分割半導體晶片的方法
2023-07-22 23:50:56 1
專利名稱：分割半導體晶片的方法
技術領域：
本發明涉及分割具有在正面以網格方式形成的許多間隔以及在許多區域中形成的電路的半導體晶片的方法，這些區域通過許多間隔隔開成單個半導體晶片。
背景技術：
在半導體器件的生產工藝中，例如，半導體晶片由形成在許多區域中的像IC，LSI或諸如此類的電路製造而成，這些區域通過以網格方式形成在大體為圓片形的半導體晶片的正面上的間隔(切割線)隔開並且沿著間隔分為帶有形成於其中的電路的區域。切片機通常被用作分割半導體晶片的分割機械，切片機用厚度約為20μm的切割刀片切割半導體晶片。這些半導體晶片被封裝而廣泛地用於如蜂窩電話和個人計算機這樣的電子裝置中。
由聚醯亞胺樹脂等構成、厚度為20-40μm用於管芯鍵合的鍵合膜粘附於半導體晶片的背面，以便通過加熱，經鍵合膜使得半導體晶片可以鍵合至支撐半導體晶片的導線框架。為了粘附用於管芯鍵合的鍵合膜至半導體晶片的背面，鍵合膜被粘附於半導體晶片的背面，沿著形成於正面上的間隔用切割刀片切割半導體晶片，與鍵合膜一同形成具有粘附至其背面的鍵合膜的半導體晶片。當半導體晶片鍵合至支撐半導體晶片的導線框架時，由於用於管芯鍵合的鍵合膜已經粘附至半導體晶片的背面，鍵合工藝可以順利地實施。
然而，當半導體晶片用切割刀片如上述切割時，由於在半導體晶片的切割面上同時產生碎屑或裂紋，考慮到裂痕或裂縫的影響，每個間隔的寬度設為約50μm。因而，當每個半導體晶片的尺寸減小時，就增加了半導體晶片中間隔的份額，從而導致了產量的減少。進而，用切割刀片切割涉及限定饋送速度和半導體晶片被切割碎屑汙染的問題。
同時，如日本專利JP-A 6-120334揭示了沿間隔應用雷射束著手進行切割半導體晶片。
在通過使用雷射束切割半導體晶片的方法中，沒有裂痕或裂縫的幹擾，不產生切割碎屑，由於沿間隔應用雷射束切割半導體晶片，可以增加饋送速度。
當沿間隔施加雷射束至半導體晶片時，半導體晶片被分割成單個半導體晶片，使用具有較低的輸出的雷射束使得形成在半導體晶片上的電路不因加熱而遭致損壞。相應地，這涉及了用於管芯鍵合的粘附至半導體晶片背面的鍵合膜不能與半導體晶片一同分割的問題。
發明概述本發明的目的是提供分割半導體晶片的方法，沿著具有用於管芯鍵合的粘附至背面的鍵合膜的半導體晶片的間隔，在通過應用雷射束把半導體晶片分割成半導體晶片之後，通過劃開相應於半導體晶片用來管芯鍵合的鍵合膜，能夠把半導體晶片相互移除開來。
為實現上述目的，依據本發明，提供分割具有在正面以網格方式形成的許多間隔和形成在許多區域中形成的電路的半導體晶片的方法以及，這些區域通過許多間隔隔開成單個半導體晶片，包括將用於管芯鍵合的鍵合膜粘附於半導體晶片背面的鍵合膜粘附步驟；粘貼可延伸保護性粘附帶於背面粘附有鍵合膜的半導體晶片鍵合膜一側上的保護性粘附帶粘貼步驟。
從粘貼了保護性粘附帶的半導體晶片的正面沿間隔通過實施雷射束把半導體晶片分割成單個半導體晶片的分割步驟；通過延伸的保護性粘附帶對鍵合膜產生的拉力，劃開每個半導體晶片的鍵合膜的鍵合膜劃開步驟；以及把保護性粘附帶與帶有粘貼並被劃開的鍵合膜的半導體晶片移除的半導體晶片移除步驟。
上述鍵合膜的粘附步驟是通過把上述的鍵合膜置於半導體晶片的背面上並在80-200℃的溫度加熱的條件下把鍵合膜與半導體晶片背面壓緊來完成的。粘附上述保護性粘附帶以便覆蓋環形支撐框架的內部開口。進而，通過外部激勵源，希望上述保護性粘附帶具備粘附力減小的性能，並且當在上述半導體晶片移除步驟中把保護性粘附帶與帶有粘貼其鍵合膜的半導體晶片移除的時候，外部激勵源引起保護性粘附帶減小其粘附力。
附圖簡述
圖1(a)和1(b)是依據本發明的分割方法中所展示的把用於管芯鍵合的鍵合膜粘附至半導體晶片背面的鍵合膜粘附步驟的示意圖；圖2是依據本發明的分割方法中所展示的粘貼可延伸保護性粘附帶於背面粘附有鍵合膜的半導體晶片鍵合膜一側上的保護性粘附帶粘貼步驟狀況的透視圖；圖3是依據本發明的分割方法中所展示的實施分割步驟的雷射束裝置的實例的透視圖；圖4是提供於圖3所示的雷射束裝置中的雷射束應用設備組成部分的示意性框圖；圖5是依據本發明的分割方法中所展示的分割步驟的實例的放大剖面圖；圖6是依據本發明的分割方法中所展示的另一分割步驟的實例的放大剖面圖；圖7是本發明中實施鍵合膜劃開步驟的保護性粘附帶延伸器件的透視圖；圖8(a)和8(b)是用於說明依據本發明的分割方法中的鍵合膜劃開步驟的示圖；圖9是半導體晶片經受鍵合膜的劃開步驟的部分放大剖面圖；以及圖10是依據本發明的分割方法通過分割半導體晶片而形成半導體晶片的透視圖。
優選實施例的詳細描述下面參照附圖詳細描述按照本發明優選實施例分割半導體晶片的方法。
圖1(a)和1(b)是依據本發明的分割方法中示出的粘附用於管芯鍵合的鍵合膜至半導體晶片背面的步驟舉例的示意圖。
圖1(a)是半導體晶片10和用於管芯鍵合的鍵合膜11被粘附至半導體晶片10的背面的透視圖。許多間隔101以網格方式形成在半導體晶片10的正面10a上，電路102形成在被許多間隔101隔開的許多區域中。由聚醯亞胺樹脂構成、厚度為20-40μm的膜材料可以用作用於管芯鍵合的鍵合膜11。該用於管芯鍵合的鍵合膜11置於半導體晶片10的背面上並在80-200℃的溫度加熱的條件下與半導體晶片10背面相互壓緊從而粘附至圖1(b)中所示的半導體晶片10的背面。通過施加相對小的拉力可輕易劃開用於管芯鍵合的鍵合膜。
在上述鍵合膜粘附步驟中鍵合膜11被粘附至半導體晶片10的背面之後，可延伸保護性粘附帶粘貼到半導體晶片10背面粘附有鍵合膜11的一側(保護性粘附帶粘貼步驟)。這個保護性粘附帶粘貼步驟是將粘附在半導體晶片10背面的鍵合膜11粘貼到可延伸保護性粘附帶14的頂表面，以便覆蓋圖2所示的環形支撐框架13的內部開口，可延伸保護性粘附帶14為合成樹脂帶，例如氯乙烯帶，通常用作切割帶。具有通過如紫外輻射等的外部激勵源減小粘附力的特性的UV帶作為可延伸保護性粘附帶14。
在保護性粘附帶粘貼步驟中粘附至半導體晶片10背面的鍵合膜11被粘貼至粘附在支撐框架13上的可延伸保護性粘附帶14的頂表面之後，對具有粘貼了保護性粘附帶14的半導體晶片進行分割步驟，該分割步驟沿間隔101施加雷射束，把半導體晶片分割成單個半導體晶片。
下面參照圖3和4描述沿間隔101通過採用雷射束實施把半導體晶片10分割成單個半導體晶片的分割步驟的雷射束裝置。
圖3中示出的雷射束裝置1包括固定基座2，以在所示的箭頭X方向上可以移動並吸住工件的方式配置在固定基座2上的吸盤工作檯單元3，以在與所示的箭頭X方向垂直的箭頭Y所示的方向上可以移動的方式安裝在固定基座2上的雷射束應用單元支撐機構4，以及以在所示的箭頭Z方向上可以移動的方式配置在雷射束應用單元支撐機構4上的雷射束操作單元5。
上述吸盤工作檯機構3包括安裝在固定基座2上的一對導軌31及31並在所示的箭頭X方向上相互平行排列，以在所示的箭頭X方向上可以移動的方式安裝在導軌31及31上的第一滑塊32，以在所示的箭頭Y方向上可以移動的方式安裝在第一滑塊32上的第二滑塊33，通過圓柱形部件34支撐在第二滑塊33上的支撐工作檯35，以及作為工件吸持工具的吸盤工作檯36。這個吸盤工作檯36有一個由帶有氣孔的材料構成的吸附吸盤361，以便作為工件的盤形半導體晶片通過未示出的抽氣工具被吸在吸附吸盤361上。吸盤工作檯36通過裝配在圓柱形部件34中的脈動電機(未示出)來轉動。
在上述第一滑塊32的底表面上有一對與上述一對導軌31及31適配的定向凹槽321及321，以及在第一滑塊32的頂表面上，在所示的箭頭Y方向上有一對相互形成平行的導軌322及322。這樣形成的第一滑塊32通過定向凹槽321及321適配於導軌對31及31可以沿導軌對31及31在所示的箭頭X方向移動。在給出的實施例中吸盤工作檯機構3裝備有沿導軌對31及31在所示的箭頭X方向用來移動第一滑塊32的移動工具37。移動工具37包含位於上述導軌對31及31之間、平行排列的陽螺紋杆371以及用來驅動陽螺紋杆371轉動的如脈動電機372的驅動源。在陽螺紋杆371的一端，可轉動的陽螺紋杆371被支撐到固定至上述固定基座2的承重塊373，在另一端，通過減速器(未示出)支撐到與上述脈動電機372輸出軸耦合的變速箱。陽螺紋杆371被旋入形成在從第一滑塊32中心部分的底面凸出來的母螺紋塊(未示出)中帶有螺紋的通孔中。因此，通過脈動電機372在正向或反向驅動陽螺紋杆371，第一滑塊32沿導軌對31及31在所示的箭頭X方向移動。
在上述第二滑塊33的底表面上有一對與提供在第一滑塊32的頂表面上的導軌對322及322適配的定向凹槽331及331並且第二滑塊33通過定向凹槽331及331適配於導軌對322及322可以沿在所示的箭頭Y方向移動。在給出的實施例中吸盤工作檯機構3裝備有沿提供在第一滑塊32上的導軌對322及322在所示的箭頭Y方向用來移動第二滑塊33的移動裝置38。移動裝置38包含位於上述導軌對322及322之間、平行排列的陽螺紋杆381以及用來驅動陽螺紋杆381轉動的如脈動電機382的驅動源。在陽螺紋杆381的一端，可轉動的陽螺紋杆381被支撐到固定至上述第一滑塊32上的頂表面的承重塊383，在另一端，通過未示出的減速器支撐到與上述脈動電機382輸出軸耦合的變速箱。陽螺紋杆381被旋入形成在從第二滑塊33中心部分的底面凸出來的母螺紋塊(未示出)中帶有螺紋的通孔中。因此，通過脈動電機382在正向或反向驅動陽螺紋杆381，第二滑塊33沿導軌對322及322在所示的箭頭Y方向移動。
上述雷射束應用單元支撐機構4包括安裝在固定基座2上的一對導軌41及41並在箭頭Y所示的指示方向上相互平行排列，以及以在所示的箭頭Y方向上的可移動的方式安裝在導軌41及41上的支撐基座42，這個移動式支撐基座42包括動態地部署在導軌41及41上的可移動支撐部分421和安裝在可移動支撐部分421上的安裝部分422。在安裝部分422的一側有在所示的箭頭Z方向延伸的一對導軌423及423。在說明的實施例中，雷射束應用單元支撐機構4包括沿導軌對41及41在箭頭Y所示的指示方向用來移動移動式支撐基座42的移動工具43。移動工具43包含位於上述導軌對41及41之間、平行排列的陽螺紋杆431以及用來驅動陽螺紋杆431轉動的如脈動電機432的驅動源。在陽螺紋杆431的一端，陽螺紋杆431被可轉動地支撐到固定至上述固定基座2上的承重塊(未示出)，在另一端，通過未示出的減速器支撐到與上述脈動電機432輸出軸耦合的變速箱。陽螺紋杆431被旋入形成在從組成移動式支撐基座42的可移動支撐部分421的中心部分的底面凸出來的母螺紋塊(未示出)中帶有螺紋的通孔中。因此，通過脈動電機432在正向或反向驅動陽螺紋杆431，移動式支撐基座42沿導軌對41及41在箭頭Y所示的指示方向移動。
在說明的實施例中雷射束操作單元5包括單元夾持器51和固定到單元夾持器51的雷射束應用工具52。單元夾持器51裝備有一對與提供在上述安裝部分422上的一對導軌423及423滑動地適配的定向凹槽511及511，以及單元夾持器51以這樣的方式支撐，以便通過定向凹槽511及511適配於導軌對423及423其可以沿所示的箭頭Z方向移動。
圖示的雷射束操作工具52包括固定到上述單元夾持器51的圓柱形盒521並基本上在水平方向延伸。在箱521中，裝配有圖4所示的雷射束振蕩工具522和雷射束調製工具523。YAG或YVO4雷射振蕩器可用作雷射束振蕩工具522。雷射束調製工具523包括重複頻率控制工具523a，雷射束脈衝寬度設置工具523b和雷射束波長設置工具523c。構成雷射束調製工具523的重複頻率控制工具523a，雷射束脈衝寬度控制工具523b和雷射束波長控制工具523c是本領域普通技術人員已知的器件。因而，它們的結構的詳細描述在本文中予以省略。聚光器524連接至上述盒521的端部。
從上述雷射束振蕩工具522產生振蕩的雷射束通過雷射束調製工具523到達聚光器524。雷射束調製工具523的重複頻率控制工具523a把雷射束轉換為具有預定重複頻率的脈衝雷射束，雷射束脈衝寬度控制工具523b把脈衝雷射束的脈衝寬度轉換成一預定寬度，雷射束波長控制工具523c把脈衝雷射束的波長轉換成一預定值。
圖像拾取工具6位於組成上述雷射束操作工具52的盒521的前端部。該圖像拾取工具6包括用來拾取工件圖像的圖像拾取裝置(CCD)，用來輻照工件的輻照工具和用來捕獲經輻照工具照射過的區域的光學系統，如此構成的圖像拾取工具6將由光學系統拾取的圖像傳輸至把圖像轉換成電圖像信號的圖像拾取裝置(CCD)。這個圖像信號被傳送至未示出的控制工具。
在給出的實施例中雷射束操作單元5包括在所示的箭頭Z方向沿導軌對423及423用來移動單元夾持器51的移動工具53。類似於上面提及的移動工具，移動工具53包括位於導軌對423及423之間、平行排列的陽螺紋杆(未示出)以及用來驅動陽螺紋杆轉動的如脈動電機532的驅動源。通過脈動電機532在正向或反向驅動陽螺紋杆(未示出)，單元夾持器51及雷射束操作工具52沿導軌423及423在箭頭Z所示的方向移動。
通過使用上述雷射束裝置1把支撐在安裝至支撐框架13的保護性粘附帶14上的半導體晶片10分割成單個半導體晶片的分割步驟的描述隨後給出。
支撐在安裝至支撐框架13的保護性粘附帶14上的半導體晶片10載送到組成圖3所示的雷射束裝置1的吸盤工作檯36的吸附吸盤361上，其正面10a朝上且被吸附在吸附吸盤361上。結果吸附住半導體晶片10的吸盤工作檯36通過移動工具37的操作沿導軌31及31移動到安裝至雷射束操作單元5的圖像拾取工具6的正下方位置。
當吸盤工作檯36被放置圖像拾取工具6的正下方位置時，為了把形成在半導體晶片10上第一方向的間隔101與用來沿間隔101施加雷射束的雷射束操作單元5的聚光器524對準，通過圖像拾取工具6和控制工具(未示出)進行如圖形疊合的圖像處理。接著實施雷射束操作位置的對準。實施雷射束操作位置的對準也可以在形成於半導體晶片10上第二方向的間隔101上實施。
檢測被吸持在吸盤工作檯36的半導體晶片10上的間隔和實施雷射束施加位置的對準之後，吸盤工作檯36移動至雷射束施加區域，在此區域中定位施加雷射束的雷射束操作單元5的聚光器524，以及在雷射束操作區域中，沿半導體晶片10的間隔101施加來自雷射束操作單元5的聚光器524的雷射束。此時，所產生的雷射束通過半導體晶片10的正面10a聚焦到半導體晶片10的內部，以便沿間隔101在半導體晶片10的內部形成調整層。
在沿間隔101於半導體晶片10的內部形成調整層的步驟中，當來自用來照射雷射束的雷射束操作單元5的聚光器524的脈衝雷射束施加到半導體晶片10上的預定間隔101時，吸盤工作檯36，即，吸持在吸盤工作檯36上的半導體晶片10以預定的饋送速度(例如，100mm/秒)在所示的箭頭X方向移動。在形成調整層的步驟中，下述雷射束作為被輻照的雷射束。
光源TAG雷射器或YVO4雷射器波長1,064nm(紅外雷射束)輸出5.1W重複頻率100kHz脈衝寬度20ns焦點尺寸1μm因為形成調整層步驟中照射的雷射束採用了具有長波長的紅外雷射束，當其聚焦到圖5所示的半導體晶片10的內部上時，雷射束施加到半導體晶片10的正面。例如，半導體晶片10具有厚度約為100μm的情形下，當紅外雷射束從正面在聚焦到內部約20μm施加紅外雷射束的時候，沿箭頭X所示方向移動半導體晶片10，使得具有厚度約為50μm的調整區域10c沿間隔在半導體晶片10的內部連續形成。
在上述形成調整層的步驟中，當外力作用於具有在其內部沿間隔形成的調整層10c的半導體晶片10上時，由於半導體晶片10在作為起始點的調整層10c處被劃開，因此只需小的外力就可輕易劃開半導體晶片。在這種情況下，由於在上述形成調整層10c的步驟中施加的雷射束未到達鍵合膜11，粘附至半導體晶片10背面的用於管芯鍵合的鍵合膜11未被劃開。
另一個施加雷射束方法的例子將在下面進行描述。
在這個例子中，吸盤工作檯36移動至雷射束操作區域，在此區域中對實加雷射束的雷射束操作單元5的聚光器524實施如上所述的定位，以及在雷射束操作區域中，通過在半導體晶片10的正面10a上聚焦，沿半導體晶片10上的間隔101施加來自雷射束操作單元5的聚光器524的雷射束來形成切縫線。
形成切縫線的步驟將在下文中進行描述。
在形成切縫線的步驟中，當來自用來施加雷射束的雷射束操作單元5的聚光器524的脈衝雷射束在其聚焦到半導體晶片10上預定間隔101的正面10a時進行施加。吸盤工作檯36，即，吸持在吸盤工作檯36上的半導體晶片10以預定的饋送速度(例如，100mm/秒)在所示的箭頭X方向移動。在形成切縫線的步驟中，下述雷射束作為被輻照的雷射束。
光源TAG雷射器或YVO4雷射器波長355nm(紫外線雷射束)輸出3.0W
重複頻率20kHz脈衝寬度0.1ns焦點尺寸5μm此例中具有短波長的雷射束用作雷射束，但也可使用紅外雷射束。當通過在所示的箭頭X方向移動雷射束時，它的焦點P設置在半導體晶片10的正面10a，沿間隔形成具有約30μm深度的切縫線10d。
在上述形成切縫線的步驟中，由於具有沿間隔形成的切縫線10d的半導體晶片10在作為起始點的切縫線10d處被劃開，沿間隔通過在其上作用小的外力，半導體晶片分割成單個半導體晶片。由於在上述形成切縫線的步驟中施加的雷射束未到達鍵合膜11，粘附至半導體晶片10背面的用於管芯鍵合的鍵合膜11未被劃開。
期望不但在半導體晶片10的內部沿間隔101實施形成調整層的步驟而且在分割半導體晶片10為單個半導體晶片的分割步驟中沿半導體晶片10正面上的間隔101實施形成切縫線的步驟。
通過採用雷射束裝置1實施分割半導體晶片10為單個半導體晶片的分割步驟之後，保護性粘附帶14延伸，對鍵合膜11產生拉力，以便實施用於劃開每個半導體晶片鍵合膜的鍵合膜劃開步驟。這個鍵合膜劃開步驟是通過圖7和圖8(a)及8(b)所示的保護性粘附帶延伸裝置15來實施的。保護性粘附帶延伸裝置15將在下文中進行描述。所示的保護性粘附帶14延伸裝置15包括具有用來放置上述支撐框架13的放置表面151a的圓柱形基座151和位於基座151中、與基座151同軸配置的、用作強制延伸粘附至支撐框架13的保護性鍵合帶14的延伸工具16。延伸工具16有用來支撐區域141的圓柱形延伸部件161，該區域中的保護性粘附帶14上已有許多半導體晶片20。在圖8(a)所示的參考位置與圖8(b)所示的參考位置上的延伸位置之間，構成這個延伸部件161通過未示出的提升工具可以在垂直方向(圓柱形基座151的軸線方向)移動。在給出的實施例中，紫外線照明燈17置於延伸部件161內。
接著，用上述保護性粘附帶14延伸裝置15實施的鍵合膜劃開步驟將參考圖7、圖8(a)及8(b)予以描述。
如上所述，支撐半導體晶片10的支撐框架13置於圓柱形基座151的放置表面151a上並由圖7及圖8(a)所示的夾具18固定到基座151，半導體晶片10具有粘附至其背面的鍵合膜11並由粘貼至支撐框架13(粘附至分割成單個半導體晶片20的半導體晶片10背面的鍵合膜11被粘貼至保護性粘附帶14頂表面)的可延伸保護性粘附帶14的頂表面所支撐。然後，如圖8(b)所示，延伸部件161支撐保護性粘附帶14上已有許多半導體晶片20的區域141，延伸工具16的延伸部件161通過未示出的提升工具從圖8(a)所示的參考位置移動至圖8(b)所示的延伸位置。結果，當可延伸保護性粘附帶14被拉伸時，拉力作用在粘貼至這個保護性粘附帶14的鍵合膜11上，由此如圖9所示，鍵合膜11沿半導體晶片20劃開。由於此時在晶片之間產生間隙，保護性粘附帶14與粘附至半導體晶片20的鍵合膜11之間粘附性減低，粘附了鍵合膜11的半導體晶片20可輕易地從保護性粘附帶14上移除。
在鍵合膜劃開步驟中，粘附至分割成單個半導體晶片20的半導體晶片10背面的鍵合膜11沿半導體晶片20劃開之後，操縱位於保護性粘附帶延伸裝置15上的晶片拾取收集器19從圖7所示的保護性粘附帶14頂表面上移除單個的半導體晶片20並將它們運至裝料盤(未示出)或實施管芯鍵合步驟。此時，打開安裝在延伸部件161中的紫外線照射燈17對保護性粘附帶14實施紫外輻照，從而可以輕易地從保護性粘附帶14上移除半導體晶片20。於是從保護性粘附帶14上移除的半導體晶片20含有圖10所示的背面仍粘附了鍵合膜11的情形，以及得到具有背面粘附了鍵合膜11的半導體晶片20。進而，通過雷射束密集地分割半導體晶片10，按照每個半導體晶片20的尺寸分割鍵合膜11並且鍵合膜11在管芯鍵合時不從半導體晶片20中凸出，從而提高了管芯鍵合的質量。
依據本發明分割半導體晶片的方法，把用於管芯鍵合的鍵合膜粘附至半導體晶片背面及對半導體晶片實施雷射束的分割步驟實現了分割半導體晶片為單個半導體晶片。在這個步驟中，鍵合膜未被破壞，只是把拉力施加至粘附到半導體晶片背面的鍵合膜並沿單個的半導體晶片將其劃開。因而，半導體晶片的鍵合工藝可以順利地實施。進而，依據本發明分割半導體晶片的方法，當施加到半導體晶片的雷射束把其分割成單個半導體晶片，相鄰的半導體晶片間未形成裂縫，以及與半導體晶片一起劃開鍵合膜。因而，鍵合膜不從半導體晶片中凸出。因此，提高了半導體晶片鍵合至導線框架的質量。
權利要求
1.分割具有在正面以網格方式形成的許多間隔以及在許多區域中形成的電路的半導體晶片的方法，這些區域通過許多間隔隔開成單個半導體晶片，包含將用於管芯鍵合的鍵合膜粘附在半導體晶片背面的鍵合膜粘附步驟；粘貼可延伸保護性粘附帶於背面粘附有鍵合膜的半導體晶片的鍵合膜一側上的保護性粘附帶粘貼步驟；從粘貼了保護性粘附帶的半導體晶片的正面沿間隔施加雷射束，把半導體晶片分割成單個半導體晶片的分割步驟；通過延伸保護性粘附帶以便對鍵合膜產生拉力，劃開每個半導體晶片的鍵合膜的鍵合膜劃開步驟；以及從保護性粘附帶移除帶有粘貼到半導體晶片並被劃開的鍵合膜的半導體晶片的半導體晶片移除步驟。
2.按照權利要求1分割半導體晶片的方法，其中鍵合膜的粘附步驟是通過把鍵合膜置於半導體晶片的背面上並在80-200℃的溫度加熱條件下把鍵合膜與半導體晶片背面壓緊來完成的。
3.按照權利要求1或2分割半導體晶片的方法，其中粘附保護性粘附帶以便覆蓋環形支撐框架的內部開口。
4.按照權利要求1-3中任何一項分割半導體晶片的方法，其中保護性粘附帶具有外部激勵源減小粘附力的特性，並且當在上述半導體晶片移除步驟中從保護性粘附帶移除帶有粘貼到半導體晶片的鍵合膜的半導體晶片的時候，外部激勵源導致保護性粘附帶減小其粘附力。
全文摘要
分割半導體晶片的方法包括用於管芯鍵合的鍵合膜粘附於半導體晶片背面的鍵合膜粘附步驟；粘貼可延伸保護性粘附帶至背面粘附有鍵合膜的半導體晶片鍵合膜一側上的保護性粘附帶粘貼步驟；沿間隔通過施加雷射束把粘貼了保護性粘附帶的半導體晶片分割成單個半導體晶片的分割步驟；通過延伸保護性粘附帶以便對鍵合膜產生拉力，劃開每個半導體晶片的鍵合膜的鍵合膜劃開步驟；以及從保護性粘附帶移除帶有粘貼到半導體晶片並被劃開的鍵合膜的半導體晶片的半導體晶片移除步驟。
文檔編號H01L21/301GK1534763SQ200410035229
公開日2004年10月6日 申請日期2004年3月11日 優先權日2003年3月11日
發明者川合章仁 申請人:株式會社迪斯科