光碟用母盤的製造方法以及光碟用母盤的製作方法
2023-12-07 01:11:16 1
專利名稱：光碟用母盤的製造方法以及光碟用母盤的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種通過使用無機光刻膠膜製造的光碟用母盤的製造方法，並且涉及該光碟用母盤。
背景技術：
近年來，與實現光碟大容量相關，低於約幾十納米的圖案精度對於光器件等的微細製備是必需的。為了實現這樣的高精度，在諸如光源、光刻膠材料、步進機等的各領域都在進行開發。
縮短曝光光源波長的方法，以及使用精確會聚的電子束或離子束的方法等作為改善微細製備尺寸精度的方法是有效的。然而，由於具有短波長曝光光源或電子束和離子束照射光源的裝置極其昂貴，這樣的方法不適於提供價格適度的器件。
因此，提出了設計照射方法的方法，以及使用被稱為相移掩膜的特殊掩膜的方法等作為使用與現有曝光裝置相同的光源同時改善微細製備尺寸精度的方法。作為再一種方法，嘗試了通過多層形成光刻膠的方法，以及使用無機光刻膠的方法等。
目前，例如通常使用一種曝光方法，其中把諸如novolak系統光刻膠、化學感光光刻膠等的有機光刻膠和作為曝光光源的紫外線組合。儘管有機光刻膠具有通用性並且廣泛用於光刻領域，由於其分子重量大，曝光部分和非曝光部分之間的邊界部分的圖案變得模糊，並且對微細製備精度有限制。
另一方面，在無機光刻膠中，由於其分子重量小，在曝光部分和非曝光部分之間的邊界部分獲得清晰圖案，並且可以實現比有機光刻膠精度更高的製造。例如，一個微細製備的實例是其中MoO3、WO3等用作光刻膠材料，離子束用作曝光光源(參考Nobuyoshi Koshida，Kazuyoshi Yoshida，Shinichi Watanuki，Masanori Komuro和Nobufumi Atoda的文獻「50-nm Metal Line Fabrication by FocusedIon Beam and Oxide Resists」，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.30(1991)，pp3246)。另一個製造實例是其中SiO2用作光刻膠材料，電子束用作曝光光源(參考Sucheta M.Gorwadkar，Toshimi Wada，SatoshiHiraichi，Hiroshi Hiroshima，Kenichi Ishii和Masanori Komuro的文獻「SiO2/c-Si Bilayer Electron-Beam Resist Process forNano-Fabrication」，Jpn.J.Appl.Phys.，Vol.35(1996)，pp6673)。此外，還分析了一種方法，其中硫屬化物玻璃用作光刻膠材料，並且波長為476nm和532nm的雷射和來自汞氙燈的紫外線用作曝光光源(例如，參考S.A.Kostyukevych的文獻「Investigations and modeling ofphysical processes in an inorganic resist for use in UV and laserlithography」，SPIE Vol.3424(1998)，pp20)。
然而，在使用電子束或離子束作為曝光光源的情況下，儘管如上所述可以組合許多種無機光刻膠材料，並且也可以通過精確會聚電子束或離子束微細製備凹圖案和凸圖案，如上文所述，具有電子束和離子束照射光源的裝置很昂貴並且結構複雜，因此它不適於提供價格適度的光碟。
根據這些原因，期望可以使用來自內置於現有曝光裝置中的雷射裝置等的光，即紫外線或可見光。然而，在無機光刻膠材料中，作為可以由紫外線等切割的材料，僅公開了上文所述的硫屬化物材料。這是因為在除了硫屬化物材料以外的無機光刻膠材料中，透射諸如紫外線等的光，光能量的吸收量非常小，從而這是不實用的。
儘管現有曝光裝置和上文所述的硫屬化物材料的組合從經濟角度來看是一種實用的結合，但是存在這樣一個問題，即硫屬化物材料含有對人體有害的如Ag2S3、Ag-As2S3、Ag2Se-GeSe等材料。因此，從工業生產的角度來說很難使用這樣的材料。
因此，提出了基於下列原理實現光碟用母盤的微細製備的方法在過渡金屬的不完全氧化物作為含氧量輕微偏離過渡金屬氧化物的化學計量成分的氧化物來取代諸如MoO3、WO3等過渡金屬的完全氧化物的情況下，紫外線或可見光的吸收量很大，並且通過該吸收改變化學性質。
在以上提出的方法中也包含這樣的一種方法，其中例如W和Mo的不完全氧化物用作光刻膠材料，由雷射等的曝光裝置的熱量引起相變，從而最終以低成本實現微細製備。這裡提到的過渡金屬的不完全氧化物指的是，含氧量沿小於根據過渡金屬可以具有的化合價數的化學計量成分含氧量方向偏離的化合物，即過渡金屬不完全氧化物的含氧量小於根據過渡金屬可以具有的化合價數的化學計量成分含氧量的化合物。
然而，在無機光刻膠由雷射等的熱量引起相變並且如上文所述形成諸如凹坑、凹槽等的精細凹/凸圖案的情況下，離無機光刻膠表面的距離越大，熱傳導性越小，因此相變反應的變化率，即從非晶體到晶體的變化減少。因此，存在這樣的風險，即在變化率小的部分，發生顯影不足現象，在不完全狀態下形成凹坑、凹槽等的底部表面，進而，凹坑和凹槽的壁表面的傾斜角等變得平緩。
在使用相變的方法中，由於諸如凹坑、凹槽等精細凹/凸圖案的形狀和傾斜角根據無機光刻膠母盤的感光度、曝光裝置的曝光功率、顯影條件等無條件地決定，因此很難精確調整它們。
此外，由於諸如凹坑、凹槽等精細凹/凸圖案的深度，換句話說，壓模的高度由無機光刻膠膜的厚度無條件地決定，因此很難在光碟的相同平面形成不同深度的精細凹/凸圖案。例如，由於最優深度根據用於ROM(只讀存儲器)的凹坑和用於附加記錄的凹槽的精細凹/凸圖案而不同，不能製造具有凹坑和凹槽的混合型光碟用母盤。儘管凹/凸圖案的深度也可以通過調整曝光功率來控制，但是根據這樣的方法，很難穩定地形成預定深度的凹/凸圖案。
發明內容
因此，本發明的目的是提供一種光碟用母盤的製造方法，藉此，當由過渡金屬的不完全氧化物製成的無機光刻膠由於熱量發生相變，並且形成諸如凹坑、凹槽等精細凹/凸圖案時，無機光刻膠膜的感光度改變，使得以平面形狀穩定地形成凹坑和凹槽的壁表面，此外，適當地形成凹坑和凹槽底部表面的傾斜角，並且本發明提供通過這種方法製造的光碟用母盤。
本發明的另一個目的是提供一種光碟用母盤的製造方法，藉此，通過改變無機光刻膠膜的感光度來精確調整諸如凹坑、凹槽等精細凹/凸部分的形狀和傾斜角，並且本發明提供用這種方法製造的光碟用母盤。
本發明的再另一個目的是提供一種光碟用母盤的製造方法，藉此，改變無機光刻膠膜的感光度，使得諸如凹坑、凹槽等不同深度的精細凹/凸圖案可以在同一平面形成，並且本發明提供用這種方法製造的光碟用母盤。
根據本發明，提供一種光碟用母盤的製造方法，該方法包括成膜步驟，在襯底上作為膜形成由過渡金屬的不完全氧化物製成的無機光刻膠層；以及通過曝光和顯影無機光刻膠層而形成包括凹/凸形狀的光刻膠圖案的步驟，其中在成膜步驟中，使得無機光刻膠層的氧濃度在其厚度方向上不同。
在成膜步驟中，使用過渡金屬的單個元素或合金，或它們的氧化物作為靶材料，通過使用氧氣或氮氣作為反應氣體的濺射法，在襯底上作為膜形成無機光刻膠層，並且通過至少改變成膜電功率或反應氣體比率，使得無機光刻膠層的氧濃度在其厚度方向上不同。
根據本發明，提供了一種當製造具有凹/凸形狀的光碟時使用的光碟用母盤，其中襯底塗覆有無機光刻膠層，其中氧濃度在厚度方向上不同，並且由過渡金屬的不完全氧化物製成，並且在該無機光刻膠層中形成凹/凸形狀。
圖1為示出了根據本發明的光碟用母盤和模製用壓模的製造方法的每個步驟的示意圖。
圖2為用來解釋通過根據本發明的光碟用母盤製造方法的第一實施例形成的凹/凸形狀的示意圖。
圖3為用來解釋通過根據本發明的光碟用母盤製造方法的第二實施例形成的凹/凸形狀的示意圖。
圖4為用來解釋通過第二實施例形成不同深度凹/凸形狀的情況的示意圖。
圖5為示出了可以實施根據本發明的光碟用母盤的製造方法的成膜裝置結構的方框圖。
具體實施例方式
根據本發明，雷射束照射到由過渡金屬的不完全氧化物製成的無機光刻膠層上，並且通過使用下列原理形成凹/凸形狀當曝光產生的熱量超過一個閾值時，不完全氧化物從非晶體狀態變成晶體狀態，並且變得可溶於鹼。
因此，該閾值與感光度相對應。如果閾值小，則感光度高。無機光刻膠的感光度根據無機光刻膠層中的氧濃度(指含氧量)而變化。氧濃度越高，感光度越高。氧濃度根據通過無機光刻膠層的濺射法等進行的成膜過程中的成膜電功率或反應氣體比率而變化。因此，在本發明中，通過使用這樣的原理，意圖通過順序改變一個光刻膠層中的無機光刻膠的感光度來解決前述問題。
現在參照圖1描述根據本發明的第一實施例的光碟用母盤的製造方法。首先，如圖1A所示，由過渡金屬的不完全氧化物製成的無機光刻膠材料製成的光刻膠層2作為形成在由玻璃或矽晶片製成的襯底1上的膜。作為此例中的一種成膜方法，例如可以提到濺射法。在本發明中，例如使用可以通過濺射法實施成膜處理的成膜裝置。
之後，如圖1B所示，通過使用用於將雷射等照射在無機光刻膠層上的曝光裝置3，曝光光刻膠層2。在這種情況下，其上形成有無機光刻膠層的襯底1被旋轉。對於用於ROM的凹坑，這樣的曝光是與作為要被記錄的信號圖案的凹/凸形狀相對應的選擇性曝光。對於用於附加記錄的凹槽，它是連續曝光，以便形成凹槽。例如，產生波長為405nm的雷射束的藍雷射二極體在這種情況下用於雷射。
然後，通過使用顯影裝置，曝光襯底通過鹼液顯影。使用通過浸漬的浸漬法，以及把化學製品塗覆到由旋轉器旋轉的襯底上的方法等作為顯影方法。作為顯影劑，使用諸如NMD-3(註冊商標由TokyoOhka Kogyo Co.，Ltd.製造)等的有機鹼性顯影劑，以及諸如KOH、NaOH、或磷酸系統等的無機鹼性顯影劑。顯影之後，得到如圖1C所示其上形成了凹/凸形狀的母盤4(光碟用)。
之後，如圖1D所示，通過電成型法，金屬鎳膜5沉澱在光碟用母盤4的凹/凸圖案表面。在膜5從光碟用母盤4剝離之後，執行預定處理，並且得到光碟用母盤4的凹/凸圖案已經轉移到其上的用於模製的壓模6，如圖1E所示。
在將如圖1A所示的無機光刻膠層2作為形成在襯底1上的膜的情況下，儘管無機光刻膠層2的膜厚度可以隨意設置，但是必需將厚度設置為以獲得凹坑或凹槽的期望的深度。在Blu-ray Disc(藍光碟，其後適當地縮寫為BD)標準的光碟情況下，期望把厚度設置在10到80nm的範圍內。在DVD(數字多用途盤)的情況下，期望把厚度設置在100到190nm的範圍內。作為濺射的靶材料，使用諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鉬鎢(WMo)等的過渡金屬的單個元素、其合金、或它們的氧化物。氧或氮用作反應氣體。在使用氧化物作為靶材料的情況下使用氮。
在該實施例中，以這樣的方式執行成膜過程，即位置越遠離無機光刻膠層2的表面，即位置越靠近襯底1的表面，則無機光刻膠層2的感光度增大越多。作為一種逐漸增大無機光刻膠膜感光度的方法，例如，有下列兩種使用反應濺射的方法。氣體注入之前和之後的真空度被設置為預定值。
方法1(1)在濺射裝置中，成膜電功率被設置為預定值(例如，150W)並且執行放電。
(2)在無機光刻膠膜的成膜處理過程中，反應氣體比率在成膜處理的初始、中間和結束階段變化如下。
(a)成膜處理的初始階段第1層，20nm厚度，反應氣體比率＝9％(b)成膜處理的中間階段第2層，30nm厚度，反應氣體比率＝8％(c)成膜處理的結束階段第3層，20nm厚度，反應氣體比率＝7％例如，在階段(a)中，濺射執行2分鐘，並且形成厚度為20nm的光刻膠膜。反應氣體比率為反應氣體對放電氣體和反應氣體總和的比率，並且例如在使用氬和氧的情況下表示為O2/(Ar+O2)。
方法2(1)在濺射裝置中，反應氣體比率設置為預定值(例如，8％)並且執行放電。
或者也可以通過使用相同含氧量的靶材料而不注入反應氣體來執行放電。
(2)在無機光刻膠膜的成膜處理過程中，改變成膜電功率。
(a)成膜處理的初始階段第1層，20nm厚度，成膜電功率＝100W(b)成膜處理的中間階段第2層，30nm厚度，成膜電功率＝150W(c)成膜處理的結束階段第3層，20nm厚度，成膜電功率＝200W儘管在上述方法1和2的實例中，在上述三種成膜條件下執行成膜處理，那些條件可以在連續成膜處理中順序轉變，或者當成膜條件轉變時，也可能暫時停止成膜處理並執行間歇成膜處理。
根據這樣的濺射控制，在成膜處理的初始階段，膜的氧濃度大，且感光度高。另一方面，在成膜處理的結束階段，氧濃度小，且感光度低。因此，如圖2所示，形成了襯底1的表面上的第一層2a的感光度高、第二層2b的感光度中等、且第三層2c的感光度低的無機光刻膠層。
由於根據第一實施例提供了其中在諸如凹坑和凹槽的精細凹/凸圖案底部表面附近的部分中感光度高的無機光刻膠膜，因此，獲得平坦的底部表面，其中即使照射了雷射等，也難於在底部表面附近發生顯影不足現象。
通過提高遠離無機光刻膠層表面的位置上的第一層的感光度，可以避免熱記錄引起的擴散。如圖2所示，由於對應於小開口部分的凹坑的凹部分11可以在曝光和顯影之後在盤的母盤上形成，可以形成更高密度的光碟。即使在可記錄光碟中形成比凹坑更深的凹槽的情況下，也可以形成內壁表面傾斜度大的凹槽，且不加寬開口部分。
可以任意選擇在方法1和2中的每個方法中的單個條件和條件改變時間次數，以便獲得諸如凹坑和凹槽的精細凹/凸圖案的期望的形狀和傾斜角，並且並不局限於實施例中所顯示的。此外，儘管在方法1和2中，成膜處理是通過固定成膜電功率和反應氣體比率之一併且改變另一個來執行的，也可能同時改變成膜電功率和反應氣體比率，並優選地改變光刻膠膜的氧濃度。
現在描述根據本發明的第二實施例的光碟用母盤的製造方法。根據第二實施例，改變了上述第一實施例中的成膜步驟和雷射照射(曝光)步驟。這裡只描述與第一實施例中處理步驟不同的部分。
在第二實施例中，與第一實施例相反，成膜處理以這樣的方式執行，即隨著位置從無機光刻膠層2的表面靠近襯底1的表面，無機光刻膠層2的感光度降低。對於如上所述在厚度方向上改變無機光刻膠層2感光度的方法，例如有下列兩種方法。使用與第一實施例中類似的濺射時的靶材料和反應氣體。
方法3(1)在濺射裝置中，成膜電功率被設置為預定值(例如，150W)並執行放電。
(2)在無機光刻膠膜的成膜處理過程中，在成膜過程的初始、中間和結束階段如下文所述改變反應氣體比率。通過以與前述方法1類似的方式改變反應氣體比率從而調整含氧量。
(a)成膜處理的初始階段第1層，20nm厚度，反應氣體比率＝7％(b)成膜處理的中間階段第2層，30nm厚度，反應氣體比率＝8％(c)成膜處理的結束階段第3層，20nm厚度，反應氣體比率＝9％例如，在階段(a)中，濺射執行2分鐘，並且形成厚度為20nm的光刻膠膜。反應氣體比率為反應氣體對放電氣體和反應氣體總和的比率，並且例如在使用氬和氧的情況下表示為O2/(Ar+O2)。
方法4(1)在濺射裝置中，反應氣體比率被設置為預定值(例如，8％)並執行放電。
或者，也可以通過使用相同含氧量的靶材料而不注入反應氣體來執行放電。
(2)在無機光刻膠膜的成膜處理過程中，改變成膜電功率。
(a)成膜處理的初始階段第1層，20nm厚度，成膜電功率＝200W(b)成膜處理的中間階段第2層，30nm厚度，成膜電功率＝150W(c)成膜處理的結束階段第3層，20nm厚度，成膜電功率＝100W儘管在上述方法3和4的實例中，在三種成膜條件下執行成膜處理，在連續成膜處理中可以順序轉變那些條件，或者當成膜條件轉變時，也可能暫時停止成膜處理並執行間歇成膜處理。
根據這樣的濺射控制，在成膜處理的初始階段，膜的氧濃度小，且感光度低。另一方面，在成膜處理的結束階段，氧濃度大，且感光度高。因此，如圖3所示，形成了襯底1的表面上的第一層2a的感光度低、第二層2b的感光度中等、第三層2c的感光度高的無機光刻膠層。
由於第二實施例中光刻膠層表面的感光度被設置為高，當凹坑的深度淺時，例如30nm或更少，對應於凹坑的凹部分12的內壁表面具有平緩的傾斜度，如圖3所示，可以改善成型時的轉移性能，並且可以縮短周期時間。
可以任意選擇在方法3和4中的每一個方法中的單個條件和條件改變次數，以便獲得諸如凹坑和凹槽的精細凹/凸圖案的期望的形狀和傾斜角，並且並不局限於實施例中所示的。此外，儘管在方法3和4中，成膜處理是通過固定成膜電功率和反應氣體比率之一併改變另一個來執行的，也可能同時改變成膜電功率和反應氣體比率，並優選地改變光刻膠膜的氧濃度。
通過使用第二實施例所示的其中襯底1上的第一層的感光度低、第二層的感光度中等、第三層的感光度高的構造，以及通過在如圖1B所示的曝光時轉變曝光功率，可以形成不同深度的凹坑和/或凹槽。
例如，如圖4所示，在對應用於ROM的凹坑的凹部分13和對應用於附加記錄的凹槽的凹部分14在相同盤上形成的情況下，例如轉變曝光時藍雷射二極體的曝光功率。對於對應用於ROM的凹坑的凹部分13，通過使用約10mW的曝光功率進行雷射束照射。對於對應用於附加記錄的凹槽的凹部分14，通過使用約15mW的曝光功率進行雷射束照射。從而，可以製造具有不同深度的用於ROM的凹坑和用於附加記錄的凹槽的混合光碟。
作為一個實例，對應於ROM凹坑的凹部分13的深度到達形成於成膜處理的中間階段的第二層2b。例如，第二層2b和第三層2c的曝光部分在距無機光刻膠層的表面深度約為125nm處被去除。對應用於附加記錄的凹槽的凹部分14的深度到達形成於成膜處理的初始階段的第一層2a。即第一層2a到第三層2c的曝光部分在距離無機光刻膠層的表面深度約為180nm處去除。然而，在這種情況下，方法3中第一層、第二層以及第三層的成膜時間在方法3中被分別設置為5分鐘和30秒、6分鐘、以及6分鐘和30秒。
儘管在第二實施例中形成了兩種不同深度的凹部分，以便製造混合光碟，通過上述藉助濺射和在上文提到的曝光步驟中控制曝光功率的成膜處理，各種深度的凹部分可以安排在光碟的相同表面上。
現在參照圖5描述可以實施本發明的成膜方法的成膜裝置(濺射裝置)20。在成膜裝置20中，在真空成膜室21中設置陰極22和陽極23，靶材料24(在此是過渡金屬的單個元素或合金，或者它們的氧化物)附著在陰極22上，襯底25附著在陽極23上。
放電氣體(例如，氬氣)封裝在氣筒26中，並通過停止閥28在質量流量控制器27的控制下被提供到成膜室21中。質量流量控制器27進行控制，以便將預定量的放電氣體在成膜處理過程中的預定定時饋送入成膜室21中。
在執行反應濺射的情況下，反應氣體(例如，氧或氮)通過質量流量控制器30和停止閥31從氣筒29被提供到成膜室21中。質量流量控制器30進行控制以便將預定量的反應氣體在成膜過程的預定定時饋送入成膜室21中。
在放電氣體和反應氣體被引入到成膜室21中的時間點，通過在陰極22和陽極23之間施加預定電壓，執行輝光放電。輝光放電產生的等離子體用作能量源，並且從靶材料24濺射的成膜物質澱積到襯底25上，從而形成薄膜。通過成膜電功率控制33進行對成膜電功率的這種控制。
成膜裝置20分類為DC(直流)型電源和RF(射頻)型電源，這取決於是使用DC電源作為電源還是使用RF電源。
成膜裝置20通過包括質量流量控制器27和30的反應氣體比率控制32進行上述反應氣體比率的變化控制，並且通過成膜電功率控制33進行成膜電功率的變化控制。反應氣體比率控制32和成膜電功率控制33例如由微型計算機控制，並且控制內容通過加載到存儲器中的程序等來指示。
根據本發明，可能提供一種光碟用母盤的製造方法，藉此在通過對無機光刻膠進行相變而形成如凹坑、凹槽等精細凹/凸圖案的情況下，改變無機光刻膠膜的感光度，使得凹坑和凹槽的底部表面以平面形狀穩定形成，並且提供由這樣方法製造的光碟用母盤。
根據本發明，可能提供一種光碟用母盤的製造方法，藉此通過改變無機光刻膠膜的感光度而精確調整如凹坑、凹槽等的精細凹/凸部分的形狀和傾斜角，或者改變無機光刻膠膜的感光度，使得不同深度的凹部分可以在相同平面中形成，並且提供由這種方法製造的光碟用母盤。
權利要求
1.一種光碟用母盤的製造方法，該方法包括成膜步驟，在襯底上作為膜形成由過渡金屬的不完全氧化物製成的無機光刻膠層；以及通過曝光和顯影所述無機光刻膠層來形成包括凹/凸形狀的光刻膠圖案的步驟，其中在所述成膜步驟中，使所述無機光刻膠層的氧濃度在其厚度方向上不同。
2.根據權利要求1所述的光碟用母盤的製造方法，其中所述氧濃度從所述無機光刻膠層的表面向著所述襯底的表面減小。
3.根據權利要求1所述的光碟用母盤的製造方法，其中所述氧濃度從所述無機光刻膠層的表面向著所述襯底的表面增大。
4.根據權利要求1所述的光碟用母盤的製造方法，其中使用過渡金屬的單個元素或合金，或者它們的氧化物作為靶材料，通過使用氧或氮作為反應氣體的濺射法，在該襯底上作為膜形成所述無機光刻膠層，以及通過至少改變成膜功率或反應氣體比率，使所述無機光刻膠層的氧濃度在厚度方向上不同。
5.根據權利要求4所述的光碟用母盤的製造方法，其中鎢、鉬、鉬鎢和它們的氧化物之一用作所述靶材料。
6.根據權利要求1所述的光碟用母盤的製造方法，其中通過改變對所述無機光刻膠層的曝光功率，形成不同深度的凹/凸形狀。
7.一種當製造具有凹/凸形狀的光碟時所使用的光碟用母盤，其中襯底塗覆有其中氧濃度在其厚度方向上不同的無機光刻膠層，該無機光刻膠層由過渡金屬的不完全氧化物製成，並且該凹/凸形狀在所述無機光刻膠層中形成。
8.根據權利要求7所述的光碟用母盤，其中所述氧濃度從所述無機光刻膠層的表面向著所述襯底的表面減小。
9.根據權利要求7所述的光碟用母盤，其中所述氧濃度從所述無機光刻膠層的表面向著所述襯底的表面增大。
10.根據權利要求7所述的光碟用母盤，其中在所述無機光刻膠層中形成不同深度的凹/凸形狀。
全文摘要
本發明涉及光碟用母盤的製造方法以及光碟用母盤，並具體涉及一種通過在襯底上濺射形成由過渡金屬的不完全氧化物構成的無機光刻膠層作為膜的方法。過渡金屬本身或其合金，或者其氧化物用作靶材料，並且氧或氮用作反應氣體。通過改變反應氣體的比率或成膜輸出，可以使無機光刻膠層的氧濃度在厚度方向不同。曝光並且顯影無機光刻膠層，從而獲得用於設置有凹坑、組群等的精細凹凸圖案的光碟的原始盤。當氧濃度增大時，可以實現感光度提高，從而實現感光度沿著無機光刻膠層的厚度方向的變化。從而，可以在單個盤上設置不同深度的凹凸結構。
文檔編號G03F7/004GK1890733SQ20048003568
公開日2007年1月3日 申請日期2004年11月30日 優先權日2003年12月1日
發明者白鷺俊彥, 峰岸慎治 申請人:索尼株式會社