存儲單元陣列中失效存儲單元的實際位置的自動判定與顯示的製作方法
2023-05-18 04:27:46 2
專利名稱：存儲單元陣列中失效存儲單元的實際位置的自動判定與顯示的製作方法
技術領域：
本發明一般地涉及IC(集成電路)封裝製造時的IC(集成電路)電路小片測試，更明確地說，涉及一種方法與系統，用以在具有存儲單元陣列的存儲器IC(集成電路)電路小片放大圖像中，自動判定與顯示存儲單元陣列中失效存儲單元的實際位置。
一個用於典型非易失性存儲器裝置的存儲單元陣列具有更多的閃速存儲單元(例如數百萬個閃速存儲單元)與更多的閃速存儲單元行與列。然而為簡化說明起見，
圖1所示的四個存儲單元22、24、26、28處於兩列乘以兩行的矩陣中。
參照圖2，其顯示了閃速存儲單元22、24、26、與28的其中之一的剖面圖100。閃速存儲單元為一種用於非易失性快閃記憶體裝置的浮動柵極MOS(金屬氧化物半導體)類型裝置，如電子領域一般技術人員所知。閃速存儲單元的橫截面100包含通常由多晶矽構成的控制柵極102。漏極結104以例如砷(As)或磷(P)的結摻雜劑加以摻雜，形成於半導體基底106中。以結摻雜劑做了摻雜的源極結108形成於半導體基底106中。
控制電介質結構形成於半導體基底106內的控制柵極區域110上，該控制柵極區域110配置於漏極結104與源極結108之間。控制電介質結構包含配置於半導體基底106上的第一電介質層112、配置於第一電介質層112上的第二電介質層114、與配置於第二電介質層114上的第三電介質層116。在控制電介質結構的一個示例中，第一電介質層112由二氧化矽(SiO2)所構成，第二電介質層114由氮化矽(SiN)所構成，且第三電介質層116由二氧化矽(SiO2)所構成。第一場氧化物(fieldoxide)118形成於漏極結104中，且第二場氧化物120形成於源極結108中，以隔絕由第一、第二、與第三電介質層112、114、與116所構成的柵極電介質結構及控制柵極102。
參照圖1與圖2，在一列中的每個存儲單元的漏極結連接在一起而形成位線，如電子領域一般技術人員所知。在圖1中，舉例來說，存儲單元22與26的第1列連接至第一位線32，且存儲單元24與28的第2列連接至第二位線34。在一行中的每個存儲單元的控制柵極連接在一起而形成字線，如電子領域一般技術人員所知。在圖1中，舉例來說存儲單元22與24的第1行連接至第一字線42，而存儲單元26與28的第2行連接至第二字線44。
參照圖2，在快閃記憶體裝置的存儲單元的編程操作或擦除操作時，載荷子注入第二電介質層114或由第二電介質層114注出。此第二電介質層114內載荷子的數量變化改變控制柵極102的閾值電壓，如電子領域一般技術人員所知。例如，當注入第二電介質層114的載荷子為電子時，閾值電壓便上升。另一種則是，當由第二電介質層114注出的載荷子為電子時，閾值電壓便下降。
當偏壓經由控制柵極端點122(即連接至控制柵極102的字線)施加於控制柵極102時，載荷子由漏極結104至控制電介質結構而注入或注出第二電介質層114，如電子領域一般技術人員所知。例如，當大約+12伏特的偏壓施加於控制柵極端點122以編程存儲單元時，電子由漏極結104，通過熱載子注入效應，注入第二電介質層114，如電子領域一般技術人員所知。另一種則是，當大約-12伏特的偏壓施加於控制柵極端點122以擦除存儲單元時，電子通過熱載子注入效應，由第二電介質層114注出並注入漏極結104，如電子領域一般技術人員所知。
為了由存儲單元讀取數字位信息，將一個大約5.0伏特的柵極-源極電壓與大約1.5伏特的漏極-源極電壓施加於存儲單元。藉此偏壓，存儲單元依據存儲單元是否被編程與擦除，而傳導電流或不傳導電流。這兩種情況被用作儲存數字位信息於閃速存儲單元100中的兩種狀態，如電子領域一般技術人員所知。
在製造非易失性快閃記憶體裝置的過程中，測試用於非易失性快閃記憶體裝置的存儲器IC電路小片的適當功能。用以測試存儲器IC電路小片功能的系統為熟習IC封裝製造的一般技術人員所熟知。在此測試中，此測試系統輸出無法正確工作的失效存儲單元的標號信息，以指出位於存儲器IC電路小片上的這種失效存儲單元的實際位置。
存儲器IC電路小片的標號信息在存儲器IC電路小片的集成電路配置期間產生，且此標號信息記錄在設計記錄中，如集成電路設計的一般技術人員所知。例如，參照圖3，存儲單元陣列製造於存儲器IC電路小片202上。圖3的存儲器IC電路小片202包含多個接觸焊墊(contact pad)204、206、208、210、212、214、216、218、220、與222，以提供至製造於存儲器IC電路小片202上的快閃記憶體集成電路節點的連接。一個典型存儲器IC電路小片包含更多接觸焊墊，但為描述簡明起見，在圖3中顯示了十個接觸焊墊204、206、208、210、212、214、216、218、220、與222。
進一步參照圖3，在存儲器IC電路小片202上，存儲單元陣列分成多個區段，包含第一區段232、第二區段234、第三區段236、與第四區段238。一個典型存儲器IC電路小片包含更多區段，但為描述簡明起見，在圖3中顯示了四個區段232、234、236、與238。設計存儲器IC電路小片202具有多個區段的原因是在存儲器IC電路小片202配置期間，每個區段的配置可壓模(stampted)以簡化存儲器IC電路小片202的配置，此為集成電路設計的一般技術人員所公知。因此，存儲器IC電路小片202上的每個區段232、234、236、與238，都具有大致上相同的配置。
參照圖3與圖4，每個區段具有製造於其中的對應存儲單元陣列。參照圖4，例如第一區段232，其包含多個存儲單元行與多個存儲單元列。參照圖1，在同一行存儲單元中的每個存儲單元的控制柵極均連接至對應於該行的字線。參照圖4，同一行存儲單元的字線由包含第一水平傳導結構242、第二水平傳導結構244、第三水平傳導結構246、與第四水平傳導結構248的水平傳導結構形成。
水平傳導結構可以由例如多晶矽所構成，當該水平傳導結構形成連接至同一行存儲單元的每個存儲單元控制柵極的字線時。一個區段通常具有更多的水平傳導結構，如數千個水平傳導結構，以形成較多行存儲單元。然而，為描述簡明起見，在圖4中顯示了四個水平傳導結構242、244、246、與248。
同樣地，參照圖1，同一列存儲單元的每個存儲單元的漏極連接至對應於該列的位線。參照圖4的垂直傳導結構250示例(為描述簡明起見，在圖4中的其它垂直傳導結構並未標以數字標號)。一個垂直傳導結構典型地為一條金屬線，如集成電路設計的一般技術人員所知。
一個區段典型地包含比顯示於圖4的更多數量的垂直傳導結構(如數千個垂直傳導結構)，但為描述簡明起見，在圖4顯示了較少垂直傳導結構。區段232典型地分為多個輸入/輸出(I/O)區域，包括第一I/O區域262、第二I/O區域264、第三I/O區域266、與第四I/O區域268(顯示於圖4的虛線中)。每個I/O區域於其中具有一組垂直傳導結構圖案。一個典型區段232具有更多的I/O區域，因為一個區段內有更多的垂直傳導結構，但為描述簡明起見，在圖4中顯示了4個I/O區域262、264、266、與268。此外，一個典型I/O區域具有比圖4所示更多的垂直傳導結構，但為描述簡明起見，在圖4中的每個I/O區域內顯示了6個垂直傳導結構。
設計區段232具有多個I/O區域的原因是在存儲器IC電路小片202配置期間，每個I/O區域的配置可壓模以簡化存儲器IC電路小片202的配置，如集成電路設計的一般技術人員所知。因此，每個I/O區域262、264、266、與268大致上具有相同的配置。此外，製備至少一個垂直傳導結構，作為兩相鄰I/O區域間的冗餘區域，從而使相鄰I/O區域可由外觀上彼此區別。例如，於圖4，第一垂直傳導結構272形成位於第一I/O區域262與第二I/O區域264間的第一冗餘區域，第二垂直傳導結構274形成位於第二I/O區域264與第三I/O區域266間的第二冗餘區域，且第三垂直傳導結構276形成位於第三I/O區域266與第四I/O區域268間的第三冗餘區域。
在測試具有存儲單元陣列的存儲器IC電路小片時，測試站通過輸出失效存儲單元的區段標號、I/O標號、行標號、與列標號而指出失效存儲單元的實際位置。參照圖3，區段標號表示其中具有失效存儲單元的區段232、234、236、與238中的其中一個。參照圖4，I/O標號表示其中具有失效存儲單元，且位於對應於區段標號的區段內的I/O區域262、264、266、與268中的其中一個。列標號表示連接至失效存儲單元漏極，且位於對應於I/O標號的I/O區域內的垂直傳導結構的其中之一。行標號指出連接至失效存儲單元控制柵極的水平傳導結構242、244、246、與248的其中之一。
當測試站判定標號信息，包括失效存儲單元的區段標號、I/O標號、行標號與列標號，操作者定位連接至此失效存儲單元的水平傳導結構與垂直傳導結構，從而判定存儲器IC電路小片上失效存儲單元的實際位置。進一步測試可在失效存儲單元上執行，以判定對應於失效存儲單元的水平傳導結構與垂直傳導結構位置，及存儲器IC電路小片上失效存儲單元的實際位置，從而更進一步地判定存儲單元失效原因。根據存儲單元失效原因的判定，可採取修正行動以避免於製造存儲器IC電路小片時產生失效存儲單元。
在原有技術中，當測試站輸出失效存儲單元的區段標號、I/O標號、行標號、列與標號的標號信息時，操作者研究如何配置存儲器IC電路小片的設計記錄，以將標號信息轉換至存儲器IC電路小片上的失效存儲單元實際位置。操作者察看存儲器IC電路小片的放大圖像，且計算水平傳導結構與垂直傳導結構，以人工方式轉換失效存儲單元的區段標號、I/O標號、行標號、與列標號的標號信息至存儲器IC電路小片上失效存儲單元的實際位置。
這種失效存儲單元實際位置的人工判定需要操作者計算數千個水平傳導結構與垂直傳導結構。結果，原有技術以人工判定失效存儲單元的實際位置既耗時且又易於產生人為錯誤。
因此，需要有一種機制來自動地判定與顯示存儲器IC(集成電路)電路小片放大圖像上的存儲單元陣列的失效存儲單元實際位置。
從本發明的一般概念上說，計算機系統的數據處理器接收對應於存儲器IC電路小片的存儲器IC(集成電路)電路小片名稱。數據處理器亦接收區段標號。存儲器IC電路小片包含多個區段，且失效存儲單元位於對應於區段標號的區段內。數據處理器由數據儲存單元，檢索對應於存儲器IC電路小片名稱的存儲器IC電路小片第一放大圖像。數據處理器將區段標號映射至一區段，該區段對應於存儲器IC電路小片的第一放大圖像上的區段標號，並且可以顯示存儲器IC電路小片的第一放大圖像，且對應於區段標號的區段在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
在本發明另一實施例中，數據處理器接收一個I/O(輸入/輸出)標號。對應於區段標號的區段包含多個I/O(輸入/輸出)區域，且失效存儲單元位於對應於I/O標號的I/O區域內。數據處理器由數據儲存單元，檢索對應於區段標號的區段第二放大圖像。數據處理器將I/O標號映射至一I/O區域，該區域對應於區段標號的區段的第二放大圖像上的I/O標號，並顯示對應於區段標號的區段第二放大圖像，且對應於I/O標號的I/O區域在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
在本發明又一實施例中，數據處理器接收列標號。對應於I/O標號的I/O區域包含多個存儲單元列。每一列存儲單元具有一垂直傳導結構，該垂直傳導結構連接至本列中多個存儲單元的每個存儲單元的節點，且失效存儲單元位於對應於列標號的存儲單元列內。數據處理器由數據儲存單元，檢索對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像。數據處理器將列標號映射至對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的列標號的垂直傳導結構，該數據處理器並顯示對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像，且對應於列標號的垂直傳導結構在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
在本發明的再一個實施例中，數據處理器接收行標號。對應於I/O標號的I/O區域包含多個存儲單元行，且每一行存儲單元具有一水平傳導結構，該水平傳導結構連接至本行中多個存儲單元的每個存儲單元的節點。失效存儲單元位於對應於行標號的存儲單元行內。數據處理器從數據儲存單元來檢索對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像。數據處理器將行標號映射至對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的行標號的水平傳導結構。該數據處理器並顯示對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像，且對應於行標號的水平傳導結構於GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
當存儲器IC電路小片為由浮動柵極MOS(金屬氧化物半導體)存儲單元陣列所構成的非易失性快閃記憶體裝置時，本發明具有特殊的優點。在此情況下，水平傳導結構可以為連接至浮動柵極MOS存儲單元每列的控制柵極的多晶矽線，且垂直傳導結構可以為連接至浮動柵極MOS存儲單元每行的漏極的金屬線。
以此方式，在相對短暫的時間內(例如一分鐘的若干分之一)，根據失效存儲單元的標號信息，將水平傳導結構的實際位置、垂直傳導結構的實際位置、以及存儲器IC電路小片的放大圖像上的失效存儲單元的實際位置自動加以判定，並顯示於GUI(圖形用戶界面)上。因此，操作者避免了原有技術人工判定過程中要計算數以千計傳導結構的耗時工作。此外，本發明避免了原有技術人工判定過程中的人為錯誤。
通過考慮下列結合附圖所做的的本發明詳細說明，將可更加了解本發明上述的與其它的特徵及優點。
發明實施方式參照圖5，示例性計算機系統300的方塊圖包含數據處理器302與數據儲存單元304。數據儲存單元304可以包含計算機系統300的靜態儲存裝置——例如ROM(只讀存儲器)裝置、計算機系統300的主要存儲器——例如RAM(隨機存取存儲器)裝置、和/或任何其它種類的數據儲存裝置——例如磁碟或光碟，如電子領域一般技術人員所知。數據儲存單元304儲存數據處理器302所要執行的數據與指令，且亦可於數據處理器302執行指令時儲存暫時變量，如電子領域一般技術人員所知。
計算機系統300亦包含外部數據輸入裝置，例如鍵盤306與滑鼠308，該外部數據輸入裝置為電子領域一般技術人員所公知。此外，計算機系統300亦包含顯示器310，例如GUI(圖形用戶界面)屏幕，如電子領域一般技術人員所知。
於本發明的一般概念，根據測試站產生的失效存儲單元標號信息，使用計算機系統300來自動判定與顯示存儲器IC(集成電路)電路小片放大圖像上的存儲單元陣列的失效存儲單元實際位置。計算機系統300的數據處理器302執行包含在數據儲存單元304內的指令序列。這些指令可從另一計算機可讀取媒介——例如磁碟或光碟——而編程至計算機系統300的主存儲器或寫入計算機系統300的主存儲器。這些指令序列的執行使得數據處理器302完成本發明在此所述的實施例的各步驟。
圖6顯示一流程圖，其包含本發明的實施例的一般步驟，用以根據測試站所產生的失效存儲單元標號信息，自動判定與顯示存儲器IC(集成電路)電路小片放大圖像上的存儲單元陣列的失效存儲單元實際位置。
許多種類的存儲器IC電路小片被製造來提供不同的存儲容量。不同種類的存儲器IC電路小片具有不同的配置。例如，提供較高存儲容量的非易失性存儲器IC電路小片會具有較大的電路小片尺寸，具有較多數目的區段，其中每一個區段也較大。參照圖5與圖6，本發明的實施例的操作包含由數據處理器302接收存儲器IC電路小片的存儲器IC電路小片名稱的步驟，該存儲器IC電路小片具有所要定位的失效存儲單元(圖6中步驟402)。
參照圖7，數據處理器302可在於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上提供一個下拉菜單312，顯示存儲器IC電路小片名稱。操作者使用鍵盤306或滑鼠308，從下拉菜單312上選擇存儲器IC電路小片名稱。以圖7的下拉菜單312為例，可能的存儲器IC電路小片名稱為ACC4888″、DOC9867″、LS1432」、KHJJ0011″、與TFJI0000″。用於產生下拉菜單312的編程應用程式，例如出自位於加州舊金山Macromedia，Inc.的Authorware Professional Macromedia Program，則為軟體編程的一般技術人員所熟知，且可在市場上得到。
參照圖6，失效存儲單元的標號信息由數據處理器302所接收(圖6的步驟404)。如本文所述，參照圖3與圖4，標號信息可包含存儲單元陣列內的失效存儲單元的區段標號、I/O標號、列標號、與行標號。參照圖8，根據本發明一實施例，操作者可使用鍵盤306而將這類標號信息輸入到GUI(圖形用戶界面)屏幕310上。在本發明另一實施例中，產生此失效存儲單元標號信息的測試站將此標號信息送至數據處理器302。
參照圖6，數據處理器302接著由數據儲存單元304檢索存儲器IC電路小片的第一放大圖像，該存儲器IC電路小片對應於所述存儲器IC電路小片名稱(圖6的步驟406)。對應於不同放大倍率並對應於存儲器IC電路小片的不同位置，而產生存儲器IC電路小片的放大圖像的系統，則為IC封裝製造的一般技術人員所公知。此外，用以儲存此存儲器IC電路小片放大圖像於計算機系統300的數據儲存單元304的裝置，則為電子領域一般技術人員所公知。不同的存儲器IC電路小片的放大圖像被產生並儲存於數據儲存單元304內。
參照圖6，數據處理器302接著將區段標號映射至對應於存儲器IC電路小片的第一放大圖像上的區段標號的區段(圖6的步驟408)。將信息映射至圖形圖像上的一區域的編程應用程式，例如出自位於加州舊金山的Macromedia，Inc.的Authorware Professional MacromediaProgram，則為軟體編程一般技術人員所公知，並可在市場上得到。此應用程式用以進行編程，將區段標號映射至對應於存儲器IC電路小片的第一放大圖像上的區段標號的區段。
參照圖9，數據處理器302將存儲器IC電路小片的第一放大圖像顯示在GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，其中對應於區段標號的區段被突出顯示(圖6的步驟410)。在圖9中，例如圖3的存儲器IC電路小片202假設區段標號是對應於第三區段236的3″。在此情況下，圖3的存儲器IC電路小片202放大圖像顯示於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，其中第三區段236被突出顯示。
參照圖6，數據處理器302接著由數據儲存單元304(圖6的步驟412)檢索對應於區段標號的區段的第二放大圖像。第二放大圖像為對應於區段標號的區段的圖形圖像，具有比整個存儲器IC電路小片的第一放大圖像更高的放大倍率。
數據處理器接著將I/O標號映射至一I/O區域，該I/O區域對應於區段的第二放大圖像上的I/O標號，該區段對應於區段標號(圖6的步驟414)。編程應用程式，例如出自加州舊金山的Macromedia，Inc.的Authorware Professional Macromedia Program，將信息映射至圖形圖像上的一區域，此為軟體編程一般技術人員所公知並可在市場上商業上得到。這種編程應用程式用以進行編程，將I/O標號映射至對應於區段標號的區段的第二放大圖像上的I/O標號的I/O區域。
如本文中參照圖4所述，一個區段包含多個I/O區域。I/O標號對應於其中含有失效存儲單元的I/O區域。參照圖10，數據處理器302將對應於區段標號的區段的第二放大圖像350顯示於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，其中對應於I/O標號的I/O區域被突出顯示(圖6的步驟416)。在圖10中，例如圖4的區段232，假設I/O標號是對應於區段232內的第四I/O區域268的4″。在此情況下，圖4的區段232的放大圖像顯示於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，其中第四I/O區域268被突出顯示。
參照圖6，數據處理器302接著由數據儲存單元304檢索對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像(圖6的步驟418)。第三放大圖像為對應於I/O標號的I/O區域的圖形圖像，具有比對應於區段標號的區段的第二放大圖像更高的放大倍率。
數據處理器接著將列標號映射至一垂直傳導結構，該垂直傳導結構對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的列標號(圖6的步驟420)。編程應用程式，例如出自位於加州舊金山的Macromedia，Inc.的Authorware Professional Macromedia Program，將信息映射至圖形圖像上的一區域，這種編程應用程式為軟體編程一般技術人員所公知，且可在市場上得到。該應用程式用以進行編程，將列標號映射至對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的列標號的垂直傳導結構。
如本文參照圖4所述，一個I/O區域包含多個垂直傳導結構，而每個垂直傳導結構連接至一列MOS型閃速存儲單元的漏極。列標號對應於連接至具有失效存儲單元的該列閃速存儲單元的垂直傳導結構。
參照圖11，數據處理器302將對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像顯示於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，其中對應於列標號的垂直傳導結構被突出顯示(圖6的步驟422)。例如在圖11中，左邊I/O區域352與右邊I/O區域354為一冗餘區域356所分隔(區域352、354、與356位於圖11虛線內)。左邊I/O區域352為對應於I/O標號的I/O區域，具有位於其中的失效存儲單元，且這一I/O區域352的第三放大圖像顯示於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上。一個冗餘區域形成於兩相鄰I/O區域之間，使得相鄰的各I/O區域在I/O區域的放大圖像內可以從視覺上彼此區別開。
參照圖11，每個I/O區域具有一組垂直傳導結構，其中相鄰兩組垂直傳導結構之間具有更遠的間隔，從而使相鄰各組垂直傳導結構可以在I/O區域的放大圖像內從視覺上彼此區別開。在圖11的示例中，I/O區域352具有含有十個垂直傳導結構的第一組362與含有十個垂直傳導結構的第二組364(其中各傳導結構組362與364位於圖11中的虛線內)。垂直傳導結構的第一組362與第二組364相鄰，且為相對更遠的間隔所分隔。在圖11的示例中，列標號由垂直傳導結構第二組364的左邊映射至第五垂直傳導結構，且對應於列標號的該垂直傳導結構在GUI(圖形用戶界面)屏幕310上被突出顯示。
參照圖6，數據處理器302亦將行標號映射至水平傳導結構，該水平傳導結構對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的行標號(圖6的步驟424)。編程應用程式，例如出自位於加州舊金山Macromedia，Inc.的Authorware Professional Macromedia Program，將信息映射至圖形圖像上的一區域，此為軟體編程一般技術人員所公知，且在市場上可得到。此應用程式用以進行編程，將行標號映射至對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像上的行標號的水平傳導結構。
如本文中參照圖4所述，一個I/O區域包含多個水平傳導結構，其中每個水平傳導結構連接至一行MOS(金屬氧化物半導體)型存儲單元的控制柵極。行標號對應於連接至具有失效存儲單元的該行存儲單元的水平傳導結構。
參照圖11，數據處理器302顯示I/O區域的第三放大圖像於GUI(圖形用戶界面)屏幕310上，該I/O區域對應於I/O標號，其中對應於行標號的水平傳導結構被突出顯示(圖6的步驟426)。在圖11中，舉例來說，行標號由頂部映射至第四水平傳導結構，其中對應於該行標號的這一水平傳導結構在GUI(圖形用戶界面)屏幕310上被突出顯示。
通過這種方式，產生存儲器IC電路小片的第一放大圖像，其中對應於區段標號的區段被突出顯示(舉例來說如圖9所示)。此外，產生對應於區段標號的區段的第二放大圖像，其中對應於I/O標號的I/O區域被突出顯示(舉例來說如圖10所示)。此外，產生對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像，其中對應於列標號的垂直傳導結構與對應於行標號的水平傳導結構被突出顯示(例如圖11所示)。
計算機系統300根據存儲器IC電路小片的失效存儲單元的標號信息而自動產生上述放大圖像。通過這種方式，在相對短的時間間隔內(例如一分鐘的若干分之一)，根據失效存儲單元的標號信息，而將存儲器IC電路小片放大圖像上的水平傳導結構、垂直傳導結構、與失效存儲單元的實際位置自動判定與顯示於GUI(圖形用戶界面)上。因此，操作者避免了原有技術中人工判定過程的計算數以千計的傳導結構的耗時工作。此外，本發明避免了原有技術人工判定過程中的人為錯誤。
當存儲器IC電路小片在另一測試系統的顯微鏡下，以進一步判定失效存儲單元的失效原因時，操作者即接著使用上述圖像，以輔助判定位於存儲器IC電路小片上的失效存儲單元結構的實際位置。根據所判定的存儲單元失效的原因，可採取修正動作以避免於存儲器IC電路小片的製造中產生失效存儲單元。
以上所述僅為示例，並非意在進行限定。例如，本發明所述為存儲器IC電路小片的示例配置。然而，本發明可應用於各種存儲器IC電路小片的各種類型的配置，而這對於本領域一般技術人員而言，根據本文敘述是顯而易見的。
此外，本發明可用於產生存儲器IC電路小片的第一放大圖像與對應於被突出顯示的區段標號的區段、和/或對應於區段標號的區段的第二放大圖像與對應於被突出顯示的I/O標號的I/O區域、和/或對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像與對應於被突出顯示的列標號的垂直傳導結構和/或對應於行標號的水平傳導結構的任何組合。
此外，如本領域技術人員將會理解的，本文所描述的結構可通過相同方式製造或使用，而無論其位置與方向。因此，應了解本文中所使用的名稱與詞組例如左邊、頂端、行、與列，系關於結構中各部分彼此的相對位置與方向，而並非意圖建議任何相對於外界物體的特定絕對方向為必須或必要。
本發明僅由所附權利要求與其等效方案所限定。
權利要求
1.一種方法，用以自動判定與顯示在存儲器IC(集成電路)電路小片上的存儲單元陣列中的失效存儲單元的實際位置，所述方法包含步驟有由數據處理器接收對應於該存儲器IC電路小片的存儲器IC(集成電路)電路小片名稱；由該數據處理器接收區段標號，其中該存儲器IC電路小片包含多個區段，且其中該失效的存儲單元位於對應於該區段標號的區段內；由該數據處理器從數據儲存單元檢索對應於該存儲器IC電路小片名稱的該存儲器IC電路小片的第一放大圖像；以及由該數據處理器將該區段標號映射至對應於該存儲器IC電路小片的該第一放大圖像上的該區段標號的區段。
2.如權利要求1的方法，其進一步包含有步驟由該數據處理器顯示該存儲器IC電路小片的該第一放大圖像，而對應於該區段標號的該區段在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
3.如權利要求1的方法，其進一步包含有步驟由該數據處理器來接收I/O(輸入/輸出)標號，其中對應於該區段標號的該區段包含多個I/O(輸入/輸出)區域，且其中該失效的存儲單元位於對應於該I/O標號的一個I/O區域內；由該數據處理器從該數據儲存單元檢索對應於該區段標號的該區段的第二放大圖像；由該數據處理器將該I/O標號映射至對應於該區段標號的該區段的該第二放大圖像上的該I/O標號的I/O區域；以及由該數據處理器顯示對應於該區段標號的該區段的該第二放大圖像，而對應於該I/O標號的該I/O區域在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
4.如權利要求3的方法，其進一步包含有步驟由該數據處理器接收列標號，其中對應於該I/O標號的該I/O區域包含多個存儲單元列；且其中存儲單元的每一列具有一垂直傳導結構，該垂直傳導結構連接至該列內該多個存儲單元中的每個存儲單元的節點，且其中該失效的存儲單元位於對應於該列標號的存儲單元列內；由該數據處理器從該數據儲存單元檢索對應於該I/O標號的該I/O區域的第三放大圖像；由該數據處理器將該列標號映射至對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像上的該列標號的垂直傳導結構；以及由該數據處理器顯示對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像，而對應於該列標號的該垂直傳導結構在該GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
5.如權利要求3的方法，其進一步包含有步驟由該數據處理器接收行標號，其中對應於該I/O標號的該I/O區域包含多個存儲單元行；且其中存儲單元的每一行具有一水平傳導結構，該水平傳導結構連接至該行內該多個存儲單元中的每個存儲單元的節點，且其中該失效的存儲單元位於對應於該行標號的存儲單元行內；由該數據處理器從該數據儲存單元檢索對應於該I/O標號的該I/O區域的第三放大圖像；由該數據處理器將該行標號映射至對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像上的該行標號的水平傳導結構；以及由該數據處理器顯示對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像，而對應於該行標號的該水平傳導結構在該GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
6.一種計算機系統，包括處理器；及數據儲存單元，其中儲存有對應於多個存儲器IC(集成電路)電路小片名稱中的每個存儲器IC(集成電路)電路小片名稱的分別的一組多個圖像；且其中該數據儲存單元有儲存於其中的指令序列，且其中由該處理器執行該指令序列，使得該處理器通過執行下列步驟而自動判定與顯示在存儲器IC(集成電路)電路小片上的存儲單元陣列中失效的存儲單元的實際位置接收對應於具有該失效的存儲單元的該存儲器IC電路小片的存儲器IC(集成電路)電路小片名稱；接收區段標號，其中該存儲器IC電路小片包含多個區段，且其中該失效的存儲單元位於對應於該區段標號的區段內；從該數據儲存單元檢索對應於該存儲器IC電路小片名稱的該存儲器IC電路小片的第一放大圖像；以及將該區段標號映射至對應於該存儲器IC電路小片的該第一放大圖像上的該區段標號的區段。
7.如權利要求6的計算機系統，其中該數據處理器進一步執行下列步驟顯示該存儲器IC電路小片的該第一放大圖像，而對應於該區段標號的該區段在該計算機系統的GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
8.如權利要求6的計算機系統，其中該數據處理器進一步執行下列步驟接收I/O(輸入/輸出)標號，其中對應於該區段標號的該區段包含多個I/O(輸入/輸出)區域，且其中該失效的存儲單元位於對應於該I/O標號的I/O區域內；從該數據儲存單元檢索對應於該區段標號的該區段的第二放大圖像；將該I/O標號映射至對應於該區段標號的該區段的該第二放大圖像上的該I/O標號的I/O區域；以及顯示對應於該區段標號的該區段的該第二放大圖像，而對應於該I/O標號的該I/O區域在GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
9.如權利要求8的計算機系統，其中該數據處理器進一步執行下列步驟接收行標號，其中對應於該I/O標號的該I/O區域包含多個存儲單元列；且其中存儲單元的每一列具有一垂直傳導結構，該垂直傳導結構連接至該列內該多個存儲單元中的每個存儲單元的節點，且其中該失效的存儲單元位於對應於該列標號的存儲單元列內；從該數據儲存單元檢索對應於該I/O標號的該I/O區域的第三放大圖像；將該列標號映射至對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像上的該列標號的垂直傳導結構；以及顯示對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像，具有對應於該列標號的該垂直傳導結構在該GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
10.如權利要求8的計算機系統，其中該數據處理器進一步執行下列步驟接收行標號，其中對應於該I/O標號的該I/O區域包含多個存儲單元行；且其中存儲單元的每一行具有一水平傳導結構，該水平傳導結構連接至該行內該多個存儲單元中的每個存儲單元的節點，且其中該失效的存儲單元位於對應於該行標號的存儲單元行內；從該數據儲存單元檢索對應於該I/O標號的該I/O區域的第三放大圖像；將該行標號映射至對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像上的該行標號的水平傳導結構；以及顯示對應於該I/O標號的該I/O區域的該第三放大圖像，而對應於該行標號的該水平傳導結構在該GUI(圖形用戶界面)上被突出顯示。
全文摘要
一種計算機系統(300)，其根據測試站產生的失效存儲單元標號信息而自動判定與顯示存儲器IC(集成電路)電路小片放大圖像上的存儲單元陣列中失效的存儲單元的實際位置。標號信息包含任何區段標號、I/O標號、列標號、與行標號的組合。存儲器IC電路小片包含多個區段，且區段標號對應於其中具有失效存儲單元的區段。區段包含多個I/O(輸入/輸出)區域，其中I/O標號指定在具有區段標號的區段內、其中具有失效存儲單元的I/O區域。I/O區域包含多個水平傳導結構與垂直傳導結構。列標號指定連接至失效存儲單元的垂直傳導結構，且行標號指定連接至失效存儲單元的水平傳導結構，其中I/O區域具有I/O標號。計算機系統(300)接收標號信息並在計算機系統(300)的GUI(圖形用戶界面)(310)上自動判定與顯示存儲器IC電路小片的第一放大圖像與對應於被突出顯示的區段標號的區段、和/或對應於區段標號的區段的第二放大圖像與對應於被突出顯示的I/O標號的I/O區域、和/或對應於I/O標號的I/O區域的第三放大圖像與對應於被突出顯示的列標號的垂直傳導結構和/或對應於行標號的水平傳導結構的任何組合。
文檔編號H01L27/115GK1440570SQ01812247
公開日2003年9月3日 申請日期2001年6月8日 優先權日2000年7月3日
發明者S·安那塔朋, S·發瑞瑟普, W·索路克 申請人:先進微裝置公司