一種半導體場效應管的製作方法
2023-11-09 05:09:17 3
一種半導體場效應管的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種半導體場效應管，包括P型矽襯底，所述P型矽襯底底面設置有第一鋁電極，所述第一鋁電極上設置有B型襯底引線，所述P型矽襯底上表面兩端設置有對稱N型區，所述對稱N型區上方分別設置有第二鋁電極、第三鋁電極，所述第二鋁電極上設置有源極，所述第三鋁電極上設置有漏極，所述第二鋁電極與第三鋁電極之間設置有SiO2絕緣層，所述SiO2絕緣層上設置有第四鋁電極，所述第四鋁電極上設置有柵極。本實用新型結構簡單、溫度特性好、噪音低、抗輻射性能力強。
【專利說明】一種半導體場效應管
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，尤其涉及一種半導體場效應管。
【背景技術】
[0002]場效應管就是場效應電晶體(Field Effect Transistor縮寫(FET))，由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(108?109 Ω)、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
[0003]目前，場效應管制造工藝已趨於完善，但仍存在結構複雜、抗輻射、噪音能力弱、溫度特性差等問題。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、溫度特性好、噪音低、抗輻射性能力強的半導體場效應管。
[0005]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種半導體場效應管，包括P型矽襯底，所述P型矽襯底底面設置有第一鋁電極，所述第一鋁電極上設置有B型襯底引線，所述P型矽襯底上表面兩端設置有對稱N型區，所述對稱N型區上方分別設置有第二鋁電極、第三鋁電極，所述第二鋁電極上設置有源極，所述第三鋁電極上設置有漏極，所述第二鋁電極與第三鋁電極之間設置有S12絕緣層，所述S12絕緣層上設置有第四鋁電極，所述第四鋁電極上設置有柵極。
[0006]所述P型矽襯底是一塊雜質濃度較低的P型矽片，在上面擴散兩個相距很近、摻雜濃度高的N型區，分別引出兩個電極，分別稱為源極和漏極，在矽片表面生成一層薄薄的絕緣層，絕緣層上再製作一層鋁金屬膜作為柵極。柵極與源極之間是3段斷續線，表示為增強型，B為襯底引線，一般與源極相連。由於柵極與其他電極及矽片之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場效應管。
[0007]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述B型襯底引線為鍍銅金屬線，所述鍍銅金屬線作為引線，具有較好的導電性有利於電流的收集，同時成本較低。
[0009]進一步，所述第一鋁電極為鉬鋁合金，所述鉬鋁合金具有較強的抗氧化性，同時導電性好，有利於電子、空穴的傳輸。
[0010]進一步，所述S12絕緣層為絕緣陶瓷材料，所述絕緣陶瓷材料抗高溫氧化，具有較好的溫度特性和絕緣特性，有利於防止漏電現象。
[0011]本實用新型的有益效果是:結構簡單、溫度特性好、噪音低、抗輻射性能力強。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型一種半導體場效應管結構示意圖；
[0013]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、P型矽襯底，2、對稱N型區，3、第二鋁電極，4、源極，5、柵極，6、S12絕緣層，7、第三鋁電極，8、漏極，9、第四鋁電極，10、第一鋁電極，11、B型襯底引線。
【具體實施方式】
[0014]以下結合附圖對本實用新型的原理和特徵進行描述，所舉實例只用於解釋本實用新型，並非用於限定本實用新型的範圍。
[0015]如圖1所不,一種半導體場效應管,包括P型娃襯底1，所述P型娃襯底底面設置有第一鋁電極10，所述第一鋁電極10上設置有B型襯底引線11，所述P型矽襯底I上表面兩端設置有對稱N型區2，所述對稱N型區2上方分別設置有第二鋁電極3、第三鋁電極7，所述第二鋁電極3上設置有源極4，所述第三鋁電極7上設置有漏極8，所述第二鋁電極3與第三鋁電極7之間設置有S12絕緣層6，所述S12絕緣層6上設置有第四鋁電極9，所述第四鋁電極9上設置有柵極5。
[0016]所述P型矽襯底I是一塊雜質濃度較低的P型矽片，在上面擴散兩個相距很近、摻雜濃度高的對稱N型區2，分別引出兩個電極，分別稱為源極4和漏極8，在矽片表面生成一層薄薄的絕緣層6，絕緣層6上再製作一層鋁金屬膜作為柵極5。柵極5與源極4之間是3段斷續線，表示為增強型，B為襯底引線11，一般與源極4相連。由於柵極5與其他電極及矽片之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場效應管。
[0017]所述B型襯底引線11為鍍銅金屬線，所述鍍銅金屬線作為引線，具有較好的導電性有利於電流的收集，同時成本較低；所述第一鋁電極10為鉬鋁合金，所述鉬鋁合金具有較強的抗氧化性，同時導電性好，有利於電子、空穴的傳輸；所述S12絕緣層6為絕緣陶瓷材料，所述絕緣陶瓷材料抗高溫氧化，具有較好的溫度特性和絕緣特性，有利於防止漏電現象。
[0018]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，並不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種半導體場效應管，其特徵在於，包括？型矽襯底，所述？型矽襯底底面設置有第一鋁電極，所述第一鋁電極上設置有8型襯底引線，所述？型矽襯底上表面兩端設置有對稱~型區，所述對稱~型區上方分別設置有第二鋁電極、第三鋁電極，所述第二鋁電極上設置有源極，所述第三鋁電極上設置有漏極，所述第二鋁電極與第三鋁電極之間設置有3102絕緣層，所述3102絕緣層上設置有第四鋁電極，所述第四鋁電極上設置有柵極。
2.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特徵在於，所述8型襯底引線為鍍銅金屬線。
3.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特徵在於，所述第一鋁電極為鉬鋁合金。
4.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特徵在於，所述3102絕緣層為絕緣陶瓷材料。
【文檔編號】H01L29/06GK204130547SQ201420575835
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年9月30日 優先權日:2014年9月30日
【發明者】夏洪貴 申請人:夏洪貴