電晶體、有機半導體元件及它們的製造方法

2023-05-19 13:46:41 2

專利名稱：：電晶體、有機半導體元件及它們的製造方法
技術領域：
：本發明涉及電晶體、有機半導體元件及它們的製造方法,
背景技術：
該有機半導體元件中，以往通過各種方法形成活性層。例如，已知在作為有機半導體元件代表例的場效電晶體中，活性層通過在絕緣層上蒸鍍粉旋塗、液滴流延或印刷於絕緣層上的方法而形成(非專利文獻l)。另外，還已知在供體基板上形成有機半導體化合物的薄膜，通過施加壓力和熱，將該薄膜轉印於設有源極和漏極的絕緣層上的方法(專利文獻1)。而且，還有報告指出在矽片上形成成為活性層的有機半導體化合物的薄膜，將其印至l-5mm厚的聚二甲基矽氧烷橡膠的印模上，將其粘貼於每個印模絕緣層，從而形成活性層的方法(非專利文獻2)。另外，還已知在形成有機半導體化合物的單晶後，將其粘貼在設有源極和漏極的絕緣層上的方法(非專利文獻3)。專利文獻1:美國專利申請公開第2005/0035374號說明書非專利文獻1:MichaelLChabinyc等,JournaloftheAmericanChemicalSociety,Vol.126，pl3928-pl3929,2004非專利文獻2:VikramC.Sundar等，Science,Vol.303,pl644-pl646,2004非專利文獻3:VikramC.Sundar等，Science,Vol.303，pl644-1646，2004
發明內容在有機半導體元件中，含有有機半導體化合物的活性層的特性對該元件的性能具有很大影響。但是，例如首先在利用上述專利文獻1所述的蒸鍍或溶液塗覆得到活性層的形成方法中，難以形成活性層使得具有所需特性。另外，在上述專利文獻1或非專利文獻2、3所示的轉印或粘貼等方法中，有難以進行良好轉印或粘貼的傾向。例如，在上述電晶體中，為了獲得高的栽流子遷移率，已知優選活性層是取向的。但是，通過塗覆或蒸鍍難以形成這樣取向的活性層。另外，預先取向的活性層以往難以充分轉印或粘貼於絕緣層等。因此，本發明鑑於上述事實而完成，其目的在於提供即便為具有所需特性的活性層，也可以良好地形成在應形成該活性層的面上的電晶體及有機半導體元件的製造方法。本發明的目的在於提供通過這種製造方法獲得的電晶體和有機半導體元件。為了達成上述目的，本發明的電晶體的製造方法為具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置於活性層和柵極之間的絕緣層的電晶體的製造方法，其特徵在於，其包括在活性層和絕緣層之間存在施工液，粘貼活性層和絕緣層的粘貼工序。這種製造方法中，由於在活性層和絕緣層之間存在施工液，因此這些接觸面被施工液濡溼，由此活性層良好地粘貼於絕緣層上。因此，例如即便是取向的活性層，也可以良好地粘貼在絕緣層等任意面上。另外，通過使用施工液，即便活性層中有翹曲時也可以進行良好的粘貼，製造的自由度提高。另外，以往利用轉印或粘貼形成活性層時，為了充分地密合於形成該層的面，必須進行過度的加壓，這會導致活性層的特性降低、電晶體等元件變形或不良的發生。與此相對，本發明中通過使用施工液，即便不加壓也可以良好地粘貼活性層，少有發生過度加壓所引起的上述問題。而且，通過使用施工液，活性層與形成其的面的密合性提r《『司。予以說明，在上述製造方法中，當介由施工液粘貼活性層和絕緣層時，重要的是全部活性層不會從施工液中溶出。這可以通過適當選擇施工液的量、施工液的溶解度容易地控制。作為施工液優選與絕緣層的接觸角為120度以下、更優選為90度以下、進一步優選為60度以下。通過這種施工液，可以更為良好地濡溼絕緣層的表面，結果可以更為良好地進行活性層與絕緣層的粘貼。在粘貼工序中粘貼的活性層優選使用形成在支撐薄膜上的層。即，優選使用在支撐薄膜上形成活性層的積層體，按照活性層面向絕緣層的方式配置，在它們之間存在有上述施工液的狀態下，粘貼活性層和絕緣層。這樣，由於活性層預先被支撐薄膜支撐，因此其處理變得容易，可以更為容易地進行活性層和絕緣層的粘貼。本發明的製造方法中，可以在粘貼工序之後實施除去施工液中揮發成份的除去工序。此時，施工液可以僅包含揮發成份，還可以包含揮發成份和不揮發成份。另外，揮發成份可以全部除去，還可以僅除去一部分。施工液含有不揮發成份時，有該不揮發成份存在於活性層和絕緣層的界面附近、其一部分含有在活性層和/或絕緣層中的情況。另外，在粘貼工序中，還可以進行加熱和/或加壓。通過在粘貼時進行適度的加熱或加壓，可以提高活性層和絕緣層的密合性，可以促進施工液的除去。但是，本發明中，如上所述，由於可以通過存在施工液進行良好的粘貼，因此沒有必要進行多餘的加熱或加壓。另外，從進一步提高密合性、進一步促進施工液除去的觀點出發，粘貼工序可以在減壓條件下進行。而且，本發明的製造方法中，活性層優選已經取向。本發明中，由於使用施工液，因此即便是已經取向的活性層也可以進行良好的粘貼。而且，通過本發明由於可以將活性層預先調整至所需取向，因此在電晶體中易於獲得良好的栽流子遷移率。上迷本發明的電晶體的製造方法還可以適用於形成在絕緣層以外的層上具有活性層的電晶體的情況。即，本發明的電晶體的製造方法為具有源極和漏極、成為這些電極間電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極的電晶體的製造方法，其特徵可以為，在與該面之間存在施工液而將該活性層粘貼於形成該活性層的面的粘貼工序。根據該製造方法，通過存在施工液，例如即便為取向的活性層也可以良好地粘貼在形成其的面上。通過上述本發明製造方法製造的電晶體例如可以為在源極和/或漏極與活性層之間進一步具有含有與有機半導體化合物不同的化合物的層。通過進一步設置該層，可以降低含有有機半導體化合物作為栽流子輸送層發揮功能的活性層與源極和漏極之間的接觸電阻。管，可以應用於各種有機半導體元件。即，本發明的有機半導體元件的製造方法，其特徵在於，其包括在它們之間存在施工液而粘貼活性層和應與其相鄰層的粘貼工序。根據該製造方法，與上述電晶體的情況同樣，通過存在施工液而進行粘貼，可以良好地形成具有優異特性的活性層。在這種有機半導體元件的製造方法中，優選條件(施工液相對於相鄰層的接觸角、活性層的構成等)與製造電晶體的情況相同。這種有機半導體元件除了電晶體之外，還可以舉出二極體、光二極體、太陽電池、發光二極體、存儲器、發光電晶體、傳感器等。另外，本發明的電晶體並無特別限定，包含雙極電晶體、靜電感應型電晶體、場效電晶體等。本發明還提供通過上述本發明製造方法獲得的電晶體和有機半導體元件。即，本發明的電晶體具有源極和漏極、成為這些電極間電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置於活性層和柵極之間的絕緣層，其特徵在於，活性層和絕緣層介由存在於它們之間的施工液而被粘貼。該電晶體如上所述，並非必須具有絕緣層。即，本發明的電晶體為具有源極和漏極、成為這些電極間電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、以及控制通過電流通路的電流的柵極的電晶體，可以在與該面之間存在施工液而將活性層粘貼於形成該活性層的面。另外，本發明的有機半導體元件是具有含有有機半導體化合物的活性層的有機半導體元件，其特徵在於，在與該面之間存在施工液而將活性層粘貼於形成其的面。如此獲得的電晶體和有機半導體元件的活性層介由施工液而粘貼於任意的面(絕緣層的面等)，因此即便在粘貼前進行取向等，也可以在維持其特性的情況下良好地形成活性層。因此，例如為電晶體時，通過活性層的取向可以發揮更優異的栽流子遷移率。在上述本發明的電晶體和有機半導體元件中，施工液優選與形成活性層的面(例如絕緣層)的接觸角為120度以下、更優選為90度以下。另外，活性層優選為取向的活性層。而且，本發明的電晶體還可以在源極和漏極與活性層之間具有含有與有機半導體化合物不同的化合物的層。由此，如上所述，可以降低源極和漏極與活性層之間的接觸電阻。本發明可以提供即便是含有預先賦予了規定特性的有機半導體化合物的活性層，也可以良好地形成於應該形成該活性層面上的電晶體及有機半導體元件的製造方法。另外，本發明還可以提供通過本發明製造方法獲得的電晶體及有機半導體元件。圖1為第1實施方式的電晶體的模式截面圖。圖2為第2實施方式的電晶體的模式截面圖。圖3為第3實施方式的電晶體的模式截面圖。圖4為第4實施方式的電晶體的模式截面圖。圖5為第5實施方式的電晶體的模式截面圖。圖6為第6實施方式的電晶體的模式截面圖。圖7為表示第1實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖8為表示第2實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖9為表示第3實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖IO為表示第4實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖11為表示第5實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖12為表示第5實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖13為表示第6實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖14為表示第6實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。圖15為表示第1實施方式的電晶體製造工序的圖。圖16為表示比較例1和比較例2的電晶體的部分製造工序的圖。圖17為表示在實施例1和比較例2中所用電晶體的I-V特性的圖。圖18為表示相對於施工液的接觸角，使用該施工液獲得的電晶體所得遷移率的曲線。圖19為實施例12所得電晶體的模式截面圖。符號說明l...n-型矽基板、2...活性層、3...絕緣層、4a…源極、4b,.,漏極、5...積層體、6...元件基板、7...支撐薄膜、8...聚(3-己基噻吩)薄膜、9...施工液、IO...基板、12...柵極、14.,.絕緣層、16...源極、18...漏極、20，24...活性層、22,26...活性薄膜、30，32，34,64...元件基板、36,38...第1元件基板、40…施工液、50…積層體、52…支撐薄膜、60，62…第2元件基板、100.,.第1實施方式的電晶體、105.，.第2實施方式的電晶體、110...第3實施方式的電晶體、U5.,.第4實施方式的電晶體、120...第5實施方式的電晶體、125...第6實施方式的電晶體、500...4-(三氟甲基)苯硫酚的層。具體實施方式以下一邊參照附圖一邊說明本發明的優選實施方式。予以說明，在中相同要素帶有相同符號，省略重複的說明。另外，為了易於理解附圖而誇張描述了一部分，尺寸比例並非與說明的一致。這裡，作為有機半導體元件的一例，說明了電晶體及其製造方法的優選實施方式。作為電晶體，是使電流擴增或使開關工作的半導體元件，且，電晶體具有至少具備活性層和與該活性層，相鄰的其它層的構成，活性層形成於上述其它層中的形成該活性層的面上。作為這種電晶體，可以舉出雙極電晶體、靜電感應型電晶體、場效電晶體等。在以下說明中，特別說明具備源極和漏極、成為這些電極間電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置在活性層與柵極之間的絕緣層的電晶體及其製造方法。作為具有這種構成的電晶體，例如為場效電晶體時，可以舉出平面型、倒交錯(逆；夕辦、)型、交錯(7夕力')型等各種結構。首先，參照圖1~圖6說明第1~第6實施方式的電晶體構成。圖1為第1實施方式的電晶體的模式截面圖。圖1所示電晶體100具備基板10、形成在基板10上的柵極12、以覆蓋柵極12的方式形成於基板IO上的絕緣層14、形成於絕緣層14上的源極16和漏極18、以覆蓋源極16和漏極18的方式形成於絕緣層14上的活性層20。圖2為第2實施方式的電晶體的模式截面圖。圖2所示電晶體105具備柵極12、形成在柵極12上的絕緣層14、形成在絕緣層14上的源極16和漏極18、以覆蓋源極16和漏極18的方式形成於絕緣層14上的活性層20。予以說明，該電晶體105的柵極12兼具上述第1實施方式的電晶體100的基板10的功能。圖3為第3實施方式的電晶體的模式截面圖。圖3所示電晶體110具備柵極12、形成在柵極12兩面上的絕緣層14、形成在絕緣層14一側上的源極16和漏極18、以覆蓋源極16和漏極18的方式形成於絕緣層M上的活性層20、形成於活性層20上的支撐薄膜52。該電晶體110的柵極12兼具上述第1實施方式的電晶體100的基板10的功能。圖4為第4實施方式的電晶體的模式截面圖。圖4所示電晶體115具備柵極12、形成在柵極12上的絕緣層14、形成在絕緣層14上的活性層20、形成於活性層20上的源極16和漏極18。圖5為第5實施方式的電晶體的模式截面圖。該電晶體120為靜電感應型有機薄膜電晶體。圖5所示電晶體120具備基板10、形成在基板10上的源極16、形成在源極16上的活性層20、多個(此處為4個)形成於活性層20上的柵極12、以覆蓋這些柵極12的方式形成於活性層20上的活性層24、形成於該活性層24上的漏極18。在該電晶體120中，2個活性層20和24可以為由相同材料構成的層，也可以為由不同材料構成的層。圖6為第6實施方式的電晶體的模式截面圖。該電晶體125具備基板10、形成於基板IO上的源極16和漏極18、以覆蓋這些源極16和漏極18的方式形成於基板10上的活性層20、形成於活性層20上的絕緣層14、形成於絕緣層14上的柵極12。在上述第1~第4和第6實施方式的電晶體中，活性層20均為含有有機半導體化合物的層，成為源極16和漏極18之間的電流通路(通道)。另外，柵極12通過施加電壓控制通過活性層20的電流通路(通道)的電流。另外，在第5實施方式的電晶體中，活性層20和24含有有機半導體化合物，成為源極16和漏極18之間的電流通路。柵極12與上述同樣，控制通過電流通路的電流。以下在說明電晶體更詳細構成的同時說明上述各實施方式的電晶體的製造方法。(第1實施方式的電晶體的製造方法)首先，說明第1實施方式的電晶體的製造方法。圖7為表示笫1實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備基板10、形成於基板10上的柵極12、以覆蓋柵極12的方式形成於基板10上的絕緣層14、形成於絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板30(圖7(a))。另外，與其不同，準備應該成為含有有機半導體化合物的活性層20的活性薄膜22(圖7(b))。基板10使用不會妨礙作為場效電晶體的特性的基板，可以舉出矽基板、玻璃基板、塑料基板、不鏽鋼箔基板。絕緣層14含有電絕緣性高的材料，例如可以使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化鉭、絕緣性聚合物等。這裡，絕緣性聚合物可以舉出聚醯亞胺、聚(乙烯基苯酚)、聚酯、甲基丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚對二甲苯(Ak〉')等。絕緣層14的表面還可以通過各種方法進行物理.化學修飾。物理修飾的方法例如可以舉出利用臭氧UV或02等離子體的處理。另夕卜，化學修飾的方法例如可以舉出利用矽烷偶聯劑等的表面處理劑的處理。表面處理劑可以舉出烷基氯矽烷類、烷基烷氧基矽烷類、氟化烷基氯矽烷類、氟化烷基烷氧基矽烷類、六甲基二矽氨烷等甲矽烷基胺化合物等。該表面處理例如可以通過使絕緣層14接觸於上述表面處理劑的溶液或氣體，使表面處理劑吸附於絕緣層14的表面進行。表面處理前還可以用臭氧UV、02等離子體對進行絕緣層14的表面處理的面進行處理。在基板10上形成絕緣層14的方法例如可以舉出等離子體CVD法、熱蒸鍍法、熱氧化法、陽極氧化法、旋塗法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、棒塗法、輥塗法、繞線棒塗覆法、浸塗法、噴塗法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等方法。柵極12、源極16和漏極18由導電性材料構成。導電性材料可以例舉出鋁、金、柏、銀、銅、鉻、鎳、鈦等金屬，ITO等導電性氧化物，聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)與聚苯乙烯磧酸的混合高分子等導電性高分子。另外，還可以是金屬微粒子、炭黑、石墨微粉分散在粘合劑中得到的導電性材料。具有上述構成的元件基板30可以通過公知的電晶體的製造方法製造，例如可以應用美國專利6107117號說明書所記栽的方法。另一方面，應成為活性層20的活性薄膜22可以僅由有機半導體化合物構成，還可以含有有機半導體化合物以外的添加成分。有機半導體化合物可以舉出低分子有機半導體化合物、高分子有機半導體化合物。添加成分可以舉出摻雜劑、調整活性層20內的栽流子的調整材料、用於提高活性薄膜機械特性的高分子材料等。予以說明，活性薄膜22還可以含有多種有機半導體化合物或多種添加成分。有機半導體化合物從獲得良好成膜性的觀點出發，與低分子有機半導體化合物相比，更優選高分子有機半導體化合物。另外，用於形成活性層20的活性薄膜22可以由這些化合物的單晶構成。即便是含有單晶的活性薄膜22，通過介由施工液的粘貼可以容易地形成活性層20。低分子有機半導體化合物、高分子有機半導體化合物例如分別可以舉出下迷例示的化合物。予以說明，本發明的電晶體的活性層20所含的有機半導體化合物不必局限於下述例子。作為低分子有機半導體化合物例如可以舉出蒽、並四苯、並五苯(、>夕七》)、苯並並五苯(o乂《:x夕七/)、二苯並並五苯(夕《；/乂'、^夕七乂)、四苯並並五苯(亍卜，0乂、>夕七；/)、萘並並五苯(大7卜、^夕七》)、並六苯(、衩廿七》)、並七笨(、f夕七y)、並九苯(大乂7七7)等多並苯化合物；菲、起、7A;、淨7、芘、二苯並[c々'w芘、二苯並茈、暈苯、苯並暈苯(口淨^)、二苯並暈苯(,;；《y乂':i口；f;/)、六苯並暈苯(、*廿:7':x乂u口豐；/)、苯並二暈苯(0乂、、、;;、7口淨；/)、乙烯基暈苯等暈苯化合物；菲、特麗綸(^卩k乂)、二茈(-、卩k乂)、夕才^卩k》等茈化合物；卜卩大7f入、庚芬(、:/夕:7工^)、卵苯、玉紅省、紫蒽酮、異紫蒽酮、蒽、循環蒽、匕、、^7;/f;/、七、^u^、、7°夕七、^k^、皮蒽(匕°，y^"》)、匕'、才，^歹》、4乂匕、、才，y亍》、聯苯、苯並[9，10]菲、三聯苯、四聯苯、廿一-e:7工-乂"少夕k7、酞著、卟啉、富勒烯(7，一k;/)(C60、C70)、四硫富瓦烯化合物、醌化合物、四氰基醌二甲烷化合物、聚噻吩的寡聚物、聚吡咯的寡聚物、聚亞苯基的寡聚物、聚苯乙炔(水y7工-k》匕、、-ky)的寡聚物、聚噻吩乙炔(水'J*工-u;/匕、、-k^)的寡聚物、噻吩與亞苯基的共聚物寡聚物、噻吩與芴的共聚物寡聚物等。另外，還可以使用這些低分子有機半導體化合物的衍生物。這樣的物質例如可以舉出並四苯的苯環加成衍生物的紅焚烯等。另外，還可以舉出擴張富勒烯類的共軛系得到的碳納米管等。另外，高分子有機半導體化合物可以舉出聚噻吩、聚亞苯基、聚苯胺、聚苯乙炔、聚p塞吩乙炔、聚乙炔、聚二乙炔、聚三苯基胺、三苯基胺與亞笨基亞乙烯基(7工-1^;/匕*-1^》)的共聚物、噻吩與亞苯基的共聚物、噻吩與芴的共聚物等。或者還可以使用這些高分子有機半導體化合物的衍生物。這樣的物質例如可以舉出聚噻吩的烷基取代物的聚(3-己基噻吩)等。formulaseeoriginaldocumentpage13上述式(la)~(li)中，r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8和R9各自獨立表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳疏基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲矽烷基、取代曱矽烷基、甲矽烷基氧基、取代甲矽烷基氧基、1價的雜環基、卣原子或氰基。n為l以上的整數。作為有機半導體化合物以外的添加成分的摻雜劑可以舉出受體性摻雜劑和供體性摻雜劑。首先，受體性的摻雜劑可以舉出換、溴、氯、氯化碘、溴化捵等卣素；硫酸、硫酸酐、二氧化硫、硫酸鹽等氧化硫化合物；硝酸、二氧化氮、硝酸鹽等氣化氮化合物；高氯酸鹽、次氯酸等卣化化合物；四氟硼酸、四氟硼酸鹽、磷酸、磷酸鹽、三氟醋酸等酸或其鹽；四氰基醌二甲烷、四氯四氰基醌二甲烷、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、二氯氰基乙烯、二氯二氰基醌、四氯醌、二氧化碳、氧等。另外，供體性的摻雜劑可以舉出四硫富瓦烯(y)、四甲基四硫富瓦烯、四硒疏富瓦烯；二苯基苯二胺、四苯基苯二胺、四苯基聯苯二胺(f卜，7《乂-7工-^)、聚乙烯基呻唑等胺化合物；鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬或這些金屬與有機化合物的絡合物等。另外，作為調整活性層20內的載流子的調整材料，可以舉出具有導電性的材料，例如鋁、鐵、銅、鎳、鋅、銀、鉬、金等過渡金屬或它們的微粒子。作為用於提髙活性薄膜22的機械特性的高分子材料，可以舉出聚碳酸酯、聚丙彿酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚曱基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。這種活性薄膜22的製造中例如首先將有機半導體化合物或有機半導體化合物和其以外的添加成分溶解、分散於有機溶劑中製成溶液。接著，將該溶液例如塗覆在聚四氟乙烯樹脂板上後，使有機溶劑揮發。由此，獲得活性薄膜22。予以說明，使用該活性薄膜22時，優選從聚四氟乙烯樹脂板上剝離活性薄膜22。作為用於製造活性薄膜22的溶液所用的有機溶劑，可以舉出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、三氯苯等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；曱苯、二甲苯、三甲苯、四氫化萘、萘烷、正丁基苯等芳香烴系溶劑；苯甲醚等具有烷氧基的芳香族系溶劑等。作為溶液的塗覆方法，可以舉出旋塗法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、棒塗法、輥塗法、繞線棒塗覆法、浸塗法、噴塗法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等。在具有含有有機半導體化合物的活性層20的電晶體中，當該活性層20具有取向性時，由於有機半導體化合物的分子排列在一個方向上，因此有電晶體的特性(栽流子遷移率)提高的傾向。因此，優選活性層20經過取向處理。為了獲得這種取向的活性層20,優選在活性薄膜22的階段中使其取向。作為取向的方法，可以舉出首先拉伸活性薄膜22的方法。作為拉伸方法可以舉出單軸拉伸、雙軸拉伸、液中膨潤拉伸、利用軋輥的拉伸等的方法。單軸拉伸為將製成四邊形的活性薄膜22的1對對邊分別用夾具夾住，向相反方向拉伸的方法。此時，可以在室溫下拉伸，也可以在適當加熱的同時拉伸。另外，拉伸還可以在氮氣等特定氣體氛圍下進行。雙軸拉伸為將製成四邊形的活性薄膜22的2對對邊分別用夾具夾住，同時或者依次向2個對邊方向拉伸薄膜的方法。此時，可以在室溫下拉伸，也可以在適當加熱的同時拉伸。另外，拉伸還可以在氮氣等特定氣體氛圍下進行。而且，液中膨潤拉伸是指在活性薄膜22不溶解但膨潤的適當溶液中浸漬活性薄膜22，在其中通過單軸拉伸或雙軸拉伸對薄膜進行拉伸的方法。此時，拉伸可以在室溫下進行，也可以在適當加熱的同時進行。在第1實施方式的製造方法中，如上所述，準備元件基板30和活性薄膜22後，實施在活性薄膜22和基板元件30的絕緣層14之間存在施工液40、粘貼它們的粘貼工序(圖7(c))。該絕緣層14的粘貼有活性薄膜22的面相當於形成活性層20的面。22兩者的性質的液狀物質(液體)。、作為i種^X液40優選與絕緣層14的形成活性層20的面的接觸角為120度以下、更優選為90度以下、進一步優選為60度以下。這裡，"接觸角"是指在空氣中在絕緣層14上形成施工液40的液滴時，由這三相接觸點向施工液40所引切線與絕緣層14表面所成的角中，包含施工液40的角度。優選的施工液40優選根據絕緣層14的種類(與絕緣層14的接觸角)適當選擇。例如，當絕緣層14的表面為氧化矽(Si02等)時、由烷基三氯矽烷(十八烷基三氯矽烷等)所修飾的氧化矽時、氮化矽時、有機系絕緣膜時等，作為施工液40優選甲醇、乙醇、異丙醇等碳數18的醇系溶劑，丙酮等酮系溶劑，二乙基醚等醚系溶劑，氯仿等滷系溶劑(更優選混合有醇等)，甲苯等芳香烴系溶劑(更優選混合有醇等)，己烷、庚烷、辛烷等脂肪烴系溶劑，水(更優選含有表面活性劑)，乙腈等腈系溶劑；乙酸乙酯等酯系溶劑，氨水等含有胺系化合物的溶劑等。施工液40還可以含有用於調節相對於絕緣層14的濡溼性的表面活性劑等添加物、可以調節由活性層20所致的電晶體特性的摻雜劑、用於調節活性層20中的載流子濃度的材料等。予以說明，作為施工液40示例的上述溶劑可以單獨使用，還可以混合使用2種以上或更多。作為在活性薄膜22和絕緣層14之間存在施工液40並將它們粘貼的方法，例如可以舉出在活性薄膜22和絕緣層14中的一個表面上塗覆施工液40後，將另一面積層在該施工液40上的方法。另外，除此以外的方法還可以舉出將活性薄膜22和絕緣層14之間保持一定間隔(縫隙)，在該間隔中注入施工液40的方法等。這些方法中，當施工液40如上所述與絕緣層14的接觸角為120度以下時，可以高效地濡溼絕緣層14的表面，可以更加良好地進行粘貼。予以說明，在介由施工液40的粘貼時，整個活性薄膜22不會溶出到施工液40中。這是由於，當整個活性薄膜22溶出時，難以形成均勻的活性層20。為了避免活性薄膜22的溶出，施工液40優選使用具有與活性薄膜22的溶解度參數(SP值)不同的溶解度參數的施工液。予以說明，在粘貼時，只要活性薄膜22未全部溶解即可，即便是一部分溶解也沒有問題。在粘貼工序中，可以進行加熱/或加壓。由此，除了可以提高活性薄膜22和絕緣層14的密合性，還可以促進在後述的除去工序中的揮發成份的除去。加熱和加壓可以僅僅進行一者，還可以進行兩者。進行兩者時，可以同時進行加熱和加壓，還可以先進行一者後再進行另一者。予以說明，粘貼工序除了上述加熱和/或加壓之外，為了進一步提高密合性、進一步促進施工液的除去，還可以在減壓條件下進行。另外，根椐有機半導體化合物的種類，由於在大氣下會有發生所不希望的特性變化的情況，因此粘貼工序除了根據需要在減壓下進行之外，還可以在氮等惰性氣氛、遮光等的條件下、水分、氧等被控制的環境下進行。但是，當粘貼工序的加熱或加壓在過剩的條件下進行時，活性薄膜22的特性(例如取向性)等發生變化，難以獲得具有所需特性的活性層20。因此，優選在適當條件下進行加熱和加壓。優選的條件可以舉出室溫以上，在所粘貼的絕緣層14或形成有這些的元件基板30等不發生變形程度的溫度條件。例如活性薄膜22含有高分子有機半導體化合物時，優選其液晶相或各向同性相轉變溫度以下的溫度。予以說明，即便為超過其的溫度，只要是不發生上述問題程度的短時間加熱即可實施。另外，加壓在活性薄膜22和絕緣層14的積層方向上進行，例如還可以從活性薄膜22的上方施加荷重，還可以使用軋輥對整個活性薄膜22和元件基板30進行加壓。加壓時的壓力優選為不發生活性薄膜22、構成元件基板30的絕緣層14、基板IO、源極16或漏極18的變形或不良的程度。通過上述方法實施粘貼工序後，根據需要實施除去施工液40中不需要的揮發成份的除去工序。通過該除去工序將施工液40中的不需要的揮發成份除去，可以獲得第1實施方式的電晶體100(圖7(d))。予以說明，在該除去工序中，施工液40可以全部除去，還可以殘留一部分。例如只要良好地確保了絕緣層14和活性層20的粘接性，則可以將施工液40全部除去。電晶體100的活性層20的厚度優選為10nm以上、更優選為40nm以上、進一步優選為200nm以上。活性層20的厚度為10nm以上時，可以獲得充分良好的電晶體特性，通過製成更厚的活性層20，可以易於獲得遷移率更高的電晶體。另外，通過增厚活性層20的厚度，有難以發生製造時所受物理損傷等導致的不良的傾向。為了獲得所需厚度的活性層20，優選在活性薄膜22的階段中適當調整厚度。予以說明，活性層的優選厚度在下述第2~第3實施方式的電晶體中也是同樣的。(第2實施方式的電晶體的製造方法)接著，說明第2實施方式的電晶體的優選製造方法。圖8為表示第2實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備柵極12、形成於柵極12上的絕緣層14、形成於絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板32(圖8(a))。這裡，柵極12兼具作為基板的功能。這種柵極12例如優選高濃度摻雜矽或鋁等金屬基板。絕緣層14、源極和漏極16、18可以與上述第1實施方式同樣地形成。在製造元件基板32的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的活性薄膜22(圖8(b))。之後，進行在活性薄膜22和絕緣層14之間存在施工液40、將它們粘貼的粘貼工序(圖8(c))。這些工序可以與第1實施方式同樣地實施。在實施上述粘貼工序後，根據需要進行除去施工液40中不需要的揮發成份的除去工序，由此獲得第2實施方式的電晶體105(圖8(d))。(第3實施方式的電晶體的製造方法)接著，說明第3實施方式的電晶體的優選製造方法。圖9為表示第3實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備柵極12、形成於柵極12兩面上的絕緣層14、形成於一個絕緣層14上的源極16和漏極18的元件基板34(圖9(a))。這裡，與其不同，取代第1實施方式的活性薄膜22，準備積層體50(在支撐薄膜52上積層有活性薄膜22)(圖9(b))。予以說明，元件基板34的絕緣層14、源極16和漏極18可以與上述第1實施方式同樣地形成。積層體50的支撐薄膜52可以含有無機材料、有機材料的任一種。例如聚矽氧烷、氟系樹脂、聚乙烯、聚丙烯、甲基戊烯樹脂、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、氯化乙烯、偏氯乙烯、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、尼龍、聚酯、聚乙烯醇等。這裡，例如在與絕緣層14粘貼前使活性薄膜22取向時，可以考慮單獨使活性薄膜22取向的方法、在形成積層體50後取向的方法。後者的情況優選支撐薄膜52可以實施拉伸等取向操作。這種支撐薄膜52例如優選聚乙烯、聚丙烯、曱基戊烯樹脂、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、氯化乙烯、偏氯乙烯、曱基丙烯酸樹脂、尼龍、聚酯、聚乙烯醇等。支撐薄膜52還可以具備具有促進剝離積層於支撐薄膜52的活性薄膜22的功能的層。例如，作為這種層可以舉出具有將光轉變為熱的功能的層、通過熱而膨脹的層等。這些層可以通過熱促進支撐薄膜52與活性薄膜22的剝離。因此，當支撐薄膜52具有這些層時。在粘貼積層體50和絕緣層14的粘貼工序後，通過進行光照射或加熱，可以將支撐薄膜52容易地從活性層20上剝離。而且，當支撐薄膜52具有上述將光變換為熱的功能的層或通過熱而膨脹的層時，有活性層20的圖案形成變得容易的情況。即，例如將積層體50粘貼在絕緣層14後，介由支撐薄膜52向活性薄膜22的規定部分照射光，利用熨鬥進行加熱。這樣，活性薄膜的光照射部分或加熱部分被轉印至絕緣層14上，而其他部分易於隨著支撐薄膜52剝離。結果，活性薄膜22的僅上述規定部分殘留於絕緣層14上，由此形成圖案形成後的活性層20。積層體50例如可以如下形成將支撐薄膜52與預先形成的活性薄膜22粘貼、向支撐薄膜52直接賦予有機半導體化合物、向支撐薄膜52直接塗覆有機半導體化合物的溶液，從而形成。向支撐薄膜52直接賦予有機半導體化合物例如為固體有機半導體化合物時，可以通過向支撐薄膜52上蒸鍍有機半導體化合物、噴塗熔融物、賦予升華等而進行。另外，為單晶的有機半導體化合物時，可以使用在支撐薄膜52上的自然密合、使用粘接劑進行粘貼的方法。向支撐薄膜52上直接塗覆有機半導體化合物溶液例如可以通過旋塗法、流延法、微凹印輥法、凹印輥法、棒塗法、輥塗法、繞線棒塗覆法、浸塗法、噴塗法、絲網印刷法、橡膠版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等。在使活性薄膜22在粘貼於絕緣層14之前進行取向時，可以以積層體50的狀態進行。取向例如與上述第1實施方式相同，可以通過單軸拉伸、雙軸拉伸、液中膨潤拉伸等進行。此時，隨著活性薄膜22，支撐薄膜52也被拉伸。另外，構成活性薄膜22的有機半導體化合物具有液晶性時，除了拉伸，還可以通過作為液晶取向方法已知的其它方法進行活性薄膜22的取向。作為這種方法例如可以舉出《液晶的基礎與應用》(松本正一、角田市良共著、工業調查會1991年)第5章、《強導電性液晶的結構與物性》(福田敦夫、竹添秀男共著、3口大社、1990年)第7章、《液晶》第3巻第1號(1999年)3~16頁等所記栽的方法等。作為這種取向方法，例如摩擦法、光取向法、剪切法(剪切應力施加法)或提拉塗覆法是簡單且有效的方法，特別易於利用。摩擦法為用布等輕輕摩擦支撐薄膜52的方法。擦拭支撐薄膜52的布可以舉出紗布、聚酯、棉花、尼龍、人造絲等布。摩擦使用的布可以對應取向的膜適當地選擇。此時，當在支撐薄膜52上另外形成取向膜時，取向性能變得更高。作為該取向膜可以舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚乙烯醇、聚酯、尼龍等，還可以使用市售的液晶用取向膜。取向膜可以通過旋塗法或橡膠版印刷法等形成。另外，光取向法是指在支撐薄膜52上形成取向膜，通過偏光UV光照射或者斜入射照射UV光，使其帶有取向功能的方法。作為取向膜可以舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚肉桂酸乙烯基酯等，還可以使用市售的液晶用取向膜。通過這種摩擦法或光取向法，可以使積層於實施了上述處理的支撐薄膜52上的有機半導體化合物(活性薄膜22)取向。該取向在支撐薄膜52上產生，以使有機半導體化合物達到液晶相或各向同性相的溫度。另外，即便將有機半導體化合物賦予在實施取向處理後的支撐薄膜52上，也可以使形成於支撐薄膜52上的活性薄膜22取向。而且，在支撐薄膜52上塗覆有機半導體化合物時，通過將有機半導體化合物置於支撐薄膜52上，設定為其Tg以上或顯示液晶相或各向同性相的溫度，利用杆等在一個方向上進行塗覆，可以產生取向。另外，還可以製備將有機半導體化合物溶解在有機溶劑中的溶液，利用旋塗法或橡膠版印刷等將其塗覆。予以說明，即便是有機半導體化合物沒有液晶性時，只要可以蒸鍍，則通過將有機半導體化合物外延性地蒸鍍在實施過取向處理的支撐薄膜52上，可以獲得含有取向的有機半導體化合物的層(活性薄膜22)。這裡所謂的剪切法是指在置於支撐薄膜52上的有機半導體化合物上放置其它基板，在有機半導體化合物成為液晶相或各向同性相的溫度下將上方的基板向一個方向錯開的方法。此時，使用具有通過上述摩擦法或光取向法實施過所迷取向處理的支撐層的薄膜作為支撐薄膜52時，可以獲得取向度更高的活性薄膜22。上方的基板可以舉出玻璃、高分子薄膜等，還可以是金屬制的杆等。而且，提拉塗覆法是指將支撐薄膜52浸漬在有機半導體化合物的溶液中並進行提拉，從而在支撐薄膜52上形成取向的有機半導體化合物的層(活性薄膜22)的方法。有機半導體化合物的溶液中所用有機溶劑、支撐薄膜52的提拉速度等條件並無特別限定，優選根據所需有機半導體化合物的取向度適當地選擇、調整。以上說明了數個活性薄膜22的取向方法，在第1~第6實施方式任一個中從簡單性和有用性的觀點出發，取向優選通過拉伸進行。接著，在準備元件基板34和積層體50後，實施在積層體50和元件基板34的絕緣層14之間存在施工液40、粘貼活性薄膜22和絕緣層14的粘貼工序(圖9(c))。該粘貼工序除了以活性薄膜22朝向絕緣層14的方式配置積層體50、在該積層體50和絕緣層14之間存在施工液40之外，可以與第1實施方式同樣地進行。在該粘貼工序中，可以與第1實施方式等同樣地進行加熱和/或加壓，另外，還可以為減壓條件等。在第3實施方式的電晶體的製造方法中，在粘貼工序後可以根據需要實施除去施工液40中的不需要的揮發成份的除去工序。由此，可以獲得支撐薄膜52積層於活性層20上的狀態的第3實施方式的電晶體110(圖9(d))。予以說明，該電晶體IIO完成後，支撐薄膜52可以除去，只要實用上沒有問題則可以直接積層。積層支撐薄膜52時，作為該支撐薄膜52優選兼具從使活性層20特性降低的要因(物理損傷、大氣等所導致的氣體影響、帶電等)方面進行保護的功能。(第4實施方式的電晶體的製造方法)接著，說明第4實施方式的電晶體的製造方法。圖10為表示第4實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備柵極12、形成於其上的絕緣層14的第l元件基板36(圖10(a))。該柵極12兼具作為基板的功能。柵極12和絕緣層14的構成和製造方法可以與第2實施方式等同樣地進行。另外，在製造第1元件基板36的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的活性薄膜22(圖10(b))。然後，進行在活性薄膜22與第1基板元件36的絕緣層14之間存在施工液40並將它們粘貼的粘貼工序(圖10(c))。該粘貼工序可以與第1實施方式等同樣地實施。另外，在粘貼工序中，可以取代活性薄膜22使用第3實施方式的積層體50。此時，在粘貼後除去積層體50的支撐薄膜52後進行後述的操作。接著，根據需要進行除去施工液40中不需要的揮發成份的除去工序，從而形成在元件基板36上形成活性層20的第2元件基板60(圖10(d))。然後，在該第2元件基板60的活性層20上與第1實施方式等同樣地形成源極16和漏極18,由此獲得第4實施方式的電晶體115(圖10(e))。(第5實施方式的電晶體的製造方法)接著，說明第5實施方式的電晶體的優選製造方法。圖11和圖12為表示第5實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備基板IO和形成於其上的源極16的第l元件基板38(圖11(a))。與此不同，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的活性薄膜22(圖11(b))。然後，進行在活性薄膜22與第l基板元件38的源極16之間存在施工液40並將它們粘貼的第l粘貼工序(圖ll(c))。該第1粘貼工序可以與第1實施方式等同樣地實施。之後，根據需要進行除去施工液40中不需要的揮發成份的第1除去工序，由此在第1元件基板38上形成活性層20(圖11(d))。接著，在該活性層20上形成多個(此處為4個)柵極12，由此獲得第2元件基板62(圖11(e))。該柵極12也可以使用與第1實施方式等同樣的柵極。接著，在製造第2元件基板62(圖12(e))的同時，另外準備應成為含有有機半導體化合物的活性層24的活性薄膜26(圖12(f))。作為構成該活性薄膜26的有機半導體化合物可以使用與活性層20相同的化合物，還可以使用不同的化合物。然後，進行在該活性薄膜26與第2基板元件62的活性層20之間存在施工液40並將它們粘貼的第2粘貼工序(圖12(g))。由此，活性薄膜26以覆蓋柵極12的方式粘貼在活性層20上。該第2粘貼工序也可以與第1實施方式等同樣地進行。予以說明，在第2粘貼工序中使用的施工液40可以與第1粘貼工序相同，也可以不同。之後，根據需要進行除去施工液40中不需要的揮發成份的第2除去工序，將活性薄膜26以挾持柵極12的方式密合於活性層20，形成活性層24(圖12(h))。然後，在如此形成的活性層24上與第1實施方式等同樣地形成漏極18，由此獲得第5實施方式的電晶體120。予以說明，在該第5實施方式的電晶體的製造方法中，活性層20和24中的任一者例如可以通過日本特開2004-006476號公報所記栽的方法形成。另外，在第l、第2粘貼工序中，可以使用第3實施方式的積層體50代替活性薄膜22。此時，在粘貼後除去積層體50的支撐體薄膜52後進行之後的操作。(第6實施方式的電晶體的製造方法)接著，說明第6實施方式的電晶體的優選製造方法。圖13和圖14為表示第6實施方式的電晶體的製造方法的工序圖。該製造方法中，首先準備具備基板IO和形成於其上的源極16和漏極18的元件基板64(圖13U))。該源極16和漏極18可以通過與第1實施方式等同樣的方法形成。另外，在製造元件基板64的同時，準備應成為含有有機半導體化合物的活性層20的活性薄膜22(圖13(b))。然後，進行在活性薄工序(圖13(c))。該粘貼工序可以與第1實施方式等同樣地實施。之後，根據需要進行除去施工液40中不需要的揮發成份的除去工序，由此在元件基板64上以覆蓋源極16和漏極18的方式形成活性層20(圖13(d))。接著，在該活性層20上與第1實施方式等同樣形成絕緣層14(圖14(e))。然後在如此形成的絕緣層14上與第1實施方式同樣形成柵極12,由此獲得笫6實施方式的電晶體125(圖14(f))。予以說明，在該第6實施方式的電晶體的製造中，在粘貼工序中可以使用第3實施方式的積層體50代替活性薄膜22。此時，粘貼後接著進行除去積層體50的支撐薄膜52的操作。另外，支撐薄膜52兼具作為絕緣層14的功能時，可以不除去支撐體52直接作為絕緣層14。以上，以優選的有機半導體元件及其製造方法為例，說明第1~第6實施方式的電晶體及其製造方法，但本發明的電晶體不必局限於上述實施方式，可以進行適當變更。例如，首先各實施方式的電晶體的活性層20(在第5實施方式中為活性層20和24)並非必需分別為單一層，還可以含有多層。活性層20、24為多層時，這些多層可以分別由相同材料構成，也可以由不同材料構成。這種含有多層的活性層20、24可以如下形成在用於形成活性層20、24的活性薄膜22、26上根據需要除去殘留於其上的支撐薄膜等後，進一步積層相同或不同種類的活性薄膜而形成。另外，在上述實施方式中，均為源極16、漏極18與活性層20或24直接相連的結構，但不必局限於此，還可以在源極16和/或漏極18和活性層20、24之間存在含有與有機半導體化合物不同的化合物的層。由此，可以降低源極16和漏極18與活性層20、24之間的接觸電阻，可以更加提高電晶體的栽流子遷移率。與有機半導體化合物不同的化合物可以舉出供體性化合物、受體性化合物、具有巰基的化合物等。這裡，供體性的化合物可以舉出四硫富瓦烯、四甲基四硫富瓦烯、四硒硫富瓦烯；二苯基苯二胺、四苯基苯二胺、四苯基聯苯二胺、聚乙烯基咕唑等胺化合物；鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬或這些金屬與有機化合物的絡合物等。受體性的化合物可以舉出碘、澳、氯、氯化捵、溴化碘等卣素；硫酸、硫酸酐、二氧化硫、硫酸鹽等氧化疏化合物；硝酸、二氧化氮、硝酸鹽等氧化氮無水物；高氯酸鹽、次氯酸等卣化化合物；四氟硼酸、四氟硼酸鹽、磷酸、磷酸鹽、三氟醋酸等酸或其鹽；四氰基醌二甲烷、四氯四氰基醌二曱烷、四氟四氰基醌二曱烷、四氰基乙烯、二氯氰基乙烯、二氯二氰基醌、四氯醌等。具有巰基的化合物可以舉出烷基硫醇類、氟化烷基硫醇類等烷基硫醇化合物，芳香族硫醇類、氟化烷基芳香族硫醇類、氟化芳香族硫醇類、硝基芳香族硫醇類、氨基芳香族硫醇類等芳香族硫醇化合物等。含有這些化合物的層例如可以如下形成使上述化合物的溶液或氣體接觸於源極16、漏極18的表面，使上述化合物吸附於該接觸表面而形成。另外，在上述各實施方式的電晶體中，源極16、漏極18的厚度並無特別限定。如第1~第3和第5實施方式，當在源極16、漏極18上形成活性層20或24等時，為了進一步提高與活性層20、24的密合性，優選源極16、漏極18在不損害作為這些電極的功能的範圍內儘量地薄。第1~第6實施方式的電晶體中，可以在完成上迷元件結構後進行密封，製成密封電晶體。由此，除了將電晶體隔離大氣之外，還可以保護其避免物理損傷等，可以抑制電晶體的特性降低。作為密封的方法可以舉出利用絕緣性聚合物、UV固化樹脂、熱固化樹脂或無機的氧化矽膜或氮化矽膜等覆蓋元件結構的方法，利用UV固化樹脂或熱固化樹脂等將玻璃板、薄膜粘貼於元件結構的方法等。為了有效地與大氣隔離，優選在製作電晶體後，不要暴露於大氣中(例如保管在乾燥的氮氛圍、真空中)來進行密封之前的工序。24管管〉玄'f生居，而且只要介由施工液將該活性層與相鄰層粘貼，則不必局限於上迷晶體作為電晶體以外的有機半導體元件，例如可以舉出二極體、光二極太陽電極、發光二極體、存儲器、發光電晶體、傳感器等。上述電晶體等的有機半導體元件優選應用於半導體裝置。半導體裝置可以舉出無線標籤、顯示器、大面積傳感器(大面七》廿)等。半導體裝置中，例如電晶體可以通過單獨或與其它電晶體的多個組合而構成理論電路。具體地說，優選作為半導體裝置的顯示器像素的開關用電晶體、信號驅動器電路元件、存儲電路元件、信號處理電路元件等。作為顯示器可以寬範圍地應用電子紙、液晶或有機LED等。實施例以下根據實施例和比較例更加具體地說明本發明。本發明不必局限於以下實施例。聚(3-己基噻吩)和聚(3-辛基噻吩)使用購自7Vk卜'！i少f社的產品。另外，聚(3-己基噻吩)和聚(3-辛基噻吩)使用區域規則性(k^、才k《-，一)的。(實施例1:利用第3實施方式的製造方法形成電晶體及物性的評價)通過根據上述第3實施方式電晶體的製造方法的方法製造電晶體。圖15為表示實施例1的電晶體製造工序的圖。即，首先如圖15(a)所示，對成為兼具基板的柵極的高濃度摻雜的n-型矽基板1的表面進行熱氧化，從而形成200nm成為絕緣層3的矽氧化膜，使用其作為支撐基板。接著，如圖15(b)所示，通過真空蒸鍍法在該基板的絕緣層3的一個表面上蒸鍍厚度50nm的金，形成具有引出線和墊的源極4a和漏極4b。此時的電極通道寬度為500nm、通道長為20pm。接著，參照文獻(S.R.Wasserman，等，Langmuir,Vol.5，p1074，1989)所記載的方法，將絕緣層3的表面浸漬於十八烷基三氯矽烷的辛烷溶液(6mmol/L)24小時進行修飾，由此形成元件基板6。另一方面，在氮氣氛的手套箱(夕'口一y水少夕久)內調製聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液(0.5wt%)。聚(3-己基噻吩)的稱量在大氣中進行。之後，在氮氣氛的手套箱內利用旋塗法(1000rpm)將聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液塗覆在作為支撐薄膜7的聚乙烯薄膜上。由此，如圖15(c)所示，形成在聚乙烯的支撐薄膜7上積層有聚(3-己基噻吩)薄膜8的積層體5。接著，在氮氣氛的手套箱內如圖15(d)所示，在形成有源極4a和漏極4b的絕緣層3上利用滴液吸移管放置甲醇的液滴作為施工液9。然後，介由施工液9以該聚(3-己基噻吩)薄膜8面向絕緣層3的方式用鑷子放置積層體5，直接靜置直至乾燥除去甲醇。此時，施工液9與絕緣層3的接觸角為40度。在乾燥除去甲醇後，積層體5以覆蓋源極4a和漏極4b的方式自然地密合在絕緣層3上。然後，為了除去甲醇，進行氮氣氛下、60'C、15分鐘的加熱處理。由此，獲得具有含有聚(3-己基噻吩)的活性層2的電晶體(圖15(e))。在如此製作的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40-60V柵電壓VG、40V源極-漏極間電壓Vsd,測定電晶體特性。結果，獲得良好的I-V特性(圖17中(a)曲線)，在VG=-60V、VSD=-40V時，漏電流約為9pA。另外，由該I-V特性獲得的遷移率為2.3xl(T2cm2/Vs、電流的開關比為105臺。(比較例1:未使用施工液時電晶體的形成和物性的評價)在圖15(a)~(c)所示工序之後進行圖16(a)和(b)所示的工序，由此製造比較例1的電晶體。即，首先根據圖15(a)、(b)所示的製造工序，與實施例1記栽的方法同樣地製造元件基板6。在氮氣氛的手套箱內調製聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液(0.5wt%)。聚(3-己基噻吩)的稱量在大氣中進行。接著，在氮氣氛的手套箱內，在作為支撐薄膜7的聚乙烯薄膜上用旋塗法(1000rpm)塗覆聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液，形成在聚乙烯的支撐薄膜7上積層有聚(3-己基噻吩)薄膜8的積層體5(圖15(c))。然後，在氮氣氛的手套箱內，在形成有源極4a和漏極4b的絕緣層3上以該聚(3-己基噻吩)薄膜8面向絕緣層3的方式用鑷子放置積層體5(圖16(a))。由此，獲得具有聚(3-己基^吩)作為活性層2的電晶體(圖16(b))。在如此製作的電晶體中，以矽基板l作為柵極，在氮氣氛下施加40-60V柵電壓VG、-40V源極-漏極間電壓Vsd，雖然測定了電晶體特性，但不工作、未獲得I-V特性。(比較例2:通過流延法形成活性層的電晶體的形成和物性的評價)根據實施例1所示方法製作元件基板6。另外，在大氣下稱量聚(3-己基噻吩)，在氮氣氛的手套箱內調製其氯仿溶液(0.1wt%)。接著，在氮氣氛的手套箱內，在形成有源極和漏極的絕緣層3上通過流延法塗覆聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液，形成含有聚(3-己基噻吩)的活性層2。之後，為了除去溶劑，在氮氣氛下在60。C下加熱處理15分鐘。由此，製作具有圖16(c)所示結構的電晶體。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40-60V柵電壓VG、-40V源極-漏極間電壓VSD,測定電晶體特性。結果，獲得圖17(b)曲線所示的I-V特性，在Vf-60V、VsD-一OV時，漏電流約為-lpA。另外，由該I-V特性獲得的遷移率為1.5xl(T3cm2/Vs、電流的開關比為103臺。實施例1和比較例1~2製作的電晶體的特性綜合示於表1。首先利用未使用施工液進行粘貼的方法(比較例1)獲得的電晶體不工作。另外，實施例1的電晶體與比較例2相比，遷移率顯著提高。由此可知，通過本發明的電晶體的製造方法，可以良好地形成具有優異載流子遷移率的活性層。表1tableseeoriginaldocumentpage27比較例2塗覆(流延法)1.5x10-3(實施例2~9:使用各種施工液的電晶體的形成和物性評價)除了以下方面之外，與實施例1同樣地製造具有含有聚(3-己基噻吩)的活性層的電晶體。即，首先在元件基板6的製作中，形成厚度65nm的源極和漏極。另外，使在十八烷基三氯矽烷的辛烷溶液(6mmol/L)中的浸漬時間為19.5小時。在積層體5的製作中，調製聚(3-己基噻吩)的氯仿溶液(2wt。/。)使用。然後，代替曱醇使用表2所示各種液體作為施工液9進行積層體5的粘貼。另外，施工液的乾燥除去僅在25X:靜置的條件下進行。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40~-60V柵電壓VG、.60V源極-漏極間電壓VSD,測定電晶體特性，由此求得電晶體的遷移率。結果示於表2。予以說明，表2中一併顯示了各實施例中所用施工液與絕緣層3的接觸角(°)。另外，相對於施工液的接觸角，將使用該施工液獲得的電晶體所得遷移度作曲線，示於圖18中。表2tableseeoriginaldocumentpage28在各電晶體的製造中，與絕緣層3的接觸角越小的施工液9，越易於濡溼絕緣層3的表面，越易於將積層體5粘貼在絕緣層3上。而且，如表2和圖15所示可知，使用接觸角小的施工液9時，遷移率高、可以獲得高品位的電晶體。(實施例10:在粘貼工序中進行加熱的電晶體的形成和物性評價)在粘貼積層體5和元件基板6的工序中，在乾燥除去施工液(乙腈)後，將粘貼有積層體5的元件基板6放置在加熱板上，在氮氣氛下進行8CTC下60分鐘的加熱處理，除此之外，與實施例8同樣地製作具有含有聚(3-己基噻吩)的活性層的電晶體。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40-60V柵電壓VG、-60V源極-漏極間電壓Vsd，測定電晶體特性，由此求得電晶體的遷移率。所得結果示於表3。如表3可知，通過在粘貼工序中進行加熱，可以獲得良好的遷移率。(實施例11:使用取向的活性薄膜的電晶體的形成和物性評價)在形成積層體5之後，對該積層體5實施拉伸操作，將該拉伸操作後的積層體5與元件基板6粘貼，除此之外，與實施例8同樣地製作含有聚(3-己基噻吩)的活性層的電晶體。拉伸操作在形成積層體5後，在氮氣氛下、IO(TC下將其單軸拉伸2.5倍而進行。予以說明，粘貼、拉伸後的積層體5的拉伸方向與連接元件基板6的源極4a和漏極4b的方向平行。這裡，如下確認拉伸後積層體5的聚(3-己基p塞吩)薄膜8的取向狀態，即，首先剪切拉伸後的積層體5的一部分，將其壓接在用加熱板加熱至6(TC的載玻片上使得與該聚(3-己基噻吩)薄膜8面向連接。然後，利用鑷子僅剝離支撐薄膜7，從而將聚(3-己基噻吩)薄膜8轉印至載玻片上。利用偏光顯微鏡觀察該轉印的聚(3-己基噻吩)薄膜8。結果確認，聚(3-己基噻吩)薄膜8在上述積層體5的拉伸方向上取向。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40-60V柵電壓VG、-60￥源極-漏極間電壓Vsd，測定電晶體特性，由此求得電晶體的遷移率。所得結果示於表3。如表3可知，通過賦予活性層取向，獲得了良好的遷移率。(實施例12:在電極和活性層之間設有層的電晶體的形成和物性的評價)作為元件基板使用在元件基板6的源極4a和漏極4b上進一步形成有4-(三氟甲基)硫醇的層500的元件基板216，除此之外，與實施例8同樣地製作含有聚(3-己基噻吩)的活性層的電晶體。由此，如圖19所示，獲得在源極43和漏極41)與活性層2之間具有4-(三氟甲基)硫醇的層500的電晶體。4-(三氟甲基)硫醇的層500如下形成，在形成元件基板6後，將其浸漬在4-(三氟甲基)疏醇的乙醇溶液(lmmol/L)0.5小時，從而形成。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加40--60V柵電壓VG、-60￥源極-漏極間電壓Vsd，測定電晶體特性，由此求得電晶體的遷移率。所得結果示於表3。如表3可知，通過設置4-(三氟甲基)硫醇的層500，獲得了良好的遷移率。表3tableseeoriginaldocumentpage30(實施例13~18:具有各種厚度活性層的電晶體的形成和物性評價)除了使用聚(3-辛基噻吩)代替聚(3-己基噻吩)、且使粘貼工序的加熱處理在60。C下進行30分鐘之外，與實施例IO同樣地製作具有含有聚(3-辛基噻吩)的活性層的電晶體。在實施例13~18中，改變形成積層體5時的聚(3-辛基噻吩)的氯仿溶液濃度，形成具有各種膜厚的活性層2。在如此獲得的電晶體中，以矽基板1作為柵極，在氮氣氛下施加20-60V柵電壓VG、-60V源極-漏極間電壓Vsd，測定電晶體特性，由此求得電晶體的遷移率。所得結果示於表4。如表4一併顯示各實施例的電晶體分別具有的活性層2的厚度。表4tableseeoriginaldocumentpage30由表4可知，活性層的膜厚越厚，則可以獲得越高的遷移率。權利要求1.電晶體的製造方法，其為具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層的電晶體的製造方法，其包括在所述活性層和所述絕緣層之間存在施工液，將所述活性層和所述絕緣層粘貼的粘貼工序。2.權利要求1所述的電晶體的製造方法，其中，所述施工液與所述絕緣層的接觸角為120度以下。3.權利要求1所述的電晶體的製造方法，其中，所述施工液與所述絕緣層的接觸角為90度以下。4.權利要求1~3任一項所述的電晶體的製造方法，其中，在所述粘貼工序中粘貼的活性層形成於支撐薄膜上。5.權利要求1~4任一項所述的電晶體的製造方法，其中，在所迷粘貼工序之後，還具有除去所述施工液中揮發成份的除去工序。6.權利要求1~5任一項所述的電晶體的製造方法，其中，在所述粘貼工序中進行加熱和/或加壓。7.權利要求1~6任一項所述的電晶體的製造方法，其中，所迷活性層為取向的活性層。8.電晶體的製造方法，其為具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、以及控制通過所述電流通路的電流的柵極的電晶體的製造方法，其包括在與該面之間存在施工液而將所述活性層粘貼於形成該活性層的面的粘貼工序。9.權利要求1~8任一項所述的電晶體的製造方法，其中，所述晶機半導體化:物不^的化合J的層一。"—、、一、、10.有機半導體元件的製造方法，其為具有含有有機半導體化合物的活性層的有機半導體元件的製造方法，其包括在與該面之間存在施工液而將所述活性層粘貼於形成該活性層的面的粘貼工序。11.電晶體，其具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間的絕緣層，所述活性層和所述絕緣層通過存在於它們之間的施工液而粘貼。12.權利要求11所述的電晶體，其中，所述施工液與所述絕緣層的接觸角為120度以下。13.權利要求11所述的電晶體，其中，所迷施工液與所述絕緣層的接觸角為90度以下。14.權利要求11~13任一項所述的電晶體，其中，所述活性層為取向的活性層。15.電晶體，其具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、以及控制通過所述電流通路的電流的柵極，在與該面之間存在施工液而將所述活性層粘貼於形成該活性層的面。16.權利要求11~15任一項所述的電晶體，其中，所述源極和/或的層。17.有機半導體元件，其為具有含有有機半導體化合物的活性層的有機半導體元件，在與該面之間存在施工液而將所述活性層粘貼於形成該活性層的面。18.權利要求n所述的有機半導體元件，其中，所述活性層為取向的活性層。19.半導體裝置，其具有權利要求11~16任一項所述的電晶體。20.半導體裝置，其具有權利要求17或18所迷的有機半導體元件。全文摘要本發明的目的在於提供即便是含有預先賦予了規定特性的有機半導體化合物的活性層，也可以良好地形成於應該形成該活性層的面上的電晶體或有機半導體元件的製造方法。優選實施方式的電晶體的製造方法為具有源極和漏極、成為這些電極間的電流通路且含有有機半導體化合物的活性層、控制通過電流通路的電流的柵極、以及配置在活性層和柵極之間的絕緣層的電晶體的製造方法，其包括在活性層和絕緣層之間存在施工液，將活性層和絕緣層粘貼的粘貼工序。文檔編號H01L29/786GK101253610SQ20068003198公開日2008年8月27日申請日期2006年8月30日優先權日2005年8月31日發明者山手信一申請人:住友化學株式會社