半導體晶片的熱處理方法、太陽能電池的製造方法及熱處理裝置的製作方法

2023-08-08 04:11:21 1

專利名稱：半導體晶片的熱處理方法、太陽能電池的製造方法及熱處理裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及使用原料氣體進行向半導體晶片的擴散、氧化的熱處理方法及使用該半導體晶片的熱處理方法的太陽能電池的製造方法以及熱處理裝置。
背景技術：
以往，半導體晶片用的熱處理爐採用將石英制的圓筒形管作為處理室，並在管的外周配置有加熱器的熱處理爐。例如，在使所期望的雜質向晶片中擴散的熱擴散處理的情況下，向已加熱的石英管內連續地導入含有摻雜劑的原料氣體，由此，能夠在配置於管內的半導體晶片的表面上產生雜質擴散。這樣的方法被稱為開管擴散，還被用於將矽晶片作為單元的太陽能電池的雜質擴散處理。
熱處理爐的形態從石英管的配置方法來看，存在縱型爐和橫型爐，縱型爐側重於使半導體晶片在石英管內旋轉來提高處理的均勻性。在太陽能電池的領域中，大多使用量產性優良的橫型爐，使用具有全長IOOOmm 1500mm的石英管的大型的熱處理爐。在橫型爐中對半導體晶片進行熱處理時，使用用於立起支承半導體晶片的處理用舟皿(將半導體晶片單片或多片相對於管的延伸方向平行地排列的一個集合體)。
原料氣體的供給方法是影響熱處理的均勻性的主要因素，為提高晶片面內的雜質擴散的均勻性，有時使用用於控制氣體流動的整流板、在石英管內均勻地進行氣體供給的噴射器。噴射器是被設置在長的石英管內的氣體導入管，為向石英管內均勻地供給氣體，而具有多個氣體放出口。
作為熱擴散處理的例子，在使η型雜質的磷(P)擴散到矽(Si)的半導體晶片的情況下，使三氯化磷(POCl3)氣化並與氮氣或氧氣混合作為原料氣體。反應式如下所述。
2P0C13+ (3/2) O2 — P205+3C12 (I)
P2O5+ (5/2) Si — 2P+ (5/2) SiO2 (2)
上述式(I)、(2)的化學反應在800°C 1000°C的爐中進行。
在進行氧化處理的情況下，原料氣體使用氧氣、水蒸氣等即可。
專利文獻I公開了如下方法，按照規定片數的半導體晶片，將石英板作為整流板配置在由石英形成的舟皿上，由此實現處理的均勻化。另外，專利文獻2公開了如下的熱處理爐，在管內配置有4根噴射器(氣體送出管)，而且，氣體放出口(開口部)與半導體晶片的配置間距相匹配地排列。在專利文獻I和2的任一情況下，半導體晶片都沿著與管的延伸方向垂直的方向，即，構成半導體晶片的表面或背面的平面的鉛直線沿著管的延伸方向地排列。
現有技術文獻
專利文獻I日本實開昭63-98627號公報
專利文獻2日本特開200 9-194001號公報
如上所述，通過使用整流板或噴射器，能夠提高半導體晶片的面內均勻性、個體的半導體晶片之間的均勻性。但是，即使使用專利文獻I及專利文獻2公開的方法，也需要從管的一端排出原料氣體，因此沿橫過所配置的多個半導體晶片的方向產生原料氣體的流動。原料氣體的壓力大致為大氣壓，氣體的流動是粘性流，從而半導體晶片外周附近的操作變得複雜。例如，在半導體晶片的外周部附近產生氣流的渦流，或者因氣體向所排列的半導體晶片之間流入，在半導體晶片之間容易產生氣體的擾亂。這樣的狀況成為產生半導體晶片的處理的不均勻的原因。另一方面，對於半導體晶片的熱擴散量的偏差導致產生設備特性的偏差。例如，在使雜質熱擴散到太陽能電池單元用的晶片的情況下，若擴散量不足，則薄膜電阻變大，導通損失增大，擴散量多，在此情況下，晶片內產生大量缺陷，帶來載體的再結合導致的光電轉換效率的減低。

發明內容
本發明是為解決上述問題而研發的，其目的是獲得使用橫型的熱處理爐進行均勻性優良的熱處理的半導體晶片的熱處理方法、太陽能電池的製造方法及熱處理裝置。為解決上述課題，並實現目的，本發明的半導體晶片的熱處理方法，將沿水平方向延伸且內側的下部設置有氣體配管的耐熱性的管作為處理室使用，並將具有對相互平行地搭載的多個半導體晶片的側面整體進行遮蔽的一對第一遮蔽板的處理用舟皿配置在管內，向管內供給原料氣體的同時加熱管，由此，對搭載於處理用舟皿的多個半導體晶片實施熱處理，其特徵在於，所述半導體晶片的熱處理方法具有:將多個半導體晶片相互平行立起地搭載於處理用舟皿的工序；沿多個半導體晶片的平面相對於管的延伸方向平行的方向將處理用舟皿投入管內的氣體配管的上方的空間的工序；從氣體配管的開口部將原料氣體連續地供給到管內的同時加熱管的工序。根據本發明，搭載於處理用舟皿的半導體晶片外周部、半導體晶片之間的氣體流動的擾亂被抑制，能夠對半導體晶片實施均勻的熱處理。


圖1是表示實施方式I的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的示意圖。圖2是表示實施方式I的處理用舟皿的結構例的立體圖。圖3是表示搭載了半導體晶片的狀態的實施方式I的處理用舟皿的立體圖。圖4是表示實施方式2的處理用舟皿的結構例的立體圖。圖5是表示包圍實施方式3的處理用舟皿的外周的遮蔽筒的構造的立體圖。圖6是表示實施方式4的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的圖。圖7是表示實施方式5的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的圖。圖8是表示實施方式5的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的圖。圖9是表示包圍實施方式6的處理用舟皿的遮蔽板的構造的立體圖。圖10是表示包圍實施方式6的處理用舟皿的遮蔽板的構造的俯視圖。圖11是表示測定矽晶片的局部的薄膜電阻的結果的線圖。圖12是表示矽晶片上的測定位置的序號的示意圖。附圖標記的說明
I半導體晶片，2處理用舟皿，3管，5噴射器，6排出口，7、31第一遮蔽板，8加熱器，14第二遮蔽板，15遮蔽筒，21排氣管，22a、22b配管，32翅片
具體實施例方式以下，基於附圖詳細說明本發明的半導體晶片的熱處理方法、太陽能電池的製造方法及熱處理裝置的實施方式。此外，本發明不被本實施方式限定，在不脫離本發明的主旨的範圍內能夠適當地變更。另外，在以下所示的附圖中，由於是示意性的記載，所以存在各部件的比例尺與實際不同的情況。實施方式I圖1是表示本發明的實施方式I的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的示意圖。在加熱器8的內側，沿橫向配置有作為處理室使用的管3，在管3的內側的下部設置有用於將原料氣體導入管3內的作為氣體配管的噴射器5。噴射器5與管3的導入口 4連接，並作為用於將原料氣體向管3內部放出的開口部而設置有放出口 H。搭載在處理用舟皿2上的多個半導體晶片I與管3的延伸方向平行地被投入管3，在原料氣體連續地被供給的狀態下，通過加熱器8加熱管3而進行熱處理。半導體晶片I相互平行且隔開一定間隔重合地被收納在I臺處理用舟皿2內。處理用舟皿2朝向半導體晶片I的平面相對於管3的延伸方向平行的方向被投入。另外，在處理用舟皿2上設置有對立起的半導體晶片I的側面整體、即圖1的半導體晶片I左右端部的端面側整體進行遮蔽的第一遮蔽板7。被導入的原料氣體及反應中產生的氣體從處於管3的端部的排出口 6排出。能夠通過第一遮蔽板7限制原料氣體從管3的延伸方向流入與管3的延伸方向平行地配置的半導體晶片I之間的空間。處理用舟皿2也可以在管3內部被未圖示的支承部件支承。這裡，將圖1的管3、噴射器5、加熱器8及其周邊總稱為熱處理爐。此外，管3的延伸方向是從導入口 4朝向排出口 6的方向，由與延伸方向正交的面剖切的管3的截面成為大致圓形。在圖1中，放出口 H的朝向形成為朝向上方，但孔的朝向能夠適當地變更。關於放出口 H的數量、尺寸、形狀，也能夠適當地設計成將原料氣體適當地供給到處理用舟皿2。為對於多個半導體晶片I均勻地供給原料氣體，也可以在面向放出口 H的位置配置有具有開口部的擴散板、棒狀的遮蔽物等，使氣體的流動具有擴散性。此外，如前所述，半導體晶片I的朝向一般來說沿與管3的延伸方向垂直地配置。這是因為通過使加熱器8產生的加熱均勻化，能夠進行對半導體晶片I的溫度來說個體差異少的處理。但是，在這樣的一般的配置中，由於原料氣體朝向端部的排出口 6流動，所以原料氣體的流動和半導體晶片I處於正交的位置關係。由此，在原料氣體流動橫過半導體晶片I端部時，有時在半導體晶片I的外周部附近產生氣流的渦流。另一方面，通過將半導體晶片I與管3的延伸方向平行地配置，半導體晶片I成為相對於管3內的原料氣體的流動大致平行。通過第一遮蔽板7防止沿管3的延伸方向流動的氣體流入半導體晶片I之間，並且在使用了大型的半導體晶片I的情況下，也不會在晶片端部產生原料氣體的渦流。由於半導體晶片I的表面附近的氣體流動穩定，所以發生同樣的反應，能夠進行半導體晶片I內的均勻性優良的熱處理。
圖2是表示處理用舟皿2的結構例的立體圖，該處理用舟皿2能夠立起地搭載大量的半導體晶片I。支承部11在支承半導體晶片I的下部的部分形成有多個槽，以便一片一片地嵌入半導體晶片I而使其位置穩定。支承部12同樣地在支承半導體晶片I的上側的側部的部分所形成的各個槽能夠支承半導體晶片I的兩側面。框部13固定支承部11和支承部12而構成整體。第一遮蔽板7處於支承部12的外側，遮蔽處理用舟皿2的側面。第一遮蔽板7也可以焊接在框部13上並處於完全地被固定的狀態，但也可以利用嵌入槽的形式進行支承。圖3是表示搭載了半導體晶片I的狀態的處理用舟皿2的立體圖。另外，第一遮蔽板7考慮到被投入截面為圓形的管3內這種情況，也可以採用角部被倒角的形狀。出於耐熱性、對於腐蝕性的原料氣體來說的耐久性、加工容易性等理由，上述處理用舟皿2的材質一般使用石英，對於第一遮蔽板7也可以使用石英。另外，第一遮蔽板7也可以使用陶瓷等具有850°C以上的耐熱性的其他材料。以下，對使用了上述橫型熱處理爐和處理用舟皿2的具體的熱處理工藝進行說明。首先，半導體晶片I被搭載在處理用舟皿2上，處理用舟皿2被投入管3內的噴射器5的上方的空間。管3通常使用圓筒形的石英管，在圓筒的端部使用凸緣的情況下，凸緣也可以由其它的材料形成。加熱器8被通電，管3被加熱到850°C左右，原料氣體被導入管3內部。例如在使磷擴散到矽的半導體晶片I的情況下，磷的原料氣體使用未圖示的起泡器製作即可。例如，作為載體氣體使用氮氣，通過起泡器進行起泡，由此，在常溫下使液體的三氯化磷氣化。通過向得到的氣體混合氧氣來製作原料氣體，並在混合氣體的狀態下從導入口 4進行供給。噴射器5具有在管3內折返的U字構造，原料氣體在直至到達放出口 H的期間，在噴射器5內部被加熱。從放出口 H放出的原料氣體到達處理用舟皿2的下部，根據向上的初速度的效果、和放出後再被加熱而溫度逐漸上升的效果，從而向上方移動。可以認為，原料氣體從處理用舟皿2的下方連續地流入處理用舟皿2內，並向處理用舟皿2的上方連續地流出，從而能夠產生大致穩定的氣體流動。在作為矽的半導體晶片I的表面發生式(I)、式(2)的反應，生成的磷向半導體晶片I內擴散。此時，由於通過第一遮蔽板7防止來自半導體晶片I的端部的氣體流入，所以在處理用舟皿2內相鄰的半導體晶片I之間的空間中，產生近似接近層流的氣體流動。假設若不使用第一遮蔽板7，則原料氣體從管3的延伸方向流入相鄰的半導體晶片I之間的空間，從而導致半導體晶片I表面上的氣體流動變得複雜，根據溫度、氣體流量等各種條件的微小的差異，擴散量容易變動。被導入管3內部的原料氣體從排出口 6被排出到管3之外，經由未圖示的過濾器等被適當地處理。第一遮蔽板7需要覆蓋半導體晶片I的端部整個區域，優選上端的高度至少比半導體晶片I的上端高，下端比半導體晶片I的下端低。例如，在對156mmX 156mm尺寸的半導體晶片I進行處理的情況下，需要比半導體晶片I的上端部至少高2mm以上、且比半導體晶片I的下端低2mm以上，差值越大，遮蔽效果越高。實際上，管3的直徑受到裝置的設置面積、成本的制約，從實用性出發，具有2_ IOmm左右的差值是有效的。配置在平行地配置的半導體晶片I的兩端的半導體晶片I通常作為虛設的晶片處理。這是因為配置在最外側的晶片的條件與配置在內側的不同。此外,在圖1 圖3中，第一遮蔽板7與處理用舟皿2成為一體,但即便分離處理用舟皿2和第一遮蔽板7而並列設置，得到的效果當然也是相同的。在橫型熱處理爐內，通過使用具有上述結構的處理用舟皿2，能夠使相鄰的半導體晶片I之間的空間的氣流穩定，並進行半導體晶片I內的均勻性高的熱處理。實施方式2圖4是表示實施方式2的處理用舟皿2的結構例的立體圖。如與實施方式I進行比較，僅在半導體晶片I的搭載部的兩端具有與半導體晶片I平行的第二遮蔽板14這點不同，其他與實施方式I相同。通過使用一對第一遮蔽板7和一對第二遮蔽板14，能夠遮蔽包圍半導體晶片I的周圍四方。通過使用該結構，能夠使在處理用舟皿2內上升的原料氣體流動更穩定，從而包含配置在最外側的半導體晶片I在內，都能夠進行晶片內的均勻性高的熱處理。另外，第二遮蔽板14使用紅外線難以透射的陶瓷板，由此，能夠減小被加熱器8加熱的半導體晶片I的溫度的個體差異。實施方式3圖5是表示實施方式3的包圍處理用舟皿2的外周的遮蔽筒15的構造的立體圖。遮蔽筒15是使實施方式2的第一遮蔽板7和第二遮蔽板14成為一體而形成的，通過以包圍不具有第一、第二遮蔽板的處理用舟皿2的側面的方式進行覆蓋，能夠遮蔽處理用舟皿2的四周。通過遮蔽筒15包圍處理用舟皿2，能夠使在處理用舟皿2內上升的原料氣體流動穩定，從而能夠進行半導體晶片I內的均勻性高的熱處理。其他與實施方式I相同。實施方式4圖6是表示實施方式4的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的圖。在處理用舟皿2的下方設置有作為氣體配管的噴射器5，作為用於放出原料氣體的開口部設置有放出口 H。另外，在處理用舟皿2的上部設置有排氣管21，作為用於將原料氣體排出到管3外部的開口部設置有排出口 K。通過分別設置在處理用舟皿2的上部及下部的噴射器5和排氣管21，能夠使處理用舟皿2內的原料氣體流動穩定地上升，從而能夠進行半導體晶片I內的均勻性高的熱處理。其他與實施方式I相同。實施方式5圖7及圖8是表示實施方式5的熱處理方法所使用的熱處理裝置的結構的圖。分別在管3的內側的上部及下部設置有配管22a和配管22b，作為用於排出、放出原料氣體的開口部設置有開口 L。處理用舟皿2沿半導體晶片I的平面相對於管3的延伸方向平行的方向被投入管3內的配管22a、22b彼此之間的空間。這些配管22a及配管22b如圖7、圖8所示地交替地進行原料氣體的排出和放出，由此，未與半導體晶片I接觸的新的原料氣體從上下交替地被供給到管3內。即，交替地成為如下狀態:從配管22b的開口 L放出原料氣體並從下方使原料氣體流入處理用舟皿2內的同時將從處理用舟皿2向上方流出的原料氣體從配管22a的開口 L排出到管3之外的狀態；和從配管22a的開口 L放出原料氣體並從上方使原料氣體流入處理用舟皿2內的同時將從處理用舟皿2向下方流出的原料氣體從配管22b的開口 L排出到管3之外的狀態，由此，能夠防止在處理用舟皿2內的上方已經反應完畢的原料氣體的比例變高，無論管3內的位置如何都能夠使處於原料氣體內的雜質的量變得均勻。由此，能夠進行與實施方式4相比均勻性更高的處理。其他與實施方式I相同。
實施方式6圖9是表示實施方式6的處理用舟皿的第一遮蔽板31的構造的立體圖。另外，圖10是實施方式6的處理用舟皿的第一遮蔽板31的俯視圖。第一遮蔽板31是對實施方式I中的第一遮蔽板7進行加工而形成的。在處理用舟皿中以與平行地配置的半導體晶片I相同的間隔設置翅片32 (凸部)，能夠減小因處理用舟皿內的半導體晶片I的端部導致的原料氣體的蔓延。即，第一遮蔽板31在靠半導體晶片I側具有遮擋各半導體晶片I之間的空間的作為突起構造的翅片32。與實施方式I相比的情況下，因原料氣體的蔓延減少，能夠在處理用舟皿內的半導體晶片I與相鄰的半導體晶片I之間，進行均勻性高的熱處理。其他與實施方式I相同。實施方式7對於本發明的太陽能電池單元的製造方法的實施方式進行說明。為製造太陽能電池的單元，例如，使用上述第一 第六實施方式中的任意的熱處理方法使磷擴散到添加了硼(B)的P型矽晶片，在晶片表面形成η型層即可。由此，在P型矽晶片的內部形成ρη結，能夠產生內置電位差。為取出通過光伏發電產生的電流，在η型層上形成多個細線電極，在晶片背面整體形成背面電極。一般情況下，在η型層上形成防反射層等來提高光利用效率。在作為太陽能電池使用時，將多個單元排列在玻璃基板上並實施電氣布線，由EVA樹脂等進行密封即可。實施例為驗證設置在處理用舟皿2上的第一遮蔽板7的效果，在除了第一遮蔽板7的有無以外其它條件相同的條件下進行處理，並測量了半導體晶片I內的薄膜電阻的分布。在156mmX 156mm尺寸下,將角部實施了 16mm±2mm的倒角的單晶娃晶片作為半導體晶片I使用，根據實施方式I的方法，進行了磷擴散處理。第一遮蔽板7的尺寸為160_X160mm,角部的倒角為20mm。圖11是表示擴散處理後利用4端子法測定半導體晶片I的局部的薄膜電阻的結果的線圖。圖12是表示半導體晶片I上的測定位置的序號的示意圖。從圖11的結果可知，通過使用遮蔽板7，半導體晶片I內的偏差被改善，實施了均勻性高的擴散處理。工業實用性 如上所述，本發明的半導體晶片的熱處理方法、太陽能電池的製造方法及熱處理裝置能夠在半導體晶片的表面上均勻地實施熱處理這點是有用的。
權利要求
1.一種半導體晶片的熱處理方法，將沿水平方向延伸且內側的下部設置有氣體配管的耐熱性的管作為處理室使用，並將具有ー對第一遮蔽板的處理用舟皿配置在所述管內，所述ー對第一遮蔽板對相互平行地搭載的多個半導體晶片的側面整體進行遮蔽，向所述管內供給原料氣體的同時加熱所述管，由此，對搭載於所述處理用舟皿的所述多個半導體晶片實施熱處理，其特徵在於，所述半導體晶片的熱處理方法具有: 將所述多個半導體晶片相互平行立起地搭載於所述處理用舟皿的エ序； 沿所述多個半導體晶片的平面相對於所述管的延伸方向平行的方向將所述處理用舟皿投入所述管內的所述氣體配管的上方的空間的エ序；和 從所述氣體配管的開ロ部將所述原料氣體連續地供給到所述管內的同時加熱所述管的エ序。
2.如權利要求1所述的半導體晶片的熱處理方法，其特徵在於，使所述原料氣體從所述處理用舟皿的下方連續地流入所述處理用舟皿內，並向所述處理用舟皿的上方連續地流出。
3.如權利要求2所述的半導體晶片的熱處理方法，其特徵在幹， 在所述管的內側的上部配置有排氣管， 將流出到所述處理用舟皿的上方的原料氣體從所述排氣管的開ロ部連續地排出。
4.一種半導體晶片的熱處理方法，將沿水平方向延伸且內側的上部及下部分別設置有配管的耐熱性的管作為處理室使用，將具有一對第一遮蔽板的處理用舟皿配置在所述管內，所述ー對第一遮蔽板對相互平行地搭載的多個半導體晶片的側面整體進行遮蔽，向所述管內供給原料氣體的同時加熱所述管，由此對搭載於所述處理用舟皿的所述多個半導體晶片實施熱處理，其特徵在於，所述半導體晶片的熱處理方法具有: 將所述多個半導體晶片相互平行立起地搭載於所述處理用舟皿的エ序； 沿所述多個半導體晶片的平面相對於所述管的延伸方向平行的方向將所述處理用舟皿投入所述管內的所述配管彼此之間的空間的エ序；和 從配置在所述處理用舟皿的上部及下部的所述配管的開ロ部交替地進行所述原料氣體的流入和排出的同時加熱所述管的エ序。
5.如權利要求廣4中任一項所述的半導體晶片的熱處理方法，其特徵在於，通過上端比搭載於所述處理用舟皿的所述多個半導體晶片的上端高2mm以上且下端比所述半導體晶片的下端低2mm以上的所述第一遮蔽板，對所述多個半導體晶片的側面整體進行遮蔽。
6.如權利要求廣4中任一項所述的半導體晶片的熱處理方法，其特徵在於，使用還具有與半導體晶片平行的第二遮蔽板的所述處理用舟皿，對所述多個半導體晶片周圍進行遮蔽。
7.如權利要求廣4中任一項所述的半導體晶片的熱處理方法，其特徵在於，所述第一遮蔽板在靠所述多個半導體晶片側具有遮擋各半導體晶片之間的空間的突起構造。
8.一種太陽能電池的製造方法，其特徵在於，將含有摻雜劑的氣體作為所述原料氣體使用，通過權利要求廣4中任一項所述的半導體晶片的熱處理方法進行熱擴散處理，在所述多個半導體晶片各自的表面上形成雜質擴散層，並在所述多個半導體晶片各自的內部形成pn結。
9.ー種熱處理裝置，所述熱處理裝置具有:耐熱性的管，其沿水平方向延伸，並在內側的下部設置有連續地供給原料氣體的氣體配管；處理用舟皿，將多個半導體晶片相互平行立起地進行搭載，該處理用舟皿被配置在所述管內的所述氣體配管的上方的空間；和加熱器，從外部加熱所述管，將所述管作為處理室使用，對搭載於所述處理用舟皿的所述多個半導體晶片實施熱處理，所述熱處理裝置的特徵在於，具有對所述多個半導體晶片的側面整體進行遮蔽的一對第一遮蔽板，所述處理用舟皿沿所述多個半導體晶片的平面相對於所述管的延伸方向平行的方向被配置在所述管中。
10.如權利要求9所述的熱處理裝置，其特徵在於，所述第一遮蔽板的上端比搭載於所述處理用舟皿的所述多個半導體晶片的上端高2mm以上，所述第一遮蔽板的下端比搭載於所述處理用舟皿的所述半導體晶片的下端低2mm以上。
11.如權利要求9或10所述的熱處理裝置，其特徵在於，還具有與半導體晶片平行的第二遮蔽板，對所述多個半導體晶片周圍進行遮蔽 。
全文摘要
本發明得到一種使用橫型的熱處理爐進行均勻性優良的熱處理的半導體晶片的熱處理方法及使用其的太陽能電池的製造方法。其具有將多個半導體晶片(1)相互平行立起地搭載於處理用舟皿(2)的工序；沿多個半導體晶片(1)的平面相對於管(3)的延伸方向平行的方向將處理用舟皿(2)投入管(3)內的噴射器(5)的上方的空間的工序；從噴射器(5)的開口部(H)將原料氣體向管(3)內連續地供給的同時加熱管(3)的工序。
文檔編號H01L21/673GK103137529SQ20121049752
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月29日 優先權日2011年12月1日
發明者太田成人, 西村邦彥 申請人:三菱電機株式會社