電化學機械沉積的方法和裝置的製作方法
2023-05-22 02:08:41 2
專利名稱：電化學機械沉積的方法和裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及電化學機械沉積的方法和裝置，特別涉及提供於在半導體晶片上沉積和拋光導體材料的方法和裝置。
半導體晶片的金屬化，即沉積一層金屬到金屬阻擋層/晶層上的晶片表面上在半導體工業中具有重要和廣泛的應用。常規上，鋁和其它金屬作為組成半導體晶片的許多金屬層的一種被沉積。近來，用於半導體晶片相互連接的銅的沉積引起了較大的興趣，這是由於，和鋁相比，銅減小了電阻，並允許應用銅的半導體晶片運轉得更快且產生很小的熱量，導致晶片功率和效率顯著的增大。
銅的保形薄膜沉積到深亞微米通孔和溝槽內在ULSI晶片處理中變得更加困難，特別是當特徵尺寸減小到0.25μm以下且縱橫比大於5∶1時。已經使用通常的化學汽相沉積和電鍍技術，以把這些蝕刻到矽襯底的深空腔填充。迄今的這些方法對於開發與集成ULSI技術局部連接已產生出非常高的成本和缺陷密度。
引起高成本的因素之一是導體材料特別是銅的應用方式。特別是，眾所周知，在電解液中應用稱作均化劑的特定雜質，以阻止或減小金屬到晶片襯底表面的沉積速率。由於這些雜質的尺寸比要被填充的典型通孔的尺寸要大，金屬到晶片表面的沉積被部分阻止了。然而，這種阻止是消耗電解液中加入的雜質而得到的，這就部分導致通孔不具有所需的導電特徵。特別是，由於使用所述雜質，沉積導體的粒度不如所需的那麼大，從而導致產品器件的質量問題，除此之外，由於隨後需要重要的退火時間，增加了費用。
此外，為得到所需結構，其中導體材料存在在通孔中，而不是位於襯底表面，仍需要單獨的沉積和拋光步驟。應用陽極，陰極和含有金屬的電解液的常規金屬沉積是眾所周知的，在此之後，仍需要一個拋光步驟，該拋光步驟對於目前的高性能器件，是一個典型的化學-機械拋光步驟。儘管化學機械拋光得到滿意的結果，但它是以可觀的費用得到該滿意結果的，且在應用懸浮液時需要大的精確度，以便得到滿意的導電錶面上的高拋光度。
因此，需要一種把導體鍍到半導體晶片上的較低費用和更加精確的方法。
本發明的一個目的是提供一種在半導體晶片上沉積和拋光導體材料的方法和裝置。
本發明的一個目的是提供一種同時在半導體晶片上沉積和拋光導體材料的方法和裝置。
本發明一個目的是提供一種方法和裝置，該方法和裝置把導體材料沉積到半導體晶片的深空腔中，同時從半導體晶片的上表面區域拋光/排出電解液。
本發明的另外一個目的是提供一種在半導體晶片上沉積導體材料中使用的電解液的再循環方法和裝置。
本發明的這些和其它目的是通過從電解液把導體材料沉積到晶片預定區域而得到的。實現本申請所用的步驟包括當該晶片被安排在陽極附近時，應用置於晶片表面上的電解液，把導體材料施加到晶片的預定區域上，並且在導體材料被正在沉積時，通過機械拋光，保護，或減少電解液與其他區域的接觸，阻止導體材料積累到不是預定區域的區域上。
執行所述方法的裝置包括施加電源時能夠接收第一電勢的陽極。陰極或晶片和陽極隔開，在施加電源時能夠接收和第一電勢相反的第二電勢。一個墊塊或多個墊塊被安排在陽極和陰極之間，該墊塊關於晶片的表面是可移動的，當電源施加到陽極和陰極時，防止或減小導體材料鍍到某些其它區域上。此外，在應用電源時，一個流體箱允許電解液被安排在晶片或墊塊的表面上，並且導體材料形成在晶片的所需區域上。
通過下面本發明優選實施例的實施方案的詳細描述，並聯繫附圖，本發明這些和其它目的及優點變得更加明白和容易理解，其中
圖1A和1B示出了本發明的第一個實施方案。
圖2示出了本發明的第二個實施方案。
圖3示出了根據本發明用導體填充的代表性通孔，以及圖4A-4C示出了本發明的第三個實施方案。
現在將描述本發明的優選實施方案。如上述，常規處理在不同的時間應用不同的裝配，以得到半導體晶片表面上的通孔或其它所需位置裡的導體材料，而不使導體材料安排在不需要的位置上，該半導體晶片包含許多不同的半導體晶片。因此，生產高質量半導體集成電路元件需要的裝配成本可能過大。
本發明用相同裝置試圖實施不同實施方案，該裝置稱作「電化學機械沉積裝置」，以被用於沉積導體材料，還應用到拋光或減小導體材料沉積速率上。該「電化學機械沉積裝置」也可應用到同時沉積和/或拋光導體材料上。儘管本發明可被應用到任何導體材料或任何適合電鍍的工件上，但是它特別適合應用於銅作導體，適合在具有亞微米特徵且有大的縱橫比的ULSI集成電路的生產中應用。在各種實施方案中，本發明應用常規元件，以獨特方式布置，以得到在此描述的功能性。
首先參考圖3，以說明集成電路的一部分，該部分電路包括形成通孔的區域。在半導體技術中周知的，該通孔是把不同電路層電連接在一起的導體材料。如圖3所示，通孔包含導體2，該導體能夠連接下水平導體區域4和上水平導體區域6。絕緣材料8圍繞該導體。當然，應當理解，本發明能夠對多層集成電路晶片的任何金屬層起作用。
圖1A和1B說明了本發明的第一個實施方案，該方案具有兩種不同的操作方式。在第一個方式中，導體材料，優選銅，或其它導體材料，使用電解液鍍到通孔和/或其它所需的區域中，同時由於機械拋光和/或從此後描述的半導體晶片的上表面區域脫除掉電解液，導體材料在不需要區域的聚集被清除，或至少減至最小。在第二個操作方式中，應用常規化學機械拋光，晶片的拋光可應用相同的該裝置執行，拋光到上述化學機械拋光所需要的程度。根據本發明的該實施方案，考慮到在大多數情況下只需要第一個操作方法。第二個操作方式和相應結構被用在需要非常高的拋光度的情況中。
圖1A示出了根據本發明第一個實施方案的電化學機械沉積裝置10的概觀圖，以透視圖示出了機械墊塊組件12，其具有圍繞第一個軸14旋轉的機械墊塊32，示出了晶片頭組件16，其具有圍繞第二個軸18旋轉的晶片。如圖示出的，晶片在被機械墊塊32覆蓋的區域內旋轉，如在以下將詳細描述的，該區域在容器20中，該容器使各種溶液放置在此。雖然所示的為作用於單一晶片，但是應當理解，多個晶片頭組件16可以和每個機械墊塊組件12聯繫在一起，且裝置10可能包括多個機械墊塊組件12，每一個作用在不同的晶片上。
圖1B示出了根據本發明，沿著圖1A的A-A線方向的裝置10的側面橫截面圖。如示出的，系統10能夠把金屬薄膜沉積到晶片上。
每一個晶片頭組件16包括一個絕緣的，優選圓形的頭部組件22和一個空腔，該空腔優選在其中心有幾個毫米深，且該空腔可容納靜止墊塊25。應用常規傳送類或真空類機械裝置將半導體晶片裝載到空腔22中，首先背面對著靜止墊塊25，以保證該晶片關於使用的晶片頭組件是靜止的。在晶片頭組件10外圍的絕緣擋圈24至少包括一個O-環或其它橡膠類密封26和載有彈簧的陰極接觸電極28，每一個推壓晶片的表面，且在極邊緣處把晶片固定定位。如下述，從而得到不透液密封，使得陰極接觸電極28同在容器20中的溶液隔離。推壓靜止墊塊25的晶片的整個背面和位於擋圈24下面的前表面區域(典型地是前表面區域的外部1-10mm表面)由此被保護，不受包括電解液在內任何和所有溶液的影響，如下所述。
機械墊塊組件12被放置在容器20中，如前面和以下描述的，該容器20容納將被引入的各種溶液。機械墊塊組件12包括一種陽極板30，該陽極板優選具有薄平環形，由諸如銅和/或鉑的多孔或固體導體材料做成，並且該板被安裝得使得它圍繞第二軸18旋轉，並且放置在已知的工作檯和軸承支座上。例如，在本技術領域中周知的，且在化學機械拋光中應用的機械墊塊32，被安裝在陽極板30的表面上，該墊塊優選以諸如聚胺酯的絕緣多孔型材料做成。機械墊塊32優選地具有環形，但也可以做成其它形狀，只要它能夠有效地對晶片進行拋光就行。電解液可以經過箱31，從位於陽極板32後面的容器(未示出)中，送到墊塊32，其中，箱31應用進入通道34，使電解液通過陽極板30和墊塊32而供出。另一種方法，也可應用進入通道44，它直接把電解液向下分散到墊塊32的表面上。
晶片頭組件16面對著機械墊塊組件12，以受控力下推。晶片頭組件16應用常規機動軸36，圍繞軸18旋轉，而機械墊塊裝配12應用常規機動軸38，圍繞軸14旋轉。
合適的排水道40提供電解液的安全再循環或處理。因此，如上述，一旦電解液被放置在墊塊32上，它能夠經過排水道40排到恢復容器中，該容器也未示出，它能補充和清洗電解液，從而允許再利用並對環境安全。
如下述討論的，當以本發明的第二個方式操作時，進口44也可用來施加去離子水。
在根據本發明的第一個方式的操作中，應用電源，裝置10把負電勢施加到陰極接觸28上，並把正電勢施加到陽極30上。通過一個或兩個進入通道34和44，電解液被引入到機械拋光墊塊32的表面上。當兩個電極之間形成電流時，電解液中的金屬分子被電離，並由於陰極接觸28的吸引，被沉積在晶片的表面上。發生這一切的同時，還利用機械墊塊組件12執行機械拋光。由於機械墊塊32的拋光或摩擦作用，機械墊塊組件12基本上使金屬分子不能永久地沉積在不需要該沉積的晶片表面上。因此，上面提到的目前使用的阻止或減小所述沉積的雜質或添加劑就不需要了，或者，以較小的百分比使用。因此，當第一個操作方式結束時，金屬沉積到所需的通孔等中，並且基本上阻止了在不需要區域上的沉積。
在第二個操作方式中，根據經過進入通道44引入的化學物質，可執行許多不同的常規操作。如果需要化學機械拋光，可引入一種懸浮液，儘管該特定操作方式由於相當地增加了引入到裝置流體箱裡的雜質含量而不是優選的。在優選的第二個操作方式中，裝置10可被用於晶層拋光，或通過反向電流極性(陰極和陽極極性)作為電-拋光器應用。此外，如果必需使晶片乾淨而用去離子水溼潤，裝置10也可用M水清洗，並且可以進行使用機械墊塊32及去離子水進行的拋光。此後，抬起晶片離開墊塊32後，可以進行旋轉晶片頭組件12上的晶片的旋轉乾燥。
圖2示出了本發明的另一個實施方案。相同的標號用於指示上述圖1A和1B中的對應結構。在本發明的該實施方案中，晶片是靜止的，電化學機械沉積裝置100是放置在收集廢液容器(未示出)中的。電化學機械沉積裝置100在結構上很大程度地與先前根據圖1B描述的晶片頭組件16相對應。然而，在該實施方案中，電化學沉積裝置100包括機械墊塊32，該墊塊通過主軸36旋轉。通過使用常規的DC發動機102，砝碼104，支撐裝置106和108及彈簧110，該主軸36被旋轉和左右移動及保持在合適位置。
電解液通過進入通道34被引入，經過多孔電極30和機械墊塊32，流到晶片所需的表面上。電解液通過排出通道40排出。
圖2實施方案的操作和根據圖1A和1B描述的第一方式的操作非常相似。特別是，例如先前描述的，應用電解液得到導體材料到所需通孔和/或其它區域上的沉積，同時利用旋轉墊塊32，對晶片表面機械拋光，該旋轉墊塊可以是矩形，圓形或餅形等。
根據本發明的電化學機械沉積裝置同樣減少了脈衝發生電源的需要，這是因為由墊塊運動引起的機械脈衝產生了足夠的脈衝。當該墊塊相對於晶片運動時，該機械脈衝作為晶片與墊塊相接觸的結果而產生。機械脈衝的好處是提高了粒度和銅膜完整性，且不需要具有脈衝能力的電源。
圖4A-4C說明了本發明的另一個優選實施方案。相同的標號指示對應於上述圖1A，1B和圖2中的對應結構。在本發明的該實施方案中，電化學機械沉積裝置200包含機械墊塊組件210和晶片頭組件240，該機械墊塊組件210對應於機械墊塊組件12，該晶片頭組件240對應於晶片頭組件16。在該實施方案中，電化學機械沉積裝置200包括安裝在圓柱形陽極214上的圓形或正方形的機械墊塊212，如圖4A和4C所示，該陽極圍繞第一軸216旋轉，而如圖4B所示，晶片圍繞第二軸242旋轉。
機械墊塊212具有的尺寸可以是拋光晶片整個可用區域的大小，或在任何給定時間內的一段晶片的大小。如果在任何給定時間內只要拋光晶片的一部分，還必須包括一種驅動組件(未示出)，以移動陽極214，從而移動了機械墊塊212，使得接觸在此時需要作用的晶片部分。
在操作中，應當理解帶形機械墊塊212對晶片的拋光和滾筒漆刷刷牆的方式相似。當操作時，電解液或其它溶液從位於陽極214附近的容器(未示出)中，被引入到機械墊塊212上。在一個具體的實施方案中，陽極214包含進入通道224，該通道包括陽極214中的通道226和在陽極214中製成的孔228，它們一起提供溶液送到機械墊塊212的路徑。另一種方法，電解液可以按照先前描述的方法，通過通道213，直接分散到墊塊212上。電解液被盛在絕緣箱230和絕緣溶液容器室250中，該絕緣箱形成在晶片頭組件240的附近，該絕緣溶液容器室包含排出通道252。如先前描述的，密封溶液容器室250中溶液的O-環和其它常規結構，可以應用在該實施方案中。
同樣，根據本發明的電化學機械沉積裝置減少了脈衝發生電源的需要，這是因為由墊塊和晶片旋轉運動引起的機械脈衝產生了足夠的脈衝。
根據本發明，在任一個實施方案中，由於機械作用被用於阻止晶片表面非需要區域上的導體的非需要堆積，均化劑就不需要了，或需要比常規使用小的百分比。此外，可以得到拋光的平滑和光亮的導體平面。
雖然只對上述實施方案進行了詳細的描述，但本領域的技術人員會很容易地理解到對該實施例實施方案進行許多修改而實質上不脫離本發明新的教導和優點是可能的。
權利要求
1.一種將導體材料從電解液沉積到工件的一部分上的方法，該方法包括以下步驟應用安排在工件表面上的電解液，把導體材料至少鍍到該部分工件上，該工件被放置在陽極的附近；以及在執行導體材料電鍍步驟時，通過對其它區域進行拋光，把導體材料到不同於該部分的其它區域的積累減至最小。
2.如權利要求1的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括移動墊塊的步驟，該墊塊附加於陽極並且和工件接觸，以幫助保持電解液和工件的該部分接觸；還包括在陽極和工件之間施加電流的步驟，使得發生電離，從而導致導體材料沉積到該部分上。
3.如權利要求2的方法，其中移動墊塊的步驟還把導體材料到其它區域的積累減至最小。
4.如權利要求2的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括將電解液流經陽極和墊塊的步驟。
5.如權利要求2的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括將電解液直接分散到墊塊的步驟。
6.如權利要求2的方法，其中墊塊的移動產生機械脈衝，從而提高粒度。
7.如權利要求1的方法，還包括以下步驟從發生電鍍和最小化積累步驟的箱中除去電解液；清理已除去的電解液；以及補充電解液返回到該箱中，以應用於工件。
8.如權利要求1的方法，其中最小化積累的步驟阻止導體材料被形成在工件的另外區域上。
9.如權利要求1的方法，其中工件的該部分包含一種通孔及該工件包含一種晶片。
10.如權利要求1的方法，其中工件的該部分位於工件頂表面的下面，不同於該部分的另外區域是該工件的頂表面。
11.一種將導體材料從電解液沉積到晶片的方法，該方法包括以下步驟在晶片和具有附加墊塊的陽極之間施加一個電勢差，該晶片被放置在陽極的附近，從而導致導體材料至少鍍到晶片的一部分上；以及在執行導體材料的電鍍步驟時，利用墊塊對其它區域進行拋光，把導體材料到不同於該部分的晶片其它區域的積累減至最小。
12.如權利要求11的方法，其中導體材料包括銅。
13.如權利要求11的方法，其中晶片的該部分位於晶片頂表面的下面，不同於該部分的晶片其它區域是該晶片的頂表面。
14.如權利要求11的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括移動墊塊的步驟，該墊塊附加於陽極並與晶片接觸，以幫助保持電解液和晶片的該部分相接觸。
15.如權利要求14的方法，其中移動墊塊的步驟還把導體材料到其它區域的積累減至最小。
16.如權利要求14的方法，其中移動墊塊的步驟還產生機械脈衝，從而提高粒度。
17.如權利要求11的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括將電解液流經陽極和墊塊的步驟。
18.如權利要求11的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括將電解液直接分散到墊塊的步驟。
19.如權利要求11的方法，其中最小化積累的步驟阻止導體材料被形成在晶片的另外區域上。
20.如權利要求11的方法，其中電鍍步驟中，電位差應用具有第一極性的電位差，並且還包括在電鍍步驟以前的以下步驟在晶片和具有附加墊塊的陽極之間施加第二電位差，該電位差具有和第一極性相反的第二極性；以及在施加第二電位差時，對該晶片進行拋光。
21.一種將包含導體材料的電解液轉移到工件表面上的方法，當應用電源時，使得導體材料的沉積能夠發生，該方法包含以下步驟放置墊塊和工件表面相接觸；以及電鍍電解液，使得電解液保持在墊塊裡並且與工件表面相接觸，從而提供一種當施加電源時適合於導體材料沉積的條件。
22.如權利要求21的方法，其中在電解液電鍍的步驟中，導體材料被沉積在工件頂表面的下面，並通過在工件的頂表面上移動該墊塊，導體材料被阻止沉積在工件的頂表面。
23.如權利要求21的方法，其中電解液電鍍的步驟還包括在工件和具有附加墊塊的陽極之間施加電位差的步驟。
24.一種裝置，用於在應用電源時將導體材料從電解液至少沉積到工件的一部分上，並且用於將導體材料到不同於該工件部分的其它區域的積累減至最小，該裝置包含在應用電源時能夠接收第一電勢的陽極，該陽極同該工件隔開，該工件在應用電源時能夠接收與第一電勢相反的第二電勢；一種可移動的墊塊，該墊塊附加於該陽極並且放置在陽極和工件之間，其中當該墊塊和該工件的另外區域相接觸時，該墊塊相對該工件的移動把導體材料到另外區域的積累減至最小；以及一種箱，其允許電解液被安排在工件上，並且導體材料被沉積在工件的該部分上。
25.如權利要求24的裝置，其中多個墊塊附加於陽極並且放置在陽極和工件之間，其中當多個墊塊和工件的另外區域相接觸時，該多個墊塊把導體材料到另外區域的積累減至最小。
26.如權利要求24的裝置，其中該工件圍繞一個軸旋轉，並且該墊塊圍繞相同的該軸旋轉。
27.如權利要求24的裝置，其中該工件圍繞一個軸旋轉，並且該墊塊圍繞不同於第一軸的第二軸旋轉。
28.如權利要求24的裝置，其中該墊塊是圓柱的形狀。
29.如權利要求24的裝置，其中該墊塊圍繞陽極成形，該陽極是圓柱的形狀。
30.如權利要求29的裝置，其中電解液從進入通道直接流到該墊塊上。
31.如權利要求24的裝置，還包含一種工件頭組件，適用於支持該工件和使該工件圍繞第一軸旋轉；以及一種墊塊組件，包括墊塊和陽極，該墊塊關於該工件可移動，以幫助保持電解液和工件的該部分相接觸。
32.如權利要求31的裝置，其中該工件頭組件包括靜止墊塊和擋圈，適用於在該工件旋轉的過程中支撐該工件。
33.如權利要求24的裝置，其中該箱包含用於電解液流到該工件的進入通道；以及用於電解液從該箱流出的排出通道。
34.如權利要求33的裝置，還包括一種恢復容器，用於補充和清理通過排出通道流出的電解液。
35.如權利要求33的裝置，其中電解液從進入通道經該陽極和墊塊流到該工件上。
36.如權利要求33的裝置，其中電解液從進入通道直接經該墊塊流向該工件。
37.如權利要求24的裝置，還包含適合於支持該工件的工件頭組件，該工件是靜止的；具有附加於陽極的墊塊的墊塊組件；以及連在陽極上的軸，該軸適合於圍繞第一軸旋轉，從而導致陽極和墊塊圍繞第一軸旋轉。
38.如權利要求24的裝置，還包含適合於支持該工件的工件頭組件，該工件適合於圍繞第一軸旋轉；具有附屬於陽極的墊塊的墊塊組件；該陽極是圓柱形的並適合於圍繞第二軸旋轉。
39.如權利要求38的裝置，其中圓柱形陽極包括一種通道和許多孔，其中電解液通過該通道和該孔經該墊塊流向該工件。
40.如權利要求38的裝置，其中電解液從進入通道直接流向該墊塊。
41.一種裝置，用於同時將導體材料從電解液沉積到工件的一部分上，和把導體材料到另外區域的積累減至最小，該裝置包含應用電源時，能夠接收第一電勢的陽極，該陽極同工件隔開，該工件在應用電源時能夠接收和第一電勢相反的第二電勢；放置在陽極和工件之間的墊塊，該墊塊可移動地接觸該工件，並且當電源施加到該陽極和該工件時，阻止導體材料鍍到該工件的另外區域，該墊塊保持和供給電解液和該工件的該部分相接觸；以及一種箱，允許電解液被安排在該工件的表面上，並且導體材料被形成於該工件的該部分上。
42.如權利要求41的裝置，還包括具有附加於陽極的墊塊的墊塊組件；以及適用於支持該工件的工件頭組件。
43.如權利要求41的裝置，其中該工件包括晶片。
44.一種把導體材料從電解液沉積到工件的方法，該方法包含下列步驟應用置於工件的暴露表面上的電解液，把導體材料鍍到該工件的暴露表面的至少第一部分上，該工件被放置在陽極的附近；以及通過減小電解液和暴露表面的第二部分的接觸，把導體材料到暴露表面的第二部分的積累減至最小。
45.如權利要求44的方法，其中最小化積累的步驟由一墊塊執行，當執行將導體材料鍍到該暴露表面第一部分的步驟時，該墊塊和暴露表面的第二部分相接觸並且對其進行拋光。
46.如權利要求45的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括將電解液流經該陽極和墊塊的步驟。
47.如權利要求45的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括電解液直接分散到該墊塊的步驟。
48.如權利要求44的方法，其中暴露表面的第二部分是該工件的頂表面，在其上電鍍導體材料的晶片暴露表面的第一部分位於該工件頂表面的下面。
49.如權利要求44的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括在工件和陽極之間施加電位差的步驟。
50.一種把導體材料從電解液沉積到晶片的方法，該方法包含下列步驟在晶片和具有附加墊塊的陽極之間施加具有第一極性的第二電位差；在施加第二電位差時對晶片進行拋光；在晶片和具有附加墊塊的陽極之間施加具有和第一極性相反的第二極性的第一電位差，該晶片被放置在陽極的附近，從而導致電解液鍍到該晶片的至少一部分上；以及在執行導體材料的電鍍步驟時，利用該墊塊對其它區域進行拋光，把導體材料到不同於該部分的晶片其它區域的積累減至最小。
51.如權利要求50的方法，其中其它區域是該晶片的頂表面，在其上電鍍導體材料的該晶片的部分位於該晶片頂表面的下面。
52.如權利要求50的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括電解液流經該陽極和墊塊的步驟。
53.如權利要求50的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括電解液直接分散到該墊塊的步驟。
54.一種將導體材料從電解液沉積到工件的方法，該方法包含以下步驟應用置於該工件的表面上的電解液，把導體材料鍍到該工件上，該工件被放置在陽極的附近；以及當執行導體材料的電鍍步驟時，對該工件進行拋光。
55.如權利要求54的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包括移動墊塊的步驟，該墊塊附加於陽極並與工件相接觸，以幫助保持電解液和該工件相接觸，還包含在陽極和工件之間施加電流的步驟，使得發生電離，從而導致導體材料沉積到該工件上。
56.如權利要求55的方法，其中移動該墊塊的步驟還對該工件進行拋光。
57.如權利要求55的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包含電解液流經該陽極和墊塊的步驟。
58.如權利要求55的方法，其中導體材料電鍍的步驟還包含電解液直接分散到該墊塊的步驟。
59.如權利要求55的方法，其中該墊塊的移動產生機械脈衝，從而提高粒度。
60.如權利要求54的方法，還包含下列步驟從發生電鍍和拋光步驟的箱中除去電解液；清理已除去的電解液；以及補充電解液返回到該箱中，以應用於工件。
61.如權利要求54的方法，其中導體材料包括銅。
62.如權利要求54的方法，其中該工件包括晶片。
63.如權利要求54的方法，還包含把一種懸浮液應用到該工件和對該工件進行化學機械拋光的步驟。
64.如權利要求1的方法，還包含把一種懸浮液應用到該工件和對該工件進行化學機械拋光的步驟。
65.如權利要求11的方法，還包含把一種懸浮液應用到該工件和對該工件進行化學機械拋光的步驟。
全文摘要
本發明把電解液裡的導體材料沉積到晶片的預定區域上。作出本申請所用的步驟包括當該晶片被置於陰極和陽極之間時,應用在晶片表面上的電解液,把導體材料鍍到晶片的預定區域上,並且在電鍍導體材料時,通過對其它區域進行機械拋光,阻止導體材料積累到不是預定區域的區域上。
文檔編號C25D17/06GK1329681SQ99814126
公開日2002年1月2日 申請日期1999年11月2日 優先權日1998年11月3日
發明者霍馬尤恩·塔利亞 申請人:納託爾公司