熔塊糊或包括熔珠的焊料玻璃化合物及含有其之組件的製作方法

2023-06-14 03:39:46 1

專利名稱：熔塊糊或包括熔珠的焊料玻璃化合物及含有其之組件的製作方法
技術領域：
本發明的一些實施例涉及用於應用組件的熔塊或焊料玻璃化合物。本發明的一些實施例尤其涉及熔塊或包括熔珠的焊料玻璃化合物，和/或包括其之真空絕緣玻璃(VIG) 元件或等離子顯示器(PDPs)。在某些實施例中，所述熔珠可為任何合適形狀的(例如大體為圓球形、大體為眼睛形、大體為長方形、大體為正方形等)帶有真空或非真空穴的中空玻璃珠。熔塊材料中含有這樣的熔珠能在一些情況下提高批量燒結熔塊的熱性能。此外，熔塊材料中含有這種熔珠能代替所述熔塊中其他更昂貴的材料，以此來降低所述組件的製造成本。
背景技術：
真空絕緣玻璃元件作為現有技術已廣為人知。例如，專利號為5664395、5657607 和5902652的美國專利文獻就對此做了披露，在此列出以做參考。圖1-2示出普通的真空絕緣玻璃元件(真空IG元件或VIG元件)。真空絕緣玻璃元件1包括兩個隔開的玻璃基板2和3，該玻璃基板圍成抽空的或低壓的空間。玻璃片/ 基板2和3通過焊料玻璃的焊接的外圍密封或邊密封及支撐柱或隔片5的陣列相互連接。泵出管8通過焊料玻璃9被嚴密密封到開口或孔10上，該孔從玻璃板2的內表面貫通到位於板2外表面上的凹位11的底部。泵出管8上連接吸塵器可使基板2和3之間的內腔經過抽吸產生低壓區域或低壓空間6.抽吸操作完成後，管8被熔化用以真空密封。 密封的管8保留在凹位11中。在凹位13中可置有化學吸收劑12.具有熔合焊料玻璃的外圍密封4的普通的真空絕緣玻璃元件是按如下方法製造的。溶液中的玻璃熔塊(最終是要形成焊料玻璃邊密封4的)最初是沉積在基板2的外邊周圍。另一個基板3覆蓋在基板2的上面以將支撐柱5和所述玻璃熔塊/熔液夾在其間。 所述包括基板2，3、支撐柱和密封材料的整個組件被加熱到大約500°C，在此溫度上所述玻璃熔塊熔化，浸潤所述玻璃板2，3的表面，並最終形成嚴密的外圍密封或邊密封4.此大約 5000C的溫度保持一到八小時。在外圍密封/邊密封4和所述管8周圍密封成型後，所述組件冷卻至室溫。已知在美國專利5664395的第二欄中有對普通真空絕緣玻璃製造過程溫度約為500°C保持1小時的說明。『395專利的發明者萊曾(Lenzen)、特納(Turner)和科林斯 (Collins)指出「當前邊密封的過程相當緩慢試件的典型溫度是每小時升高200°C，並根據所述焊料玻璃成分的不同在430°C到530°C這一恆定值的區間內保持一個小時。」邊密封 4成型後，通過所述管抽真空以形成低壓空間6.不幸的是，前述在形成邊密封4的過程中對所述整個組件所施加的高溫和長時間的加熱是不利的，特別是在所述真空絕緣玻璃元件中需要使用具有加熱應力或回火的玻璃基板2，3時。如圖3-4所示，回火玻璃暴露在高溫下隨著加熱時間喪失回火應力。此外，如此高的處理溫度是對某些施用於所述一個或兩個玻璃基板的低輻射鍍膜(low-Ε coating) 不利的。圖3為示出全熱回火玻璃板如何暴露在不同的溫度在不同的時間段所喪失的最初回火應力的曲線圖，其中最初的中心拉應力為每英寸3200MU。圖3中的χ軸為以小時表示的時間指數(從1到1000小時)，而y軸為指示了在加熱暴露後所殘留的最初回火應力的百分比。圖4為與圖3相似的曲線圖，不同之處為圖4中χ軸是表示的從零到一個小時的時間指數(exponentially)。圖3示出七條不同的曲線，每一條以華氏度(下)表示暴露在不同的溫度中。所述不同的曲線為400 °F (在圖3中橫貫頂部的曲線)、500 °F ,600 700 0F ,800 °F、900 0F 和950下(圖3中最底部的曲線)。900下相當於約482°C，這個溫度落在形成前述圖1-2 中普通焊料玻璃的外圍密封4所使用的溫度範圍內。因此，將所述900 T的曲線標以參考標號18，以提起對此曲線的注意。如圖所示，在此溫度(900下或482°C)下一個小時後僅保留有20%的最初回火應力。這麼嚴重的回火應力的損失(例如80%的損失)當然是不利的。與處於900 個小時相比，圖3-4示出當加熱到800 持一個小時在熱回火片中保留的回火應力會多很多。如此，玻璃片在處於800下一個小時後所留存的最初回火應力約為70%，這明顯的要好於處於900下相同的時間所留存的不足20%的最初回火應力。不將整個元件加熱太長時間的另一個優點是可以使用低溫的支撐柱材料。這可能在一些情況下是需要的，在另一些情況也可能不需要。即使使用非回火玻璃基板，當對整個真空絕緣玻璃組件施用高溫時也會軟化玻璃或引入應力，並且部分加熱會引入更多的應力。這些應力會增加所述玻璃變形和/或破裂的可能性。此外，普通真空絕緣玻璃元件的陶瓷或焊料玻璃的邊密封容易破裂和/或碎裂， 降低了玻璃面板相互單獨移動的可能性。已知發生在正常情況下的玻璃面板的移動例如像當兩個嚴密密封的玻璃部件(例如在真空絕緣玻璃元件中)作為窗戶、天窗或門的部件安裝時，則所述真空絕緣玻璃元件直接暴露在陽光下並且其中一個玻璃面板比其他的面板吸收更多的熱量，或者在內側和外側之間具有很大的溫度差。基於環境和安全的考慮，雖然通過商業途徑可獲得「無鉛」熔塊，但這樣的熔塊材料比普通的含鉛熔塊材料要貴很多。確實，本發明的發明者曾指出當前的「無鉛」熔塊平均比普通的含鉛熔塊要貴大約二十倍。因此，在本領域很渴望能廉價地製造和使用熔塊或焊料玻璃材料並能提供適於真空絕緣玻璃和/或PDP所需的應力。

發明內容
某些涉及在「無鉛」熔塊中至少替換一些材料的實施例，雖然材料減少，但對應力無影響。就此而言，某些涉及到熔塊或焊料玻璃材料的實施例包括熔珠(例如實心或空心的陶瓷珠)，其優選替換該材料(可含有例如鉍)。在此實施例中，所述熔珠也可降低所述熔塊的體導熱率(bulk conductivity)(例如，整體導熱率)。可以選擇所述熔珠的大小和形狀以能增加「填充率」(fill)，致使得到更大的體積和更小對應力地影響。本發明的某些實施例涉及包含有熔塊粉和若干玻璃或陶瓷珠的熔塊熔漿糊。所述熔塊熔漿糊大體上是無鉛的並且其所具有的粘性可使所述熔塊熔漿糊具有可擠壓性(extrudable)0本發明的某些實施例涉及包括至少一個基板和形成在所述至少一個基板上的熔塊的組件。所述熔塊是通過燒結施用到所述至少一個基板上的熔塊熔漿糊而形成的。所述熔塊熔漿糊包括熔塊粉和若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠。所述熔塊熔漿糊大體是無鉛的，並且其所具有的粘性可使所述熔塊熔漿糊具有可擠壓性能。在某些實施例中，每個所述熔珠可為中空的、內真空的熔珠。在某些實施例中，若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠可包含若干第一熔珠與若干第二熔珠，其中第一熔珠的平均大小要小於第二熔珠的平均大小。本發明的某些實施例涉及製備真空絕緣玻璃元件的方法。提供第一基板。將熔塊熔漿糊施於所述第一基板的周圍。提供第二基板，使所述第一基板與第二基板大體平行並且相互隔開，以使所述熔塊熔漿糊被施用到所述第二基板的周圍。所述熔塊熔漿糊被燒結從而產生邊密封。形成於所述第一與第二基板中間的空腔至少部分的抽空。所述熔塊熔漿糊具有的體積粘度(bulk viscosity)為20，000-100，OOOcps，其包括熔塊粉和若干中空的、內真空的熔珠。所述熔塊熔漿糊基本為無鉛的。在某些實施例中，關於具有由缺乏任何熔珠的熔塊熔漿糊形成的邊密封的真空絕緣玻璃元件，所述真空絕緣玻璃元件在接近其邊密封處具有降低了的導熱率，並且所述邊密封具有適於支撐所述真空絕緣玻璃元件的第一和第二基板的抗壓強度(compressive strength)0此處所描述的實施例、特徵、方面和優點可結合形成另外的實施例。


這些和其他特徵及優點可參照具體實施例的詳細描述並結合附圖進行更好更全面的理解，附圖為圖1為現有技術中普通真空絕緣玻璃元件的截面視圖；圖2為圖1中現有技術的真空絕緣元件沿圖1中所示的剖切線所剖開的顯示底基板、邊密封和支撐柱的俯視平面圖；圖3為關於時間(小時)對應殘留回火應力百分比的曲線圖，其示出熱回火玻璃板暴露在不同溫度下在不同時間段的最初回火應力的損失；圖4為類似於圖3的關於時間對應殘留回火應力百分比的曲線圖，但所述時間在 X軸上為更小的時間段；圖5為某些實施例組件部分的截面視圖；和圖6為某些實施例其他組件部分的截面視圖。
具體實施例方式本發明的某些實施例涉及熔塊或焊料玻璃化合物，其包括熔珠和/或組件，該組件例如像包括上述熔塊或焊料玻璃化合物的真空絕緣玻璃(VIG)元件或等離子顯示器 (PDPs)。在某些實施例中，所述熔珠為任何合適形狀(例如大體為球形、大體為眼形、大體為長方形、大體為正方形的等等)的帶有抽空空腔或未抽空空腔的中空玻璃熔珠。在某些實施例中，可將中空的或實心的熔珠加入未凝固的熔塊熔漿中、油墨中或塗料中用於製備等離子顯示器(PDPs)、真空絕緣玻璃(VIG)元件或其他組件。在某些實施例中，所述熔珠可為任何合適形狀(例如大體為球形、大體為眼形、大體為長方形、大體為正方形的等等)的中空的(有時為抽空的)或實心腔(solid cavities)的中空玻璃熔珠。所述某些實施例中含有所述熔珠的未凝固的熔塊熔漿、油墨或塗料可用作所述玻璃表面的塗裝材料，以作為邊密封等用途來幫助將兩個基板粘結在一起(例如玻璃粘結玻璃，金屬粘結金屬，玻璃粘結金屬等)。包含所述熔珠的某些實施例改善了一些工藝特徵，例如所述材料的流動性， 同時也降低了凝固的熔塊、塗料或油墨的導熱性能。而且熔塊材料中所包含的這種熔珠也替代了熔塊中其他更貴的材料，由此在某些實施例中降低了製造所述組件的成本。在某些實施例中適用的熔珠可從商業途徑獲得。例如，3M公司就有一系列商標名稱為「玻璃泡」(Glass Bubbles)的中空微玻璃球。所述中空微玻璃球具有高的強度密度比，由此其具有輕質且強度高的特性。總體上，所述某些實施例中的熔珠所具有的密度為從0. 1到1. Og/cc，優選為大於0. 2g/cc，同時等靜壓強度(isostatic crush strength)為 50-50, OOOpsi，優選為大於約500psi。商業途徑可獲得的落入此範圍的3M產品例如包括玻璃泡 A16/500，A20/1000, D32/4500, H20/1000, H50/10000EPX, ΚΙ, Kll, K15, K20, K25, K37, K46, S15, S22, S32, S35, S38, S38HS, S38XHS, S60 及 S60HS。在某些實施例中，所述熔珠可進行表面處理或塗覆偶聯劑(coupling agents)、如表面活性劑之類的粘度改變劑 (viscosity altering agents)、如染料、顏料及類似物等的外觀改變劑。當然，對於VIG元件的適用，最好是不使用上述添加劑，因為表面的有機物在排放有機氣體時會產生麻煩。在某些實施例中，熔珠在所述熔漿中所選擇的比率為2. 5-90%，更優選為 5_75%，仍更優選為5-60%。為了調整和改善熔漿的流動性和流變學特性(rheology)，或調整和改善最終產品的物理性能、熱性能和/或其他性能，熔珠在某些實施例中可能有不同的尺寸和/或體積。在某些實施例中，在相同的熔漿中可含有不同大小和/或不同體積的熔珠。所述混有不同大小和/或不同體積熔珠的某些實施例可具有一些優點，例如能提供更大的體積或額外的「填充」，由此有助於所述燒結的熔塊保持高強度。在某些實施例中， 可提供混有超過兩種不同大小的熔珠的熔塊。在某些實施例中，可提供在所給定的區域範圍內具有預定百分比體積的任意大小熔珠的熔塊，例如網屏(mesh screen)。一旦混合物熔化，某些實施例中的所述熔珠最好不要用來確定燒結熔塊的高度， 但是某些實施例中的熔珠可用作填充材料來獲得更好的熱傳導或更低的導電率，下面將更詳細的給出說明。另外，某些實施例中的熔珠可用來降低對一些有毒、有害或不利熔塊材料的需求(例如鉛)，和/或用來降低對昂貴熔塊材料(例如鉍基材料)的需求等。例如， 某些實施例中的熔珠可替代至少一些在某些無鉛熔塊中含有的鉍基材料。因此，某些實施例中的熔塊或焊料玻璃材料可包含例如像Bi2O3-Bi2O3這樣的鉍基材料和若干相似的或不同大小的熔珠。所述熔珠加入所述混合物就分散其中。可在此使用不打破或壓破熔珠的普通混合設備，例如以此來將所述熔珠均勻分散在混合物中。可使用不同的不使所述熔珠被壓破的技術來泵出或擠壓出所述熔漿混合物。在這方面，例如可使用振動板(diaphragm)、蠕動方式(peristaltic)和/或其他泵出形式。由此設計方法所產生的流變可改善批量熔漿的流動性能。控制某些實施例中熔珠的大小、形狀和數量可用來獲得與普通熔塊熔漿糊相似或相同的粘性。然而如果所述熔珠為小尺寸和低表面積，這一般就不是一個問題。雖然不同實施例中所產生的不同熔塊熔漿糊具有不同的粘度範圍，但粘度範圍在2，000-500, OOOcps 之間一般是優選的，粘度範圍更優選為20，000-250, OOOcps或20，000-200, 000.有時所述的粘度範圍可達到40，000-80, OOOcps，這就接近普通的熔塊熔漿糊的粘度範圍。所施用的熔漿可通過加熱、抽吸的方式或這兩種方式的組合來乾燥。接觸所述兩個連在一起的基板的熔漿在合適的溫度被燒結，在此溫度下所述熔珠應未達到軟化點。例如，當所述熔珠為玻璃球，加熱溫度低於Tg。所述燒結的熔塊或焊料玻璃則具有所述熔塊和所述球體特性(bulk properties)的結合。使用抽空的中空熔珠的一個優點就是節約成本，特別是在使用較貴重的熔塊時，節約更加明顯。另一個優點是基於熔珠添加量所造成的導熱率的降低，例如接近所述熔塊。在像VIG元件或PDI^s這樣的組件中，所述具有熔珠的熔塊或焊料玻璃化合物在某些實施例中可改善熱傳導率。即傳導率的降低是有利的(例如，對於VIG元件)，通過所述熔塊或焊料玻璃所述另外的中空化合物降低了所述熱傳導率。對熱傳導的阻滯反過來改善了所述元件的總U值(U-value)。已知所述U值(或U因子(U-factor)) —般與總的熱傳導係數(heat transfer coefficient)有關並且通過測量所通過的熱傳導來表示構建元件傳熱的性能，例如，在標準條件下在構建元件的給定區域測量。通常的標準是的溫度梯度、50%的溼度、無風，一般認為越小的U值比更大的U值更有利。例如，在VIG元件中降低熱傳導率是有利的，如果在批量熔漿混合物中60 %體積抽空的中空玻璃球所計算的熱傳導率為K = 0. 085W/mK，則所述燒結熔塊所計算出的體熱傳導率會改善約55%。因此，周邊熔塊(或邊密封)熱傳導率的降低會改善安裝在窗戶或門的產品上的VIG元件的總體性能。總體上對某些實施例的VIG元件的適用來說，熱傳導率降低約5%是有利的，但如上所述，傳導率降低55%有時甚至更多也是可能的。圖5為某些實施例中組件的部分截面視圖。圖5示出可用於VIG元件類型的第一和第二玻璃基板15，所述第一和第二基板15夾著包含若干熔珠19和熔塊材料的熔塊17a， 該熔塊材料可為「無鉛」的。圖5中所示的熔塊17a中的熔珠19基本上大小和形狀相一致。 相比於熔塊中不包含任何熔珠19的實施例所述含有批量熔塊17a的組件具有較低的傳導率。圖6為某些實施例另一組件的部分截面視圖。圖6中的實施例示出了玻璃基板15 和金屬基板21。例如在PDP組件中可設置為將所述金屬基板21接近於面板的邊。與圖5 中的實施例相類似，圖6中實施例的所述玻璃基板15和所述金屬基板21夾著包含有若干熔珠19a與19b和熔塊材料的熔塊17b。該熔塊材料也可為「無鉛」的。但與圖5中的實施例所不同的是，圖6中的實施例包含不同大小和/或不同形狀的熔珠。即圖6中的實施例包含更大的熔珠19a和更小的熔珠19b。以相同和/或類似方式包含不同大小和/或不同形狀的熔珠可增強燒結熔塊的強度，因為由於不同大小的熔珠增加了填充容積。雖然在圖5和圖6中描述了有關玻璃基板和金屬基板，但根據本發明的不同實施例仍可使用任何合適的基板。圖5與圖6中所示的熔珠為中空的，且在某些實施例中為真空的空腔。在其他的實施例中，所述熔珠可為實心的。在某些實施例中，雖然熔塊材料的厚度根據在不同實施例中的適用不同而有所變化，但所述熔塊材料可僅為約2-20mm厚，某些實施例中的熔珠在直徑或寬度上的尺寸範圍可從20-200微米。即使所述熔珠的大小可能不總是完全一樣，但某些所述實施例中具有基本一致大小的熔珠，例如，由於製造工藝的原因，可導致熔珠大小的不一致。在某些實施例中，如果絕大多數熔珠相互間的偏差在1-3的標準內，則可以說所述熔珠的大小基本一致。
可以理解在某些實施例中所述含有熔珠(bead)的熔塊材料可用於支撐柱，該種支撐柱具有足夠的機械抗壓強度。例如此種材料可採用將其擠出成長條，然後將其切斷成支撐柱從而成型的製作方式。在另一個例子中，也可預成型支撐住，然後應用到所述玻璃， 最後燒結。所述支撐柱可做成具有所需的顏色特徵。雖然所述支撐柱的在外觀著色或低能見度方面的要求不是很重要，但例如，其他一些實施例可包含透明的熔塊材料和透明的玻璃泡。總的來說，對於某些實施例中所適用的VIG元件，一般是將熔塊材料施用到基板，然後熔化，接著將在基板間形成的空腔抽空。
在某些實施例中，所述熔塊的高度或基板之間的厚度可大體上等於所述支撐柱的高度。例如，所述熔塊的高度或厚度的偏差優選不大於+/_15%，更優選不大於+/-10%，又更優選不大於+/_5%。普通方法中使所述焊料玻璃流動，然後燒結的操作會在邊緣玻璃處產生會造成靜應力的彎曲，可以理解上述增加了的高度一致性標誌著在消除靜應力上的改口 ο
在某些實施例中，所述包含熔珠的熔塊熔漿糊可以預定的形狀擠出成型。所述熔塊熔漿糊一旦被擠壓出就被燒結或加熱，從而成型為施用到所述第一和/或第二基板邊上的剛硬的部件。所述剛硬部件可被再次燒結或再加熱以製成所述的VIG元件。
可以理解的是包含一定量鉛的熔塊仍可被認為「無鉛」。例如，包含幾PPM鉛的熔塊仍被說成是「無鉛」的。總的來說，「無鉛」熔塊是任何含鉛量低於有毒標準的熔塊。
此處的「外圍」密封和「邊」密封不意味著所述密封就絕對位於所述元件的外圍或邊上，但意味著所述密封至少部分的位於所述元件至少一個基板的邊上或其附近(例如， 約兩英寸之內)。同樣的，此處所用的「邊」不限於玻璃基板的絕對的邊，而是可包括所述基板絕對邊的區域或其附近(例如，約兩英寸之內)。再者，也可以理解此處所用的「VIG組件」是指在包括例如兩個被隔開的平行基板的所述VIG的邊被密封和所述凹位被抽空前的中間產品。還有，此處的部件被稱為在一個或多於一個所述基板「之上」或「被支撐」也不意味著所述部件就必須直接的接觸所述基板。也就是說，所述詞「之上」包括了直接接觸和間接接觸的之上，所以即使是有其他材料(例如，塗裝和/或薄膜)位於所述部件與所述基板之間也可認為所述部件在基板「之上」。
可以理解此處所描述的實施例可用於各種不同的VIG組件和/或其他元件或部件。例如，所述基板可為玻璃基板、熱加強基板、回火基板等。
此處所說的「熱處理」是指將物品加熱到足夠高的溫度以使所述玻璃能夠被熱回火、彎曲和/或熱加強。例如這包括將物品加熱到至少約580°C或600°C的溫度保持充足的時間以使其回火和/或熱加強，所述加熱到的溫度更優選為至少為約600°C，有時為625°C。 在一些實例中，所述的熱處理(HT)可能要持續最少約4分鐘或5分鐘。
值得注意的是在某些實施例中所述玻璃基板進行熱處理使其要麼被熱加強，要麼被熱回火(例如，在至少為約580°C，更優選在至少為約600°C，並且經常在至少為約620°C 或 640°C )。
某些實施例提供了局部加熱(localized heating)和/或紅外加熱(IR heating) 所述熔塊的方法，如在申請序列號為12/000，663和12/000，791的專利文獻中就有披露，每篇文獻的全部內容在此可作為參考。這可為在某些實施例中將所述熔塊設計為能吸收紅外線的提供幫助，例如將紅外線的波長限制在800-2000nm的範圍內(或者任何此範圍內的次級範圍內)。例如可通過添加能吸收這些波長的添加劑來實現上述目標。這些添加劑可在不同階段添加，例如在調製批次配方時和在熔化到所述玻璃熔塊時以粉末的形式將其添加到基本熔塊粉中等等。在本例中所述熔塊優選被加熱到熔化，這同時對混合物中的熔珠即使有影響也是很小的影響。
當前對本發明的描述所用的實施例應該認為是最實際並且最優選的實施例，可以理解為本發明並不局限於所公開的實施例，恰恰相反，在所附權利要求的範圍及精神之內， 本發明的範圍還應包括各種不同的修改及等同的設置。
權利要求
1.一種熔塊熔漿糊，包括 熔塊粉；和若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠，其中，所述熔塊熔漿糊是基本無鉛的，且其具有能使所述熔塊熔漿糊具有可擠壓性的粘性。
2.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中每個所述熔珠均為中空的。
3.根據權利要求2所述的熔塊熔漿糊，其中每個所述熔珠均具有抽空的空腔。
4.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠中的熔珠基本上為大小一致。
5.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠中的熔珠一般為大小不同。
6.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中每個所述熔珠均基本上為球形。
7.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中每個所述熔珠均基本上為眼型。
8.根據權利要求1所述的熔塊熔漿糊，其中所述熔塊粉為鉍基材料。
9.一種組件，包括 至少一個基板；和形成於所述至少一個基板之上的熔塊，所述熔塊是通過燒結施用於所述至少一個基板上的熔塊熔漿糊而形成的，所述熔塊熔漿糊包含 熔塊粉；和若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠，其中，所述熔塊熔漿糊是基本無鉛的，且其所具有的粘性能使所述熔塊熔漿糊具有可擠壓性。
10.根據權利要求9所述的組件，其中每個所述熔珠均為中空的、抽空空腔的熔珠。
11.根據權利要求10所述的組件，其中所述熔珠基本上大小一致。
12.根據權利要求10所述的組件，其中所述若干玻璃熔珠或陶瓷熔珠包括若干第一熔珠和若干第二熔珠，所述第一熔珠在大小上一般小於所述第二熔珠。
13.根據權利要求10所述的組件，其中每個所述熔珠均基本上為球形。
14.根據權利要求9所述的組件，進一步包括第一基板與第二基板，其中，所提供的所述熔塊作為所述第一基板與第二基板之間的邊密封。
15.根據權利要求14所述的組件，其中所述組件為真空絕緣玻璃(VIG)元件。
16.根據權利要求9所述的組件，其中所述熔塊被夾在至少一個基板與金屬層之間。
17.根據權利要求16所述的組件，其中所述組件為等離子顯示器(PDP)。
18.一種製備真空絕緣玻璃(VIG)元件的方法，該方法包括 提供第一基板；將熔塊熔漿糊施用到所述第一基板的周邊；提供第二基板，使所述第一基板與第二基板大體平行且相互隔開，從而使得所述熔塊熔漿糊被提供到所述第二基板的周邊； 燒結所述熔塊熔漿糊以產生邊密封；和在所述第一基板與第二基板之間形成至少部分抽空的空腔，其中，所述熔塊熔漿糊具有的體積粘度為20，000-100，OOOcps，並包括 熔塊粉，和若干中空的、內真空的熔珠，且其中所述熔塊熔漿糊基本為無鉛的。
19.根據權利要求18所述的方法，其中所述若干熔珠包括若干第一熔珠及若干第二熔珠，所述第一熔珠在大小上一般小於所述第二熔珠。
20.根據權利要求19所述的方法，其中所述VIG元件在接近其邊密封處相對於由缺乏任何熔珠的熔塊熔漿糊形成的邊密封的VIG元件具有降低的導熱率，並且其中所述的邊密封具有適於支撐所述VIG元件的第一基板和第二基板的抗壓強度。
21.根據權利要求18所述的方法，進一步包括 擠出含有預定形狀熔珠的熔塊熔漿糊；燒結或加熱所述被擠出並被施用到所述第一基板和/或第二基板邊上的熔塊熔漿糊以形成剛硬的部件；和燒結或加熱所述剛硬的部件以製備所述VIG元件。
全文摘要
本發明某些實施例涉及包含熔珠的熔塊或焊料玻璃化合物，和/或包含其之組件，例如像含有其之真空絕緣玻璃(VIG)元件或等離子顯示器(PDPs)。在某些實施例中所述熔珠可為任何合適形狀(例如，大體為球形，大體為眼形，大體為長方形，大體為正方形等)的、抽空或未抽空空腔的中空玻璃熔珠。熔塊材料含有此種熔珠可在某些實施例中改善批量燒結熔塊的熱性能。此外，含有此種熔珠的熔塊材料可代替熔塊中較昂貴的材料，以此來降低所述組件的製造成本。
文檔編號E06B3/677GK102548921SQ201080029792
公開日2012年7月4日 申請日期2010年6月14日 優先權日2009年6月30日
發明者戴維·J.·庫珀 申請人:格爾德殿工業公司