集成製造封裝工藝的製作方法

2023-11-06 21:29:22

專利名稱：集成製造封裝工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種把層疊技術與基片處理技術結合起來製造如電路板、層疊晶片載體或卡等電路化結構的工藝。具體說，通過把這兩種技術結合到單一工藝中，正如這裡要做的，形成具有微細結構和高布線密度的電路化結構。
常規印刷電路卡和板利用鑽孔和電鍍的通孔構成相對側之間和板的中間層到形成於板的兩側上的布線的連接。電鍍通孔通常還容納連接各種電路元件的管腳。一般要求電鍍通孔能夠用作組件的焊接插座，要求它們相對較大，並要求在電路板表面上電鍍通孔周圍設置可焊環或區，以便進行焊接連接。
這種結構確定了卡或板上相當大空間不能用於點到點布線，原因是這種布線必須在兩個孔之間的空間上製作，在各布線線條間和布線線條與焊料環間留下餘地。
近來，提出了一種表面組件和薄膜晶片布線器件，它們沒有管腳，但具有其它類型的連接焊盤。利用這種結構，某種程度上可以減小孔所必需的空間，然而，甚至是利用這種技術，孔仍要佔用相當大的空間，這些空間不能用於表面布線。
已經提供用於各種板上存在電鍍通孔的布線連接的不同技術。例如，美國專利3356786描述了一種技術，可以提供在各種開口或孔上延伸的導電線。然而，這種技術在結構的可用性和孔的應用性上存在許多局限。其它描述用於某種程度上增大布線密度的技術的專利有美國專利4554405、4581679、4535388、4598166、4179800。這些參考文獻中沒有一篇將層疊技術與基片技術結合起來。所以現有技術的工藝無法利用單一工藝容易地在電路化基片上得到細線結構。
由於存在上述缺點，一直存在著開發提高電路化結構的布線密度的新工藝的要求。
本發明的目的是提供一種製造具有多層內平面疊層和高布線密度的電路化結構的工藝。
本發明的另一目的是提供一種製造含精細線條電路的電路化結構的工藝。
本發明再一目的是提供一種製造接地平面的許多部分上有均勻線阻抗的電路化結構的工藝，以提供電子噪聲減少的系統。
把層疊技術和基片技術結合到單一工藝中的本發明工藝可以實現這些及其它目的。具體說，本發明涉及一種製造例如電路板、層疊晶片載體或卡等其上具有精細線條電路的電路化結構的工藝，更具體說，本發明包括以下步驟(a)將介質膜加到其上具有電路的有機基片的至少一個表面上；(b)在所說介質膜的選定部分內形成微通孔；(c)在所說介質膜上和所說微通孔內濺射金屬籽晶層；(d)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(e)在所說電鍍金屬層上形成外部電路。
用於本發明的優選介質膜包括含有可光成像的層或在暴露於雷射輻射時能夠形成微通孔的介質膜，但並不限於這些膜。
在一個實施例中，使用含可光成像層的介質膜，本發明的工藝包括以下步驟(a)提供其中具有可光成像層的介質膜；(b)在其上有電路的有機基片的至少一個表面上層疊所說介質膜的所說可光成像層；(c)將所說介質膜的所說可光成像層暴露於輻射圖形，選擇性硬化所說可光成像層的某些部分；(d)步驟(c)中未硬化的所說可光成像層上形成微通孔；(e)固化在步驟(d)中製備的所說結構；(f)在所說固化的結構上和所說微通孔中濺射金屬籽晶層；(g)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(h)由步驟(g)提供的所說金屬層形成外部電路。
另一方面，當本發明中使用在暴露於雷射輻射時能夠形成微通孔的介質膜時，採用以下步驟(a)在其上有電路的有機基片的至少一個表面上加介質膜，該介質膜在暴露於雷射能量時可以形成微通孔；(b)用雷射能量輻射所說介質膜的選定部分，在該部分中形成微通孔；(c)清潔所說微通孔，去掉雷射產生的廢物；
(d)在所說介質膜上和所說微通孔中濺射金屬籽晶層；(e)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(f)由步驟(e)中形成的所說金屬層形成外部電路。
無論本發明使用上述的哪個工藝，要強調的是，含如Cr和Cu等金屬的籽晶層濺射在介質膜的表面上和微通孔中。「籽晶層」的意思是指在所說介質膜的表面上和所說微通孔中濺射小於約2000埃的非常薄的金屬層。這種籽晶層有別於厚度一般大於約0.2密耳的全金屬層。


圖1(a)-1(e)是本發明不同處理步驟後的電路化結構的剖面圖，其中利用了其中有可光成像層的介質膜。
圖2(a)-2((c))是本發明不同處理步驟後的電路化結構的剖面圖，其中利用了在暴露於雷射輻射時可以形成微通孔的介質膜。
下面結合附圖詳細說明本發明，其中本發明提供了一種製造如電路板、卡、盤、層疊晶片載體等電路化結構的工藝，各圖中類似的參考數字表示類似和相應的元件。
首先，參見圖1(a)和2(a)，這些圖中示出了其上下表面上形成有電路元件14(此後稱「電路14」)的有機基片12。本發明的附圖中，電路14顯示為不連續層，其中有機基片12的一些部分為電路14所覆蓋，而其它部分暴露。基片12還顯示為含內部平面13。
用於本發明的有機基片為一般製造電路板、層疊晶片載體或電路卡的常規有機基片。一般情況下，有機基片由浸於玻璃布中經過溴化處理的環氧樹膜構成。本發明採用的其它有機基片包括通常用作電路板或電路卡的所有熱固性或熱塑性材料，但不限於這些。
有機基片12上的電路14利用所屬領域的技術人員熟知的常規工藝形成。這種工藝的一個例子是MacGraw Hill出版，C.Combs 2nd「印刷電路手冊」，尤其是第二部分，第5-8章，下面概述其內容。具體說，利用所屬領域的技術人員熟知的技術，在有機基片上疊加如Cu和Cr等金屬箔，從而在有機基片12上提供電路14。如果需要，可以利用所屬領域的技術人員熟知的常規腐蝕技術減薄此金屬箔。
穿過整個基片鑽出通孔，提供基片的相反側和中間層間的連接。然後用所屬領域的技術人員熟知的常規電鍍技術，用如Cu、Cr和W等金屬元素電鍍基片和通孔。然後用含Cu膏的環氧樹脂填充電鍍通孔，再利用所屬領域的技術人員熟知的常規技術，如塊去除(nubremoval)或化學機械拋光等，平整此結構。如果需要，可以將Cu減薄或去掉。平整了基片後，再進行電鍍，在填充的電鍍通孔上提供金屬。圖中電鍍通孔的填充部分由15表示。
然後，利用常規光刻技術在上述形成的亞複合結構上形成微細結構，所說的光刻技術包括在亞複合結構的表面上提供光刻膠、暴露光刻膠圖形、顯影光刻膠、用CuCl2腐蝕及剝離光刻膠，但不限於這些。
然後處理圖1(a)和2(a)所示結構的上表面金屬，增加電路14與介質膜的附著性。這種處理包括所屬領域技術人員熟知的工藝，包括用浮石和噴汽的機械粗糙化、用腐蝕劑和氧化處理的化學粗糙化，及利用如矽烷耦合劑等化學粘合促進劑。對Cu來說，優選的處理是如亞氯酸鈉等氧化劑與Cu反應形成的黑色氧化物。
然後，利用所屬領域技術人員熟知的常規技術，將介質膜加到其上有電路14的基片12的一個表面上。將介質膜加到基片12上的優選技術有真空疊加(對於幹膜)及絲網塗、噴塗或幕塗(對於液態介質膜)。
本發明所用介質膜是所屬領域技術人員熟知的常規介質材料。它們可以包括含水複合物、可處理溶劑處理的複合物及能夠通過雷射燒蝕即暴露於雷射輻射形成通孔的那些。下面首先說明圖1(a)-(e)所示的利用具有可光成像層的介質膜的實施例，然後說明利用能夠被雷射燒蝕的介質膜的實施例(如圖2(a)-(c)所示)。
現在說明圖1(a)-(e)所示的實施例，在介質膜含有可光成像層時，最好是通過真空疊加在有機基片12的一個表面上疊加所說介質膜的可光成像層。本發明所用的優選介質膜包括夾在聚烯層和可剝離聚酯層間的可光成像環氧基樹脂層。應注意，在其應用前應去掉例如聚丙烯、聚乙烯、聚丁烯等聚烯層，這樣它們便不會存在於本發明的工藝中。可用作本發明的可剝離層的聚酯樹脂必須是光學清潔的。可用的清潔可剝離聚酯樹脂的一個實例是MYLAY。由於將介質膜層疊於基片12上後，要將可剝離的聚酯樹脂層去掉，所以圖1(a)-(e)中看不到它。
儘管本申請的附圖1(a)-(e)和以下的說明書具體利用了包括可光成像環氧基樹脂層的介質膜，但本發明也可以採用其它含可光成像層的介質膜。
介質膜的可光成像的陽離子可聚合環氧基樹脂層包括固態物和溶劑。固態物最好由一種環氧樹脂系構成，該環氧樹脂系包括約10wt％-80wt％，較好為20wt％-40wt％，更好為30wt％的苯氧基多元醇樹脂，這是一種表氯醇和雙酚A的濃縮品，其分子量為約40000-130000，較好為約60000-90000，更好為大於60000；約20wt％-90wt％，更好是約25wt％-30wt％，最好是約25wt％的環氧化多功能雙酚A甲醛酚醛清漆樹脂，其分子量為約4000-10000，較好是5000-7000；約0wt％-50wt％，較好為35wt％-50wt％，更好是45wt％的雙酚A的滷化最好是溴化二環氧甘油醚，其分子量為約600-2500，最好是1000-1700；按重量比算佔環氧樹脂系總重量的約0.1份-15份最好是約5份的陽離子光引發劑，它能夠引發所說環氧基樹脂系的聚合。本發明所用環氧基樹脂系的溶劑成分由丙二醇乙酸一甲基醚和0-10％的碳酸丙烯構成。最好是碳酸丙烯作為光引發劑的載體。
苯氧基多元醇樹脂的環氧值較好為每千克約0.001-3當量，更好為每千克約0.03當量，每個環氧化物的分子量為約10000-60000，更好為約20000-50000，最好為約37000，玻璃轉變溫度為約80℃-150℃，更好為約90℃-110℃，最好為約98℃。
多功能環氧雙酚A甲醛酚醛清漆樹脂的環氧值為約每千克1-10當量，更好是約每千克3-6當量，最好是約每千克4.7當量，每個環氧化物的分子量為約180-300，更好為約190-230，最好為約215，熔點為約60℃-150℃，更好為約70℃-90℃，最好為約82℃。
滷化雙酚A的二環氧甘油醚的環氧值為約每千克0.1-5當量，更好是約每千克1-3當量，最好是約每千克1.5當量，每個環氧化物的分子量為約200-1000，更好為約500-750，最好為約675，熔點為約70℃-150℃，更好為約80℃-110℃，最好為約97℃。
合適的苯氧基多醇樹脂以前可以從Union Carbide Corporation得到，現在可從Phenoxy Resin Associates得到，其商品名為PKHC。合適的多功能雙酚A以前可從High Tek Polymers得到，其商品名為Epirez-Su-8，現在可以從Shell Oil Company得到，其商品名為Epon1183。合適的複合三芳鋶六氟銻酸鹽光引發劑以前可從GerneralElectric Company得到，其商品名為1014，現在可以從Union Carbide得到，其商品名為UVI-6974。
應注意，顯影前的各步驟中，本發明的環氧基樹脂系具有提高的溶劑含量，以便足以防止龜裂和給處理中的介質膜提供塑性，並在與亞複合結構的層疊期間協助介質膜的流動。提高的溶劑含量是指環氧基樹脂系中溶劑的含量為約為5wt％-30wt％，較好為9wt％-15wt％，更好為11.5wt％-13wt％。
將介質膜疊加到基片12上後，去掉可剝離支撐膜，在約70℃到約120℃的溫度下烘烤介質膜約10分鐘到約45分鐘，然後，在對選擇性硬化可光成像環氧基樹脂層的多個部分有效的條件下，將可光成像環氧基樹脂層暴露於輻射圖形中。本發明所用優選的烘烤條件如下溫度=約90℃，時間=約30分鐘。
通過在可光成像環氧基樹脂層上疊置光掩模，然後，利用常規曝光裝置，利用365納米8千瓦的電弧燈，以約3-8psi的光掩模接觸壓力、約800-約2000毫焦耳/cm2的能量進行操作，從而進行選擇性硬化工藝。更好是，利用365納米8千瓦的弧光燈，以約4-6psi的光掩模接觸壓力、約1000-約1500毫焦耳/cm2的能量進行曝光。對可光成像層選擇性硬化的最優選條件是5psi、1500毫焦耳/cm2及利用8千瓦燈。
然後在沒暴露於輻射圖形的結構區域中形成微通孔。一般情況下，通過烘烤和顯影未曝光的可光成像層，在含電路14的區域上形成微通孔。
具體說，在可以使可光成像層交聯和硬化的溫度烘烤可光成像環氧基樹脂層。具體是，在約100℃-約140℃的溫度下烘烤約15-約120分鐘。更好的是，在約120℃-約130℃溫度下烘烤約30-60分鐘。利用本發明的步驟可以實現可光成像層的局部固化。應注意，上述條件降低了存在於可光成像層中的溶劑含量。
然後利用所屬領域熟知的條件對所烘烤的結構進行顯影。一般情況下，利用能溶解任何未曝光材料的有機溶劑，顯影該結構特別是可光成像層。一般是利用包括使用碳酸丙烯、γ丁內酯、二甘醇二甲醚或它們的混合物的常規方法顯影圖形，但不限於這些。顯影本發明的可光成像層的最優選方法見美國專利5268260，這裡引入其中的含量作參考。
應強調的是，顯影工藝在可光成像層中形成直徑為約1-5密耳、更好為約3-5密耳的微通孔18。於是，本發明的結構含有延伸到設於基片12表面上的電路14的細孔。
顯影后，利用工作在高UV能量下的UV固化裝置，對可光成像層進行整體式曝光工藝。「高UV能量」是指以約2-6焦耳/cm2更好是約4焦耳/cm2的能量進行整體式曝光步驟。
在約150℃-約190℃溫度下對結構進行永久性固化約30-120分鐘。更好是，在約160℃-約180℃的溫度下進行最後的固化約45-90分鐘。圖1(b)示出了本發明的永久性固化了的結構，其中含有微通孔18和固化的可光成像層16。
在進行本發明接下來的步驟前，利用所屬領域技術人員熟知的技術使圖1(b)所示的結構粗糙化，用以提高金屬層與結構表面的附著性。這種粗糙化技術與先前說明的相同。
接著，在可光成像膜16的表面上和微通孔18中濺射金屬籽晶層20。圖1(c)示出了本發明的該步驟。本發明該步驟中可濺射的合適金屬有Cr、Cu和Al等，但不限於這些。這裡也可以採用這些金屬的混合物及合金。另外，這裡也可採用兩個不同的金屬層。在實施這種實施例時，最好首先形成Cr層，然後是Cu層。
本發明所用的濺射條件應可以導致在顯影了的光刻膠膜表面上和微通孔中形成金屬籽晶層。如上所述，術語「金屬籽晶層」是指厚為約100-2000埃的金屬層。更具體說，金屬籽晶層的厚度為約500-約1500埃。再次強調，金屬籽晶層有別於一般厚為約0.2-約0.5密耳的全金屬層。在固化的可光成像層的表面上形成這種全金屬層對前述步驟中形成的結構有害，原因是形成這種全金屬層需要很高的濺射溫度和充分的濺射時間。
本發明所用形成金屬籽晶層的濺射條件如下能量為約0.48-0.72kW，溫度為約100℃-約150℃，時間為約12-18分鐘。更好是，在能量為約0.54-0.66kW，溫度為約112℃-約138℃，時間為約13-17分鐘的條件進行濺射。
圖1(d)展示了本發明的下一步驟。具體說，圖1(d)展示了在濺射金屬籽晶層20上的電鍍金屬層22。一般情況下，電鍍金屬層22由選自Cu、Al、Cr和W等中的金屬構成。這些金屬中，本發明優選Cu形成金屬層22。
利用所屬領域技術人員熟知的電鍍技術和條件進行電鍍。例如，在用Cu作為金屬層22，用一般在硫酸溶液中含硫酸銅的酸電鍍槽進行電鍍。根據本發明，電鍍工藝在金屬籽晶層的上面形成厚約0.2-0.5密耳的金屬層。
然後，利用所屬領域技術人員熟知的基片技術，在金屬層22上形成電路圖形。包括在電鍍金屬層20和22上形成光刻膠膜(幹法或液體塗敷)，曝光和顯影此光刻膠膜，腐蝕掉電鍍金屬層20和22。圖1(e)示出了含有外部電路的最終結構，其中包括電鍍金屬層22和金屬籽晶層20。
在金屬層22上形成電路圖形所用的光刻膠為所屬領域技術人員熟知的光刻膠。本發明該步驟優選的光刻膠是液態的WAYCOAT SC-100光刻膠。
利用所屬領域技術人員熟知的相同條件和技術，曝光和顯影將電路圖形提供到金屬層22所用的光刻膠。然後利用常規腐蝕技術形成電路圖形。
在結構上形成電路的另一方法是首先在金屬層22上濺射Cr層，以便將圖形提供到光刻膠上。然後，在濺射的Cr層表面上塗敷液態光刻膠，利用所屬領域技術人員熟知的常規技術，曝光和顯影光刻膠。然後，如上所述，腐蝕濺射Cr層及金屬層22和20的暴露區域。腐蝕後，從濺射的Cr上剝離光刻膠。為了清楚起見，本發明的附圖中未展示此實施例。
在本發明的步驟(h)中在金屬層22上形成電路圖形的腐蝕步驟既可採用幹法腐蝕也可採用溼法腐蝕。適於本發明所用的幹法腐蝕技術包括反應離子刻蝕(RIE)、化學幹法腐蝕、離子束腐蝕(IBE)和等離子體腐蝕。
在採用溼法腐蝕腐蝕金屬層時，所用化學腐蝕劑選自H2O2、鉻酸、氯化銅、氯化鐵、高錳酸鉀等。也可採用這些化學腐蝕劑與水的混合物。還可以利用公知的緩衝劑將此化學腐蝕劑緩衝至所需的PH值。本發明優選的化學腐蝕劑是氯化銅、氯化鐵或高錳酸鉀。
本發明第二實施例中，首先對基片12的兩側進行如上所述的工藝步驟(a)-(g)，在其兩側提供固化的可光成像環氧基層16、微通孔18、金屬籽晶層20和電鍍金屬層22。應注意，除既在結構的下表面又在其上表面形成層16、20和22外，該結構與圖1(b)所示的結構類似。
然後，根據以下實施例之一，在金屬層20和22上形成電路層。按一個實施例，在金屬層20和22的兩側表面上塗敷光刻膠，並曝光和顯影結構的兩側，然後腐蝕曝光的區域，以此形成外部電路。按另一實施倒，在結構的兩側上塗敷光刻膠，曝光一側上的電路，覆蓋曝光另一側，顯影此結構，腐蝕顯影的結構側，剝離顯影的光刻膠，然後對相反側重複這些步驟，由此形成電路。
如上所述，前面的說明和圖1(a)-1(e)展示了在介質膜含可光成像層時實施本發明的工藝步驟。以下的說明將針對介質膜是能夠在將之暴露於雷射輻射時形成微通孔的材料的情況。圖2(a)-(c)示出了本發明的此方案。
現參見圖2(a)，該圖示出了其上下表面上形成有電路14的有機基片12。有機基片和用於形成電路的方法與先前參照圖1(a)描述的相同。
接著，在有機基片12的至少一個表面上，形成在暴露於雷射輻射時能夠形成微通孔的介質層，按本發明的一個實施例，在Cu箔上塗敷如未支撐的環氧或芳族聚醯胺樹脂等合適介質。然後疊壓將此箔層疊於芯層的一側或兩側上。然後腐蝕此箔，暴露在可以在結構中形成微通孔的條件下用雷射能量輻射的選定介質層部分。這種條件是所屬領域的技術人員熟知的。然後用雷射輻照介質膜的表面，直到其中形成微通孔為止。一般情況下，18×24英寸的板可以按每分鐘約3000個通孔的速度成像。能用於本發明的優選雷射源包括CO2雷射器、Nd-YAG雷射器、準分子雷射器等。CO2雷射器和UV雷射器會燒蝕玻璃纖維及有機介質材料，因此，可以類似的方式，使用標準FR-4和其它合適的玻璃加強介質材料。
圖2(b)展示了暴露於雷射能量後所形成的結構。如圖所示，在金屬層14之上的介質膜30中形成微通孔18。然後對圖2(b)所示結構進行常規的通孔清潔處理，去掉可能存於微通孔或電鍍通孔中的雷射廢物。應該注意，由於所述電路14一般含有如Cu等金屬層作為燒蝕停止層，所以雷射燒蝕的終止於電路14。
清潔處理後，首先為該結構提供金屬籽晶層20，然後是金屬層22。形成金屬籽晶層和金屬層22的條件和元素與以前描述的相同。如以上所述的那樣，然後在金屬層上形成電路圖形。圖2(c)展示了利用這些步驟形成的最終結構。
儘管以上結合優選實施例具體展示和說明了本發明，但所屬領域的技術人員應該理解，在不背離本發明精神實質和範圍的情況下，在形式上和細節上可以作出上述和其它的改變。
權利要求
1．一種製造電路化結構的方法，包括以下步驟(a)將介質膜加到其上具有電路的有機基片的至少一個表面上；(b)在所說介質膜的選定部分內形成微通孔；(c)在所說介質膜上和所說微通孔內濺射金屬籽晶層；(d)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(e)在所說電鍍金屬層上形成外部電路。
2．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說基片上的所說電路是通過以下步驟獲得的(ⅰ)在所說有機基片上提供金屬箔；(ⅱ)腐蝕所說金屬箔；(ⅲ)在所說基片中形成孔；(ⅳ)用金屬元素電鍍所說基片和所說通孔；(Ⅴ)用含Cu的環氧樹脂填充所說電鍍通孔；及(ⅵ)平整該結構。
3．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說介質膜選自由含至少一種可光成像層的介質膜和在暴露於雷射能量時能夠形成微通孔的介質膜構成的組。
4．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，在適於提供籽晶層的條件下濺射厚為約100-約2000埃的所說金屬籽晶層。
5．如權利要求4所述的方法，其特徵在於，所說金屬籽晶層的厚度為約500-1500埃。
6．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說金屬籽晶層是選自由Cu、Cr、Al和其混合物及合金構成的組中的金屬。
7．如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所說金屬籽晶層是一層Cr，然後是一層Cu。
8．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，在濺射能量約為0.48-0.72kW，溫度為約100-150℃，時間為約12-約18分鐘的條件下進行所說濺射步驟。
9．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說所說金屬層的厚度為約0.2-0.5密耳。
10．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說所說金屬層由選自含Cu、Al、Cr和W的組中的金屬構成。
11．如權利要求10所述的方法，其特徵在於，所說金屬層由Cu構成。
12．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，按以下步驟形成所說外部電路(ⅰ)在所說金屬層上塗敷光刻膠；(ⅱ)曝光並顯影所說光刻膠；及(ⅲ)腐蝕所說金屬層。
13．如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所說有機基片的兩表面上具有電路，步驟(a)-(d)用於所說基片的兩個表面。
14．如權利要求13所述的方法，其特徵在於，還包括在兩層所說金屬層上形成電路圖形。
15．如權利要求13所述的方法，其特徵在於，還包括在所說基片的一側上形成電路圖形，然後在所說基片的相反側上形成電路圖形。
16．一種製造電路化結構的方法，包括以下步驟(a)提供其中具有可光成像層的介質膜；(b)在其上有電路的有機基片的至少一個表面上層疊所說介質膜的所說可光成像層；(c)在可選擇性硬化所說可光成像層的某些部分的條件下，將所說介質膜的所說可光成像層暴露於輻射圖形；(d)在沒在步驟(c)中未硬化的區域中形成微通孔；(e)固化在步驟(d)中製備的結構；(f)在所說固化的結構上和所說微孔中濺射金屬籽晶層；(g)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(h)由步驟(g)提供的所說金屬層內形成電路圖形。
17．如權利要求16所述的方法，其特徵在於，所說可光成像層由環氧基樹脂系構成，包括(a)約10wt％-80wt％的多醇樹脂，該樹脂是表氯醇和雙酚A的濃縮品，其分子量為約40000-約130000；(b)約20wt％-90％的環氧化多功能雙酚A甲醛酚醛清漆樹脂，其分子量為約4000-10000；(c)約0wt％-50wt％的雙酚A的滷化環氧化二環氧甘油醚，其分子量為約600-2500；(d)按重量算佔環氧樹脂系總重的0.1份-15份的陽離子光引發劑。
18．如權利要求17所述的方法，其特徵在於，所說環氧基樹脂系還包括溶劑成分，其中所說溶劑成分包括丙二醇乙酸一甲基醚和0到小於約10％的碳酸丙烯。
19．如權利要求16所述的方法，其特徵在於，利用365納米8千瓦的弧光燈，以約3-8psi的光掩模壓力、約800-約2000毫焦耳/cm2的能量進行步驟(c)。
20．如權利要求19所述的方法，其特徵在於，利用365納米8千瓦的弧光燈，以約4-6psi的光掩模壓力、約1000-約1500毫焦耳/cm2的能量進行步驟(c)。
21．如權利要求16所述的方法，其特徵在於，步驟(d)包括烘烤和顯影。
22．如權利要求21所述的方法，其特徵在於，在約100-140℃的溫度下進行烘烤步驟約30-120分鐘。
23．如權利要求22所述的方法，其特徵在於，在約120-130℃的溫度下進行烘烤步驟約30-60分鐘。
24．如權利要求21所述的方法，其特徵在於，利用碳酸丙烯、γ丁內酯、二甘醇二甲醚或它們的混合物進行顯影步驟。
25．如權利要求16所述的方法，其特徵在於，在能量約為2-6焦耳/cm2的條件下進行步驟(e)。
26．如權利要求16所述的方法，其特徵在於，在約150-190℃的溫度下進行步驟(e)約30-120分鐘。
27．如權利要求26所述的方法，其特徵在於，在約160-180℃的溫度下進行步驟(e)約45-90分鐘。
28．一種製造電路化結構的方法，包括以下步驟(a)在其上有電路的有機基片的至少一個表面上加介質膜，該介質膜在暴露於雷射能量時可以形成微通孔；(b)用雷射能量輻射所說介質膜的選定部分，在該部分中形成微通孔；(c)清潔所說微通孔，去掉雷射產生的廢物；(d)在所說雷射燒蝕的介質膜上和所說微通孔中濺射金屬籽晶層；(e)在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層；及(f)由步驟(e)中形成的所說金屬層形成外部電路。
29．如權利要求28所述的方法，其特徵在於，通過層疊施加介質膜。
30．如權利要求28所述的方法，其特徵在於，由選自CO2雷射器、Nd-YAG雷射器和準分子雷射器的雷射源提供所說雷射能量。
全文摘要
提供一種製造電路化基片的方法,該方法包括以下步驟:提供其上有電路的有機基片;將介質膜加到有機基片上;在所說介質膜中形成微通孔;在所說介質膜上和所說微通孔中濺射金屬籽晶層;在所說金屬籽晶層上電鍍金屬層;及在金屬上形成電路圖形。
文檔編號H05K3/00GK1222825SQ9812239
公開日1999年7月14日 申請日期1998年12月4日 優先權日1998年1月8日
發明者G·W·瓊斯, W·J·魯迪克, R·W·基斯勒, J·W·威爾遜, V·R·馬爾科維奇, W·E·威爾遜 申請人:國際商業機器公司