半導體器件的安裝結構體及使用安裝結構體的電子設備的製作方法

2023-08-03 21:35:11

專利名稱：半導體器件的安裝結構體及使用安裝結構體的電子設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體器件的安裝結構體，尤其涉及將多個半導 體器件安裝結構體層疊而安裝的三維安裝型的安裝結構體。並且涉及 使用這些安裝結構體的電子設備。
背景技術：
隨著電子設備的高功能化，帶來部件的增加，設備的小型化及薄 型化的發展，隨之半導體器件也要求小型化、薄型化。其中，作為適 用於具有小型化要求的行動裝置上的半導體器件，例如可以列舉如專
利文獻1中記載的被稱為BGA (Ball Grid Array,球柵陣列)或CSP (Chip Size Package,晶片尺寸封裝)的封裝的底面作為連接端子將焊 錫球配置成格子狀的如圖7所示的封裝，因其佔據區域窄，能夠配置 更多端子，因此被廣泛使用。在圖7中，IIO是半導體裝置，112是基 板，114是半導體晶片，116是凸點，118是結構物，120是粘接劑， 122是底層樹脂，124是凸球，126是凹陷部，128是間隙。
近幾年，進一步開發了在一個半導體器件中內置多個半導體晶片 的晶片堆棧型的半導體器件，其特別在行動裝置中，成為必須的封裝。
另外，在半導體器件上內置多個晶片時，在半導體晶片不是進行 過充分檢查的合格的半導體晶片的情況下，或在組合了不能確保高成 品率的半導體晶片的情況下，封裝後的成品率急劇惡化，因此高成本
成為問題。
並且，在組合的半導體晶片由其他公司供貨的情況下，由於半導 體晶片的狀態很難得到與半導體器件同等的質量保證，所以無法期望高成品率，並且有必要實施用於品質保證的單獨檢查，從而有必要進 行檢查設備的引進、檢查程序的開發等，因此成為成本增加的主要原 因。
因此，如圖8所示，本申請人提出了一種封裝堆棧型半導體器件， 其將半導體晶片分別進行封裝化，將這些封裝分別檢查後層疊(專利 文獻2)。在圖8中，101是半導體晶片，102是熱塑性樹脂，103是 絕緣性樹脂，104是導體，105是電極墊，106是平板，108是焊錫凸 點，109是主板，IIO是布線圖案，lll是軟質內插基板。
專利文獻l:日本專利第3395164號公報 專利文獻2:日本特開2004-146751號公報
但是，即使在這種情況下，也不能解決半導體晶片由其他公司供 貨時無法得到與半導體器件同等的質量保證的問題，因此半導體晶片 的可用性、低成本化的問題依然存在。
因此，不將引起高成本的半導體晶片構成為能夠以封裝的狀態層 疊的封裝，而將普通的半導體器件、質量有保障的市場上出售的半導 體封裝作為"能夠層疊封裝的封裝(安裝結構體)"而重構 (Reconstruction)。但是根據本發明人們的觀點，在外部端子採用焊 錫凸點的半導體器件中，存在很難確保焊錫凸點所需的平坦度的問題。
此外，作為用於解決該問題的一個方法，申請人在2007年9月19 日申請的日本特願2007-242396中，提出了一種撓性電路基板在最外部 焊錫球的外側區域彎曲的半導體器件。

發明內容
在本發明的第1方面， 一種安裝結構體，將在下表面具有焊錫凸 點作為外部端子的一個或多個半導體器件用形成有布線的具有撓性的布線基板包覆，並且在半導體器件的外部端子形成面一側及外部端子 形成面一側的表背相反面一側這兩側具有外部電極，安裝結構體的特 徵在於，在撓性布線基板上形成有至少一層布線層，在半導體器件的 外部端子形成面和撓性布線基板之間將支撐體粘接固定而配置。
優選的是，所述半導體器件的外部端子形成面的表背相反面的至 少一部分，與撓性布線基板粘接固定。
並且，優選的是，所述半導體器件的側面的至少一部分與撓性布 線基板粘接固定。
並且，優選的是，支撐體的外形尺寸是與半導體器件的外形尺寸 相同的尺寸，或是在半導體器件的外形尺寸以下的尺寸，並且在支撐 體上至少在外部端子的位置設有貫通孔，以使支撐體與半導體器件的 外部端子不接觸。
並且，可以在半導體器件中外部端子形成面的周邊外端部的全部 區域或局部配置支撐體。即，也可以將支撐體分割配置，以能將焊錫 凸點的高度限制在一定範圍內。在這裡外部端子形成面的周邊外端部 是指外部端子形成面中比外部端子中最外側的端子更靠外側的範圍。
並且，優選的是，在撓性布線基板上沒有配置用於與半導體器件 粘接的粘接層時，支撐體的厚度，與在沒有支撐體的情況下通過回流 法將半導體器件與撓性布線基板熔融接合的狀態下的、焊錫凸點的高 度相同，或稍大於該高度，在撓性布線基板上配置有用於與半導體器 件粘接的粘接層時，支撐體的厚度與從焊錫凸點的高度減去該粘接層 的厚度後的長度相同，或稍大於該長度。由此，撓性布線基板不會給 焊錫凸點不必要的壓力，在將焊錫凸點回流連接的情況下能使焊錫凸 點的高度在一定範圍內一致。並且，優選的是，支撐體上，在支撐體的外周端的至少一部分設 有豎起部，豎起部在半導體器件的側面和撓性布線基板之間從支撐體 的外周端朝向直角方向豎起。支撐體的外周端是指支撐體的最靠外側 的部分。
並且，優選的是，半導體器件的側面的至少一部分和半導體器件 的下表面的至少一部分這兩部分與支撐體接觸而固定。
並且，優選的是，半導體器件的側面的至少一部分和半導體器件 的下表面的至少一部分這兩部分與支撐體夾著粘接材料粘接固定。
並且，優選的是，支撐體的豎起部的至少一部分與撓性布線基板 粘接固定。
並且，優選的是，支撐體具有與撓性布線基板的熱膨脹係數相同 或者在撓性布線基板的熱膨脹係數以下的熱膨脹係數。
並且，優選的是，支撐體用粘接劑與撓性布線基板及半導體器件 中的至少一方粘接固定。
該粘接劑可以為導電性粘接劑。
並且，優選的是，支撐體由具有導電性的材料構成，並且撓性布 線基板的接地圖案和支撐體通過導電性凸點電連接。
並且，優選的是，與彎曲撓性布線基板的位置相應的、支撐體的
最外周角部，被去掉角而成為c倒角或圓弧形的形狀。
並且，優選的是，在撓性布線基板上形成有至少1層粘接層，半 導體器件和撓性布線基板的至少一部分通過粘接層粘接固定。粘接層可以是熱塑性樹脂。
粘接層可以是熱固化前的熱固性樹脂。
本發明第2方面的層疊型半導體器件，其特徵在於，包括上述安 裝結構體。
優選的是，上述層疊型半導體器件，還安裝有無源部件。 本發明第3方面的電子設備，其特徵在於，包括上述層疊型半導
體器件。
根據本發明，能夠提供一種具有良好平坦度的高成品率的安裝結 構體，並且能夠提供一種低成本的封裝堆棧型的安裝結構體，進而能 夠提供一種通過適用本安裝結構體而實現高功能化及小型化的低成本 電子設備。


圖1是本發明實施例1中的安裝結構體的概略剖視圖及製造方法。
圖2是撓性布線基板與半導體器件的側面不粘接時的安裝結構體
的概略剖視圖。
圖3是本發明實施例2中的安裝結構體的概略剖視圖。
圖4是本發明實施例3中的安裝結構體的概略剖視圖。
圖5是本發明實施例4中的安裝結構體的概略(局部)剖視圖。
圖6是本發明實施例5中的安裝結構體的概略剖視圖。
圖7是現有的半導體器件的第1例的概略剖視圖。
圖8是現有的半導體器件的第2例的概略剖視圖及製造方法。
圖9是沒有使用本發明所涉及的結構而重構的半導體器件的概略
剖視圖及製造方法。
具體實施例方式
在說明本發明所涉及的安裝結構體之前，對發明者所經歷的問題 進行說明。在將普通的半導體器件、質量有保障的市面上銷售的半導 體器件，作為"能夠層疊封裝的封裝(安裝結構體)"重構的情況下， 會發生如圖9所示的狀況。
圖9 (a)是在適合高密度安裝的外部端子上釆用焊錫凸點的普通 CSP封裝(半導體器件)的剖視圖。半導體晶片1安裝在布線基板3 上，半導體晶片1的屯極與布線基板3的布線圖案通過引線接合法， 用接合線2進行電連接。進而，以將這些用模具樹脂4覆蓋而封合。 在布線基板3的安裝有半導體晶片1的面相反側的面上，作為用於與 安裝半導體器件的布線基板連接的外部端子，形成有焊錫凸點5。
圖9 (b)、圖9 (c)、圖9 (d)表示能夠層疊封裝的半導體器件 (安裝結構體)的結構剖面及其製造流程，所述半導體器件，為了能 夠將在外部端子上具有焊錫凸點5的普通的半導體器件(半導體器件) 以三維方式層疊，通過具有將半導體器件下表面的電極與上表面的電 極電連接的布線圖案的撓性布線基板7，包覆半導體器件而重構。
圖9 (b)是在具有布線圖案的撓性布線基板7上將半導體器件通 過回流法等普通的安裝方法安裝之後的剖視圖。在撓性布線基板7的 半導體器件安裝面上，以將半導體器件與布線基板粘接固定為目的， 形成熱塑性樹脂6。
圖9 (c)是將半導體器件用撓性布線基板7包覆並粘接固定而重 構的半導體器件的剖視圖。在室溫下，焊錫為固體，因此焊錫凸點5 的高度保持著半導體器件安裝在撓性布線基板7上時的狀態。另一方 面，在撓性布線基板7上，由於包覆半導體器件而與焊錫凸點5連接 的部位，會殘留左右方向的拉伸應力。圖9 (d)是通過回流法將用於連接其他布線基板的焊錫凸點8安 裝後的重構的半導體器件的剖視圖。在形成焊錫凸點8時，由於在半 導體器件整體上施加了熔點以上的溫度，因此焊錫凸點5也會熔融， 殘留在撓性布線基板7上的拉伸應力會被釋放。因此，撓性布線基板7 成為彎曲的狀態，即使焊錫凸點5處於固化的狀態，也會保持彎曲的 狀態。因此，所有的焊錫凸點8難以接觸同一平面(絕對平面)。
其中，例如在形成焊錫凸點8時，即使通過局部加熱而在焊錫凸 點5沒有熔融的狀態下形成的情況下，在將本半導體器件安裝在其他 安裝基板上時，由於施加由回流產生的熱負荷，結果焊錫凸點5也會 熔融，導致撓性布線基板7產生彎曲。
艮P，將該半導體器件安裝在其他布線基板上時的最大問題在於， 由撓性布線基板7的彎曲所產生的焊錫凸點8的平坦度。在一般情況 下，公知的是，在焊錫凸點的平坦度超過0.08mm時，會發生焊接不良， 而半導體器件的焊錫凸點的平坦度的標準在0.08mm以下。因此，如該 半導體器件，若撓性布線基板7為彎曲的結構，則難以保證0.08mm以 下的平坦度。
以下參照附圖，對解決該問題的本發明的實施例進行詳細說明。 (實施例1)
圖1表示本發明涉及的安裝結構體的基本的一個實施例及其製造 方法的概略剖視圖。圖1 (a)是適合高密度安裝的外部端子採用了焊 錫凸點5的普通CSP封裝(半導體器件)50的剖視圖。半導體晶片1 安裝在布線基板3上，半導體晶片1的電極與布線基板3的布線圖案， 通過引線接合法，用接合線2電連接。並且，用模具樹脂4進行封合， 以覆蓋上述各部分。在布線基板3上安裝有半導體晶片1的面的相反 側的面上，作為用於與安裝半導體器件50的布線基板連接的外部端子，形成有焊錫凸點5。
在這裡，作為一個例子，記載了通過引線接合法構成的半導體器
件50，但不限於此，只要是在半導體器件的下表面形成有焊錫凸點的
封裝，則同樣可以適用於通過倒裝晶片法構成的封裝等。
圖1 (b)至圖1 (e)表示能夠層疊封裝的安裝結構體60的一例 的概略結構剖視圖及其製造流程，所述安裝結構體60，為了能夠將在 外部端子上具有焊錫凸點5的普通的封裝型半導體器件50以三維方式 層疊，通過具有將半導體器件50下表面的電極與上表面的電極電連接 的布線圖案的撓性布線基板7，包覆半導體器件50而重構。
圖1 (b)是在單面上形成有熱塑性樹脂6作為粘接層且具有布線 圖案的撓性布線基板7上、將兩個支撐體90分別粘結固定在與半導體 器件50下表面(外部端子形成面)的周邊外端部相應的位置上的剖視 圖。周邊外端部是指比最外側的外部端子更靠外側的區域。在這裡， 通過加熱使熱塑性樹脂6顯現粘接性，從而將支撐體90夾著熱塑性樹 脂6固定在撓性布線基板7上。
圖1 (c)是在圖1 (b)的撓性布線基板7上安裝有半導體器件50 的狀態剖視圖。在半導體器件50和撓性布線基板7之間的一部分上構 成的支撐體90的厚度，需要與焊錫凸點5的高度相等程度或在其以下， 以使焊錫熔融而與撓性布線基板7連接。
並且，優選的是，支撐體90的厚度(高度)為與如下高度相當的 厚度在沒有支撐體卯的情況下通過回流工序使焊錫熔融而與撓性布 線基板7連接時的、從半導體器件50的焊錫凸點5的設置面到熱塑性 樹脂6的表面為止的高度。
並且，支撐體90的外形尺寸(縱、橫)為與半導體器件50的外形尺寸(縱、橫)相同或在其以下的尺寸，其是如下的結構至少將 存在外部端子的範圍切除，以防止其與半導體器件50的外部端子接觸。 還考慮在半導體器件50的外部端子形成面的周邊外端部中，僅設置在 角部或邊緣部的一部分上。即，也可以將支撐體分割而配置，以能將 焊錫凸點的高度限制在恆定的範圍內。
通過回流工序使焊錫凸點5熔融，焊錫在撓性布線基板7的電極 上塗敷擴散，從而焊錫凸點5的高度變得低於熔融前的高度，但通過 如上所述將支撐體卯的厚度(高度)設計成熱塑性樹脂6和支撐體90 接觸的程度的高度，不會發生焊錫的消沉引起的高度偏差。因此，還 能期待抑制在半導體器件50上表面的撓性布線基板7上形成的電極的 位置偏差的效果。
在這裡，作為支撐體90的材質，與無機/有機無關地可適用各種 材料。其中，在支撐體卯為如沿著半導體器件50的外周配置的環狀 結構的情況下，由於因安裝後的環境溫度而重複膨脹、收縮，因此從 焊錫凸點連接部的可靠性的觀點出發，優選支撐體90具有與半導體器 件50、安裝有通過本發明重構的半導體器件(安裝結構體)的其他布 線基板、或撓性布線基板7接近的熱膨脹係數。
由於它們都在10ppm廠C 30卯m廠C的範圍內，因此例如支撐體90 為有機材料時可適用玻璃環氧，其為無機材料時可適用鋁、銅、不鏽鋼等。
在本實施例1中，表示了在撓性布線基板7上安裝有一個半導體 器件50的例子，但不限於此，可在撓性布線基板上一起安裝多個半導 體器件50或其他電子器件。
圖1 (d)為從圖1 (c)的狀態用撓性布線基板7包覆半導體器件 50而粘接固定的狀態的剖視圖。其同樣通過加熱使熱塑性樹脂6顯現粘接性，使半導體器件50與撓性布線基板7夾著熱塑性樹脂6而固定。
在這裡，優選半導體器件50的側面與撓性布線基板7粘接固定。 在半導體器件50的側面與撓性布線基板7沒有粘接固定的情況下，回 流熱負荷時的安裝結構體60的剖視圖如圖2所示。半導體器件50的 布線基板通常釆用玻璃環氧，其熱膨脹係數在從常溫時到回流溫度區 域的範圍內為10 15ppm廠C。另一方面，撓性布線基板7的熱膨脹系 數在20ppm廠C左右，因此在回流熱負荷時，如圖2所示地成為因撓性 布線基板7的膨脹而鬆弛的狀態。並且在加上位於器件側面部位的撓 性布線基板7的膨脹，鬆弛進一步增加，焊錫凸點5的平坦度惡化。
在本結構中，半導體器件50的側面和撓性布線基板7粘接固定， 至少能夠使位於半導體器件50側面部位的撓性布線基板7的膨脹引起 的影響限制為最小限度。並且為了抑制半導體器件50下表面的撓性布 線基板7的膨脹引起的鬆弛，支撐體卯優選適用具有與撓性布線基板 7的熱膨脹係數相同或更大的熱膨脹係數的材料。由此，由於即使在熱 負荷時也因支撐體90而在撓性布線基板7上產生張力，因此能抑制平 坦度惡化。即使在半導體器件50的側面形狀為凹凸的情況等、難以在 側面整個區域進行粘接固定的情況下，也優選至少半導體器件50側面 的一部分和撓性布線基板7粘接固定。
並且在本實施例1中，表示了支撐體90粘接固定在撓性布線基板 7上的例子，但支撐體90也可以粘接固定在半導體器件50—側，進而 也可以粘接固定在半導體器件50和撓性布線基板7這兩側。
圖1 (e)是通過回流焊形成用於連接到其他布線基板上的焊錫凸 點8後的剖視圖。如上所述，通過形成半導體器件50的側面和撓性布 線基板7粘接固定，並且在半導體器件50下表面和撓性布線基板7之 間粘接固定而配置支撐體卯的結構，在回流熱負荷時以及在回流後的 常溫時這兩種狀態下，均能夠實現與具有良好平坦度的封裝層疊相對應的安裝結構體60。
並且，也可以在半導體器件50的下表面與撓性布線基板7之間填 充底層樹脂(未圖示)。由此，對於伴隨動作時的發熱及環境變化而 產生的溫度周期性負荷、跌落撞擊等負荷，能夠提高連接部的可靠性。
接著，用圖3及圖4對將本發明的安裝結構體封裝層疊的實施例 進行說明。
(實施例2)
圖3是封裝層疊型半導體器件(安裝結構體)的概略剖視圖，該 封裝層疊型半導體器件在下層配置本發明所涉及的重構的半導體器件 (安裝結構體60)，在上層層疊沒有重構的半導體器件50後，進行了 回流焊連接。在圖3中，半導體器件50為同一種製品，但作為上層的 半導體器件50，也可以配置不同的製品，或者配置晶片級CSP等不同 結構的半導體器件、傳感器、無源部件(電容器、電阻、逆變器等) 等而構成。
(實施例3)
圖4是在圖3的結構中進一步增加層疊封裝數量的例子。在這裡， 作為一例，表示為能夠實現封裝層疊而在下層配置3層本發明所涉及 的重構的半導體器件(安裝結構體60)，且在最上層層疊普通的半導 體器件50的結構。並且，關於層疊3層的重構的半導體器件(安裝結 構體)，與層數無關，並且不限於同一半導體器件製品。
此外，層疊的全部半導體器件，也可以用本發明的重構的半導體 器件(安裝結構體60)構成。
本結構的其他效果在於，通過在支撐體90上適用導熱率高的材料， 能夠使半導體器件50散熱。作為這種支撐體90的材料，可以適當地利用以銅、鋁、不鏽鋼為代表的金屬材料及碳石墨等。並且，在該情 況下，對於粘接支撐體卯的粘接材料(未圖示)也優選導熱率高的材 料，例如可以適當利用含有金屬填料的導電性粘接材料等。粘接材料 可以不是固化而粘接的材料，例如也可以為膠狀的散熱化合物及潤滑脂等。
並且，通過在與撓性布線基板7彎曲的部分相應的支撐體90的角 部實施C倒角或圓弧狀倒角加工，可以減小撓性布線基板7上的布線 的曲率，從而不僅可以抑制由機械性彎曲引起的布線斷線，還可以降 低通過布線的高速信號的反射引起的電噪音，因此可以更為適當地利 用。
(實施例4)
參照圖5對本發明所涉及的安裝結構體的其他實施例進行詳細說 明。圖5中的局部放大圖(圓內)是表示在圖1 (e)所示結構的安裝 結構體的一部分上通過導電性凸點14將支撐體90與構成於撓性布線 基板7上的接地圖案11電連接的例子的概略剖視圖。局部放大圖還表 示配置於撓性布線基板7上的布線圖案12、包覆撓性布線基板7的絕 緣層13及覆蓋樹脂15、和配置於覆蓋樹脂15的布線圖案12。其中， 支撐體90的材料可以適用具有導電性的材料，例如可以由鋁、銅、不 鏽鋼等構成。
由此，在配置於安裝結構體上層的半導體製品和下層的半導體器 件或安裝這些安裝結構體的其他布線基板之間進行高速信號處理時， 能夠將配置於撓性布線基板7上的用於傳遞信號的布線圖案12形成為 微帶傳輸線結構。
在撓性布線基板7隻具有單層布線層的情況下，不能作為微帶傳 輸線結構，但通過包括支撐體90，支撐體90的材料具有導電性，並且 將支撐體9與配置於撓性布線基板7的接地圖案11進行電連接，即使在只具有單層布線層的撓性布線基板7中，也能構成微帶傳輸線。
由此，在非常高速的半導體製品中，同樣能夠實現具有優異的電 特性的封裝層疊型的安裝結構體。
另外，在圖5的局部放大圖中，支撐體90的角部沒有成為倒角， 但可以實施C倒角或圓弧形倒角加工。
(實施例5)
參照圖6對本發明的安裝結構體的其他實施例進行詳細說明。
在圖l所示的實施例1中，其結構為僅在半導體器件50的下表面 配置了支撐體卯，在這種情況下，通過用撓性布線基板7包覆半導體 器件50而粘接固定，在半導體器件50的上表面配置電極時，為了高 精度地對電極的位置進行定位，需要使支撐體90的安裝位置高精度地 對齊而配置。因此在實施例5中，形成從支撐體卯的外周端向半導體 器件50的側面方向豎起的豎起部91，成為使其與半導體器件50的側 面和下表面這兩部分緊密貼合的形狀。由此，能夠與半導體器件50抵 接而定位，能使半導體器件50上表面的電極位置的精度更準確。
圖6 (a)是在適合高密度安裝的外部端子上採用焊錫凸點5的普 通CSP封裝(半導體器件50)的剖視圖。
圖6 (b)至圖6 (e)表示能夠層疊封裝的安裝結構體的概略結構 剖面及其製造流程，所述安裝結構體，為了能夠將在外部端子上具有 焊錫凸點5的普通的半導體器件50以三維方式層疊，通過具有將半導 體器件50下表面的電極與上表面的電極電連接的布線圖案的撓性布線 基板7,包覆半導體器件而重構。
圖6 (b)是將具有豎起部91的支撐體90通過粘接材料10粘接固定在半導體器件50的側面和底面的一部分上的狀態的剖視圖。此時， 支撐體90通過與半導體器件50的下表面及側面抵接的方法緊密貼合 而進行配置。另外，在附圖中在半導體器件的下表面、側面這兩部分 通過粘接材料IO進行粘接，但也可以僅與下表面或側面的任一方粘接。 在這裡，粘接材料IO可適用薄膜狀的材料或液體狀的材料等各種材料。
支撐體卯可以在半導體器件50底面(外部端子形成面)的整個 周邊外端部設置，也可以設置在角部或邊緣部等的局部上。
圖6 (c)表示將圖6 (b)的半導體器件50通過回流法安裝在撓 性布線基板7上的狀態。焊錫凸點5，通過與撓性布線基板7的電極熔 融接合而消沉，支撐體90的底面與配置在撓性布線基板7上的熱塑性 樹脂6的表面接觸。半導體器件50下表面的支撐體90的厚度為與沒 有支撐體90時通過回流方式與撓性布線基板7熔融接合時的、焊錫凸 點的高度相同的高度(沒有粘接層的情況)，或與從該焊錫凸點的高 度減去粘接層(熱塑性樹脂6)的厚度後的高度相同的高度(有粘接層 的情況)，優選為支撐體卯的底面與撓性布線基板7或熱塑性樹脂6 的表面接觸的厚度，為了使其更可靠地接觸，優選稍微更厚一些。
圖6 (d)是從圖6 (c)的狀態用撓性布線基板7包覆具有豎起部 91的支撐體90整體而粘接固定的狀態的剖視圖。通過抵接法對半導體 器件50的下表面、側面這兩部分進行定位，能使半導體器件50和支 撐體90緊密貼合而配置，並且使因配置支撐體90而引起的尺寸增加 最小化。通過該緊密貼合而配置的結構，能高精度地構成安裝有支撐 體90的安裝結構體60的外形。因此，能固定由撓性布線基板7包覆 的長度，可獲得能夠抑制在安裝結構體上方的撓性布線基板7上形成 的電極的位置偏差的效果。
在這種情況下，同樣為了減少由於回流工序中的熱而引起的撓性 布線基板7鬆弛，優選使豎起部91側面的一部分或整個表面與撓性布線基板7粘接固定。
在這裡，作為支撐體90的材質，與無機/有機無關地可適用各種
材料。其中，在支撐體卯為如沿著半導體器件50的外周配置的環狀
結構的情況下，由於因安裝後的環境溫度而重複膨脹、收縮，因此從
焊錫凸點5的連接可靠性的觀點出發，優選支撐體90具有與半導體器 件50、安裝有通過本發明重構的半導體封裝(安裝結構體)的其他布 線基板、或撓性布線基板7接近的熱膨脹係數。
由於它們都在10ppm廠C 30ppm/"C的範圍內，因此例如支撐體90 為有機材料時可適用玻璃環氧，其為無機材料時可適用鋁、銅、不鏽 鋼等，更有選的是，選擇支撐體卯的熱膨脹係數比撓性布線基板7小 的材料。其原因在於，從回流溫度冷卻時，由於與支撐體卯相比，撓 性布線基板7的收縮量更大，成為在撓性布線基板7上施加有張力的 狀態，因此能使撓性布線基板7更加平坦化。
以上，對本發明的實施例作了各種說明，但本發明不限於上述實 施例，在不脫離本發明主旨的範圍內，當然還能進行更多的改變。
權利要求
1. 一種安裝結構體，將在下表面具有焊錫凸點作為外部端子的一個或多個半導體器件用形成有布線的具有撓性的布線基板包覆，並且在該半導體器件的該外部端子形成面一側及外部端子形成面一側的表背相反面一側這兩側具有外部電極，所述安裝結構體的特徵在於，在該撓性布線基板上形成有至少一層布線層，在該半導體器件的該外部端子形成面和該撓性布線基板之間，將支撐體粘接固定而配置。
2. 如權利要求l所述的安裝結構體，其特徵在於，所述半導體器件的外部端子形成面的表背相反面的至少一部分， 與所述撓性布線基板粘接固定。
3. 如權利要求1所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述半導體器件的側面的至少一部分與所述撓性布線基板粘接固定。
4. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述支撐體的外形尺寸是與所述半導體器件的外形尺寸相同的尺寸，或是小於所述半導體器件的外形尺寸的尺寸，並且在該支撐體上 至少在該外部端子的位置設有貫通孔，以使該支撐體與該半導體器件 的外部端子不接觸。
5. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 在所述半導體器件中所述外部端子形成面的周邊外端部的全部區域或局部，配置有所述支撐體。
6. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 在所述撓性布線基板上沒有配置用於與所述半導體器件粘接的粘接層時，所述支撐體的厚度，與在沒有該支撐體的情況下通過回流法 將所述半導體器件與所述撓性布線基板熔融接合的狀態下的、所述焊 錫凸點的高度相同，或稍大於該高度，在該撓性布線基板上配置有用於與該半導體器件粘接的粘接層 時，所述支撐體的厚度與從所述焊錫凸點的高度減去該粘接層的厚度 後的高度相同，或稍大於該長度。
7. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述支撐體中，在該支撐體的外周端的至少一部分設有豎起部，該豎起部在所述半導體器件的側面和所述撓性布線基板之間從該支撐 體的外周端朝向直角方向豎起。
8. 如權利要求7所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述半導體器件的側面的至少一部分和該半導體器件的下表面的至少一部分這兩部分與所述支撐體接觸而固定。
9. 如權利要求7所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述半導體器件的側面的至少一部分和該半導體器件的下表面的至少一部分這兩部分與所述支撐體夾著粘接材料粘接固定。
10. 如權利要求7所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述支撐體的所述豎起部的至少一部分與所述撓性布線基板粘接固定。
11. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述支撐體具有與所述撓性布線基板的熱膨脹係數相同或者小於所述撓性布線基板的熱膨脹係數的熱膨脹係數。
12. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述支撐體用粘接劑與所述撓性布線基板及所述半導體器件中的至少一方粘接固定。
13. 如權利要求12所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述粘接劑為導電性粘接劑。
14. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於，所述支撐體由具有導電性的材料構成，並且所述撓性布線基板的 接地圖案和該支撐體通過導電性凸點電連接。
15. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 與彎曲所述撓性布線基板的位置相應的、所述支撐體的最外周角部，被去掉角而成為C倒角或圓弧形的形狀。
16. 如權利要求1或2所述的安裝結構體，其特徵在於， 在所述撓性布線基板上形成有至少1層粘接層，所述半導體器件和該撓性布線基板的至少一部分通過該粘接層粘接固定。
17. 如權利要求16所述的安裝結構體，其特徵在於， 所述粘接層由熱塑性樹脂或熱固化前的熱固性樹脂構成。
18. —種層疊型半導體器件，其特徵在於， 包括權利要求1所述的安裝結構體。
19. 如權利要求18所述的層疊型半導體器件，其特徵在於， 還安裝有無源部件。
20. —種電子設備，其特徵在於，包括權利要求18或19所述的所述層疊型半導體器件。
全文摘要
提供一種半導體器件的安裝結構體及使用安裝結構體的低成本的電子設備，該安裝結構體具有良好的平坦度，成品率高，並且能夠層疊為低成本的封裝堆棧型，所述電子設備通過適用本安裝結構體，實現高功能化及小型化。在安裝結構體(60)中，半導體器件(50)下表面的焊錫凸點(5)熔融連接在撓性布線基板(7)的電極上，撓性布線基板(7)包覆半導體器件(50)，從而與半導體器件(50)的側面的一部分及上表面的一部分粘接固定，在半導體器件(50)的上表面形成有電極，並且在半導體器件(50)的下表面或側面與撓性布線基板(7)之間的至少一部分包含有支撐體(90)。
文檔編號H01L23/12GK101546742SQ20091012984
公開日2009年9月30日 申請日期2009年3月26日 優先權日2008年3月26日
發明者山崎隆雄, 渡邊真司 申請人:日本電氣株式會社