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一種OLED面板及其製作方法與流程

2023-05-01 02:53:26 2


本申請涉及有機發光顯示領域,尤其涉及一種防止電荷在相鄰像素單元之間橫向傳播的OLED面板及其製作方法。



背景技術:

有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示技術是當前主流的顯示技術,由於其具有發光效率高、抗震性能好、厚度薄、反應速度快等優點,其一經面世後,就受到了極大的歡迎,目前,通過OLED顯示技術而製成的OLED面板已經成為了諸如智慧型手機、電腦等設備的主流顯示器件。

在實際應用中,OLED面板主要包含有玻璃基板110、薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)111、氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)陽極112、空穴注入層(Hole Inject Layer,HIL)113、空穴傳輸層(Hole Transporting Layer,HTL)114、有機發光層(Emitting Material Layer,EML)115、陰極(Cathode)116、封裝層118以及各隔離柱117等構成,具體結構如圖1所示。

圖1為現有技術提供的OLED面板的結構示意圖。

在圖1中,玻璃基板110上設有陰極116,該陰極116在一定電壓的作用下,可將電子(負載流子)傳輸到有機發光層EML115之中。相應的,ITO陽極112在一定電壓的作用下,可在空穴注入層HIL113中形成空穴(正載流子),並將該空穴通過位於空穴注入層HIL113之下的空穴傳輸層HTL114傳輸到有機發光層EML115中。電子和空穴在有機發光層EML115相遇後,將形成電子-空穴複合效應,使得該電子遷移至空穴中,從而使有機發光層EML115發光,其中,有機發光層EML115是通過隔離柱117相互隔開的。

然而,在現有技術中,由於空穴注入層HIL113以及空穴傳輸層HTL114通常都具有電荷橫向傳播較快的特點,這樣一來,若想要使OLED面板中的一個像素單元上的有機發光層EML115發光,由於受空穴注入層HIL113以及空穴傳輸層HTL114中電荷的橫向傳播較快的影響,位於該像素單元中的空穴也將相應的傳播到該像素單元相鄰的像素單元中,換句話來說,雖然有機發光層EML115是以像素為單元通過隔離柱117相互隔開的,但是位於各有機發光層EML115上的空穴注入層HIL113或空穴傳輸層HTL114卻是彼此相連的,因此,由於空穴注入層HIL113以及空穴傳輸層HTL114中電荷的橫向傳播較快,則該像素單元下的空穴注入層HIL113或空穴傳輸層HTL114中的空穴可相應的傳播至與該像素單元相鄰的像素單元下的空穴注入層HIL113或空穴傳輸層HTL114中,這就使得與該像素單元相鄰的像素單元也將發出微光,進而降低了OLED面板的顯示效果。



技術實現要素:

本發明實施例提供一種OLED面板,用於解決現有技術中由於空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL中電荷的傳播較快而降低OLED面板顯示效果的問題。

本發明實施例提供一種OLED面板,其包含有薄膜電晶體TFT211、陰極216、ITO陽極212、有機發光層EML215、空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214,所述OLED面板中包含的相鄰像素單元的空穴注入層HIL213是相互隔離的,所述OLED面板中包含的相鄰像素單元的空穴傳輸層HTL214是相互隔離的。

進一步的,所述OLED面板中包含的相鄰像素單元的空穴注入層HIL213是通過隔離柱217相互隔離的;

所述OLED面板中包含的相鄰像素單元的空穴傳輸層HTL214是通過隔離柱217相互隔離的。

進一步的,所述隔離柱217的縱切面為倒梯形結構。

進一步的,所述隔離柱217的材料為無機材料。

進一步的,所述隔離柱217的結構是通過反應離子刻蝕的方法刻蝕出的。

本發明實施例提供了一種OLED面板的製作方法,包括:

在薄膜電晶體TFT211上的待刻蝕層上刻蝕出各隔離柱217,形成以各隔離柱217劃分的各像素單元;

在所述各像素單元上,蒸鍍不同種類的膜層材料,使得在相鄰像素單元蒸鍍出的各空穴注入層HIL213通過所述隔離柱217相互隔離,以及在相鄰像素單元蒸鍍出的各空穴傳輸層HTL214通過所述隔離柱217相互隔離;

將蒸鍍各膜層材料後的薄膜電晶體TFT211進行封裝,得到OLED面板。

進一步的,所述不同種類的膜層材料包括陰極材料、陽極材料、有機發光材料、空穴注入層材料以及空穴傳輸層材料中的至少兩種。

進一步的,在所述各像素單元上,蒸鍍不同種類的膜層材料,具體包括:在所述各像素單元上,將陽極材料、空穴注入層材料、空穴傳輸層材料、有機發光材料、陰極材料依次進行蒸鍍,其中,在相鄰像素單元上蒸鍍出的陰極216是彼此相連的。

進一步的,在薄膜電晶體TFT211上的待刻蝕層上刻蝕出各隔離柱217,具體包括:在薄膜電晶體TFT211上的待刻蝕層上,通過反應離子刻蝕的方法刻蝕出縱切面為倒梯形結構的各隔離柱217。

進一步的,所述待刻蝕層為無機材料的待刻蝕層。

本發明中,由於在製作OLED面板時,可將該OLED面板中包含的各隔離柱刻蝕成縱切面為倒梯形結構,這樣,後續在將空穴注入層材料以及空穴傳輸層材料依次蒸鍍在該OLED面板中的各像素單元時,該縱切面為倒梯形的隔離柱可將相鄰像素單元中的空穴注入層相互隔離,同時也可將相鄰像素單元中的空穴傳輸層相互隔離,這樣,由於相鄰像素單元的空穴注入層是相互隔離的,並且,相鄰像素單元的空穴傳輸層也是相互隔離的,因此,當OLED面板中的一個像素單元進行發光時,該像素單元中的空穴將不會傳播到相鄰的像素單元中,相應的也就避免了相鄰像素單元將會發出微光的現象,從而有效的提高了OLED面板的顯示效果。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解,構成本申請的一部分,本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請,並不構成對本發明的不當限定。在附圖中:

圖1為現有技術提供的OLED器件的結構示意圖;

圖2為本發明提供的OLED面板的結構示意圖;

圖3為本發明提供的包含有縱切面下半部分為長方體、上半部分為倒梯形的隔離柱的OLED面板示意圖;

圖4為本發明提供的包含有有機材料隔離柱的OLED面板的示意圖;

圖5為本發明提供的一種OLED面板的製作過程。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本申請具體實施例及相應的附圖對本申請技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例僅是本申請一部分實施例,而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬於本申請保護的範圍。

以下結合附圖,詳細說明本發明提供的技術方案。

圖2為本發明提供的OLED面板的結構示意圖。

圖2中顯示了OLED面板的主要部件,具體的,該OLED面板包含有薄膜電晶體TFT211、ITO陽極212、陰極216、有機發光層EML215、空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214、其中,該ITO陽極212是位於薄膜電晶體TFT211之上的,而空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214則依次位於OLED面板中的ITO陽極212之上,在空穴傳輸層HTL214和陰極216之間設有有機發光層EML215,使得該OLED面板可通過該有機發光層EML215發光。

需要說明的是,OLED面板通常還包含有其他的部件,例如,在實際應用中,薄膜電晶體TFT211的下面通常設有玻璃基板210,而在有機發光層EML215和陰極216之間通常還設有電子傳輸層(Electron Transport Layer,ETL)以及電子注入層(Electron Inject Layer,EIL),其中,電子傳輸層ETL和電子注入層EIL是依次設置在有機發光層EML215上的。而本發明意在解決由於空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214電荷的橫向傳輸速度較快而降低OLED面板顯示效果的問題,因此,下面將詳細介紹本發明提供的OLED面板如何解決這一問題的。

在實際應用中,OLED面板中通常都包含有各個像素單元,這些像素單元中的有機發光材料(即有機發光層)在陰極、ITO陽極以及薄膜電晶體TFT的共同作用下,可向外發出光芒,而OLED面板的一大特點在於,每個像素單元都可獨立進行發光,換句話說,OLED面板在進行發光時,並不要求該面板上所有像素單元的有機發光材料都進行發光,而是可根據所要達到的發光效果,控制個別的像素單元來進行發光。為了有效的區分OLED面板中的各個像素單元,當前,在製作OLED面板的過程中,通常都會在薄膜電晶體TFT上氣相沉積出各個隔離柱,從而通過這些隔離柱,將OLED面板上的各像素單元進行有效的劃分,其中,在薄膜電晶體TFT上形成的各隔離柱通常都是四稜台結構的。

雖然,現有技術中的各隔離柱能夠有效的將OLED面板上的各像素單元進行區分,但是,在製作OLED面板的過程中,當需要將製作空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL的材料分別蒸鍍在該像素單元上以形成空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL時,由於隔離柱側面與隔離柱的底面(下底面)所成的角度為銳角,因此,空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL材料的蒸汽會更加容易的沿著隔離柱的側面蒸鍍在隔離柱的表面,進而會使相鄰像素單元上的空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL在隔離柱上相連,即,空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL會在各像素單元上彼此相連。這樣一來,由於空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL中電荷的橫向傳輸較快,因此,當想要控制OLED面板中的一個像素單元進行發光時,與該像素單元相鄰的像素單元也將由於具有電荷而發出微光,從而降低了OLED面板的顯示效果。

為了有效的避免上述問題的發生,在本發明中,OLED面板中的相鄰像素單元的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214可以通過各隔離柱217相互隔離,其中,為了能夠有效的將相鄰像素單元的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214隔離,隔離柱217可以是縱切面為倒梯形結構,如圖2所示。在圖2中可以看出,隔離柱217縱切面成倒梯形結構,隔離柱217的側面與隔離柱217的底面(上底面)成鈍角,這樣一來,當需要將空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL的材料分別蒸鍍在各像素單元上以形成空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214時,空穴注入層HIL材料以及空穴傳輸層HTL材料的熱蒸汽將不易在隔離柱217的表面上形成空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層214HTL,即,由於隔離柱217縱切面成倒梯形結構,因此,在蒸鍍空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214時,原本會在隔離柱217表面形成的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214會在隔離柱217的側面斷開,這樣一來,相鄰間的各像素單元中的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214也將不能連接到一起,進而,當想要控制一個像素單元的有機發光材料發光時,能夠使該像素單元中有機發光材料發光的電荷將不會通過空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214傳輸到相鄰像素單元中,從而也將不會使相鄰像素單元的有機發光材料發出微光,從而有效的保證了OLED面板的顯示效果。

除了上述說明的縱切面為倒梯形結構的隔離柱外,在本申請實施例中,也可採用縱切面結構為下半部分為長方體、上半部分為倒梯形的隔離柱,如圖3所示。

圖3為本申請實施例提供的包含有縱切面下端為長方體、上端為倒梯形的隔離柱的OLED面板示意圖。

在圖3中,各隔離柱可以分為兩個部分,其中,縱切面虛線處的下半部分為長方體、虛線處的上半部分為倒梯形結構,這兩部分組成了圖3中所示的隔離柱。由於圖3所示的隔離柱縱切面的上半部分也具有倒梯形的結構,因此,當需要將空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL的材料分別蒸鍍在各像素單元上以形成空穴注入層HIL313以及空穴傳輸層HTL314時,空穴注入層HIL313以及空穴傳輸層HTL314將會在隔離柱317上半部分的側面斷開,從而有效的防止了電荷在相鄰像素單元之間橫向傳輸的現象發生。

需要說明的是,除了上述兩種結構的隔離柱外,在本申請實施例中也可採用縱切面為其他結構的隔離柱,只需滿足整個隔離柱縱切面在結構上上寬下窄即可,所以,其他結構的隔離柱在此就不進行一一舉例說明了。

在本發明中,圖2所示OLED面板中的隔離柱217以及圖3所示的OLED面板中的隔離柱317的材料可以是無機材料,選取無機材料來製作隔離柱的目的在於,在實際應用中,若選用有機材料來制止各隔離柱,則製作出的隔離柱的尺寸將會偏大,進而可能會影響OLED面板的發光,如圖4所示。

圖4為本發明提供的包含有有機材料隔離柱的OLED面板的示意圖。

在圖4中,各隔離柱417是採用有機材料製成的,通過有機材料制出的隔離柱417的厚度通常在1um左右,而由於OLED面板的尺寸需要,OLED面板的總厚度通常在200nm左右,因此,若採用有機材料來製作OLED面板中的各隔離柱,則制出隔離柱417會顯著的增加OLED面板的厚度,從而降低了OLED面板的使用性。不僅如此,由於採用有機材料而製成的各隔離柱417尺寸較大,因此,在OLED面板中的像素單元蒸鍍陰極416時,蒸鍍出的陰極416會在各隔離柱417的側面斷開,而實際應用中,為了能使OLED面板能夠正常的發光,通常需要各像素單元中的陰極是彼此相連的,這樣一來,由於各像素單元中的陰極416在各隔離柱417的側面彼此斷開,進而,斷開的陰極416將會影響OLED面板的正常發光,從而降低了OLED面板的良品率。

因此,為了能夠使各隔離柱可以將空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL有效的隔離,並且,不對OLED面板的發光造成影響,在本發明中,隔離柱的製作材料可以採用無機材料,如,矽基氧化物SiOx、矽基氮化物SiNx、三氧化二鋁Al2O3等材料。通過無機材料製成的各隔離柱在尺寸上小於OLED面板的厚度,使得製成的OLED面板可符合OLED面板的規定尺寸,並且,採用無機材料而製成的各隔離柱在將相鄰像素單元之間的空穴注入層HIL以及空穴傳輸層HTL有效隔離外,還可保證蒸鍍在各像素單元中的陰極能夠彼此相連,繼而在不影響OLED面板正常發光的同時,可顯著的提高OLED面板的顯示效果。

在本發明中,圖2所示的OLED面板中的各隔離柱217可通過反應離子刻蝕的方法刻蝕出來,即,在薄膜電晶體TFT211上形成各隔離柱217後,將通過反應離子刻蝕的方法對各隔離柱217的側面進行刻蝕,從而使各隔離柱217的側面形成如圖2所示的表面。當然,也可在薄膜電晶體TFT211上先制出一個無機材料的待刻蝕層後,使用反應離子刻蝕的方法對整個待刻蝕層進行刻蝕,將各隔離柱217之間的部分刻蝕掉,並將各隔離柱217的側面刻蝕成如圖2所示的表面,進而得到縱切面為倒梯形結構的各隔離柱217。當然,OLED面板中的各隔離柱217也可採用其他的方法製成,在此不做進一步的限定。而圖3所示的OLED面板中的隔離柱317製作方法與圖2中的隔離柱217的製作方法相同,在此就不進行詳細贅述了。

另外,本發明還針對上述隔離柱而提供了一種OLED面板的製作方法,如圖5所示。

圖5為本發明提供的一種OLED面板的製作過程,具體包括以下步驟:

S501:在薄膜電晶體TFT(211)上的待刻蝕層上刻蝕出各隔離柱(217),形成以各隔離柱(217)劃分的各像素單元,其中,所述梯形的上底朝下。

在製作OLED面板的過程中,可在先在薄膜電晶體TFT211上制出一個待刻蝕層,具體可通過氣相沉積法,將無機材料的蒸汽沉積在薄膜電晶體TFT211上,從而形成一個完成的待刻蝕層。而後,可採用反應離子刻蝕的方法,將待刻蝕層進行刻蝕,以得到各隔離柱217,其中,各隔離柱217之間的部分是通過刻蝕的方法刻蝕掉的。當然,在本發明中,也可將製作各隔離柱217的無機材料通過氣相沉積的方法分別沉積到薄膜電晶體TFT211上,進而形成未刻蝕的各隔離柱217,而後,可通過反應離子刻蝕的方法將各隔離柱217的側面進行刻蝕,以得到縱切面為倒梯形結構的各隔離柱217。

S502:在所述各像素單元上,蒸鍍不同種類的膜層材料,使得在相鄰像素單元蒸鍍出的各空穴注入層HIL(213)通過所述隔離柱(217)相互隔離,以及在相鄰像素單元蒸鍍出的各空穴傳輸層HTL(214)通過所述隔離柱(217)相互隔離。

在得到各隔離柱217後,可將不同種類的膜層材料蒸鍍在通過各隔離柱217而劃分的各像素單元中,其中,不同種類的膜層材料包括陰極材料、陽極材料、有機發光材料、空穴注入層材料、空穴傳輸層材料中的至少兩種材料,在製作OLED面板的過程中,可將陽極材料、空穴注入層材料、空穴傳輸層、有機發光材料、陰極材料依次蒸鍍在各像素單元中,以形成OLED面板中的各膜層,而蒸鍍在像素單元中的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214在各隔離柱217的影響下,將與相鄰像素單元中的空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214彼此隔離,即,在蒸鍍空穴注入層HIL213以及空穴傳輸層HTL214時,縱切面為倒梯形結構的各隔離柱217可將相鄰像素單元中的空穴注入層HIL213有效的隔離開來,並且,各隔離柱217也可將相鄰像素單元中的空穴傳輸層HTL214有效的隔離開來,因此,當需要控制一個像素單元中的有機發光材料發光時,在該像素單元中的電荷(即空穴、正載流子)將不會通過空穴注入層HIL213或是空穴傳輸層HTL214傳輸到相鄰像素單元中,從而將不會使相鄰像素單元產生微光,進而有效的提高了OLED面板的顯示效果。與此同時,由於各隔離柱217是由無機材料製成的,因此,各隔離柱217在可有效隔離相鄰像素單元中的空穴注入層HIL213或是空穴傳輸層HTL214的同時,也將不會使蒸鍍得到的陰極216在各隔離柱217的表面上出現斷裂,即,蒸鍍得到的陰極216在各像素單元中都是彼此相連的,從而,本發明中的各隔離柱217也將不會影響到OLED面板的正常發光。

S503:將蒸鍍各膜層材料後的薄膜電晶體TFT(211)進行封裝,得到OLED面板。

在各像素單元中蒸鍍不同膜層材料而形成各膜層後,可將蒸鍍各膜層材料後的薄膜電晶體TFT211進行封裝,進而得到OLED面板。

需要說明的是,除了上述提到的這幾種膜層材料外,還可包含製作電子傳輸層ETL、電子注入層EIL、玻璃基板210的材料,而製作電子傳輸層ETL、電子注入層EIL、玻璃基板210的方法及步驟與現有技術基本相同,在此就不進行詳細說明了。

從上述方法中可以看出,由於在製作OLED面板時,可將該OLED面板中包含的各隔離柱刻蝕成縱切面為倒梯形結構,這樣,後續在將空穴注入層材料以及空穴傳輸層材料依次蒸鍍在該OLED面板中的各像素單元時,該縱切面為倒梯形的隔離柱可將相鄰像素單元中的空穴注入層相互隔離,同時也可將相鄰像素單元中的空穴傳輸層相互隔離,這樣,由於相鄰像素單元的空穴注入層是相互隔離的,並且,相鄰像素單元的空穴傳輸層也是相互隔離的,因此,當OLED面板中的一個像素單元進行發光時,該像素單元中的空穴將不會傳播到相鄰的像素單元中,相應的也就避免了相鄰像素單元將會發出微光的現象,從而有效的提高了OLED面板的顯示效果。

以上所述僅為本發明的實施例而已,並不用於限制本發明。對於本領域技術人員來說,本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發明的權利要求範圍之內。

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