功率半導體封裝體及其應用的製作方法

2023-06-11 23:29:16

本公開總體上涉及半導體裝置。更具體地，本公開涉及功率半導體封裝體及其應用。

背景技術：

功率半導體封裝體可應用於例如汽車電子裝置的各種技術領域和應用中。在汽車電子部件的運行期間，可出現損耗，這導致車輛的燃料消耗和排放的不期望的增加。必須不斷地改進功率半導體及它們的封裝體。特別地，可令人期望的是提高汽車電子部件的效率，以便減少燃料消耗和排放。

技術實現要素：

根據本發明的一個方面，提供了一種功率半導體封裝體，包括：參考電壓端子；電源電壓端子；相端子；第一功率電晶體；和第二功率電晶體，其中，所述第一功率電晶體和所述第二功率電晶體串聯連接，並且形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關。

根據本發明的一個可選實施例，所述電源電壓端子電耦接至所述第一功率電晶體的漏極電極，所述參考電壓端子電耦接至所述第二功率電晶體的源極電極，並且所述相端子在所述第一功率電晶體的源極電極與所述第二功率電晶體的漏極電極之間電互連。

根據本發明的一個可選實施例，所述功率半導體封裝體還包括：被配置用來控制所述第一功率電晶體的柵極電極的第一控制器；和被配置用來控制所述第二功率電晶體的柵極電極的第二控制器。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一控制器在所述第一功率電晶體的所述柵極電極與所述參考電壓端子之間互連，並且所述第二控制器在所述第二功率電晶體的所述柵極電極與所述電源電壓端子之間互連。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一控制器和所述第二控制器中的每個被配置成：基於施加到所述電源電壓端子的電源電壓與施加到所述參考電壓端子的參考電壓之間的電勢差來被供電。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一控制器和所述第二控制器的電源獨立於封裝體內部功率源。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一控制器和所述第一功率電晶體單片集成在第一半導體晶片中，並且所述第二控制器和所述第二功率電晶體單片集成在第二半導體晶片中。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一半導體晶片和所述第二半導體晶片在豎直方向上彼此堆疊。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一半導體晶片和所述第二半導體晶片在橫向方向上偏移。

根據本發明的一個可選實施例，所述功率半導體封裝體還包括：將所述參考電壓端子與所述第一半導體晶片電耦接的第一電耦接元件，其中，所述第一電耦接元件被布置成橫向相對於所述第二半導體晶片偏移，並且在所述豎直方向上延伸；和將所述電源電壓端子與所述第二半導體晶片電耦接的第二電耦接元件，其中，所述第二電耦接元件被布置成橫向相對於所述第一半導體晶片偏移，並且在所述豎直方向上延伸。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一電耦接元件和所述第二電耦接元件中的至少一個包括管腳。

根據本發明的一個可選實施例，所述電源電壓端子和所述相端子中的每個包括管腳。

根據本發明的一個可選實施例，所述參考電壓端子包括基板。

根據本發明的一個可選實施例，所述參考電壓端子、所述電源電壓端子和所述相端子中的每個都能夠從所述功率半導體封裝體的外部接觸到。

根據本發明的一個可選實施例，所述功率半導體封裝體是3端子封裝體。

根據本發明的一個可選實施例，所述功率半導體封裝體是壓配式封裝體。

根據本發明的一個可選實施例，所述功率半導體封裝體被配置成作為多相整流器的支路運行。

根據本發明的另一方面，提供了一種電路，包括：電源電壓端子；參考電壓端子；第一功率電晶體；第二功率電晶體，其中，所述第一功率電晶體和所述第二功率電晶體串聯連接，並且形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關；被配置成用來控制所述第一功率電晶體的第一控制器，其中，所述第一控制器在所述第一功率電晶體與所述參考電壓端子之間互連；和被配置成用來控制所述第二功率電晶體的第二控制器，其中，所述第二控制器在所述第二功率電晶體與所述電源電壓端子之間互連。

根據本發明的一個可選實施例，所述第一控制器和所述第二控制器中的每個被配置成：由施加到所述電源電壓端子的電源電壓與施加到所述參考電壓端子的參考電壓之間的電勢差來供電。

根據本發明的又一方面，提供了一種包括多個支路的多相整流器，其中，所述多個支路中的至少一個包括半導體封裝體，所述半導體封裝體包括：參考電壓端子；電源電壓端子；相端子；第一功率電晶體；和第二功率電晶體，其中，所述第一功率電晶體和所述第二功率電晶體串聯連接，並且形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關。

根據本發明的一個可選實施例，所述多相整流器被配置成用來在機動車交流發電機中運行。

附圖說明

附圖被包括以提供對多個方面的進一步理解，並且附圖被結合併構成本說明書的一部分。附圖示出多個方面，並與說明書一起用於解釋多個方面的原理。其他方面和各方面的許多預期優點由於通過參考下文詳細描述變得更好理解而容易被領會。附圖的元件不一定相對彼此按比例繪製。相似的附圖標記可表示相應的類似部分。

圖1示意性地示出根據本公開的功率半導體封裝體100。

圖2示意性地示出根據本公開的電路200。

圖3示意性地示出根據本公開的電路300。

圖4示意性地示出根據本公開的裝置400的側剖視圖。

圖5示意性地示出根據本公開的裝置500的側剖視圖。

圖6示意性地示出成壓配式封裝體形式的根據本公開的裝置600的側剖視圖。

圖7示出包括多相整流器的電路700的示意圖。

圖8示出包括多相整流器的電路800的示意圖。該多相整流器包括根據本公開的功率半導體封裝體。

具體實施方式

在下文的詳細描述中，參考了附圖，在所述附圖中，通過圖示的方式示出了可實踐本公開的具體方面。在這點上，可參考所描述的附圖的取向，來使用諸如「上」，「下」，「前」，「後」等的方向性術語。由於所描述的裝置的部件可以許多不同的取向放置，因此所述方向性術語可用於說明的目的，而絕非限制的目的。在不背離本公開的思想的情況下，可使用其他方面並可做出結構或邏輯的改變。因此，下文的詳細描述不應以限制的意義理解，本公開的思想由所附權利要求限定。

如本說明書中所使用的那樣，術語「連接」，「耦接」，「電連接」和/或「電耦接」不一定意味著元件必須直接連接或耦接在一起。可在「連接」，「耦接」，「電連接」或「電耦接」的元件之間提供中間元件。

另外，對於例如形成於或位於物體的表面「之上」的材料層中所使用的詞語「之上」可在本文中用來表示所述材料層可「直接」位於(例如形成於、沉積於等)所述表面之上，例如與所述表面直接接觸。對於例如形成於或位於表面「之上」的材料層中所使用的詞語「之上」也可在本文中用來表示所述材料層可「非直接地」位於(例如形成於、沉積於等)所述表面之上，例如一個或一個以上附加層布置在所述表面與所述材料層之間。

本文描述了裝置和用於製造裝置方法。與所描述的裝置做出的相關說明對於相應的方法也可成立，並且反之亦然。例如，如果描述了裝置的具體部件，則用於製造裝置的相應方法可包括以合適的方式提供所述部件的步驟，即使沒有明確地描述或在圖中示出這種步驟。此外，除非另有特別說明，否則本文所描述的各種示例性方面的特徵可彼此結合起來。

本文所描述的裝置可包括一個或一個以上半導體晶片。通常，半導體晶片可包括集成電路、無源電子部件、有源電子部件等。集成電路可被設計為邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、功率集成電路等。半導體晶片不需要由特定的半導體材料製造，並且可包含非半導體的無機和/或有機材料，例如絕緣體、塑料、金屬等。在一個示例中，半導體晶片可由元素半導體材料、例如si等製造。在一個另外的示例中，半導體晶片可由化合物半導體材料、例如gan、sic、sige、gaas等製造。

在一個示例中，半導體晶片可包括功率半導體。通常，功率半導體晶片可被配置為二極體、功率mosfet(金屬氧化物半導體場效應電晶體：metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)、igbt(絕緣柵雙極型電晶體：insulatedgatebipolartransistor)、jfet(結柵場效應電晶體：junctiongatefieldeffecttransistor)、hemt(高電子遷移率電晶體：highelectronmobilitytransistor)、超結器件、功率雙極電晶體等。在第一種情況下，功率半導體晶片可具有豎直結構，即半導體晶片可被製造成使得電流可基本上在與半導體晶片的主表面垂直的方向上流動。例如，功率mosfet的柵極電極和源極電極可布置在一個主表面之上，而功率mosfet的漏極電極可布置在另一個主表面之上。在第二種情況下，功率半導體晶片可具有橫向結構，即半導體晶片可被製造成使得電流可基本上在與半導體晶片的主表面平行的方向上流動。例如，功率mosfet的柵極電極、源極電極和漏極電極可布置在功率mosfet的一個主表面之上。

在一個另外的示例中，根據本公開，半導體晶片可被配置成用來控制(或驅動)裝置的電子部件。例如，這種控制(或驅動)半導體晶片可被配置成用來控制一個或一個以上功率半導體晶片的集成電路。控制電路可被配置成用來驅動裝置的一個或一個以上電子部件，例如大功率電晶體。在此，控制電路和大功率電晶體可單片集成在一個半導體晶片中。被驅動的部件可以是電壓驅動或電流驅動的。在一種情況下，可通過柵極驅動器電路來執行對包括柵極電極的部件的驅動。驅動過程可包括將不同電壓、例如以導通和關斷的切換波形的形式的電壓施加至柵極電極。

本文所描述的裝置可包括一個或一個以上電端子，例如電源電壓端子、參考電壓端子、相端子。半導體封裝體的電端子可特別地允許從半導體封裝體的外部與所包括的並且布置在半導體封裝體中的內部電子結構和電子部件(例如半導體晶片)進行電接觸。這種端子可特別地位於半導體封裝體的周邊並因此代表半導體封裝體的外部端子。所述端子於是可具有暴露的部分並因此可從半導體封裝體的外部接觸到。在這點上，接觸端子可與可以是半導體封裝體的內部結構的一部分的電端子區分開。在一個示例中，端子(例如電源端子或相端子)可包括或可相應於管腳或引線。在另一示例中，端子(例如參考端子)可包括或可相應於基板(例如壓配式封裝體的基板)。端子可由金屬和/或金屬合金、特別是銅和/或銅合金製成。半導體封裝體可基於其(外部)端子的數量來分類。例如，3端子半導體封裝體可相應於具有正好三個可從半導體封裝體外接觸到的端子的半導體封裝體。

圖1示意性地示出根據本公開的功率半導體封裝體100。該功率半導體封裝體100以一般性方式示出，以便定性地詳細說明本公開的一個方面。為簡單起見，功率半導體封裝體100可包括未示出的另外的部件。例如，根據本公開，功率半導體封裝體100可還包括其他裝置的一個或一個以上部件。

功率半導體封裝體100可包括參考電壓端子2(參見vref)，電源電壓端子4(參見vsup)和相端子6(參見phase)。特別地，端子2、4、6中的每個可相應於功率半導體封裝體100的可從功率半導體封裝體100外接觸到的外部端子。圖1中，功率半導體封裝體100的外圍由虛線示出。鑑於此，功率半導體封裝體100可特別地相應於3端子封裝體。功率半導體封裝體100可還包括第一功率電晶體8和第二功率電晶體10。第一功率電晶體8和第二功率電晶體10可串聯連接，並且可形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關。

如稍後將描述的那樣，在一個示例中，功率半導體封裝體100可被配置成作為多相整流器的支路來運行。在這種整流器的運行期間，可在整流器的支路處出現電壓降。對於使用二極體來實現整流器支路的情況，這種電壓降的值可為大約1v。與此不同的是，當基於根據本公開的功率半導體部件實現支路時，支路處的電壓降可減小到約0.2v的值。結合圖8來進行描述包括根據本公開的功率半導體部件的整流器的具體示例。

圖2示意性地示出根據本公開的電路200。電路200以一般性方式示出，以便定性地詳細說明本公開的一個方面。為簡單起見，電路200可包括未示出的另外的部件。例如，根據本公開，電路200可還包括其他裝置的一個或一個以上部件。

電路200可包括參考電壓端子2(參見vref)和電源電壓端子4(參見vsup)。電路200可還包括第一功率電晶體8和第二功率電晶體10。所述第一功率電晶體8和所述第二功率電晶體10可串聯連接，並且可形成半橋電路的低壓側開關和高壓側開關。電路200可還包括被配置成用來控制第一功率電晶體8的第一控制器12，其中，所述第一控制器12可在第一功率電晶體8與參考電壓端子2之間互連。此外，電路200可包括被配置成用來控制第二功率電晶體10的第二控制器14，其中，所述第二控制器14可在第二功率電晶體10與電源電壓端子4之間互連。

在圖2的示例中，第一控制器12和第二控制器14中的每個連接在電路200中，使得控制器12和14中的每個可被配置成基於施加到參考電壓端子2的參考電壓與施加到電源電壓端子4的電源電壓之間的電勢差而被供電。就是說，可利用電勢差來為控制器12和14供電。因此，第一控制器12和第二控制器14的電源可獨立於封裝體內部功率源。因此，包括電路200的功率半導體封裝體可不需要包括為第一控制器12和第二控制器14供電的附加功率源。

圖3示意性地示出根據本公開的電路300。電路300可被視為電路200的更詳細的實現，使得下文描述的電路300的細節可同樣應用於電路200。電路300可被包括在根據本公開的功率半導體封裝體中。這種功率半導體封裝體可例如被配置成作為多相整流器的支路運行。

電路300可包括參考電壓端子2、電源電壓端子4和相端子6。另外，電路300可包括第一功率電晶體8、第二功率電晶體10、第一控制器12和第二控制器14。第一功率電晶體8和第一控制器12可形成第一半導體晶片16，而第二功率電晶體10和第二控制器14可形成第二半導體晶片18。特別地，第一功率電晶體8和第一控制器12可單片集成在第一半導體晶片16中，第二功率電晶體10和第二控制器14可單片集成在第二半導體晶片18中。

在圖3的示例中，電源電壓端子4可電耦接到電源(未示出)，特別是電耦接到例如電池的dc電源的端子。在這點上，參考電壓端子2可電耦接到dc電源的另外的端子。特別地，參考電壓端子可接地。相端子6可電耦接至發電機(未示出)。

第一功率電晶體8和第二功率電晶體10中的每個可相應於功率mosfet。在這點上，第一功率電晶體8和第二功率電晶體10中的每個可包括柵極電極(參見g1，g2)、源極電極(參見s1，s2)和漏極電極(參見d1，d2)。第一功率電晶體8的漏極電極d1可電耦接至電源電壓端子4，第一功率電晶體8的柵極電極g1可電耦接至第一控制器12，第一功率電晶體8的源極電極s1可電耦接至第二功率電晶體10的漏極電極d2。另外，第二功率電晶體10的柵極電極g2可電耦接至第二控制器14，第二功率電晶體10的源極電極s2可電耦接至參考電壓端子2。因此，第一功率電晶體8和第二功率電晶體14可串聯連接，其中，相端子6可在第一功率電晶體8的源極電極s1與第二功率電晶體10的漏極電極d2之間互連。

第一控制器12可在第一功率電晶體8的柵極電極g1與參考電壓端子2之間互連。以類似方式，第二控制器14可在第二功率電晶體10的柵極電極g2與電源電壓端子4之間互連。由於它們在電路300中的布置結構，控制器12和14中的每個可被配置成基於施加到電源電壓端子4的電源電壓與施加到參考電壓端子2的參考電壓之間的電勢差而被供電。因此，可省略為第一控制器12和第二控制器14提供電源的附加功率源。

第一功率電晶體8和第二功率電晶體10可被配置成作為布置在參考電壓端2與電源電壓端子4之間的半橋電路的低壓側開關和高壓側開關來運行。在這點上，第一控制器12可被配置成作為柵極驅動器來運行，並且用來控制第一功率電晶體8的柵極電極g1。類似地，第二控制器14可被配置成作為柵極驅動器來運行，並且用來控制第二功率電晶體10的柵極電極g2。

圖4示意性地示出根據本公開的裝置400的側剖視圖。裝置400可被配置成用來根據圖3的電路300來運行。為簡單起見，裝置400可包括未示出的另外的部件。例如，裝置400可還包括根據本公開的其他裝置的一個或一個以上部件。

裝置400可包括參考電壓端子2、電源電壓端子4、相端子6、第一半導體晶片16和第二半導體晶片18。如圖4中示出的那樣，部件可在豎直方向上(參見y軸線)彼此堆疊。第一半導體晶片16和第二半導體晶片18中的每個可包括功率電晶體和控制器，使得類似於圖3的電路可在裝置400中實現。裝置400可還包括第一電耦接元件20和第二電耦接元件22。

例如，參考電壓端子2可以是可由銅和/或銅合金製成的金屬基板。參考電壓端子2可接地並且被配置成用來消散由半導體晶片16和18產生的運行熱。第二半導體晶片18可包括具有豎直結構的(第二)功率mosfet。第二功率mosfet的柵極電極和源極電極可布置在第二半導體晶片18的下表面之上，而第二功率mosfet的漏極電極可布置在第二半導體晶片18的上表面之上。第二功率mosfet的源極電極(或第二半導體晶片18的陽極端子)可電耦接至參考電壓端子2。

相端子6的下表面可電耦接至第二功率mosfet的漏極電極(或電耦接至第二半導體晶片18的陰極端子)。相端子6可以是高導電性的，並且可例如由金屬和/或金屬合金，特別是銅和/或銅合金製造。相端子6因此可被配置成用來將第一半導體晶片16和第二半導體晶片18電耦接並且熱耦合。第二半導體晶片18的上表面的至少一部分可保持不被相端子6覆蓋，使得可通過第二電耦接元件22建立電源電壓端子4與第二半導體晶片18之間的電連接。

第一半導體晶片16可包括具有豎直結構的(第一)功率mosfet。第一功率mosfet的柵極電極和源極電極可布置在第一半導體晶片16的下表面之上，而第一功率mosfet的漏極電極可布置在第一半導體晶片16的上表面之上。相端子6的上表面可電耦接至第一功率mosfet的源極電極(或電耦接至第一半導體晶片16的陽極端子)。第一半導體晶片16的下表面的至少一部分可保持不被相端子6覆蓋，使得可通過第一電耦接元件20建立參考電壓端子2與第一半導體晶片16之間的電連接。電源電壓端子4的下表面可電耦接至第一功率mosfet的漏極電極(或電耦接至第一半導體晶片16的陰極端子)。

第一電耦接元件20和第二電耦接元件22中的每個可以是由金屬和/或金屬合金，特別是銅和/或銅合金製造的管腳(或引線)。第一電耦接元件20可提供集成在第一半導體晶片16中的(第一)控制器與參考電壓端子2之間的電耦接。另外，第二電耦接元件22可提供集成在第二半導體晶片18中的(第二)控制器與電源電壓端子4之間的電耦接。在一個示例中，第二電耦接元件22可在延伸出或進入圖4的繪圖平面的方向(參見z軸線)上橫向相對於第二半導體晶片18偏移，使得第二電耦接元件22可旁繞過去並因此不接觸第二半導體晶片18，以便到達並接觸參考電壓端子2。在一個另外的示例中，第二電耦接元件22可通過從第二半導體晶片18的上表面延伸至第二半導體晶片18的下表面的直通連接，接觸第二半導體晶片18的下表面。

第一半導體晶片16和第二半導體晶片18可包括類似的部件，並因此可具有類似的幾何尺寸。在圖4的示例中，半導體晶片16和18可在橫向方向上(參見x軸線)偏移地布置，使得電耦接元件20和22可基本上在豎直方向上(參見y軸線)延伸，從而建立半導體晶片16和18中的控制器與端子2和4之間的電連接。

圖5示意性地示出根據本公開的裝置500的側剖視圖。裝置500可至少部分地類似於裝置400，並且可包括類似的部件，使得結合圖4做出的說明對於圖5也可成立。裝置500可被配置成用來根據圖3的電路300來運行。為簡單起見，裝置500可包括未示出的另外的部件。例如，裝置500可還包括根據本公開的其他裝置的一個或一個以上部件。

裝置500的電耦接元件20和22可不同於圖4中的裝置400的類似部件。如結合圖4所說明的那樣，圖5中的第一電耦接元件20可建立第一半導體晶片16中的第一控制器與參考電勢端子2之間的電耦接，但是所述第一電耦接元件20可在形式和尺寸上有所不同。圖5中的第二電耦接元件22可以是l形的，包括在x方向上延伸的第一部分和在y方向上延伸的第二部分。豎直的第一部分可電耦接至電源電壓端子4，橫向的第二部分可電耦接至布置在第二半導體晶片18的下表面之上的電極，該電極電耦接至第二半導體晶片18的第二控制器。例如，當半導體晶片16和18在它們的x方向上的橫向尺寸可能不同時，可使用圖5的布置結構。

圖6示意性地示出根據本公開的裝置600的側剖視圖。裝置600可被配置成用來根據圖3的電路300來運行，並可相應於壓配式封裝體。

裝置600可至少部分地類似於圖4的裝置400，並且可包括類似的部件。此外，裝置600可包括形成腔的金屬杯24、電源電壓端子管腳(或引線)26、相端子管腳(或引線)28和包封材料30。金屬杯24的底部可包括可相應於上文所述的參考電壓端子2的基板。金屬杯24可電耦接至參考電勢，特別是接地。電源電壓管腳26和電源電壓端子4可形成為一體。電源電壓管腳26可電耦接至例如電池的電源電壓。相端子管腳28和相端子6可形成為一體。在圖6的側剖視圖中，相端子管腳28與相端子6之間的連接可在第二半導體晶片16和電源電壓端子4之後延伸，並因此可被隱藏起來。金屬杯24的腔可填充有可覆蓋布置在腔中的一個或一個以上部件的電絕緣包封材料30。在圖6的示例中，僅管腳26和28可延伸出包封材料30。

如上所述，在圖6的示例中，金屬杯24的基板可電耦接至參考電勢，而管腳26可電耦接至電源電壓。應當注意的是，在另外的示例中，施加到金屬杯24的基板和管腳26的電勢可顛倒。也就是說，金屬杯24的基板可電耦接至電源電壓，而管腳26可電耦接至參考電勢，特別是接地。在這種情況下，可顛倒裝置600的在y方向上的部件的順序，以便實現類似的電路。

圖7示出可在車輛中使用的電路700的示意圖。電路700可包括交流發電機32、多相整流器34、負載36和電池38。多相整流器34可包括三個支路40，其中，支路40中的每個均可包括兩個二極體42.1、42.2。

在圖7的示例中，交流發電機32可以是被配置成用來生成三個獨立ac電流(參見p1、p2、p3)的三相交流發電機。三個ac電流可具有相同的頻率，相同的幅度，並且可相對於彼此相移120°的值。三個ac電流中的每個可以是到多相整流器34的相應支路40的輸入，所述多相整流器34可因此相應於三相整流器。整流器34的三個支路40可被配置成用來整流ac電流，使得可在整流器34的輸出端提供dc電壓。該dc電壓(參見vsup，vref)可例如用來為負載36供電。此外，dc電壓可用來為電池38充電。應當注意的是，在一個另外的示例中，電路700可基於六相。就是說，交流發電機32和整流器34可相應於六相交流發電機和六相整流器。在又一個另外的示例中，電路700可基於五相。就是說，交流發電機32和整流器34可相應於五相交流發電機和五相整流器。

圖8示出包括根據本公開的功率半導體封裝體的電路800的示意圖。電路800可類似於圖7的電路700地運行。

電路800可至少部分地包括與電路700類似的部件。與電路700不同的是，在三相整流器34的每個支路中，相應的二極體42.1、42.2對可由如結合之前附圖進行描述的包括端子2、4和6的功率半導體封裝體50替代。功率半導體封裝體50可類似於根據本公開的所討論的任何功率半導體封裝體或電路。

如結合圖1所描述的那樣，與在整流器34的支路中使用二極體的電路700相比，使用功率半導體封裝體50的電路800可在整流器34的支路處提供減小的電壓降。此外，如結合圖2所描述的那樣，功率半導體封裝體50不需要包括內部功率源來為包括在功率半導體封裝體中的控制器供電。而是控制器可基於電源電壓vsup與參考電勢vref之間的電勢差而被供電。

儘管可能已經關於幾個實施方式中的僅一個來公開本公開的特定特徵或方面，但是如對於任何給定的或特定的應用可令人期望的和有利的是，這種特徵或方面可與其他實施方式的一個或一個以上其他特徵或方面結合起來。另外，就術語「包括」，「具有」，「帶有」或它們的其他變型使用於具體實施方式或權利要求中來說，這些術語旨在以與術語「包含」類似的方式表示包括性的。此外，術語「示例性的」僅僅意味著示例，而不是最佳的或最優的。還應當理解的是，為簡單和易於理解的目的，本文所示的特徵和/或元件是以相對於彼此特定的尺寸示出的，並且實際尺寸基本上可與本文所示的尺寸不同。

儘管本文已經示出並描述了具體方面，但是本領域技術人員將理解的是，在不背離本公開的思想的情況下，多種替代方案和/或等同實施方式可替代所示出和描述的具體方面。本申請旨在覆蓋本文所討論的具體方面的任何修改或變化。因此，本公開旨在僅由權利要求及其等同方案限制。