用於在襯底上沉積多種材料的方法和系統的製作方法

2023-04-26 22:35:11 3

專利名稱：用於在襯底上沉積多種材料的方法和系統的製作方法
技術領域：
本發明大體涉及用於在襯底上沉積多種材料的方法和系統。更具體而言，本發明 涉及用於針對太陽能電池或光伏電池使用共同升華過程在襯底上沉積多種材料的方法和 系統。
背景技術：
光伏系統(或「太陽能電池」)用來將太陽能轉化成電能。由光伏系統產生的功率 可提供優於傳統系統的許多優點，包括低操作成本、高可靠性、模塊性、低製造成本和環境 好處。薄膜太陽能電池具有降低成本的潛力，因為這種電池相對於傳統的光伏模塊需要 少得多的量的半導體材料來產生相當的功率量。目前，一些薄膜太陽能電池採用碲化鎘 (CdTe)膜，因為CdTe具有1. 5eV的直接帶隙，並且可提高這種太陽能電池的太陽能轉化效率。在一些應用中，為了改進太陽能電池的各種屬性，例如CdTe膜的導電性，可將摻 雜劑引入CdTe膜中。但是，由於材料的不同的熔點和蒸汽壓力的原因，諸如傳統的封閉隔 離式升華(CSS)和蒸汽輸送(VTM)過程的傳統過程不適於使CdTe與其它材料共同沉積。已 經呈現的用以使CdTe與其它材料共同沉積的一種過程是共同蒸發。但是，共同蒸發過程在 先天上是耗時的，並且可能不適於使CdTe和某些其它材料共同沉積來進行光伏應用。因此，存在對一種用於在太陽能電池或光伏電池的襯底上共同沉積多種材料的新 的和改進的方法和系統的需要。

發明內容
根據本發明的一個實施例，提供了一種用於在襯底上沉積兩種或更多種材料的系 統。該系統包括一個或多個接受器，該一個或多個接受器構造成限定用於分別容納至少第 一材料和不同於第一材料的第二材料的兩個或更多個凹部。該系統進一步包括用於加熱第 一材料和第二材料來升華、以便在襯底上沉積的一個或多個加熱器。本發明的另一個實施例提供了一種用於在襯底上沉積兩種或更多種材料的系統。 該系統包括沉積裝置、一個或多個接受器，以及一個或多個加熱器。沉積裝置限定升華區、 一個或多個入口，以及與升華區流體連通的一個或多個出口。該一個或多個接受器設置在 升華區內，並且限定用於分別容納至少第一材料和不同於第一材料的第二材料的兩個或更 多個凹部。該一個或多個加熱器構造成以便加熱第一材料和第二材料，以使第一材料和第 二材料升華。該沉積系統進一步包括一個或多個載體氣體源，該一個或多個載體氣體源構 造成以便通過該一個或多個入口將一種或多種載體氣體供應到升華區中，以通過一個或多 個出口將第一材料和第二材料的升華氣體攜帶出升華區，以在襯底上沉積。本發明的另一方面進一步提供了一種用於在襯底上沉積兩種或更多種材料的方 法。該方法包括提供一個或多個接受器，其構造成限定用於分別容納第一材料和不同於第一材料的第二材料的兩個或更多個凹部；以及加熱第一材料和第二材料，以使第一材料和 第二材料升華，以便在襯底上沉積。


結合附圖，根據隨後的詳細描述，本公開的以上和其它方面、特徵和優點將變得更 加顯而易見，在附圖中圖1是根據本發明的一個實施例的沉積系統的示意圖；圖2是根據本發明的一個實施例的、在圖1中顯示的沉積系統的接受器的俯視圖 的示意圖；圖3是根據本發明的另一個實施例的、圖1所示的沉積系統的接受器的俯視圖的 示意圖；圖4是圖1所示的沉積系統的接受器上的凹部的俯視圖；圖5是圖1所示的沉積系統的接受器上的凹部的截面圖；圖6是配備有多個熱電偶的沉積系統的示意圖；圖7是採用了多個隔熱層的沉積系統的示意圖；圖8是具有多個在空間上隔開的接受器的沉積系統的示意圖；圖9是示出了沉積系統的另一種構造的示意圖；圖10是示出了沉積系統的又一種構造的示意圖；以及圖11是示出了沉積系統的另一種構造的示意圖。部件列表10沉積系統11接受器12 凹部13第一材料14第二材料15 蓋16 開口17第一熱電偶18第二熱電偶19監測裝置20隔熱層21電阻加熱器22 電源23 線圈24，30沉積裝置25升華區洸下部開口28擴散元件31升華區
32 入口33 出口34入口通道；35 出 口通道36載體氣體37，38 方向39，45 混合區40第一沉積元件41第一升華區42第二沉積元件43第二升華區44混合元件46第一通路47第二通路48 第一入口49 第二入口50 上壁51 側壁52第一升華區53第二升華區M第一載體氣體55第二載體氣體100 襯底110上表面
具體實施例方式本文參照附圖對本公開的實施例進行了描述。在隨後的描述中，沒有詳細描述眾 所周知的功能或結構，以便避免以不必要的細節使本公開不清楚。圖1示出了構造成在襯底100上沉積兩種或更多種不同的材料的沉積系統10的 示意圖。在一些應用中，材料可在襯底100上沉積，以形成太陽能電池或光伏電池。備選地， 沉積系統10可用來製造其它裝置。取決於具體應用，可採用各種各樣的襯底100。在一個非限制性實例中，襯底100 包括玻璃層(未顯示)，其中透明的傳導性氧化物(TCO)層沉積在該玻璃層上。玻璃層的非 限制性實例包括硼矽酸鹽玻璃、低鹼玻璃、鹼石灰玻璃、低鐵玻璃和類似的材料。TCO層的非 限制性實例包括錫氧化物和銦錫氧化物。在其它非限制性實例中，襯底100可包括聚合物層，其中金屬層沉積在聚合物層 上。在一個實例中，聚合物層可包含聚醯亞胺，而金屬層可包含鉬。另外，在某些應用中，襯 底100可包括其它適當的材料，例如不鏽鋼層，其中鉬層沉積在該不鏽鋼層上。關於圖1所示的實例，系統10包括限定多個凹部12的接受器11。凹部12從接受器11的上表面110向下延伸，並且在空間上彼此隔開，以容納第一材料13和第二材料14。 第一材料13和第二材料14交替地設置在接受器11上。在一些應用中，接受器11可由導熱材料形成。導熱材料的非限制性實例包括石 墨、鎢、碳化矽(SiC)塗覆的石墨以及高溫金屬和合金，例如不鏽鋼和合金鋼。第一材料13 和第二材料14可包括碲化鎘(CdTe)、碲(Te)、碲化鋅(ZnTe)、砷(As)、氯化鎘(CdC12)、硫 化鎘(CdS)、包含針對CdTe的摻雜劑的其它材料以及它們的組合。摻雜劑的非限制性實例 可包括銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鉍(Bi)、銻(Sb)、砷(As)、磷(P)和氮(N)0在一個實例 中，第一材料13包括碲化鎘(CdTe)，並且與第二材料14不同。應當注意，圖1-11所示的布置僅是說明性的。圖1-11中的相同標號可指示類似 的元件。在一些實例中，可採用不止一個接受器11，以及/或者不止兩種材料可容納在相應 的凹部12中，以在襯底100上沉積。對於一些布置來說，各個凹部12可為格室(cell)的形式，從而如圖2所示，多個 在空間上隔開的格室12可在接受器11上布置成矩陣，以便形成兩個或更多個格室列。在 一些實例中，各個格室可具有長方形或圓柱形形狀，而且同一列中的格室可用來接收相同 的材料。備選地，各個凹部12可為溝的形式，從而如圖3所示，多個溝12可分布在接受器 11上，以容納相應的第一材料和第二材料，第一材料和第二材料可交替地設置。在一些實例 中，各個溝可具有長方形或弧形截面。系統10進一步包括用於加熱接受器11的一個或多個加熱器，例如圖5所示的電 阻加熱器21。在某些實例中，可採用其它適當的加熱器，包括但不限於滷素燈和射頻加熱 器，它們可由本領域技術人員容易地實現。在操作中，該一個或多個加熱器加熱接受器11，從而在相應的凹部12中的第一材 料13和第二材料14被加熱到某個溫度，以同時升華。然後，兩種升華氣體在朝襯底100傳 輸期間混合在一起，以便以膜的形式在襯底100上沉積，這稱為共同升華過程。在一些實例中，在凹部12中的第一材料13和第二材料14可被加熱到相同的溫 度。在其它實例中，第一材料13和第二材料14可被加熱到不同的溫度。另外，在一些應用中，在操作中，襯底100相對於接受器(一個或多個)11可為固 定的。備選地，襯底100可相對於接受器(一個或多個)11運動。襯底100可被預熱到比 第一材料13和第二材料14的相應的加熱溫度更低的溫度。可使用各種技術來將第一材料和第二材料加熱到不同的溫度。例如，對於用於接 收兩種材料的相應的凹部12而言，幾何結構可不同。因此，當一個或多個加熱器設置在接 受器11下方以加熱凹部12時，由於熱梯度的原因，具有更大的深度的凹部12比具有更淺 的深度的凹部接收更多熱能。這樣，第一材料和第二材料就被加熱到不同的溫度。在其它實例中，可相對於其它凹部的導熱性來增強凹部的一個子集的導熱性。例 如，系統10可採用設置在相應的凹部12的周邊上和/或設置在相應的凹部12中的一種或 多種材料，以便起作用來例如從一個或多個加熱器中吸收更多熱能。例如，一種或多種吸熱 材料(例如鈦)可設置在容納第一材料13的凹部12的周圍，從而第一材料13被加熱到比 第二材料14更高的溫度，以進行升華。在所示實施例中，系統10進一步採用了多個蓋15，多個蓋15設置在用於容納第二材料14的凹部12中的相應的一些上。各個蓋15限定與凹部12流體連通的開口 16。圖4和5示出了其上設置有一個蓋的一個凹部的俯視圖和截面圖。如圖4和5所 示，凹部12具有圓柱形形狀，並且開口 16與凹部12流體連通，從而在升華過程期間，可通 過移動蓋15來調節開口 16的尺寸，以便調節第二材料14的升華蒸氣壓力。在一些實例中， 蓋15可設置在或可不設置在第一材料凹部12上。在一些應用中，系統10可採用一個或多個熱監測裝置來監測凹部12的溫度。如 圖6中描繪的那樣，多個第一熱電偶17和第二熱電偶18延伸到接受器11中，並且設置在 凹部12的下方，以探測其上的溫度，以便監測第一材料13和第二材料14的溫度。如以上描繪的那樣，在一些實例中，用於容納第一材料和第二材料的凹部12可被 加熱到相同的溫度。但是，對於許多應用來說，容納第一材料和/或第二材料的凹部12被 加熱到不同的溫度。在某些應用中，第一熱電偶17和第二熱電偶18可連接到監測裝置19上，以監測 各個凹部12的溫度。在其它實例中，可使用兩個或更多個監測裝置。另外，在一些實施例 中，監測裝置(一個或多個)可操作性地連接到加熱器(一個或多個)上，以提供反饋來進 行熱控制。對於某些布置，為了對各個凹部12的溫度進行獨立控制且避免來自相鄰凹部12 的幹擾，可在接受器11上設置隔熱裝置。例如，可提供一個或多個隔熱層，以更好地熱隔離 凹部中的相應的一些凹部與相鄰的凹部。圖7是採用了多個隔熱層20的系統10的示意圖。如圖7所示，系統10包括限定 在接受器11上以容納第一材料13和第二材料14的多個凹部12。隔熱層20設置在接受器 11的兩端處，並且位於每兩個相鄰凹部12之間，以進行熱隔離。隔熱裝置的非限制性實例包括聚苯乙烯、聚亞安酯、聚苯乙烯泡沫和陶瓷材料。對 於所示布置，隔熱層20進一步設置在接受器11的底面(未標示)上，以降低通過接受器11 的底面的熱對流。在其它實例中，沒有在接受器11的底面上採用隔熱裝置。在圖7的所示實例中，系統10進一步包括設置在用於容納第二材料14的凹部12 上的多個蓋15，以及用於加熱相應的凹部12的電阻加熱器21。在一些實例中，一個或多個 蓋15可設置在或可不設置在用於容納第一材料13的一個或多個凹部12上。電阻加熱器 21包括線圈23。在所示實例中，線圈23設置在各個凹部12的周圍。系統10進一步包括 為線圈23提供的、構造成以便使電流通過線圈23來加熱凹部12的電源22。在所示實例中，線圈23在接收第一材料13的凹部12上具有比在接收第二材料14 的凹部12上的那些(匝)更多的匝。這樣，就可分開來加熱第一材料13和第二材料14，並 且第一材料13可被加熱到比第二材料14更高的溫度。在其它實例中，纏繞在第一材料凹 部12的周圍的線圈的匝數可等於或小於纏繞在第二材料凹部12的周圍的那些。此外，圖7所示的示例性系統10還採用了構造成分別監測第一材料13和第二材 料14的溫度的多個第一熱電偶17和第二熱電偶18。在一些實例中，一個或多個監測裝置 19還可操作性地連接到第一熱電偶17和第二熱電偶18上，並且另外可操作性地連接到加 熱器21上，以提供反饋來進行熱控制。圖8是具有多個在空間上隔開的接受器的系統10的示意圖。如圖8所示，系統10 包括用於容納第一材料和第二材料的多個在空間上隔開的接受器11，以及限定具有下部開口 26的升華區25的沉積裝置M。在空間上隔開的接受器11設置在升華區25內。襯底 100設置在沉積裝置M的下方。類似地，系統10可包括用於加熱接受器11的一個或多個加熱器。在一些實例中， 加熱器(一個或多個)可設置在沉積裝置M的外部。在其它實例中，加熱器(一個或多 個)可設置在升華區25內，以及/或者設置在沉積裝置23的上壁50和/或側壁51內，以 加熱接受器11。在操作中，第一材料13和第二材料14在某個溫度處升華。由於沉積裝置M的溫 度高於第一材料13和第二材料14被加熱到的溫度，所以第一材料13和第二材料14的升 華氣體不會在沉積裝置M的內表面上沉積，並且沿向下方向傳輸，以在襯底100上沉積，如 由虛線箭頭所指示的那樣。在圖8的所示實例中，系統10進一步包括擴散元件觀，以用於擴散，並且因此用於 使升華氣體更加均勻地分布在襯底100上。在某些應用中，可採用不止一個擴散元件觀。 類似地，在沉積期間，擴散元件(一個或多個) 的溫度也可高於第一材料和第二材料被加 熱到的溫度，從而升華氣體在襯底100上沉積，而不在擴散元件(一個或多個) 上沉積。對於所示布置，襯底100設置在沉積裝置M的下方。採用了不止兩個在空間上隔 開的接受器11，而且各個接受器11限定凹部12。在其它實例中，襯底100也可設置在升華 區25內，並且位於上壁50和接受器11之間。系統10可採用兩個接受器，並且各個接受器 11可限定不止一個凹部12。另外，對於圖1-7中的布置，系統10也可採用沉積裝置來容納接受器(一個或多 個)11，該沉積裝置可類似於圖8所示的沉積裝置對，但是可限定上部開口，從而襯底100 就設置在接受器(一個或多個)11的上方，以進行沉積。類似於圖8所示的擴散元件觀的 一個或多個擴散元件也可設置在襯底100和接受器(一個或多個)11之間。上述升華和沉積過程可在各種各樣的環境中執行，例如，在大氣環境中或者在存 在氣體(例如氧氣、氫氣、氮氣、氯氣、惰性氣體以及它們的組合)的情況下。惰性氣體的非 限制性實例包括氬氣和氦氣。圖9是系統10的另一種構造的示意圖。如圖9所示，系統10包括限定升華區31 的沉積裝置30，以及均設置在升華區31的第一升華區52和第二升華區53內的兩個接受 器11。升華裝置30進一步限定入口 32、入口通道；34、出口 33，以及與升華區31流體連通 的出口通道35。襯底100面向出口 33。對於圖9的所示實例，系統10進一步包括載體氣體源(未顯示)和一個或多個加 熱器(未顯示)。載體氣體源構造成以便通過入口 32和入口通道34將載體氣體供應到升 華區31中。該一個或多個加熱器構造成以便加熱第一材料13和第二材料14，並且使第一 材料13和第二材料14升華，而且該一個或多個加熱器可設置在升華裝置30的外部，設置 在接受器11的周圍，以及/或者設置在限定升華區31的一個或多個壁(未標示)內。在操作中，一個或多個加熱器加熱接受器11，以使第一材料13和第二材料14升 華。第一材料和第二材料可被加熱到相同或不同的溫度，以進行升華。載體氣體源將載體 氣體36供應到升華區31中，以通過出口通道35和出口 33將升華氣體攜帶出升華區31。 隨後，第一材料和第二材料在襯底100上持續地沉積，同時襯底100沿方向37運動，方向37 與消耗的載體氣體的方向38相反。
在所示實例中，在朝向出口 33運動的同時，升華氣體在出口通道35中混合，出口 通道35因此作為混合區，且從而提高襯底100上的沉積的質量。在一些應用中，可不採用 出口通道35。載體氣體36可充滿第一材料13和第二材料14的升華氣體，以有利於在襯底 100上沉積。襯底100可沿與消耗的載體氣體相同的方向運動，或者可為固定的。另外，升華裝置30和襯底100的溫度可分別比第一材料13和第二材料14的加熱 溫度更高和更低，以有利於第一材料和第二材料在襯底100上沉積。在某些應用中，為了避免汙染兩種升華氣體，載體氣體可首先攜帶在較低的溫度 處升華的材料的升華氣體。然後該載體氣體攜帶在較高的溫度處升華的材料的升華氣體。 例如，如果第二材料比第一材料在更低的溫度處升華，則載體氣體首先攜帶第二材料的升 華氣體，而然後攜帶第一材料的升華氣體。在所示實例中，提供了兩個接受器。在其它實例中，可採用不止兩個接受器來容納 相應的第一材料和第二材料。因此，例如，在操作中，載體氣體可經過容納第二材料的所有 的接受器，且然後經過容納第一材料的所有的接受器。另外，系統10可包括或可不包括設 置在一個或兩個接受器11中的相應的接受器11上的一個或多個蓋15。圖10是示出了具有兩個入口 32的系統10的構造的示意圖。圖10中的布置類似 於圖9所示的布置。這兩個布置的不同在於，圖10所示的系統10包括兩個入口 32，並且出 口 33設置在兩個接受器11之間。對於圖10所示的構造，在操作中，第一載體氣體M和第二載體氣體55從入口 32 傳送進入升華區31中，以攜帶第一材料和第二材料的相應的升華氣體。然後，升華氣體在 限定在兩個接受器11之間的混合區39中混合，並且傳送離開升華區31，以在運動的襯底 100上沉積。類似地，可採用不止兩個接受器，並且可在接受器11中的相應的接受器11上提供 一個或多個蓋。第一載體氣體M和第二載體氣體陽可為相同或不同的氣體。第一載體氣 體和第二載體氣體的非限制性實例包括惰性氣體，例如氬氣和氦氣。對於圖10的所示實例，混合區和升華區31在空間上是交迭的。第一升華區和第 二升華區在空間上也是交迭的。在某些實例中，混合區可在空間上與升華區31隔開。第一 升華區和第二升華區也可在空間上彼此隔開。對於圖11所示的示例性布置，沉積裝置30包括限定第一升華區41的第一沉積元 件40、限定第二升華區43的第二沉積元件42，以及限定混合區45的混合元件44。第一通 路46和第二通路47在混合區和相應的第一升華區41與第二升華區43之間提供流體連接。 第一入口 48和第二入口 49設置在第一元件40和第二元件42上，以與相應的升華區41、43 流體連通，通過它們，第一載體氣體和第二載體氣體傳送進入升華區41、43中，以攜帶相應 的升華氣體。在圖11的所示實例中，第一升華區41、第二升華區43和混合區45彼此在空間上 是隔開的。因此，在操作中，第一材料和第二材料在相應的升華區41、43中升華。然後，第 一載體氣體和第二載體氣體(未顯示)通過相應的通路48、49將相應的升華氣體攜帶到混 合區45中，以進行混合。隨後，混合的升華氣體從出口 33傳送離開混合區，以在運動的襯 底100上沉積。對於圖10和11所示的布置，在一些應用中，襯底100可為固定的。在升華過程期間，第一載體氣體和第二載體氣體也可充滿第一材料13和第二材料14的升華氣體，以有利 於隨後在襯底100上沉積。另外，對於一些實例，可採用不止兩個沉積元件和/或不止兩個接受器。在接受器 中的相應的接受器上可採用或可不採用一個或多個蓋來調節一種或多種升華氣體的壓力。 在其它應用中，可通過改變通路48、49中的一個或多個的氣體流阻力來調節混合區45中的 一種或多種升華氣體的蒸氣壓力。雖然已經在典型的實施例中對本公開進行了說明和描述，但是本公開不意在限於 所示細節，因為可在不以任何方式偏離本公開的精神的情況下作出各種修改和替代。這樣， 通過使用僅常規實驗，本領域技術人員可想到本文所公開的公開內容的另外的修改和等效 物，而且相信所有這種修改和等效物都在隨後的權利要求書限定的本公開的精神和範圍之 中。
權利要求
1.一種用於在襯底(100)上沉積兩種或更多種材料的系統(10)，所述系統(10)包括一個或多個接受器(11)，構造成限定用於分別容納至少第一材料(13)和不同於所述第一材料(13)的第二材料(14)的兩個或更多個凹部(12)；以及一個或多個加熱器，用於加熱所述第一材料(13)和所述第二材料(14)來升華，以在所 述襯底(100)上沉積。
2.根據權利要求1所述的系統，其特徵在於，所述一個或多個接受器(11)中的各個限 定所述兩個或更多個凹部(12)。
3.根據權利要求1所述的系統，其特徵在於，所述第一材料(13)和所述第二材料(14) 被分別加熱到不同的溫度。
4.根據權利要求1所述的系統，其特徵在於，所述系統進一步包括一個或多個蓋(15)， 所述一個或多個蓋(15)可動地設置在所述凹部(12)中的相應的一些凹部(12)上，並且構 造成以便調節第一蒸發材料和第二蒸發材料中的一個或多個的蒸氣壓力。
5.根據權利要求1所述的系統，其特徵在於，所述一個或多個加熱器中的各個包括電 阻加熱器(21)，其中，所述電阻加熱器(21)包括設置在所述凹部(12)中的一個或多個的 周圍的線圈(23)，其中，所述系統(10)進一步包括電源(22)，該電源(22)構造成以便通過 所述線圈(23)傳遞電流以加熱所述第一材料和第二材料(13，14)中的一個或多個，並且其 中，設置在容納所述第一材料(13)的凹部(12)的周圍的線圈(23)比設置在容納所述第二 材料(14)的凹部(12)的周圍的線圈(23)具有更多匝。
6.一種用於在襯底(100)上沉積兩種或更多種材料的系統(10)，所述系統(10)包括沉積裝置(24，30)，限定了升華區(31)、一個或多個入口(32)以及與所述升華區(31)流體連通的一個或多個出口(33)；一個或多個接受器(11)，設置在所述升華區(31)內，並且限定用於分別容納至少第一 材料(13)和不同於所述第一材料(13)的第二材料(14)的兩個或更多個凹部(12)；一個或多個加熱器，用於加熱所述第一材料(13)和所述第二材料(14)，以使所述第一 材料和第二材料(13，14)升華；以及一個或多個載體氣體源，構造成以便通過所述一個或多個入口(32)將一種或多種載 體氣體(36)供應到所述升華區(31)中，以通過所述一個或多個出口(33)將所述第一材料 和第二材料(13，14)的升華氣體攜帶出所述升華區(31)，以在所述襯底(100)上沉積。
7.根據權利要求6所述的系統，其特徵在於，所述沉積裝置(24，30)進一步包括構造成 以便在所述升華氣體在所述襯底(100)上沉積之前混合所述升華氣體的混合區(39，45)， 其中，所述升華區(31)包括構造成分別容納所述第一材料和第二材料(13，14)的第一升華 區(41)和第二升華區(43)，其中，所述混合區(39，45)設置在所述第一升華區和第二升華 區(41，43)之間，並且其中，所述混合區(39，45)在空間上與所述第一升華區和第二升華區 (41,43)交迭。
8.一種用於在襯底(100)上沉積兩種或更多種材料的方法，所述方法包括提供一個或多個接受器(11)，該一個或多個接受器(11)構造成限定用於分別容納第 一材料(13)和不同於所述第一材料(13)的第二材料(14)的兩個或更多個凹部(12)；以 及加熱所述第一材料(13)和所述第二材料(14)，以使所述第一材料(13)和所述第二材料(14)升華，以便在所述襯底(100)上沉積。
9.根據權利要求8所述的方法，其特徵在於，所述方法進一步包括將所述第一材料(13)和所述第二材料(14)交替地設置在相應的凹部(12)上，並且其中，所述一個或多個接 受器(11)中的各個限定所述兩個或更多個凹部(12)。
10.根據權利要求8所述的方法，其特徵在於，所述第一材料(13)和所述第二材料(14)被分別加熱到不同的溫度。
全文摘要
本發明涉及用於在襯底上沉積多種材料的方法和系統。提供了一種用於在襯底(100)上沉積兩種或更多種材料的系統(10)。系統(10)包括一個或多個接受器(11)，該一個或多個接受器(11)構造成限定用於分別容納至少第一材料(13)和第二材料(14)的兩個或更多個凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系統(10)進一步包括一個或多個加熱器，以加熱第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升華，以便在襯底(100)上沉積。還提出了一種用於在襯底(100)上沉積兩種或更多種材料的方法。
文檔編號C23C16/455GK102051599SQ20101053850
公開日2011年5月11日 申請日期2010年10月29日 優先權日2009年10月29日
發明者B·A·科列瓦, F·R·艾哈邁德, J·A·德盧卡, J·N·詹森, J·P·勒蒙, Y·A·奚 申請人:通用電氣公司