一種低應力中子轉換薄膜元件及其製備方法

2023-07-14 14:58:31

專利名稱：一種低應力中子轉換薄膜元件及其製備方法
技術領域：
本發明屬於精密光學元件製作技術領域，涉及一種低應力中子轉換薄膜元件及其製備方法。
背景技術：
中子探測器是構成中子譜儀、可攜式探雷器等中子檢測裝置的核心部件，其基本原理是將中子轉換為帶電粒子，通過測量帶電粒子的空間和時間分布來實現中子探測。由於常用中子轉換物質(3He)的產量嚴重不足，導致探測器價格日益增高，極大的限制了中子探測器的應用範圍。為了解決巴爾幹戰爭中地雷清除問題，歐盟制定了 DIAMINE工程(2001 年 2004年)，利用中子背散射技術實現地雷的探測和成像。為了研製這種新型的、可攜式中子探雷裝置，必須降低所用探測器的尺寸和造價，而原有的3He探測器無法滿足這種需求；「9 · 11」事件以後，美國制定了在全面港口和機場增設爆炸物檢測裝置，其中中子探測器是必須的儀器設備；近年來，隨著先進中子源的不斷新建，眾多中子束線正在或計劃建設，每個中子束線都需要精密的中子探測器。一方面，國家安全、軍事及科學應用對中子探測的需求不斷增長，另一方面，由於生產常用中子轉換物質(3He)的主要材料為核武器製作的主要材料之一，而被限制生產，因此導致了基於3He的中子探測器造價不斷攀升，近10年來，中子探測器的價格增加了一個數量級。2006年，為了解決因3He產量不足而導致的中子探測器價格的快速增長，從而降低散裂中子源用中子譜儀的造價，美國科學家提出了一種新型的中子探測器。該探測器將鍍制了碳化硼薄膜的鋁箔製作成直徑為4mm、長度為5cm的稻草管結構，將許多這種稻草管拼裝成新型的面陣中子探測器，並實現了 O. Inm Inm波長範圍中子的探測，為解決3He探測器造價問題提供了一條有效途徑。但是，在製作這種中子源用新型探測器的過程中，必須解決I 2微米厚的碳化硼薄膜的高效製作問題，並保證薄膜不脫落、不碎裂，這就要求碳化硼薄膜具有較小的應力，且與基板之間有良好的粘附性。為了確保製作好的碳化硼薄膜不脫落、不碎裂，主要解決思路有兩個其一是在基板與碳化硼薄膜之間增加一個粘附層薄膜，提高碳化硼薄膜與基板的粘附性；其二是減小碳化硼薄膜自身的應力。第二種方法是目前國際上製作I 2微米厚的碳化硼薄膜的主要思路。由於碳化硼薄膜的微結構呈非靜態，因而具有較大的負應力，而且應力大小隨膜層厚度的增長而保持不變，所以碳化硼薄膜越厚，其對基板的作用力就越大。為了控制碳化硼薄膜的應力，國際上許多科研人員開展了長時間的研究工作，有文獻報導的方法主要有以下三種I、在鍍制碳化硼薄膜過程中，提升基板的溫度，可以降低碳化硼薄膜的應力。根據M.J. Zhou等人在2007年的報導(Thin Solid Films 516 (2007) 336)，當基板的溫度高達750攝氏度時，採用離子束濺射方法製作的O. 3微米厚的碳化硼薄膜的應力在3. 5
4.OGPa之間。雖然，從實驗結果看，進一步提升基板溫度可以降低碳化硼薄膜的應力，但是，這樣的應力水平顯然無法滿足中子探測器的製作需求。2、Mei-Ling Wu(Thin Solid Films 449 (2004) 120)和 Kulikovsky(Diam. & Rel. Mater. 18(2009)27)等人先後提出了在鍍制碳化硼薄膜過程中，採用在基板上加負偏壓的方法來減小碳化硼薄膜的應力。但是，採用這種方法，僅能將磁控濺射方法製作的11 I. 5 微米厚的碳化硼薄膜的應力減小到3GPa左右，仍然無法滿足中子探測器的應用需求。3、Mei_Ling Wu 等人(Thin Solid Films 449 (2004) 120)提出了在很高的派射氣壓條件下製作低應力的碳化硼薄膜。當濺射氣壓達到I. 33帕斯卡時，製作的6納米厚的碳化硼薄膜的應力接近於零。這種方法雖然可以獲得幾乎零應力的碳化硼薄膜，但是由於高的濺射氣壓，導致碳化硼薄膜的生長速度極慢，而且靶材料的消耗很大。採用這種方法來生產中子探測器用中子轉換薄膜元件，效率低，成本高，不利於產業化。因此，尋找低應力、生產效率高、價格較低的中子探測器用中子轉換薄膜元件及其製作方法，從而降低產品的生產成本，提高生產效率，是實現進一步拓展中子探測器應用範圍的有效方法。

發明內容
為了克服上述現有的中子轉換薄膜元件應力大或生產效率低、產品造價昂貴的缺陷，本發明的目的是提供一種低應力中子轉換薄膜元件，通過在碳化硼薄膜中插入若干層相同厚度的鉻薄膜層的方法，可以將中子轉換薄膜元件的應力控制在接近於零應力狀態。本發明的另一個目的是提供一種上述低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，該方法具有高效率和低成本的優點。本發明技術方案如下本發明提供了一種低應力中子轉換薄膜元件，該元件包括基底和碳化硼/鉻周期多層膜，鉻薄膜層和碳化硼薄膜層交替沉積於基底表面上，鉻薄膜層和碳化硼薄膜層的數目相同。所述的基底為光學玻璃。所述的基底粗糙度為0nm <基底粗糙度< lnm。所述的碳化硼/鉻周期多層膜的周期數為3 17，總厚度為O. 36 2. 04微米，其中每個鉻薄膜層厚度為60納米，每個碳化硼薄膜層厚度為60納米。所述的鉻薄膜層和碳化硼薄膜層交替沉積於基底表面上是指在基底表面上，第一層薄膜是鉻薄膜層，第二層薄膜是碳化硼薄膜層，第三層薄膜是鉻薄膜層，第四層薄膜是碳化硼薄膜層，如此往復，直至最後一層薄膜是碳化硼薄膜層。本發明還提供了一種上述低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，該方法包括以下步驟首先對基底進行清洗，然後在基底上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜。所述的對基底進行清洗包括以下步驟採用超純水超聲波清洗10分鐘，30%濃度的鹽酸浸泡30分鐘，超純水衝洗，超純水超聲波清洗10分鐘，有機清洗液超聲波清洗15分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級丙酮超聲波清洗10分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘， MOS級乙醇和乙醚混合液超聲波清洗10分鐘，乙醇和乙醚的體積比為I : 1，乾燥的純淨氮氣吹乾。所述的有機清洗液採用的是洗潔精。
所述的在基底上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜採用磁控濺射方法。所述的磁控濺射方法包括以下步驟濺射靶槍的工作模式為恆功率濺射，濺射工作氣壓為5帕斯卡；鍍制碳化硼/鉻周期多層膜前，濺射室的本底真空度為2E-4帕斯卡；靶到基板的距離為8釐米；利用靶和基板之間的機械擋板來控制薄膜的厚度先通過公轉電機將基板運動到裝有鉻靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板，開始鍍制鉻薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當鉻薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後將基板運動到裝有碳化硼靶材料的濺射靶槍上，其中，擋板移開到移回之間的時間間隔即為鍍制一層薄膜的鍍膜時間；當基板運動到裝有碳化硼靶材料的靶槍上方後，該靶槍的擋板移開，開始鍍制碳化硼薄膜層， 通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當碳化硼薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後再將基板運動到裝有鉻靶材的濺射靶槍上方；如此反覆以上過程，實現碳化硼/鉻周期多層膜的製作；在膜層沉積過程中，基板保持自轉，自轉速度為20轉/分鐘。多層膜製作過程中，通過鍍膜時間來控制每層膜的厚度，通過反覆的次數來控制多層膜周期數。本發明同現有技術相比，具有以下優點和有益效果I、本發明與現有的基於碳化硼單層膜的中子轉換薄膜元件相比，由於引入了鉻薄膜層，利用鉻薄膜層的正性應力性質，與碳化硼薄膜層的負性應力相抵消，所形成的中子轉換薄膜元件應力接近於零，而且應力值隨薄膜總厚度的增加基本保持不變。2、本發明的低應力中子轉換薄膜元件製作方法克服了基於單層碳化硼薄膜的中子薄膜轉換元件製作過程中採用高濺射氣壓的缺點，實現了在較低氣壓條件下，實現低應力薄膜的製作，提升了薄膜的沉積速率，減小了薄膜製作過程中的靶材料消耗；所製作的基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件具有應力小、製作效率高、價格便宜、 性能滿足需求等優勢，更適於實現此類產品的產業化。


圖I為基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件的結構示意圖。圖2為基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件的工作示意圖。圖中1為基底、2為碳化硼/鉻周期多層膜、3為碳化硼/鉻周期多層膜中的鉻薄膜層、4為碳化硼/鉻周期多層膜中的碳化硼薄膜層、5為入射中子束、6為出射的帶電粒子束。
具體實施例方式以下結合附圖所示實施例對本發明作進一步的說明。以下所用的鉻祀為美國Kurt J. Lesker公司生產的圓形金屬鉻祀材料直徑 102mm,厚度6. Omm,純度99. 95% ;所用的碳化硼祀為美國Kurt J. Lesker公司生產的圓形碳化硼靶材料直徑102mm，厚度3. Omm,的純度為99. 95%。實施例I首先對基底光學玻璃進行清洗，包括以下步驟採用超純水超聲波清洗10分鐘， 30%濃度的鹽酸浸泡30分鐘，超純水衝洗，超純水超聲波清洗10分鐘，金魚牌洗潔精超聲波清洗15分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級丙酮超聲波清洗10分鐘，超純水超聲波
5清洗10分鐘，MOS級乙醇和乙醚混合液超聲波清洗10分鐘，乙醇和乙醚的體積比為1:1， 乾燥的純淨氮氣吹乾。基底粗糙度為0納米<基底粗糙度< I納米。然後在基底光學玻璃上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜，採用磁控濺射方法，包括以下步驟濺射靶槍的工作模式為恆功率濺射，濺射工作氣壓為O. 5帕斯卡；鉻靶所用的濺射功率為40瓦，碳化硼靶所用的濺射功率為150瓦。鍍制碳化硼/鉻周期多層膜前，濺射室的本底真空度為2E-4帕斯卡；祀到基板的距離為8釐米；利用靶和基板之間的機械擋板來控制薄膜的厚度先通過公轉電機將基板運動到裝有鉻靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板， 開始鍍制鉻薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當鉻薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後將基板運動到裝有碳化硼靶材料的濺射靶槍上，其中，擋板移開到移回之間的時間間隔即為鍍制一層薄膜的鍍膜時間；當基板運動到裝有碳化硼靶材料的靶槍上方後，該靶槍的擋板移開，開始鍍制碳化硼薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當碳化硼薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後再將基板運動到裝有鉻靶材的濺射靶槍上方；如此反覆以上過程，實現碳化硼/鉻周期多層膜的製作；在膜層沉積過程中，基板保持自轉，自轉速度為20轉/分鐘。製備得到的基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件，包括基底I 和碳化硼/鉻周期多層膜2，鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底表面上；基底I 為光學玻璃，碳化硼/鉻周期多層膜2的周期數為3，總厚度為O. 36微米，其中每個鉻薄膜層3厚度為60納米，鍍膜時間為375秒；每個碳化硼薄膜層4厚度為60nm，鍍膜時間為 1200秒；鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底I表面上是指在基底I表面上，第一層薄膜是鉻薄膜層3，第二層薄膜是碳化硼薄膜層4，第三層薄膜是鉻薄膜層3，第四層薄膜是碳化硼薄膜層4，如此往復3次，直至最後一層薄膜是碳化硼薄膜層4。圖I為鉻/碳化硼極紫外多層膜反射鏡的結構示意圖。圖2為鉻/碳化硼極紫外多層膜反射鏡的工作示意圖，入射中子束5通過光學基板和碳化硼/鉻周期多層膜2，在每個碳化硼薄膜層內，與碳化硼中的硼元素作用，產生帶電粒子，並形成出射的帶電粒子束6。在中子束穿過多層膜過程中，由於鉻的吸收很小(基本可以忽略)，中子的損耗基本來自於碳化硼薄膜中硼元素的吸收，並產生帶電粒子，從而實現中子與帶電粒子之間的轉換。而由於鉻和碳化硼薄膜的應力性質相反，且兩者厚度均為60納米時，兩種薄膜對基板的作用力相互抵消，從而使得整個薄膜元件的應力幾乎為零。這樣的薄膜元件，不僅可以保證中子轉換為帶電粒子，而且使得薄膜與基板間在不增加任何粘附層的條件下，不脫落、不碎裂。這樣就實現了低應力中子轉換薄膜元件的高效、低成本製作，滿足中子探測器的應用需求。實施例2首先對基底光學玻璃進行清洗，包括以下步驟採用超純水超聲波清洗10分鐘， 30%濃度的鹽酸浸泡30分鐘，超純水衝洗，超純水超聲波清洗10分鐘，金魚牌洗潔精超聲波清洗15分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級丙酮超聲波清洗10分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級乙醇和乙醚混合液超聲波清洗10分鐘，乙醇和乙醚的體積比為1:1， 乾燥的純淨氮氣吹乾。基底粗糙度為0納米<基底粗糙度< I納米。然後在基底光學玻璃上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜，採用磁控濺射方法，包括以下步驟濺射靶槍的工作模式為恆功率濺射，濺射工作氣壓為O. 5帕斯卡；鉻靶所用的濺射功率為40瓦，碳化硼靶所用的濺射功率為150瓦。鍍制碳化硼/鉻周期多層膜前，濺射室的本底真空度為2E-4帕斯卡；祀到基板的距離為8釐米；利用靶和基板之間的機械擋板來控制薄膜的厚度先通過公轉電機將基板運動到裝有鉻靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板， 開始鍍制鉻薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當鉻薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後將基板運動到裝有碳化硼靶材料的濺射靶槍上，其中，擋板移開到移回之間的時間間隔即為鍍制一層薄膜的鍍膜時間；當基板運動到裝有碳化硼靶材料的靶槍上方後，該靶槍的擋板移開，開始鍍制碳化硼薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當碳化硼薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後再將基板運動到裝有鉻靶材的濺射靶槍上方；如此反覆以上過程，實現碳化硼/鉻周期多層膜的製作；在膜層沉積過程中，基板保持自轉，自轉速度為20轉/分鐘。製備得到的基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件，包括基底I 和碳化硼/鉻周期多層膜2，鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底表面上；基底I 為光學玻璃，碳化硼/鉻周期多層膜2的周期數為7，總厚度為O. 84微米，其中每個鉻薄膜層3厚度為60納米，鍍膜時間為375秒；每個碳化硼薄膜層4厚度為60nm，鍍膜時間為 1200秒；鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底I表面上是指在基底I表面上，第一層薄膜是鉻薄膜層3，第二層薄膜是碳化硼薄膜層4，第三層薄膜是鉻薄膜層3，第四層薄膜是碳化硼薄膜層4，如此往復7次，直至最後一層薄膜是碳化硼薄膜層4。實施例3首先對基底光學玻璃進行清洗，包括以下步驟採用超純水超聲波清洗10分鐘， 30%濃度的鹽酸浸泡30分鐘，超純水衝洗，超純水超聲波清洗10分鐘，金魚牌洗潔精超聲波清洗15分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級丙酮超聲波清洗10分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級乙醇和乙醚混合液超聲波清洗10分鐘，乙醇和乙醚的體積比為1:1， 乾燥的純淨氮氣吹乾。基底粗糙度為0納米<基底粗糙度< I納米。然後在基底光學玻璃上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜，採用磁控濺射方法，包括以下步驟濺射靶槍的工作模式為恆功率濺射，濺射工作氣壓為O. 5帕斯卡；鉻靶所用的濺射功率為40瓦，碳化硼靶所用的濺射功率為150瓦。鍍制碳化硼/鉻周期多層膜前，濺射室的本底真空度為2E-4帕斯卡；祀到基板的距離為8釐米；利用靶和基板之間的機械擋板來控制薄膜的厚度先通過公轉電機將基板運動到裝有鉻靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板， 開始鍍制鉻薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當鉻薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後將基板運動到裝有碳化硼靶材料的濺射靶槍上，其中，擋板移開到移回之間的時間間隔即為鍍制一層薄膜的鍍膜時間；當基板運動到裝有碳化硼靶材料的靶槍上方後，該靶槍的擋板移開，開始鍍制碳化硼薄膜層，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當碳化硼薄膜層鍍完後，將擋板移回，然後再將基板運動到裝有鉻靶材的濺射靶槍上方；如此反覆以上過程，實現碳化硼/鉻周期多層膜的製作；在膜層沉積過程中，基板保持自轉，自轉速度為20轉/分鐘。製備得到的基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件，包括基底I 和碳化硼/鉻周期多層膜2，鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底表面上；基底I 為光學玻璃，碳化硼/鉻周期多層膜2的周期數為17，總厚度為2. 04微米，其中每個鉻薄膜層3厚度為60納米，鍍膜時間為375秒；每個碳化硼薄膜層4厚度為60nm，鍍膜時間為1200秒；鉻薄膜層3和碳化硼薄膜層4交替沉積於基底I表面上是指在基底I表面上，第一層薄膜是鉻薄膜層3，第二層薄膜是碳化硼薄膜層4，第三層薄膜是鉻薄膜層3，第四層薄膜是碳化硼薄膜層4，如此往復17次，直至最後一層薄膜是碳化硼薄膜層4。上述的對實施例的描述是為便於該技術領域的普通技術人員能理解和應用本發明。熟悉本領域技術的人員顯然可以容易地對這些實施例做出各種修改，並把在此說明的一般原理應用到其他實施例中而不必經過創造性的勞動。因此，本發明不限於這裡的實施例，本領域技術人員根據本發明的揭示，不脫離本發明範疇所做出的改進和修改都應該在本發明的保護範圍之內。
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權利要求
1.一種低應力中子轉換薄膜元件，其特徵在於該元件包括基底(I)和碳化硼/鉻周期多層膜(2)，鉻薄膜層(3)和碳化硼薄膜層(4)交替沉積於基底(I)表面上，鉻薄膜層(3) 和碳化硼薄膜層(4)的數目相同。
2.根據權利要求I所述的低應力中子轉換薄膜元件，其特徵在於所述的基底(I)為光學玻璃。
3.根據權利要求I所述的低應力中子轉換薄膜元件，其特徵在於所述的基底(I)粗糙度為=Onm <基底粗糙度< lnm。
4.根據權利要求I所述的低應力中子轉換薄膜元件，其特徵在於所述的碳化硼/鉻周期多層膜(2)的周期數為3 17，總厚度為O. 36 2. 04微米，其中每個鉻薄膜層(3) 厚度為60納米，每個碳化硼薄膜層(4)厚度為60納米。
5.根據權利要求I所述的低應力中子轉換薄膜元件，其特徵在於所述的鉻薄膜層(3) 和碳化硼薄膜層(4)交替沉積於基底(I)表面上是指在基底(I)表面上，第一層薄膜是鉻薄膜層(3)，第二層薄膜是碳化硼薄膜層(4)，第三層薄膜是鉻薄膜層(3)，第四層薄膜是碳化硼薄膜層(4)，如此往復，直至最後一層薄膜是碳化硼薄膜層(4)。
6.權利要求I至5任一所述的低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，其特徵在於該方法包括以下步驟首先對基底(I)進行清洗，然後在基底(I)上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜⑵。
7.根據權利要求6所述的低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，其特徵在於所述的對基底(I)進行清洗包括以下步驟採用超純水超聲波清洗10分鐘，30%濃度的鹽酸浸泡 30分鐘，超純水衝洗，超純水超聲波清洗10分鐘，有機清洗液超聲波清洗15分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級丙酮超聲波清洗10分鐘，超純水超聲波清洗10分鐘，MOS級乙醇和乙醚混合液超聲波清洗10分鐘，乙醇和乙醚的體積比為I : 1，乾燥的純淨氮氣吹乾。
8.根據權利要求7所述的低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，其特徵在於所述的有機清洗液採用的是洗潔精。
9.根據權利要求6所述的低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，其特徵在於所述的在基底(I)上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜(2)採用磁控濺射方法。
10.根據權利要求I所述的低應力中子轉換薄膜元件的製備方法，其特徵在於所述的磁控濺射方法包括以下步驟濺射靶槍的工作模式為恆功率濺射，濺射工作氣壓為5帕斯卡；鍍制碳化硼/鉻周期多層膜(2)前，濺射室的本底真空度為2E-4帕斯卡；靶到基板的距離為8釐米；利用靶和基板之間的機械擋板來控制薄膜的厚度先通過公轉電機將基板運動到裝有鉻靶材料的濺射靶槍上方，移開擋板，開始鍍制鉻薄膜層(3)，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當鉻薄膜層(3)鍍完後，將擋板移回，然後將基板運動到裝有碳化硼靶材料的濺射靶槍上，其中，擋板移開到移回之間的時間間隔即為鍍制一層薄膜的鍍膜時間；當基板運動到裝有碳化硼靶材料的靶槍上方後，該靶槍的擋板移開，開始鍍制碳化硼薄膜層(4)，通過鍍膜時間來控制膜層的厚度，當碳化硼薄膜層鍍(4)完後，將擋板移回，然後再將基板運動到裝有鉻靶材的濺射靶槍上方；如此反覆以上過程，實現碳化硼/鉻周期多層膜(2)的製作；在膜層沉積過程中，基板保持自轉，自轉速度為20轉/分鐘。
全文摘要
本發明屬於精密光學元件製作技術領域，公開了一種低應力中子轉換薄膜元件及其製備方法。該元件包括基底(1)和碳化硼/鉻周期多層膜(2)，鉻薄膜層(3)和碳化硼薄膜層(4)交替沉積於基底(1)表面上，鉻薄膜層(3)和碳化硼薄膜層(4)的數目相同。製備方法如下首先對基底(1)進行清洗，然後在基底(1)上鍍制碳化硼/鉻周期多層膜(2)。本發明的基於碳化硼/鉻周期多層膜的低應力中子轉換薄膜元件具有低應力、高製作效率、價格便宜、中子轉換性能滿足需求等優勢，更適於實現此類產品的產業化。
文檔編號C23C14/06GK102602070SQ20121004496
公開日2012年7月25日 申請日期2012年2月27日 優先權日2012年2月27日
發明者張眾, 梁玉, 王佔山 申請人:同濟大學