製備ar膜的生產線的製作方法

2023-05-11 03:06:51

專利名稱：：製備ar膜的生產線的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種柱狀磁控濺射陰極製備AR膜^用生產線。技術背景目前為止磁控濺射法是一種可以做到大面積均勻沉積高質量膜層的方法。而且也是最容易推廣和工業化的一種方法。因此，這種方法在製備高檔次、高質量的減反射(AR〗膜產品上也應用相當廣泛，而且在此基礎上對產品的產能和質量以及工藝的可調性方面提出了更高的要求。鑑於此，國內也出現了很多專門製備減反射(AR)膜玻璃的磁控濺射連續鍍膜生產線。早期的生產線採用了臥式結構，通常的方式是鍍膜基片在上方，磁控濺射耙在鍍膜基片的下方進行向上濺射沉積從而避免真空室內的靶灰及粉塵對膜層的影響。對於平板顯示用減反射(AR)膜，現在釆用的生產線形式多為直線立式結構。目前市場上鍍膜的尺寸規格繁多，相同尺寸的顯示器由於邊框不一致使得(AR〕玻璃的尺寸出現差異。所以應該要求儘量滿足大尺寸減反射(AR〕膜玻璃製備的要求。目前，大多數的廠商需要雙面減反射(AR)膜玻璃，對生產效率以及工藝穩定性等方面提出了更高的要求。傳統的生產線結構就暴露出相應的弱點①、由於完成一次工藝路線只能進行玻璃基片的單面鍍膜，基片架返回軌道在真空箱體外會造成基片架和玻璃基片的汙染，影響到第二面的鍍膜質量；②、進出片室分隔在生產線的兩端，增加整條生產線的佔地面積和淨化車間面積造成成本的提升；③、現在生產線多用平面磁控濺射源，靶材的利用率低，減少生產線可連續運行時間，另外平面靶『噴灰j現象較嚴重，影響了膜層沉積質量；④、這種生產線由於兩端都有真空過渡室和進(出〕片室，造成生產線長度和相應配套真空泵組的增加使得成本進一步的提升；⑤、生產線上沒有配備相應的膜層質量在線檢測儀器，使得產品的質量缺陷得不到及時的反饋和糾正，造成良品率的降低。為了獲得合格的減反射(AR)膜玻璃，除了嚴格按薄膜光學基本原理預先設計鍍膜性能(膜層材料、膜層排列方式、膜層數量、膜層厚度等)夕卜，應該認識到即使同一材料在不同的成膜工藝參數條件下沉積，膜層材料的折射率等參數會出現波動。另外，在多層膜沉積過程中由於相鄰兩膜層之間界面並不是理想的幾何界面，而是存在一界面層，其折射率可能會出現較大的變化，哪個膜層越薄，這種界面對其產生的影響可能越大。因此控制膜層的均勻性，保持穩定的膜間界面是至關重要的。這就對鍍膜設備提出了更高的要求，需要對鍍膜線的結構及濺射源等部件進行更為合理的設計。
發明內容本發明的目的是提供一種新型柱狀磁控濺射陰極製備AR膜專用生產線，通過對生產線的優化設計，克服了現有生產線存在的不足。實現本發明的技術方案是這種生產線包括磁控濺射製備AR膜生產線，其中所述生產線包括有上片、卸片百級淨化間，進出片真空室、過渡真空室、高真空室、鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室和設置在真空室內的基片架進、出片傳送裝置，傳送裝置上設有基片架，基片架上固定有基片，其中在進出片真空室設置有進片旋轉門閥和出片旋轉門閥，在進出片真空室與過渡真空室之間、高真空室與鍍膜室之間分別設置有高真空插板門閥，在各真空室的法蘭上分別開有窄型法蘭口；在所有鍍膜真空室的進片傳送裝置與出片傳送裝置之間設置帶抽氣口的防濺射隔板；在鍍膜真空室上設置有兩套柱狀磁控濺射源(根據具體的工藝和產品需求可以增減柱狀磁控濺射源的數量〕；高真空室內設置有低溫氣體吸附冷板；在折返前過渡真空室設置有膜層質量在線檢測儀器；進出片真空室和折返真空室分別連接有初抽真空泵組；髙真空室、鍍膜真空室、過渡真空室、折返真空室分別配置有分子泵。該技術方案還包括所述濺射源包括中頻柱狀旋轉磁控濺射源。所述折返前過渡真空室設置有鍍膜膜層質量在線檢測儀器。所述鍍膜真空室的兩側分別設置有濺射源(或分子泵)。所述鍍膜真空室內帶抽氣口的防濺射隔板上設有冷卻水管。所述折返真空室的基片架從進片傳送裝置平移或迴轉到出片傳送裝置。所述迸出片真空室與過渡真空室間的高真空插板門閥開啟—真空度設置為低於10Pa。所述高真空室在鍍膜前的背景真空度為低於10—4Pa。所述鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室在鍍膜前的背景真空度為低於3X10—3Pa。所述鍍膜真空室可以根據產品和工藝要求增減。本發明具有的有益效果①、減少淨化室和過渡真空室，取消鍍膜真空室之間的間隔真空室從而減小生產線佔地面積，降低生產線製造成本。②、真空室外沒有基片架回架軌道，基片架在真空室內返避免基片架和基片在返回過程中被汙染；進出片傳送裝置相互獨立運行、單獨控制。③、採用柱狀磁控濺射源大大提高靶材利用率和改善沉積質量。、進出片共用淨化間、共用進出片真空室和過渡真空室使得結構更為緊湊合理，成本相應得到進一步降低。◎、生產線上配備相應的膜層質量在線檢測儀器，使得產品的質量缺陷得不到及時的反饋和糾正，產品的質量得到進一步保證。圖l一圖5是典型減反射膜玻璃膜層結構示意圖。圖6是本發明的新型柱狀磁控濺射源製備AR膜專用生產線示意圖。圖7是圖6的單真空室雙工作點結構雙面製備AR膜迴轉生產線示意圖。圖8是傳統立式直線製備AR膜生產線結構示意圖。圖9是圖8的俯視圖。圖10是新型柱狀磁控濺射源正面視圖。圖11是本發明鍍膜真空室4箱體濺射源及分子泵布置示意圖。圖12是圖7方案鍍膜真空室及防濺射隔板立體示意圖。圖13是鍍膜真空室4及帶抽氣口的防濺射隔板立體示意圖。圖14是高真空室內低溫氣體吸附冷板示意圖。圖15是低溫氣體吸附冷板A—A剖視圖。圖16是鍍膜室帶抽氣口的防濺射隔板冷卻方式示意圖。圖17是防濺射隔板B—B剖視圖。圖18是基片架傳動方式示意圖。圖19是圖18的磁導向局部放大圖。圖20是平面磁控濺射源刻蝕軌道示意圖。圖21是圖20的C"C剖面圖。圖中各編號內容說明tableseeoriginaldocumentpage7tableseeoriginaldocumentpage8tableseeoriginaldocumentpage9188傳動裝置摩擦輪191真空室頂板192磁導向側部磁鋼安裝槽193右側磁鋼194左側磁鋼195中部磁鋼201平面磁控源濺射靶材202平面磁控源耙材刻蝕軌跡212平面磁控濺射源銅背板r213平面磁控濺射源靶材刻蝕溝道具體實施方式:下面結合附圖對本發明做進一步說明，如圖所示本發明結構針對減反射(AR)膜玻璃產品的特殊要求和工藝特點，加以靈活的設計和改進。靈活運用折返真空室的回架功能，並注重工藝過程中膜層的精確控制。從濺射源結構和反應氣體精確控制等方面來保證減反射(AR〕膜的膜層質量以及產能的提高。整套設備採用了模塊化的設計思想使得結構新穎、緊湊、安裝和維護便捷。現在將其實現的方案加以簡要說明(參閱圖6)。~1、新型結構各部分功能和配置說明(參閱圖6〕□進出片真空室1起進出片功能，配有進片旋轉門閥31和出片旋轉門閥36。由於該真空室經常需要破空實現基片架進出真空室功能。所以該真空室配備大抽速的初抽真空泵組05，另外要求這個真空室內部空間儘量小以減少抽氣空間達到快速抽氣的目的。此外，該真空室配有放氣裝置Ol,用以在開啟進、出片旋轉門閥31和36前平衡外部大氣壓力實現旋轉門閥的順利開啟。我們為了儘量減少氣體的衝擊造成粉塵汙染，放氣裝置01應實現慢放氣功能。□過渡真空室2起氣氛緩衝功能，由於進出片真空室1的真空度要求不高，與後面高真空室2及各鍍膜真空室的真空度有較大的差距，所以需要該真空室進行高低真空環境的過渡。為了儘量減少進出片真空室1中的氣氛對後續真空室真空環境的影響，在進出片真空室1與過渡室2之間設置高真空插板門閥32和35。□高真空室3不但同樣具有氣氛緩衝的作用，同時還具有基片架傳動過程中的高低速轉換功能。由於進出片真空室1和過渡真空室2為非鍍膜功能室，基片架是以高速進行運行，而在後續的鍍膜室由於工藝要求基片架是以低速運行。這樣就需要高真空室3來進行過渡。進一步地，由於該真空室連接後續的鍍膜真空室，所以該真空室的真空度要求較高，因此在該真空內設置低溫氣體吸附冷板010來捕獲空間環境中的水分，這樣就大大改善該真空室和後續鍍膜室的真空環境。同樣地，過渡真空室和高真空室之間設置高真空插板門閥33和34。□一號Ti02鍍膜真空室4作為玻璃A面的第一層Ti02沉積功能室。該真空室配置兩套新型的中頻柱狀磁控濺射陰極(可根據具體產品和工藝要求進行濺射源數量的調整)，以提高耙材的利用率和減少由於耙材刻穿而帶來的破空停產。從而很大程度上提高了本新型結構的產能，也很大程度上降低了產品的成本。另外，柱狀磁控濺射源較普通的平面磁控濺射源能更容易的保證膜層的質量。由於Ti02的沉積採用的是反應濺射，我們知道Ti02在過渡態和過氧態下其沉積速率相差很大，而這兩種狀態的轉變與通入的氧氣流量密切相關。有效精確的控制氧氣流量是至關重要的。根據膜系的設計所.需Ti02可能會很薄，通常要在l20nm的範圍內控制沉積厚度。另外，對摺射率精確度的控制要求必須對膜層的沉積速率進行控制，因為沉積速率不同會導致作為高折射率材料在(AR)膜中的Ti02膜層呈現不同的晶相，無法達到預期的折射率。然而，由於Ti的金屬性較強，Ti02的滯回曲線與典型滯回曲線不同，鈦靶的氧化態和金屬態耙面電壓差很小，過渡區不是簡單的平行四邊形，在過渡區還有電壓峰，因此很難確定它的過渡區，這就使得傳統的以靶面電壓為反饋信號的靶面電壓控制迴路很難發揮作用，我們就釆取控制精度更高、響應速度更快、控制可靠的PlasmaEmissionsMonitorPEM05系統來對濺射系統進行有效的控制。它通過金屬Ti的特徵光譜強弱的變化作為反饋的信號來控制氧氣的流量。這在反應濺射領域是很先進的控制技術。□一號Si02鍍膜真空室5作為玻璃A面的第一層Si02沉積功能室。同樣的每個真空室配置兩套新型的中頻柱狀磁控濺射陰極(可根據具體產品和工藝要求進行濺射源數量的調整)，以提高靶材的利用率和減少由於靶材刻穿而帶來的破空停產。同樣使得膜層質量得到提高，成本得到有效控制。同樣的，Si02膜層的沉積也採用的是反應濺射，在過渡態和過氧態下的沉積速率相差也很大，同樣會對氧氣的有效控制提出要求。但由於si的金屬性不強，其滯p曲線的過渡區是簡單的平行四邊形，金屬態與過氧態的電壓差較大，'因此可以通過靶面電壓作為反饋信號來控制氧氣的流量。我們採用的控制系統為PCU04。□二號Ti02鍍膜真空室6作為玻璃A面的第二層Ti02沉積功能室。其所有的配置與一號Ti02鍍膜真空室4基本相同，只是根據產品和工藝的具體要求，濺射源的數量應進行合理的調整。□二號Si02鍍膜真空室7作為玻璃A面的第二層Si02沉積功能室。其所有的配置與一號Si02鍍膜真空室5基本相同。只是根據產品和工藝的具體要求，濺射源的數量應進行合理的調整。□折返前過渡真空室8作為鍍膜段與折返真空室的連接過渡段。具有基片架的緩存功能，保證整個平移過程的順利銜接。特別地，該真空室配置有膜層質量在線監控儀器，進一步保證膜層的質量和工藝條件的快速反饋。□折返真空室9起基片架的平移過渡功能。即將基片架從該真空室中的折返真空室進片傳動裝置19平移過渡到折返真空室出片傳動裝置111,進行後續的基片架的回架功能。它也是本新型結構整體功能得以實現的重要環節。□上片、卸片百級淨化車間10中淨化車間平移機構210起基片架外部上下片和平移過渡功能。對於玻璃單面(A面)鍍膜可以將卸完玻璃的基片架從淨化車間出片傳動裝置29平移傳送到淨化車間進片傳動裝置211進行上片工序。對於雙面鍍膜需要將玻璃通過人工或者機械手翻面後繼續進行玻璃B面的鍍膜工藝。2、新型結構配置進一步說明□整個新型結構採用下摩擦上磁導向的傳動方式(參閱圖16和圖17〕。使得整個傳動平穩可靠，進一步保證膜層的均勻性。我們知道在沉積減反射(AR〕膜時可能涉及到很薄的膜層製備，特別是Ti02膜層的沉積，所以在保證濺射源及其氣氛穩定的條件下基片架運行的平穩性顯得至關重要。□系統採用高真空無油真空系統，主泵採用分子泵04。全部安裝在鍍膜線的背面(有濺射源一面稱為正面，它的相對面稱為背面)真空室側壁上，這樣使得真空室內的氣氛均勻，而且泵的安裝顯得整齊規整也便於泵的維護。□所有真空鍍膜室中加防濺射擋板06—09。由於基片完成A面的鍍膜功能進行返回的行程中，已經鍍膜的面同樣面對濺射源，在經過真空鍍膜室時會被工作中的濺射源沉積上膜層破壞了膜層結構，所以增加擋板來實現該功能。值得注意的是，由於泵安裝在背面真空室側壁上，所以增加的防濺射擋板在保證實現阻擋濺射功能的條件下應儘量減少對抽氣的阻擋，以保證有較大的流導。由此在防濺射擋板上留有防濺射隔板上抽氣口113和防濺射隔板上抽氣口114。進一步地，由於防濺射擋板會長期受到濺射源的轟擊作用，會造成能量的積累而出現熱變形，所以在防濺射擋板上就設置有冷卻水不鏽鋼導管。口在非鍍膜真空室沒有布置防濺射擋板。每個真空室分別有兩套獨立控制的傳動裝置分別實現進片傳動功能和出片傳動功能，回架過程可以實現傳動的高速運行。□由於採用了折返真空室，基片架在真空室內部實現回架，所以進出片在同一個真空室進行。這樣較傳統的直線型生產線而言會減少出片端的緩衝真空室810和出片真空室811。這樣就可以少用真空機組和真空泵，很大程度上節約了製造成本。特別地，採用了折返真空室使得卸片用的千級淨化車間812取消，減少了生產線的佔地面積，節約了成本。□由於進出片功能在同一真空室體內實現，所以對運行有了特殊的要求。主要體現在以下的幾個方面①、進片旋轉門閥31與出片旋轉門閥36;l—2號真空室進片插板門閥32與l一2號真空室出片插板門閥35;2—3號真空室進片插板門閥33與2—3號真空室出片插板門閥34同步開啟和關閉。②、迸片旋轉門閥31與出片旋轉門閥36;l一2號真空室進片插板門閥32與l一2號真空室出片插板門閥35;2—3號真空室進片插板門閥33與2—3號真空室出片插板門閥34同步開啟時刻同時進行基片架的進片和出片通過相應門閥。③、如果結構允許可以將進片旋轉門閥31與出片旋轉門閥36;l—2號真空室進片插板門閥32與l一2號真空室出片插板門閥35;2—3號真空室進片插板門閥33與2—3號真空室出片插板門閥34分別用單一的寬開口型門閥來代替；④、由於進出片真空同時具有進片和出片的功能，造成該箱體的內部空間較大，而該真空室的抽氣時間直接關係到生產的節拍，所以該真空室需採用大抽速的初抽泵組05來儘快達到所需的真空度。3、本新型結構鍍膜工藝實現簡述首先對本新型結構的配置作簡要的說明，整套設備採用以分子泵04為主泵的無油真空系統，其分子泵的型號應根據真空室的具體尺寸進行計算來確定；其傳動的形式釆用了下摩擦上磁導向的方式使得傳動平穩可靠；用於製備Ti02膜層和Si02膜層的裝置採用新型的中頻柱狀磁控濺射源;在折返前過渡真空室8上配置有膜層質量在線監控儀器02。下面分兩種鍍膜需求來對工藝路線的實現加以簡述我們將基片的正反面分成A鍍膜面和B鍍膜面，新型結構中一號Ti02鍍膜真空室4和二號Ti02鍍膜真空室6實現基片A鍍膜面的Ti02鍍膜功能，一號Si02鍍膜真空室5和二號SiOa鍍膜真空室7實現A鍍膜面的Si02鍍膜功能。現在將其工藝路線加以簡要的敘述首先裝好玻璃基片186的進片基片架處於淨化車間10進片傳動裝置211上，對進出片真空室1進行充氣到達預設定的壓力(接近大氣壓力〕後開啟進片旋轉門閥31和出片旋轉門閥36，這時進片基片架和返回的出片基片架(將其編為A，圖中未表示)同時分別通過進片旋轉門閥31和出片旋轉門閥36,當進片基片架進入進出片真空室1併到位後關閉進片旋轉門閥31和出片旋轉門閥36,然後通過進出片真空室初抽泵組05對進出片真空室進行抽氣，達到預設定的真空度UOPa)後開啟l一2號真空室進片插板門閥32和l一2號真空室出片插板門閥35，這時該進片基片架和出片基片架(將其編為B，圖中未表示)同時分別通過l一2號真空室進片插板門閥32和l一2號真空室出片插板門閥35，當進片基片架進入過渡真空室2併到位後和出片基片架B進入進出片真空室1併到位後關閉l一2號真空室進片插板門閥32和l一2號真空室出片插板門閥35,這是過渡真空室2靠分子泵04進行抽氣，當該真空室達到預設定的真空度〔0.1Pa〕後開啟2—3號真空室進片插板門閥和2—3號真空室進片插板門閥34,這時進片基片架和出片基片架(將其編為C,圖中未表示〕同時分別通過2—3號真空室進片插板門閥和2—3號真空室進片插板門閥34，當進片基片架進入高真空室3併到位後和出片基片架C進入過渡真空室併到位後關閉2—3號真空室進片插板門閥和2—3號真空室進片插板門閥34。這時進片基片架在高真空室進行運行速度的轉換(由前面真空室中的高速運行轉為後續鍍膜室要求的低速運行)，然後進片基片架分別勻速通過一號Ti02鍍膜真空室4、一號Si02鍍膜真空室5、二號Ti02鍍膜真空室6、二號Ti02鍍膜真空室7分別完成A鍍膜面的第一Ti02膜層、第一Si02膜層、第二Ti02膜層、第二Si02膜層的製備。當完成A鍍膜面的鍍膜工藝後，進片基片架進入折返前過渡真空室8到位以後做短暫的停留(3秒左右)，膜層質量在線監控儀器02對玻璃基片A鍍膜面的膜層質量進行測試(主要是玻璃透過率的測量〕，並更具測量採集的信號膜層質量在線監控儀器02會自動的計算出基片A鍍膜面的各膜層的厚度，然後與我們預先設計的膜系的膜層厚度等參數進行及時的對比，如果出現較大的偏差就可以修正對應濺射源的工作參數(主要包括濺射源濺射功率、濺射電壓、工作電流以及對應的氧氣流量控制器的參數)，來保證產品的質量。隨後，進片基片架進入9號真空室進片傳動裝置19到位後通過折返真空室平移機構110將進片基片架運載到折返真空室出片傳動裝置111,然後分別通過8號真空室出片傳動裝置21、7號真空室出片傳動裝置22、6號真空室出片傳動裝置23、5號真空室出片傳動裝置24、4號真空室出片傳動裝置25，通過高真空室3、過渡真空室2、進行片真空室1的各門閥開啟條件和進片時的情況相同。特別地，從工藝過程看出當進行基片玻璃的單面鍍膜時只需進行一次上述的過程即可完成。當進行基片玻璃的雙面鍍膜時即A鍍膜面和B鍍膜面都需要鍍膜。就可以在完成基片玻璃A鍍膜面的鍍膜完成以後在上片、卸片百級淨化車間進行基片玻璃換面後重複上述的工藝過程進行玻璃基片B面的鍍膜。值得特別指出的是，對於基片玻璃的雙面鍍膜我們同樣希望在真空室內只進行一次循環就完成所需的所有鍍膜工藝。也就是說同樣採用折返真空室9構成另一種迴轉型AR鍍膜生產線(參見圖7結構)。鍍膜箱體做成單室雙工作點的結構(參見圖13結構)，在所有的真空室內增加密封式中間隔板76,將一個真空室做成兩個完全獨立的工作點。這樣就需要在反面增加鍍膜真空點71-74，其所有的配置與正面的工作點相同。該結構就需要在反面的某個工作點上增加膜層質量在線監控儀器來測量最終的產品性能(玻璃基片的透過率)。另外，進、出片真空室是兩個獨立的空間就需要配置兩套初抽泵組70和77。由於我們大多數的廠家提供的AR鍍膜玻璃基片是先鋼化處理並按照所需的尺寸規格進行了切片和倒角。這樣就不允許整個基片表面有任何夾具遮擋造成的非鍍膜區域存在。而且基片通常很薄大約在2mm厚度左右，這樣使得滿足條件的基片夾具很難實現。另外，即使能夠實現玻璃基片夾具的問題，但玻璃的兩個鍍膜面都要求沒有任何的遮擋，就會在鍍膜過程中不能排除濺射源繞射的問題(在工作原理中的基片架及傳動方式的說明中有介紹)。特別地，如果AR生產工藝作適當的調節。也就是說先完成鍍膜後切割成所需尺寸的產品，這樣對夾具的要求就不會很高。完全可以用圖7所述的單室雙工作點結構實現一次性雙面成膜工藝。但是，後切割的方法會對膜層造成損壞，並且切割的細削會造成玻璃的汙染。主要部件工作原理的補充說明1、關於新型中頻柱狀磁控濺射源及控制原理說明由於我們所鍍玻璃的膜層分別是Ti02和Si02，都是通過反應濺射的方法來製備。分別以金屬Ti和晶體Si作為濺射靶材。被濺射出的靶材物質與通入的氧氣在基片附近進行反應生成Ti02和Si02。傳統的磁控濺射製備AR膜生產線大多採用平面磁控濺射源。該種濺射源的一次性耙材利用率在20%左右，不但會增加生產成本而且會造成由於靶材刻穿而停產。另一方面隨著平面磁控濺射源的靶材不斷被濺射刻蝕，刻蝕溝道213會不斷的變窄使得濺射角發生變化影響膜層沉積的均勻性，還會使得濺射過程變得不穩定。本新型結構生產線採用的是中頻柱狀磁控濺射源，在進行濺射的過程中靶材靶筒旋轉，使得被濺射面連續的更換，這樣整個耙材表面都會均等的被刻蝕使得耙材的利用率可提高到60%以上，而且整個的濺射過程變得相當的穩定。另外，對於本新型結構生產線我們要求濺射源有1000mm以上的濺射均勻區，這樣可以滿足大尺寸玻璃基片鍍膜的要求，也可以相應的提高產能。這要求我們的濺射源有足夠刻蝕均勻區長度，我們採用靶材長度為1200mm的中頻柱狀磁控濺射源。對於Ti02我們採用的是PlasmaEmissionsMonitorPEM05系統來控制氧氣的流量。而每個PlasmaEmissionsMonitorPEM05系統的有效監控區域在600mm左右，所以對於我們的濺射源來說就需要2個監控點來實現對兩路氧氣流量的控制。2、關於產品透過率在線檢測裝置說明由於AR膜屬於光學膜產品，所以對膜層的質量以及膜層的厚度的控制要求較高。為了及時地反映鍍膜過程中產品的質量問題，我們在折返前過渡真空室8配備FILMETRICS公司的F20膜層質量在線監控儀器。每次完成鍍膜工藝的產品從二號Si02鍍膜真空室7出來後在折返前過渡真空室8做短暫的停留(大概的時間為3秒左右〕進行鍍膜玻璃基多點透過率的測量。而且通過該裝置可以直接計算出每個膜層的厚度，這樣如果鍍完的產品沒有達到產品的指標，就可以直接分析出具體的哪個膜層與計算和設計的參數不符，就可以及時的對其對應的鍍膜室的裝置進行適當的調節。包括濺射源的功率〔或者電流和濺射電壓)、濺射氣壓、PEM裝置參數重新設定、濺射源耙材轉速等。3、關於基片架及傳動方式的說明基片架185運行的平穩性直接關係到膜層的沉積質量，基片架185在運行的過程中如果出現抖動顛簸或者傾斜會造成膜層沉積不均勾甚至會出現掉片(基片從基片架185上脫落)，另外，在鍍膜的過程中由於基片架185同樣會沉積上膜層(我們稱之為靶灰)，長期使用後會使得基片架上的膜層增厚而且與基片燊185的結合力變差，如果在基片架185運行的過程中出現抖動顛簸會造成靶灰脫落對真空室造成汙染使得膜層質量變差。為了保證基片架185的平穩運行，我們採取先進的下摩擦上磁軌向的傳動方式〔可參閱圖18和圖19)。兩個摩擦輪183、188分別通過兩個傳動軸184、187帶動旋轉。兩個摩擦輪183、188與基片架兩側面緊密接觸以產生足夠大的摩擦力使得基片架185運動；另外，基片架185用鋁合金材料製成保證有較小的重量使得運行的摩擦阻力減小。但是由於我們的基片架較高(1500mm左右〕，在運行的過程中容易出現重心偏移使得基片架傾斜。我們有必要在基片架185的上方增加磁導向裝置(參閱圖19〕來保證基片架185在運行過程中的垂直。它實現原理主要是藉助磁鋼同極相斥異極相吸的性質。主要由三塊磁鋼構成，在基片架185上的磁鐵我們稱之為中部磁鋼195，在磁導向側部磁鋼安裝槽192中的磁鐵我們稱之為側部磁鋼，在磁導向側部磁鋼安裝槽192左邊的為左邊磁鋼194,在磁導向側部磁鋼安裝槽192右邊的為右邊磁鋼193。兩塊側邊磁鋼與中部磁鋼都是同極相對就會產生兩個相反方向的斥力。如果基片架185在運行的過程有左偏的現象就會使得中部磁鋼195與左邊磁鋼距離較少使得由左邊磁鋼194產生的向右的斥力增大將把基片架185扶起向右靠來達到重新的平衡，保證基片架185的垂直狀態。同理，如果基片185架在運行的過程中有右偏的現象會同樣被糾正會垂直位置。在鍍膜的過程中有一種現象叫做繞射。它是指在對鍍膜面進行沉積的過程中，被濺射出來的靶材物質會有部分通過基片側面的縫隙繞射到基片的背面邊側部位(在鍍膜工藝中我們稱之為非鍍膜面)然後沉積。這對產品的質量會造成較為嚴重的破壞。對於AR會使得產品的透過率以及色澤出現偏差。這樣就要求對基片夾具作相應的優化設計。我們將玻璃基片嵌入一定規格尺寸的鋁合金框內，鋁合金框的底面是完全封閉的並且與玻璃基片的背面(非鍍膜面)儘量的靠近或者貼合來避免饒射現象對產品的影響。4、關於鍍膜真空室防濺射隔板和低溫氣體吸附冷板的說明鍍膜真空室防濺射擋板主要作用是避免基片架返回過程中在經過鍍膜室時基片被再次濺射(由於基片架折返室進行的是平移運動，所以在進行返回的過程中鍍膜面同樣面對濺射源〕。它的特點是對鍍膜真空室不形成密封隔離而是分別在其上部和下部設置有防濺射隔板上抽氣口113和防濺射隔板上抽氣口114,鍍膜室中的分子泵通過這兩個抽氣口對鍍膜室中安裝濺射源一側空間進行抽氣；在防濺射隔板的不鏽鋼板172上焊接通冷卻水不鏽鋼管171來對整個板進行冷卻，防止由於長期受濺射源轟擊而出現的熱變形現象。在高真空室中設置的高真空室低溫氣體吸附冷板010的特點是將通冷液銅管153夾緊在低溫氣體吸附板背面銅板151和低溫氣體吸附板前面銅板152之間。這樣做的優點是增加了低溫吸附面的面積，有利於對真空室內水氣的吸附捕獲獲得更好的真空環境。權利要求1.一種製備AR膜的生產線，包括磁控濺射製備AR膜生產線，其中所述生產線包括有上片、卸片百級淨化間，進出片真空室、過渡真空室、高真空室、鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室和設置在真空室內的基片架進、出片傳送裝置，傳送裝置上設有基片架，基片架上固定有基片，其中在進出片真空室設置有進片旋轉門閥和出片旋轉門閥，在進出片真空室與過渡真空室之間、高真空室與鍍膜室之間分別設置有高真空插板門閥，在各真空室的法蘭上分別開有窄型法蘭口；在所有鍍膜真空室的進片傳送裝置與出片傳送裝置之間設置帶抽氣口的防濺射隔板；在鍍膜真空室上設置有兩套柱狀磁控濺射源；高真空室內設置有低溫氣體吸附冷板；在折返前過渡真空室設置有膜層質量在線檢測儀器；進出片真空室和折返真空室分別連接有初抽真空泵組；高真空室、鍍膜真空室、過渡真空室、折返真空室分別配置有分子泵。2.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述濺射源包括中頻柱狀旋轉磁控濺射源。3.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是鍍膜真空室的兩側分別設置有濺射源或分子泵。4.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述與鍍膜真空室連接的高真空室內設置有低溫氣體吸附冷板；所述鍍膜真空室的防濺射隔板上設有冷卻水管。5.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述折返真空室的基片架從進片傳送裝置平移或迴轉到出片傳送裝置。6.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述迸出片真空室與過渡真空室間的高真空插板門閥開啟真空度設置為低於10Pa。7.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述高真空室在鍍膜前的背景真空度為低於10—4Pa;鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室在鍍膜前的背景真空度為低於3X10—3Pa;8.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述鍍膜真空室設置的濺射源數量根據產品和工藝要求可做調整。9.如權利要求1所述的製備AR膜的生產線，其特徵是所述鍍膜真空室可以根據產品和工藝要求增減。全文摘要一種製備AR膜的生產線，設有進出片真空室、過渡真空室、高真空室、鍍膜真空室、折返前過渡真空室、折返真空室和設置在真空室內的基片架進、出片傳送裝置，其中在進出片真空室有進出片旋轉門閥，在進出片真空室與過渡真空室之間、高真空室與鍍膜室之間分別有高真空插板門閥，在各真空室的法蘭上分別開有窄型法蘭口；在所有鍍膜真空室的進片傳送裝置與出片傳送裝置之間有帶抽氣口的防濺射隔板；在鍍膜真空室上有兩套柱狀磁控濺射源；高真空室內有低溫氣體吸附冷板；在折返前過渡真空室有膜層質量在線檢測儀器；進出片真空室和折返真空室分別連接有初抽真空泵組；高真空室、鍍膜真空室、過渡真空室、折返真空室分別配置有分子泵。文檔編號C23C14/54GK101270467SQ200710073630公開日2008年9月24日申請日期2007年3月22日優先權日2007年3月22日發明者徐升東,曹志剛,生許,謝建軍,譚曉華,郭祖華,高文波申請人:深圳豪威真空光電子股份有限公司