發光元件的製作方法

2024-01-27 19:49:15

專利名稱：發光元件的製作方法
技術領域：
本發明涉及發光元件的層狀結構，該發光元件具有包含位於陽極和 陰極之間的發光材料的層，且該發光元件在施加電場時可發光。
背景技術：
作為使用有機半導體材料作為功能有機材料的光電器件的示例，可 提到發光元件、太陽能電池等。這些器件利用了有機半導體材料的電學 性能(載流子輸運性能)或光學性能(光吸收或發光性能)。尤其是， 發光元件已經得到顯著的發展。
發光元件包含一對電極(陽極和陰極)和包含插在該對電極之間的 發光材料的層。該發光機制如下所述。對該對電極施加電壓時，從陽極 注入的空穴和從陰極注入的電子在包含發光材料的層內的發光中心相互 複合以形成分子激子，該分子激子返回到基態同時以光的形式輻射能量。 該發光材料存在兩種可能的受激狀態，即單重態和三重態。認為可通過 單重態也可通過三重態實現光發射。
最近，通過形成由有機化合物製成的電子注入層而成功地降低了驅
動電壓(見未審查專利公開No. 10-270171 )，其中有機化合物摻雜了功 函數低的金屬(具有電子施主性能的金屬)諸如鹼金屬、鹼土金屬、或 稀土金屬以降低將電子從陰極注入到有機化合物內的能壘。根據該技術 可降低驅動電壓，儘管使用了諸如A1的穩定金屬形成陰極。
通過採用該技術的應用，可成功地控制發光元件的發射光語(見未 審查專利公開No. 2001-102175 )。在未審查專利公開No. 2001-102175 中，提供了由有機化合物製成的電子注入層，該有機化合物摻雜了對其 而言具有電子施主性能的金屬。該未審查專利公開已經公開了增大該電 子注入層的厚度以改變陰極和發光層之間的光路，使得發射到外部的發 射光語由於光幹涉效應而得到控制。
根據該未審查專利公開No. 2001-102175，儘管增大電子注入層的厚 度以控制發射光譜，通過採用前述電子注入層引起的驅動電壓增大較小。 然而實際上，除非使用諸如bathocuproin ( BCP )的用作配位體的特殊有機化合物，才能大幅降低驅動電壓。因此，在未審查專利公開No. 10-270171和2001-102175中公開的電 子注入層技術存在這樣的問題，即使增大電子注入層從而改善製造成品 率，或者控制發射光i普以改善顏色純度，除非選用充當配位體的有機化 合物，否則功耗將增大。下面參考圖2解釋在未審查專利公開No. 10-270171和2001-102175 中公開的工作原理。圖2闡述了使用如未審查專利公開No. 10-270171和2001-102175 中所公開的電子注入層的傳統發光元件的基本配置。在傳統發光元件(圖2)中，從陽極201注入的空穴和從陰極204 注入的電子在施加正向偏壓時複合，從而在包含發光材料202的層內發 光。在該示例中，電子注入層203由摻雜了金屬的有機化合物製成，該 金屬(鹼金屬或鹼土金屬)具有高電子施主性能。電子注入層203用於使電子流動，將其注入到包含發光材料的層 202。然而，由於有機化合物的電子遷移率比其空穴遷移率^f氐兩個數量級， 如果將電子注入層製成厚度與可見光波長(亞微米量級)相當以便例如 控制發射光語，則驅動電壓將增大。發明內容鑑於前述描述，本發明的目標是提供一種發光元件，該發光元件能 夠增大厚度，通過與根據現有技術使用充當配位體的材料的發光元件不 同的新穎方法，該發光元件工作於低的驅動電壓。本發明更具體的目標 是提供功耗更低且發射具有良好顏色純度的光的發光元件。本發明的更 為具體的目標是提供低功耗且製造成品率高的發光元件。發明者經過認真考慮之後發現，通過提供具有下述配置的發光元件 可解決前述問題。本發明的一個實施例提供的發光元件包含陽極和陰極、以及包含 發光材料的第一層、包含n型半導體的第二層、和包含p型半導體的第 三層，這些層均插在該對電極之間；其中第一層、笫二層、和笫三層依 次形成於陽極之上以夾在該陽極和陰極之間，使得第三層與該陰極接觸 形成。該n型半導體優選為金屬氧化物，特別地為從包括氧化鋅、氧化錫、和氧化鈦的組中選擇的一種化合物或兩種或更多種化合物。該P型半導 體優選為金屬氧化物，特別地為從包括氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧化 鈷、及氧化鎳的組中選擇的一種化合物或兩種或更多種化合物。本發明的另一個實施例提供的發光元件包含陽極和陰極、以及包 含發光材料的第一層、包含有機化合物和對於該有機化合物具有電子施 主性能的材料的第二層、和包含p型半導體的第三層，這些層均插在該 對電極之間；其中第一層、第二層、和第三層依次形成於陽極之上以夾 在該陽極和陰極之間，使得第三層與該陰極接觸形成。該p型半導體優選為金屬氧化物，特別地為從包括氧化釩、氧化鉻、 氧化鉬、氧化鈷、及氧化鎳的組中選擇的一種化合物或兩種或更多種化 合物。在第二層中，該有機化合物優選為具有電子輸運性能的有機化合物，特別地為具有7T共軛骨架的具有配位體的金屬絡合物。具有電子施主性能的該材料優選為鹼金屬、鹼土金屬、或稀土金屬。本發明的又一個實施例提供的發光元件包含陽極和陰極、以及包 含發光材料的第一層、包含n型半導體的第二層、和包含有機化合物和 具有電子受主性能的材料的第三層，這些層均插在該對電極之間；其中 第一層、第二層、和第三層依次形成於陽極之上以夾在該陽極和陰極之 間，使得笫三層與該陰極接觸形成。該n型半導體優選為金屬氧化物，特別地為從包括氧化鋅、氧化錫、 和氧化鈦的組中選擇的一種化合物或兩種或更多種化合物。在笫三層中， 該有機化合物優選為具有空穴輸運性能的有機化合物，特別地為具有芳 香胺骨架的有機化合物。具有電子受主性能的材料優選為金屬氧化物。本發明的又一個實施例提供的發光元件包含陽極和陰極、以及包 含發光材料的第一層、包含第一有機化合物和對於該有機化合物具有電 子施主性能的材料的第二層、和包含第二有機化合物和具有電子受主性 能的材料的第三層，這些層均插在該對電極之間；其中第一層、第二層、 和第三層依次形成於陽極之上以夾在該陽極和陰極之間，使得第三層與 該陰極接觸形成。該第一有機化合物優選為具有電子輸運性能的有機化合物，特別地為具有7T共軛骨架的具有配位體的金屬絡合物。具有電子施主性能的材料優選為鹼金屬、鹼土金屬、或稀土金屬。另外，第二有機化合物優選 為具有空穴輸運性能的有機化合物，特別地為具有芳香胺骨架的有機化合物。具有電子受主性能的該材料優選為金屬氧化物。本發明的又一個實施例提供的發光元件包含陽極和陰極、以及包 含發光材料的第一層、包含有機化合物和金屬的第二層、和由金屬氧化 物製成的第三層，這些層均插在該對電極之間；其中第一層、第二層、 和第三層依次形成於陽極之上以夾在該陽極和陰極之間，使得第三層與 該陰極接觸形成。備選地，所提供的發光元件包含陽極和陰極、以及 包含發光材料的第一層、包含有機化合物和金屬的第二層、和包含與前 述有機化合物不同的有機化合物和金屬氧化物的第三層，這些層均插在 該對電極之間；其中第一層、第二層、和第三層依次形成於陽極之上以 夾在該陽極和陰極之間，使得第三層與該陰極接觸形成。第二層中包含的有機化合物優選為具有電子輸運性能的有機化合物，特別地為具有7T共軛骨架的具有配位體的金屬絡合物。另外，第三層中的包含的第二有機化合物優選為具有空穴輸運性能的有機化合物， 特別地為具有芳香胺骨架的有機化合物。該金屬優選為鹼金屬、鹼土金 屬、或稀土金屬。該金屬氧化物優選為從包括氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、 氧化鈷、及氧化鎳的組中選擇的一種化合物或兩種或更多種化合物。儘管使用濺射方法形成根據本發明的發光元件中的陰極，但可獲得 具有良好特性且由於該濺射所遭受損傷很少的發光元件。因此，可使用 主要由濺射形成的諸如IT0 (氧化銦錫)的對可見光是透明的導電材料 形成陰極。對於使用由對可見光是透明的導電材料形成的這種透明電極 的情形，可獲得從陰極發光的發光元件。通過根據本發明的新穎方法，該方法不同於使用充當配位體的材料 的傳統發光元件，可以獲得容易增大厚度並工作於低驅動電壓的發光元 件。因此可以獲得功耗低且發光顏色純度良好的發光元件。同時可獲得 低功耗且製造成品率高的發光元件。通過使用前述發光元件製造發光裝置，可以高成品率地製造發光顏 色純度良好且功耗低的發光裝置。


圖1為根據本發明的發光元件的結構的解釋性視圖； 圖2為根據傳統發明的發光元件的結構的解釋性視圖； 圖3A至3C為根據本發明的發光元件的結構的解釋性視圖；圖4A至4C為根據本發明的發光元件的結構的解釋性視圖；圖5為發光裝置的解釋性視圖；圖6為根據本發明的發光元件的結構的解釋性視圖；圖7為根據本發明發光元件的比較例發光元件的結構的解釋性視圖；圖8為根據本發明發光元件的比較例發光元件的結構的解釋性視圖；圖9A和9B為發光裝置的解釋性視圖；圖IOA至IOC為電器的解釋性視圖；圖11為示出發光元件的電壓-亮度特性的視圖；圖12為示出發光元件的電流-電壓特性的視圖；圖13為示出發光元件的發射光*的視圖；圖14為根據本發明的發光元件的結構的解釋性視圖；圖15為根據本發明發光元件的比較例發光元件的結構的解釋性視圖；圖16為示出發光元件的發射光譜的視圖；以及 圖17為示出發光元件的發射光語的視圖。
具體實施方式
在下文中參考本發明實施例詳細解釋工作原理和具體結構示例。參考圖1解釋根據本發明的發光元件的工作原理。圖1闡述了根據 本發明的發光元件的基本結構。才艮據本發明的發光元件(圖1)製成具有如下結構第一層102、第 二層103、和第三層104依次形成於陽極101之上以夾在該陽極101和 陰極105之間。這裡使用的術語"陽極'，指用於注入空穴的電極。這裡 使用的術語"陰極"指用於注入電子或接收空穴的電極。第二層103為用於產生和輸運電子的層。第二層103由n型半導體、 包含n型半導體的混合物、或具有載流子輸運性能的有機化合物與具有 高電子施主性能的材料的混合物製成。同樣，第三層104為用於產生和 輸運空穴的層。第三層104由p型半導體、包含p型半導體的混合物、 或具有載流子輸運性能的有機化合物與具有高電子受主性能的材料的混 合物製成。另外，第一層102為包含發光材料的層，並由單層或多層製成，使得在第一層102內形成發光區域。對具有前述結構的發光元件施加正向偏壓時，電子和空穴分別從第 二層103和第三層104之間的界面附近沿相反的方向彼此相向流動，如 圖1所示。在由此產生的載流子中，電子與從陽極101注入的空穴在第 一層102內複合。另一方面，空穴穿過第三層104到達陰極105。對於 將注意力集中到第二層103和第三層104的情形，對p-n結施加反向偏 壓。此外，所產生的載流子的數量並不是非常多，但是足以使該發光元 件工作。根據本發明的這種發光元件可以通過增大第三層的厚度而控制光學 路徑，其中該第三層可產生並移動空穴。在這一點上，根據本發明的發 光元件不同於通過增大包含BCP的電子注入層203 (即，產生並輸運電 子的層)的厚度而控制光學路徑的傳統發光元件(圖2)。通常用作空穴輸運材料的有機化合物的空穴遷移率高於通常用作電 子輸運材料的有機化合物的電子遷移率。因此，更好的是通過增大可移 動空穴的層(第三層)的厚度以控制光學路徑，從而防止驅動電壓隨第 三層厚度的增大而提高。在閱讀下述詳細描速以及附圖之後，本發明的這些和其它目的、特 徵、和優點將變得更加顯而易見。將會了解到，對於本領域技術人員而 言，本發明的各種改變和調整是顯而易見的。因此，除非這些改變和調 整偏離下文所述本發明的範圍，應認為這些改變和調整被包含在該範圍 內。實施例1在實施例1中參考圖3A至3C描述根據本發明的發光元件。 如圖3A至3C所示，發光元件的結構包含形成於襯底300上的陽極 301、形成於陽極301上包含發光材料的第一層302、形成於第一層302 上的第二層303、形成於第二層303上的第三層304、以及形成於第三層 304上的陰極305。至於襯底300的材料，可以使用傳統發光元件中使用的任何襯底。例如可以使用玻璃襯底、石英襯底、透明塑料襯底、或柔性襯底。
至於形成陽極301的陽極材料,優選使用具有大功函數(至少4. OeV) 的金屬、合金、具有導電性能的化合物、以及這些材料的混合物。至於 該陽極材料的具體示例，除了 ITO (氧化銦錫)、包含矽的ITO、包含混 合了 2至20%的氧化鋅(ZnO)的氧化銦的IZO (氧化銦鋅)之外，還可 以使用金Uu)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、 鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料氮化物(TiN)等。
另一方面，至於形成陰極305的陰極材料，優選使用具有小功函數 (最大3. 8eV)的金屬、合金、具有導電性能的化合物、以及這些材料 的混合物。至於該陰極材料的具體示例，除了元素周期表中第一列和第 二列的元素(即諸如Li或Cs的鹼金屬、諸如Mg、 Ca或Sr的鹼土金屬)、 這些元素的合金(Mg: Ag、 Al:Li)或化合物(LiF、 CsF、 CaF2)之外，還 可以使用包含稀土金屬的過渡金屬。備選地，可使用包含Al、 Ag、 ITO (包含合金)等的疊層形成陰極305。
通過氣相沉積或濺射分別沉積上述陽極和陰極材料，從而形成用作 陽極301和陰極305的薄膜。優選地將這些薄膜製成厚度為10至500nm。 可最後使用諸如SiN的無機材料或例如Teflon或苯乙烯聚合物的有機材 料形成保護層(阻擋層)。該阻擋層可以是透明的，或者是不透明的。 通過氣相沉積、濺射等使用前述無機材料或有機材料形成該阻擋層。
為了防止發光元件的有機層或電極被氧化或變溼，通過電子束輻射、 氣相沉積、濺射、溶膠-凝膠等方法形成諸如SrOx或SiOx的乾燥劑。
根據本發明的發光元件具有如下結構，即在用作第一層的包含發光 材料的層內通過載流子複合而產生的光，可從陽極301、或從陰極305、 或者這兩個電極發射到外部，如圖3A至3C所示(各圖中的箭頭示出了 發光方向)。當光從陽極301出射時(圖3A)，陽極301由具有透光屬 性的材料製成。當光線從陰極305出射時(圖3B)，陰極305由具有透 光性能的材料製成。當光線從陽極301和陰極305出射時(圖3C),陽 極301和陰極305由具有透光性能的材料製成。
通過堆疊多個層而形成第一層302。在實施例1中，通過堆疊第四 層311、第五層312、和第六層313形成第一層302。第四層311為包含 空穴注入材料的空穴注入層。第五層312為包含空穴輸運材料的空穴輸運層。第六層313為包含發光材料的發光層，當施加電場時形成發光區 域。
用作第一層的包含發光材料的層可以使用已知材料。至於該已知材 料，可以使用基於低分子的材料或基於高分子的材料。
至於形成第四層311的空穴注入材料，可以使用酞菁化合物。例如 可以使用酞菁(下文中稱為H2-Pc)、銅酞菁(下文中稱為Cu-Pc)等。
至於形成第五層312的空穴輸運材料，優選使用芳香胺(即具有苯 環 - 氮鍵(benzene ring-nitrogen bond )的芳香胺)基化合物。例如, 廣泛使用4，4，-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-聯苯(筒寫為TPD) 及其諸如4， 4，-二 [N- (1-萘基)-N-苯基-氨基]-聯苯(簡寫為a -NPD ) 的衍生物。還可以使用星爆型芳香胺化合物，例如4， 4，， 4"-三(N， N-二苯 基-氨基)-三苯基胺(簡寫為TDATA)，以及4，4，，4，，-三[N-(3-甲基苯 基)-N-苯基氨基]-三苯基胺(簡寫為MTDATA)。備選地，可以使用諸如 氧化鉬的導電無機化合物或者該導電無機化合物與前述有機化合物的復 合材料。
至於第六層313中包含的發光材料，可以使用諸如喹吖啶酮、香豆 素、紅熒烯、基於苯乙烯基的顏料、四苯基-丁二烯、蒽、茈、六苯並 苯、12-phthaloperinone乎汴生物。另外，可以推薦諸如三(8-羥基會啉 (quinolinolate))鋁(下文中稱為Alq3)的金屬絡合物。
第二層303可由諸如氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、硫化鋅、硒化鋅、 或碲化鋅的n型半導體製成。或者，第二層303可包含前述n型半導體。 另外備選地，可由有機化合物製成第二層303,其中該有機化合物摻雜 了對其而言具有電子施主性能的材料。至於本示例中的有機化合物，優 選使用電子輸運材料，例如2-(4-二苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1， 3, 4-惡二唑(簡寫為PBD);可推薦前述的0XD-7、 TAZ、 p-EtTAZ、 BPhen、 BCP。另外，可以推薦具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬絡合物，例如 通常導致驅動電壓增大的Alq3;三(5-曱基-8-羥基喹啉)鋁(簡寫為 Almq3)或二(10-羧基苯(hydroxybenzo ) [h]-會啉(quinolinato )) 鈹(簡寫為BeBq2 )、或二 (2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚 (phenylphenolato)-鋁(簡寫為BAlq)。另一方面，至於電子施主 材料，可推薦諸如Li或Cs的鹼金屬、諸如Mg、 Ca或Sr的鹼土金屬、或諸如Er或Yb的稀土金屬。另外，可以使用具有電子施主性能的有機 化合物，例如對於Alq3,可使用四硫富瓦烯或四甲基硫富瓦烯
(tetramethylthiafulvalene )。
第三層304可由例如氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧化鈷、或氧化鎳 的p型半導體製成。備選地，第三層304可包含前述p型半導體。另外 備選地，第三層304可由有機化合物製成，該有機化合物摻雜了對其而 言具有電子受主性能的材料。至於本示例中的有機化合物，優選使用空 穴輸運材料。特別地，優選使用芳香胺基化合物。例如，除了 TPD之外， 還可推薦為TPD衍生物的ot-NPD，或諸如TDATA、 MTDATA等的星爆型芳 香胺化合物。另一方面，至於具有電子受主性能的材料，對於oc-NPD， 可以推薦具有電子受主性能的諸如氧化鉬或氧化釩的金屬氧化物。備選 地，對於oc-NPD，可以使用具有電子受主性能的諸如四氰基對醌二曱烷
(tetracyanoquinodimethan )(簡寫為TCNQ )或2， 3-二氰基對覼 (dicyanonaphtoqui廳)(DCNNQ )的有機化合物。
因此可以形成根據本發明的發光元件。在本實施例中，可將由具有 良好電子輸運性能的材料製成的層提供到第一層302的一部分，從而與 第二層303接觸。至於具有良好電子輸運性能的材料，優選使用具有喹 啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬絡合物，例如三(8-羥基喹啉)鋁(簡寫為 Alq3)、三(5-曱基-8-羥基喹啉)鋁(簡寫為Almq3) 、 二(10-絲苯[h]-喹啉)鈹(簡寫為BeBqJ 、或二(2-曱基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚鋁(簡 寫為BAlq)。備選地，可以使用具有唑基或噻唑基配位體的金屬絡合物， 例如二 [2- (2-羥苯基)-苯峻]鋅(簡寫為Zn (BOX) 2)或二 [2- (2-羥苯基)-苯瘞唑]鋅(簡寫為Zn(BTZ)J 。除了該金屬絡合物之外，還可以使用 2(4-二苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-l，3,4-惡二唑(簡寫為PBD) 、 1， 3-二 [5- (p-叔—丁基苯基)-1， 3， 4-惡二唑-2 -基]苯(簡寫為0XD-7 )、 3- (4-叔-丁基苯基)-4-苯基-5- (4-聯苯基)-1， 2， 4-三唑(簡寫為TAZ )、 3- (4-叔—丁基苯基)-4- (4-乙基苯基)-5- (4-聯苯基)-1 ， 2， 4-三哇(簡寫 為p-EtTAZ)、紅菲繞啉(簡寫為BPhen) 、 bathocuproin (筒寫為BCP )等。
在根據本發明的前述發光元件中，對於使用對可見光是透明的導電 材料製成陰極的情形，光可以從陰極出射，如圖3B所示。備選地，對於使用對可見光是透明的導電材料製成陽極的情形，光可以從陽極出射，
如圖3A所示。另外備選地，對於使用對可見光是透明的導電材料製成陰 極和陽極的情形，光可以從陰極和陽極出射，如圖3C所示。
至於對可見光是透明的並具有比較高導電性能的導電材料，可推薦 上面提到的ITO、 IZO等。前述材料通常不適合用於形成陰極。
由於根據本發明的發光元件的結構中提供了用於產生和輸運空穴的 層以及用於產生和輸運電子的層，因此即使當使用諸如ITO或IZO的具 有高功函數的材料時，驅動電壓也不會增大。因此，ITO或IZO可作為 用於形成根據本發明的發光元件的陰極的材料。
儘管使用濺射形成根據本發明的發光元件的陰極，但可獲得具有良 好特性且由於該濺射所遭受損傷很少的發光元件。因此，可使用主要由 濺射形成的諸如ITO的對可見光是透明的導電材料形成陰極。
實施例2
在實施例2中參考圖4A至4C描述根據本發明的發光元件的結構。 可使用與實施例1中所解釋的相同材料和相同工藝形成襯底400、
陽極401、第一層402、第二層403、第三層404、和陰極405，因此不
再詳細解釋。
如圖4A至4C所示，該發光元件的結構包含形成於襯底400上的陰 極405、形成於陰極405上的第三層404、形成於第三層4(M上的笫二層 403、形成於第二層403上的包含發光材料的第一層402、以及形成於第 一層402上的陽極401。
根據本發明的發光元件具有如下結構，在包含發光材料的第一層內 載流子複合所產生的光從陽極401、或陰極405、或這兩個電極出射到外 部，如圖4A至4C所述。當光線從陽極401出射時(圖4A)，陽極401 由具有透光性能的材料製成。當光線從陰極405出射時(圖4B),陰極 405由具有透光性能的材料製成。當光線從陽極401和陰極405出射時 (圖4C),陽極401和陰極405由具有透光性能的材料製成。 因此，可以製造根據本發明的發光元件。
在根據本發明的前述發光元件中，對於使用對可見光是透明的導電 材料製成陽極的情形，光可從該陽極出射，如圖4A所示。備選地，對於使用對可見光是透明的導電材料製成陰極的情形，光可從該陰極出射，
如圖4B所示。另外備選地，對於使用對可見光是透明的導電材料製成陰極和陽極的情形，光可從該陰極和陽極出射，如圖4C所示。
如實施例2所述，作為對光是透明的並具有相對高導電性能的導電材料，可推薦上面提到的ITO、 IZO等。前述材料通常不適合用於形成陰極，因為這些材料具有高的功函數。
由於根據本發明的發光元件具有如下結構，其中提供了用於產生和輸運空穴的層以及用於產生和輸運電子的層，因此即使當使用諸如ITO或IZO的具有高功函數的材料時，驅動電壓也不會增大。因此，ITO或IZO可作為用於形成根據本發明的發光元件的陰極的材料。
實施例3
在本實施例中，在例如玻璃、石英、金屬、體半導體、透明塑料、或柔性襯底的村底500上製造發光元件。可通過一個襯底上的多個這種發光元件製造無源發光裝置。可將發光元件製成與薄膜電晶體(TFT)陣列接觸，如圖5所示，而不是在諸如玻璃、石英、透明塑料、或柔性襯底的襯底上製造發光元件。這裡，參考數字511表示TFT， 512表示TFT，513表示根據本發明的發光元件。發光元件513包含陽極514、第一層、第二層、和第三層515，和陰極516;並通過布線517電連接到TFT511。因此，可以製造通過TFT控制發光元件的驅動的有源矩陣發光裝置。另外，該TFT的結構沒有特別限制。例如，可以使用交錯TFT或反向交錯TFT。此外，組成該TFT的半導體層的結晶性沒有特別限制。可以使用單晶或非晶半導體層。
示例1
在本示例中特別地列舉了根據本發明的發光元件的一個模式。參考圖6解釋該發光元件的結構。
在襯底600上形成發光元件的陽極601。由濺射形成的、為透明導電薄膜的ITO製成陽極601，其厚度為110nm，尺寸為2 x 2mm。
接著，在陽極601上形成包含發光材料的第一層602。根據本示例的包含發光材料的第一層602形成為具有分層結構，該分層結構包含三200910170468.4
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層，即空穴注入層611、空穴輸運層612、以及發光層613。
使用真空沉積系統的襯底架固定設有陽極601的襯底，使得設有陽極601的表面朝下。接著，將銅酞菁(下文中稱為Cu-Pc)放置到安裝在該真空沉積系統內部的蒸發源內。隨後，通過使用電阻加熱方法的氣相沉積形成厚度為20nm的空穴注入層611。作為該空穴注入層611的材料，可以使用已知的空穴注入材料。
由具有良好空穴輸運性能的材料製成空穴輸運層612。作為該空穴輸運層612的材料，可以使用已知的空穴輸運材料。在本示例中，使用和形成空穴注入層611相同的過程製備的厚度為40nm的oc-NPD。
隨後形成發光層613。作為用於形成發光層613的材料，可以使用已知的發光材料。在本示例中，使用和形成空穴輸運層612相同的過程製備的厚度為40nm的Alq3。這裡，Alqs用作發光材料。
在形成空穴注入層611、空穴輸運層612、和發光層613這三層之後形成第二層603。在本示例中，使用用作電子輸運材料的Alq3並採用Mg作為Al(b的電子施主材料，通過共蒸發方法形成厚度為30nm的第二層603。第二層603的材料中存在lwt。/。的Mg。
形成第三層604。在本示例中，使用用作空穴輸運材料的oc-NPD並採用氧化鉬作為oc-NPD的電子受主材料，通過共蒸發方法形成厚度為150nm的第三層604。第三層604的材料中存在"wt %的氧化鉬。使用氧化鉬(VI)作為該氧化鉬的原材料。
通過濺射或氣相沉積形成陰極605。通過在第三層604上氣相沉積形成(150nm)鋁而獲得陰極605。
因此獲得根據本發明的發光元件。圖11示出了所獲得的發光元件的亮度-電壓特性。圖12示出了所獲得的發光元件的電流-電壓特性。圖13示出了施加lmA電流時所獲得的發光元件的發射光譜。
對所獲得的發光元件施加電壓時的開始電壓(亮度至少為lcd/m'時的電壓)為6. 0V。施加lmA電流時獲得1130cd/i^的亮度。該發光元件獲得具有良好顏色純度的綠光發射，CIE色度坐標為x-O. 29， y=0. 63。
比較例1
在比較例1中具體解釋設有電子注入層703而非設有根據本發明的前述第二和第三層的傳統發光元件。參考圖7解釋該發光元件的結構。和示例1中第二層603相同，使用摻雜了 lwt% Mg的電子輸運材料Al(b製成電子注入層703,其中對於Alq3, Mg具有電子施主性能。和示例1中的第二層603相同，電子注入層703的厚度為30nm。形成村底700;陽極701;由空穴注入層711、空穴輸運層712和發光層713構成的包含發光材料的層702;以及陰極704，從而具有和示例l相同的結構。因此，根據示例1的發光元件的厚度比根據比較例1的發光元件的厚度大第三層604的厚度(150nm)。
圖11示出了所獲得的發光元件的亮度-電壓特性。圖12示出了所獲得的發光元件的電流-電壓特性。圖13示出了施加lmA電流時所獲得的發光元件的發射光謙。對所獲得的發光元件施加電壓時，開始電壓為5. 4V。施加lmA電流時獲得1360cd/i^的亮度。該發光元件獲得具有不佳顏色純度的黃綠色光發射，CIE色度坐標為x-O. 34， y-O. 58。
上述結果表明，根據示例1的發光元件的驅動電壓(6. OV)幾乎和根據比較例1的發光元件的驅動電壓(5. 4V)相同，儘管根據示例1的發光元件的總厚度比根據比較例1的發光元件的厚度大150nm。另外，將圖13中的發射光i普相互比較，根據示例1的發射光譜窄於才艮據比較例1的發射光鐠。因此可以認為，該窄的發射光i普導致了根據示例1的發光元件的顏色純度的改善。
比較例2
在本比較例2中具體地解釋一傳統發光元件，該發光元件i殳有分別具有和根據示例l相同的結構的襯底800;陽極801;包含發光材料的層802,其包括空穴注入層811、空穴輸運層812和發光層813;和陰極804;該發光元件還設有電子注入層803。電子注入層803具有和根據比較例1的電子注入層相同的結構。電子注入層803形成的厚度為180nm，使得該發光元件的總厚度等於根據示例1的發光元件的總厚度。
圖11示出了所獲得的發光元件的亮度-電壓特性。圖12示出了所獲得的發光元件的電流-電壓特性。圖13示出了施加lmA電流時所獲得的發光元件的發射光譜。對所獲得的發光元件施加電壓時的開始電壓為14. 0V。施加lmA電流時獲得1050cd/i^的亮度。該發光元件獲得具有良好顏色純度的綠色發光，CIE色度坐標為x-O. 25， y=0. 63。
上述結果表明，根據比較例2的發光元件的驅動電壓和4艮據本發明示例1的具有相同厚度的發光元件的驅動電壓相比大幅增大，儘管如圖13所示，根據比較例2的發光元件的發射光譜窄且具有良好的顏色純度。因此，實踐本發明的一個實施例，其中將第一層602、第二層603、和第三層604依次提供在一對電極(陽極601和陰極605 )之間)可允許通過增大這些層的總厚度而改善發光元件的顏色純度，同時防止由於增大這些層的總厚度而導致驅動電壓增大。
示例2
在本示例2中特別地示出了根據本發明的發光元件的一個實施例。參考圖14解釋該發光元件的結構。
在襯底2400上形成發光元件的陽極2401。由濺射形成的、為透明導電薄膜的IT0製成陽極2401，其厚度為110nm，尺寸為2 x 2mm。
接著，在陽極2401上形成包含發光材料的第一層2402。根據本示例的包含發光材料的第一層2402具有分層結構，其包含三層，即空穴注入層24U、空穴輸運層2412、以及發光層2413。
使用真空沉積系統的襯底架固定設有陽極2401的襯底，使得設有陽極2401的表面朝下。接著，將Cu-Pc放置到安裝在該真空沉積系統內部的蒸發源內。隨後，通過使用電阻加熱方法的氣相沉積形成厚度為20nm的空穴注入層2411。作為該空穴注入層2411的材料，可以4吏用已知的空穴注入材料。
由具有良好空穴輸運性能的材料製成空穴輸運層2412。作為該空穴輸運層2412的材料，可以使用已知的空穴輸運材料。在本示例中，使用和形成空穴注入層2411相同的過程製備的厚度為40nm的ct -NPD。
形成發光層2413。作為用於形成發光層2413的材料，可以使用已知的發光材料。在本示例中，通過共蒸發厚度為40nm的Alcb和香豆素6，形成發光層2413。這裡，香豆素6用作發光材料。分別使用1: 0.003的質量比共蒸發Ald3和香豆素6。
在形成空穴注入層2411、空穴輸運層2412、和發光層2413這三層之後形成第二層2403。在本示例中，使用用作電子輸運材料的Al(b並採用Li作為對於Alq3具有電子施主性能的材料，通過共蒸發方法形成厚度為30nm的第二層2403。第二層2403的材料中存在lwt %的Li。
形成第三層2404。在本示例中，使用用作空穴輸運材料的a-NPD並採用氧化鉬作為對於oc-NPD具有電子受主性能的材料，通過共蒸發方法形成厚度為180nm的第三層2404。第三層2404的材料中存在25wt %的氧化鉬。使用氧化鉬(VI)作為該氧化鉬的原材料。
通過濺射或氣相沉積形成陰極2405。通過在第三層2404上氣相沉積形成鋁(200nm)而獲得陰極2405。
對所獲得的發光元件施加電壓時的開始電壓(亮度至少為lcd/n^時的電壓)為3. 4V。施加lmA電流時獲得2700cd/m"的亮度。如圖16所示，發射光謙呈尖銳線。該發光元件獲得具有極好顏色純度的綠光發射，CIE色度坐標為x = 0. 21, y = 0. 69。
比較例3
在本比較例3中，使用圖15具體地解釋設有電子注入層2503而非設有根據本發明的前述第二和第三層的傳統發光元件。和示例2中第二層2503相同，使用摻雜了lwt。/。 Li的電子輸運材料Alq3製成電子注入層2503,其中Li對於Ald3具有電子施主性能。和示例2中的第二層相同，電子注入層2503的厚度為30nm。形成和示例2中結構相同的襯底2500;陽極2501;包含發光材料的層2502,其包括空穴注入層2511，空穴輸運層2512，和發光層2513;以及陰極2504。因此，根據示例2的發光元件的厚度比根據比較例3的發光元件的厚度大第三層2404的厚度(180nm)。
對根據比較例3獲得的發光元件施加電壓時的開始電壓為3. 2V。施加lmA電流時獲得3300cd/W的亮度。如圖16所示，發射光鐠呈寬線。該發光元件獲得具有不佳顏色純度的綠光發射，CIE色度坐標為x =0. 30， y = 0. 64。
上述結果表明，根據示例2的發光元件的驅動電壓(3. 4V)幾乎和根據比較例3的發光元件的驅動電壓(3. 2V)相同，儘管根據示例2的發光元件的厚度比根據比較例3的發光元件的厚度大180nm。另外，將圖16中的發射光鐠相互比較，根據示例2的發射光譜窄於根據比較例3的發射光謙。因此，該窄的發射光鐠導致了根據示例2的發光元件的顏 色純度的改善。
示例3
在本示例3中示出了根據本發明的發光元件的一個實施例。參考圖 14解釋該發光元件的結構。在示例3中，除了第三層2404以外，根據 與示例2相同的方法形成其它各層。另外，通過氣相沉積由氧化鉬形成 厚度為260nm的第三層2404。使用氧化鉬(VI)作為該氧化鉬的原材料。
對所獲得的發光元件施加電壓時的開始電壓(亮度至少為lcd/i^時 的電壓)為4. 6V。施加lmA電流時獲得2800cd/n^的亮度。如圖17所示， 發射光譜呈尖銳線。該發光元件獲得具有極好顏色純度的綠光發射，CIE 色度坐標為x = 0. 23， y-O. 71。為了比較，在圖17中示出了比較例3 的上述發射光鐠。
上述結果表明，根據示例3的發光元件的驅動電壓(4. 6V)和根據 比較例3的發光元件的驅動電壓(3. 2V)相比沒有大幅增大，儘管根據 示例3的發光元件的厚度比根據比較例3的發光元件的厚度大260nm。 另夕卜，將圖17中的發射光語相互比較，根據示例3的發射光語窄於根據 比較例3的發射光鐠。因此，該窄的發射光鐠導致了才艮據示例3的發光 元件的顏色純度的改善。
示例4
在本示例中，將參考圖9A和9B解釋像素部分中具有根據本發明的 發光元件的發光裝置。圖9A為發光裝置的俯視圖。圖9B為沿線A-A，截 取的圖9A的截面視圖。由虛線所示參考數字901表示驅動電路單元(源 側驅動電路)；參考數字902表示像素部分；903代表驅動電路單元(柵 側驅動電路)；904代表密封村底；905代表密封劑。密封劑905圍繞的 內部為空間907。
參考數字908代表用於傳輸信號的布線，該信號將被輸入到源側驅 動電路901和柵側驅動電路903。該布線從用作外部輸入端的FPC (柔性 印刷電路)909接收視頻信號、時鐘信號、開始信號、或復位信號。盡 管只在該圖中示出了 FPC，可將PWB (印刷線路板)連接到該FPC。本說明書中使用的術語"發光裝置"不僅指發光裝置的主體，還指設有FPC 909 或PWB的主體。
接著將參考圖9B解釋截面結構。在襯底910上形成驅動電路和像素 部分。在圖9B中，源側驅動電路901和像素部分902 ;陂示成驅動電路單 元。
源側驅動電路901 i殳有通過組合n溝道TFT 923和p溝道TFT 924 而形成的CMOS電路。可由已知的CMOS、 PMOS、或NMOS電路形成用於形 成驅動電路的TFT。在本示例中，描述了其中在襯底上形成驅動電路的 驅動器集成型，但並非是唯一的，驅動電路可形成於外部而非在襯底上。
像素部分902包含多個像素，所述像素包含開關TFT 911、電流控 制TFT912、和電連接到電流控制TFT 912的漏極的陽極913。另外，形 成絕緣體914以覆蓋陽極913的邊緣。這裡，使用正型光敏丙烯酸樹脂 薄膜形成絕緣體914。
為了形成有利的覆蓋，絕緣體914的上邊緣部分和下邊緣部分製成 具有曲率半徑的彎曲面。例如，對於正型光敏丙烯酸樹脂被用作形成絕 緣體914的材料時，優選地僅絕緣體914的上邊緣部分具有曲率半徑(0. 2 至3nim)。作為絕緣體914，可以使用通過光線照射變得不溶解於腐蝕 劑的負光敏樹脂或通過光線照射可溶解於腐蝕劑的正光敏樹脂。例如， 不僅可以使用有機化合物，還可以使用無機化合物，例如氧化矽、氧氮 化矽、或矽氧烷。
分別在陽極913上形成第一至第三層916和陰極917。作為陽極913 的材料，優選使用具有大功函數的材料。例如，可由下述形成陽極913: 諸如ITO (氧化銦錫)薄膜、ITSO (氧化銦錫矽)薄膜、IZO (氧化銦鋅) 薄膜、氮化鈦薄膜、鉻薄膜、鎢薄膜、Zn薄膜、或Pt薄膜的單層；包 含上述單層之一以及含有氮化鈦和鋁為主要成分的薄膜的疊層；包含上 述單層之一、包含氮化鈦和鋁為主要成分的薄膜、以及氮化鈦薄膜的三 層疊層等。在陽極913製成具有分層結構的情形下，該陽極可製成具有 和布線一樣的低電阻，形成良好的歐姆接觸，並用作陽極。
通過使用蒸發掩模的氣相沉積或噴墨形成第一至第三層916。第一 至第三層916包含含有發光材料的第一層、包含n型半導體的第二層、 以及包含p型半導體的第三層。該第一層、第二層、和第三層依次形成於陽極之上以夾在該陽極和陰極之間，使得第三層與該陰極接觸。此外， 至於包含發光材料的層所使用的材料，通常使用單層、疊層、或混合層 的有機化合物。然而，本發明包含薄膜由部分包含無機化合物的有機化 合物製成的情形。
對於形成於該第一至第三層916上的陰極917的材料，可以使用具 有小功函數的材料(Al、 Ag、 Li、 Ca;或這些元素的合金例如MgAg、 Mgln、 AlLi; CaF2、或CaN)。對於第一至第三層916內產生的光線穿過陰極 917的情形，優選將陰極917製成分層結構，該分層結構包含薄金屬薄 膜和透明導電ITO (氧化銦錫合金、ITSO (氧化銦錫矽)、ln203 - ZnO (氧 化銦鋅)、ZnO (氧化鋅)等)。
使用密封劑905將密封村底904粘貼到襯底910上，從而將發光元 件918封裝到由襯底910、密封襯底904、和密封劑905所包圍的空間 907內。本發明不僅包含用惰性氣體填充空間907的情形，還包含用密 封劑905填充空間907的情形。
該密封劑905優選使用環氧基樹脂。此外，理想地用於密封劑的材 料阻止水氣和氧氣滲透。至於密封村底904的材料，除了玻璃襯底或石 英襯底之外，還可以使用塑料襯底，例如FRP (玻璃纖維增強塑料)、 PVF (聚氟乙烯)、Myler、聚酯、或丙烯酸樹脂。
因此，可以獲得具有根據本發明的發光元件的發光裝置。
通過自由地組合在示例1至3中解釋的發光元件的結構而實踐本示 例中所描述的發光裝置。如果需要，根據本示例的發光裝置可設有諸如 濾色器的顏色轉換薄膜。
示例5
在本示例中將參考圖10A至10C解釋使用具有根據本發明的發光元 件的發光裝置實現的各種電器。
這裡給出了使用根據本發明的發光裝置製造的這種電器的示例電 視機、諸如攝像機或數位相機的攝影機、護目鏡型顯示器(頭戴式顯示 器)、導航系統、聲音再現裝置(汽車音頻設備、組合音響等)、個人 計算機、遊戲機、可攜式信息終端(移動計算機、蜂窩電話、可攜式遊 戲機、電子圖書等)、包含記錄媒介的圖像再現裝置(更為具體地為能 夠再現諸如數位化多功能盤(DVD)等記錄介質且包含用於顯示再現圖像的顯示部分的裝置)等等。圖IOA至IOC示出了這些電器的各種具體示 例。
圖IOA示出了顯示裝置，其包含框架IOOI、支撐臺1002、顯示部分 1003、揚聲器部分1004、視頻輸入端子1005等。通過將根據本發明的 發光裝置用於顯示部分1003，製造該顯示裝置。該顯示裝置包含用於顯 示信息的所有顯示裝置，例如個人計算機、TV廣播接收機、以及廣告顯 示器。
圖IOB示出了攝像機，其包含主體1301、顯示部分1302、外殼1303、 外部連接埠 1304、遙控接收部分1305、圖^象接收部分1306、電池1307、 聲音輸入部分1308、操作鍵1309、目鏡部分1310等。通過將根據本發 明的發光裝置用於顯示部分1302,製造該攝像機。
圖10C示出了蜂窩電話，其包含主體1501、外殼1502、顯示部分 1503、聲音輸入部分1504、聲音輸出部分1505、操作鍵1506、外部連 接埠 1507、天線1508等。通過將根據本發明的發光裝置用於顯示部 分1503,由此製造該蜂窩電話。
如前所述，具有根據本發明發光元件的發光裝置的應用範圍極為廣 泛。由於通過使用根據本發明的發光元件形成用於發光裝置的發光元件， 該發光裝置具有驅動電壓低和壽命長的特性。101:陽極，102:第一層，103:第二層，104:第三層，i05: 陰極，201:陽極，202:包含發光材料的層，203:電子注入層，204 陰極，300:村底，301:陽極，302:第一層，303:第二層，304 第三層，305:陰極，311:笫四層，312:第五層，313:第六層，400 村底，401:陽極，402:第一層，403:第二層，405:陰極，500 村底，511: TFT ， 512: TFT , 513:發光元件，514:陽極，515: 第一、笫二、和第三層，516:陰極，517:布線，600:襯底，601: 陽極，602:第一層，603:笫二層，604:第三層，605:陰極，611: 空穴注入層，612:空穴輸運層，613:發光層，700:村底，701: 陽極，702:包含發光材料的層，703:電子注A^ ， 704:陰極，711: 空穴注入層，712:空穴注入層，713:發光層，800:襯底，801: 陽極，803:電子注入層，804:陰極，811:空穴注入層，812:空 穴輸運層，813:發光層，901:源側驅動電路，902:像素部分，903: 柵側驅動電路，904:密封襯底，905:密封劑，908:布線，909: FPC (柔性印刷電路)，910:襯底，911:開關TFT，912:電流控制TFT ， 913:陽極，914:絕緣體，916:笫一至第三層，917:陰極，918: 發光元件，923: n溝道TFT， 924: p溝道TFT， 1001:外殼，1002: 支持介質，1003:顯示部分， 1004:揚聲器部分，1005:視頻輸入 終端，1301:主體，1302:顯示部分，1303:外殼，1304:外部連 接埠， 1305:遙控接收部分，1306:圖像接收部分，1307:電池，1308: 聲音輸入部分，1309:操作鍵，1310:目鏡部分，1501:主體，1502: 外殼，1503:顯示部分，1504:聲音輸入部分，1505:聲音輸出部分 1506: ^Mt鍵，1507:外部連接埠， 1508:天線，2400:村底，2401: 陽極，2402:第一層，2403:笫二層，2404:笫三層，2405:陰極， 2411:空穴注入層，2412:空穴輸運層，2413:發光層2500:襯底，2501: 陽極，2502:包含發光材料的層，2503:電子注入層，2504:陰極，2511: 空穴注入層，2512:空穴輸運層，2513:發光層
權利要求
1.一種發光元件，包含陽極；形成在該陽極上的第一層，所述第一層包含發光材料；形成在該第一層上的第二層，所述第二層包含第一有機化合物和對該第一有機化合物具有電子施主性能的材料；形成在該第二層上的第三層，所述第三層包含具有電子受主性能的材料；以及形成在該第三層上的陰極。
2. 根據權利要求1的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料選自氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧 化鈷和氧化鎳。
3. 根據權利要求1的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料是氧化鉬。
4. 根據權利要求1的發光元件，其中該第三層還含有呈現空穴傳輸性能的化合物。
5. 根據權利要求1的發光元件，其中該第三層還含有芳香胺化合物。
6. 根據權利要求l的發光元件， 其中該第三層與該陰極接觸。
7. 根據權利要求1的發光元件， 其中該陰極具有對可見光透明的導電材料。
8. 根據權利要求1的發光元件， 其中該陰極為分層結構，該分層結構包含金屬薄膜；以及選自氧化錮錫，氧化銦錫矽，氧化銦錫-氧化鋅和氧化鋅中的透明 導電膜。
9. 一種發光元件，包含 陽極；形成在該陽極上的第一層，所述第一層包含無機化合物； 形成在該第一層上的第二層，所述第二層包含發光材料； 形成在該第二層上的第三層，所述第三層包含第一有機化合物和對該第一有機化合物具有電子施主性能的材料；形成在該第三層上的第四層，所述第四層包含具有電子受主性能的 材料；以及形成該第四層上的陰極。
10. 根據權利要求9的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料選自氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧 化鈷和氧化鎳。
11. 根據權利要求9的發光元件， 其中該具有電子受主性能的材料是氧化鉬。
12. 根據權利要求9的發光元件，其中該第四層還含有呈現空穴傳輸性能的化合物。
13. 根據權利要求9的發光元件， 其中該第四層還含有芳香胺化合物。
14. 根據權利要求9的發光元件， 其中該第四層與該陰極接觸。
15. 根據權利要求9的發光元件， 其中該無機化合物是氧化鉬。
16. 根據權利要求9的發光元件， 其中該第 一層還含有芳香胺化合物。
17. 根據權利要求9的發光元件， 其中該陰極具有對可見光透明的導電材料。
18. 根據權利要求9的發光元件， 其中該陰極為分層結構，該分層結構包含金屬薄膜；以及選自氧化銦錫，氧化銦錫矽，氧化銦錫-氧化鋅和氧化鋅中的透明 導電膜。
19. 一種發光元件，包含 陰極；形成在該陰極上的第三層，所述第三層包含具有電子受主性能的材料；形成在該第三層上的第二層，所述第二層包含第一有機化合物和對 該第 一有機化合物具有電子施主性能的材料；形成在該第二層上的第一層，所述第一層包含發光材料；以及 形成該第一層上的陽極。
20. 根據權利要求19的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料選自氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧 化鈷和氧化鎳。
21. 根據權利要求19的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料是氧化鉬。
22. 根據權利要求19的發光元件，其中該第三層還含有呈現空穴傳輸性能的化合物。
23. 根據權利要求19的發光元件， 其中該第三層還含有芳香胺化合物。
24. 根據權利要求19的發光元件， 其中該第三層與該陰極接觸。
25. 根據權利要求19的發光元件，其中該陰極具有對可見光透明的導電材料。
26. —種發光元件，包含 陰極；形成在該陰極上的第四層，所述第四層包含具有電子受主性能的材料；形成在該第四層上的第三層，所迷第三層包含第一有機化合物和對 該第一有機化合物具有電子施主性能的材料；形成在該第三層上的第二層，所述第二層包含發光材料； 形成在該第二層上的第一層，所述第一層包含無機化合物；以及 形成在該第一層上的陽極。
27. 根據權利要求26的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料選自氧化釩、氧化鉻、氧化鉬、氧 化鈷和氧化鎳。
28. 根據權利要求26的發光元件，其中該具有電子受主性能的材料是氧化鉬。
29. 根據權利要求26的發光元件，其中該第四層還含有呈現空穴傳輸性能的化合物。
30. 根據權利要求26的發光元件，其中該第四層還含有芳香胺化合物。
31. 根據權利要求26的發光元件，其中該第四層與該陰極接觸。
32. 根據權利要求26的發光元件，其中該無機化合物是氧化鉬。
33. 根據權利要求26的發光元件，其中該第 一層還含有芳香胺化合物。
34. 根據權利要求26的發光元件，其中該陰極具有對可見光透明的導電材料。
全文摘要
本發明的名稱是「發光元件」。在本發明中，可以獲得工作於低驅動電壓且功耗低的發光元件，該發光元件發射的光線具有良好的顏色純度且製造成品率高。公開的一種發光元件的結構包含依次形成於陽極上的包含發光材料的第一層、第二層、第三層，這些層夾在該陽極和一陰極之間，使得第三層與該陰極接觸。第二層由n型半導體、包含n型半導體的混合物、或具有載流子輸運性能的有機化合物與具有高電子施主性能的材料的混合物製成。第三層104由p型半導體、包含p型半導體的混合物、或具有載流子輸運性能的有機化合物與具有高電子受主性能的材料的混合物製成。
文檔編號H05B33/22GK101673808SQ200910170468
公開日2010年3月17日 申請日期2004年12月17日 優先權日2003年12月26日
發明者瀨尾哲史, 熊木大介 申請人:株式會社半導體能源研究所