包括迭層結構的有機發光顯示裝置的製作方法

2024-03-30 01:47:05 1

本發明的示例性實施例總體上涉及有機發光顯示裝置。更具體地，本發明構思的示例性實施例涉及包括迭層結構的有機發光顯示裝置和製造該包括迭層結構的有機發光顯示裝置的方法。

背景技術：

因為平板顯示(fpd)裝置比陰極射線管(crt)顯示裝置輕薄，所以fpd裝置廣泛地用作顯示裝置。fpd裝置可以是液晶顯示(lcd)裝置、有機發光顯示(oled)裝置等。oled裝置可以比lcd裝置具有更高的亮度和更寬的視角。另外，因為oled裝置不需要背光，所以oled裝置可以比lcd裝置更薄。在oled裝置中，電子和空穴通過陰極和陽極注入到有機薄層中，然後在有機薄層中複合以產生激子。因此，可以發射特定波長的光。

一些oled裝置可以設有迭層結構(tandemstructure)為特徵。在迭層結構中，多個發光層和多個電荷產生層彼此交替地堆疊。oled裝置的迭層結構可以由此發射白光。由於包括迭層結構的oled裝置的尺寸增大，因此包括在oled裝置中的陰極的電阻會增大。當陰極的電阻增大時，會在oled裝置中產生ir降(例如，電壓降)。在此情況下，因為由於ir降而彼此不同的電壓電平會被施加到oled裝置的多個像素，所以oled裝置會顯示具有不均勻亮度的圖像。

技術實現要素：

根據本發明的示例性實施例，有機發光顯示(oled)裝置包括迭層結構。迭層結構包括多個發光層和多個電荷產生層。

根據本發明的示例性實施例，提供了一種製造包括迭層結構的oled裝置的方法。oled裝置的迭層結構包括多個發光層和多個電荷產生層。

根據本發明的示例性實施例，oled裝置包括包含發光區和外圍區的基底。輔助電源線設置在基底的外圍區中。下電極設置在基底的發光區中。像素限定層設置在基底上。像素限定層暴露發光區中的下電極的一部分，像素限定層暴露位於外圍區中的輔助電源線的一部分。第一公共層設置在像素限定層和下電極上。第一公共層暴露輔助電源線。發光結構設置在第一公共層上。發光結構暴露輔助電源線。發光結構包括：第一發光層；第一電荷產生層，設置在第一發光層上；第二發光層，設置在第一電荷產生層上。第二公共層設置在發光結構上，第二公共層覆蓋發光結構。第二公共層暴露輔助電源線。上電極設置在第二公共層上。上電極接觸輔助電源線。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置還包括置於像素限定層與基底之間的平坦化層，平坦化層包括暴露輔助電源線的一部分的第一開口。

在本發明的示例性實施例中，像素限定層包括暴露輔助電源線的一部分的第二開口，像素限定層包括暴露下電極的一部分的第三開口。

在本發明的示例性實施例中，第一開口與第二開口疊置，第一公共層、第一發光層、第一電荷產生層和第二發光層順序地設置在第一開口和第二開口中的每個的側壁上。

在本發明的示例性實施例中，第二公共層覆蓋第一電荷產生層，使得第一電荷產生層在第一開口和第二開口中的任一開口的側壁中不被暴露。

在本發明的示例性實施例中，在第一開口和第二開口中的每個的側壁中，第二公共層覆蓋第一公共層的末端部分、第一發光層的末端部分、第一電荷產生層的末端部分和第二發光層的末端部分，第二公共層與輔助電源線的上表面接觸。

在本發明的示例性實施例中，下電極包括：第一透明電極層，設置在平坦化層上；反射電極層，設置在第一透明電極層上；第二透明電極層，設置在反射電極層上。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置還包括置於輔助電源線與上電極之間的導電圖案。導電圖案和下電極使用相同的材料同時地形成。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置還包括與輔助電源線分隔開的半導體元件，半導體元件置於基底與下電極之間。半導體元件包括：設置在基底上的有源層；設置在有源層上的柵極絕緣層；設置在柵極絕緣層上的柵電極；設置在柵電極上的絕緣中間層；以及設置在絕緣中間層上的源電極和漏電極。

在本發明的示例性實施例中，源電極、漏電極和輔助電源線包括相同的材料。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置還包括：包封基底，設置在上電極上；濾色器，設置在包封基底的下表面上，濾色器與下電極疊置。

在本發明的示例性實施例中，發光結構還包括：第二電荷產生層，設置在第二發光層上；第三發光層，設置在第二電荷產生層上。第二公共層覆蓋第二電荷產生層，使得第二電荷產生層在發光區和外圍區中不被暴露。

在本發明的示例性實施例中，第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層，第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層。

根據本發明的示例性實施例，製造oled裝置的方法包括設置包括發光區和外圍區的基底。在基底上的外圍區中形成輔助電源線。在基底上形成具有第一開口的平坦化層。第一開口暴露輔助電源線的一部分。在平坦化層上的發光區中形成下電極。在平坦化層上形成像素限定層。像素限定層包括第二開口和第三開口。第二開口暴露位於外圍區中的輔助電源線的一部分，第三開口暴露位於發光區中的下電極的一部分。在像素限定層、下電極和輔助電源線上形成第一公共層。在第一公共層上形成發光結構，發光結構包括第一發光層、第一電荷產生層和第二發光層。部分地去除第一公共層和發光結構使得輔助電源線的一部分被暴露。在像素限定層、發光結構和輔助電源線上形成第二公共層，使得第一電荷產生層在部分地去除了第一公共層和發光結構的部分中不被暴露。部分地去除第二公共層，使得輔助電源線的一部分被暴露。在像素限定層、發光結構和輔助電源線上形成上電極。

在本發明的示例性實施例中，部分地去除第一公共層和發光結構使得輔助電源線的一部分被暴露的步驟包括使用第一雷射束照射輔助電源線，第一雷射束具有第一寬度。

在本發明的示例性實施例中，部分地去除第二公共層使得輔助電源線的一部分被暴露的步驟包括使用第二雷射束照射輔助電源線，第二雷射束具有比第一寬度小的第二寬度。

在本發明的示例性實施例中，通過第二雷射束去除第二公共層的設置在輔助電源線上的第一部分，第二公共層的設置在第二開口的側壁上的第二部分不被第二雷射束去除。

在本發明的示例性實施例中，第一開口和第二開口疊置，第一公共層、第一發光層、第一電荷產生層和第二發光層順序地形成在第一開口和第二開口中的每個的側壁中。第二公共層覆蓋第一電荷產生層，使得第一電荷產生層在第一開口和第二開口中的任一開口的側壁中不被暴露。

在本發明的示例性實施例中，第一公共層包括空穴注入層和空穴傳輸層，第二公共層包括電子傳輸層和電子注入層。

在本發明的示例性實施例中，所述方法還包括：設置包封基底；在包封基底的下表面上形成濾色器，使得濾色器與下電極疊置；結合包封基底和基底。

根據本發明的示例性實施例，oled裝置包括包含發光區和外圍區的基底。輔助電源線設置在外圍區中。下電極設置在發光區中。下電極電連接到半導體裝置。像素限定層設置在基底上。像素限定層包括設置在輔助電源線的第一部分處的第一開口和設置在下電極的第一部分處的第二開口。第一公共層設置在像素限定層和下電極上。第一公共層包括設置在輔助電源線的第一部分處的第三開口。發光結構設置在第一公共層上。發光結構包括設置在輔助電源線的第一部分處的第四開口。發光結構包括第一發光層、設置在第一發光層上的第一電荷產生層和設置在第一電荷產生層上的第二發光層。第二公共層設置在發光結構上，第二公共層與發光結構疊置。第二公共層包括設置在輔助電源線的第一部分處的第五開口。上電極設置在第二公共層上。上電極和輔助電源線在輔助電源線的第一部分處彼此電連接。

附圖說明

通過結合附圖詳細地描述本發明的示例性實施例，本發明的上述和其它特徵將變得更加清楚，在附圖中：

圖1是示出根據本發明的示例性實施例的有機發光顯示(oled)裝置的剖視圖；

圖2是根據本發明的示例性實施例的圖1的區域a的放大剖視圖；

圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12和圖13是示出根據本發明的示例性實施例的製造oled裝置的方法的剖視圖；

圖14是示出根據本發明的示例性實施例的oled裝置的剖視圖；

圖15是示出根據本發明的示例性實施例的oled裝置的剖視圖；

圖16是示出根據本發明的示例性實施例的圖15的下電極的剖視圖。

具體實施方式

在下文中將參照附圖詳細地解釋本發明的示例性實施例。將理解，當層或元件被稱作在另一層或元件上時，該層或元件可以直接在所述另一層或元件上，或者可以在其間設置中間層或中間元件。

圖1是示出根據本發明的示例性實施例的有機發光顯示(oled)裝置的剖視圖。圖2是根據本發明的示例性實施例的圖1的區域a的放大剖視圖。

參照圖1和圖2，有機發光顯示(oled)裝置100可以包括基底110、半導體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、像素限定層310、第一公共層320、發光結構330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發光結構330可以包括第一發光層331、第一電荷產生層(cgl)333和第二發光層335。如圖2中所示，第一公共層320可以包括空穴注入層(hil)321和空穴傳輸層(htl)322，第二公共層325可以包括電子傳輸層(etl)326和電子注入層(eil)327。

基底110可以包括發光區10和外圍區20。基底110可以包括透明材料。基底110可以包括例如石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等。可選擇地，基底110可以包括諸如柔性透明樹脂基底(例如，聚醯亞胺基底)的柔性透明材料。聚醯亞胺基底可以包括例如第一聚醯亞胺層、阻擋膜層、第二聚醯亞胺層等。由於聚醯亞胺基底相對薄且是柔性的，因此聚醯亞胺基底可以設置在剛性玻璃基底上，在形成上結構(例如，半導體元件250、輔助電源線370、下電極290、第一公共層320、發光結構330、第二公共層325、上電極340等)期間，剛性玻璃基底用於支撐。基底110可以具有例如第一聚醯亞胺層、阻擋膜層和第二聚醯亞胺層堆疊在剛性玻璃基底上的結構。當製造oled裝置100時，在聚醯亞胺基底的第二聚醯亞胺層上設置絕緣層(例如，緩衝層)之後，可以在絕緣層上設置上結構。在絕緣層上形成上結構之後，可以去除其上設置有聚醯亞胺基底的剛性玻璃基底。因為聚醯亞胺基底相對薄且是柔性的，所以在不支撐聚醯亞胺基底的情況下，可能很難在聚醯亞胺基底上形成上結構。因此，可以在聚醯亞胺基底和剛性玻璃基底上形成上結構。然後，在去除剛性玻璃基底之後，聚醯亞胺基底可以用作oled裝置100的基底110。

緩衝層可以設置在基底110上。緩衝層可以被設置為覆蓋整個基底110。緩衝層可以防止金屬原子和/或雜質從基底110擴散到半導體元件250中。另外，緩衝層可以在用於形成有源層130的結晶工藝中控制熱傳遞的速率。因此，可以形成相對均勻的有源層130。另外，當基底110的表面相對不規則(例如，臺階的、波紋的或其它不平坦的)時，緩衝層可以改善基底110的表面平坦性。根據基底110的類型，可以在基底110上設置至少兩個緩衝層。可選擇地，可以不在基底110上設置緩衝層。緩衝層可以包括例如有機材料或無機材料。

半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。

有源層130可以設置在基底110上的發光區10中。有源層130可以包括例如氧化物半導體、無機半導體(例如，非晶矽、多晶矽等)、有機半導體等。

柵極絕緣層150可以設置在有源層130上。柵極絕緣層150可以覆蓋位於基底110上的發光區10中的有源層130並可以設置在整個基底110上。例如，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130並可以具有平的(例如平坦的)表面而沒有圍繞有源層130的臺階。可選擇地，柵極絕緣層150可以覆蓋有源層130，並可以被設置為沿有源層130的輪廓具有基本上均勻的厚度。柵極絕緣層150可以包括矽化合物、金屬氧化物等。例如，柵極絕緣層150可以包括氧化矽(siox)、氮化矽(sinx)、氮氧化矽(sioxny)、碳氧化矽(sioxcy)、碳氮化矽(sicxny)、氧化鋁(alox)、氮化鋁(alnx)、氧化鉭(taox)、氧化鉿(hfox)、氧化鋯(zrox)、氧化鈦(tiox)等。

柵電極170可以設置在柵極絕緣層150上。柵電極170可以設置在發光區10中的有源層130上，並且柵極絕緣層150置於有源層130與柵電極170之間。柵電極170可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，柵電極170可以具有多層結構。

絕緣中間層190可以設置在柵極絕緣層150和柵電極170上。絕緣中間層190可以覆蓋發光區10中的柵電極170，並可以設置在整個基底110上。例如，絕緣中間層190可以覆蓋柵電極170，並可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒有圍繞柵電極170的臺階。可選擇地，絕緣中間層190可以覆蓋柵電極170，並可以被設置為沿柵電極170的輪廓具有均勻的厚度。絕緣中間層190可以包括矽化合物、金屬氧化物等。絕緣中間層190可以使柵電極170與將要形成在絕緣中間層190上的源電極210和漏電極230不接觸而絕緣。

源電極210和漏電極230可以設置在絕緣中間層190上的發光區10中。源電極210可以通過接觸孔與有源層130的第一側接觸。所述接觸孔可以通過去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的一部分來形成。漏電極230可以通過另外的接觸孔與有源層130的第二側接觸。所述另外的接觸孔可以通過去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的一部分來形成。源電極210和漏電極230中的每個可以包括金屬材料，例如，金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，源電極210和漏電極230中的每個可以具有多層結構。因此，包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230的半導體元件250可以設置在基底110上。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置100的半導體元件250具有頂柵結構，但半導體元件250的結構不限於此。例如，在本發明的示例性實施例中，半導體元件250可以具有底柵結構。

另外，oled裝置100的半導體元件250可以設置在發光區10中。然而，設置半導體元件250的位置不限於發光區10。例如，半導體元件250可以設置在外圍區20中。

輔助電源線370可以設置在絕緣中間層190上的外圍區20中。輔助電源線370可以與半導體元件250(例如，源電極210和漏電極230)分隔開。

當oled裝置的尺寸變大時，上電極的電阻會增大。當上電極的電阻增大時，會在oled裝置中產生ir降(例如，電壓降)。因此，oled裝置的亮度會不均勻。在本發明的示例性實施例中，oled裝置100還可以包括輔助電源線370以減小ir降。輔助電源線370可以與上電極340直接接觸。輔助電源線370可以是提供低電源電壓的低電源電壓布線。低電源電壓可以施加到例如輔助電源線370，輔助電源線370可以將低電源電壓提供到上電極340。輔助電源線370可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，輔助電源線370可以包括鋁(al)、鋁合金、氮化鋁(alnx)、銀(ag)、銀合金、鎢(w)、氮化鎢(wnx)、銅(cu)、銅合金、鎳(ni)、鉻(cr)、氮化鉻(crnx)、鉬(mo)、鉬合金、鈦(ti)、氮化鈦(tinx)、鉑(pt)、鉭(ta)、氮化鉭(tanx)、釹(nd)、鈧(sc)、氧化鍶釕(sro)、氧化鋅(znox)、氧化錫(snox)、氧化銦(inox)、氧化鎵(gaox)、氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)等。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，輔助電源線370可以具有多層結構。在本發明的示例性實施例中，源電極210、漏電極230和輔助電源線370可以使用相同的材料同時地形成。

平坦化層270可以設置在絕緣中間層190、源電極210、漏電極230和輔助電源線370的一部分上。平坦化層270可以覆蓋外圍區20中的輔助電源線370的兩個側部。在本發明的示例性實施例中，平坦化層270可以置於像素限定層310與基底110之間。另外，平坦化層270可以具有暴露外圍區20中的輔助電源線370的一部分的第一開口360。平坦化層270可以是相對厚的以覆蓋絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。在此情況下，平坦化層270可以具有平的(例如，平坦的)上表面。另外，還可以對平坦化層270執行平坦化工藝以使平坦化層270的上表面平坦。平坦化層270可以包括有機材料或無機材料。在本發明的示例性實施例中，平坦化層270可以包括有機材料。平坦化層270可以包括例如光致抗蝕劑、聚丙烯類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂、矽氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂、環氧類樹脂等。

下電極290可以設置在平坦化層270上的發光區10中。下電極290的厚度可以大於上電極340的厚度，使得從發光結構330發射的光可以在朝向包封基底350(例如，朝向oled裝置100的前方)的方向上反射。下電極290可以通過接觸孔與漏電極230接觸。所述接觸孔可以通過去除平坦化層270的一部分來形成。另外，下電極290可以電連接到半導體元件250。下電極290可以包括金屬材料，例如，金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，下電極290可以具有多層結構。

像素限定層310可以設置在下電極290的一部分和平坦化層270上，使得像素限定層310暴露外圍區20中的輔助電源線370。像素限定層310可以覆蓋下電極290的兩個側部。在本發明的示例性實施例中，像素限定層310可以具有第二開口362和第三開口364，第二開口362暴露位於外圍區20中的輔助電源線370的一部分，第三開口364暴露位於發光區10中的下電極290的一部分。第一開口360和第二開口362可以疊置。第二開口362的尺寸可以大於第一開口360的尺寸。像素限定層310可以包括有機材料或無機材料。在本發明的示例性實施例中，像素限定層310可以僅包括有機材料。

第一公共層320可以設置在像素限定層310和下電極290上。第一公共層320可以暴露輔助電源線370的一部分。第一公共層320可以設置在第一開口360和第二開口362的側壁上。如上所述，第一公共層320可以包括hil321和htl322。hil321可以設置在平坦化層270上，htl322可以設置在hil321上。hil321可以包括空穴注入材料，例如，(n-咔唑基)三苯胺(tcta)或4,4',4」-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)。htl322可以包括空穴傳輸材料，例如，4,4'-雙[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]聯苯(npb)、4,4'-雙[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]聯苯(tpd)、n,n'-二-1-萘基-n,n'-二苯基-1,1'-聯苯基-4,4'-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑或它們的組合。

發光結構330可以設置在第一公共層320上。發光結構330可以暴露輔助電源線370的一部分。發光結構330可以在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中設置在第一公共層320上。如上所述，發光結構330可以包括第一發光層331、第一cgl333和第二發光層335。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第一發光層331可以設置在第一公共層320上，第一cgl333可以設置在第一發光層331上。另外，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第二發光層335可以設置在第一cgl333上。在本發明的示例性實施例中，發光結構330可以具有迭層結構。

第一發光層331可以發射具有第一波長的光和具有第二波長的光。例如，第二波長可以與第一波長不同。這裡，具有第一波長的光和具有第二波長的光可以彼此混合，並且可以產生具有黃顏色的光。例如，具有第一波長的光可以是具有紅顏色的光，具有第二波長的光可以是具有綠顏色的光。第一發光層331可以包括紅色和綠色的發射材料。可選擇地，具有第一波長的光可以是具有綠顏色的光，具有第二波長的光可以是具有紅顏色的光。

第一cgl333可以包括n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層。這裡，當電壓被施加到n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層時，可以發生氧化還原反應，在形成複合物之後可以產生電荷。第一cgl333可以包括芳基胺類有機化合物和金屬材料(例如，金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氟化物等)。這些化合物和/或材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，柵電極170可以具有多層結構。例如，芳基胺類有機化合物可以包括α-npd、2-tnata、tdata、mtdata、螺-tad、螺-npb等，金屬材料可以包括銫(cs)、mo、ti、w、鋇(ba)、鋰(li)等。另外，金屬氧化物、金屬碳化物和金屬氟化物可以包括re2o7、moo3、v2o5、wo3、tio2、cs2co3、氟化鋇(baf)、氟化鋰(lif)、氟化銫(csf)等。

第二發光層335可以發射具有第三波長的光。具有第三波長的光可以是例如與具有第一波長的光和具有第二波長的光具有不同顏色的光。具有第三波長的光可以是具有藍顏色的光。第二發光層335可以包括藍顏色的發射材料。因此，從第一發光層331發射的具有第一波長的光和具有第二波長的光以及從第二發光層335發射的具有第三波長的光可以混合。因此，由混合具有第一波長的光、具有第二波長的光和具有第三波長的光所得的光可以是具有白顏色的光。可選擇地，第一發光層331可以包括黃-綠磷光材料，第二發光層335可以包括藍螢光材料。在此情況下，第二發光層335可以通過使用藍螢光材料產生具有藍顏色的光，第一發光層331可以通過使用黃-綠磷光材料產生黃-綠顏色的光。可以通過混合藍顏色的光和黃-綠顏色的光來產生具有白顏色的光。

第二公共層325可以設置在發光結構330上。另外，第二公共層325可以覆蓋發光結構330，並可以暴露輔助電源線370的一部分。第二公共層325可以在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中設置在發光結構330上。如上所述，第二公共層325可以包括etl326和eil327。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，etl326可以設置在發光結構330(例如，第二發光層335)上。eil327可以設置在etl326上。在本發明的示例性實施例中，第二公共層325可以覆蓋第一cgl333使得在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中不暴露第一cgl333。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第二公共層325可以覆蓋第一公共層320的末端部分、第一發光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二發光層335的末端部分。在此情況下，第一公共層320的末端部分、第一發光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分和第二發光層335的末端部分可以分別是面對輔助電源線370的端部。另外，在第一開口360和第二開口362中，第二公共層325可以與輔助電源線370的上表面的一部分接觸。因此，包括第一發光層331、第一cgl333和第二發光層335的發光結構330可以設置在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中。

在本發明的示例性實施例中，oled裝置100的迭層結構包括第一發光層331、第一cgl333和第二發光層335。然而，oled裝置的迭層結構不限於此。例如，在本發明的示例性實施例中，迭層結構可以包括第一公共層320、第一發光層331、第一cgl333、第二發光層335和第二公共層325。

當第二公共層325不覆蓋第一cgl333時，第一cgl333會被暴露，並會直接接觸上電極340。在此情況下，第一cgl333和上電極340會短路(例如，彼此電接觸)。當第一cgl333和上電極340短路時，不會從發光區10發射具有白顏色的光。由於第二公共層325覆蓋第一cgl333，因此第二公共層325可以將第一cgl333與上電極340電絕緣。因此，第一cgl333和上電極340不會短路。因此，可以從發光區10發射具有白顏色的光。

etl326可以包括電子傳輸材料，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、2-(4-聯苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(balq)、浴銅靈(bcp)、三唑(taz)、苯基喹唑啉或它們的組合。eil327可以包括電子注入材料，例如，lif、羥基喹啉鋰(liq)、li2o、bao、nacl、csf等。

上電極340可以設置在第二公共層325和輔助電源線370上。上電極340可以覆蓋第二公共層325。上電極340可以與輔助電源線370直接接觸。上電極340可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。

包封基底350可以設置在上電極340上。包封基底350和基底110可以包括相同的材料。例如，包封基底350可以包括石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等。在本發明的示例性實施例中，包封基底350可以包括透明無機材料或柔性塑料。例如，包封基底350可以包括柔性透明樹脂。在此情況下，為了增加oled裝置100的柔性，包封基底350可以包括至少一個無機層和至少一個有機層交替地堆疊的堆疊結構。

濾色器380可以設置在包封基底350的下表面上，並可以與下電極290疊置。濾色器380可以包括紅色濾色器、綠色濾色器和/或藍色濾色器。可選擇地，濾色器380可以包括黃色濾色器、青色濾色器和/或品紅色濾色器。濾色器380可以包括光敏樹脂(或彩色光致抗蝕劑)等。

根據本發明的示例性實施例的oled裝置100包括覆蓋第一cgl333的第二公共層325。由於第二公共層325覆蓋第一cgl333，因此第一cgl333和上電極340可以彼此電絕緣。因此，第一cgl333和上電極340不會短路，oled裝置100可以在發光區10中發射具有白顏色的光。另外，由於oled裝置100包括輔助電源線370，因此可以減少oled裝置100中產生的ir降(例如，電壓降)。因此，oled裝置100可以顯示具有均勻亮度的圖像。

圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12和圖13是示出根據本發明的示例性實施例的製造oled裝置的方法的剖視圖。

參照圖3，基底510可以包括發光區10和外圍區20。基底510可以包括透明材料。例如，基底510可以包括石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等。可選擇地，基底510可以包括諸如柔性透明樹脂基底(例如，聚醯亞胺基底)的柔性透明材料。

可以在基底510上形成緩衝層。可以在整個基底510上形成緩衝層。緩衝層可以防止金屬原子和/或雜質從基底510擴散到半導體元件中。另外，緩衝層可以在用於形成有源層的結晶工藝中控制熱傳遞的速率，以獲得均勻的有源層。另外，當基底510的表面相對不規則(例如，臺階的、波紋的或其它不平坦的)時，緩衝層可以使基底510更加平坦。可以根據基底510的類型來在基底510上設置至少兩個緩衝層。可選擇地，可以不在基底510上設置緩衝層。例如，可以使用有機材料或無機材料來形成緩衝層。

可以在基底510上的發光區10中形成有源層530。例如，可以使用氧化物半導體、無機半導體、有機半導體等來形成有源層530。

可以在有源層530上形成柵極絕緣層550。柵極絕緣層550可以覆蓋基底510上的發光區10中的有源層530，並可以形成在整個基底510上。例如，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530。另外，柵極絕緣層550可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒有圍繞有源層530的臺階。可選擇地，柵極絕緣層550可以覆蓋有源層530，並可以被設置為沿有源層530的輪廓具有均勻的厚度。柵極絕緣層550可以包括矽化合物、金屬氧化物等。例如，可以使用siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox、tiox等來形成柵極絕緣層550。

可以在柵極絕緣層550上形成柵電極570。可以在有源層530上形成柵電極570以使柵電極570與發光區10中的有源層530疊置。可以使用例如金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等的金屬材料來形成柵電極570。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，柵電極570可以以多層結構來形成。

參照圖4，可以在柵極絕緣層550和發光區10中的柵電極570上形成絕緣中間層590。絕緣中間層590可以覆蓋發光區10中的柵電極570，並可以形成在整個基底510上。例如，絕緣中間層590可以覆蓋柵電極570，並可以具有平的(例如，平坦的)表面，而沒有圍繞柵電極570的臺階。可選擇地，絕緣中間層590可以覆蓋柵電極570，並可以被形成為沿柵電極570的輪廓具有基本上均勻的厚度。可以使用矽化合物、金屬氧化物等來形成絕緣中間層590。

可以在絕緣中間層590上的發光區10中形成源電極610和漏電極630。源電極610可以通過接觸孔與有源層530的第一側接觸。可以通過去除柵極絕緣層550和絕緣中間層590的一部分來形成所述接觸孔。漏電極630可以通過接觸孔與有源層530的第二側接觸。可以通過去除柵極絕緣層550和絕緣中間層590的一部分來形成所述接觸孔。可以使用例如金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等的材料來形成源電極610和漏電極630中的每個。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。因此，可以在基底510上形成包括有源層530、柵極絕緣層550、柵電極570、絕緣中間層590、源電極610和漏電極630的半導體元件650。

可以在絕緣中間層590上的外圍區20中形成輔助電源線770。輔助電源線770可以與源電極610和漏電極630分隔開。可以使用例如金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等的金屬材料來形成輔助電源線770。例如，輔助電源線770可以包括al、鋁合金、alnx、ag、銀合金、w、wnx、cu、銅合金、ni、cr、crnx、mo、鉬合金、ti、tinx、pt、ta、tanx、nd、sc、sro、znox、snox、inox、gaox、ito、izo等。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，輔助電源線770可以具有多層結構。在本發明的示例性實施例中，可以使用相同的材料來同時地形成源電極610、漏電極630和輔助電源線770。例如，可以在整個絕緣中間層590上形成初始金屬層。在形成初始金屬層之後，可以通過將初始金屬層圖案化來形成源電極610、漏電極630和輔助電源線770。

參照圖5，可以在絕緣中間層590、源電極610、漏電極630和輔助電源線770的一部分上形成平坦化層670。平坦化層670可以覆蓋外圍區20中的輔助電源線770的兩個端部。在本發明的示例性實施例中，平坦化層670可以具有暴露外圍區20中的輔助電源線770的一部分的第一開口760。例如，平坦化層670可以被形成為相對厚，以覆蓋絕緣中間層590、源電極610和漏電極630。在此情況下，平坦化層670可以具有平的上表面。另外，還可以對平坦化層670執行平坦化工藝以產生平坦化層670的平的(例如，平坦的)上表面。平坦化層670可以包括有機材料或無機材料。在本發明的示例性實施例中，可以使用有機材料來形成平坦化層670。例如，平坦化層670可以包括光致抗蝕劑、聚丙烯類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚醯胺類樹脂、矽氧烷類樹脂、丙烯酸類樹脂、環氧類樹脂等。

參照圖6，可以在平坦化層670上的發光區10中形成下電極690。下電極690可以與漏電極630接觸以填充通過去除平坦化層670的一部分形成的接觸孔。另外，下電極690可以電連接到半導體元件650。例如，可以使用例如金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等的金屬材料來形成下電極690。這些材料可以單獨使用或彼此組合使用。可選擇地，下電極690可以具有多層結構。

可以在下電極690的一部分和平坦化層670上形成像素限定層710，使得像素限定層710暴露輔助電源線770。可以在外圍區20中形成輔助電源線770。像素限定層710可以覆蓋下電極690的兩個端部。在本發明的示例性實施例中，像素限定層710可以具有暴露外圍區20中的輔助電源線770的一部分的第二開口762和暴露發光區10中的下電極690的一部分的第三開口764。第一開口760和第二開口762可以疊置。第二開口762的尺寸可以大於第一開口760的尺寸。像素限定層710可以包括有機材料或無機材料。在本發明的示例性實施例中，可以僅使用有機材料來形成像素限定層710。

參照圖7，可以在整個基底510上順序地形成初始第一公共層820、初始第一發光層831、初始第一電荷產生層(cgl)833和初始第二發光層835。例如，可以在像素限定層710、下電極690和輔助電源線770上形成初始第一公共層820。可以在初始第一公共層820上形成初始第一發光層831。另外，可以在初始第一發光層131上形成初始第一cgl833。可以在初始第一cgl833上形成初始第二發光層835。在形成初始第一公共層820、初始第一發光層831、初始第一cgl833和初始第二發光層835之後，可以通過雷射束對輔助電源線770上的第一寬度w1進行照射，使得輔助電源線770的一部分被暴露。例如，雷射束可以具有第一寬度w1。

參照圖8，在使用具有第一寬度w1的雷射束對輔助電源線770進行照射之後，可以形成發光結構730。發光結構730可以包括第一公共層720、第一發光層731、第一cgl733和第二發光層735。

可以在像素限定層710和下電極690上形成第一公共層720。第一公共層720可以暴露輔助電源線770的一部分。可以在第一開口760和第二開口762的側壁上形成第一公共層720。第一公共層720可以包括hil和htl(參見圖2)。可以在平坦化層670上形成hil，可以在hil上形成htl。例如，可以使用空穴注入材料形成hil，可以使用空穴傳輸材料形成htl。

可以在第一公共層720上形成發光結構730，並可以使發光結構730暴露輔助電源線770的一部分。可以在第一開口760和第二開口762的側壁中的第一公共層720上形成發光結構730。例如，在第一開口760和第二開口762的側壁中，可以在第一公共層720上形成第一發光層731。另外，可以在第一發光層731上形成第一cgl733。可以在第一cgl733上形成第二發光層735。在本發明的示例性實施例中，發光結構730可以具有迭層結構。

第一發光層731可以發射具有第一波長的光和具有第二波長的光。第一波長和第二波長可以彼此不同。這裡，可以混合具有第一波長的光和第二波長的光，並可以產生具有黃顏色的光。例如，具有第一波長的光可以是具有紅顏色的光，具有第二波長的光可以是具有綠顏色的光。可選擇地，具有第一波長的光可以是具有綠顏色的光，具有第二波長的光可以是具有紅顏色的光。

可以使用n型芳基胺類層和p型金屬氧化物層形成第一cgl733。第一cgl733可以包括芳基胺類有機化合物、金屬、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氟化物等。這些化合物和/或材料可以單獨使用或彼此組合使用。

第二發光層735可以發射第三波長的光，例如，與具有第一波長的光和具有第二波長的光不同的光。這裡，第三波長的光可以是具有藍顏色的光。可以混合從第一發光層731發射的具有第一波長的光和具有第二波長的光以及從第二發光層735發射的具有第三波長的光。因此，由混合具有第一波長的光、具有第二波長的光和具有第三波長的光所得的光可以是具有白顏色的光。可選擇地，可以使用黃-綠磷光材料來形成第一發光層731，可以使用藍螢光材料來形成第二發光層735。在此情況下，可以通過使用藍螢光材料來使第二發光層735產生具有藍顏色的光，並可以通過使用黃-綠磷光材料來使第一發光層731產生黃-綠顏色的光。可以通過混合藍顏色的光和黃-綠顏色的光來產生具有白顏色的光。

參照圖9，可以在發光結構730和輔助電源線770上形成初始第二公共層825。在形成初始第二公共層825之後，可以通過具有第二寬度w2的雷射束照射輔助電源線770，使得輔助電源線770的一部分被暴露。第二寬度w2可以小於第一寬度w1。因此，可以通過雷射束去除初始第二公共層825的位於輔助電源線770上的那部分。然而，不使用雷射束照射初始第二公共層825的位於第一開口760和第二開口762的側壁上的部分。

參照圖10，在具有第二寬度w2的雷射束已經對初始第二公共層825進行了照射之後，可以形成第二公共層725。第二公共層725可以形成在發光結構730上。第二公共層725可以覆蓋發光結構730，第二公共層725可以暴露輔助電源線770的一部分。第二公共層725可以形成在第一開口760和第二開口762的側壁中的發光結構730上。第二公共層725可以包括etl和eil。例如，在第一開口760和第二開口762的側壁中，可以在第二發光層735上形成etl，可以在etl上形成eil。在本發明的示例性實施例中，第二公共層725可以覆蓋第一cgl733，使得第一cgl733在第一開口760和第二開口762的側壁中不被暴露。例如，在第一開口760和第二開口762的側壁中，第二公共層725可覆蓋第一公共層720的末端部分、第一發光層731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二發光層735的末端部分。在這種情況下，第一公共層720的末端部分、第一發光層731的末端部分、第一cgl733的末端部分和第二發光層735的末端部分可以分別是面對輔助電源線770的端部。另外，第二公共層725可以與輔助電源線770的上表面的一部分接觸。

可以使用電子傳輸材料來形成etl。另外，可以使用電子注入材料來形成eil。

參照圖11，可以在第二公共層725和輔助電源線770上形成上電極740。上電極740可以覆蓋第二公共層725。另外，上電極740可以與輔助電源線770直接接觸。可以使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等來形成上電極740。

參照圖12，可以在上電極740上形成包封基底750。可以使用相同的材料來形成包封基底750和基底510。例如，可以使用石英、人造石英、氟化鈣、摻氟石英、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃等來形成包封基底750。在本發明的示例性實施例中，包封基底750可以包括透明無機材料或柔性塑料。例如，包封基底750可以包括柔性透明樹脂。

可以在包封基底750的下表面上形成濾色器780，並可以使濾色器780與下電極690疊置。濾色器780可以包括紅色濾色器、綠色濾色器和/或藍色濾色器。可選擇地，濾色器780可以包括黃色濾色器、青色濾色器和/或品紅色濾色器。可以使用光敏樹脂(或彩色光致抗蝕劑)等來形成濾色器780。

參照圖13，可以將包封基底750和基底510組合(例如，將包封基底750和基底510密封在一起)。例如，將包封基底750和基底510組合的步驟可以包括將包封基底750和基底510固定在一起。因此，可以製造圖1中示出的oled裝置100。由於第二公共層725覆蓋第一cgl733，因此第一cgl733和上電極740可以電絕緣。因此，第一cgl733和上電極740不會短路(例如，彼此電連接)，oled裝置100可以在發光區10中發射白顏色的光。

圖14是示出根據本發明的示例性實施例的oled裝置的剖視圖。除了發光結構1330之外，圖14中示出的oled裝置可以具有與參照圖1和圖2描述的oled裝置100的構造基本上相同或相似的構造。在圖14中，為了簡潔起見可以省略先前參照圖1和圖2描述的元件的詳細描述。

參照圖14，oled裝置可以包括基底110、半導體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、像素限定層310、第一公共層320、發光結構1330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發光結構1330可以包括第一發光層331、第一cgl333、第二發光層335、第二cgl337和第三發光層339。如圖2中所示，第一公共層320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共層325可以包括etl326和eil327。

發光結構1330可以設置在第一公共層320上，並可以暴露輔助電源線370的一部分。發光結構1330可以設置在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中的第一公共層320上。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第一發光層331可以設置在第一公共層320上，第一cgl333可以設置在第一發光層331上。另外，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第二發光層335可以設置在第一cgl333上，第二cgl337可以設置在第二發光層335上。

在本發明的示例性實施例中，發光結構1330可以具有迭層結構。例如，第一發光層331可以包括可發射具有紅顏色的光的發光層，第二發光層335可以包括可發射具有綠顏色的光的發光層。另外，第三發光層339可以包括可發射具有藍顏色的光的發光層。第一cgl333可以置於可發射具有紅顏色的光的發光層與可發射具有綠顏色的光的發光層之間。第二cgl337可以置於可發射具有綠顏色的光的發光層與可發射具有藍顏色的光的發光層之間。可以通過混合上面提到的具有紅顏色、藍顏色和綠顏色的光來產生具有白顏色的光。第一發光層331可以包括可發射具有紅顏色的光的發光材料。第二發光層335可以包括可發射具有綠顏色的光的發光材料。另外，第三發光層339可以包括可發射具有藍顏色的光的發光材料。可選擇地，第一發光層331可以包括黃磷光材料，第二發光層335可以包括藍螢光材料。另外，第三發光層339可以包括藍螢光材料。可以通過混合從黃磷光材料和藍螢光材料發射的光來產生具有白顏色的光。

第二公共層325可以設置在發光結構1330上。另外，第二公共層325可以覆蓋發光結構1330，並可以暴露輔助電源線370的一部分。第二公共層325可以設置在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中的發光結構1330上。如上所述，第二公共層325可以包括etl326和eil327。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，etl326可以設置在發光結構1330上(例如，在第三發光層339上)，eil327可以設置在etl326上。在本發明的示例性實施例中，第二公共層325可以覆蓋第一cgl333和第二cgl337，使得第一cgl333和第二cgl337在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中不被暴露。例如，在第一開口360和第二開口362中的每個的側壁中，第二公共層325可以覆蓋第一公共層320的末端部分、第一發光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二發光層335的末端部分、第二cgl337的末端部分以及第三發光層339的末端部分。在這種情況下，第一公共層320的末端部分、第一發光層331的末端部分、第一cgl333的末端部分、第二發光層335的末端部分、第二cgl337的末端部分和第三發光層339的末端部分分別可以是面對輔助電源線370的端部。另外，在第一開口360和第二開口362中，第二公共層325可以與輔助電源線370的上表面的一部分接觸。

圖15是示出根據本發明的示例性實施例的oled裝置的剖視圖。圖16是示出根據本發明的示例性實施例的圖15的下電極的剖視圖。除了導電圖案390之外，圖15中示出的oled裝置可以具有與參照圖1和圖2描述的oled裝置100的構造基本相同或相似的構造。在圖15和圖16中，為了簡潔起見可以省略先前參照圖1和圖2描述的元件的詳細描述。

參照圖15和圖16，oled裝置可以包括基底110、半導體元件250、輔助電源線370、平坦化層270、下電極290、導電圖案390、像素限定層310、第一公共層320、發光結構330、第二公共層325、上電極340、濾色器380、包封基底350等。半導體元件250可以包括有源層130、柵極絕緣層150、柵電極170、絕緣中間層190、源電極210和漏電極230。發光結構330可以包括第一發光層331、第一cgl333和第二發光層335。如圖2中所示，第一公共層320可以包括hil321和htl322。另外，第二公共層325可以包括etl326和eil327。如圖16中所示，下電極290可以包括第一透明電極層291、反射電極層292和第二透明電極層293。

下電極290可以設置在平坦化層270上的發光區10中。

oled裝置可以在發光區10中沿朝向包封基底350的方向顯示圖像(例如，頂發射結構)。因此，下電極290可以包括光反射層。例如，如圖16中所示，下電極290可以具有多層結構。下電極290的多層結構可以包括第一透明電極層291、反射電極層292和第二透明電極層293。第一透明電極層291可以設置在平坦化層270上的發光區10中，反射電極層292和第二透明電極層293可以順序地設置在第一透明電極層291上。第一透明電極層291和第二透明電極層293可以具有第一厚度，反射電極層292可以具有第二厚度。反射電極層292的第二厚度可大於第一透明電極層291的第一厚度。第一透明電極層291和第二透明電極層293可以包括相同的材料。反射電極層292可以置於第一透明電極層291與第二透明電極層293之間。

第一透明電極層291可以覆蓋平坦化層270的不平坦的上表面。由於第一透明電極層291設置在平坦化層270上，因此第一透明電極層291可以用來形成反射電極層292。由於第二透明電極層293設置在反射電極層292上，因此可以根據需要來控制oled裝置的色坐標。反射電極層292可以反射光。例如，反射電極層292可以使從第一發光層330發射的光朝向oled裝置的前方反射。因此，包括反射電極層292的下電極290可以基本是不透明的。例如，反射電極層292可以包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物等。第一透明電極層291和第二透明電極層293中的每個可以是基本透明的。第一透明電極層291和第二透明電極層293中的每個可以包括透明導電材料等。

導電圖案390可以置於輔助電源線370與上電極340之間。導電圖案390可以增加上電極340和輔助電源線370的接觸特性。

可以使用相同的材料同時形成導電圖案390和下電極290。例如，導電圖案390可以具有多層結構。

本發明可以應用於包括有機發光顯示裝置的各種顯示裝置。例如，本發明可以應用於車輛顯示裝置、船舶顯示裝置、飛行器顯示裝置、可攜式通信裝置、顯示信息傳遞的用於顯示器的顯示裝置、醫療顯示裝置等。

雖然已經參照本發明的示例性實施例具體示出並描述了本發明，但是本領域普通技術人員將清楚的是，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，在此可以在形式上和細節上做出各種改變。