抗蝕膜剝離劑組合物的製作方法

2023-08-07 00:32:56 3

專利名稱：抗蝕膜剝離劑組合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種用於去除照相平板印刷法(photo-lithography)中所用抗蝕膜(resist)的剝離劑組合物，尤其涉及一種在去除用於布圖金屬布線的抗蝕膜時，能夠降低對金屬布線的腐蝕，且能達到優秀的剝離效果的抗蝕膜剝離劑組合物。
背景技術：
通常，抗蝕膜(光致抗蝕膜，photo-resist)是在照相平版印刷工藝中必不可少的物質，而照相平版印刷工藝一般應用於集成電路(integrated circuit，IC)、大規模集成電路(large scale integration，LSI)、超大規模集成電路(very large scale integration，VLSI)等半導體裝置和液晶顯示器、平板顯示器等圖像顯示裝置的製造。
然而，在進行照相平板印刷工藝(photo-lithography processing)之後，抗蝕膜在高溫下被剝離溶液去除，但是在此過程中存在下部金屬膜可能過快地被剝離溶液腐蝕的問題。
即，由於所述抗蝕膜剝離溶液，存在金屬布線的腐蝕程度加快的問題。為了解決上述問題，美國專利第5,417,877號、美國專利第5,556,482號以及日本專利JP1999-375267(日本專利公開第2001-188363號)中公開了用於防止金屬布線腐蝕的抗蝕膜剝離溶液的製備方法。
所述方法是在醯胺(amide)和有機胺(organic amine)的混合物中添加防蝕劑，將所述混合物作為抗蝕膜剝離溶液來防止金屬布線中金屬的腐蝕，此方法指出了有機胺優選使用單乙醇胺(monoethanolamine)。另外，指出了防蝕劑的適當用量，以及如果超過適當用量時，所述光致抗蝕膜膜的剝離效果將會降低。
另外，常規抗蝕膜剝離溶液中的胺主要使用單乙醇胺(monoethanolamine)、甲基乙醇胺(methylethanolamine)等一級或二級胺。
然而，所述一級或二級胺具有由於沸點低而成分容易發生變化的缺點，而且經過一段時間後重量及成分因揮發發生變化，因此帶來了在工藝過程中需要更換全部剝離溶液的不便。另外，當所述一級或二級胺不包含防蝕劑時，即使混入少量的水也能使金屬布線嚴重腐蝕。

發明內容
本發明鑑於上述問題而作，其目的在於提供一種在剝離用於布圖電子電路或顯示元件金屬布線的抗蝕膜的過程中，不腐蝕金屬布線，特別是不腐蝕鋁(aluminum)、鉬(molybdenum)、銅(copper)、鈦(titanium)等金屬，且具有優秀的抗蝕膜剝離性的抗蝕膜剝離劑組合物。
為達到所述目的，本發明提供包含以下組分的雙組分抗蝕膜剝離劑組合物a)1至20wt％的選自由以下化學式1表示的化合物中的至少一種二胺化合物(diamine compound)；和b)餘量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。
其中，[化學式1] 上述化學式中，R及R′分別表示氫或者C1至C10的獨立的烷基(alkyl group)；R″表示氫、C1至C10的烷醇基(alkanol group)或者C1至C10的烷基(alkyl group)。
本發明的抗蝕膜剝離劑組合物可以是進一步包含至少一種極性溶劑的三組分組合物。此時，所述組合物的組分如下a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；b)10至90wt％的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)；和c)餘量的至少一種極性溶劑。
根據本發明的抗蝕膜剝離劑組合物，能夠將抗蝕膜下部金屬膜的腐蝕降到最低，達到能夠完全去除、清洗抗蝕膜的效果。
具體實施例方式
下面，進一步詳細說明本發明。
本發明中所使用的環狀胺(ring-type amine)，雖然幾乎不腐蝕部分金屬布線，但對通過幹法蝕刻(dry etching)工藝而嚴重改性的抗蝕膜的剝離性能卻不及鏈狀胺(chain-type amine)。因此，本發明提出了，在採用雖然幾乎不腐蝕所述金屬布線但對嚴重改性的抗蝕膜的剝離性能降低的環狀胺時，為提高其抗蝕膜剝離性能，胺化合物使用二胺，並且採用將所述二胺和環狀胺或鏈狀胺一起添加的方法。所述二胺類具有與鏈狀胺相同的抗蝕膜剝離性能，但對金屬布線的影響低於鏈狀胺，而且其沸點也高，因此在與環狀胺一同使用時，無需考慮因兩種胺的成分發生變化而引起性能變化。
另外，本發明的發明人發現，抗蝕膜剝離劑組合物中只需使用幾乎不腐蝕金屬布線的胺及溶劑，即可防止下部膜由於其與上部金屬膜之間的電偶(galvanic)現象而被腐蝕，並且能夠剝離抗蝕膜。但是，一般而言，即便是不腐蝕金屬布線的胺，如果當其中混有0.1％至3％左右的水時，若是單一膜則出現嚴重的腐蝕現象，而且在雙重膜中上部膜和下部膜之間也出現電偶腐蝕現象。或者，即便在抗蝕膜剝離劑組合物中沒有摻入水，如果在完成剝離工序之後不經過如異丙醇(isopropyl alcohol)等醇類(alcohol series)的中間清洗工序，也會出現電偶腐蝕現象。此時，為防止腐蝕添加少量的防蝕劑。
因此，根據本發明的抗蝕膜剝離劑組合物，在剝離用於布圖金屬布線的抗蝕膜的過程中不僅不腐蝕金屬布線，而且具有優秀的抗蝕膜剝離性能。
根據本發明可以是雙組分化合物，其胺類化合物使用選自二胺化合物(diamine compound)中的至少一種化合物；溶劑使用乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。而本發明也可以是三組分化合物，即在上述組分基礎上進一步包含至少一種極性溶劑。另外，為了防止因少量水的存在所引起的腐蝕現象，本發明可進一步包含至少一種防蝕劑(anticorrosive agent)。另外，本發明的抗蝕膜剝離劑組合物，可進一步包含作為胺類化合物的環狀胺化合物(ring-typeamine)或鏈狀胺化合物(chain-type amine)。
下面，具體說明本發明的抗蝕膜剝離劑組合物中所使用的各成分。
通常，金屬布線的腐蝕與鹼度無關，而連接在環狀胺或者鏈狀胺中氮原子上剩餘的兩個氫原子未被取代的胺嚴重腐蝕金屬布線。但是，在高溫條件下，進行抗蝕膜的剝離工序時，如本發明，若使用二胺化合物，由於其不易發生揮發現象，因此能夠使抗蝕膜剝離劑保持使用初期的成分比，從而能夠將由於成分改變引起的剝離性能變化達到最小化。另外，本發明可同時追加使用選自鏈狀胺或者沸點較高(200℃以上)的環狀胺中的至少一種化合物，從而可提高剝離效果。
所述胺化合物為強鹼性物質，其強有力地滲透到在幹法蝕刻或者溼法蝕刻(dry etching or wet etching)、灰化或者離子注入工藝(ashing or ion implant processing)等各種工序條件下變質而交聯的抗蝕膜(resist)的高分子母體中，並破壞分子內或者分子間的引力。所述胺化合物的作用是，其在殘留於基板上的抗蝕膜中結構脆弱的部分裡形成空間，以便將抗蝕膜改變為非結晶高分子凝膠(gel)塊，從而能夠易於剝離附著在基板上的抗蝕膜。
所述二胺化合物可以是選自由下述化學式1表示的化合物中的至少一種化合物。
上述化學式中，R及R′分別表示氫或者C1至C10的烷基(alkyl group)；R″表示氫、C1至C10的烷醇基(alkanol group)或者C1至C10的烷基(alkyl group)。
所述二胺化合物的較優選實施例，所述二胺化合物可使用選自2-[(2-氨乙基)氨基]乙醇(2-[(2-aminoethyl)amino]ethanol)、2-[(2-氨甲基)氨基]甲醇(2-[(2-aminomethyl)amino]methanol)、1-[(2-氨乙基)氨基]-2-丙醇(1-[(2-aminoethyl)amino]-2-propanol)、2-{[2-(甲氨基)乙基]氨基}乙醇(2-{[2-(methylamino)ethyl]amino}ethanol)、2-[(2-氨基-2-甲丙基)氨基]乙醇(2-[(2-amino-2-methylpropyl)amino]ethanol)和2-{[2-(二甲氨基)乙基]甲氨基}乙醇(2-{[2-(dimethylamino)ethyl]methylamino}ethanol)中的至少一種化合物，優選使用選自2-[(2-氨乙基)氨基]乙醇(2-[(2-aminoethyl)amino]ethanol)及和1-[(2-氨乙基)氨基]-2-丙醇(1-[(2-aminoethyl)amino]-2-propanol)中的至少一種化合物。
考慮到抗蝕膜剝離性能的下降及對金屬的腐蝕程度加重，所述二胺化合物的含量基於組合物總量優選使用1至20wt％。
另外，本發明中可追加使用的環狀胺，由於其沸點高且因揮發引起的重量及成分的變化較小，因此在工序中使用的時間比鏈狀胺更長。所述環狀胺化合物使用選自1-(2-羥乙基)哌嗪(1-(2-hydroxyethyl)piperazine)、N-(3-氨丙基)嗎啉(N-(3-aminopropyl)morpholine)、1-(2-氨乙基)哌嗪(1-(2-aminoethyl)piperazine)、1-(2-羥乙基)-4-乙基哌嗪(1-(2-hydroxylethyl)-4-ethylpiperazine)、4-氨基-1-甲基哌嗪(4-amino-1-methylpiperazine)、1-甲基哌嗪(1-methylpiperazine)、2-甲基哌嗪(2-methylpiperazine)、1-苄基哌嗪(1-benzylpiperazine)及和2-苯基哌嗪(2-phenylpiperazine)中的至少一種化合物。另外，所述鏈狀胺化合物可使用選自單乙醇胺(monoethanolamine)、一異丙醇胺(monoisopropanolamine)、二乙醇胺(diethanolamine)、三乙醇胺(triethanolamine)、N-甲基乙醇胺(n-methylethanolamine)、N-乙基乙醇胺(n-ethylethanolamine)、二甲基乙醇胺(dimethylethanolamine)、二乙基乙醇胺(diethylethanolamine)、氨基乙氧基乙醇(aminoethoxyethanol)和氨基甲氧基乙醇(aminomethoxyethanol)中的至少一種化合物。當進一步使用所述環狀胺或者鏈狀胺化合物時，基於所述組合物總量100重量份，可使用0.5至20重量份的所述化合物。
所述乙二醇醚化合物可使用選自乙二醇甲醚(ethyleneglycol methylether)、乙二醇乙醚(ethyleneglycol ethylether)、乙二醇丁醚(ethyleneglycol butylether)、二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)、二甘醇乙醚(dietheyleneglycol ethylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)、二甘醇丙醚(diethyleneglycolpropylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycol butylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglylcol ethylether)和三甘醇甲醚(triethylenegylcol methylether)中的至少一種化合物。
然而，乙二醇醚化合物中沸點低的物質可能有毒性，且由於揮發引起的成分變化嚴重，因此難以適用。
因此，本發明為了避免上述問題，優選使用所述乙二醇醚類溶劑中沸點為180℃以上的、幾乎完全與水溶解的化合物。即，在高溫條件下進行抗蝕膜剝離工序時，若使用沸點為180℃以上的乙二醇醚類溶劑，則不易發生揮發現象，從而能夠使抗蝕膜剝離劑保持使用初期的成分比。
另外，若使用沸點為180℃以上的乙二醇醚類溶劑，則在整個抗蝕膜剝離工序周期內，可持續保持抗蝕膜剝離劑的剝離性能，而且由於抗蝕膜和下部金屬膜之間的表面結合力小，因此不僅能夠提高抗蝕膜的剝離效率，而且由於其冰點低、燃點高而在儲藏安全性方面也是有利的。
沸點為180℃以上的乙二醇醚化合物，若使用選自如二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)、二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)、二甘醇乙醚(dietheyleneglycol ethylether)、三甘醇丁醚(triethyleneglycol butylether)、三甘醇乙醚(triethyleneglylcol ethylether)和三甘醇甲醚(triethylenegylcol methylether)中的至少一種化合物可得到最佳效果。
另外，若乙二醇醚化合物的含量過少，則由於相對增加的極性溶劑及胺化合物會使金屬布線嚴重腐蝕，而且被胺化合物及極性溶劑凝膠(gel)化的高分子的溶解能力不足會使剝離抗蝕膜的能力降低；若乙二醇醚化合物的含量過多，則極性溶劑的含量相對減少會使剝離抗蝕膜的能力降低。因此，考慮到上述問題，當本發明為雙組分組合物時，所述乙二醇醚化合物可作為除二胺以外的餘量存在於組合物中；當本發明為三組分組合物時，基於組合物總量，可優選使用10至90wt％的所述乙二醇醚化合物。
特別是，本發明的抗蝕膜剝離劑組合物可進一步使用至少一種極性溶劑，從而將由胺化合物所剝離的高分子凝膠塊溶解為單分子水平。據此，根據本發明的極性溶劑具有防止主要發生於清洗工序中的抗蝕膜再次附著的不良現象的特點。另外，作為分子內官能團並含有胺的N-甲基-2-吡咯烷酮等極性溶劑將幫助胺化合物滲透到抗蝕膜內部並剝離抗蝕膜。
所述極性溶劑可以是選自N-甲基-2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone，NMP)、N-甲基乙醯胺(N-methylacetamide)、N，N-二甲基乙醯胺(N，N-dimethylacetamide)、乙醯胺(acetamide)、N-乙基乙醯胺(N-ethylacetamide)、N，N-二乙基乙醯胺(N，N-diethylacetamide)、甲醯胺(formamide)、N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)、N，N-二甲基甲醯胺(N，N-dimethylformamide)、N-乙基甲醯胺(N-ethylformamide)、N，N-二乙基甲醯胺(N，N-diethylformamide)和N，N-二甲基咪唑(N，N-dimethylimidazole)中的至少一種化合物，優選使用選自N-甲基-2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone，NMP)、N-甲基甲醯胺(N-methylformamide)、N-甲基乙醯胺(N-methylacetamide)和N，N-二甲基乙醯胺(N，N-dimethylacetamide)中的至少一種化合物。
考慮到抗蝕膜的剝離性能、對金屬布線的腐蝕程度及清洗能力，所述極性溶劑可在三組分組合物中作為餘量存在，而優選使用9至70wt％。
另外，本發明的組合物為防止因少量的水引起的腐蝕現象可進一步包含至少一種防蝕劑。
所述防蝕劑中，含有未共有電子對元素如-N-、-S-、-O-等元素的化合物產生防腐蝕效果，特別是包含-OH基、-SH基時，通過與金屬之間的物理、化學性吸附作用，其防腐蝕性能尤為突出。
所述防蝕劑可使用選自巰基苯並咪唑(mercaptobenzimidazole)、巰基甲基苯並咪唑(mercaptomethylbenzimidazole)、巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)、羥基吡啶(hydroxypyridine)，二羥基吡啶(dihydroxy pyridine)、三羥基苯甲酸甲酯(methyl trihydroxybenzoate)、焦兒茶酚(pyrocatechol)，兒茶酚(catechol)、L-抗壞血酸(L-ascorbic acid)和D-異抗壞血酸(D-isoascorbic acid)中的至少一種化合物。優選地，所述防蝕劑選自巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)、三羥基苯甲酸甲酯(methyl trihydroxybenzoate)、焦兒茶酚(pyrocatechol)，L-抗壞血酸(L-ascorbic acid)和D-異抗壞血酸(D-isoascorbic acid)中的至少一種化合物。
若所述防蝕劑的含量過少，則不能控制對金屬布線的腐蝕而使其可能被腐蝕；若所述防蝕劑的含量過多，則影響抗蝕膜的剝離性能而使抗蝕膜的剝離性能降低；且因為緊緊地附著在基板上，所以在後續清洗工序中不能清洗乾淨。因此，考慮到上述問題，基於組合物總量100重量份可含有0.01至10重量份的防蝕劑，使用0.5至10重量份為較佳。
下面，通過實施例和比較例進一步詳細說明本發明。實施例只是用來說明本發明，而並不是用於限定本發明。另外，在下面所述的實施例中，若無其他說明，百分比及混合比就以重量為基準。
為選擇胺及防蝕劑進行了實驗1及實驗2，實驗中使用的試片如下。
實驗例1及實驗例2中使用的試片(試片1、試片2)第一，用於評價對金屬的腐蝕能力的試片，用以下方式製備。即，在玻璃表面以2000左右厚度的鋁(aluminum)、鉬(molybdenum)、銅(copper)形成薄膜(fim formation)後，塗布抗蝕膜並完成顯影(develop)而製成試片1。
第二，用於評價抗蝕膜剝離性能的試片，用以下方式製備。即，在玻璃表面由鉻(Cr)形成薄膜後，塗布抗蝕膜，並進行溼法蝕刻(wet etching)後提供幹刻蝕氣體(dry etching gas)，從而製成n+a-Si:H活化膜(active film)試片2。另外，為形成經幹法蝕刻工藝嚴重改性的抗蝕膜，再次進行幹法蝕刻(etching)工序，從而製成試片3。在鉻(chromium)層中抗蝕膜的附著力變大，且若受到幹刻蝕氣體(dry etching gas)，會引發抗蝕膜的改性而難以用剝離劑進行剝離，因此所述試片適合用於測試抗蝕膜剝離性能。
實驗例1
使用試片2、試片3對單一原材料的抗蝕膜剝離性能進行了評價；而使用試片1對鋁、鉬及銅的腐蝕能力進行了評價，其結果表示在表1中。



註上述表1中，1)腐蝕程度◎(完全沒有腐蝕)；○(略有腐蝕)；△(腐蝕嚴重)；×(完全腐蝕)2)評價抗蝕膜的剝離性能◎(抗蝕膜完全去除)；○(略有抗蝕膜的殘渣)；△(抗蝕膜的殘渣嚴重)；×(完全不能去除抗蝕膜)。
如表1所示，使用如單乙醇胺等鏈狀胺時，其腐蝕程度嚴重，但使用環狀胺時，對抗蝕膜的剝離性能優秀且腐蝕程度不嚴重。另外，環狀胺結構中連接在氮原子上的氫原子全被烷基、苯基、醇基取代時，其防腐蝕能力雖然突出但剝離性能不佳。
如表1所示，對於各原材料而言，其抗蝕膜剝離性能隨抗蝕膜膜的改性程度有所差異。而對於嚴重改性的抗蝕膜，環狀胺的剝離性能略低於鏈狀胺。然而，鏈狀胺及二胺類，其剝離性能不會是隨抗蝕膜膜的改性程度而降得太低，從以上結果可知，二胺對抗蝕膜的剝離性能不比鏈狀胺差，且其對金屬布線的腐蝕小於鏈狀胺。
實驗例2
如表2所示，使用試片1測試單乙醇胺和本發明中使用的各種胺對金屬的腐蝕性。對於在獨立評價中對抗蝕膜剝離性能有問題的胺，則使用兩種胺來進行了實驗。另外，由於在上述獨立評價中對各金屬均存在一些腐蝕現象，因此使用含有45wt％的乙二醇醚、45wt％的極性溶劑二甘醇丁醚及10％的兩種或一種胺的溶液進行了實驗，並將其結果表示在表2中。


註上述表2中，腐蝕程度◎(完全沒有腐蝕)；○(略有腐蝕)；△(腐蝕嚴重)；×(完全腐蝕)如表2所示，與單乙醇胺相比環狀胺對鋁和鉬表現出良好的防腐蝕性。另外，可以得出，環狀胺結構中在氮原子上取代氫原子的其他官能取代基越多，越有利於對銅的防腐蝕性。
另外，當把不具有在氮原子上取代氫原子而被取代的其他官能基的二胺或者單乙醇胺與環狀胺一同混合使用時，其腐蝕效果可得到改善。
實施例1至實施例20、比較例1至比較例2
使用如下表3的組分製備實施例及比較例中的組合物。
下述實驗例3及實驗例4是為評價抗蝕膜剝離溶液組合物對抗蝕膜的剝離性能及對金屬布線的腐蝕性而進行的。且為了評價抗腐蝕性，實驗例3和實驗例4中使用了試片1；而為了評價抗蝕膜剝離性能，使用了試片3。
利用上述試片，對於由下表3所示的條件所製備的抗蝕膜剝離溶劑進行了實驗。


註上述表3中，HEP1-(2-羥乙基)哌嗪(1-(2-hydroxyethyl)piperazine)
APMN-(3-氨丙基)嗎啉(N-(3-aminopropyl)morpholine)AEAE2-[(2-氨乙基)氨基]乙醇(2-[(2-aminoethyl)amino]ethanol)AEAP1-[(2-氨乙基)氨基]-2-丙醇(1-[(2-aminoethyl)amino]-2-propanol)MAEAE2-[2-(甲氨基)乙基]氨基乙醇(2-[2-(methylamino)ethyl]aminoethanol)MEA單乙醇胺(monoethanolamine)DEA二乙醇胺(diethanolamine)MMI巰基甲基咪唑(mercaptomethylimidazole)MTHB三羥基苯甲酸甲酯(methyltrihydroxybenzoate)Pyro焦兒茶酚(pyrocatechol)L-AAL-抗壞血酸(L-ascorbic acid)NMPN-甲基-2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone)DMAc二甲基乙醯胺(dimethylacetamide)MMAc單甲基乙醯胺(monomethylacetamide)MMFN-甲基甲醯胺(N-methylformamide)DEGME二甘醇甲醚(diethyleneglycol methylether)DEGBE二甘醇丁醚(diethyleneglycol butylether)實驗例3
利用所述實施例1至實施例20及比較例1和比較例2，對所述試片3膜的剝離性能做了評價。特別是為了觀察抗蝕膜的剝離性能隨著揮發而發生的變化，在強制排氣狀態下，將各剝離溶液在70℃的溫度下維持48小時，以評價對試片3的剝離性能。將剝離溶液加熱至70℃溫度後，將所述試片3浸漬其中，並用肉眼進行觀察，其結果表示在表4中。



註上述表4中，剝離性能◎(抗蝕膜完全剝離)；○(略有抗蝕膜殘渣)；△(抗蝕膜殘渣嚴重)；×(完全不能剝離抗蝕膜)由比較例可知，單獨使用沸點低的胺時，當將其在70℃的溫度下維持48小時時，其剝離性能顯著降低。而且，各防蝕劑對剝離性能影響不大，所有實施例中環狀胺的沸點均為200℃以上，因而經揮發48小時後，其成分沒有多大變化而未改變剝離性能，並可知主要影響剝離性能的成分為胺。另外，實施例與比較例2相比其剝離性能更為突出，而且隨著添加的極性溶劑不同而剝離性能也不同。另外，一起添加二胺和鏈狀胺的實施例9、實施例10及一起添加二胺和環狀胺的實施例11至實施例16的溶液，也可觀察到剝離性能提高的效果。由此可以得出，特別是二胺，由於其沸點高於200℃，所以經過48小時之後仍然對剝離性能的影響不大。因此，將二胺與對嚴重改性的抗蝕膜膜的剝離性能較弱的環狀胺一起添加時，可觀察到剝離性能的增強效果。
實驗例4
使用試片1，對所述實施例1至實施例20及比較例1至比較例2的各金屬膜的腐蝕性做了評價。另外，為了更加清楚地觀察到各例之間的差異，添加了3％的水來進行評價，並將其結果表示在表5中。



註上述表5中，腐蝕程度◎(完全沒有腐蝕)；○(略有腐蝕)；△(腐蝕嚴重)；×(完全腐蝕)由表5可知，本發明的實施例中各金屬膜的腐蝕程度，由於使用了二胺化合物，得到了其防腐效果比比較例更優秀的結果，而且，與單獨使用二胺類溶液相比，使用環狀胺或鏈狀胺中混合二胺的溶液具有更良好的防腐蝕性能。
另外，為輔助抗蝕膜剝離性能而添加二胺等時，也不影響剝離性能，均得到了良好的結果。即，僅以一種防蝕劑也能充分達到對所有金屬膜的防腐蝕效果。因此，添加兩種胺時，能夠各取所長而提高防腐蝕效果。
另外，以羥基苯酚類(hydroxyl phenol series)的抗氧化劑等作為防蝕劑，對鋁(aluminum)或鉬(molybdenum)具有突出的防腐蝕效果，其原因推定為，該化合物以物理或化學方式選擇性地吸附在鋁或鉬的表面而阻礙電子的流動。同樣，巰基類(mercapto series)防蝕劑，不僅化學吸附在銅的表面，還降低氧化還原電勢，由此克服與下部膜之間的電勢差而克服電偶(galvanic)腐蝕現象。
權利要求
1.一種抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，包含a)1至20wt％的選自由以下化學式1表示的化合物中的至少一種二胺化合物；和b)餘量的乙二醇醚化合物，[化學式1] 上述化學式中，R及R′分別表示氫或者C1至C10的獨立的烷基；R″表示氫、C1至C10的烷醇基或者C1至C10的烷基。
2.根據權利要求1所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，進一步包含至少一種極性溶劑。
3.根據權利要求2所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，當進一步包含至少一種極性溶劑時其組分如下a)1至20wt％的二胺化合物；b)10至90wt％的乙二醇醚化合物；和c)餘量的至少一種極性溶劑。
4.根據權利要求1所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述二胺化合物是選自2-[(2-氨乙基)氨基]乙醇、2-[(2-氨甲基)氨基]甲醇、1-[(2-氨乙基)氨基]-2-丙醇、2-{[2-(甲氨基)乙基]氨基}乙醇、2-[(2-氨基-2-甲丙基)氨基]乙醇和2-{[2-(二甲氨基)乙基]甲氨基}乙醇中的至少一種化合物。
5.根據權利要求1所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述乙二醇醚化合物是選自乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丁醚、二甘醇丙醚、三甘醇丁醚、三甘醇乙醚和三甘醇甲醚中的至少一種化合物。
6.根據權利要求2所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述極性溶劑是選自N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙醯胺、N，N-二甲基乙醯胺、乙醯胺、N-乙基乙醯胺、N，N-二乙基乙醯胺、甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、N-乙基甲醯胺、N，N-二乙基甲醯胺和N，N-二甲基咪唑中的至少一種化合物。
7.根據權利要求2所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述極性溶劑是選自N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基甲醯胺、N-甲基乙醯胺和N，N-二甲基乙醯胺中的至少一種化合物。
8.根據權利要求1或2所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，基於所述組合物總量100重量份，進一步包含0.01至10重量份的防蝕劑。
9.根據權利要求8所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述防蝕劑是選自巰基苯並咪唑、巰基甲基苯並咪唑、巰基甲基咪唑、羥基吡啶、二羥基吡啶、三羥基苯甲酸甲酯、焦兒茶酚、兒茶酚、L-抗壞血酸和D-異抗壞血酸中的至少一種化合物。
10.根據權利要求8所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，所述防蝕劑是選自巰基甲基咪唑、三羥基苯甲酸甲酯、焦兒茶酚、L-抗壞血酸和D-異抗壞血酸中的至少一種化合物。
11.根據權利要求1至10中任何一項所述的抗蝕膜剝離劑組合物，其特徵在於，基於組合物總量100重量份，進一步包含0.5至20重量份的選自1-(2-羥乙基)哌嗪、N-(3-氨丙基)嗎啉、1-(2-氨乙基)哌嗪、1-(2-羥乙基)-4-乙基哌嗪、4-氨基-1-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、2-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪和2-苯基哌嗪中的至少一種環狀胺化合物，或者選自單乙醇胺、一異丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二甲基乙醇胺、二乙基乙醇胺、氨基乙氧基乙醇和氨基甲氧基乙醇中的至少一種鏈狀胺化合物。
全文摘要
本發明涉及一種用於去除在電子電路或顯示元件的布圖(pattern)過程中所使用的抗蝕膜、且能夠抑制對金屬布線腐蝕的抗蝕膜(resist)剝離劑組合物，所述抗蝕膜剝離劑組合物優選包含a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)餘量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本發明可進一步包含極性溶劑。本發明抗蝕膜剝離劑組合物，在進行去除光致抗蝕膜的工序過程中，將不會腐蝕金屬布線，且具有優秀的剝離效果。
文檔編號G03F7/42GK101093365SQ200710123038
公開日2007年12月26日 申請日期2007年6月22日 優先權日2006年6月22日
發明者金聖培, 尹錫壹, 鄭宗鉉, 許舜範, 樸熙珍, 辛成健, 鄭世桓, 許鉉, 金柄鬱 申請人:株式會社東進世美肯