通過等離子體在至少一個側面形成薄塗層的聚合物製品及其生產方法

2023-11-10 10:25:37 2

專利名稱：通過等離子體在至少一個側面形成薄塗層的聚合物製品及其生產方法
技術領域：
本發明涉及一種通過等離子體在至少一個側面形成薄塗層的聚合物 製品及製造這種製品的方法。
本發明也涉及通過該方法製造的聚合物製品，此製品可以是任意形 狀，通過注射、擠壓成型、吹塑、壓模、真空成型等製得。
更具體地，本發明涉及一種用於製造聚合物優選為聚丙烯或者聚乙烯 成型製品的方法，所述製品適於作為食物容器，因其具有優秀的表面性能， 例如減少沾汙趨勢，良好的化學品耐受力，此容器可以在洗碗機洗滌，並 且既能置於冰箱中，也能置於冷凍機或者微波爐中。
背景技術：
等離子體處理是一種化學工藝，其中，給定體積的氣體化合物在降低 的大氣壓下通過輝光放電分解，使容器的壁上形成薄膜塗層。在以下說明 書中，術語"薄膜"表示一種厚度小於幾百納米的膜。
更確切地說，等離子體增強化學氣相澱積(以下簡稱PECVD)用於在 比化學氣相澱積反應器所採用溫度更低的溫度澱積各種薄膜。
PECVD用電能產生輝光放電，其中的能量轉移入氣體混合物中。這 使得該氣體混合物轉化為活性基團、離子、中性原子和分子，及其它存在 的元素。
PECVD廣泛應用於電子學，用於澱積許多薄膜，例如氮化矽、金剛 石類碳DLC、多晶矽、非晶矽、氮氧化矽、氧化矽、二氧化矽。
舉例而言，文獻US 3,485,666描述了一種在基材的表面澱積矽層的澱 積方法，該方法通過在含有氣態矽氫化物和氣態氮氫化物的氣氛下，在接 近於所述表面處建立等離子體完成的，以獲得一氮化矽層，用於給相對軟 的和/或易損材料的製品提供一保護性的透明表面塗層。
眾所周知，用於容器的塑料容許低分子氣體例如氧氣和二氧化碳透 過，此外，塑料可在其中吸收入低分子無機化合物。從而，香味組分可以 被吸收入該塑料中；氧氣可以逐漸氧化該容器的內容物，損害所述內容物 的味道、品質和純度。
在一種改善所述這些種類的容器的不透性的辦法中，在包裝工業中通 過等離子體增強化學氣相澱積澱積氧化矽薄膜得到相當大的關注，因其具 有優秀的氣體阻擋性能和透明度。
文獻US 3,442,686公開了一種彈性的透明包裝膜，其對於氣體和液體 具有極低的滲透性，該薄膜組合物包括， 一彈性的透明有機聚合物的基膜， 一粘性的基本上不透氣體和液體的無機材料中間塗層，其在所述基膜的一 個表面上；和一可封的粘性的有機物聚合材料的頂層塗層，其在所述中間 塗層上，所述無機材料是氧化矽，所述基膜是聚酯基膜。這樣，由於矽氧 化物層是透明的，用矽氧化物SiOx改善該聚合物膜的不透性也是已知的。
US 5,691,007公開了一種PECVD方法，其可以將無機材料塗層塗布 於密集間隔基質的三維製品上。該無機材料可以是金屬氧化物，例如SiOx， 其中x為約1.4至約2.5;或者基於氧化鋁的組合物。該基於氧化矽的組合 物基本是緻密的和不透水汽的，其理想地衍生自揮發性的有機矽化合物和 氧化劑，例如氧氣或者一氧化二氮。優選地，該基於氧化矽的材料的厚度 為約50至400納米。確定2.6標準立方釐米每分鐘(sccm )的HMDSO (六 甲基二矽氧烷)流量和70sccm的氧氣流量，通過節氣泵將壓力調節至120 毫託耳，在PET管中，用11.9兆赫，120瓦的射頻激發澱積SiOx3分鐘。
US 6,338,870公開了 HMDSO或者四甲基二矽氧烷TMDSO用於在 PET層壓製品上澱積SiOxCy的用途，其中x的範圍為1.5-2.2， y的範圍為 0.15-0.80。
文獻US 4,830,873公開了在塑料部件的表面上塗敷一薄透明層的方 法，其中該方法包括在該塑料部件的表面上塗敷有機組合物的單體蒸氣， 通過該蒸氣相在放射輔助下聚合的手段以電性氣體放電而形成保護層的 步驟。在其實施例IV中，在純六甲基二矽氧烷(HMDS)的輝光聚合期間，
該塑料表面產生聚合物膜。僅幾百納米的純六甲基二矽氧烷-輝光聚合物膜 形成之後，將氧氣(02)加入該輝光放電中，以增強該層的硬度。相對於聚
合過程的開始，氧氣的添加延遲。由此獲得一種兩層塗層，其第一層形成 於純六甲基二矽氧烷的輝光聚合期間，第二層形成於六甲基二矽氧烷和氧 氣的輝光聚合期間。因此該第二層是SiOx類塗層。
文獻US 5,718,967也公開了一種層壓材料，包括
a) 具有表面的塑料基材；
b) 粘合促進劑層，其是在基本沒有氧氣的條件下澱積在該基材表面上 的第一等離子體聚合的有機矽化合物，該有機矽化合物優選四甲基二矽氧 烷；
c) 保護塗層，其是在足夠的化學過量的氧氣存在下澱積在該粘合促進 劑層表面上的第二等離子體聚合的有機矽化合物，以形成
SiO,.8.2.4C。.;M.。H。.7.4.。的矽聚合物。該有機矽化合物優選為四甲基二矽氧垸；
d) Si(X層，其是澱積在該保護塗層表面上的等離子體聚合的四甲基二
矽氧烷。
US 2003/0215652公開了一種具有一阻擋塗層的聚合基材，包括聚 合基材；SiOxCyHz的第一濃縮等離子區，其中x為1至2.4， y為0.2至2.4 和z為0至4，該第一濃縮等離子區在所述聚合基材上，其中該等離子體 產生自氧化性氣氛中的有機矽烷化合物；以及SiOx的第二濃縮等離子區， 該第二濃縮等離子區在所述聚合基材上，其中該等離子體產生自足以形成 SiOx層的氧化性氣氛中的有機矽烷。
該等離子體形成的阻擋層即為等離子體澱積塗層的延續，其在該等離 子體層和該聚合表面至SiOx之間分界面具有不同於SiOxCyHz的組合物， 其為該容器的新的表面。
這種基材用於聚合物瓶，特別是用於裝碳酸飲料的不可回收的瓶，該 塗層的目的是作為香料、香味素、組分、氣和水蒸氣透過的阻擋層。其中 論述了該在先技術文獻的濃縮等離子塗層可以用在任何適合的基材上，包 括聚烯烴，例如聚丙烯或者聚乙烯。然而，這篇在先文獻中的實施例1至 7是在PET上的等離子體塗層，對於有關於該聚合物應用的實施例8a,8b 和8c，沒有給出信息。在實施例9中提及150微米的HDPE膜，實施例 IO中使用了PET膜，在最後的實施例11至13使用了聚碳酸酯。根據現有技術，使用的反應氣體如HMDSO是在環境溫度下具有低蒸
氣壓的液體。這些氣體的使用需要載體氣體，如氬，以從容器向反應室輸 送該蒸氣。另外，有必要加熱氣體線路以避免該氣體在容器和反應室之間縮合。

發明內容
本發明人注意到，使用PECVD路線，要獲得在一些聚合物基材上， 特別是聚丙烯上粘附性良好的SiOx或者SiOxCy還是特別困難。
發明人也注意到，對於聚合物基材有關在PET上的PECVD澱積的主 要部分的專利文獻，(例如，見EP 469 926， FR 2 812 568)，通過現有 技術的PECVD工藝(見US 5,378,510或者FR 2814382，2670506，EP 787828 的實施例4)在聚丙烯上得到的氧化矽薄膜不能生產可洗滌的具有減少沾 汙趨勢的容器。
更確切地說，根據現有技術的層，如在US 4,830,873或者US 5,718,967 中所述，沒有獲得耐洗滌、保護性、透明的層。
事實上，申請人注意到，經過在洗碗機，特別在高溫度下的幾次洗滌 後，外部的SiC^類或者SiOx塗層在洗碗機中顯示出差的耐受性，且未顯 示出良好的抗鏽性能。
此外，根據文獻US 5,718,967，粘合促進劑層的厚度為約100納米至 約200納米，保護塗層的厚度至少為約0.1微米並且不大於約2微米。
為了改善層壓材料的透明度特徵，並獲得耐洗滌的具有減少沾汙趨勢 的層，優選使這些層的厚度儘可能減少。
事實上，該層越厚，其彈性越小，更易碎，特別是在洗碗機中經過幾 次洗滌後。
本發明的一個目的是提供用於聚合物製品的塗層，以及用於製造本發 明的具有塗層的聚合物製品的方法。
本發明另一個目的是提供一種具有減少沾汙趨勢的塗層的聚合物制 品，S卩， 一種在接觸食品或者液體時，更確切地說，當接觸咖啡、茶、胡 蘿蔔和番茄醬時具有減少沾汙趨勢的製品。
本發明另一個目的是提供一種具有本發明塗層的聚合物製品，其在洗
碗機中不會被衝蝕，即，它是耐洗滌的。
本發明的一個目的是提供一種具有良好的蒸氣耐受性的塗層。 本發明的另一個目的是提供一種在聚合物基材上具有良好粘附性，不
脫離的塗層。
本發明的另一個目的是提供一種在洗碗機中經過幾次洗滌後保持透 明的聚合物製品。
本發明的另一個目的是提供一種聚合物製品，該聚合物製品引入一壁 厚減少的塗層，但是保留了適當的對香料、香味素、組分、氣和水蒸氣的 阻擋。
本發明的另一個目的是一種用於製造通過等離子體在至少一個側面 形成薄塗層的聚合物製品的方法，這種製品能放在冰箱、冷凍機或者微波爐中。
本發明的一個目的是提供一種反應氣體，其是穩定的且與氧氣接觸時 不反應。
本發明的一個目的是提供一種反應氣體，其處於足夠的飽和蒸氣壓力 下，以在不添加載氣下從存儲位置移動至反應室。
本發明的一個目的是提供一種反應氣體，其在從存儲位置移動至反應 室期間不需要加熱，以避免所述反應氣體縮合。
本發明的一個目的是提供一種不自燃的反應氣體。
本發明的一個目的是提供一種能較好地控制其中氧百分比的塗層。
本發明的一個目的是一種聚合物製品，在其至少一個側面上有薄塗
層，其特徵在於所述塗層包括SiOxCyHz第一塗層，該SiOxCyHz第一塗 層是澱積在所述聚合物製品表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷，或是澱 積在所述聚合物製品表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷和氧化性氣體， 所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳，對於所述第一 SiOxCyHz塗層， 該x值為0至1.7，該y值為0.5至0.8，該z值為0.35至0.6;以及第二 塗層SiOxCyHz，其為澱積在所述第一塗層表面上的等離子體聚合的四甲基 矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳，對於所述 第二 SiOxCyHz塗層，該x值為1.7至1.99，該y值為0.2至0.7，該z值為 0.2至0.35，其中所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二 塗層的厚度為約10納米至約100納米，優選為30納米左右。
根據本發明的用於製造通過等離子體在至少一個側面形成薄塗層的
聚合物製品的方法，其特徵在於所述方法依次包括
-等離子體處理所述聚合物製品，有利地為氬等離子體處理；
-通過產生等離子體澱積SiOxCyHz第一塗層，該等離子體來自四甲 基矽烷或來自四甲基矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選氧氣或者二 氧化碳，對於所述第一 SiC^CyHz塗層，該X值為0至1.7，該y值為0.5 至0.8，該z值為0.35至0.6，禾口
-隨後在氧化性氣體存在下通過產生自四甲基矽垸的等離子體澱積第 二塗層SiOxCyHz，所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳C02，對於所 述第二 SiOxCyHz塗層，該X值為1.7至1.99，該y值為0.2至0.7，該z 值為0.2至0.35，所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二 塗層的厚度為約IO納米至約100納米，優選30納米左右。
本發明獲得一種具有上述特徵的塗層，即，減少沾汙傾向的、耐蒸氣 的、透明的、厚度減少的塗層。
此外，由於四甲基矽烷不包含任何氧元素，該塗層中的氧百分率易於 控制。因此，該塗層中的氧百分率僅通過氧化性氣體的流量來控制。
此外，該四甲基矽烷在存儲位置至反應室之間不添加載氣時也可以應用。
在一個實施方式中，該聚合物製品設置成容器的形式，其內側經過等 離子體處理和塗覆。
有利地，該聚合物製品由聚丙烯或者聚乙烯製造。
優選地，該塗層可以用磁製導或者等離子體生成電極製造，或者用磁 制導和等離子體生成電極兩者而製造。
在一個實施方式中，使用13.56MHz的頻率將功率負載至該等離子體。
該氧氣比四甲基矽烷的比率為約0至4，以獲得所述第一塗層，所述 比率為約4至10，以獲得所述第一塗層上的第二塗層。
在本發明的一個方面，所述氧氣比四甲基矽烷的比率在第一步驟期間 保持約0至4的第一比率值大約l至4秒，所述氧氣比四甲基矽垸的比率
在第二步驟期間保持約4至10的第二比率值大約5至30秒。


圖1顯示了用於在一製品上產生塗層的裝置。
具體實施例方式
現在將參考附圖描述本發明的一個優選實施方式，其中 圖1顯示了用於在一製品上產生塗層的裝置。
在一個實施方式中，用於食品的三維聚丙烯容器被置於真空室中，從 而定義一內容積，該內容積形成用於等離子體處理的反應室。術語"等離 子體處理"表示氣體化合物在降低的大氣壓下通過電輝光放電的化學分 解。通過等離子體處理，獲得覆蓋於該容器內壁上的層或者塗層，該容器 中的壓力被降低並發生輝光放電。
用於產生本發明塗層的裝置1包括一支撐板2，該支撐板2被具有一 射頻電極5的射頻法拉第屏蔽罩3覆蓋，支撐板2上的絕緣裝置6支持該 射頻電極5。該電極5連接至射頻發生器4，如其所示。
該電極5具有一內部成型壁7，其上放置欲塗敷的製品8。有利地， 該內部成型壁7具有和該製品8的形狀互補的形狀。
欲塗覆的製品8形成一內容積9，其作為反應室，氣體從進口 IO注入。
此外還設置有泵裝置，以通過該支撐板2中的孔11降低該內容積中 的壓力。
該反應室9內部的壓力逐漸地降低至大約0.01毫巴。然後通過該反應 室9中的氣體進口 IO引入反應氣體，直至壓力為約0.1毫巴。
然後通過布置在容器周圍，接近於其外表面的電極5進行電輝光放電， 以僅在容器8的內表面產生等離子體。
首先，在該三維容器的內表面進行氬等離子體處理。優選地，該氬等 離子體處理1至20秒，更優選地是5至10秒。
該氬等離子體處理增加了該表面上的能量，以使等離子澱積在其上獲 得較好的粘附力。
然後在該容器的經等離子體處理的內表面上進行第一等離子體澱積， 採用均以給定流速注入形成反應室的容器的內容積中的四甲基矽烷 Si-(CH3)4和氧氣02。優選地，通過射頻將功率負載至該等離子體，所述頻
率是13.56MHz。真空室中氧氣比四甲基矽烷的比率為0至3，處理時間為 1至4秒。
在環境溫度下該四甲基矽烷的飽和蒸氣壓約為900毫巴，不需要加入 載氣使其從存放位置移至反應室9。
此外，在本發明的工藝進行期間，不需要加熱氣體，更確切地說，在 氣體存儲位置至反應室之間移動期間不需要加熱氣體，以免該氣體縮合。
該第一澱積是幾個納米厚的第一 SiOxCyHz層(或者塗層)，所述第一 SiOxCyHz塗層厚度為約0.1納米至約15納米。
在形成反應室的所述容器的內容積中使用比率約為2的氧氣和四甲基 矽烷，即，使用氧氣流速兩倍於四甲基矽烷的流速，該第一SiOxCyHz塗層 的化學成分如下
Si: 27.6%
0: 43.6%
C: 17.1% H: 11.7%
化學式SiOxCyHz中，x是1.58， y是0.62和z是0.42。
為了確定第一和第二塗層的化學成分，採用了化學分析用電子能譜法 (ESCA)、紅外透射(FTIR)和電子反衝檢測(ERD)分析。
然後在該容器的經過塗覆的內表面進行第二等離子體澱積，再次採用 四甲基矽烷和氧氣。功率再次通過射頻負載，採用相同頻率。在形成反應 室的所述容器的內容積中，氧氣比四甲基矽烷的比率保持為4至10，艮P， 在所述內容積中，氧氣流速比四甲基矽烷的流速大4至10倍，處理時間 為5-30秒。優選地，氧氣比四甲基矽垸的比率為4至7。
概括地說，該氧氣比四甲基矽垸的比率為約0至3，以獲得所述第一 塗層，所述比率為約4至10，以獲得所述第一塗層上的第二塗層。
第二澱積是幾個納米厚的SiOxCy&層(或者塗層)。更確切地說，所述
第二 SiOxCyHz塗層的厚度為約10納米至約100納米，優選為15至50納 米，更優選為約30納米。
在形成反應室的所述容器的內容積中，採用氧氣比四甲基矽垸約為4.5 的比率，此第二 SiOxCyHz塗層的化學成分如下(ESCA、FTIR和ERD分析)
Si: 28.5%
O: 50.55%
C: 12.55%
H: 8.35%
化學式SiOxCyHz中，x是1.77， y是0，44和z是0.29。 使用氧氣比TMS約為8.5的比率，此第二 SiOxCyHz塗層的化學成分 如下(ESCA、 FTIR和ERD分析) Si: 28.75% 0: 54.95% C: 8.9% H: 7.4%
化學式SiOxCyHz中，x是1.91， y是0.31禾卩z是0.257。
第二 SiOxCyHz塗層的第二澱積後，該降低的氣壓增加至環境氣壓。
本發明人令人驚訝的發現，所獲得的成型製品在其壽命期間具有極低 的沾汙趨勢，這種成型製品可以在洗碗機中洗滌，也能置於冰箱、冷凍機 或者微波爐中。
在85°C ，用名為Neodisher Alka 300的洗滌劑和由Weigert Cie博士提 供、名為Neodisher TS的衝洗液體試劑進行125次洗滌。
為了驗證本發明塗層的抗沾汙特性，將不同種類的侵蝕性食物調味料 和著色產品填充於碗中，然後在8(TC烘箱中存放24小時。
目測觀察洗滌前後的沾汙趨勢。
通過上述方法處理容器得出了很好的結果，即，目測觀察到，和其它 碗相比，具有本發明塗層的碗沒有沾汙。
申請人也注意到，經過洗滌，該塗層表面變得極具親水性。
申請人還注意到，氧氣比四甲基矽垸的過高比率涉及形成SiOx類塗 層，經過在洗碗機中，特別是在高溫下的幾次洗滌，其不耐洗滌。
根據本發明，用於製造通過等離子體在至少一個側面形成薄塗層的聚 合物製品的方法依次包括
-等離子體處理所述聚合物製品，有利地為氬等離子體處理；
-通過產生等離子體澱積SiOxCyHz第一塗層，該等離子體來自四甲 基矽烷，優選在氧化性氣體存在下進行，該氧化性氣體優選氧氣或者二氧 化碳，對於所述第一 SiOxCyHz塗層，該X值為0至1.7，該y值為0.5至 0.8，該z值為0.35至0.6，和
-隨後在氧化性氣體存在下通過產生自四甲基矽烷的等離子體澱積第 二塗層SiOxCyHz，所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳，對於所述第 二SiOxCyHz塗層，該X值為1.7至和1.99，該y值為0.2至0.7，該z值 為0.2至0.35，所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二塗 層的厚度為約10納米至約100納米，優選30納米左右。
優選地，該聚合物製品設置成容器的形式，其內側經過等離子體處理
"此外，當聚合物製品是具有內容積的製品時，等離子體處理該聚合物 製品的所述步驟之前，本發明方法包括以下步驟 -將聚合物製品放置在真空室中； -降低該真空室中的壓力； -降低該聚合物製品的內容積中的壓力；
-通過布置在容器周圍靠近其外表面的電極進行電輝光放電。 令人吃驚地，申請人發現SiOxCyHz的第一塗層是澱積在聚合物製品表 面上的等離子體聚合的四甲基矽烷，或是澱積在聚合物製品表面上的等離 子體聚合的四甲基矽垸和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選氧氣或者二氧 化碳，對於所述第一 SiOxCyHz塗層，高度優選X值為0至1.7， y值為0.5 至0.8，和z值為0.35至0.6;以及SiOxCyHz的第二塗層是澱積在該第一 塗層表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體 優選氧氣或者二氧化碳，對於所述第二 SiOxCyHz塗層，高度優選X值為 1.7至1.99， y值為0,2至0.7， z值為在0.2至0.35。
該聚合物製品可以是聚丙烯或者聚乙烯或者聚碳酸酯或者聚對苯二 甲酸丁二醇酯。
本發明塗層可以用磁製導或者等離子體生成電極製造，或者磁製導和 等離子體生成電極兩者製造。
優選地，該聚合物製品是三維形狀的，該製品放入真空室中，並定義 出一內容積和一外容積，該製品的內部定義出作為反應室的內容積，所述
反應室內部的壓力大約是O.Ol毫巴。
申請人還注意到，用氬等離子體處理三維聚乙烯容器的內表面的方法
以及使用四甲基矽烷和氧氣在該內表面形成等離子體澱積的一層塗層也 使容器在其壽命期間具有極低的玷汙趨勢，可以在洗碗機總洗滌，以及可
置於冰箱，冷凍機或者微波爐中。
在形成反應室的該容器的內容積中，該氧氣比四甲基矽烷的比率約保
持4至10，即，所述內容積中的氧氣流速比四甲基矽烷的流速大4至10 倍，且處理時間為5至30秒。優選地，氧氣比四甲基矽烷的比率為4至7。
該層是幾個納米厚的SiOxCyH層(或者塗層)。更確切地說，所述 SiOxCyHz塗層的厚度為約10納米至約100納米，優選為15至50納米， 更優選為約30納米。
然而，具有第一 SiOxCyHz塗層和第二 SiOxCyHz塗層的方法是極優選 的，其可以使聚合物製品具有改進的特性(耐洗滌性，透明度，等等)。
權利要求
1.一種聚合物製品，在其至少一個側面上有薄塗層，其特徵在於所述塗層包括SiOxCyHz第一塗層，該SiOxCyHz第一塗層是澱積在所述聚合物製品表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷，或是澱積在所述聚合物製品表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳，對於所述第一SiOxCyHz塗層，該x值為0至1.7，該y值為0.5至0.8，該z值為0.35至0.6；以及第二塗層SiOxCyHz，其為澱積在所述第一塗層表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選為氧氣或者二氧化碳，對於所述第二SiOxCyHz塗層，該x值為1.7至1.99，該y值為0.2至0.7，該z值為0.2至0.35，其中所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二塗層厚度為約10納米至約100納米，優選為30納米左右。
2. 用於通過等離子體製造至少一個側面上形成薄塗層的聚合物製品的方法，其特徵在於所述方法依次包括-用等離子體處理所述聚合物製品，優選為氬等離子體處理； -通過產生等離子體澱積SiOxCyHz第一塗層，該等離子體來自四甲基 矽烷，或來自四甲基矽烷和氧化性氣體，所述氧化性氣體優選氧氣或者二 氧化碳，對於所述SiOxCyHz第一塗層，該x值為0至1.7，該y值為0.5至0.8， 該z值為0.35至0.6，禾口-隨後在氧化性氣體存在下通過產生自四甲基矽垸的等離子體澱積第 二塗層SiOxCyHz，所述氧化性氣體優選為氧氣02或者二氧化碳C02，對於 所述第二SiOxCyHz塗層，該x值為1.7至1.99，該y值為0.2至0.7，該z值為0.2 至0.35，所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二塗層的厚度 為約10納米至約100納米，優選30納米左右。
3. 根據權利要求2的方法，其特徵在於，該聚合物製品設置為容器的 形式，其內側經等離子體處理和塗覆。
4. 根據權利要求2或者3中任意一項的方法，其特徵在於，該聚合物制 品由聚丙烯或者聚乙烯製造。
5. 根據權利要求2至4任意一項的方法，其特徵在於所述塗層用磁製導製造，或用等離子體生成電極製造，或者用磁製導和等離子體生成電極兩 者製造。
6. 根據權利要求5的方法，其特徵在於，負載至該等離子體的功率採 用13.56MHz的頻率。
7. 根據權利要求2至6任意一項的方法，其特徵在於，氧氣比四甲基矽 烷的比率為約0至4，以獲得所述第一塗層，所述比率為約4至10，以獲得 所述第一塗層上的所述第二塗層。
8. 根據權利要求7的方法，其特徵在於，所述氧氣比四甲基矽烷的比 率在第一步驟期間保持約0至4的第一比率值大約1至4秒，所述比率在第二 步驟期間保持約4至10的第二比率值大約5至30秒。
全文摘要
一種聚合物製品，在其至少一個側面上有薄塗層，其特徵在於所述塗層包括SiOxCyHz第一塗層，其為澱積在所述聚合物製品表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷，對於所述第一SiOxCyHz塗層，該x值為0至1.7，該y值為0.5至0.8，該z值為0.35至0.6；以及第二塗層SiOxCyHz，其為澱積在所述第一塗層表面上的等離子體聚合的四甲基矽烷，對於所述第二SiOxCyHz塗層，該x值為1.7至1.99，該y值為0.2至0.7，該z值為0.2至0.35，其中所述第一塗層的厚度為約1納米至約15納米，所述第二塗層厚度為約10納米至約100納米，優選30納米左右。
文檔編號C23C30/00GK101198722SQ200680021500
公開日2008年6月11日 申請日期2006年6月16日 優先權日2005年6月16日
發明者派屈克·肖萊, 納塞爾·貝爾迪 申請人:創新系統技術公司