高光萃取效率發光器件的製作方法
2023-12-07 09:42:36
高光萃取效率發光器件的製作方法
【專利摘要】本發明提出一種提高光萃取效率的發光器件，所述器件的外延結構包括一N型層，一P型層，和一包裹在所述N型層和所述P型中的發光區。所述發光器件的特徵在於所述N型層形成在一特徵AlGaN層上，所述特徵AlGaN層形成在一AlN層上。所述特徵AlGaN層沿所述N型層到所述AlN層，帶隙逐漸增大。所述發光器件的特徵進一步地在於在所述AlN層可以形成在一納米多孔AlN層之上。本發明LED具有高光萃取效率和外量子效率。
【專利說明】高光萃取效率發光器件【技術領域】
[0001]本發明涉及提高光萃取效率的發光器件，特別涉及III族氮化物發光器件。
【背景技術】
[0002]近年來氮化物發光二極體取得快速進展。在可見光領域，由於技術進步和價格下降，InGaN發光二極體正對傳統的照明燈具白熾燈和螢光燈發出挑戰。目前，商用InGaN發光二極體的白光效率高達130流明/瓦。在紫外領域，特別是在UVB、UVC波段，AlGaN發光二極體技術雖然還處於起步階段，但壽命和光功率密度已經超過傳統的紫外燈。利用紫外殺菌效應，高效率的UVB、UVC發光二極體將會廣泛用於消毒方面，在食品安全、水處理和醫藥應用等領域帶來 革命性進步。
[0003]與傳統光源不同的是，發光二極體是固體光源，它的折射率η通常大於2，比空氣或真空的折射率(η為I)大很多。例如氮化鎵基可見光二極體，其發光區InGaN材料的折射率大於2.46 (隨In組分不同而略有變化)。當一束光從光密媒質射向光疏媒質時，如果入射角大於臨界角將會發生全內反射。如圖1A所示，設光密媒質的折射率是η2，光疏媒質的折射率是Ii1,臨界角Θ。由下式決定:QfarcsinO^/r^)。由於存在全內反射,只有入射角度小於臨界角的光才能從光密進入光疏媒質，這將形成一個出光錐，光錐對應的立體角是Ω=2π (l-cos0c)o假設出光方向具有各向同性，從出光錐中逸出的光百分比只有(l-cos0c)/2o為了簡明，下文只用方向朝下的光闡述本發明的內容。(如圖1A)。下出光錐中逸出的光佔向下傳播的光的百分比(效率)是(1-cosQ。)。在如圖1B中給出折射率比Ii2Zn1與出光效率的關係，出光效率隨H2Ai1增大而快速減小。例如:當Ii2Zn1等於1.1時，出光效率約58%，即10%的折射率差可以導致42%的出光損失。
[0004]對於全內反射帶來的低光萃取效率，以前的研究提出了多種解決方案，如表面或界面粗化(如美國專利7422962和7355210 (表面粗化)、8384111和8154034 (圖形化襯底)都用來減小全內反射)、側壁成型(如美國專利7，652，299增加光逸出角)以及引入光子晶體(如美國專利 5，955，749，7,166,870，7,615,398，7,173,289，7,642,108，7,652,295，7，250，635，以加強自發輻射比例和特定波長的光萃取)。以上美國專利內容通過引用整體併入本申請。
【發明內容】
[0005]本發明公開了一種提高光萃取效率的發光器件及其製造方法。本發明中的三族氮化物或氮化物通常指金屬氮化物，其中金屬來自元素周期表中的三A族，即三族氮化物包括A1N，GaN, InN以及它們的三元化合物(AlGaN，InGaN, InAlN)和四元化合物(AlInGaN)。三族氮化物或氮化物也包括少量的過渡金屬氮化物，如TiN，ZrN,HfN，一般摩爾含量少於10%。例如:三族氮化物或氮化物可能包括AlxInyGazTi(1_x_y_z)N，AlxInyGazZr(1_x_y_z)N，AlxInyGazTi(1_x_y_z)N，其中 Ι-χ-y-z 小於 10%.三族氮化物單層或發光區指該層或發光區是由三族氮化物半導體構成。[0006]本發明一方面提出一種納米多孔層，該層可以嵌入傳統的發光或LED結構。在三族氮化物發光結構或器件領域，納米多孔層可以是納米多孔的氮化物層。納米多孔的氮化物層一般可由摻雜或非摻雜的AlxInyGa1^N組成，其中0.1≥x≥O和0.1≥y≥0，或者I≥X≥0.5和0.1≥y≥O (如AlxGahNUnyGahyNjaN或AlN)。納米多孔氮化物層厚度為100-2000納米，如200-1000納米。納米多孔氮化物層具有隨機分布的納米孔洞，納米孔洞的深度小於或等於納米多孔氮化物層的厚度，如深度為20-600納米。納米孔洞的橫向尺寸為20-100納米，面密度為5X IO8 cm_2 -1XlO10 cm_2。納米多孔層的特徵還可以表述為，納米孔洞的面密度為5X IO8 cnT2-1XlO10 cnT2，孔隙率為5% -50%。
[0007]本發明另一方面提供了形成納米多孔氮化物層的方法。該方法利用外延生長來在1000 - 1150 °C之間形成多孔氮化物層。外延生長可以在氨氣的氛圍中進行，優選在富氨氛圍和氨貧氛圍中重複交替進行。平均外延生長速率控制為每小時300 - 1000納米。根據外延生長速率，在富氨和氨貧氛圍可以分別外延生長6-20秒和10-24秒。納米多孔氮化物層可以形成在別的氮化物層或氮化物模板上，或直接形成在襯底上，如藍寶石、SiC, AlN和Si。進一步地，該方法可以包含非原位納米孔洞修正過程:例如，通過對原位形成的納米多孔氮化物層進行溼法化學刻蝕來擴大孔洞尺寸或修正形狀，從而達到理想的孔隙率。
[0008]另外，本發明闡述了一種三族氮化物發光器件和器件結構，其特點在於在發光器件的襯底上直接形成納米多孔氮化物層。在一個實施例中，三族氮化物發光器件是紫外發光二極體，發光波長在UVB到UVC範圍(如340 nm-240 nm)，襯底為藍寶石，納米多孔氮化物層為納米多孔A1N。在另一實施例中，三族氮化物發光器件是可見光發光二極體，發光波長在近紫外到紅光範圍(如380 nm-650 nm)，襯底為藍寶石，納米多孔氮化物層為納米多孔GaN。
[0009]另外，本發明闡明了一種紫外發光器件和結構。紫外發光器件的發光波長在240nm到340nm之間，該器件包含一基於AlGaN多量子阱的激活區。該激活區形成在一氮化物多層結構上,該氮化物多層結構至少包含一輕摻雜rT-AlGaN層，一重摻雜n+-AlGaN層，一非摻雜AlGaN層，一特徵AlGaN層、和一 AlN層。該氮化物多層結構可以形成在襯底材料如藍寶石、GaN、AlN和Si上。所述特徵AlGaN層厚度要大於AlGaN多量子阱的發光在所述非摻雜AlGaN層中所測得的波長，或至少與之相當。另外，所述特徵AlGaN層的Al組分逐漸變化，從所述非摻雜AlGaN層的Al組分漸變到100% (AlN)0在另一實施例中，該紫外發光器件的襯底和AlN層之間可能進一步包含一納米多孔AlN層。
[0010]另外，本發明還闡明了一種可見光發光器件和結構。所述可見光發光器件的發光波長在380 nm到650nm之間，所述器件包含基於InGaN多量子阱的激活區。所述激活區可以形成在一氮化物多層結構上，所述氮化物多層結構包含一輕摻雜n_-GaN層，一重摻雜n+-GaN層，一非摻雜GaN層,一特徵AlGaN層和一 AlN層。所述氮化物多層結構可以形成在襯底材料如藍寶石、GaN、AlN和Si上。所述特徵AlGaN層厚度要大於InGaN多量子阱的發光在所述非摻雜GaN層中所測得的波長，或至少與之相當。進一步地，所述特徵AlGaN層的Al組分逐漸變化，從靠近所述非摻雜GaN界面的0%漸變到靠近所述AlN層界面的100%。在一實施例中，所述可見光發光器件在襯底和AlN層之間可以進一步包含一納米多孔AlN層。
[0011]與現有技術相比，本發明的優點和積極效果如下:特徵AlGaN層和納米多孔AlN層使得LED光萃取效率增加，其中納米多孔AlN層進一步能降低LED結構中的應力，使得LED的量子效率提高。
[0012]
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]結合附圖閱讀本發明的【具體實施方式】後，本發明的其他特點和優點將變得更加清楚。圖中的參考數字在整個發明中指同樣的內容，一層可能指代具有相同作用的層組。
[0014]圖1 A為全內反射和光逸出錐的示意圖；
圖1B為光從光密媒質(折射率n2)向光疏媒質(折射率Ii1)傳播時，光透過率與折射率比Ii2Zn1的關係；
圖2為光從AlGaN向AlN傳播時，光透過率與AlGaN中Al組份的關係；
圖3不意了本發明一實施例LED外延層狀結構圖；
圖4為按照Sellmeier方程，藍寶石、GaN和AlN晶體的折射率與波長的關係；
圖5示意了按照本發明一實施例的納米多孔氮化物層的橫截面圖；
圖6不意了本發明一實施例LED外延層狀結構圖；
圖7示意了本發明一實施例薄膜LED外延層狀結構圖；
圖8A為按照本發明一實施例的納米多孔AlN層的表面形貌；
圖8B為按照本發明一實施例的常規AlN層的表面形貌。
【具體實施方式】
[0015]下文中以氮化物發光器件或結構作為實施例來闡明本發明的基本原理和思想。任何熟悉本專業的技術人員可能利用上述揭示的技術內容加以變更或改型為等同變化的等效實施例應用於I1-VI半導體和其它半導體器件或發光器件，但是凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬於本發明技術方案的保護範圍。
[0016]為了提高內量子效率，LED通常設計多個不同組分的外延層來降低材料缺陷和提高載流子限制。然而，根據圖1A和圖1B的分析，由於組分差異出現的折射率細微變化可以導致光輸出很大損失。因此高光效LED需要額外的設計思路。
[0017]現有高效率AlGaN基的紫外LED中，主要採用c面藍寶石作為透明襯底。藍寶石上首先外延一高質量的AlN基底，然後是一套AlN/AlGaN超晶格或非摻雜的AlGaN層以進一步降低AlN基底材料中的穿透位錯密度。前期AlGaN基的紫外LED結構可以在文獻中查到。(參見:「Milliwatt Power Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes over Sapphirewith Emission at 278 nm，，，J.P.Zhang, et al, App1.Phys.Lett.81, 4910 (2002);美國專利8,227,789; 7，326，963;美國專利公開2010/0032647，以上文章和專利內容通過引用整體併入本申請。)
AlGaN基的紫外LED —般通過襯底或η側出光，因為P側通常生長p_GaN作為歐姆接觸層，而P-GaN強烈吸收紫外光。當激活區發射的紫外光向η側傳播時，必須通過AlN/AlGaN界面。對280 nm紫外光，光從AlGaN層傳向AlN層的透射率受到全內反射限制，該透射率與AlGaN層鋁組份的關係在圖2中示出。可以看出，當鋁組份為0.9時，透射率只有66%，而當鋁組份為0.6時，透射率降至40%。由於P-GaN和P側接觸層對紫外吸收強烈，反射光可以考慮為出光損失。
[0018]鑑於全內反射對輸出光造成嚴重損失，本發明以紫外LED為實施例闡明提高光萃取效率的結構，如圖3所示。如果吸收襯底可以從器件上剝離，襯底10的選擇可以是藍寶石、GaN、Si和SiC。在襯底10上形成外延層21，可以是鋁組份大於等於90%的AlGaN層，例如93%到97%，優選地層21為AlN層。外延層21上面依次是非摻雜的AlGaN層31』，Si重摻雜的 n+-AlGaN 層 31 ([Si] = 3 X IO18 cnT3 -1XlO19 cnT3)和 Si 輕摻雜的 rT-AlGaN層32 ([Si] = IXlO17 cm_3 - 5X IO17 cm_3)。層31』，31和32具有相同或基本相同的鋁組份。激活區40形成在32層上，含有3-15對AlGaN/AlGaN多量子阱，阱壘配置以得到所需的紫外光。P型AlGaN層作為電子阻擋層51形成在激活區40上，與激活區40最後的量子壘相比，電子阻擋層51的導帶要高出100 meV。再上面形成的是作為空穴注入層的P型AlGaN 52和作為接觸層的重摻P型GaN 60。P型和η型歐姆接觸金屬層820和810分別形成在P型GaN層60和η+型AlGaN層31上，其上分別是ρ型接觸電極821和η型接觸電極811。
[0019]圖3所示的紫外LED結構的特點是有一層特徵AlGaN層30，其厚度與AlGaN多量子阱激活區40的發光在非摻雜AlGaN層31』(或等價地，層31，層32)中測得的波長相當，或者更厚。換言之，如果多量子阱40的發光波長在空氣中是λ納米，層31』的折射率是η，那麼層30的厚度是大於或至少相當於λ/n納米。例如，如果多量子阱在空氣中發光波長是280納米，層31』的折射率是2.5，那麼層30的厚度需要大於等於或至少約112納米。上面術語「相當於」的意思是層30的厚度可以大於或等於多量子阱發光在非摻雜AlGaN層31』中所測得的發光波長的80%，90%, 100%或120%。通常，層30的厚度在100至1000納米之間。進一步地，插在層21和層31』的特徵層30的帶隙(能帶寬度)從層31』到層21逐漸變大(圖3)。在層31』和層30的界面上，層30的帶隙可以等於或稍大於(如為層31 『帶隙的103%)層31』的帶隙。在層21和層30的界面上，層30的帶隙可以等於或稍小於(如為層21帶隙的97%)層21的帶隙。從層21到非摻雜的AlGaN層31』，採用逐漸減小的鋁組份來形成特徵AlGaN層30，就可以滿足帶隙度要求(如圖3中圖中左側折線圖，其示意了 LED結構中部分層區的帶隙或鋁含量變化)。
[0020]在本發明的實施例中，層21是0.3 - 3.0μπι厚的AlN層，層31』是0.2 -0.5μ m厚的AlGaN層，其鋁組份是一常數，如60%，所述特徵層30是0.4-0.6 μ m厚(如0.5 μ m)的AlGaN層，其鋁組份從層21的100%線性遞減到層31』的Al組份，如60%。本實施例可以有其它變化，如在結構中增加摻雜劑或少量的In、Zr和Ti，都應該認為屬於本發明範圍。
[0021]特徵層30中的鋁組份變化優先選擇線性或非線性的平滑漸變。另外變化也可以是階梯狀的，此時需要階梯分布比較均勻且沿形成方向鋁組份整體平均變化率小於0.5%每納米。
[0022]插入所述特徵層30可以減少或消除光從層31』到層21的全內反射，提高光萃取效率。
[0023]在層21和襯底10之間的界面上還存在另一個全內反射面。大多數的可見和紫外發光二極體採用藍寶石作為襯底，如圖4所示，藍寶石的折射率小於AlGaN材料的折射率。結合圖4和圖1B中的數據，當藍寶石作為襯底10，層21是AlN時，280 nm的發光只有約38.6%的光可以穿過層21進入襯底10。對450 nm的發光二極體，寶石作為襯底10，層21是GaN時，約有30.1%的光可以穿過層21進入襯底10。這些數據表明迫切需要去除該界面的全內反射。在現有的工作中，採用圖形藍寶石襯底使藍寶石和氮化物的界面粗糙化，進而減輕全內反射(如美國專利8，384，111; 8，154,034)。
[0024]本發明另外提供降低層21和襯底10界面全內反射的解決方案。如圖5所示，本發明的一實施例提供一形成於襯底10上的納米多孔氮化物層20。納米多孔層20可以是摻雜或非摻雜的AlxInyGa^yN (0.1≥x≥O且0.1≥y≥0或1≥x≥0.5且0.1≥y≥0)，如AlxGahN 或 InyGa1-AWGaN 和 AlN 作為特例。層 20 厚度為 100-2000 nm,如 200-1000nm.納米多孔層20由隨機均勻分布的納米孔洞202和納米網絡201組成，納米孔洞202置於納米網絡201中且分割之。納米孔洞202的深度(沿納米多孔氮化物層20形成方向)等於或小於納米多孔氮化物層20的厚度，如納米孔洞深度為20-2000 nm。納米孔洞202橫向尺寸為20-100納米，密度為5X IO8 cnT2 -1XlO10 cnT2，被納米網絡201分隔，間距為20-500納米。如果後續外延層能覆蓋納米孔洞不至於在激活區形成空洞缺陷，納米孔洞的橫向尺寸可以大於100納米。換言之，納米多孔層20的納米孔洞密度為5X108CnT2-1 X 101° era2,孔隙率為5% -50%。圖8A示出了納米多空層20的典型表面形貌。
[0025]根據本發明一實施例，納米多孔層20優選是納米多孔AlN層。形成納米多孔AlN層的方法包含在1000 V - 1150 °C之間外延形成納米多孔氮化物層，形成方法包括金屬有機物化學氣相沉積法(MOCVD)或分子束外延法(MBE)。在富氨和氨貧的情況下重複、交替外延形成效果更佳。AlN形成時富氨條件可以降低表面吸附鋁原子的擴散長度，氨貧條件可以促進鋁原子在表面擴散和缺陷分解，富氨和氨貧條件交替使用從而促使在AlN外延層中形成納米孔。富氨條件指氨氣和金屬有機源的摩爾比(V/III)大於1000，而氨貧條件指V/III在0-1000之間。平均外延生長速率在每小時300 - 1000 nm之間。根據生長速率，交替的富氨和氨貧的外延時間分別在6到20秒和10到24秒之間。圖8A示出了剛形成後的納米多孔層20的典型表面形貌。
[0026]納米多孔氮化物層可以形成在其它氮化物層上或氮化物模板上，或者直接形成在藍寶石、SiC、AlN和Si之類的襯底上。另外還可以採取後續納米孔洞修正過程:如將長好的納米多孔氮化物層利用化學溼法刻蝕，對納米孔洞進行放大和整形，從而得到理想的孔隙率。如外延形成納米多孔層20後，用加熱的KOH溶液刻蝕，可以擴孔而得到理想的孔隙率。H3PO4或H3PO4和H2SiO3的混合溶液也可以用來刻蝕納米孔和整形。
[0027]另外美國專利申請13/358，438中公開了 GaN或InGaN基的納米多孔層的形成過程，在此作為參考文獻整體引用。簡而言之，GaN或InGaN基的納米多孔層的形成需要在氮氣和氨氣的氛圍中低溫(例如650 -950°C )完成。
[0028]在襯底和外延結構之間加入納米多孔層會打亂全內反射的條件，從而提高光萃取效率。
[0029]按照本發明的另一方面，圖6示出了一AlGaN基的紫外發光二極體的外延結構。與圖3的紫外發光二極體相比，在襯底10和AlN層21之間增加了納米多孔AlN層20。層21要具有足夠的厚度(如300-3000 nm)來覆蓋納米多孔層20，在層21形成完成後優選地不能留有納米孔洞開口。通常，為覆蓋層20、21界面的納米孔洞，層21的形成溫度、形成速率和V/III都要比層20的高。層21的形成溫度至可以比層20的高100 °C。在一實施例中，層20在1100 V下以每小時600 nm的速度形成30分鐘，層21在1250 V下以每小時1500 nm的速度形成30分鐘。通常層21的V/III超過1000，如2000或2500。層21覆蓋在層20上的典型表面形貌如圖8B所示。
[0030]圖6進一步表明:層對20/21可以重複m次，即超過I次，如3次或5次等。多次重複層對20/21可以使更多的光散射進入襯底10,從而提聞光萃取效率，另外可以提聞材料質量使層21更厚而不裂。在一實施例中，襯底10為藍寶石，層20是250納米厚的納米多孔AlN層(其內部含有隨機分布的平均橫向尺寸為40納米的納米孔洞，面密度為5X IO9cnT2)，層21是600納米厚的AlN層，層對20/21的重複次數是3次。
[0031]圖6示意的紫外LED實施例也可以利用現有工藝，將襯底10剝離，使得外延結構倒貼到基底70上去形成薄膜器件(見圖7)。基底70含有基底P型電極墊72和基底N型電極墊71，分別通過金屬(金球或金錫合金)連接823和813和LED P-型接觸電極墊821及LED N型接觸電極墊811形成歐姆接觸。N和P金屬歐姆接觸(810和820)還被絕緣層90隔尚。絕緣層90可以是SiO2層或風化娃層。
[0032]在另一實施例中，圖6和圖7所示的結構可以是可見光LED。在這些實施例中，層20是納米多孔AlN層，層21是AlN層，而層30是AlGaN層，其Al組份從層21的漸變到層31』的。進一步，層31』，31和32分別是非摻雜的GaN層，重Si摻雜的GaN層和輕Si摻雜的GaN層，激活區40是可以發射可見光的GaN/InGaN多量子阱。
[0033]對於所有的發光波長，圖7所示的實施例比圖6所示的實施例都具有更高的光萃取效率。
[0034]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非是對本發明作其它形式的限制，任何熟悉本專業的技術人員可能利用上述揭示的技術內容加以變更或改型為等同變化的等效實施例應用於其它領域，但是凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬於本發明技術方案的保護範圍。
【權利要求】
1.一種發光器件，所述器件的外延結構包括:一 N型層，一 P型層，和一包裹在所述N型層和所述P型層中的發光區，其特徵在於，所述N型層形成於一特徵AlGaN層上，所述特徵AlGaN層形成於一 AlN層上，沿所述N型層到所述AlN層，所述特徵AlGaN層帶隙逐漸增大。
2.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，所述特徵AlGaN層的厚度要大於或等於所述發光區發光在所述η型層中測得的波長。
3.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，沿所述N型層到所述AlN層，所述特徵AlGaN層帶隙逐漸增大，是通過逐漸增大所述特徵AlGaN層中的鋁組份實現的。
4.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，所述發光區是GaN/InGaN多量子阱，發射從380 nm到650 nm的近紫外和可見光。
5.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，所述發光區是AlGaN/AlGaN多量子阱，發射從240 nm到350 nm的紫外光。
6.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，還包含一納米多孔AlN層，所述AlN層形成在所述納米多孔AlN層上。
7.如權利要求6所述的發光器件，其特徵在於，所述AlN層和所述納米多孔AlN層交替重複生長2-5次。
8.如權利要求6所述的發光器件，其特徵在於，所述納米多孔AlN層所含納米孔洞具有橫向尺寸 20-100 nm，縱向尺寸 20-2000 nm，面密度 5X108 cnT2 -1XlO10 cnT2。
9.如權利要求1所述的發光器件，其特徵在於，還包含一非摻雜AlGaN層和一Si重摻雜n+-AlGaN層，所述非摻雜AlGaN層形成於所述特徵AlGaN上，所述Si重摻雜n+_AlGaN層形成於所述非摻雜AlGaN層上，所述N型層形成於所述Si重摻雜n+ -AlGaN層上。
10.如權利要求9所述的發光器件，其特徵在於，所述N型層是一Si輕摻雜的IT-AlGaN層，其帶隙和所述Si重摻雜n+-AlGaN層和所述非摻雜AlGaN層的相同，所述特徵AlGaN層的帶隙在與所述非摻雜AlGaN層界面處與所述非摻雜AlGaN層的帶隙相同，所述特徵AlGaN層的帶隙在與所述AlN層界面處與所AlN層的帶隙相同。
11.如權利要求6所述的發光器件，其特徵在於，襯底是藍寶石、AlN、GaN、Si或SiC，所述納米多孔AlN形成在所述襯底上。
12.如權利要求8所述的發光器件，其特徵在於，所述納米多孔AlN層的形成溫度在1000 V - 1150 °C，形成方式包含了周期性在富氨和氨貧的條件下交替外延生長AlN材料。
13.如權利要求12所述的發光器件，其特徵在於，所述的富氨條件是指氨氣對金屬有機物氣流的摩爾比超過1000，所述的氨貧條件是指氨氣對金屬有機物氣流的摩爾比在O到1000之間。
14.一種發光器件，所述器件的外延結構包括:一 N型層，一 P型層，和一包裹在所述N型層和所述P型層中的發光區，其特徵在於，所述N型層形成於一 AlN層上，所述AlN層形成於一納米多孔AlN層上。
15.如權利要求14所述的發光器件，其特徵在於，所述AlN層和納米多孔AlN層交替重複生長2-5次。
16.如權利要求14所述的發光器件，其特徵在於，所述納米多孔AlN層所含納米孔洞橫向尺寸為20-100 nm,縱向尺寸為20-2000 nm，面密度為5X108 cnT2 -1XlO10 cnT2。
17.如權利要求14所述的發光器件，其特徵在於，還包含一特徵AlGaN層，所述N型層形成在所述特徵AlGaN層上，所述特徵AlGaN形成在所述AlN層上，沿所述N型層到所述AlN層，所述特 徵AlGaN層帶隙逐漸增大。
【文檔編號】H01L33/02GK103762286SQ201410017588
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月15日 優先權日:2013年8月9日
【發明者】張劍平, 高英, 武帥, 周瓴 申請人:青島傑生電氣有限公司