再返回步驟1.1重新檢測；否則，將此測試溫度設置回第一次初始測試溫度Temp，再進行步驟1.4 ;若DRAM僅工作在溫度不敏感模式下，那麼直接進入步驟1.4。
[0074]步驟1.4:判斷當前測試刷新周期是否達到上限檢測刷新周期T_refreSh_maX，若達到，則停止檢測進入步驟1.5;若未達到，通過延遲時間提高At來提高刷新周期，將此時新刷新周期覆蓋成T_refresh_spec,再返回步驟1.1。
[0075]步驟1.5:分析檢測結果，並將最優方案結果保存至非易失性存儲器5中。對於可工作在溫度敏感模式下的DRAM來說，需要記錄在不同溫度範圍下的最優方案；對於僅工作在溫度不敏感模式下的DRAM來說，只需要記錄在當前溫度範圍內的最優方案。
[0076]對於步驟1.1，假設一個DRAM塊陣列如圖10所示，字線有η行，位線有I列。每個字線與位線交點即為一個基本的存儲單元，總共就有ηΧ I個存儲單元。在一定溫度下，為了能夠得到每個存儲單元的數據保持能力信息，需要先向每個存儲單元中寫入數據，寫入的數據可以是全O或者全I，亦或者55 (101101)序列，亦或者AA (10101010)序列等。寫入數據緊接著過一段時間後就是讀數據，如果讀出數據與寫入數據一致，那麼表明該存儲單元的數據保持時間至少等於(亦或大於)所述這段時間。寫入數據或者存取數據方法有兩種，即分布式和集中式。
[0077]分布式刷新的時序圖如圖11所示，若k為所述DRAM數據輸入輸出埠數，即DRAM輸入輸出數據位寬，也就是一次訪問DRAM的最大數據位寬，如圖7所示。對k個存儲單元來說，寫操作需要的時間為寫脈衝時間t_write_dis和延遲t_delayl_dis,讀操作需要的時間為讀脈衝時間t_read_dis和延遲t_delay2_dis,其中t_write_dis大於等於DRAM所允許的一個基本單元k個數據的最短寫入時間，t_read_dis大於等於DRAM所允許的一個基本單元k個數據的最短輸出時間。在一個刷新周期下對所有單元進行寫操作後緊接對所有的存儲單元進行讀操作，檢測在該刷新周期下數據是否保存完好。一個寫脈衝或者讀脈
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衝可以寫或者讀k個存儲單元，那麼對ηΧ I個存儲單元來說需要讀或者寫
【權利要求】
1.一種混合存儲器結構的低功耗刷新方法，所述混合存儲器結構包括DRAM、非易失性存儲器和邏輯檢測模塊，以及可在所述混合存儲器上配置的溫度傳感器，其特徵在於，包括以下步驟: 步驟1，檢測所述DRAM內部最差存儲單元信息，並將最差存儲單元信息存儲在所述非易失性存儲器中； 步驟2，如果所述DRAM處於繁忙狀態，所述DRAM以常規刷新模式工作，此時所述DRAM的刷新周期為常規刷新周期； 步驟3，如果所述DRAM處於非繁忙狀態，那麼所述DRAM進入低功耗刷新模式，所述低功耗刷新模式包括溫度敏感模式和溫度不敏感模式，如果選擇溫度敏感模式，那麼進入步驟4，如果選擇溫度不敏感模式，則進入步驟5 ； 步驟4，如果所述DRAM運行在溫度敏感模式下，所述非易失性存儲器中的存儲單元替代當前溫度範圍內在步驟I中檢測到的最差存儲單元，重新配置所述DRAM刷新周期；如果在某一時刻檢測到當前溫度變化到另一溫度範圍，那麼更新最差存儲單元信息，更新刷新周期； 步驟5，如果所述DRAM運行在溫度不敏感模式，所述非易失性存儲器中的存儲單元替代在步驟I中檢測到的最差存儲單元，重新配置所述DRAM的刷新周期；如果在某一時刻所述DRAM運行溫度超過規定值時，所述DRAM會由低功耗刷新模式切換回常規刷新模式。
2.如權利要求1所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，還包括步驟6:當檢測在低功耗刷新模式下運行的所述DRAM處於繁忙狀態，那麼將所述非易失性存儲單元中的數據寫回至所述DRAM中，所述DRAM切換至常規刷新模式。
3.如權利要求2所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟I中的最差存儲單元信息包括基於溫度變化的最差存儲單元信息或不基於溫度變化的最差存儲單元信息。
4.如權利要求3所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，當對所述DRAM存取功耗接近或小於所述DRAM自身刷新功耗，那麼所述DRAM處於非繁忙狀態。
5.如權利要求4所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，步驟2中所述溫度感應器感應所述DRAM當前工作溫度，所述DRAM以最短刷新周期T_refresh_spec周期刷新，並檢測所述DRAM是否處於繁忙狀態。
6.如權利要求1所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟I中的檢測方法包括: 步驟1.1，所述DRAM在初始測試溫度Temp下第一次進行刷新檢測，刷新周期為T_refresh_spec,所述刷新周期為最短刷新周期； 步驟1.2,記錄檢測在當前刷新周期T_refresh下的最差存儲單元信息；步驟1.3,對可工作在溫度敏感模式下的DRAM，需要檢測在不同溫度下的最差存儲單元信息；先判斷當前測試溫度是否達到檢測上限溫度Tempjnax，未達到則在當前檢測後將當前溫度提高Λ Τ，將此新的測試溫度覆蓋成Temp，再返回步驟1.1重新檢測；否則，將此測試溫度設置回第一次初始測試溫度Temp，再進行步驟1.4 ;若所述DRAM僅工作在溫度不敏感模式下，那麼直接進入步驟1.4; 步驟1.4，判斷當前測試刷新周期是否達到上限檢測刷新周若達到，則停止檢測進入步驟1.5 ;若未達到，通過延遲時間提高At來提高刷新周期，將此時新刷新周期覆蓋成T_refresh_spec,再返回步驟1.1 ； 步驟1.5，分析檢測結果，並將最優方案結果保存至非易失性存儲器中。
7.如權利要求6所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟1.5中，對於可工作在溫度敏感模式下的所述DRAM，需要記錄在不同溫度範圍下的最優方案；對於僅工作在溫度不敏感模式下的所述DRAM，只需要記錄在當前溫度範圍內的最優方案。
8.如權利要求7所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟1.1中的刷新檢測為分布式刷新檢測或者集中式刷新檢測。
9.如權利要求8所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟1.2中的最差存儲單元信息即在當前溫度範圍內，數據保持時間小於當前所述DRAM刷新周期的所述DRAM存儲單元的物理地址信息。
10.如權利要求1所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述溫度敏感模式下，對所述最差存儲單元的檢測在DRAM晶片測試時進行。
11.如權利要求1所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述溫度不敏感模式下，對DRAM中最差存儲單元的檢測在DRAM晶片測試時進行；或在系統上電或下電定期進行，以在DRAM被長時間讀寫操作後數據保持性能下降時可通過重新檢測來更新最差存儲單元信息。
12.如權利要求9所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，所述步驟1.2中的最差存儲單元信息是一個單個的最差存儲單元所對應地址，包括字線地址，位線地址；或是該最差存儲單元所在行所在地址，即字線地址；或是在一定時間間隔內需要被刷新的行數，即刷新組的地址。
13.如權利要求12所述的混合存儲器結構的低功耗刷新方法，其特徵在於，還包括在進入低功耗刷新模式之前將檢測到的最差存儲單元信息告知作業系統，作業系統重新映射查找表(LUT)，將含有最差存儲單元的第一刷新組上的內容存至其他不含有最差存儲單元的第二刷新組地址上，並將第一刷新組失效。
【文檔編號】G11C11/406GK103811048SQ201410067838
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月26日 優先權日:2014年2月26日
【發明者】景蔚亮, 陳邦明 申請人:上海新儲集成電路有限公司