多層粘接膜和連接結構體的製作方法

2023-06-14 00:41:26

本發明涉及多層粘接膜和連接結構體。
背景技術：
：近年來，電子儀器的製備工序中，在將ic晶片和液晶面板等電子部件與基板等進行粘接時，廣泛使用多層粘接膜。這種多層粘接膜包含含有未固化的聚合物和固化劑的聚合物組合物作為粘接成分，通過熱壓接等使聚合物固化，由此將基板與電子部件粘接。在此，多層粘接膜進行粘接時，高溫的熱壓接為必需的情形下，由於熱膨脹和固化收縮而使電子部件和基板等變形，因此會有在粘接界面發生浮動、或者粘接強度降低的情況。因此，謀求即使以較低溫的熱壓接也可將電子部件與基板等進行粘接的多層粘接膜。例如，下述的專利文獻1中公開了一種熱陽離子聚合性組合物，其通過包含環氧聚合化合物作為粘接性的聚合物組合物，且包含熱陽離子聚合型固化劑作為固化劑，可利用低溫的熱壓接進行粘接。另外，為了可利用低溫的熱壓接進行粘接，而將多層粘接膜中的環氧聚合化合物和固化劑的反應性提高的情形下，會有保存中環氧聚合化合物緩慢地固化，多層粘接膜的粘接性降低的情況。因此，下述的專利文獻2公開了一種環氧聚合物用固化劑，其通過在微膠囊中封入陰離子聚合型固化劑而賦予了潛伏性。這種潛伏性環氧聚合物用固化劑，由於可在常溫下穩定地儲存，且可通過規定的熱、壓力等快速地引發固化反應，因此可使多層粘接膜的保存穩定性提升。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：國際公開2013/027541號；專利文獻2：國際公開2007/037378號。技術實現要素：發明所要解決的課題但是，就上述的專利文獻1中所公開的熱陽離子聚合性組合物而言，在被粘接面為鹼性玻璃或聚醯亞胺等的情形下，由於受到阻聚，因此固化變得不充分。因此，使用專利文獻1中所公開的熱陽離子聚合性組合物的多層粘接膜，取決於被粘接物的材質而會有粘接性降低的情況。另外，使用上述的專利文獻2中所公開的潛伏性環氧聚合物用固化劑的多層粘接膜，雖然不受被粘接面的制約，但為了獲得充分的粘接性，高溫下的熱壓接是必需的。因此，本發明鑑於上述問題而成，本發明的目的在於提供：包含陰離子聚合型的環氧固化劑、保存穩定性高、即使為低溫的熱壓接也具有充分的粘接性的新型且經改良的多層粘接膜；和通過該多層粘接膜粘接而得的連接結構體。用於解決課題的手段為了解決上述課題，根據本發明的某觀點，提供一種多層粘接膜，其具備：包含未固化的環氧聚合化合物和潛伏性環氧固化劑的多個環氧層；和由所述多個環氧層夾持、且包含陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑的固化劑層。可進一步具備：在所述環氧層各自與所述固化劑層之間形成、且包含已固化的環氧聚合化合物的界面層。相對於所述固化劑層的總質量，可以以10質量%以上且50質量%以下含有所述非潛伏性環氧固化劑。所述非潛伏性環氧固化劑可以是咪唑化合物。所述潛伏性環氧固化劑可以是通過將固化劑封入微膠囊中而賦予了潛伏性的固化劑。所述多個環氧層和所述固化劑層中的至少任一層可包含導電粒子。所述導電粒子可包含在所述多個環氧層的至少任一層中。所述多層粘接膜的總膜厚可以是4μm以上且50μm以下。另外，為了解決上述課題，根據本發明的另外的觀點，提供通過上述的多層粘接膜將電子部件與其它電子部件或基板粘接而得的連接結構體。所述電子部件的被粘接面中的至少一部分可被包含聚醯亞胺的保護膜包覆。發明效果如以上所說明的那樣，根據本發明，在熱壓接時，由於反應性高的非潛伏性環氧固化劑擴散到包含未固化的環氧聚合化合物的層中，因此即使以低溫的熱壓接也可實現具備充分的粘接性的多層粘接膜。另外，根據本發明，由於包含非潛伏性環氧固化劑的層與包含未固化的環氧聚合化合物的層分開，因此可實現具備高的保存穩定性的多層粘接膜。附圖說明[圖1]是將本發明的一實施方式所涉及的多層粘接膜沿厚度方向切斷時的截面示意性表示的截面圖。[圖2]是圖1所示的多層粘接膜中，在環氧層與固化劑層之間形成了界面層時的截面圖。[圖3]是將同一實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜沿厚度方向切斷時的截面示意性表示的截面圖。具體實施方式以下，邊參照附圖，邊對本發明的適合的實施方式詳細地進行說明。需要說明的是，本說明書和附圖中，對於實質上具有相同功能構成的構成要素，通過標註相同符號省略重複說明。＜1.多層粘接膜＞[1.1.多層粘接膜的構成]首先，參照圖1和圖2，對本發明的一實施方式所涉及的多層粘接膜的結構進行說明。圖1是將本實施方式所涉及的多層粘接膜100沿厚度方向切斷時的截面示意性表示的截面圖。另外，圖2是多層粘接膜100a中，環氧層111、112與固化劑層120之間形成了界面層131、132時的截面圖。如圖1所示，本實施方式所涉及的多層粘接膜100具有固化劑層120由多個環氧層111、112所夾持的層疊結構。需要說明的是，多層粘接膜100的任一側的面上設置有支撐多層粘接膜100的剝離片(未圖示)。剝離片例如是將矽酮等剝離劑塗布於片狀的pet(polyethyleneterephthalate，聚對苯二甲酸乙二醇酯)、opp(orientedpolypropylene，取向聚丙烯)、pmp(poly-4-methylpentene-1，聚-4-甲基戊烯-1)、或ptfe(polytetrafluoroethylene，聚四氟乙烯)等上而得的，防止多層粘接膜100的乾燥，同時維持多層粘接膜100的形狀。這種剝離片即使在製作多層粘接膜100的各層時也可適宜使用。(環氧層)環氧層111、112包含成膜成分、未固化的環氧聚合化合物、和潛伏性環氧固化劑。成膜成分是形成環氧層111、112的膜形狀的樹脂等，發揮將未固化的環氧聚合化合物和潛伏性環氧固化劑保持的粘合劑的功能。成膜成分可以是例如平均分子量為10000以上的高分子樹脂，從膜形成性的觀點出發，優選平均分子量為10000以上且80000以下左右的高分子樹脂。具體而言，成膜成分可使用環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚酯氨基甲酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、縮丁醛樹脂等的各種樹脂。另外，成膜成分可將這些樹脂單獨使用，也可將2種以上組合使用。需要說明的是，為了使成膜性和粘接可靠性良好，成膜成分優選使用苯氧基樹脂。為了獲得良好的膜強度和粘接可靠性，例如，相對於環氧層111、112的總質量，優選以10質量%以上且55質量%以下含有成膜成分，更優選以10質量%以上且30質量%以下含有成膜成分。未固化的環氧聚合化合物是分子內具有1個或2個以上環氧基的化合物、低聚物或預聚物，多層粘接膜100通過在被熱壓接等時聚合而固化，發揮使被粘接物彼此粘接的功能。未固化的環氧聚合化合物通過與固化劑混合而進行聚合反應，只要是可固化的材料即可，可以是固體，也可以是液體。作為固體的環氧聚合化合物，例如可使用雙酚a型環氧樹脂、雙酚f型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠和氨基甲酸酯等的各種改性環氧樹脂、或它們的預聚物等。另外，作為液體的環氧聚合化合物，例如可使用雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三酚基甲烷型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、或它們的預聚物等。需要說明的是，未固化的環氧聚合化合物可將這些化合物單獨使用，也可將2種以上組合使用。為了獲得良好的膜強度和粘接可靠性，例如，相對於環氧層111、112的總質量，優選以15質量%以上且65質量%以下含有未固化的環氧聚合化合物，更優選以30質量%以上且50質量%以下含有未固化的環氧聚合化合物。潛伏性環氧固化劑具有潛伏性，是在熱壓接時等選擇性地引發與未固化的環氧聚合化合物進行聚合反應的固化劑。具體而言，潛伏性環氧固化劑是如下的固化劑：雖然在常溫(例如，25℃等)下與環氧聚合化合物不反應，但通過規定的熱、光、壓力等快速地獲得與環氧聚合化合物的反應性，而使環氧聚合化合物固化。即，「潛伏性」表示在常溫等的保存條件下作為固化劑為鈍性，但在規定的條件下作為固化劑而活化。作為這種潛伏性環氧固化劑，可舉出：在微膠囊中封入固化劑，通過利用熱或壓力來破壞該微膠囊而使固化劑活化的潛伏性環氧固化劑(旭化成e-materials公司制novacure等)；通過將發揮固化劑功能的胺系化合物製成加合物或鹽而鈍化，通過加熱而使之分解・活化的潛伏性環氧固化劑(味之素finetechno公司制amicure(アミキュア)、富士化成工業公司制fujicure等)等。但是，為了使保存穩定性提升，且即使以低溫的壓接也獲得良好的粘接性，作為潛伏性環氧固化劑，優選使用微膠囊型潛伏性環氧固化劑(旭化成e-materials公司制novacure等)。需要說明的是，潛伏性環氧固化劑是陰離子聚合型的環氧固化劑。通過使潛伏性環氧固化劑為陰離子聚合型，本實施方式所涉及的多層粘接膜100，即使在陽離子聚合型的環氧固化劑的情形為產生阻聚的被粘接物也可顯示良好的粘接性。需要說明的是，在陽離子聚合型的環氧固化劑的情形產生阻聚的被粘接物例如為鹼性玻璃、聚醯亞胺等。為了獲得良好的保存穩定性和粘接性，例如，相對於環氧層111、112的總質量，優選以10質量%以上且50質量%以下含有潛伏性環氧固化劑，更優選以20質量%以上且40質量%以下含有潛伏性環氧固化劑。需要說明的是，環氧層111、112可包含矽烷偶聯劑、無機填料、著色劑、抗氧化劑和防鏽劑等作為其它添加劑。作為矽烷偶聯劑，可使用公知的矽烷偶聯劑，可使用環氧系、氨基系、巰基・硫醚系、醯脲系的矽烷偶聯劑。這些矽烷偶聯劑被添加時，可使對玻璃基板等無機基板的粘接性提升。另外，作為無機填料，可使用二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等。這些無機填料被添加時，控制環氧層111、112的流動性，可使膜強度提升。為了在電子部件與基板等的粘接中填充足夠的環氧聚合化合物，環氧層111、112的膜厚例如優選1μm以上且20μm以下，更優選2μm以上且15μm以下。(固化劑層)固化劑層120包含成膜成分和陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑(以下，也簡稱為非潛伏性環氧固化劑)。需要說明的是，固化劑層120不含未固化的環氧聚合化合物。這是為了避免：由於固化劑層120包含與環氧聚合化合物的反應性高的非潛伏性環氧固化劑，因此在保存中未固化的環氧聚合化合物與非潛伏性環氧固化劑反應，從而固化。成膜成分是形成固化劑層120的膜形狀的樹脂等，發揮將陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑保持的粘合劑的功能。具體而言，成膜成分可使用與環氧層111、112所包含的成膜成分同樣的高分子樹脂，為了使成膜性和粘接可靠性良好，優選使用苯氧基樹脂。另外，固化劑層120所包含的成膜成分可以是與環氧層111、112所包含的成膜成分相同的高分子樹脂，也可以是不同的高分子樹脂。為了獲得良好的膜強度和粘接可靠性，例如，相對於固化劑層120的總質量，優選以10質量%以上且95質量%以下含有成膜成分，更優選以50質量%以上且90質量%以下含有成膜成分。陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑不具有潛伏性，是引發與環氧聚合化合物進行陰離子聚合反應的固化劑。具體而言，陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑表示在陰離子聚合型的環氧固化劑中除潛伏性環氧固化劑之外的固化劑，例如表示胺化合物、咪唑化合物、和聚醯胺化合物等。另外，陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑也可表示：陰離子聚合型固化劑不被封入微膠囊等中，未賦予潛伏性的固化劑。本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，由於非潛伏性環氧固化劑為陰離子聚合型，因此對於在陽離子聚合型的環氧固化劑的情形產生阻聚的鹼性玻璃或聚醯亞胺等的被粘接面也可具有良好的粘接性。陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑可將上述的化合物等單獨使用，也可將2種以上組合使用。但是，本實施方式中，陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑優選包含咪唑化合物。這種情形下，多層粘接膜100可使粘接時的熱壓接更為低溫化，同時可形成更牢固的粘接。本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，由於在熱壓接時環氧層111、112以夾持固化劑層120的方式受到擠壓，因此固化劑層120中的非潛伏性環氧固化劑擴散到環氧層111、112中。由此，環氧層111、112中的環氧聚合化合物由於在熱壓接時除了與潛伏性環氧固化劑進行聚合反應之外，還與反應性更高的非潛伏性環氧固化劑進行聚合反應，因此可以以更高的固化率固化。因此，就本實施方式所涉及的多層粘接膜100而言，即使為更低溫的熱壓接，也可充分地使環氧聚合化合物固化，因此可具備充分的粘接性。另外，本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，包含反應性高的非潛伏性環氧固化劑的固化劑層120、及包含未固化的環氧聚合化合物的環氧層111、112分開形成。因此，反應性高的非潛伏性環氧固化劑除在熱壓接時以外不與未固化的環氧聚合化合物直接接觸，因此保存時可抑制環氧聚合化合物的聚合反應進行。因此，本實施方式所涉及的多層粘接膜100可具備高的保存穩定性。另外，相對於固化劑層120的總質量，優選以10質量%以上且50質量%以下含有陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑。非潛伏性環氧固化劑的含量為不足10質量%時，存在環氧層111、112的固化率降低、粘接性降低的可能性，因此不優選。另外，非潛伏性環氧固化劑的含量為超過50質量%時，在熱壓接時環氧層111、112與固化劑層120的界面快速地固化，變得難以充分擠壓多層粘接膜100，因此不優選。特別是，如後所述，使用多層粘接膜100作為各向異性導電膜時，由於多層粘接膜100的擠壓不充分，存在不能形成確實的各向異性導電連接的可能性，因此不優選。需要說明的是，固化劑層120與環氧層111、112同樣地可包含矽烷偶聯劑、無機填料、著色劑、抗氧化劑和防鏽劑等作為其它添加劑。為了在電子部件與基板等的粘接中填充足夠的陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑，固化劑層120的膜厚例如優選1μm以上且15μm以下，更優選2μm以上且10μm以下。在此，如圖2所示，本實施方式所涉及的多層粘接膜100a也可在環氧層111、112與固化劑層120之間形成界面層131、132。界面層131、132包含已固化的環氧聚合化合物。界面層131、132所包含的已固化的環氧聚合化合物是：環氧層111、112中的未固化的環氧聚合化合物與固化劑層120中的非潛伏性環氧固化劑進行聚合反應，固化而得的化合物。包含已固化的環氧聚合化合物的界面層131、132作為環氧層111、112與固化劑層120之間的阻擋層發揮功能，因此在保存時，可抑制固化劑層120中的非潛伏性環氧固化劑向環氧層111、112中擴散。由此，形成有界面層131、132的多層粘接膜100的保存穩定性進一步提升。為了抑制非潛伏性環氧固化劑向環氧層111、112中的擴散，界面層131、132中的環氧聚合化合物的固化率優選60%以上，更優選80%以上。需要說明的是，環氧聚合化合物的固化率可如下算出：例如，利用紅外分光(ir)測定，計算未固化的環氧聚合化合物中的環氧基的比例、及已固化的環氧聚合化合物中的環氧基的比例，通過計算因固化而使環氧基何種程度減少來算出。另外，為了在多層粘接膜中獲得良好的保存穩定性和粘接性，界面層131、132的膜厚例如優選0.1μm以上且0.6μm以下，更優選0.2μm以上且0.5μm以下。如以上所說明的那樣，本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，通過將包含反應性高的非潛伏性環氧固化劑的固化劑層120、及包含未固化的環氧聚合化合物的環氧層111、112分開形成，可使高的保存穩定性和良好的粘接性並存。需要說明的是，為了獲得良好的膜強度和粘接可靠性，本實施方式所涉及的多層粘接膜100的總膜厚優選為4μm以上且50μm以下。[1.2.多層粘接膜的製備方法]上述的本實施方式所涉及的多層粘接膜100例如可如下製備。首先，將成膜成分、環氧聚合化合物和潛伏性環氧固化劑在適宜的溶劑中按規定的比例進行混合。將混合液通過公知的混合方法均勻地進行混合，調製環氧層形成用組合物之後，通過公知的塗覆方法在剝離片上以形成規定的乾燥厚度的方式塗布，使之在60℃～80℃下乾燥2分鐘～8分鐘，由此分別形成環氧層111、112。另外，同樣地，將成膜成分、陰離子聚合型的非潛伏性環氧固化劑在適宜的溶劑中按規定的比例進行混合，調製固化劑層形成用組合物之後，在另外的剝離片上以形成規定的乾燥厚度的方式塗布，使之乾燥，由此形成固化劑層120。進而，將所形成的環氧層111、112和固化劑層120按環氧層111、固化劑層120、環氧層112的順序利用公知的方法進行貼合，由此可製備本實施方式所涉及的多層粘接膜100。在此，本實施方式所涉及的多層粘接膜100的製備方法不限於上述的方法。例如，可以不是分別形成環氧層111、112、固化劑層120並進行貼合，而是在環氧層111上依次塗布固化劑層120和環氧層112而形成。另外，可以將塗布和貼合組合而層疊環氧層111、112和固化劑層120，由此來製備多層粘接膜100。＜2.多層粘接膜的變形例＞其次，參照圖3，對本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b進行說明。圖3是將本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b沿厚度方向切斷時的截面示意性表示的截面圖。如圖3所示，本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b是在環氧層111、112和固化劑層120中的至少任一的層中包含導電粒子140，可作為各向異性導電膜使用的膜。需要說明的是，為了使多層粘接膜100b作為可更確實地進行各向異性導電連接的各向異性導電膜發揮功能，優選導電粒子140包含在環氧層111、112的至少任一層中。導電粒子140例如是金屬粒子或金屬包覆樹脂粒子。具體而言，導電粒子140可以是鎳、鈷、銅、銀、金或鈀等金屬粒子。另外，導電粒子140可以是將苯乙烯-二乙烯基苯共聚物、苯並胍胺樹脂、交聯聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、或苯乙烯-二氧化矽複合樹脂等核樹脂粒子的表面用鎳、銅、金或鈀等金屬包覆而得的粒子。而且，導電粒子140的表面可形成金或鈀薄膜、或在壓接時被破壞的程度的薄的絕緣樹脂薄膜等。多層粘接膜100b被熱壓接等時，導電粒子140熔融而彼此連接，由此將通過多層粘接膜100b粘接的電子部件的端子與基板等的端子進行電連接。另一方面，由於導電粒子140僅在電子部件和基板的突出的端子間等的施加更高壓力的區域形成電連接，因此在多層粘接膜100b的膜面內方向的絕緣性得以維持。即，本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b可用作各向異性導電膜。為了實現確實的各向異性導電連接，導電粒子140的平均粒徑(粒子的直徑的個數平均值)優選1μm以上且10μm以下，更優選2μm以上且5μm以下。需要說明的是，導電粒子140的平均粒徑例如可通過雷射衍射散射法等進行測定。另外，為了實現確實的各向異性導電連接，例如，相對於包含導電粒子140的層的總質量，優選以5質量%以上且30質量%以下含有導電粒子140，更優選以5質量%以上且20質量%以下含有導電粒子140。(連接結構體的製備方法)將本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b用作各向異性導電膜時，例如可通過以下的方法將電子部件的端子與基板的端子進行各向異性導電連接。首先，將本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b以使包含導電粒子140的層為基板的端子一側的方式暫時粘貼在基板的端子上。暫時粘貼的方法和條件可使用公知的方法和條件，但例如也可通過將多層粘接膜100b加熱和加壓至未正式固化的程度來暫時粘貼。其次，以使電子部件的端子與基板的端子相向的方式，將電子部件載放在經暫時粘貼的多層粘接膜100b上，並進行暫時固定。暫時固定的方法和條件可使用公知的方法和條件，例如也可通過將多層粘接膜100b加熱和加壓至未正式固化的程度，來將基板、多層粘接膜100b和電子部件暫時固定。接著，將經暫時固定的基板、多層粘接膜100b和電子部件通過加熱擠壓構件進行加熱和擠壓而熱壓接，由此可將基板的端子與電子部件的端子進行各向異性導電連接，而形成連接結構體。在此，熱壓接的方法和條件可使用公知的熱壓接裝置。根據以上的方法，本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜100b無論基板和電子部件的被粘接面的材質如何，均具有充分的粘接性，可形成形成有各向異性導電連接的連接結構體。實施例＜3.實施例＞以下，邊參照實施例和比較例，邊對本實施方式所涉及的多層粘接膜更詳細地進行說明。需要說明的是，以下所示的實施例是用於顯示本實施方式所涉及的多層粘接膜的可實施性和效果的一例，本發明不受限於以下的實施例。[3.1.多層粘接膜的製備和評價]首先，製備本實施方式所涉及的多層粘接膜，對粘接性進行了評價。(實施例1)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)40質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、潛伏性環氧固化劑(novacure3941hp、旭化成e-materials公司制)30質量%混合，調製了環氧層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將環氧層形成組合物塗布於剝離片(厚度38μm的矽酮処理pet片，以下相同)上，使之乾燥，由此形成了環氧層。接著，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)90質量%、咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)10質量%混合，調製了固化劑層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將固化劑層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了固化劑層。進而，從剝離片上剝離各層並進行貼合，以使固化劑層被2個環氧層夾持，由此製備了實施例1所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(比較例1)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)40質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、陽離子聚合型的環氧固化劑(si-60l、三信化學公司制)30質量%混合，調製了粘接膜形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為18μm的方式，將粘接膜形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此製備了比較例1所涉及的粘接膜(總膜厚18μm)。(評價方法和評價結果)使用實施例1和比較例1所涉及的粘接膜，製作了連接結構體。具體而言，將膜厚0.1mm的聚醯亞胺膜、實施例1或比較例1所涉及的粘接膜、膜厚0.1mm的pet(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜依次貼合之後，進行150℃-1mpa-5秒鐘的熱壓接，製作了連接結構體。通過基於tensilon萬能試驗機(orientec公司制)的t型剝離強度試驗(依據jisk6853-3)測定了所製作的連接結構體的剝離強度。將所測定的剝離強度的結果示於表1中。[表1](表1)實施例1比較例1剝離強度[n]133參照表1的結果可知，相對於比較例1，實施例1的剝離強度高，粘接性更高。特別是可知，比較例1中，在聚醯亞胺膜與粘接膜的界面發生剝離，陽離子聚合型的固化劑由於聚醯亞胺而被阻聚，因此固化變得不充分，粘接性降低。因此，可知本實施方式所涉及的多層粘接膜無論被粘接面的材質如何，均顯示高的粘接性。[3.2.各向異性導電膜的製備和評價]其次，製備本實施方式的變形例所涉及的多層粘接膜，對用作各向異性導電膜時的粘接性、保存穩定性和導通性等進行了評價。(實施例2)首先，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)30質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、潛伏性環氧固化劑(novacure3941hp、旭化成e-materials公司制)30質量%、導電粒子(aul-704、積水化學公司制)10質量%混合，調製了acf(anisotropicconductivefilm，各向異性導電膜)層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將acf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了acf層。其次，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)40質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、潛伏性環氧固化劑(novacure3941hp、旭化成e-materials公司制)30質量%混合，調製了ncf(nonconductivefilm，不導電膜)層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將ncf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了ncf層。接著，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)90質量%、咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)10質量%混合，調製了固化劑層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將固化劑層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了固化劑層。進而，從剝離片上剝離並進行貼合，以使上述所形成的固化劑層被acf層和ncf層夾持，由此製備了實施例2所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(實施例3)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)60質量%、咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)40質量%混合，調製了固化劑層形成組合物，除此之外，與實施例2同樣地進行，製備了實施例3所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(實施例4)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)50質量%、咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)50質量%混合，調製了固化劑層形成組合物，除此之外，與實施例2同樣地進行，製備了實施例4所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(實施例5)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)40質量%、咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)60質量%混合，調製了固化劑層形成組合物，除此之外，與實施例2同樣地進行，製備了實施例5所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(比較例2)ncf層以膜厚12μm形成，僅將acf層和ncf層從剝離片上剝離並進行貼合，除此之外，與實施例2同樣地進行，製備了比較例2所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(比較例3)將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)20質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、潛伏性環氧固化劑(novacure3941hp、旭化成e-materials公司制)30質量%、導電粒子(aul-704、積水化學公司制)10質量%、及咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)10質量%混合，調製了acf層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將acf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了acf層。將ncf層形成組合物按照與實施例2同樣的組成進行調整，以使乾燥後膜厚成為12μm的方式，將ncf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了ncf層。進而，通過將acf層和ncf層從剝離片上剝離進行貼合，製備了比較例3所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(比較例4)將acf層形成組合物按照與實施例2同樣的組成進行調整，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將acf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了acf層。將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)30質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、潛伏性環氧固化劑(novacure3941hp、旭化成e-materials公司制)30質量%、及咪唑化合物(2-甲基咪唑、四國化成公司制)10質量%混合，調製了ncf層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為12μm的方式，將ncf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了ncf層。進而，通過將acf層和ncf層從剝離片上剝離進行貼合，製備了比較例4所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(比較例5)首先，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)30質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、陽離子聚合型的環氧固化劑(si-60l、三信化學公司制)30質量%、導電粒子(aul-704、積水化學公司制)10質量%混合，調製了acf層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為6μm的方式，將acf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了acf層。其次，將苯氧基樹脂(yp50、新日鐵化學公司制)20質量%、液體環氧樹脂(ep828、三菱化學公司制)40質量%、固體環氧樹脂(yd-014、新日鐵化學公司制)10質量%、陽離子聚合型的環氧固化劑(si-60l、三信化學公司制)30質量%混合，調製了ncf層形成組合物。另外，以使乾燥後膜厚成為12μm的方式，將ncf層形成組合物塗布於剝離片上，使之乾燥，由此形成了ncf層。進而，通過將acf層和ncf層從剝離片上剝離進行貼合，製備了比較例5所涉及的多層粘接膜(總膜厚18μm)。(界面層的確認)首先，實施例2～5所涉及的多層粘接膜中，確認到在固化劑層、與acf層和ncf層之間形成了界面層。具體而言，實施例2～5中，通過將與固化劑層的界面附近的acf層和ncf層的固化率沿厚度方向分開進行計算，確認到形成了包含已固化的環氧聚合化合物的界面層。需要說明的是，固化率的計算是通過利用ir測定計算環氧基的存在比例而進行的。具體而言，利用ir測定，測定acf層的環氧基與甲基的比率、及測定區域的環氧基與甲基的比率，將測定區域中的環氧基的存在比率的降低比例作為固化率進行計算。將所計算出的固化率示於表2中。需要說明的是，所計算出的厚度方向的固化率的變化在實施例2～5中未見明顯差異。[表2](表2)參照表2的結果確認到：acf層和ncf層中，均在距與固化劑層的界面的距離為0μm～0.2μm的範圍內，形成了包含固化率為80%以上的已固化的環氧聚合化合物的界面層。另外，距與固化劑層的界面的距離為0.5μm以上時，固化率為3%以下。認為這是由於：通過使界面層作為阻擋層發揮功能，非潛伏性環氧固化劑向acf層和ncf層中的擴散得到抑制，使acf層和ncf層的固化得到抑制。因此認為界面層的厚度在acf層和ncf層的各自層中均為約0.4μm左右。(評價方法和評價結果)使用實施例2～4和比較例2～4所涉及的各向異性導電膜，製作了連接結構體。具體而言，將實施了ti/al塗層的膜厚0.3mm的聚醯亞胺基板、及具有高度15μm且平面面積30μm×85μm的鍍金凸塊的平面面積1.8mm×20mm、厚度0.3mm的ic(integratedcircuit，集成電路)晶片通過實施例2～4和比較例2～4所涉及的各向異性導電膜進行了熱壓接。需要說明的是，熱壓接的條件設為190℃-60mpa-5秒鐘(高溫條件)或150℃-60mpa-5秒鐘(低溫條件)。另外，已製作的連接結構體按照以下的評價方法進行了評價。固化率通過如下進行評價：利用紅外分光(ir)測定，測定熱壓接前的acf層的環氧基與甲基的比率、及熱壓接後的acf層的環氧基與甲基的比率，將在熱壓接前後的環氧基的比率的降低比例作為固化率進行計算。翹曲量通過如下進行評價：使用表面粗糙度測定器(小坂研究所公司制)，測定熱壓接後的基板一側的表面粗糙度。導通電阻值通過如下進行評價：使用數字萬用表(橫川電氣公司制)，測定聚醯亞胺基板與ic晶片之間的電阻值。另外，為了評價可靠性，在壓接後初期、及在溫度85℃溼度85%的環境下放置500小時之後，測定了導通電阻值。粘接界面的浮動通過目視進行確認，有浮動者評價為不良(b)，無浮動者評價為良好(a)。另外，為了評價可靠性，在壓接後初期、及在溫度85℃溼度85%的環境下放置500小時之後，評價了粘接界面的浮動。保存穩定性通過如下進行評價：50℃12小時的固化加速試驗之後，利用上述的方法測定acf層的環氧基與甲基的比率，計算出相對於剛熱壓接後的acf層的環氧基與甲基的比率的減少比例。將以上的評價結果示於表3中。[表3]表3中，「條件」欄的「高溫」表示在190℃-60mpa-5秒鐘的高溫條件進行熱壓接，「低溫」表示在150℃-60mpa-5秒鐘的低溫條件進行熱壓接。參照表3的結果可知，實施例2～5即使在150℃-60mpa-5秒鐘的低溫條件下進行熱壓接的情形，固化率也高，在粘接界面未發生浮動。另外可知，實施例2～5即使在50℃12小時的固化加速試驗之後，固化率也被抑制在8%以下，保存穩定性優異。而且可知，實施例2～4的導通電阻值也低，在基板與ic之間形成了適宜的各向異性導電連接。但是可知，非潛伏性環氧固化劑即咪唑化合物的含量為60質量%的實施例5中，基於固化劑層與acf層和ncf層的固化快，熱壓接時無法充分擠壓，因此導通電阻值變高，無法形成適宜的各向異性導電連接。因此可知，相對於固化劑層的總質量，固化劑層中的非潛伏性環氧固化劑的含量優選10質量%以上且50質量%以下。另一方面，由於比較例2未形成固化劑層，因此在150℃-60mpa-5秒鐘的低溫條件下進行熱壓接的情形，固化率降低，且在粘接界面確認到浮動。需要說明的是，可知比較例2中，在190℃-60mpa-5秒鐘的高溫條件下進行熱壓接的情形，儘管顯示出充分的固化率，但翹曲量増大，因此不優選。可知比較例3和4中，由於在acf層或ncf層包含非潛伏性環氧固化劑即咪唑化合物，因此通過50℃12小時的固化加速試驗，固化率超過30%，保存穩定性低。比較例5由於使用陽離子聚合型的環氧固化劑，因此因被粘接面的聚醯亞胺而被阻聚，由此固化率降低，且放置後在粘接界面確認到浮動。因此可知，比較例5中，粘接性根據被粘接面的材質而降低。如以上所說明的那樣，本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，在熱壓接時，環氧聚合化合物除了可與潛伏性環氧固化劑進行聚合反應之外，還可與反應性更高的非潛伏性環氧固化劑進行聚合反應。因此，本實施方式所涉及的多層粘接膜100即使以低溫的熱壓接也可具備充分的粘接性。另外，本實施方式所涉及的多層粘接膜100中，使包含反應性高的非潛伏性環氧固化劑的固化劑層120、及包含未固化的環氧聚合化合物的環氧層111、112分開形成。因此，本實施方式所涉及的多層粘接膜100可具備高的保存穩定性。而且，本實施方式所涉及的多層粘接膜100通過在任一層中包含導電粒子，可適合地用作各向異性導電膜。以上，邊參照附圖邊對本發明的適合的實施方式詳細地進行了說明，但本發明不限於所述的實例。具有本發明所屬
技術領域：
中的常規知識的人員，在權利要求書所記載的技術思想的範疇內，顯然能夠想到各種的變更例或修改例，對於這些，也可理解理所當然屬於本發明的技術範圍內。符號說明100、100a、100b多層粘接膜111、112環氧層120固化劑層131、132界面層140導電粒子當前第1頁12