處理設備、處理方法、壓力控制方法、傳送方法以及傳送設備的製作方法
2023-06-13 02:22:21 3
專利名稱：處理設備、處理方法、壓力控制方法、傳送方法以及傳送設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及用於處理待處理物體的被處理物體處理設備、被處理物體處理方法、壓力控制方法、被處理物體傳送方法以及傳送設備，特別是涉及作為幹刻蝕或溼刻蝕的替換方法而進行CVD(化學汽相澱積)或COR(化學氧化物去除)的被處理物體處理設備，更特別地，涉及包括多個處理系統的被處理物體處理設備、用於傳送被處理物體的被處理物體傳送方法以及用於控制其壓力的壓力控制方法。
背景技術：
迄今為止，已經使用化學反應進行刻蝕以對薄膜成形。通常，刻蝕工藝與光刻工藝形成一套工藝；在光刻工藝中，形成抗蝕劑圖形，然後在刻蝕工藝中根據已經形成的抗蝕劑圖形對薄膜進行成形。
有兩種刻蝕方法，即幹刻蝕和溼刻蝕。最常用類型的幹刻蝕是平行板反應離子刻蝕。對於平行板反應離子刻蝕，將真空處理設備(被處理物體處理設備)的真空處理室放入真空狀態，作為被處理物體的晶片放入真空處理室中，然後向真空處理室中引入刻蝕氣體。
在真空處理室的內部提供有放置晶片的工作檯以及與該工作檯的晶片放置表面平行且面對該工作檯的晶片放置表面的上電極。高頻電壓施加於該工作檯，藉此將刻蝕氣體形成為等離子體。帶電粒子如正和負離子和電子、用做刻蝕物質的中性活性物質等散布存在於等離子體周圍。當刻蝕物質被吸收到晶片表面上的薄膜上時，在晶片表面發生化學反應，然後由此生成的產物與晶片分離並被排到真空處理室的外部，由此進行刻蝕。而且，根據條件，刻蝕物質可以被濺射到晶片表面上，由此通過物理反應進行刻蝕。
這裡，高頻電場垂直地施加於晶片表面，因此刻蝕物質(自由離子)也在垂直於晶片表面的方向移動。因此在垂直於晶片表面的方向進行刻蝕，而不是各向同性地在晶片表面上進行刻蝕。就是說，刻蝕不在晶片表面側向散布。因此幹刻蝕適合於微處理。
然而，利用幹刻蝕，為了進行適應於抗蝕劑圖形的高精度微處理，必須使被刻蝕材料的刻蝕速度和抗蝕劑材料的刻蝕速度之間的比很高，並且應噹噹心由雜質的汙染造成的刻蝕損傷、產生晶體缺陷等。
另一方面，對於溼刻蝕，有將晶片浸在含有液體化學材料的刻蝕槽中的浸漬法、和將液體化學材料噴射到晶片上同時旋轉晶片的旋塗法。在任何情況下，刻蝕是各向同性地進行的，因此發生側向刻蝕。相應地，溼刻蝕不能用在微處理中。然而，注意到，現今仍然使用溼刻蝕進行處理，如完全除去薄膜。
而且，使用化學反應形成薄膜的方法的例子是CVD(化學汽相澱積)。對於CVD，兩種或更多種反應物氣體在汽相或在晶片等的表面附近反應，通過該反應產生的產物作為薄膜形成在晶片的表面上。此時，加熱晶片，並因此通過來自被加熱晶片的熱輻射給反應物氣體輸送激活能量，由此激活反應氣體的反應。
通常，在集成電路和用於平板顯示器等的其它電子器件的製造中，使用真空處理設備進行各種處理，如包括上述CVD的膜成形、氧化、擴散、用於上述成形的刻蝕、和退火。這種真空處理設備一般由至少一個負載鎖定室、至少一個傳送室、和至少一個處理室構成。至少兩種這樣的真空處理設備是公知的。
一種類型是多室型真空處理設備。這種真空處理設備由作為真空處理室的三到六個處理室、具有傳送機構的真空製備室(負載鎖定室)、多邊形傳送室、以及傳送臂構成，其中所述傳送機構用於將半導體晶片即被處理物體送入和送出每個處理室，在多邊形傳送室的周圍設置處理室和負載鎖定室，並且該多邊形傳送室在其周邊壁中具有多個連接埠，這些連接埠用於以氣密方式通過門閥與處理室和負載鎖定室連通，所述傳送臂設置在傳送室內部並能翻轉、伸長和收縮(例如參見日本特許公開專利公報(公開)No.H08-46013)。
此外，另一種是具有直線型室的真空處理設備。這種真空處理設備具有在其中在半導體晶片上進行刻蝕的真空處理室和負載鎖定室，該負載鎖定室具有設置在其中的標量型單拾取型或標量型雙拾取型傳送臂，作為傳送裝置，用於在負載鎖定室和真空處理室之間進行晶片的轉交。就是說，真空處理室和具有設置在其中的傳送臂的負載鎖定室是作為一個組件採用的(例如參見日本特許公開專利公報(公開)No.2001-53131，和日本特許公開專利公報(公開)No.2000-150618)。
在上述任何一種真空處理設備中，在負載鎖定室中進行真空狀態和大氣壓力狀態之間的轉換，並且在運送設置在晶片載體上的晶片的運載器和真空處理室之間實現了平緩的晶片傳送。
在刻蝕處理的情況下，利用任一種真空處理設備，將高頻電壓施加於被引入到真空處理室內的刻蝕氣體(反應處理氣體)，由此使反應處理氣體形成為等離子體，進行刻蝕。利用這種幹刻蝕，由於根據施加電壓控制刻蝕物質，因此可以以優異的垂直各向異性進行刻蝕處理，因此可以根據光刻所需要的線寬進行刻蝕。
然而，在關於向晶片表面燃燒電路圖形的光刻工藝的微處理技術的研製中有了進展，其中用來自作為光刻光源的KrF準分子雷射器(波長為248nm)的紫外線進行曝光的工藝已經投入實施，並且在投入實施的工藝中具有使用具有較短波長(193nm)的ArF準分子雷射器的工藝。此外，使用能形成寬度為70nm或更小的精細圖形的F2雷射器(波長為157nm)的光刻已經成為2005下一代工藝的頂尖競爭者。然而，還沒有研製出在不損失抗幹刻蝕的情況下能以65nm或更小的線寬在150-200nm的膜厚實現11線-間隔精細構圖的抗蝕劑材料，並且利用常規抗蝕劑材料，將出現由於除氣產生的顆粒汙染的實際問題，因此由各向異性幹刻蝕進行的精細構圖接近了它的極限。
因此將希望寄予作為精細刻蝕處理法的COR(化學氧化物除去)上，作為幹刻蝕或溼刻蝕的替代者。對於COR，氣體分子經受化學反應，並且生成的產物附著在被處理物體(晶片)上的氧化物膜上，然後給晶片加熱以便除去該產物，由此可以獲得比光刻圖形更細的線寬。此外，COR包括適度的各向同性刻蝕；通過如壓力、氣體濃度、氣體濃度比、處理溫度、氣體流速、和氣體流速比來控制刻蝕速度，並且通過在一定處理時間周期以後飽和的處理量停止刻蝕。因此可以通過控制飽和點獲得希望的刻蝕速度。
這種COR適合於製造亞0.1μm金屬氧化物半導體場效應電晶體器件，這種場效應電晶體器件由最小厚度的多-耗盡層、具有形成在其上的金屬矽化物層的源/漏結以及超低表面電阻多-柵極構成，使用鑲嵌工藝的製造由源/漏擴散活化退火和金屬矽化作用構成，其中所述金屬矽化作用是恰好在虛擬柵區之前進行的，所述虛擬柵區後來將被除去並用多晶矽柵區代替(例如參見美國專利US6440808的說明書)。
利用進行常規刻蝕處理的真空處理設備，需要可以更有效地執行多個工藝。此外，對於進行COR處理或CVD處理的真空處理設備，需要對通過COR處理或CVD處理被加熱的晶片進行冷卻處理，因此再次要求可以更有效地執行多個工藝。然而，利用常規真空處理設備，如上所述，在負載鎖定室中進行真空狀態和大氣壓力狀態之間的轉換，並且負載鎖定室含有傳送臂和用於冷卻晶片的冷卻機構，因此負載鎖定室的體積必然變大，因此真空狀態和大氣壓力狀態之間的轉換需要更多的時間。此外，由於真空狀態和大氣壓力狀態之間的長時間轉換，已經被傳送到負載鎖定室中的晶片暴露於空氣，因此存在由於對流引起顆粒向上飛濺而附著的風險。
發明內容
本發明的目的是提供一種用於處理待處理的被處理物體處理設備、被處理物體處理方法、壓力控制方法、被處理物體傳送方法以及傳送設備，本發明能夠有效地進行多個處理。
為了實現上述目的，在本發明的第一方案中，提供一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括可連通地成一線地連接在一起並且在其中處理被處理物體的多個處理系統和可連通地連接到處理系統的負載鎖定系統，負載鎖定系統具有將被處理物體送入和送每個處理系統的傳送機構，並且至少一個處理系統是真空處理系統，負載鎖定系統設置在適當的位置，以與處理系統形成一線。
為了實現上述目的，在本發明的第二方案中，提供一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括COR處理系統、至少一個真空處理系統以及負載鎖定系統，在所述COR處理系統中對被處理物體進行COR處理，在至少一個真空處理系統中對被處理物體進行其它處理，COR處理系統和至少一個真空處理系統可連通地成一線地連接在一起，負載鎖定系統可連通地連接到COR處理系統和至少一個真空處理系統，負載鎖定系統具有用於將被處理物體送入和送出COR處理系統和至少一個真空處理系統的傳送機構。
優選地，至少一個真空處理系統是連接到COR處理系統的熱處理系統，在已經進行了COR處理的被處理物體上進行熱處理。
更優選地，COR處理系統和熱處理系統總是處於真空狀態。
再優選地，負載鎖定系統設置在適當的位置上，以便與至少一個真空處理系統形成一線。
為了實現上述目的，在本發明的第三方案中，提供一種用於被處理物體處理設備的被處理物體處理方法，所述被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統、在其中在已經進行了COR處理的被處理物體上進行熱處理的熱處理系統、以及可連通地連接到負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括以下步驟第一負載鎖定系統送入步驟，將第一被處理物體送入負載鎖定系統；第一排氣步驟，在第一負載鎖定系統送入步驟之後對負載鎖定系統進行排氣；第一COR處理系統送入步驟，在已經完成第一排氣步驟中的排氣之後，將第一被處理物體送入COR處理系統；COR處理開始步驟，開始在第一被處理物體上進行COR處理；第二鎖定系統送入步驟，在對第一被處理物體進行COR處理期間將第二被處理物體送入負載鎖定系統；第二排氣步驟，在執行第二負載鎖定系統送入步驟之後對負載鎖定系統進行排氣；第一傳送步驟，在已經完成第二排氣步驟中的排氣之後並在已經完成第一被處理物體的COR處理之後，將第一被處理物體從COR處理系統送入熱處理系統；第二傳送步驟，將被處理物體從負載鎖定系統送入COR處理系統；同時處理開始步驟，在COR處理系統中在第二被處理物體上開始進行COR處理並在熱處理系統中在第一被處理物體上進行熱處理；第三傳送步驟，在已經完成第一被處理物體的熱處理之後將第一被處理物體從熱處理系統送入負載鎖定系統；和替換步驟，使負載鎖定系統和裝載器組件互相連通，以便用在裝載器組件中等候的第三被處理物體替換負載鎖定系統中的第一被處理物體。
為了實現上述目的，在本發明的第四方案中，提供一種用於被處理物體處理設備的壓力控制方法，所述被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統、在其中在已經進行了COR處理的被處理物體上進行熱處理的熱處理系統、以及將被處理物體送入和送出負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括送入步驟，將負載鎖定系統置入大氣壓力狀態中並將沒有進行COR處理的被處理物體從裝載器組件傳送到負載鎖定系統，同時對熱處理系統排氣；負載鎖定系統排氣步驟，終止熱處理系統的排氣，並且對負載鎖定系統進行排氣使其壓力下降到設定壓力；熱處理系統排氣步驟，在負載鎖定系統已經達到設定壓力之後，終止負載鎖定系統的排氣，並對熱處理系統進行排氣，以便滿足熱處理系統內部的壓力低於負載鎖定系統內部的壓力的條件；以及第一連通步驟，在已經滿足熱處理系統內部的壓力低於負載鎖定系統內部的壓力之後，使負載鎖定系統與熱處理系統連通，同時對熱處理系統進行排氣。
優選地，根據本發明第四方案的壓力控制方法還包括第一壓力監控步驟，在執行第一連通步驟之後，監視熱處理系統內部的壓力；COR處理系統排氣步驟，對COR處理系統進行排氣，同時繼續對熱處理系統排氣，以便滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件；以及第二連通步驟，當已經滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件時，終止COR處理系統的排氣，並且使熱處理系統與COR處理系統連通，同時繼續對熱處理系統排氣。
更優選地，根據本發明的第四方案的壓力控制方法還包括注入步驟，在進行第二連通步驟之後，向負載鎖定系統和COR處理系統中引入流體。
更優選地，從負載鎖定系統流向熱處理系統的流體的流速以及從COR處理系統流向熱處理系統的流體的流速彼此相等。
還優選，根據本發明第四方案的壓力控制方法還包括在從COR處理系統送出已經進行了COR處理的被處理物體之後對熱處理系統和COR處理系統進行排氣的排氣步驟，因此將COR處理系統內部的壓力設定為用於消除殘餘ESC電荷的靜態消除壓力。
為實現上述目的，在本發明的第五方案中，提供一種用於被處理物體處理設備的壓力控制方法，該處理設備至少包括在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統和在其中對已經進行了COR處理的被處理物體進行熱處理的熱處理系統，該方法包括壓力監控步驟，監控熱處理系統內部的壓力，同時對熱處理系統進行排氣；COR處理系統排氣步驟，對COR處理系統進行排氣，以便滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件；以及連通步驟，當滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件時，終止COR處理系統的排氣，並將熱處理系統與COR處理系統可連通地連接。
為實現上述目的，在本發明的第六方案中，提供一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括第一處理系統，在其中對被處理物體進行第一處理；第二處理系統，與第一處理系統可連通地連接並在其中對被處理物體進行第二處理；和負載鎖定系統，設置在第一處理系統和第二處理系統之間並與第一處理系統和第二處理系統的每個可連通地連接，該負載鎖定系統具有將被處理物體送進和送出第一處理系統和第二處理系統的傳送機構。
優選地，第二處理系統是冷卻處理系統，在其中對已經進行了第一處理的被處理物體進行冷卻處理。
更優選地，第一處理系統總是處於真空狀態，並且第二處理系統總是處於大氣壓力狀態。
還優選地，負載鎖定系統設置在與第一處理系統和第二處理系統形成一線的位置上。
為實現上述目的，在本發明的第七方案中，提供一種用於被處理物體處理設備的被處理物體處理方法，該被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行真空處理的真空處理系統、在其中對已經進行了真空處理的被處理物體進行冷卻處理的大氣處理系統、以及裝載器組件，該方法包括負載鎖定系統送進步驟，將被處理物體從裝載器組件送進負載鎖定系統；第一真空/大氣壓力轉換步驟，在執行負載鎖定系統送進步驟之後對負載鎖定系統進行排氣；真空處理系統送進步驟，在執行第一真空/大氣壓力轉換步驟之後將被處理物體送進真空處理系統；真空處理步驟，對已經被送進真空處理系統的被處理物體進行真空處理；負載鎖定系統送出步驟，將已經進行了真空處理的被處理物體送出至負載鎖定系統；第二真空/大氣壓力轉換步驟，在執行負載鎖定系統送出步驟之後將負載鎖定系統的內部打開到大氣；大氣處理系統送出步驟，將被處理物體從負載鎖定系統送出進入大氣處理系統；大氣處理步驟，對已經被送出進入大氣處理系統的被處理物體進行冷卻處理；和裝載器組件送出步驟，將已經進行了冷卻處理的被處理物體送入裝載器組件。
為實現上述目的，在本發明的第八方案中，提供一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理設備至少包括具有用於傳送被處理物體的傳送裝置的負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行真空處理的真空處理系統、在其中對已經進行了真空處理的被處理物體進行熱處理的熱處理系統、和可連通地連接到負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括負載鎖定系統送進步驟，將被處理物體送進負載鎖定系統；排氣步驟，在執行負載鎖定系統送進步驟之後對負載鎖定系統排氣；真空處理系統送進步驟，在已經完成排氣步驟中的排氣之後將被處理物體送進真空處理系統；真空處理開始步驟，在執行真空處理系統送進步驟之後開始真空處理；第一傳送步驟，在已經完成真空處理之後，將被處理物體從真空處理系統傳送到熱處理系統中；熱處理開始步驟，在熱處理系統中開始熱處理；第二傳送步驟，在已經完成熱處理之後，將被處理物體從熱處理系統送進負載鎖定系統；和裝載器組件送出步驟，將負載鎖定系統和裝載器組件彼此連通並將被處理物體送進裝載器組件。
為了實現上述目的，在本發明的第九方案中，提供一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理設備包括具有第一工作檯並在其中對已經放在第一工作檯上的被處理物體進行熱處理的熱處理系統、具有第二工作檯並在其中對已經放在第二工作檯上的被處理物體進行真空處理的真空處理系統、用於與熱處理系統和真空處理系統連通設置並具有用於傳送被處理物體的傳送裝置的負載鎖定系統、和控制傳送裝置的控制器，該傳送裝置具有保持被處理物體的被處理物體保持部件，該保持部件可通過熱處理系統和真空處理系統自由移動，該保持部件具有用於檢測關於被處理物體是否存在的信息的第一檢測裝置，第一工作檯和第二工作檯的至少一個具有用於檢測關於是否存在被處理物體的信息的第二檢測裝置，該控制器在被檢測信息的基礎上檢測被處理物體的位置，該方法包括第一位置關係檢測步驟，檢測處於起始位置的被處理物體的中心與第一工作檯和第二工作檯之一的中心之間的第一相對位置關係；傳送步驟，在被檢測第一相對位置關係基礎上確定被處理物體的傳送路線，並沿著確定的傳送路線傳送被處理物體；第二位置關係檢測步驟，檢測已經被傳送到第一工作檯和第二工作檯之一之後的被處理物體的中心和處於起始位置的被處理物體的中心之間的第二相對位置關係；和位置校正步驟，在第一相對位置關係和第二相對位置關係之間的偏差基礎上校正被處理物體的位置。
優選地，根據本發明第九方案的被處理物體傳送方法還包括被處理物體保持部件旋轉步驟，使被處理物體保持部件旋轉，同時被處理物體保持部件仍然保持被處理物體，以使已經進行位置校正的被處理物體的參考平面的位置與預定位置對準。
還優選，處於起始位置的被處理物體的中心是傳送前負載鎖定系統中的被處理物體的中心。
為實現上述目的，在本發明的第十方案中，提供一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理設備包括可連通地連接到具有第一工作檯的熱處理系統的負載鎖定系統，在該熱處理系統中對已經放在第一工作檯上的被處理物體進行熱處理，該負載鎖定系統經過熱處理系統可連通地連接到具有第二工作檯的真空處理系統，在該真空處理系統中對已經放在第二工作檯上的被處理物體進行真空處理，該負載鎖定系統具有用於傳送被處理物體的傳送裝置，該傳送裝置包括傳送臂，該傳送臂包括至少兩個臂形部件，該臂形部件在其每個的一端可旋轉地連接在一起；和被處理物體保持部件，該保持部件連接到臂形部件之一的另一端並保持被處理物體，該方法包括被處理物體移動步驟，在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的另一端旋轉被處理物體保持部件，在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的一端旋轉臂形部件之一，和在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件的另一個的另一端旋轉臂形部件的另一個。
優選地，在被處理物體移動步驟中，臂形部件和被處理物體保持部件彼此協作旋轉，以便沿著第一工作檯和第二工作檯的配置方向移動被處理物體。
為實現上述目的，在本發明的第十一方案中，提供一種傳送設備，該傳送設備設置在可連通地連接到熱處理系統的負載鎖定系統中，其中熱處理系統具有第一工作檯，在熱處理系統中對已經放在第一工作檯上的被處理物體進行熱處理，負載鎖定系統經過熱處理系統可連通地連接到具有第二工作檯的真空處理系統，在該真空處理系統中對已經放在第二工作檯上的被處理物體進行真空處理，該傳送設備包括傳送臂，該傳送臂包括至少兩個臂形部件，臂形部件在每個的一端可旋轉地連接在一起；和被處理物體保持部件，它連接到臂形部件之一的另一端並保持被處理物體，該被處理物體保持部件設置成可在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的另一端旋轉，並且該臂形部件之一設置成可在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的一端旋轉，另一個臂形部件設置成可在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞另一個臂形部件的另一端旋轉。
優選地，臂形部件和被處理物體保持部件設置成彼此協作旋轉，以便沿著第一工作檯和第二工作檯的配置方向移動被處理物體。
根據本發明的第一方案，在其中處理被處理物體的多個處理系統可連通地連接在一起，至少一個處理系統是真空處理系統。結果是，簡化了在處理系統之間傳送被處理物體的操作，因此可以有效地進行包括至少一個真空處理的多個處理。
根據本發明的第二方案，在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統和在其中對被處理物體進行其它處理的至少一個真空處理系統可連通地連接在一起，負載鎖定系統可連通地連接到COR處理系統和至少一個真空處理系統。結果是，簡化了在COR處理系統和其它處理系統之間傳送被處理物體的操作，因此可以有效地進行多個處理。
根據本發明的第二方案，用於進行熱處理的熱處理系統優選連接到COR處理系統。結果是，可以在COR處理系統之後有效地進行熱處理。
根據第二方案，COR處理系統和熱處理系統優選總是處於真空狀態。結果是，可以在不釋放真空的情況下，一個接一個進行COR處理系統和熱處理系統中的各個處理，因此在COR處理之後不會將潮氣吸收到被處理物體表面上，由此可防止在COR處理之後與被處理物體上的氧化物膜進行化學反應。
根據本發明的第二方案，負載鎖定系統優選設置在適當的位置上，以便與COR處理系統和熱處理系統形成一線。結果是，可以進一步簡化將被處理物體送進和送出的操作，因此可以更有效地進行包括COR處理和熱處理的多個處理。
根據本發明的第三方案，在COR處理系統中在被處理物體上進行COR處理的同時，在已經進行COR處理的被處理物體上在熱處理系統中進行熱處理，而且可以在等待完成COR處理的同時準備沒有進行了COR處理的被處理物體。結果是，可以有效地進行COR處理和熱處理，在處理順序期間不會浪費時間。
根據本發明的第四方案，在將負載鎖定系統和熱處理系統連通在一起之前，對熱處理系統排氣，以便滿足熱處理系統內部的壓力低於負載鎖定系統內部的壓力的條件，然後繼續對熱處理系統排氣。結果是，可防止熱處理系統中的氣氛被吸進負載鎖定系統中。
根據本發明的第四方案，優選地，在將負載鎖定系統和熱處理系統連通在一起之後，對熱處理系統排氣，以便，滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件，然後熱處理系統和COR處理系統連通在一起，同時繼續對熱處理系統排氣。結果是，不僅可防止熱處理系統中的氣氛被吸進負載鎖定系統中，而且可以防止熱處理系統中的氣氛吸進COR處理系統中。
根據第四方案，優選向負載鎖定系統和COR處理系統中引入流體。結果是，當從熱處理系統排氣時可以防止對流等發生。
根據本發明的第四方案，流體從負載鎖定系統流進熱處理系統的流速以及流體從COR處理系統流進熱處理系統的流速優選彼此相等。結果是，在熱處理系統中可以保持壓力平衡，並且排氣流方向可以固定。
根據本發明第四方案，在從COR處理系統送出已經進行了COR處理的被處理物體之後，優選對熱處理系統和COR處理系統排氣，由此設定COR處理系內部的壓力以用於消除殘餘ESC電荷的靜止消除壓力。結果是，可以在熱處理系統內部的氣氛不進入COR處理系統的情況下進行ESC靜電消除。
根據本發明的第五方案，在將熱處理系統和COR處理系統連通在一起之前，對熱處理系統排氣，以便滿足熱處理系統內部的壓力低於COR處理系統內部的壓力的條件。結果是，可防止熱處理系統中的氣氛吸進COR處理系統中。
根據本發明的第六方案，在其中對被處理物體進行第一處理的第一處理系統和在其中對被處理物體進行第二處理的第二處理系統可連通地連接在一起，而且負載鎖定系統置於第一處理系統和第二處理系統之間並可連通地連接到第一處理系統和第二處理系統的每個。結果是，可以簡化被處理物體在第一處理系統和第二處理系統之間的傳送操作，因此可以有效地進行多個處理。
根據第六方案，用於進行冷卻處理的冷卻處理系統優選經過負載鎖定系統連接到第一處理系統。結果是，在第一處理之後可以有效地進行冷卻處理。
根據第六方案，冷卻處理優選在總是處於大氣壓力狀態的第二處理系統中進行。結果是，不必在第二處理系統中在真空狀態和大氣壓力狀態之間進行轉換，因此可以在短時間內進行冷卻處理；而且，在其中進行真空狀態和大氣壓力狀態之間的轉換的負載鎖定系統不必具有冷卻機構，因此可以減小負載鎖定系統的體積，因此真空狀態和大氣壓力狀態之間的轉換可以在短時間內進行。結果是，可以更有效地進行多個處理。而且，在已經傳送到負載鎖定系統之後，被處理物體(晶片)不將暴露於由於真空狀態和大氣壓力狀態之間的長時間轉換產生的空氣對流，因此還可以減少由這種對流引起顆粒向上飛濺而附著的風險。
根據第六方案，負載鎖定系統優選設置在適當的位置上，以便與第一處理系統和第二處理系統形成一線。結果是，可以進一步簡化被處理物體的送進和送出，因此可以更有效地進行包括第一處理和第二處理的多個處理。
根據本發明的第七方案，在被處理物體(晶片)已經進行了真空處理之後進行的第二真空/大氣壓力轉換步驟和大氣處理步驟是分開的。結果是，可以減少這些步驟所需要的總時間，因此有效地進行多個處理。而且，在被處理物體(晶片)已經進行了真空處理之後，只在負載鎖定系統送出步驟、第二真空/大氣壓力轉換步驟和大氣處理系統送出步驟之後到達大氣處理步驟，因此甚至在大氣處理步驟之前進行被處理物體(晶片)的冷卻，因此可以在大氣處理步驟中有效地進行冷卻處理。
根據本發明的第八方案，傳送裝置將被處理物體傳送到負載鎖定系統中，並在已經完成負載鎖定系統的排氣之後，將被處理物體傳送到真空處理系統中，然後，在完成真空處理之後，將被處理物體從真空處理系統傳送到熱處理系統中，並在完成熱處理之後，將被處理物體傳送到負載鎖定系統中，然後將被處理物體傳送到裝載器組件中。結果是，可以簡化在處理系統之間傳送被處理物體的操作，因此可以有效地進行包括至少一個真空處理的多個處理。
根據本發明的第九方案，對於每個工作檯，檢測在起始位置的被處理物體的中心和工作檯的中心之間的第一相對位置關係，在被檢測到的第一相對位置關係的基礎上確定被處理物體的傳送路線，並沿著確定的傳送路線傳送被處理物體。結果是，到工作檯的傳送路線可以設定為很短。而且，檢測已經被傳送到該工作檯的被處理物體的中心和處於起始位置的被處理物體的中心之間的第二相對位置關係，並在第一相對位置關係和第二相對位置關係之間的偏差的基礎上校正被處理物體的位置。結果是，被處理物體可以放在工作檯中的準確位置，並因此可以提高傳送操作的效率，由此可以有效地進行多個處理。
根據第九方案，被處理物體保持部件優選旋轉，同時被處理物體保持部件仍然保持被處理物體。結果是，被處理物體相對於工作檯的參考面很容易與預定位置對準，因此可以進一步提高傳送操作的效率。
根據第九方案，起始位置中的被處理物體的中心優選是在傳送之前負載鎖定系統中的被處理物體的中心。結果是，傳送路線可以設定為更短。
根據本發明的第十方案，負載鎖定系統可連通地連接到熱處理系統和真空處理系統，由負載鎖定系統所擁有的傳送裝置包括傳送臂，它包括在其每個的一端可旋轉地連接在一起的至少兩個臂形部件；和連接到臂形部件之一的另一端並保持被處理物體的被處理物體保持部件；被處理物體保持部件在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的另一端旋轉，並且臂形部件之一在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的一端旋轉，臂形部件的另一個在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件的另一個的另一端旋轉。結果是，可以沿著自由選擇的路線將被處理物體傳送到熱處理系統中或真空處理系統中的自由選擇位置上，因此可以提高傳送操作的效率，有效地進行多個處理。
根據第十方案，臂形部件和被處理物體保持部件優選互相協作旋轉，以便沿著第一工作檯和第二工作檯的設置方向移動被處理物體。結果是，被處理物體傳送路線可以縮短，因此可以進一步提高傳送操作的效率。
根據本發明的第十一方案，設置在可連通地連接到熱處理系統和真空處理系統的負載鎖定系統中的傳送裝置包括傳送臂，該傳送臂包括在每個的一端可旋轉地連接在一起的至少兩個臂形部件；和連接到臂形部件之一的另一端並保持被處理物體的被處理物體保持部件；被處理物體保持部件在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的另一端旋轉，並且臂形部件之一在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的一端旋轉，臂形部件的另一個在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件的另一個的另一端旋轉。結果是，可以沿著自由選擇的傳送路線將被處理物體傳送到熱處理系統中或真空處理系統中的自由選擇位置上，因此可以提高傳送操作的效率，並有效地進行多個處理。
根據第十一方案，臂形部件和被處理物體保持部件優選互相協作旋轉，以便沿著第一工作檯和第二工作檯的設置方向移動被處理物體。結果是，可以縮短被處理物體傳送路線，因此可以進一步提高傳送操作的效率。
從下面結合附圖的詳細說明使本發明的上述和其它目的、特點和優點更明顯。
附圖簡述
圖1是示意性地表示根據本發明第一實施方式的真空處理設備的結構的平面圖；圖2是示意性地表示圖1中所示的真空處理設備的結構的側視圖；圖3是表示用於圖1中所示的真空處理設備的被處理物體傳送序列的第一半的示意圖；圖4是表示傳送序列的後一半的示意圖，其第一半示於圖3中；圖5是表示用於圖1中所示真空處理設備中的壓力控制的時序圖；圖6是示意性地表示根據本發明第二實施方式的真空處理設備的結構的平面圖；圖7是示意性地表示圖6中所示的真空處理設備的結構的側視圖；和圖8是表示用於圖6中所示真空處理設備的被處理物體傳送序列的示意圖。
優選實施方式的詳細說明下面將參照表示本發明的實施方式的附圖詳細介紹本發明。
圖1是示意性地表示根據本發明第一實施方式的真空處理設備的結構的平面圖。圖2是示意性地表示圖1中所示真空處理設備的結構的側視圖。
在圖1中，真空處理設備100具有在其中對將要被處理的物體(以下稱為「被處理物體」)，例如半導體晶片進行處理的第一真空處理室10、與第一真空處理室連接成一線並可連通地連接以及在其中處理被處理物體的第二真空處理室30、在與第一真空處理室10和第二真空處理室30成一線的位置上可連通地連接到第二真空處理室30的負載鎖定室50以及可連通地連接到負載鎖定室50的裝載器組件70。
第一真空處理室10具有設置在其中的工作檯11和用於進行被處理物體的交接的被處理物體保持器12，其中在進行處理時在工作檯11上放置被處理物體。如圖2所示，用於提供N2氣體等的氣體供應系統13在其上部連接到第一真空處理室10，排氣系統壓力控制閥14在其下部連接於第一真空處理室10上。而且，用於測量第一真空處理室10內部的壓力的壓力測量儀(未示出)安裝在第一真空處理室10中。
在第一真空處理室10的側壁中提供用於將被處理物體送進和送出第一真空處理室10的傳送口(未示出)。第一傳送口(未示出)同樣設置在第二真空處理室30中。其中設置傳送口的第一真空處理室10的部分和其中設置第一傳送口的第二真空處理室30的部分通過連接單元20連接在一起。連接單元20由門閥21和絕熱單元22構成，其中絕熱單元用於隔離第一真空處理室10和第二真空處理室30的內部與周圍環境。
第二真空處理室30具有設置在其中的工作檯31和用於進行被處理物體的交接的被處理物體保持器32，其中在進行處理時，被處理物體放在工作檯31上。如圖2所示，用於提供N2氣體等的氣體供應系統33在其上部連接到第二真空處理室30，排氣系統壓力控制閥34在其下部連接於第二真空處理室30上。而且，用於測量第二真空處理室30內部的壓力的壓力測量儀(未示出)安裝在第二真空處理室30中。
除了上述第一傳送口之外，還在第二真空處理室30中設置第二傳送口(未示出)。第一傳送口(未示出)同樣設置在負載鎖定室50中。其中設置第二傳送口的第二真空處理室30的部分和其中設置第一傳送口的負載鎖定室50的部分通過連接單元40連接在一起。第一真空處理室10、第二真空處理室30和負載鎖定室50設置成一線。連接單元40由門閥41和絕熱單元42構成，其中該絕熱單元用於隔離第二真空處理室30的內部和負載鎖定室50中的環境與周圍氣氛。
負載鎖定室50具有設置在其中的被處理物體保持部件51和傳送機構52，在傳送期間該保持部件51保持被處理物體，以便可以進行被處理物體的交接，該傳送機構52用於將被處理物體保持部件51傳送到第一真空處理室10、第二真空處理室30和裝載器組件70中。通過傳送保持被處理物體的被處理物體保持部件51的傳送機構52，可以在第一真空處理室10、第二真空處理室30和裝載器組件70之間傳送被處理物體，並且可以進行被處理物體的交接。
如圖2所示，用於提供N2氣體等的氣體供應系統53在其上部連接到負載鎖定室50，排氣系統80在其下部連接於負載鎖定室50上。而且，用於測量負載鎖定室50內部的壓力的壓力測量儀(未示出)安裝在負載鎖定室50中。
除了上述第一傳送口之外，還在負載鎖定室50中安裝第二傳送口(未示出)。同樣在裝載器組件70中提供傳送口(未示出)。其中設置第二傳送口的負載鎖定室50的部分和其中設置傳送口的裝載器組件70的部分通過連接單元60連接在一起。連接單元60由門閥61和絕熱單元62構成，其中該絕熱單元用於隔離負載鎖定室50的內部和裝載器組件70中的環境與周圍氣氛。
在上述真空處理設備100的結構中，有兩個真空處理室，即成一線連接在一起的第一真空處理室10和第二真空處理室30。但是，真空處理室的數量不限於此，三個或更多個真空處理室可以成一線連接在一起。
利用上述真空處理設備100，可以進行被處理物體傳送序列，如下面所述；然而，在不適當地傳送被處理物體的情況下，被處理物體傳送序列必須立即停止，以便防止被處理物體經受不適當的處理。因此真空處理設備100必須具有精確地掌握正在被傳送的被處理物體的位置的能力。因此真空處理設備100具有多個位置傳感器，如下所述。
首先，與每個被處理物體直接接觸的組成部件、特別是工作檯31(或被處理物體保持器32)、傳送機構52(或被處理物體保持部件51)和設置在負載鎖定室50內用於暫時保持被處理物體的工作檯(未示出)，它們每個都具有位置傳感器，並使用這些位置傳感器檢測被處理物體是否存在。而且，根據設置在第一真空處理室10內的工作檯11中的ESC夾具的狀態或使用位置傳感器檢測被處理物體是否存在。對於真空處理設備領域的技術人員來說，在通過檢測獲得的信息的基礎上建立用於檢測被處理物體的位置的軟體是很容易的；通過這種軟體，例如，控制傳送機構52等的操作的控制器(未示出)可檢測正在通過真空處理設備100被傳送的被處理物體的位置。
此外，在第一真空處理室10、第二真空處理室30和負載鎖定室50中，位置傳感器單元90、91、92、93、94和95在每個門閥21和41以及門閥61的每側的位置上沿著被處理物體傳送路線設置。每個位置傳感器單元由三個位置傳感器構成，例如指向被處理物體的外周邊的雷射傳感器；該雷射傳感器面向被處理物體的外周邊徑向設置，或者設置在對應被處理物體的外周邊的位置上，並且不僅檢測被處理物體的位置，而且檢測被處理物體的中心位置。
控制器檢測在傳送之前在負載鎖定室50中(以下稱為「起始位置」)的被處理物體的中心位置和工作檯11或31的中心位置之間的第一相對位置關係，在被檢測到的第一相對位置關係的基礎上確定被處理物體的傳送路線，沿著確定的傳送路線傳送被處理物體，然後檢測已經被傳送到工作檯11或31的被處理物體的中心位置和起始位置之間的第二相對位置關係，在第一和第二相對位置關係之間的偏差的基礎上校正工作檯11或31上的被處理物體的位置。結果是，到每個工作檯的傳送路線可以設置得很短，而且每個被處理物體可以放在每個工作檯11或31上的準確位置上，因此可以提高傳送操作的效率，並可以有效地進行多個處理。
傳送機構52是由標量型單拾取型、標量型雙拾取型等的鉸鏈臂構成的傳送臂。連接滑輪設置在傳送臂的底部，並且這個連接滑輪經過定時帶連接到設置在傳送臂的接合處的支撐滑輪上，由此旋轉驅動力可傳輸到支撐滑輪。此外，連接滑輪還經過另一定時帶連接到由編碼器所擁有的旋轉角滑輪上，其中該旋轉角滑輪是檢測傳送臂的旋轉角的。
編碼器電儲存旋轉角滑輪的旋轉開始位置，即用於移動傳送臂的開始位置，將其作為原點，並通過使用旋轉角傳感器檢測由數位訊號形式的另一定時帶可旋轉地驅動的旋轉角滑輪的旋轉角，檢測傳送臂的移動距離，並輸出被檢測到的移動距離，將其作為在被處理物體的傳送中使用的教導數據，例如在判斷是否準確地進行被處理物體的定位時將使用該數據。
真空處理設備100通過比較由位置傳感器檢測到的被處理物體的位置與由編碼器輸出的教導數據而判斷是否準確地進行被處理物體的定位、特別是在工作檯11或13上的被處理物體的定位。
此外，用做傳送機構52的傳送臂由至少兩個臂形部件構成。這兩個臂形部件在每個的一端可旋轉地連接在一起，並且被處理物體保持部件51連接到這兩個臂形部件之一的另一端上。而且，被處理物體保持部件51在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的另一端旋轉，而臂形部件之一在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞臂形部件之一的一端旋轉，另一臂形部件在平行於被處理物體的表面的平面內圍繞另一臂形部件的另一端旋轉。結果是，每個被處理物體可以沿著自由選擇的傳送路線被傳送到第二真空處理室30或第一真空處理室10中的自由選擇的位置上，因此可以有效地進行多個處理。
兩個臂形部件和被處理物體保持部件51彼此協作旋轉，以便沿著自由選擇的傳送路線、例如沿著工作檯11或13的設置方向移動每個被處理物體。結果是，被處理物體傳送路線可以更短，因此可以進一步提高工作效率。
此外，在工作檯11或31上，被處理物體保持部件51旋轉，同時仍然保持被處理物體，以便對準被處理物體(晶片)的定向平面(參考面)的位置與預定位置。結果是，晶片相對於工作檯11或31的定向平面的位置可以很容易地與預定位置對準，因此可以進一步提高工作效率。
接著，下面將介紹通過真空處理設備100進行的被處理物體處理方法和在這種方法中使用的被處理物體傳送序列。
圖3是表示用於圖1中所示的真空處理設備100的被處理物體傳送序列的第一半的示意圖。圖4是表示傳送序列的後一半的示意圖，其第一半示於圖3中。
在下面的說明中，將舉例如下真空處理設備100在被處理物體上進行COR(化學氧化物除去法)和PHT(後熱處理)作為對常規刻蝕處理(幹刻蝕或溼刻蝕)的替換方法。COR是如下處理對氣體分子進行化學反應並且產生的產物附著於被處理物體的氧化物膜上，PHT是如下處理對已經被進行COR處理的被處理物體加熱，由此使通過COR中的化學反應在被處理物體上產生的產物汽化和熱氧化，因此使這些產物脫離被處理物體。
這裡，在被處理物體上進行的COR中，該被處理物體由形成基底的襯底和形成在襯底上的預定層構成，在除去預定層的柵區中的多晶矽層之後暴露出來的氧化物層(氧化膜)或多晶矽被選擇地刻蝕；通過這個COR，控制刻蝕速度，以便在襯底表面停止進行刻蝕。此外，這個COR包括用於形成柵極開口的汽相化學氧化物除去工藝，這可以通過使用HF和NH3的蒸氣作為刻蝕氣體而在低壓力下實現。
在下面，第一真空處理室10製成為在其中在被處理物體上進行COR的COR處理室10，第二真空處理室30製成為在其中在被處理物體上進行PHT的PHT處理室。這裡，COR處理室10的氣體供應系統13優選是簇射頭，在這種情況下可以通過COR處理室10均勻地輸送引入氣體。
COR處理室10的體積約為30公升，COR處理室10內部的壓力在0.5-30毫乇範圍內，COR處理室10內的溫度在15-50℃範圍內，引入氣體為含氟反應氣體、還原氣體、惰性氣體等。惰性氣體包括Ar、He、Ne、Kr和Xe氣體，但是Ar氣體是優選的。
此外，PHT處理室30的體積約為50公升，PHT處理室30內部的壓力在兩級內被減小，處理期間的壓力不同於傳送期間的壓力。此外，對於在兩級中減小的壓力沒有限制，但是可以根據處理條件進行多於兩級的壓力減小的多級壓力減小。此外，PHT處理室30內的溫度在80-200℃範圍內，並且真空泵排氣速度在1600-1800L/min(當在200毫乇時)，當完成處理時在0-100L/min(當在0.5毫乇時)，儘管一旦PHT處理室30中達到預定真空度，泵就不工作了。引入到PHT處理室30中的氣體是用於防止顆粒散射和用於冷卻，並且為下流氣體(N2)。
如圖3中的(1)所示，首先，被處理物體W1處於裝載器組件70中，並且連接單元20和40處於關閉狀態，因此COR處理室10和PHT處理室30彼此隔離。另一方面，連接單元60處於打開狀態。被處理物體W1具有採用常規處理已經形成在其表面上的預定圖形。如(2)中所示，第一被處理物體W1從裝載器組件70被傳送到負載鎖定室50中，然後連接單元60的門閥61閉合。接著，排氣系統壓力控制閥34閉合，並且對負載鎖定室50排氣。完成負載鎖定室50的排氣之後，如(3)所示，排氣系統壓力控制閥34打開，連接單元40的門閥41打開。之後，連接單元20的門閥21打開。
接著，如(4)所示，被被處理物體保持部件51保持的被處理物體W1被傳送機構52傳送到COR處理室10中，然後如(5)中所示，在被處理物體保持部件51和傳送機構52已經返回負載鎖定室50之後，門閥21和41閉合，開始進行COR。在這個處理期間，負載鎖定室50的內部打開到大氣空氣。
接著，如(6)和(7)中所示，第二被處理物體W2從裝載器組件70傳送到負載鎖定室50中，然後，門閥61閉合。此外，排氣系統壓力控制閥34閉合，並且對負載鎖定室50排氣。完成負載鎖定室50的排氣之後，排氣系統壓力控制閥34和門閥41打開，等待COR處理的完成。
如(8)和(9)中所示，完成COR之後，門閥21打開，被處理物體W1從COR處理室10被移動到PHT處理室30中。
然後，如(10)和(11)中所示，被處理物體W2從負載鎖定室50移動到COR處理室10中，然後如(12)所示，被處理物體保持部件51和傳送機構52返回負載鎖定室50之後，門閥21和41閉合，開始在COR處理室10中進行COR，同時在PHT處理室30中開始進行PHT。
完成PHT之後，如(13)中所示，門閥41打開，PHT處理室30中的被處理物體W1被移動到負載鎖定室50中。
接下來，如(14)-(16)所示，門閥41閉合，負載鎖定室50的內部打開到大氣空氣，然後負載鎖定室50中的被處理物體W1和在裝載器組件70中等待的被處理物體W3彼此交換。之後，如(17)中所示，對負載鎖定室50排氣。然後門閥41打開，並等待被處理物體W2的COR的完成。上述傳送序列是通過壓力控制來實現的。可以重複上述傳送序列，直到完成整批被處理物體的處理為止。
在上述傳送序列中的步驟(1)-(16)的每個中，可以進行在由前述位置傳感器檢測的被處理物體的位置和教導數據之間的比較的基礎上判斷每個被處理物體的定位，並且在特定步驟中在沒有準確進行被處理物體的定位的情況下，可以停止被處理物體的傳送，並且該步驟和在該步驟中的被處理物體的位置可以被儲存，由此儲存的數據可以用做再處理方案的基礎數據。
上面只是傳送方法的一個例子，但是其它傳送方案也是可以的，例如，負載鎖定室50→第一真空處理室10→負載鎖定室50，負載鎖定室50→第二真空處理室30→負載鎖定室50，和負載鎖定室50→第二真空處理室30→第一真空處理室10→負載鎖定室50。
此外，如果需要的話，還可以在第一真空處理室10和第二真空處理室30之間來回移動。通過在COR處理室10(第一真空處理室10)和PHT處理室30(第二真空處理室30)之間往復移動被處理物體，可以重複進行COR和PHT，理論上講可以使形成在被處理物體上的圖形的線寬更精細。由此可以適應圖形最小化。
根據上述本發明第一實施方式的真空處理設備，傳送機構52將被處理物體W1傳送到負載鎖定室50中，完成負載鎖定室50的排氣之後，將被處理物體W1傳送到COR處理室10中，並在完成COR之後，將被處理物體W1從COR處理室10移動到PHT處理室30中，並在完成PHT之後，將PHT處理室30中的被處理物體W1移動到負載鎖定室50中，然後進一步將被處理物體W1移進裝載器組件70。結果是，可以簡化在多個處理室之間傳送被處理物體W1的操作，因此可以有效地進行包括至少一個COR處理的多個處理。
此外，根據第一實施方式的真空處理設備，在滿足下列工藝條件的情況下，可以有效地進行兩個處理的順序，而不用第一真空處理室10等候。
工藝條件(第一處理時間)≥(第二處理時間)+(第一轉換時間)+(第二轉換時間)+(對負載鎖定室50引入/排放氣體的時間)這裡第一處理時間＝在第一真空處理室10中進行處理的時間第二處理時間＝在第二真空處理室30中進行處理的時間第一轉換時間＝在負載鎖定室50和第二真空處理室30之間替換被處理物體所需的時間第二轉換時間＝在負載鎖定室50和裝載器組件70之間替換被處理物體所需的時間第一真空處理室10和第二真空處理室30可以由選自刻蝕系統、膜形成系統、塗覆系統、測量系統、熱處理系統等的所需組件的適當組合構成，但對上述例子沒有限制。
此外，在第一真空處理室10和第二真空處理室30總是處於真空狀態的情況下，第二真空處理室30和負載鎖定室50不同時排氣，因此在這種情況下，第二真空處理室30和負載鎖定室50可以共享同一排氣系統80。
接著，下面將介紹在真空處理設備100工作期間的壓力控制。
圖5是表示用於在真空處理設備100中的壓力控制的時序圖。
1)對PHT處理室30排氣時，負載鎖定室50的內部打開到大氣空氣，並將沒有進行COR處理的被處理物體從裝載器組件70傳送到負載鎖定室50中，然後將連接到PHT處理室30的排氣系統壓力控制閥34(以下稱為「PHT排氣閥34」)閉合，由此開始負載鎖定室50的排氣。
一旦負載鎖定室50已經達到設定壓力，負載鎖定室50的排氣閥(LLM排氣閥，圖1或2中未示出)閉合，PHT排氣閥34打開，並進行控制，以便PHT處理室30內部的壓力變得小於負載鎖定室50內部的壓力；一旦確認已經完成這個控制，負載鎖定室50和PHT處理室30之間的門閥41(以下稱為「PHT側門閥41」)打開，由此使PHT處理室30與負載鎖定室50連通。
即使在PHT側門閥41打開之後，PHT排氣閥34也保持打開，由此對PHT處理室30排氣並防止PHT氣氛進入負載鎖定室50。而且，可以謹慎地將流體(N2)從負載鎖定室50流進，以便防止發生對流等。
2)監視PHT處理室30內部的壓力，同時對PHT處理室30排氣，並且控制COR處理室10內部的壓力，以使PHT處理室30內部的壓力小於COR處理室10內部的壓力。
一旦PHT處理室30內部的壓力小於COR處理室10內部的壓力，連接到COR處理室10的排氣系統壓力控制閥14(以下稱為「COR排氣閥14」)閉合，並且PHT處理室30和COR處理室10之間的門閥21(以下稱為「COR側門閥21」)打開。
即使在COR側門閥21打開之後，PHT排氣閥34也保持打開，由此對PHT處理室30排氣並防止PHT處理室30內部的氣氛進入COR處理室10。而且，可以謹慎地將流體(N2)從COR處理室10流進，以便防止發生對流等。
3)使用上面1)中所述的順序打開PHT側門閥41，然後使負載鎖定室50和PHT處理室30為單組件，使用上面2)中所述的順序打開COR側門閥21。即使在PHT側門閥41和COR側門閥21打開之後，PHT排氣閥34也保持打開，由此對PHT處理室30排氣並防止PHT處理室30內部的氣氛進入負載鎖定室50或COR處理室10。
此外，可以謹慎地使流體(N2)流進負載鎖定室50和COR處理室10，以便防止發生對流等，並通過使流體從負載鎖定室50流進PHT處理室30的流速等於從COR處理室10流進PHT處理室30的流速，可以防止發生逆流。
4)在上面3)中所述的順序中，在已經進行COR處理的被處理物體被送出COR處理室10之後，使用PHT排氣閥34將COR處理室10內部的壓力控制到靜態消除壓力，以便消除殘餘ESC電荷。結果是，可以在不使PHT處理室30內部的氣氛進入COR處理室10的情況下進行ESC靜態消除。
此外，可以總是在真空狀態下連續進行PHT處理室30和COR處理室10中的處理，因此可以防止發生在COR之後被處理物體上的氧化物膜從氣氛等中吸收潮氣的化學反應。
在上述傳送方法中，將被用做產品(即產品晶片)的晶片作為被處理物體被傳送；然而，傳送的被處理物體不限於產品晶片，也可以是用於檢測真空處理設備100的處理室和裝置的操作的虛擬晶片，或者在乾燥處理室時使用的虛擬晶片。
接著，下面將參照附圖介紹根據本發明第二實施方式的真空處理設備。
圖6是示意性地表示根據本發明第二實施方式的真空處理設備的結構的平面圖。圖7是示意性地表示圖6中所示真空處理設備的結構的側視圖。
在圖6中，真空處理設備600具有在其中對被處理物體進行真空處理的真空處理室601；與真空處理室601成一線並與其可連通地連接而且在其中對被處理物體進行其它處理的大氣處理室602；位於真空處理室601和大氣處理室602之間的負載鎖定室603，負載鎖定室603與真空處理室601和大氣處理室602可連通地連接，並處於與真空處理室601和大氣處理室602形成一線的位置上；和可連通地連接到大氣處理室602的裝載器組件604。
真空處理室601具有設置在其中的工作檯605，該工作檯605用做其上放置被處理物體的平臺並用做下電極，當進行處理時給該下電極施加高頻電壓，用於在真空處理室601內部產生等離子體；加熱器606，它建立在工作檯605中並給工作檯605上放置的被處理物體加熱；簇射頭(shower head)607，它用做向真空處理室601中輸送反應氣體的輸送系統並用做上電極，該上電極與用做下電極的工作檯605協作在真空處理室601內部產生高頻電場；具有可自由打開/關閉的閥門(未示出)的排放口608，在真空處理室601內部產生的等離子體和殘餘產物從該排放口608排放出去；和用於測量真空處理室601內部的壓力的壓力測量儀(未示出)。真空處理室601的內部總是處於真空狀態，並且這裡是處於可進行真空處理的狀態下。
在真空處理室601的側壁中設置用於將被處理物體送進和送出第一真空處理室601的傳送口(未示出)。同樣在與真空處理室601相鄰設置的負載鎖定室603的側壁中設置傳送口(未示出)。其中設置傳送口的真空處理室601和負載鎖定室603的部分由連接單元611連接在一起。連接單元611由門閥612和隔熱單元613構成，隔熱單元613用於使真空處理室601的內部和負載鎖定室603中的環境與環境氣氛隔離。
大氣處理室602具有設置在其中的工作檯609和固定器610，其中工作檯609上放置被處理物體，固定器610固定放在工作檯609上的被處理物體。工作檯609具有設立在其中的冷卻迴路(未示出)作為冷卻機構，通過該冷卻機構可使冷卻液循環，由此冷卻放在工作檯609上的被處理物體。此外，大氣處理室602的內部總是打開到大氣空氣。因此，可以在大氣處理室602中的大氣壓力下進行對在CVD期間等已經被加熱的被處理物體進行冷卻的冷卻處理。
此外，作為冷卻機構，除了上述冷卻迴路之後，大氣處理室602還可以具有入口，通過該入口可以將用於冷卻的下流氣體例如惰性氣體如N2、Ar或He氣體等引入大氣處理室602中。
在大氣處理室602的側壁中提供用於將被處理物體送進和送出大氣處理室602的傳送口(未示出)。除了上述傳送口之外，在與大氣處理室602相鄰設置的負載鎖定室603的側壁中同樣也設置另一傳送口(未示出)。大氣處理室602和負載鎖定室603的部分中通過連接單元614連接在一起。結果是，設置真空處理室601、負載鎖定室603和大氣處理室602以便依次形成一線。連接單元614由門閥615和隔熱單元616構成，隔熱單元616用於使大氣處理室602的內部和負載鎖定室603中的環境與環境氣氛隔離。
負載鎖定室603具有設置在其中的被處理物體保持部件617，和傳送機構618，在傳送期間被處理物體保持部件617保持被處理物體以便可以進行被處理物體的交接，傳送機構618用於將被處理物體保持部件617傳送到真空處理室601和大氣處理室602中。通過傳送被處理物體保持部件617的傳送機構618，可以在真空處理室601和大氣處理室602之間傳送被處理物體，並且可以進行被處理物體的交接。而且，負載鎖定室603內部的體積設定為可以確保最小所需空間，以至於不妨礙傳送機構618的操作。
如圖7所示，在負載鎖定室603的下部提供將負載鎖定室603的內部連通到外部的管道619。排氣泵623如渦輪分子泵和閥門624設置在管道619中，其中閥門624使負載鎖定室603的內部與排氣泵623彼此連通或彼此切斷。而且，在負載鎖定室603中安裝用於測量負載鎖定室603內部的壓力的壓力測量儀(未示出)。此外，用於輸送氮氣等的氣體供應系統620在其下部連接到負載鎖定室603。因此負載鎖定室603具有這樣一種結構，其中根據該結構，可以採用管道619和氣體供應系統620將其內部在真空狀態和大氣壓力之間進行轉換。
裝載器組件604具有設置在其中的被處理物體保持部件625和傳送機構626，它們與上述的被處理物體保持部件617和傳送機構618相似。使用被處理物體保持部件625和傳送機構626，可以在安裝在裝載器組件604中的被處理物體載體(未示出)和大氣處理室602之間傳送被處理物體，並且可以進行被處理物體的交接。
在裝載器組件604的側壁中提供傳送口(未示出)。而且，除了前述傳送口之外，在與裝載器組件604相鄰設置的大氣處理室602的側壁中同樣還設置另一傳送口(未示出)。裝載器組件604和大氣處理室602的設置傳送口的部分通過連接單元627連接在一起。
在上述真空處理設備60的結構中，有成一線連接在一起的兩個處理室，即真空處理室601和大氣處理室602。然而，與根據本發明第一實施方式的真空處理設備100相同，處理室的數量不限於兩個，三個或多個處理室可以成一線連接在一起。
接著，下面將介紹通過真空處理設備600進行的被處理物體處理方法和在這個方法中使用的被處理物體傳送序列。
圖8是表示用於圖6中所示的真空處理設備600的被處理物體傳送序列的示意圖。
在下列說明中，給出了真空處理設備600在被處理物體上進行CVD和冷卻處理的例子。
下面，將真空處理室601製成為在其中對被處理物體進行CVD的CVD處理室601，在大氣處理室602中對被處理物體進行作為大氣處理的冷卻。在圖8中，如在圖3和4中那樣，連接單元是白色的，表示門閥處於打開狀態，連接單元是黑色的，表示門閥處於閉合狀態。
首先，如圖8中的(1)所示，處於裝載器組件604中的被處理物體W1被傳送到大氣處理室602中。此時，門閥612處於閉合狀態，因此負載鎖定室603和CVD處理室601彼此隔離。另一方面，門閥615處於打開狀態，因此大氣處理室602和負載鎖定室603彼此連通。
接著，如(2)中所示，被處理物體W1從大氣處理室602被傳送到負載鎖定室603中，然後如(3)中所示，門閥615閉合，而且管道619中的閥門624打開，然後排氣泵623工作，由此對負載鎖定室603進行排氣。
接著，如(4)中所示，門閥612打開，然後利用傳送機構618將由被處理物體保持部件617保持的被處理物體W1傳送到CVD處理室601中。然後，如(5)中所示，在被處理物體保持部件617和傳送機構618已經返回負載鎖定室603之後，門閥612閉合，並在CVD處理室601中對被處理物體W1進行CVD處理。
接著，如(6)中所示，完成CVD處理室之後，門閥612打開，並且將已經進行了CVD處理的被處理物體W1從CVD處理室601傳送到負載鎖定室603中。
接著，如(7)中所示，在將被處理物體W1送進負載鎖定室603之後，門閥612閉合，而且管道619中的閥門624閉合，開始從氣體供應系統620輸送氮氣等，由此將負載鎖定室603的內部釋放到大氣空氣中。一旦負載鎖定室603內部的壓力達到大氣壓力，如(8)中所示，門閥615打開，然後由傳送機構618將被處理物體W1傳送到大氣處理室602中，將其放在工作檯609上並由固定器610連接。
接下來，如(9)中所示，工作檯609冷卻了被處理物體W1，一旦被處理物體W1被冷卻到預定溫度(約70℃)，如(10)中所示，被處理物體W1被傳送到裝載器組件604中。
然後真空處理設備600重複上述傳送序列，直到完成整批被處理物體的處理為止。
在上述傳送序列中的步驟(1)-(10)的每個中，如對本發明第一實施方式所述的那樣，可以在由位置傳感器檢測的被處理物體的位置和教導數據之間的比較的基礎上進行每個被處理物體的定位的判斷，並在特定步驟中沒有準確進行被處理物體的定位的情況下，可以停止被處理物體的傳送，並且可以存儲該步驟和在該步驟中的被處理物體的位置，利用儲存的數據，由此可以將被儲存的數據用做再處理方案的基礎數據。
而且，在根據本發明第二實施方式的真空處理設備中，如關於本發明第一實施方式的說明，還可以在由位置傳感器獲得的信息的基礎上檢測工作檯605或609的中心位置和起始位置之間的第一相對位置關係，在被檢測的第一相對位置關係的基礎上確定被處理物體的傳送路線，沿著確定的傳送路線傳送被處理物體，然後檢測已經被傳送到工作檯605或609的被處理物體的中心位置和起始位置之間的第二相對位置關係，並在第一和第二相對位置關係之間的偏差的基礎上校正工作檯605或609上的被處理物體的位置。結果是，可以實現上述效果。
此外，傳送機構618和被處理物體保持部件617可具有與第一實施方式中的傳送機構52和被處理物體保持部件51相同的結構，由此可以實現前述效果。
前面只是傳送序列的例子，如果需要的話，也可以在真空處理室601和大氣處理室602之間進行其它傳送序列的往復運動。通過在CVD處理室601(真空處理室601)和大氣處理室602之間來回移動被處理物體W1，由此可以重複進行CVD和冷卻，可以抑制在被處理物體表面上形成的薄膜的厚度的變化。
而且，真空處理室601和大氣處理室602可以由選自刻蝕系統、膜形成系統、塗覆/顯影系統、測量系統、加熱系統等的所需組件的合適組合構成，而對上述例子沒有限制。
根據上述本發明的第二實施方式的真空處理設備，在其中對被處理物體W1進行CVD的CVD處理室601和在其中對被處理物體W1進行冷卻的大氣處理室602可連通地連接在一起，並且負載鎖定室603設置在CVD處理室601和大氣處理室602之間並處於與真空處理室601和大氣處理室602形成一線並可連通地連接到真空處理室601和大氣處理室602的位置上。結果是，可以簡化在CVD處理室601和大氣處理室602之間傳送被處理物體W1的操作，因此可以有效地進行包括CVD處理和冷卻處理的多個處理，特別是，可以在對被處理物體進行CVD處理之後有效地進行冷卻處理。
此外，大氣處理室602中的冷卻處理總是在大氣壓力狀態下進行，因此不必進行真空狀態和大氣處理室602中的大氣壓狀態之間的轉換，因此可以在短時間內進行冷卻處理；此外，在其中進行真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換的負載鎖定室603不必具有冷卻機構，因此可以減小負載鎖定室603的體積，並可以在短時間內進行真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換。結果是，可以在被處理物體W1上進行包括冷卻處理的多個處理，並且可以更有效地進行真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換。
例如，如果真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換和冷卻處理同時進行，象常規真空處理設備那樣，則負載鎖定室必須不僅含有傳送機構而且含有冷卻機構，因此增加了負載鎖定室的體積，並且已經發現在真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換以及冷卻處理需要約126秒；然而，在真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換以及冷卻處理在分開的處理室中進行的情況下，如根據上述本發明第二實施方式的真空處理設備，只需要在負載鎖定室中進行真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換，並且只需要在大氣處理室中進行冷卻處理，因此減小了負載鎖定室的體積，因此在真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換隻需要約20秒，冷卻處理只需要約15秒，即，真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換以及冷卻處理總共只需要約35秒。
此外，在已經被傳送到負載鎖定室603中之後，被處理物體W1不暴露於由於真空狀態和大氣壓狀態之間的長時間轉換產生的空氣對流，因此可以減少由這種對流產生的粒子飛濺而附著的風險。
而且，根據第二實施方式的被處理物體處理方法，真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換以及在被處理物體W1已經進行了CVD處理之後的冷卻處理在負載鎖定室603和大氣處理室602中分開，因此可以縮短這些處理的每個處理所需的時間，因此可以有效地進行真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換以及冷卻處理。此外，在被處理物體W1已經進行了CVD處理之後，在將被處理物體W1傳送到負載鎖定室603中的工藝、真空狀態和大氣壓狀態之間的轉換的工藝以及將被處理物體W1傳送到大氣處理室602中的工藝之後，進行大氣處理室602中的冷卻處理；即使在進行冷卻處理之前也可以進行被處理物體W1的冷卻，例如在剛剛完成CVD之後被處理物體W1的溫度約為650℃的情況下，已經發現在將被處理物體W1傳送到大氣處理室602中的工藝之後被處理物體W1的溫度約為400℃。結果是，可以有效地進行在大氣處理室602中在被處理物體W1上進行的冷卻處理。
利用根據上述本發明第二實施方式的真空處理設備，在被處理物體上進行CVD；然而，不用說，由該真空處理設備在被處理物體上進行的真空處理不限於CVD，可以進行由伴隨著熱處理的任何真空處理，並且在這種情況下同樣可以實現上述效果。
權利要求
1.一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括可連通地成一線地連接在一起並在其中處理被處理物體的多個處理系統；和可連通地連接到所述處理系統的負載鎖定系統，所述負載鎖定系統具有將被處理物體送入和送出每個所述處理系統的傳送機構；其中至少一個所述處理系統是真空處理系統，所述負載鎖定系統設置在適當的位置，以與所述處理系統形成一線。
2.一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括COR處理系統，在其中對被處理物體進行COR處理；至少一個真空處理系統，在其中對被處理物體進行其它處理，所述COR系統和所述至少一個真空系統可連通地成一線連接在一起；和負載鎖定系統，它可連通地連接到所述COR處理系統和所述至少一個真空處理系統，所述負載鎖定系統具有用於將被處理物體送入和送出所述COR處理系統和所述至少一個真空處理系統的每個的傳送機構。
3.根據權利要求2的被處理物體處理設備，其中所述至少一個真空處理系統是連接到所述COR處理系統的熱處理系統，在已經進行了COR處理的被處理物體上進行熱處理。
4.根據權利要求3的被處理物體處理設備，其中所述COR處理系統和所述熱處理系統總是處於真空狀態下。
5.根據權利要求2的被處理物體處理設備，其中所述負載鎖定系統設置在適當的位置上以便與所述至少一個真空處理系統形成一線。
6.一種用於被處理物體處理設備的被處理物體處理方法，所述被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統、在其中在已經進行了COR處理的所述被處理物體上進行熱處理的熱處理系統、以及可連通地連接到所述負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括第一負載鎖定系統送入步驟，將第一被處理物體送入所述負載鎖定系統；第一排氣步驟，在所述第一負載鎖定系統送入步驟之後對所述負載鎖定系統進行排氣；第一COR處理系統送入步驟，在已經完成所述第一排氣步驟中的排氣之後，將所述第一被處理物體送入所述COR處理系統；COR處理開始步驟，開始在所述第一被處理物體上進行COR處理；第二鎖定系統送入步驟，在對所述第一被處理物體進行所述COR處理期間將第二被處理物體送入所述負載鎖定系統；第二排氣步驟，在執行所述第二負載鎖定系統送入步驟之後對所述負載鎖定系統進行排氣；第一傳送步驟，在已經完成所述第二排氣步驟中的排氣之後並在已經完成所述第一被處理物體上的所述COR處理之後，將所述第一被處理物體從所述COR處理系統送入所述熱處理系統；第二傳送步驟，將所述被處理物體從所述負載鎖定系統送入所述COR處理系統；同時處理開始步驟，在所述COR處理系統中在所述第二被處理物體上開始進行COR處理並在所述熱處理系統中在所述第一被處理物體上進行熱處理；第三傳送步驟，在已經完成所述第一被處理物體的所述熱處理之後將所述第一被處理物體從所述熱處理系統送入所述負載鎖定系統；和替換步驟，使所述負載鎖定系統和所述裝載器組件互相連通，以便用在所述裝載器組件中等候的第三被處理物體替換所述負載鎖定系統中的所述第一被處理物體。
7.一種用於被處理物體處理設備的壓力控制方法，所述被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統、在其中在已經進行了所述COR處理的所述被處理物體上進行熱處理的熱處理系統、以及將所述被處理物體送入和送出所述負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括送入步驟，將所述負載鎖定系統置入大氣壓力狀態中和將沒有進行COR處理的被處理物體從所述裝載器組件傳送到所述負載鎖定系統，同時對所述熱處理系統排氣；負載鎖定系統排氣步驟，終止所述熱處理系統的排氣，並且對所述負載鎖定系統進行排氣使其壓力下降到設定壓力；熱處理系統排氣步驟，在所述負載鎖定系統已經達到設定壓力之後，終止所述負載鎖定系統的排氣，並對所述熱處理系統進行排氣，以便滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述負載鎖定系統內部的壓力的條件；以及第一連通步驟，在已經滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述負載鎖定系統內部的壓力的條件之後，使所述負載鎖定系統與所述熱處理系統連通，同時繼續對所述熱處理系統進行排氣。
8.根據權利要求7的壓力控制方法，還包括第一壓力監控步驟，在執行所述第一連通步驟之後，監視所述熱處理系統內部的壓力；COR處理系統排氣步驟，對所述COR處理系統進行排氣，同時繼續對所述熱處理系統排氣，以便滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述COR處理系統內部的壓力的條件；以及第二連通步驟，當已經滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述COR處理系統內部的壓力的條件時，終止所述COR處理系統的排氣，並且使所述熱處理系統與所述COR處理系統連通，同時繼續對所述熱處理系統排氣。
9.根據權利要求8的壓力控制方法，還包括注入步驟，在進行所述第二連通步驟之後，向所述負載鎖定系統和所述COR處理系統中引入流體。
10.根據權利要求9的壓力控制方法，其中從所述負載鎖定系統流進所述熱處理系統的流體的流速以及從所述COR處理系統流進所述熱處理系統的流體的流速彼此相等。
11.根據權利要求8的壓力控制方法，還包括在從所述COR處理系統送出已經進行了所述COR處理的所述被處理物體之後，對所述熱處理系統和所述COR處理系統進行排氣的排氣步驟，因此將所述COR處理系統內部的壓力設定為用於消除殘餘ESC電荷的靜態消除壓力。
12.一種用於被處理物體處理設備的壓力控制方法，該處理設備至少包括在其中對被處理物體進行COR處理的COR處理系統和在其中對已經進行了所述COR處理的所述被處理物體進行熱處理的熱處理系統，該方法包括壓力監視步驟，監視所述熱處理系統內部的壓力，同時對所述熱處理系統進行排氣；COR處理系統排氣步驟，對所述COR處理系統進行排氣，以便滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述COR處理系統內部的壓力的條件；以及連通步驟，當已經滿足所述熱處理系統內部的壓力低於所述COR處理系統內部的壓力的條件時，終止所述COR處理系統的排氣，並將所述熱處理系統與所述COR處理系統連通。
13.一種用於處理被處理物體的被處理物體處理設備，包括第一處理系統，在其中對被處理物體進行第一處理；第二處理系統，與所述第一處理系統可連通地連接並在其中對被處理物體進行第二處理；和負載鎖定系統，它設置在所述第一處理系統和所述第二處理系統之間並與所述第一處理系統和所述第二處理系統的每個可連通地連接，所述負載鎖定系統具有將所述被處理物體送進和送出所述第一處理系統和所述第二處理系統的傳送機構。
14.根據權利要求13的被處理物體處理設備，其中所述第二處理系統是冷卻處理系統，在其中對已經進行了所述第一處理的所述被處理物體進行冷卻處理。
15.根據權利要求14的被處理物體處理設備，其中所述第一處理系統總是處於真空狀態，並且所述第二處理系統總是處於大氣壓狀態。
16.根據權利要求15的被處理物體處理設備，其中所述負載鎖定系統設置在適當的位置上以與所述第一處理系統和所述第二處理系統形成一線。
17.一種用於被處理物體處理設備的被處理物體處理方法，所述被處理物體處理設備至少包括負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行真空處理的真空處理系統、在其中對已經進行了所述真空處理的所述被處理物體進行冷卻處理的大氣處理系統、以及裝載器組件，該方法包括負載鎖定系統送進步驟，將被處理物體從所述裝載器組件送進所述負載鎖定系統；第一真空/大氣壓轉換步驟，在執行所述負載鎖定系統送進步驟之後對所述負載鎖定系統進行排氣；真空處理系統送進步驟，在執行所述第一真空/大氣壓轉換步驟之後將所述被處理物體送進所述真空處理系統；真空處理步驟，對已經被送進所述真空處理系統的所述被處理物體進行真空處理；負載鎖定系統送出步驟，將已經進行了所述真空處理的所述被處理物體送出至所述負載鎖定系統；第二真空/大氣壓轉換步驟，在執行所述負載鎖定系統送出步驟之後將所述負載鎖定系統的內部打開到大氣；大氣處理系統送出步驟，將所述被處理物體從所述負載鎖定系統送出進入所述大氣處理系統；大氣處理步驟，對已經被送出進入所述大氣處理系統的所述被處理物體進行冷卻處理；和裝載器組件送出步驟，將已經進行了所述冷卻處理的所述被處理物體送出進入所述裝載器組件。
18.一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理設備至少包括具有用於傳送被處理物體的傳送裝置的負載鎖定系統、在其中對被處理物體進行真空處理的真空處理系統、在其中對已經進行了所述真空處理的所述被處理物體進行熱處理的熱處理系統、和可連通地連接到所述負載鎖定系統的裝載器組件，該方法包括負載鎖定系統送進步驟，將被處理物體送進所述負載鎖定系統；排氣步驟，在執行所述負載鎖定系統送進步驟之後對所述負載鎖定系統排氣；真空處理系統送進步驟，在已經完成所述排氣步驟中的排氣之後將所述被處理物體送進所述真空處理系統；真空處理開始步驟，在執行所述真空處理系統送進步驟之後開始真空處理；第一傳送步驟，在已經完成所述真空處理之後，將所述被處理物體從所述真空處理系統傳送到所述熱處理系統中；熱處理開始步驟，在所述熱處理系統中開始熱處理；第二傳送步驟，在已經完成所述熱處理之後，將所述被處理物體從所述熱處理系統送進所述負載鎖定系統；和裝載器組件送出步驟，將所述負載鎖定系統和所述裝載器組件彼此連通並將所述被處理物體送進所述裝載器組件。
19.一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，該被處理物體處理設備包括具有第一工作檯並在其中對已經放在所述第一工作檯上的被處理物體進行熱處理的熱處理系統、具有第二工作檯並在其中對已經放在所述第二工作檯上的被處理物體進行真空處理的真空處理系統、用於與所述熱處理系統和所述真空處理系統連通設置並具有用於傳送所述被處理物體的所述傳送裝置的負載鎖定系統、和控制傳送裝置的控制器，所述傳送裝置具有保持所述被處理物體的被處理物體保持部件，所述被處理物體保持部件可通過所述熱處理系統和所述真空處理系統自由移動，所述被處理物體保持部件具有用於檢測關於所述被處理物體是否存在的信息的第一檢測裝置，所述第一工作檯和所述第二工作檯的至少一個具有用於檢測關於是否存在被處理物體的信息的第二檢測裝置，所述控制器在被檢測信息的基礎上檢測所述被處理物體的位置，該方法包括第一位置關係檢測步驟，檢測處於起始位置的所述被處理物體的中心與所述第一工作檯和所述第二工作檯之一的中心之間的第一相對位置關係；傳送步驟，在所述被檢測的第一相對位置關係基礎上確定所述被處理物體的傳送路線，並沿著所述被確定的傳送路線傳送所述被處理物體；第二位置關係檢測步驟，檢測已經被傳送到所述第一工作檯和所述第二工作檯之一之後的所述被處理物體的中心和處於起始位置的所述被處理物體的中心之間的第二相對位置關係；和位置校正步驟，在所述第一相對位置關係和所述第二相對位置關係之間的偏差基礎上校正所述被處理物體的位置。
20.根據權利要求19的被處理物體傳送方法，還包括被處理物體保持部件旋轉步驟，使所述被處理物體保持部件旋轉，同時所述被處理物體保持部件仍然保持所述被處理物體，以使已經進行位置校正的所述被處理物體的參考平面的位置與預定位置對準。
21.根據權利要求19的被處理物體傳送方法，其中處於起始位置的所述被處理物體的中心是傳送前所述負載鎖定系統中的所述被處理物體的中心。
22.一種在被處理物體處理設備中用於傳送裝置的被處理物體傳送方法，所述被處理物體處理設備包括可連通地連接到具有第一工作檯的熱處理系統的負載鎖定系統，在所述熱處理系統中對已經放在所述第一工作檯上的被處理物體進行熱處理，所述負載鎖定系統經過所述熱處理系統可連通地連接到具有第二工作檯的真空處理系統，在所述真空處理系統中對已經放在所述第二工作檯上的所述被處理物體進行真空處理，所述負載鎖定系統具有用於傳送所述被處理物體的傳送裝置，所述傳送裝置包括傳送臂，所述傳送臂包括至少兩個臂形部件，所述臂形部件在其每個的一端可旋轉地連接在一起；和被處理物理保持部件，所述被處理物體保持部件連接到所述臂形部件之一的另一端並保持所述被處理物體，該方法包括被處理物體移動步驟，在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述臂形部件之一的另一端旋轉所述被處理物體保持部件，在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述臂形部件之一的一端旋轉所述臂形部件之一，並在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述臂形部件的另一個的另一端旋轉所述臂形部件的另一個。
23.根據權利要求22的被處理物體傳送方法，其中在所述被處理物體移動步驟中，所述臂形部件和所述被處理物體保持部件彼此協作旋轉，以便沿著所述第一工作檯和所述第二工作檯的配置方向移動所述被處理物體。
24.一種傳送設備，所述傳送設備設置在可連通地連接到熱處理系統的負載鎖定系統中，其中所述熱處理系統具有第一工作檯，在所述熱處理系統中對已經放在所述第一工作檯上的被處理物體進行熱處理，所述負載鎖定系統經過所述熱處理系統可連通地連接到具有第二工作檯的真空處理系統，在所述真空處理系統中對已經放在所述第二工作檯上的所述被處理物體進行真空處理，所述傳送設備包括傳送臂，該傳送臂包括至少兩個臂形部件，所述臂形部件在其每個的一端可旋轉地連接在一起；和被處理物體保持部件，它連接到所述臂形部件之一的另一端並保持所述被處理物體；其中所述被處理物體保持部件設置成在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述臂形部件之一的另一端旋轉，所述臂形部件之一設置成在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述臂形部件之一的一端旋轉，所述臂形部件的另一個設置成在平行於所述被處理物體的表面的平面內圍繞所述另一個臂形部件的另一端旋轉。
25.根據權利要求24的傳送設備，其中所述臂形部件和所述被處理物體保持部件設置成彼此協作旋轉，以便沿著所述第一工作檯和所述第二工作檯的配置方向移動所述被處理物體。
全文摘要
本發明涉及用於處理待處理物體的處理設備、處理方法、壓力控制方法、被處理物體傳送方法以及傳送設備。提供了一種可以有效地進行多個處理的被處理物體處理設備。多個處理系統可連通地在一線連接在一起並在其中處理被處理物體。負載鎖定系統可連通地連接到處理系統並具有將被處理物體送進和送出每個處理系統的傳送機構。至少一個處理系統是真空處理系統，負載鎖定系統設置在適當的位置以與處理系統形成一線。
文檔編號H01L21/68GK1574270SQ20041003105
公開日2005年2月2日 申請日期2004年4月12日 優先權日2003年6月24日
發明者小澤潤, 關口克巳 申請人:東京毅力科創株式會社