柵極能量回收的製作方法

2023-11-06 06:31:17 2

本發明大體上涉及電路，且更具體來說，本發明涉及將電荷供應到電晶體及從電晶體汲取電荷。

背景技術：

電晶體通常在電路中用作開關及用於放大電信號以及其它用途。許多電晶體，例如場效應電晶體及雙極結電晶體，具有三個端子：柵極、源極及漏極。源極及漏極端子可耦合到(舉例來說)由例如電池的電壓裝置供應的第一電勢。柵極端子可連接到(例如)由第二電壓裝置供應的第二電勢。將第二電勢供應到電晶體的柵極會將電荷施加於柵極。一旦所施加的電荷增加到超出閾值，那麼柵極會開啟以允許電流流動通過如由第一電勢所提供的源極及漏極端子。當電流正流動通過源極及漏極端子時，可將電晶體稱為「接通」。當不再將第二電勢施加於柵極端子且從柵極移除電荷時，電流停止流動通過源極及漏極端子。當電流不流動通過源極及漏極端子時，可將電晶體稱為「關斷」。

通常，當將電晶體從接通切換到關斷時，被施加於所述柵極的電荷被有源地從所述柵極汲取。舉例來說，電接地可電連接到柵極，其從柵極牽引被施加於所述柵極的電荷。接著，此電荷丟失，變成實際上損失的能量。在其中電晶體在接通狀態與關斷狀態之間迅速切換的應用中，通過汲取電荷損失的能量可能是顯著的。

技術實現要素：

一般來說，且依據這些不同實施例，提供一種循序地將電荷施加於電晶體及/或移除到電晶體的電荷作為分別接通及關斷柵極的部分的電路及方法。當從開關的柵極移除施加到所述柵極的電荷時，可將所述電荷的至少部分移除到存儲裝置且再次使用所述電荷而非將其汲取到接地。舉例來說，電容器可用於提供電勢，通過所述電勢將電荷施加於電晶體的柵極。當汲取所述電荷時，可在將柵極連接到電接地之前將所述電荷至少部分汲取回到所述電容器，這移除足夠的電荷以使所述電晶體完全關斷。經如此配置，下次將所述電晶體切換回接通時可重複使用汲取到電容器而非汲取到接地的電荷。參考圖式及以下描述可理解這些優點及其它優點。

附圖說明

在附圖的圖式中說明本發明的實施例，其中：

圖1描繪根據本發明的標的物的一些實施例的實例電路100，在實例電路100分階段將電勢施加到電晶體114的柵極116及/或從電晶體114的柵極116汲取電荷，其中從電晶體114的柵極116回收電荷。

圖2是根據本發明的標的物的一些實施例的圖表200，其描繪在分階段將電勢施加於電晶體的柵極及從電晶體的柵極汲取電勢時隨時間變化的跨越電晶體的柵極的電勢差。

圖3描繪根據本發明的標的物的一些實施例的實例電路300，其包含第一電晶體304、第二電晶體306及第三電晶體302，第三電晶體302耦合到被驅動電晶體308的柵極318，其中可分步驟將電勢施加於被驅動電晶體308的柵極318及/或從被驅動電晶體308的柵極318汲取電勢且從被驅動電晶體308的柵極318回收電勢。

圖4是根據本發明的標的物的一些實施例的用於將電荷供應到電晶體的柵極的實例操作的流程圖。

圖5是根據本發明的標的物的一些實施例的用於汲取來自電晶體的柵極的電荷的實例操作的流程圖。

具體實施方式

此部分提供對本發明的標的物的一些實施例的介紹。本發明的標的物的實施例通過分階段將電荷施加於電晶體及/或汲取來自電晶體的電荷的過程有效地驅動電晶體。另外，在一些實施例中，在此過程期間從被驅動電晶體的柵極回收電荷。通過此過程，經回收的電荷可在隨後驅動循環中用於至少部分驅動電晶體的柵極。在圖1中描繪電路的一種此實例。

圖1描繪根據本發明的標的物的一些實施例的實例電路100，在電路100中分階段將電荷施加到電晶體114的柵極116及/或從電晶體114的柵極116汲取電荷，其中從電晶體114的柵極116回收電荷。圖1的電路100包含第一開關110、第二開關112、第三開關108及電晶體114。電路100還包含第一電壓裝置104、第二電壓裝置106及第三電壓裝置102。第一開關110耦合到第一電壓裝置104(其具有電勢差「Vhigh」)及電晶體114的柵極116。第二開關112耦合到第二電壓裝置106(其具有電勢差「Vlow」)及電晶體114的柵極116。第三開關108耦合到第三電壓裝置102(其具有電勢差「Vint」)及電晶體114的柵極116。

電壓裝置(即，第一電壓裝置104、第二電壓裝置106及第三電壓裝置102)中的每一者可操作以將電勢差(即，供應電荷及/或汲取電荷)提供到電晶體114的柵極116。舉例來說，電壓裝置可為AC電壓源、DC電壓源(例如，電池、電容器等等)、接地或能夠提供電勢差的任何其它裝置。因此，電壓裝置中的每一者可用於經由柵極116驅動電晶體114以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極。儘管電壓裝置中的每一者都可用於驅動電晶體114，但在一些實施例中，僅第一電壓裝置104(即，Vhigh)能夠將足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極的電勢提供到電晶體114的柵極116。在一些實施例中，第二電壓裝置106(即，Vlow)及第三電壓裝置102(即，Vint)不能將足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極的電勢提供到電晶體114的柵極116。此外，在所提供的實例中，第三電壓裝置102(即，Vint)的電勢差大於第二電壓裝置106(即，Vlow)的電勢差。

因為第三電壓裝置102可能不能夠提供足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極的電勢，所以第三開關108可經閉合(而第一開關110及第二開關112斷開)以將電勢差Vint施加於電晶體114的柵極116以部分驅動電晶體。即，電勢差Vint可施加於電晶體114的柵極116而無需接通電晶體114。在其它實施例中，第三電壓裝置102可能能夠提供足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極的電勢。在任一情況中，可將第三開關108認為是預充電開關，這是因為儘管閉合所述預充電開關會將一些電荷從第三電壓裝置102施加於電晶體114，但所述電荷小於施加於電晶體114的最終電荷。接著，可斷開第三開關108且閉合第一開關110。閉合第一開關110會將電勢差Vhigh施加於電晶體114的柵極116。無論第三電壓裝置102是否能夠提供足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極的電勢，電勢差Vhigh足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極。因為電勢差Vhigh足以允許電流流動通過電晶體114的源極及漏極，所以當電勢差Vhigh被施加於電晶體114的柵極116時，電晶體114接通。因此，在此意義上，可將第一開關110認為是「接通開關」，這是因為閉合所述接通開關會將足以允許電流流動通過電晶體114的電荷從第一電壓裝置104施加於電晶體114。

取決於電路的組件，當第一開關110被斷開時，通過電晶體114的源極及漏極的電流的流動可停止。即，在一些實施例中，斷開第一開關110可致使電晶體114關斷，而在其它實施例中，電晶體114可能不關斷直到來自電晶體114的柵極116的電荷被有源地汲取為止。無論在第一開關110斷開之後電流是否流動通過電晶體114的源極及漏極，跨越電晶體114的柵極116仍存在電勢差(即，電晶體114的柵極116上積累的電荷)。在一些實施例中，第三電壓裝置102可操作以從電晶體114的柵極116汲取此電勢差。在此類實施例中，第三開關108閉合而第一開關110及第二開關112仍斷開。如果第三電壓裝置102的電勢小於跨越電晶體114的柵極116存在的電勢差，那麼第三電壓裝置102將從電晶體114的柵極116汲取電荷。在將來自電晶體114的柵極116的電荷汲取到第三電壓裝置102之後，可將任何剩餘電荷汲取到第二電壓裝置106。可通過斷開第三開關108且接著閉合第二開關112將任何剩餘電荷汲取到第二電壓裝置106。在此意義上，可將第二開關112認為是關斷開關，這是因為閉合所述關斷開關允許電晶體114上剩餘的任何電荷消散，從而完全關閉電流通過電晶體114的移動。

儘管上文描述僅由一個電壓裝置(即，第三電壓裝置102)施加預充電，但某些實施例並非受如此限制。在一些實施例中，多個電壓裝置可用於施加預充電。舉例來說，如圖1中使用虛線所描繪，可使用兩個額外電壓裝置(即，第四電壓裝置122及第五電壓裝置124)。在此類實施例中，可首先閉合第五開關120，從而將電勢差Vint-2施加於電晶體114的柵極116。一旦跨越電晶體114的柵極116的電勢已穩定，就斷開第五開關120且閉合第四開關118。閉合第四開關118將電勢差Vint-1施加於電晶體114的柵極116。一旦跨越電晶體114的柵極116的電勢差已穩定，就可斷開第四開關118且閉合第三開關108。如可見，可使用任何數目個電壓裝置作為預充電電壓裝置。為便於閱讀，此說明書的部分將僅涉及單個預充電開關及預充電電壓裝置，然而，應注意，本發明的標的物的實施例可利用更多數目個預充電開關及預充電電壓裝置。

儘管圖1的論述描述經由電晶體的柵極來驅動電晶體，但在一些實施例中，可由除柵極外的端子驅動電晶體。舉例來說，在一些實施例中，可由作為對柵極的替代或補充的背柵(或任何其它端子)來驅動電晶體。

圖1描繪用於增加驅動電晶體的柵極的效率的實例電路，而圖2描繪在例如圖1中所描述的電路的實例電路中跨越電晶體的柵極的電勢差。

圖2是根據本發明的標的物的一些實施例的圖表200，其描繪在分階段將電勢施加於電晶體的柵極及從電晶體的柵極汲取電勢時隨時間變化的跨越電晶體的柵極的電勢差。將跨越電晶體的柵極的電勢差(即，跨越電晶體的柵極的電壓)標示為「Vgate」且在圖表的Y軸上描繪所述電勢差。在圖標的X軸上描繪時間。如圖1的論述中所描述，電晶體的柵極耦合到三個電壓裝置：具有電勢差Vhigh的第一電壓裝置、具有電勢差Vlow的第二電壓裝置及具有電勢差Vint的第三電壓裝置。在t＝0之前的時間處，Vgate≤Vlow，且第一開關、第二開關及第三開關都斷開。

在t＝0處，第三開關閉合且電勢差Vint被施加於電晶體的柵極。在第一時間段202期間，跨越電晶體的柵極的電勢差與第三電壓裝置的電勢差朝向均衡移動，使得在第一時間段202結束時Vgate＝Vint。在第一時間段202結束時，第三開關斷開。

在第二時間段204開始時，閉合第一開關。當第一開關閉合時，電勢差Vhigh被施加於電晶體的柵極。在第二時間段204期間，跨越電晶體的柵極的電勢差與第一電壓裝置的電勢差朝向均衡移動，使得在第二時間段204結束時Vgate＝Vhigh。在第二時間段204結束時(即，當Vgate＝Vhigh時)，跨越電晶體的柵極的電勢差足以允許電流流動通過電晶體的源極及漏極(即，電晶體「接通」)。應注意，在一些實施例中，Vhigh可足夠大(且源極/漏極電壓足夠小)以使得Vhigh大於實現電晶體的閾值電壓所必需的最小電壓。在此類實施例中，Vgate可能從未達到Vhigh。然而，假設Vhigh足以允許電流流動通過電晶體的漏極及源極，而在第二時間段204結束時Vgate可能不等於Vhigh，那麼Vgate將至少足夠大以使得實現閾值電壓。無論是否達到均衡，只要第一開關閉合(假設第一電壓裝置可連續提供必需的電勢差)，那麼跨越電晶體的柵極的電勢差仍足以允許電流流動通過電晶體的源極及漏極。此狀態在第三時間段206的持續時間內持續。在第三時間段206結束時，第一開關斷開。

在第一開關斷開之後，跨越電晶體的柵極的電勢差可為非零。根據本發明的標的物的一些實施例，正如分步驟施加跨越電晶體的柵極的電勢差，可分步驟汲取跨越電晶體的柵極的電勢差。舉例來說，在第一開關斷開之後，可閉合第三開關。如圖2中所描繪，在第四時間段208開始時閉合第三開關。在第四時間段208期間，將來自電晶體的柵極的電荷汲取到第三電壓裝置。簡單來說，在第四時間段208期間，跨越電晶體的柵極的電勢差與第三電壓裝置的電勢差朝向均衡移動，使得在第四時間段208結束時Vgate＝Vint。在第四時間段208結束時，斷開第三開關。

在第五時間段210開始時，閉合第二開關。在第五時間段期間，將來自電晶體的柵極的電荷汲取到第二電壓裝置。在一些實施例中，第二電壓裝置是接地。在此類實施例中，全部(或大部分)剩餘電荷被汲取到第二電壓裝置，且跨越電晶體的柵極的電勢差在第五時間段210結束時達到零。

實例電路

圖1及2提供關於具有用於驅動電晶體的柵極的多個開關及電壓裝置的通用電路的介紹信息，而圖3及隨附文本描述更特定的示範性電路，其中數個電晶體用作開關以控制將來自多個電壓裝置的電勢差施加於驅動電晶體的柵極。

圖3描繪根據本發明的標的物的一些實施例的實例電路300，其包含第一電晶體304、第二電晶體306及第三電晶體302，第三電晶體302耦合到被驅動電晶體308的柵極318，其中可分步驟將電勢施加於被驅動電晶體308的柵極318及/或從被驅動電晶體308的柵極318汲取電勢且允許回收來自被驅動電晶體308的柵極318的電勢。第一電晶體304的源極耦合到第一電壓裝置316，第一電晶體304的漏極耦合到開關電晶體308的柵極318，且第一電晶體的柵極耦合到控制器310。第二電晶體306的源極耦合到被驅動電晶體308的柵極318，第二電晶體306的漏極耦合到第二電壓裝置(在此實例中，接地)，且第二電晶體306的柵極耦合到控制器310。第三電晶體302的源極耦合到第三電壓裝置320(例如，電容器，如圖3中所描繪)，第三電晶體302的漏極耦合到被驅動電晶體的柵極318，且第三電晶體302的柵極耦合到控制器310。第三電壓裝置320用於將電荷施加於被驅動電晶體308的柵極318及汲取來自被驅動電晶體308的柵極318的電荷兩者。因此，被驅動電晶體308的柵極318上剩餘的原本將被汲取到接地的電荷由第三電壓裝置320回收且在隨後循環中被施加於被驅動電晶體308的柵極318以協助驅動被驅動電晶體308的柵極318。

當將電勢差施加於驅動電晶體308的柵極318時，控制器310將電勢差施加於第三電晶體302的柵極以便允許來自第三電壓裝置320的電流流動通過第三電晶體302的源極及漏極且到達被驅動電晶體308的柵極318。簡單來說，控制器310接通第三電晶體302。在第三電壓裝置320已將其電勢差施加於被驅動電晶體308的柵極318之後，控制器310關斷第三電晶體302。在一個實施例中，控制器310可監測第三電壓裝置320的電勢且當第三電壓裝置320已被放電時關斷第三電晶體302。另外或替代地，控制器310可監測跨越被驅動電晶體308的柵極318的電勢差。舉例來說，傳感器322可電耦合到被驅動電晶體308的柵極318並與控制器310通信。在此類實施例中，控制器310可監測傳感器322以確定應何時關斷第三電晶體302。舉例來說，控制器310可在跨越被驅動電晶體318的柵極318的電勢差已穩定時關斷第三電晶體302。在圖3中所描繪的實施例中，第三電壓裝置320的電勢差不足以允許電流流動通過被驅動電晶體308的源極及漏極。

在第三電晶體302關斷之後，控制器310將電勢差施加於第一電晶體304的柵極以接通第一電晶體304。當第一電晶體304接通時，將來自第一電壓裝置316的電勢差施加於被驅動電晶體308的柵極318。在圖3中所描繪的實施例中，第一電壓裝置316的電勢差足以允許電流流動通過被驅動電晶體308的源極及漏極。控制器310繼續將電勢差提供到第一電晶體304的柵極直到是時候關斷被驅動電晶體308為止。當是時候關斷被驅動電晶體308時，控制器310停止將電勢差提供到第一電晶體304的柵極。即，控制器310關斷第一電晶體304。

在關斷第一電晶體304之後，控制器310將電勢差提供到第三電晶體302的柵極。這使第三電晶體302接通。如果跨越被驅動電晶體308的柵極318的電勢差大於第三電壓裝置320的電勢差(即，跨越被驅動電晶體308的柵極318的電勢差大於跨越電容器板的電勢差)，那麼將電荷從被驅動電晶體308的柵極318汲取到第三電壓裝置320。此電荷由第三電壓裝置320回收且可在隨後驅動循環中用於至少部分驅動被驅動電晶體308的柵極318。在第三電壓裝置320汲取來自被驅動電晶體308的柵極318的電荷之後，控制器310關斷第三電晶體302。在將電荷從被驅動電晶體308的柵極318汲取到第三電壓裝置320時，控制器310可監測第三電壓裝置320的電勢及/或跨越驅動電晶體308的柵極318的電勢差。舉例來說，控制器310可經由傳感器322監測跨越驅動電晶體308的柵極318的電勢差。在一些實施例中，控制器310在第三電壓裝置320的電勢差與跨越驅動電晶體308的柵極318的電勢差均衡時關斷第三電晶體302。

在關斷第三電晶體302之後，控制器310將電勢差施加於第二電晶體306的柵極以接通第二電晶體306。當第二電晶體306接通時，可將被驅動電晶體308的柵極318上剩餘的電荷中的一些部分或全部(如果存在)汲取到第二電壓裝置。在圖3中所描繪的實施例中，第二電壓裝置是接地。

實例操作

圖3描繪根據本發明的標的物的一些實施例的實例電路，而圖4及5是用於將電荷供應到電晶體及從電晶體汲取電荷的實例操作的流程圖。具體來說，圖4是用於分階段將電荷供應到電晶體的實例操作的流程圖，且圖5是用於分階段從電晶體汲取電荷的實例操作的流程圖。圖4及5的流程圖是基於類似於圖1及3中所呈現的電路的電路。舉例來說，圖4及5的流程圖是基於具有第一開關、第二開關、第三開關及被驅動電晶體的電路。第一開關耦合到第一電壓裝置(其具有電勢差Vhigh)及電晶體的柵極。第二開關耦合到第二電壓裝置(其具有電勢差Vlow)及電晶體的柵極。第三開關耦合到第三電壓裝置(其具有電勢差Vint)及電晶體的柵極。電勢差Vhigh大於電勢差Vint，且電勢差Vint大於電勢差Vlow。電勢差Vhigh足夠大以使得當其被施加於電晶體的柵極時，電流能夠流動通過電晶體的漏極及供應器。

圖4是根據本發明的標的物的一些實施例的用於將電荷供應到電晶體的柵極的實例操作的流程圖。在圖4的流程開始時，所有三個開關都斷開。流程在框402處開始。

在框402處，閉合第三開關。第三開關耦合到電晶體的柵極及第三電壓裝置。第三電壓裝置具有電勢差Vint。閉合第三開關允許電荷從第三電壓裝置流動到電晶體的柵極。在一些實施例中，電荷從第三電壓裝置流動到電晶體的柵極直到跨越電晶體的柵極的電勢差與第三電壓裝置的電勢差均衡為止。舉例來說，電荷可從第三電壓裝置流動到電晶體的柵極直到跨越電晶體的柵極的電勢差達到Vint為止。流程在框404處繼續。在一些實施例中，(例如，如圖3中所描繪及相關聯文本中所描述)，可監測跨越電晶體的柵極的電勢差。舉例來說，可使用傳感器監測跨越電晶體的柵極的電勢差。在此類實施例中，流程從框402進行到框408(在進行到框404之前)。在框408處，監測跨越電晶體的柵極的電勢差。流程在決策菱形410處繼續。在決策菱形410處，如果跨越電晶體的柵極的電勢差尚不穩定，那麼流程在監測跨越電晶體的柵極的電勢差的框408處繼續。如果跨越電晶體的柵極的電勢差已穩定，那麼流程在框404處繼續。

在框404處，斷開第三開關。當第三開關斷開時，電荷停止在第三電壓裝置與電晶體的柵極之間流動。在假設無損失的情況下，在第三開關斷開之後跨越電晶體的柵極的電勢差仍為Vint。因為電勢差Vint不足以允許電流流動通過電晶體的源極及漏極，所以電晶體仍關斷。流程在框406處繼續。

在框406處，閉合第一開關。第一開關耦合到電晶體的柵極及第一電壓源。第一電壓源具有電勢差Vhigh。閉合第一開關允許電荷從第一電壓裝置流動到電晶體的柵極。一旦跨越電晶體的柵極的電勢差足以允許電流流動通過電晶體的源極及漏極，電晶體就接通。在一些實施例中，跨越電晶體的柵極的電勢差可達到Vhigh，儘管這是不需要的。

在一些實施例中，在框406之後，流程結束。然而，在其它實施例中，可能希望用於電晶體的循環接通及關斷例程。在此類實施例中，圖4的實例操作可由圖5中所呈現的實例操作接續，圖5中所呈現的實例操作關斷電晶體。

圖5是根據本發明的標的物的一些實施例的用於從電晶體的柵極汲取電荷的實例操作的流程圖。流程在框502處開始。

在框502處，斷開第一開關。如先前所論述，第一開關耦合到第一電壓裝置及電晶體的柵極，使得當第一開關閉合時，電荷可從第一電壓裝置流動到電晶體的柵極。流程在框504處繼續。

在框504處，閉合第三開關。儘管在框502處第一開關斷開，但跨越電晶體的柵極的電勢差為非零。當第三開關閉合時，電荷可在電晶體的柵極與第三電壓裝置之間流動。如果跨越電晶體的柵極的電勢差大於第三電壓裝置的電勢差，那麼電荷可從電晶體的柵極流動到第三電壓裝置。電晶體的柵極上的電荷由第三電壓裝置回收。此電荷可在隨後驅動循環中用於至少部分驅動電晶體的柵極。流程在框506處繼續。在一些實施例中(例如，如圖3中所描繪及相關聯文本中所描述)，可監測跨越電晶體的柵極的電勢差。舉例來說，可使用傳感器監測跨越電晶體的柵極的電勢差。在此類實施例中，流程從框504進行到框510(在進行到框506之前)。在框510處，監測跨越電晶體的柵極的電勢差。流程在決策菱形512處繼續。在決策菱形512處，如果跨越電晶體的柵極的電勢差尚不穩定，那麼流程在監測跨越電晶體的柵極的電勢差的框510處繼續。如果跨越電晶體的柵極的電勢差已穩定，那麼流程在框506處繼續。

在框506處，斷開第三開關。當第三開關斷開時，電流不能在第三電壓裝置與電晶體的柵極之間流動。流程在框508處繼續。

在框508處，閉合第二開關。當第二開關閉合時，第二電壓裝置耦合到電晶體的柵極。因此，電晶體的柵極上剩餘的任何電荷可汲取到第二電壓裝置。在一些實施例中，第三電壓裝置的電勢差由電路調節。舉例來說，如果第三電壓裝置當前具有電壓零，那麼在關斷循環期間(即，在圖5中所描繪的實例操作期間)，當第三開關閉合時，電荷可從電晶體的柵極向上流動到第三電壓裝置的容量(即，Vint)。在另一極端處，如果第三電壓裝置的電勢差等於或高於Vint，那麼將不能從電晶體的柵極汲取到第三電壓裝置的任何過量電荷汲取到第二電壓裝置。舉例來說，在一些實施例中，任何過量電荷可經由第二開關汲取到接地。在框508之後，流程結束。然而，在上文所描述的其中電晶體在接通狀態與關斷狀態之間循環的實施例中，流程可繼續進行圖4的實例操作。

綜述

儘管圖式及描述描述三個開關/電晶體及耦合到被驅動電晶體的柵極的三個電壓裝置，但實施例並非受如此限制。舉例來說，可以兩個或兩個以上開關/電晶體及電壓裝置取代第三開關/電晶體及第三電壓裝置。在此類實施例中，兩個或兩個以上開關/電晶體及電壓裝置中的每一者將被耦合到被驅動電晶體的柵極。兩個或兩個以上電壓裝置中的每一者將具有不足以允許電流流動通過被驅動電晶體的源極及漏極的容量。因此，兩個或兩個以上電壓裝置中的每一者將能夠部分驅動被驅動電晶體的柵極。同樣地，兩個或兩個以上電壓裝置中的每一者將能夠從被驅動電晶體的柵極回收/汲取電荷。

儘管圖3描繪了耦合到第一、第二及第三電晶體的柵極的單個控制器，但實施例並非受如此限制。在一些實施例中，第一、第二及第三電晶體中的每一者可具有單獨及/或獨立控制器，或電晶體中的兩者可具有共用控制器。另外，在一些實施例中，控制器可能能夠監測第一、第二或第三電壓裝置及/或被驅動電晶體的柵極中的一或多者的電勢差。在此類實施例中，控制器可基於來自第一、第二或第三電壓裝置及/或被驅動電晶體的柵極中的一或多者的電勢差讀數確定應何時接通/閉合或關斷/斷開每一電晶體/開關。另外，在一些實施例中，控制器可將時間作為此確定的根據。

在一些實施例中，被驅動電晶體是經設計以在顯著功率電平下操作的電晶體。舉例來說，電晶體可為功率MOSFET。因為被驅動電晶體在其下進行操作的較高功率電平，所以從回收來自被驅動電晶體的柵極的電荷實現的效率增益可為顯著的。