消偏振分光膜的製備方法
2023-11-06 15:39:37
消偏振分光膜的製備方法
【專利摘要】本發明提出了一種消偏振分光膜的製備方法，包括：鍍膜擴散泵預熱；電子槍坩堝中加入硫化鋅，熱蒸發坩堝或熱蒸發舟中加入銀；將清潔後的光學元件基片放入真空室中，抽低真空，抽高真空；之後充氬氣轟擊光學元件基片去除有機物增加表面活性；將經過轟擊處理後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助；將經過電子槍蒸鍍後的光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助；將經過熱蒸發蒸鍍後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助；之後充氣取件。本發明用考夫曼離子源轟擊光學元件表面，增加了硫化鋅和基片表面附著力；用考夫曼充Ar氣來輔助蒸發硫化鋅，使硫化鋅具有很強的附著力和膜層硬度。
【專利說明】消偏振分光膜的製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及分光膜製備【技術領域】，特別是指一種消偏振分光膜的製備方法。
【背景技術】
[0002]光學鍍膜器件已經廣泛應用於光學、電子、信息、通訊、軍事、生物、醫學、環保、材料等各個領域，發揮著非常重要的作用。特別是由於光通信產業的蓬勃發展，幾乎每個光通信元器件都離不開光學鍍膜，要求光學鍍膜實現的功能越來越多。消偏振分光膜廣泛應用於顯微鏡等各種光學系統中。以前用純金屬膜為分光，因金屬的吸收過大、光能損失太多、效果差。而用純介質的方法做又很難消除偏振效應，分光膜要求分光的比例十分精確，否則光路兩邊會有明暗不同和色差，這就要求選用的介質膜折射率要非常的穩定，否則精度難以控制，成品率會很低。同時要求所選用磨料有足夠大的折射率，硫化鋅是一個好的選擇，但硫化鋅是軟膜難以保證膜層的牢固度。
【發明內容】
[0003]本發明提出一種消偏振分光膜的製備方法，解決了現有技術中光能損失太多、效果差的問題。
[0004]本發明的技術方案是這樣實現的:
[0005]—種消偏振分光膜的製備方法，包括:
[0006]鍍膜擴散泵預熱；
[0007]電子槍坩堝中加入硫化鋅，熱蒸發坩堝或熱蒸發舟中加入銀；
[0008]將清潔後的光學元件基片放入真空室中，抽低真空< 5Pa，抽高真空< 2X 10_3Pa ；之後充氬氣轟擊所述光學元件基片去除有機物增加表面活性；
[0009]將上述經過轟擊處理後的所述光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助；
[0010]將上述經過電子槍蒸鍍後的所述光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助；
[0011]將上述經過熱蒸發蒸鍍後的所述光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助；之後充氣取件即得。
[0012]作為優選的技術方案，所述抽低真空為3-5Pa。
[0013]作為優選的技術方案，所述抽高真空為l_2X10_3Pa。
[0014]作為優選的技術方案，所述轟擊採用離子源束流為60_80mA，電壓> 500V。
[0015]作為優選的技術方案，所述轟擊電壓為500-600V。
[0016]作為優選的技術方案，所述蒸鍍硫化鋅或熱蒸發蒸鍍銀時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度。
[0017]作為優選的技術方案，所述熱蒸發蒸鍍銀設定為6A/S。
[0018]有益效果
[0019](I)本發明的製備方法簡單，成本低，適合於工業化生產；
[0020](2)本發明製得的消偏振分光膜大量減少光損，同時具有很好的消偏振效果，可以廣泛應用光路系統中；
[0021](3)本發明用考夫曼離子源轟擊光學元件表面，增加了硫化鋅和基片表面附著力；
[0022](4)本發明用考夫曼充Ar氣來輔助蒸發硫化鋅，使硫化鋅具有很強的附著力和膜層硬度；
[0023](5)本發明的製備方法精確控制銀的厚度和重複性以及均勻性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發明實施方案或現有技術中的技術方案，下面將對實施方案或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施方案，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發明實施例1的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0026]下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0027]實施例1
[0028]一種消偏振分光膜的製備方法，該製備使用的設備是市售的真空鍍膜機，包括:
[0029]S1:預熱鍍膜擴散泵；用於抽真空；
[0030]S2:在電子槍坩堝中加入硫化鋅，在熱蒸發坩堝中加入銀；
[0031]S3:清潔的光學元件基片，之後放入鍍膜夾具中，然後放入真空室中，抽低真空5Pa，抽高真空2X10_3Pa ;之後充氬氣轟擊光學元件基片去除有機物增加表面活性；
[0032]S4:將S3經過轟擊處理後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中離子源束流60mA，電壓500V。設備中的晶控薄厚儀器能夠精確控制鍍膜的厚度；
[0033]S5:將S4經過電子槍蒸鍍後的光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中設定銀為6A/s ；
[0034]S6:將S5經過熱蒸發蒸鍍後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；之後充氣取件即得。
[0035]實施例2
[0036]一種消偏振分光膜的製備方法，該製備使用的設備是市售的真空鍍膜機，包括:
[0037]S1:預熱鍍膜擴散泵；用於抽真空；
[0038]S2:在電子槍坩堝中加入硫化鋅，在熱蒸發坩堝中加入銀；
[0039]S3:清潔的光學元件基片，之後放入鍍膜夾具中，然後放入真空室中，抽低真空3Pa，抽高真空2X10_3Pa ;之後充氬氣轟擊光學元件基片去除有機物增加表面活性；
[0040]S4:將S3經過轟擊處理後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中離子源束流80mA，電壓600V。設備中的晶控薄厚儀器能夠精確控制鍍膜的厚度；
[0041]S5:將S4經過電子槍蒸鍍後的光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中設定銀為6A/s ；
[0042]S6:將S5經過熱蒸發蒸鍍後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；之後充氣取件即得。
[0043]實施例3
[0044]—種消偏振分光膜的製備方法，該製備使用的設備是市售的真空鍍膜機，包括:
[0045]S1:預熱鍍膜擴散泵；用於抽真空；
[0046]S2:在電子槍坩堝中加入硫化鋅，在熱蒸發坩堝中加入銀；
[0047]S3:清潔的光學元件基片，之後放入鍍膜夾具中，然後放入真空室中，抽低真空4Pa，抽高真空lX10_3Pa ;之後充氬氣轟擊光學元件基片去除有機物增加表面活性；
[0048]S4:將S3經過轟擊處理後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中離子源束流70mA，電壓500V。設備中的晶控薄厚儀器能夠精確控制鍍膜的厚度；
[0049]S5:將S4經過電子槍蒸鍍後的光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；其中設定銀為6A/s ；
[0050]S6:將S5經過熱蒸發蒸鍍後的光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助，此時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度；之後充氣取件即得。
[0051]以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種消偏振分光膜的製備方法,包括: 鍍膜擴散泵預熱； 電子槍坩堝中加入硫化鋅，熱蒸發坩堝或熱蒸發舟中加入銀； 將清潔後的光學元件基片放入真空室中，抽低真空彡5Pa，抽高真空彡2X10_3Pa ;之後充氬氣轟擊所述光學元件基片去除有機物增加表面活性； 將上述經過轟擊處理後的所述光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助； 將上述經過電子槍蒸鍍後的所述光學元件基片開熱蒸發蒸鍍銀，離子源輔助； 將上述經過熱蒸發蒸鍍後的所述光學元件基片開電子槍蒸鍍硫化鋅，考夫曼離子輔助；之後充氣取件即得。
2.根據權利要求1所述的一種消偏振分光膜的製備方法，其特徵在於，所述抽低真空為 3-5Pa。
3.根據權利要求1所述的一種消偏振分光膜的製備方法，其特徵在於，所述抽高真空為 1-2 X 1^3Pa0
4.根據權利要求1所述的一種消偏振分光膜的製備方法，其特徵在於，所述轟擊採用離子源束流為60-80mA，電壓> 500V。
5.根據權利要求4所述的一種消偏振分光膜的製備方法，其特徵在於，所述轟擊電壓為 500-600V。
6.根據權利要求1所述的一種消偏振分光膜的製備方法，其特徵在於，所述蒸鍍硫化鋅或熱蒸發蒸鍍銀時通過晶控薄厚儀器控制鍍膜厚度。
7.根據權利要求1-6任一權利要求所述的一種消偏振分光膜的製備方法,其特徵在於，所述熱蒸發蒸鍍銀設定為6A/S。
【文檔編號】C23C14/30GK104233200SQ201310247081
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月19日 優先權日:2013年6月19日
【發明者】楊仁貴 申請人:嘉興市華正光電科技有限公司