一種矽柵MOS集成電路ESD保護電路結構的製作方法

2023-11-11 20:09:02 2

本發明涉及集成電路結構技術領域，具體的說是涉及一種矽柵mos集成電路esd保護電路結構。

背景技術：

傳統的矽柵mos集成電路的esd保護，有很多結構簡單的電路，其中以柵極直接接地或者柵極通過電阻接地的為典型代表，這種電路很難保證埠先經過nmos管（其起作用的主要為寄生的npn三極體）釋放靜電，再經過電阻釋放靜電，這容易燒毀電阻，或者對電阻要求比較高，到達晶片內部的靜電電壓及能量也比較高，有單級保護效果不佳，二級保護面積偏大的缺點。上述缺陷，值得解決。

技術實現要素：

為了克服現有的技術的不足,本發明提供一種矽柵mos集成電路esd保護電路結構。

本發明技術方案如下所述：

一種矽柵mos集成電路esd保護電路結構，其特徵在於，包括nmos管，內部電路，埠以及n型有源區注入電阻，所述nmos管分別與所述內部電路以及所述埠連接，所述nmos管上設置有所述n型有源區注入電阻，所述n型有源區注入電阻分別與所述內部電路以及所述埠連接，所述內部電路與所述埠相連接。

進一步的，所述nmos管的柵極通過接地電阻接地。

進一步的，所述nmos管的柵極直接接地。

進一步的，還包括有源區電阻，且所述內部電路通過所述有源區電阻分別與所述埠以及所述n型有源區注入電阻相連接。

進一步的，還包括多晶電阻，且所述內部電路通過所述多晶電阻分別與所述埠以及所述n型有源區注入電阻相連接。

根據上述方案的本發明，其有益效果在於，本發明通過在nmos上設置n型有源區注入電阻，既減小了集成電路版圖的面積，又保證了大部分的靜電先通過nmos管進行了放電，再通過n型有源區注入電阻連接到內部電路，靜電釋放效果好，利於保護電路，成本低。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖2為本發明的具體實施例圖一；

圖3為本發明的具體實施例圖二；

圖4為本發明的具體實施例圖三。

寄生n+有源區電阻為n型有源區注入電阻。

具體實施方式

下面結合附圖以及實施方式對本發明進行進一步的描述：

如圖1所示，一種矽柵mos集成電路esd保護電路結構，包括nmos管，內部電路，埠以及n型有源區注入電阻，所述nmos管分別與所述內部電路以及所述埠連接，所述nmos管上設置有所述n型有源區注入電阻，所述n型有源區注入電阻分別與所述內部電路以及所述埠連接，所述內部電路與所述埠相連接。

所述nmos管的柵極通過接地電阻接地或者直接接地，所述內部電路通過有源區電阻或者多晶電阻分別與所述埠以及所述n型有源區注入電阻相連接。

本發明工作原理：當埠遭遇靜電時，先通過一個多叉指狀的nmos管進行放電，然後經過n型有源區注入電阻直接或者再經過多晶電阻或者有源區電阻連接到內部電路。因為有n型有源區注入電阻存在，n型有源區注入電阻有限流和限壓的作用，大部分的靜電先通過多叉指狀的nmos管進行了放電，n型有源區注入電阻後面的連線上的靜電電壓與電流比埠上的靜電電壓與電流小了很多，從而給連接內部電路降低了抗本靜電電壓與電流方面的要求。

本發明具體實施例：

如圖2、圖3、圖4所示，取多叉指狀的nmos管中共漏極（漏極接埠）二個nmos管，沿著金屬層，在遠離埠的位置利用寄生在nmos中的n+n型有源區注入電阻，以保證大部分的靜電先通過多叉指狀的nmos管進行了放電再通過nmos中寄生的n型有源區注入電阻直接或者再經過多晶電阻或者有源區電阻連接到內部電路

本發明通過在nmos管上設置n型有源區注入電阻，既減小了集成電路版圖的面積，又保證了大部分的靜電先通過nmos管進行了放電，再通過n型有源區注入電阻連接到內部電路，靜電釋放效果好，利於保護電路，成本低。

應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬於本發明所附權利要求的保護範圍。

上面結合附圖對本發明專利進行了示例性的描述，顯然本發明專利的實現並不受上述方式的限制，只要採用了本發明專利的方法構思和技術方案進行的各種改進，或未經改進將本發明專利的構思和技術方案直接應用於其它場合的，均在本發明的保護範圍內。