共平面型電流調節結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法

2024-01-31 01:11:15 1

專利名稱：共平面型電流調節結構的平板顯示器及其製作工藝的製作方法
技術領域：
本發明屬於平面顯示技術領域、電子科學與技術領域、真空科學與技術領域、集成電路科學與技術領域以及納米科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件製作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件製作方面的內容，特別涉及一種帶有碳納米管陰極的場致發射的共平面型電流調節結構的平板顯示器及其製作工藝。
背景技術：
顯示器件是一種十分重要的人機交流界面，無論是常規儀器儀表的顯示面板，還是高端顯示設備，已經在各個行業中得到了廣泛的應用。其中，利用碳納米管作為陰極材料而製作的平板場致發射顯示器件在最近的幾年中得到了迅猛的發展，它具有高清晰度，高圖像質量，適用溫區廣以及高亮度等優點，在平板顯示領域中佔據著不可忽視的位置。碳納米管具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率以及良好的物理化學性質，引起了眾多科研人員的高度關注。當在碳納米管頂端施加適當電壓的時候，在碳納米管頂端就會形成強大的電場強度，迫使其發射出大量的電子，形成獨特的場致發射現象。在利用移植方法製備碳納米管陰極的過程中，由於需要對碳納米管原料進行研磨處理，並加入各種輔助漿料，使之能夠適合與大面積絲網印刷工藝的需要，這就不可避免的會對碳納米管陰極的場致發射能力造成負面影響，至少會導致部分碳納米管陰極的場致發射能力有所下降。但是這個過程又是在大面積平板顯示器件製作中不可或缺的一個工藝步驟。那麼如何採取行有效的輔助措施，能夠讓大面積的碳納米管陰極實現均勻穩定的發射大量的電子，這是需要解決的一個現實問題。
另一方面，隨著平板顯示器件中顯示面積的增大，那麼不僅相對應的陰極導電層的長度在增加，而且陰極導電層的條數也在擴大，由此而引起碳納米管陰極的數量在急劇增加。受到各種外在和內在因素的影響，在如此數量龐大的碳納米管陰極當中，不可能確保每一個碳納米管陰極都具有相同的場致發射能力，必然會導致有的碳納米管陰極的場致發射能力強一些，而另外有的碳納米管陰極的場致發射能力弱一些，這樣就會導致相應的螢光粉像素髮光點亮度的不同，引起顯示圖像質量的下降，這不是所期望得到的結果。那麼在這種情況下，能否對碳納米管陰極建立一個有效的電學調節結構呢，來對場致發射能力不同的陰極進行外界幹預和調節，以期望達到整體顯示圖像亮度的均勻性和穩定性，這是需要認真思考的問題之一。
此外，在儘可能不影響碳納米管陰極的場致發射能力的前提下，還需要進一步降低整體平板顯示器件的製作成本；在能夠進行大面積顯示器件製作的同時，還需要使得器件製作過程免於複雜化，有利於進行商業化的大規模生產。

發明內容
本發明的目的在於克服上述平板顯示器件中存在的缺點和不足而提供一種成本低廉、製作過程穩定可靠、製作成功率高、結構簡單的共平面型電流調節結構的平板顯示器件及其製作工藝。
本發明的目的是這樣實現的包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件，在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及共平面型電流調節結構。
所述的共平面型電流調節結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板；陰極玻璃面板上刻蝕後的二氧化矽層形成了陰極玻璃面板和n型摻雜矽層之間的阻塞層；阻塞層的上面存在一個n型摻雜矽層；刻蝕後的n型摻雜矽層的下表面和阻塞層相接觸，而其上表面是平面型的；n型摻雜矽層的上面存在一個n型重摻雜矽層；刻蝕後的n型重摻雜矽層分為兩部分，即源極部分和漏極部分；源極和漏極都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；n型摻雜矽層上面刻蝕後的金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在金屬層的；漏極引線層和陰極導電層相互連通的；n型摻雜矽層的上面存在一個二氧化矽絕緣層；刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極和源極引線層、漏極和漏極引線層以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層的上表面；二氧化矽絕緣層的上面存在一個金屬層，刻蝕後的金屬層形成門極引線層；門極引線層要位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；門極引線層上面刻蝕後的二氧化矽層形成門極覆蓋層，要完全覆蓋住門極引線層；n型摻雜矽層的旁側的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；陰極導電層上面刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層；刻蝕後的絕緣隔離層的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；絕緣隔離層的上面存在一個柵極導電層；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層用於形成柵極覆蓋層；碳納米管制備在電子通道孔中的陰極導電層上。
所述的共平面型電流調節結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發射，門極引線層為金屬銀、鋁、鎳、鉬、鉻、錫，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫，柵極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫。
一種共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)阻塞層的製作在陰極玻璃面板上製備出一層二氧化矽層，刻蝕後形成阻塞層；3)n型摻雜矽層的製作在阻塞層的上面製備出一個n型摻雜矽層，刻蝕後形成n型摻雜矽層；n型摻雜矽層的下表面和阻塞層相接觸，而其上表面是平面型的；4)源極和漏極的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個n型重摻雜矽層，刻蝕後分別形成源極和漏極；源極和漏極都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；5)源極引線層和漏極引線層的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後的金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在金屬層的；漏極引線層並不僅僅位於漏極的上面，而是和陰極導電層相互連通的；6)二氧化矽絕緣層的製作在n型摻雜矽層的上面製作出一個二氧化矽絕緣層，刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極和源極引線層，漏極和漏極引線層，以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層的上表面；7)門極引線層的製作在二氧化矽絕緣層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成門極引線層；門極引線層位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；8)門極覆蓋層的製作在門極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成門極覆蓋層，要完全覆蓋住門極引線層；9)陰極導電層的製作在n型摻雜矽層的旁側製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；10)絕緣隔離層的製作在陰極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；11)柵極導電層的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；12)柵極覆蓋層的製作在柵極導電層的上面再次製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；13)共平面型電流調節結構的表面清潔處理對整體陰極玻璃面板表面進行清潔處理，除掉灰塵和雜質；14)碳納米管的製備將碳納米管制備在電子通道孔中的陰極導電層上；15)陽極玻璃面板的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；16)陽極導電層的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；17)絕緣漿料層的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；18)螢光粉層的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；19)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構和四周玻璃圍框裝配到一起，並將消氣劑附屬元件放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；20)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟17具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
所述步驟18具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
所述步驟20具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
本發明具有如下的積極效果首先，在所述的共平面型電流調節結構中，碳納米管是直接製備在陰極導電層上面的，而陰極導電層是和漏極引線層相互連通的，這樣，就不需要將碳納米管陰極直接製備在漏極上，減小了對漏極部分的接觸，避免了漏極部分的損傷；其次，在所述的共平面型電流調節結構中，分別在門極引線層的上面製作了門極覆蓋層以及在柵極導電層的上面製作了柵極覆蓋層，這就避免了其它雜質對門極和柵極的影響；第三，所述的共平面型電流調節結構是能夠對碳納米管陰極的發射電流進行調節的。當分別在門極上和柵極導電層上施加適當電壓以後，在n型摻雜矽層中就會形成導電溝道；通過控制門極電壓的大小，就可以控制導電溝道的形狀，從而也就是控制了流經碳納米管的電流。這樣，通過外界電壓的變化就可以對發射能力不同的陰極進行外界幹預和調節，以期望達到整體顯示圖像亮度的均勻性和穩定性。
此外，在所述的共平面型電流調節結構中，並沒有採用特殊的結構製作材料，也沒有採用特殊的器件製作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體平板顯示器件的製作成本，簡化了器件的製作過程，能夠進行大面積的器件製作，有利於進行商業化的大規模生產。


圖1給出了共平面型電流調節結構的縱向結構示意圖；圖2給出了共平面型電流調節結構的橫向結構示意圖；圖3給出了帶有共平面型電流調節結構的、碳納米管場致發射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明並不局限於這些實施例。
所述的一種帶有共平面型電流調節結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[1]、陰極玻璃面板[16]和四周玻璃圍框[21]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[17]以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層[19]；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構[20]以及消氣劑[22]附屬元件。在陰極玻璃面板上有控制柵極[13]、碳納米管陰極[15]以及共平面型電流調節結構。所述的共平面型電流調節結構包括陰極玻璃面板[1]、阻塞層[2]、n型摻雜矽層[3]、源極[4]、漏極[5]、源極引線層[6]、漏極引線層[7]、二氧化矽絕緣層[8]、門極引線層[9]、門極覆蓋層[10]、陰極導電層[11]、絕緣隔離層[12]、柵極導電層[13]、柵極覆蓋層[14]和碳納米管[15]部分。
所述的共平面型電流調節結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板上刻蝕後的二氧化矽層形成了陰極玻璃面板和n型摻雜矽層之間的阻塞層[2]；阻塞層[2]的上面存在一個n型摻雜矽層[3]；刻蝕後的n型摻雜矽層的下表面和阻塞層[2]相接觸，而其上表面是平面型的；n型摻雜矽層[3]的上面存在一個n型重摻雜矽層；刻蝕後的n型重摻雜矽層分為兩部分，即源極部分和漏極部分；源極[4]和漏極[6]都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；n型摻雜矽層上面刻蝕後的金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層[7]，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層[5]；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在金屬層的；漏極引線層和陰極導電層相互連通的；n型摻雜矽層的上面存在一個二氧化矽絕緣層[8]；刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極[4]和源極引線層[5]、漏極[6]和漏極引線層[7]以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層[3]的上表面；二氧化矽絕緣層[8]的上面存在一個金屬層，刻蝕後的金屬層形成門極引線層[9]；門極引線層要位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；門極引線層上面刻蝕後的二氧化矽層形成門極覆蓋層[10]，要完全覆蓋住門極引線層；n型摻雜矽層的旁側的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層[11]；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；陰極導電層上面刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層[12]；刻蝕後的絕緣隔離層[12]的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；絕緣隔離層的上面存在一個柵極導電層[13]；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層用於形成柵極覆蓋層[14]；碳納米管[15]製備在電子通道孔中的陰極導電層上。
所述的共平面型電流調節結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發射，門極引線層為金屬銀、鋁、鎳、鉬、鉻、錫，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫，柵極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫。
一種帶有共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其製作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)阻塞層[2]的製作在陰極玻璃面板上製備出一層二氧化矽層，刻蝕後形成阻塞層；3)n型摻雜矽層[3]的製作在阻塞層的上面製備出一個n型摻雜矽層，刻蝕後形成n型摻雜矽層[3]；n型摻雜矽層的下表面和阻塞層相接觸，而其上表面是平面型的；4)源極[4]和漏極[5]的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個n型重摻雜矽層，刻蝕後分別形成源極和漏極；源極和漏極都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；5)源極引線層[6]和漏極引線層[7]的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個鋁金屬層，刻蝕後的鋁金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在鋁金屬層的；漏極引線層並不僅僅位於漏極的上面，而是和陰極導電層相互連通的；6)二氧化矽絕緣層[8]的製作在n型摻雜矽層的上面製作出一個二氧化矽絕緣層，刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極和源極引線層，漏極和漏極引線層，以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層的上表面；7)門極引線層[9]的製作在二氧化矽絕緣層的上面製備出一個金屬鉻層，刻蝕後形成門極引線層；門極引線層位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；8)門極覆蓋層[10]的製作在門極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成門極覆蓋層，要完全覆蓋住門極引線層；9)陰極導電層[11]的製作在n型摻雜矽層的旁側製備出一個金屬鉬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；10)絕緣隔離層[12]的製作在陰極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；11)柵極導電層[13]的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬鉻層，刻蝕後形成柵極導電層；12)柵極覆蓋層[14]的製作在柵極導電層的上面再次製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；13)共平面型電流調節結構的表面清潔處理對整體陰極玻璃面板表面進行清潔處理，除掉灰塵和雜質；14)碳納米管[15]的製備將碳納米管制備在電子通道孔中的陰極導電層上；15)陽極玻璃面板[16]的製作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；16)陽極導電層[17]的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；17)絕緣漿料層[18]的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；18)螢光粉層[19]的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；19)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構[20]和四周玻璃圍框[21]裝配到一起，並將消氣劑[22]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周塗抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定；20)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
所述步驟17具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)；所述步驟18具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)；所述步驟20具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
權利要求
1.一種共平面型電流調節結構的平板顯示器，包括由陽極玻璃面板[1]、陰極玻璃面板[16]和四周玻璃圍框[21]所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層[17]以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層[19]；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構[20]以及消氣劑附屬元件[22]，其特徵在於在陰極玻璃面板上有控制柵極[13]、碳納米管陰極[15]以及共平面型電流調節結構。
2.根據權利要求1所述的一種共平面型電流調節結構的平板顯示器，其特徵在於所述的共平面型電流調節結構的襯底材料為玻璃，也就是陰極玻璃面板[1]；陰極玻璃面板上刻蝕後的二氧化矽層形成了陰極玻璃面板和n型摻雜矽層之間的阻塞層[2]；阻塞層[2]的上面存在一個n型摻雜矽層[3]；刻蝕後的n型摻雜矽層的下表面和阻塞層[2]相接觸，而其上表面是平面型的；n型摻雜矽層[3]的上面存在一個n型重摻雜矽層；刻蝕後的n型重摻雜矽層分為兩部分，即源極部分和漏極部分；源極[4]和漏極[6]都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；n型摻雜矽層上面刻蝕後的金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層[7]，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層[5]；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在金屬層的；漏極引線層和陰極導電層相互連通的；n型摻雜矽層的上面存在一個二氧化矽絕緣層[8]；刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極[4]和源極引線層[5]、漏極[6]和漏極引線層[7]以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層[3]的上表面；二氧化矽絕緣層[8]的上面存在一個金屬層，刻蝕後的金屬層形成門極引線層[9]；門極引線層要位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；門極引線層上面刻蝕後的二氧化矽層形成門極覆蓋層[10]，要完全覆蓋住門極引線層；n型摻雜矽層的旁側的刻蝕後的金屬層形成陰極導電層[11]；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；陰極導電層上面刻蝕後的二氧化矽層形成絕緣隔離層[12]；刻蝕後的絕緣隔離層[12]的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；絕緣隔離層的上面存在一個柵極導電層[13]；柵極導電層上面的刻蝕後的二氧化矽層用於形成柵極覆蓋層[14]；碳納米管[15]製備在電子通道孔中的陰極導電層上。
3.根據權利要求2所述的一種帶有共平面型電流調節結構的平板顯示器，其特徵在於所述的共平面型電流調節結構的固定位置為安裝固定在陰極玻璃面板上，且柵極和陰極是集成到一起的，柵極位於陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發射，門極引線層為金屬銀、鋁、鎳、鉬、鉻、錫，陰極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫，柵極導電層為金屬金、銀、鎳、鈷、鉬、鉻、錫。
4.一種共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於其製作工藝如下1)陰極玻璃面板[1]的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陰極玻璃面板；2)阻塞層[2]的製作在陰極玻璃面板上製備出一層二氧化矽層，刻蝕後形成阻塞層；3)n型摻雜矽層[3]的製作在阻塞層的上面製備出一個n型摻雜矽層，刻蝕後形成n型摻雜矽層[3]；n型摻雜矽層的下表面和阻塞層相接觸，而其上表面是平面型的；4)源極[4]和漏極[6]的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個n型重摻雜矽層，刻蝕後分別形成源極和漏極；源極和漏極都位於n型摻雜矽層的上面，但位於n型摻雜矽層的兩端，漏極和源極互不連通；5)源極引線層[5]和漏極引線層[7]的製作在n型摻雜矽層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後的金屬層分為兩部分，一部分位於漏極的上面，形成漏極引線層，另一部分位於源極的上面，形成源極引線層；位於漏極和源極之間的n型摻雜矽層的上面是不存在金屬層的；漏極引線層並不僅僅位於漏極的上面，而是和陰極導電層相互連通的；6)二氧化矽絕緣層[8]的製作在n型摻雜矽層的上面製作出一個二氧化矽絕緣層，刻蝕後的二氧化矽絕緣層要完全覆蓋住源極和源極引線層，漏極和漏極引線層，以及位於源極和漏極之間的n型摻雜矽層的上表面；7)門極引線層[9]的製作在二氧化矽絕緣層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成門極引線層；門極引線層位於漏極和源極之間二氧化矽層的上面，其餘位置則不存在門極引線層，即漏極部分和源極部分上面的二氧化矽層的上面是不存在門極引線層的；8)門極覆蓋層[10]的製作在門極引線層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成門極覆蓋層，要完全覆蓋住門極引線層；9)陰極導電層[11]的製作在n型摻雜矽層的旁側製備出一個金屬層，刻蝕後形成陰極導電層；陰極導電層和n型摻雜矽層是不連通的，但是和漏極引線層是相互連通的；10)絕緣隔離層[12]的製作在陰極導電層的上面製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成絕緣隔離層；絕緣隔離層的中間存在一個電子通道孔，需要暴露出底部的陰極導電層；11)柵極導電層[13]的製作在絕緣隔離層的上面製備出一個金屬層，刻蝕後形成柵極導電層；12)柵極覆蓋層[14]的製作在柵極導電層的上面再次製備出一個二氧化矽層，刻蝕後形成柵極覆蓋層；13)共平面型電流調節結構的表面清潔處理對整體陰極玻璃面板表面進行清潔處理，除掉灰塵和雜質；14)碳納米管[15]的製備將碳納米管制備在電子通道孔中的陰極導電層上；15)陽極玻璃面板[16]的製作對整體平板玻璃進行劃割，製作出陽極玻璃面板；16)陽極導電層[17]的製作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；刻蝕後形成陽極導電層；17)絕緣漿料層[18]的製作在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層；18)螢光粉層[19]的製作在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；19)器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐牆結構[20]和四周玻璃圍框[21]裝配到一起，並將消氣劑附屬元件[22]放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定；20)成品製作對已經裝配好的器件進行封裝工藝形成成品件。
5.根據權利要求4所述的共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟17具體為在陽極導電層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用於防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之後，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘。
6.根據權利要求4所述的共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟18具體為在陽極導電層上面的顯示區域印刷螢光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘。
7.根據權利要求4所述的共平面型電流調節結構的平板顯示器的製作工藝，其特徵在於所述步驟20具體為對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最後加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發明涉及一種共平面型電流調節結構的平板顯示器及其製作工藝，包括由陽極玻璃面板、陰極玻璃面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極玻璃面板上有陽極導電層以及製備在陽極導電層上面的螢光粉層；位於陽極玻璃面板和陰極玻璃面板之間的支撐牆結構以及消氣劑附屬元件；在陰極玻璃面板上有控制柵極、碳納米管陰極以及共平面型電流調節結構；通過調節外界電壓就可以控制導電溝道的形狀，進而有效地控制流經碳納米管陰極的電流，使得對場致發射能力不同的陰極進行外界調節，整體顯示圖像亮度的均勻性和穩定性，具有製作過程穩定可靠、製作工藝簡單、製作成本低廉、結構簡單的優點。
文檔編號H01J29/04GK1909169SQ20061004852
公開日2007年2月7日 申請日期2006年8月2日 優先權日2006年8月2日
發明者李玉魁 申請人:中原工學院