接近曝光裝置、其基板定位方法及顯示用面板基板的製法的製作方法

2023-06-12 00:47:21 5

專利名稱：接近曝光裝置、其基板定位方法及顯示用面板基板的製法的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種在液晶顯示器(display)裝置等的顯示用面板基板的製造中，使用接近(proximity)方式來進行基板曝光的接近曝光裝置、接近曝光裝置的基板定位方法以及使用這些裝置和方法的顯示用面板(panel)基板的製造方法，特別是涉及一種通過移動平臺(stage)來使支撐基板的夾盤(chuck)朝XY方向移動以及朝0方向旋轉以進行曝光時的基板定位的接近曝光裝置、接近曝光裝置的基板定位方法以及使用這些裝置和方法的顯示用面板基板的製造方法。
背景技術：
用作顯示用面板的液晶顯示器裝置的薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)基板或彩色濾光器(color filter)基板、等離子體(plasma)顯示器面板用基板、有機電致發光(Electroluminescence, EL)顯示面板用基板等的製造是使用曝光裝置,通過光刻(photolithography)技術在基板上形成圖案(pattern)而進行。作為曝光裝置，有使用透鏡(lens)或鏡子來將光罩(mask)的圖案投影到基板上的投影(projection)方式、以及在光罩與基板之間設置微小的間隙(接近間隙(proximity gap))而將光罩的圖案轉印到基板上的接近方式。與投影方式相比，接近方式的圖案析象性能差，但是照射光學系統的結構簡單，且處理能力高，適合於量產用途。近年來，在顯示用面板的各種基板的製造中，為了應對大型化以及尺寸的多樣化，須準備相對較大的基板，並根據顯示用面板的尺寸來從一片基板中製造出一片或多片顯示用面板基板。此時，對於接近方式而言，如果要統一曝光基板的一面，則需要與基板相同大小的光罩，從而導致昂貴的光罩成本(cost)進一步增大。因此，使用相對於基板較小的光罩，通過移動平臺來使基板朝向XY方向步進移動，將基板的一面分成多次照射(shot)來進行曝光的方式成為主流。在接近曝光裝置中，為了精度良好地進行圖案的燒附，必須精度良好地進行曝光時的基板定位。進行基板定位的移動平臺具備朝向X方向移動的X平臺、朝向Y方向移動的Y平臺以及朝向0方向旋轉的0平臺，搭載支撐基板的夾盤以朝向XY方向移動以及朝向e方向旋轉。專利文獻I以及專利文獻2中公開了下述技術，即在定位基板時，使用雷射(laser)測長系統來檢測移動平臺在XY方向上的位置，而且使用多個雷射位移計來檢測夾盤在0方向上的斜率。先前技術文獻專利文獻專利文獻1:日本專利特開2008-298906號公報專利文獻2 :日本專利特開2009-31639號公報

發明內容
專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤上安裝條狀鏡(bar mirror)，通過設在X平臺上的多個雷射位移計而在多處部位測定條狀鏡的位移，以檢測夾盤在0方向上的斜率。因此，需要專用的條狀鏡，但該條狀鏡必須高精度地將表面加工成平坦，因此價格非常高昂，需要耗費巨大的費用。而且，專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在X平臺上設有雷射位移計，因此當通過Y平臺來使夾盤朝向Y方向移動時，條狀鏡的位置相對於雷射位移計而發生變化。因此，在測定結果中有可能包含因條狀鏡的平坦度造成的誤差。與此相對，如果在Y平臺上設置多個雷射位移計，並使多個雷射位移計與夾盤一同朝向XY方向移動，則由各雷射位移計所測定的夾盤的位移將不會因夾盤的移動而發生變動。但此時，移動Y平臺時，在搭載有Y平臺的導軌(guide)上因滑動阻力而產生大量的熱，該熱傳遞至Y平臺而導致Y平臺產生因熱變形造成的形變，設在Y平臺上的各雷射位移計的設置狀態發生變化，從而在夾盤位移的測定結果中也有可能產生誤差。另一方面，如果取代在Y平臺上設置多個雷射位移計的做法，而在夾盤上設置多個雷射位移計，並在Y平臺上安裝條狀鏡，則當Y平臺產生因熱變形造成的形變時，條狀鏡的設置狀態會發生變化，從而導致條狀鏡產生0方向的位置偏移，這樣有可能無法準確地檢測夾盤在0方向上的斜率。如專利文獻I以及專利文獻2所記載的，當使用多個雷射位移計來檢測夾盤在9方向上的斜率時，多個雷射位移計設置得越遠，則越能夠精度良好地檢測夾盤在e方向上的斜率。但是，雷射位移計的輸出特性缺乏直線性，如果加寬測定範圍，則測定誤差將變大。在專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤向0方向傾斜的狀態下，若通過Y平臺使夾盤朝Y方向移動，則從各雷射位移計到條狀鏡為止的距離會發生變動，因此若使多個雷射位移計設置得更遠，則雷射位移計的測定範圍將變廣，從而測定誤差有可能變大。進而，雷射位移計的輸出特性會視設置狀態而發生變動，相對於被測定物的微小的角度變化，線性有所不同。因此，如專利文獻I以及專利文獻2所記載的，使用多個雷射位移計來檢測夾盤在0方向上的斜率時，在各雷射位移計的測定值中包含取決於夾盤角度的變動值，有可能無法高精度地檢測夾盤在e方向上的斜率。本發明的目的在於，以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在0方向上的斜率，以精度良好地進行基板在e方向上的定位。而且，本發明的目的在於，精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的顯示用面板基板。本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。為達到上述目的，依據本發明的接近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在光罩與基板之間設置微小的間隙而將光罩的圖案轉印至基板上，此接近曝光裝置包括移動平臺，具有朝向X方向(或Y方向)移動的第I平臺、搭載於第I平臺上且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平臺、以及搭載於第2平臺上且朝向0方向旋轉的第3平臺，搭載夾盤以進行由夾盤所支撐的基板的定位；雷射測長系統，具有產生雷射光線的光源、安裝於第I平臺的第I反射裝置、安裝於第2平臺的第2反射裝置、對來自光源的雷射光線與由第I反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定的第I雷射幹涉儀、以及對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定的第2雷射幹涉儀；第I檢測裝置，根據第I雷射幹涉儀以及第2雷射幹涉儀的測定結果，來檢測移動平臺在XY方向上的位置；位置偏移檢測裝置，對安裝於第2平臺的第2反射裝置在0方向上的位置偏移進行檢測；多個光學式位移計，設於夾盤上，在多處部位對直至安裝於第2平臺的第2反射裝置為止的距離進行測定；第2檢測裝置，基於由位置偏移檢測裝置所檢測的第2反射裝置在0方向上的位置偏移，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在9方向上的斜率；平臺驅動電路，驅動移動平臺；以及控制裝置，基於第2檢測裝置的檢測結果來控制平臺驅動電路，通過第3平臺使夾盤朝向0方向旋轉，以進行基板在e方向上的定位，並基於第I檢測裝置的檢測結果來控制平臺驅動電路，通過第I平臺以及第2平臺來使夾盤朝向XY方向移動，以進行基板在XY方向上的定位。而且，本發明的接近曝光裝置的基板定位方法中，接近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在光罩與基板之間設置微小的間隙而將光罩的圖案轉印至基板上，其中，將夾盤搭載於移動平臺上，所述移動平臺具有朝向X方向(或Y方向)移動的第I平臺、搭載於第I平臺且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平臺、以及搭載於第2平臺且朝向0方向旋轉的第3平臺，在第I平臺上安裝第I反射裝置，通過第I雷射幹涉儀，對來自光源的雷射光線與由第I反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定，在第2平臺上安裝第2反射裝置，通過第2雷射幹涉儀，對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定，對安裝於第2平臺的第2反射裝置在0方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤上設置多個光學式位移計，通過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平臺的第2反射裝置為止的距離進行測定，基於第2反射裝置在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在0方向上的斜率，且基於檢測結果，通過第3平臺來使夾盤朝向0方向旋轉，以進行基板在9方向上的定位，根據第I雷射幹涉儀以及第2雷射幹涉儀的測定結果，檢測移動平臺在XY方向上的位置，並基於檢測結果，通過第I平臺以及第2平臺來使夾盤朝向XY方向移動，以進行基板在XY方向上的定位。在夾盤上設置多個光學式位移計，通過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平臺的第2反射裝置為止的距離進行測定，根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在e方向上的斜率，因此安裝於第2平臺的第2反射裝置被兼用於使用第2雷射幹涉儀的移動平臺的位置檢測與使用多個光學式位移計的夾盤在e方向上的斜率檢測，不再需要用於檢測夾盤在e方向上的斜率的專用反射裝置(條狀鏡)。並且，即使通過移動平臺來使夾盤朝向XY方向移動，但光學式位移計始終對第2反射裝置的相同部位進行測定，因此因第2反射裝置的平坦度造成的測定誤差消失。進而，對安裝於第2平臺的第2反射裝置在0方向上的位置偏移進行檢測，基於第2反射裝置在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在e方向上的斜率，因此當第2平臺產生因熱變形造成的形變時，即使第2反射裝置的設置狀態發生變化而第2反射裝置產生9方向的位置偏移，也能準確地檢測夾盤在9方向上的斜率。而且，在夾盤向9方向傾斜的狀態下，即使通過移動平臺來朝向XY方向移動夾盤，從光學式位移計到第2反射裝置為止的距離也不會發生變動，測定範圍不會變廣，因此能夠使多個光學式位移計設置得更遠。因而，能以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在0方向上的斜率，從而精度良好地進行基板在e方向上的定位。進而，本發明的接近曝光裝置中，安裝於第2平臺的第2反射裝置在表面具有多個位置偏移檢測用標記，位置偏移檢測裝置具有多個圖像獲取裝置及圖像處理裝置，根據由圖像處理裝置所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置來檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移，所述多個圖像獲取裝置獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，所述圖像處理裝置對由各圖像獲取裝置所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置。而且，本發明的接近曝光裝置的基板定位方法中，在安裝於第2平臺的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移。在安裝於第2平臺的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移，因此通過各位置偏移檢測用標記的圖像處理，可精度良好地檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移。或者，本發明的接近曝光裝置中，雷射測長系統具有多個第2雷射幹涉儀，位置偏移檢測裝置根據多個第2雷射幹涉儀的測定結果，來檢測安裝於第2平臺的第2反射裝置在9方向上的位置偏移。而且，本發明的接近曝光裝置的基板定位方法中，通過多個第2雷射幹涉儀，在多處部位對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據多個第2雷射幹涉儀的測定結果，對安裝於第2平臺的第2反射裝置在e方向上的位置偏移進行檢測。利用用於對移動平臺在Y方向(或X方向)上的位置進行檢測的第2雷射幹涉儀，能夠檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移。進而，本發明的接近曝光裝置中，多個光學式位移計是分光幹涉雷射位移計，分光幹涉雷射位移計將寬波長帶寬(wavelength bandwidth)的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的幹涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。而且，本發明的接近曝光裝置的基板定位方法中，使用分光幹涉雷射位移計作為光學式位移計，所述分光幹涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的幹涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。分光幹涉雷射位移計與專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計相比，因被測定物的微小的角度變化造成的輸出特性的變化變小而精度高，但測定範圍窄。本發明中，與專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術不同，在夾盤向0方向傾斜的狀態下，即使通過移動平臺來朝向XY方向移動夾盤，從光學式位移計到第2反射裝置為止的距離也不會發生變動，因此可使用測定範圍窄但精度高的分光幹涉雷射位移計來作為光學式位移計，能夠進一步精度良好地檢測夾盤在e方向上的斜率。本發明的顯示用面板基板的製造方法使用上述任一種接近曝光裝置來進行基板的曝光，或者，使用上述任一種接近曝光裝置的基板定位方法來定位基板以進行基板的曝光。可精度良好地進行曝光時的基板在e方向上的定位，因此可精度良好地進行圖案的燒附，從而製造高品質的顯示用面板基板。根據本發明的接近曝光裝置以及接近曝光裝置的基板定位方法，在第2平臺上安裝第2反射裝置，通過第2雷射幹涉儀，對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據測定結果來檢測移動平臺在Y方向(或X方向)上的位置，並對安裝於第2平臺的第2反射裝置在0方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤上設置多個光學式位移計，通過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平臺的第2反射裝置為止的距離進行測定，基於第2反射裝置在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果來檢測夾盤在9方向上的斜率，由此，能夠以低價的結構來精度良好地檢測夾盤在0方向上的斜率，以精度良好地進行基板在0方向上的定位。進而，根據本發明的接近曝光裝置以及接近曝光裝置的基板定位方法，在安裝於第2平臺的第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取第2反射裝置的多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記的位置，來檢測第2反射裝置在9方向上的位置偏移，由此，通過各位置偏移檢測用標記的圖像處理，能夠精度良好地檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移。或者，根據本發明的接近曝光裝置以及接近曝光裝置的基板定位方法，通過多個第2雷射幹涉儀，在多處部位對來自光源的雷射光線與由第2反射裝置所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據多個第2雷射幹涉儀的測定結果，對安裝於第2平臺的第2反射裝置在9方向上的位置偏移進行檢測，由此，利用用於對移動平臺在Y方向(或X方向)上的位置進行檢測的第2雷射幹涉儀，能夠檢測第2反射裝置在0方向上的位置偏移。進而，根據本發明的接近曝光裝置以及接近曝光裝置的基板定位方法，通過使用分光幹涉雷射位移計來作為光學式位移計，能夠進一步精度良好地檢測夾盤在0方向上的斜率。根據本發明的顯示用面板基板的製造方法，能夠精度良好地進行曝光時的基板在6方向上的定位，因此能夠精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的顯示用面板基板。綜上所述，本發明是有關於一種接近曝光裝置、接近曝光裝置的基板定位方法及顯示用面板基板的製造方法。在搭載於第I平臺(14)且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平臺(16)上安裝第2反射裝置(35)，以對第2反射裝置(35)在0方向上的位置偏移進行檢測。在夾盤(IOaUOb)上設置多個光學式位移計(41)，通過多個光學式位移計(41)，在多處部位對直至安裝於第2平臺(16)的第2反射裝置(35)為止的距離進行測定。基於第2反射裝置在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計(41)的測定結果，來檢測夾盤(IOaUOb)在0方向上的斜率，且基於檢測結果，通過第3平臺(17)來使夾盤(IOaUOb)朝向0方向旋轉，以進行基板⑴在0方向上的定位。上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，並且為了讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，並配合附圖，詳細說明如下。


圖1是表示本發明的一實施方式的接近曝光裝置的概略結構的圖。圖2是表示夾盤IOa位於曝光位置且夾盤IOb位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。
圖3是表示夾盤IOa位於曝光位置且夾盤IOb位於裝載/卸載位置的狀態的局部首Ij面側視圖。圖4是表示夾盤IOb位於曝光位置且夾盤IOa位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。圖5是表示夾盤IOb位於曝光位置且夾盤IOa位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。圖6是位於主平臺底座上的移動平臺的俯視圖。圖7是位於主平臺底座上的移動平臺的X方向的局部剖面側視圖。圖8是位於主平臺底座上的移動平臺的Y方向的側視圖。圖9是說明雷射測長系統的動作的圖。圖10是說明雷射測長系統的動作的圖。圖1IA是分光幹涉雷射位移計的俯視圖，圖1IB是分光幹涉雷射位移計的側視圖。圖12是表示本發明的一實施方式的接近曝光裝置的基板定位方法的流程圖。圖13是表示使移動平臺向檢測條狀鏡的位置偏移的位置移動的狀態的俯視圖。圖14A是表示不進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖，圖14B是表示通過本發明來進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖。圖15是說明先前的雷射位移計的動作的圖。圖16是說明先前的雷射位移計的動作的圖。圖17A、圖17B是說明先前的雷射位移計的動作的圖。圖18是說明分光幹涉雷射位移計的動作的圖。圖19是說明分光幹涉雷射位移計的動作的圖。圖20是表示液晶顯示器裝置的TFT基板的製造工序的一例的流程圖。圖21是表示液晶顯示器裝置的彩色濾光器基板的製造工序的一例的流程圖。[符號的說明]1:基板la、lb、lc、Id、le、If :曝光區域2 :光罩10a、10b :夾盤11 :主平臺底座IlaUlb :副平臺底座12:臺13:X 導軌14:X 平臺15 :Y 導軌16 :Y 平臺17 0 平臺19 :夾盤支撐臺20 :光罩架
20a:開口30 :雷射測長系統控制裝置31 :雷射光源32a、32b、33 :雷射幹涉儀34a、34b、35、44 :條狀鏡36、46 :臂37 :位置偏移檢測用標記40 :雷射位移計控制裝置41 :分光幹涉雷射位移計42 :雷射位移計50 :安裝件60:圖像處理裝置61 :相機70 :主控制裝置71、72 :輸出入接口電路80a、80b :平臺驅動電路101 106、201 204、301 312 :步驟X、Y、9 :方向
具體實施例方式為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的接近曝光裝置、其基板定位方法及顯示用面板基板的製法其具體實施方式
、結構、方法、步驟、特徵及其功效，詳細說明如後。圖1是表示本發明的一實施方式的接近曝光裝置的概略結構的圖。本實施方式示出了具有多個夾盤的接近曝光裝置的例子。接近曝光裝置是包括多個夾盤10a、10b、主平臺底座(base) 11、多個副平臺底座lla、llb、臺12、X導軌13、多個移動平臺、光罩架20、雷射測長系統控制裝置30、雷射測長系統、雷射位移計控制裝置40、分光幹涉雷射位移計41、圖像處理裝置60、多個相機(camera) 61、主控制裝置70、輸出入接口(interface)電路71、72以及平臺驅動電路80a、80b而構成。除了這些構件以外，接近曝光裝置還包括將基板I搬入夾盤10且從夾盤10搬出基板I的基板搬送機器人(robot)、照射曝光用光的照射光學系統、進行裝置內的溫度管理的溫度控制單元等。另外，本實施方式中，各設有2個夾盤、副平臺底座、移動平臺以及平臺驅動電路，但這些構件也可各設置I個或3個以上。而且，以下說明的實施方式中的XY方向僅為例示，也可調換X方向與Y方向。在圖1中，在進行基板I的曝光的曝光位置的上空，設置著保持光罩2的光罩架20。在光罩架20上，設有曝光用光所通過的開口 20a，在開口 20a的下方，安裝著光罩2。在光罩架20下表面的開口 20a周圍設有吸附槽,光罩架20通過吸附槽來真空吸附並保持光罩2的周邊部。在由光罩架20所保持的光罩2的上空，配置著未圖示的照射光學系統。在基板I的表面，塗布有感光樹脂材料(光致抗蝕劑(photo resist)),在曝光時,來自照射光學系統的曝光用光透過光罩2而照射至基板1，由此，將光罩2的圖案轉印至基板I的表面，以在基板I上形成圖案。在光罩架20的下方，配置著主平臺底座11。在主平臺底座11的左右，鄰接於主平臺底座11的X方向而配置著副平臺底座lla、llb。在主平臺底座11的Y方向上安裝著臺12。夾盤IOa通過後述的移動平臺，在副平臺底座Ila上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。而且，夾盤IOb通過後述的移動平臺，在副平臺底座Ilb上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。基板I在副平臺底座IlaUlb上的裝載/卸載位置，由未圖示的基板搬送機器人搬入夾盤10a、10b，而且從夾盤10a、IOb搬出。基板I向夾盤10a、IOb上的裝載以及基板I從夾盤10a、10b上的卸載是使用夾盤10a、10b上所設的多個上頂銷(pin)來進行。上頂銷被收納於夾盤10a、10b的內部，當從夾盤10a、10b的內部上升而將基板I裝載於夾盤10a、IOb時，該上頂銷從基板搬送機器人接納基板1，當從夾盤10a、IOb卸載基板I時，該上頂銷將基板I交付給基板搬送機器人。夾盤10a、10b真空吸附並支撐基板I。圖2是表示夾盤IOa位於曝光位置且夾盤IOb位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。而且，圖3是表示夾盤IOa位於曝光位置且夾盤IOb位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。在圖2中，在主平臺底座11上以及副平臺底座IlaUlb上，設有從主平臺底座11上沿X方向延伸至副平臺底座IlaUlb上的X導軌13。在圖3中，夾盤10a、10b分別搭載於移動平臺。各移動平臺是包括X平臺14、Y導軌15、Y平臺16、0平臺17以及夾盤支撐臺19而構成。X平臺14被搭載於X導軌13上，且沿著X導軌13朝向X方向移動。Y平臺16被搭載於X平臺14上所設的Y導軌15上，且沿著Y導軌15朝向Y方向(圖3的圖面縱深方向)移動。0平臺17被搭載於Y平臺16上，且朝向0方向旋轉。夾盤支撐臺19被搭載於0平臺17上，且在多處部位支撐夾盤10a、IOb0通過各移動平臺的X平臺14朝向X方向的移動，夾盤IOa在副平臺底座Ila上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動，夾盤IOb在副平臺底座Ilb上的裝載/卸載位置與主平臺底座11上的曝光位置之間移動。圖4是表示夾盤IOb位於曝光位置且夾盤IOa位於裝載/卸載位置的狀態的俯視圖。而且，圖5是表示夾盤IOb位於曝光位置且夾盤IOa位於裝載/卸載位置的狀態的局部剖面側視圖。在副平臺底座IlaUlb上的裝載/卸載位置處，通過各移動平臺的X平臺14朝向X方向的移動、Y平臺16朝向Y方向的移動以及9平臺17朝向0方向的旋轉，來進行被搭載於夾盤10a、10b上的基板I的預對準(prealignment)。在主平臺底座11上的曝光位置處，通過各移動平臺的X平臺14朝向X方向的移動以及Y平臺16朝向Y方向的移動，進行由夾盤10a、10b所保持的基板I朝向XY方向的步進移動。而且，通過未圖示的Z-傾斜(tilt)機構來使光罩架20朝向Z方向(圖3以及圖5的圖面上下方向)移動及傾斜，從而進行光罩2與基板I的間隙合攏。並且，通過各移動平臺的X平臺14朝向X方向的移動、Y平臺16朝向Y方向的移動以及0平臺17朝向0方向的旋轉，進行曝光時的基板I的定位。在各移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及0平臺17上，設有滾珠螺杆以及馬達或線性馬達(linear motor)等的未圖示的驅動機構。在圖1中，平臺驅動電路80a通過主控制裝置70的控制來對搭載夾盤IOa的移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及0平臺17進行驅動。而且，平臺驅動電路80b通過主控制裝置70的控制來對搭載夾盤IOb的移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及0平臺17進行驅動。另外，本實施方式中，通過使光罩架20朝向Z方向移動及傾斜,進行光罩2與基板I的間隙合攏，但也可通過在各移動平臺上設置Z-傾斜機構而使夾盤10a、10b朝向Z方向移動及傾斜，從而進行光罩2與基板I的間隙合攏。以下，對本實施方式的接近曝光裝置的基板的定位動作進行說明。在圖1中，雷射測長系統是包括雷射光源31、雷射幹涉儀32a、32b、33、後述的條狀鏡34a、34b以及條狀鏡35而構成。本實施方式中，使用雷射幹涉儀32a來對搭載夾盤IOa的移動平臺在X方向上的位置進行檢測，並使用雷射幹涉儀32b來對搭載夾盤IOb的移動平臺在X方向上的位置進行檢測。而且，使用2個雷射幹涉儀33來對主平臺底座11上的各移動平臺在Y方向上的位置進行檢測。圖6是位於主平臺底座上的移動平臺的俯視圖。圖7是位於主平臺底座上的移動平臺的X方向的局部剖面側視圖。圖8是位於主平臺底座上的移動平臺的Y方向的側視圖。圖6 圖8表示搭載夾盤IOa的移動平臺，搭載夾盤IOb的移動平臺呈在X方向上與搭載夾盤IOa的移動平臺左右對稱的結構。另外，圖7中省略了 X導軌13，圖8中省略了雷射幹涉儀 32a、32b。在圖8中，移動平臺的X平臺14被搭載於X導軌13上，因此在主平臺底座11以及副平臺底座IlaUlb與X平臺14之間，產生與X導軌13的高度相應的空間。雷射測長系統的條狀鏡34a利用該空間而安裝於X平臺14之下。條狀鏡34b也同樣。雷射幹涉儀32a如圖1所示，設置在遠離主平臺底座11的X導軌13的位置上。雷射幹涉儀32b也同樣。在圖6 圖8中，條狀鏡35通過臂(arm) 36，以大致為夾盤IOa的高度而安裝於Y平臺16上。搭載夾盤IOb的移動平臺也同樣地，條狀鏡35以大致為夾盤IOb的高度而安裝於Y平臺16上。2個雷射幹涉儀33如圖6以及圖8所示，設置在安裝於主平臺底座11的Y方向上的臺12上。圖9以及圖10是說明雷射測長系統的動作的圖。另外，圖9表示夾盤IOa位於曝光位置且夾盤IOb位於裝載/卸載位置的狀態，圖10表示夾盤IOb位於曝光位置且夾盤IOa位於裝載/卸載位置的狀態。在圖9以及圖10中，雷射幹涉儀32a將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡34a，並接收由條狀鏡34a所反射的雷射光線，以對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡34a所反射的雷射光線的幹涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30通過主控制裝置70的控制，根據雷射幹涉儀32a的測定結果來對搭載夾盤IOa的移動平臺在X方向上的位置進行檢測。主控制裝置70經由輸出入接口電路71而輸入雷射測長系統控制裝置30的檢測結果。在圖9以及圖10中，雷射幹涉儀32b將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡34b，並接收由條狀鏡34b所反射的雷射光線，以對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡34b所反射的雷射光線的幹涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30通過主控制裝置70的控制，根據雷射幹涉儀32b的測定結果來對搭載夾盤IOb的移動平臺在X方向上的位置進行檢測。主控制裝置70經由輸出入接口電路71來輸入雷射測長系統控制裝置30的檢測結果。由於將雷射測長系統的條狀鏡34a、34b安裝於各移動平臺的X平臺14之下，並將雷射幹涉儀32a、32b設置於遠離主平臺底座11的X導軌13的位置上，因此各移動平臺在移動副平臺底座11a、Ilb與主平臺底座11時不會與雷射幹涉儀32a、32b發生碰撞。並且，由於將雷射幹涉儀32a、32b設置於主平臺底座11上，因此雷射幹涉儀32a、32b不會受到副平臺底座IlaUlb的振動的影響。而且，從雷射幹涉儀32a、32b到主平臺底座11上的各移動平臺為止的測定距離變短。因而，可精度良好地檢測各移動平臺在X方向上的位置。在圖9以及圖10中，2個雷射幹涉儀33將來自雷射光源31的雷射光線照射至條狀鏡35，並接收由條狀鏡35所反射的雷射光線，以在兩處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的幹涉進行測定。在圖1中，雷射測長系統控制裝置30通過主控制裝置70的控制，根據2個雷射幹涉儀33的測定結果，對主平臺底座11上的各移動平臺在Y方向上的位置進行檢測，而且，對在主平臺底座11上各移動平臺的X平臺14以及Y平臺16朝向XY方向移動時的偏擺(yawing)進行檢測。由於將各雷射幹涉儀33設置在安裝於主平臺底座11的Y方向上的臺12上，因此各雷射幹涉儀33不會受到副平臺底座IlaUlb的振動的影響。而且，從各雷射幹涉儀33到主平臺底座11上的各移動平臺為止的測定距離變短。因而，可使用各雷射幹涉儀33來精度良好地檢測主平臺底座11上的各移動平臺在Y方向上的位置。而且，由於將雷射測長系統的各條狀鏡35安裝至大致為各移動平臺所搭載的夾盤10a、10b的高度，因此可在基板I的附近檢測各移動平臺在Y方向上的位置。並且，利用安裝於Y平臺16的條狀鏡35，能夠對移動平臺移動時的偏擺進行檢測。在圖1中，在夾盤10a、10b上分別設有2個分光幹涉雷射位移計41。圖1lA是分光幹涉雷射位移計的俯視圖，圖1lB是分光幹涉雷射位移計的側視圖。如圖11A、圖1lB所示，各分光幹涉雷射位移計41通過安裝件50，面對條狀鏡35的背面而安裝於夾盤10a、IOb的下表面。本實施方式中所用的分光幹涉雷射位移計41是利用幹涉光的光學式位移計，在前端的頭(head)部具有參照反射面，將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自參照反射面的反射光與來自被測定物的反射光的幹涉光的波長以及強度，來測定直至被測定物為止的距離。在圖11A、圖1lB中，2個分光幹涉雷射位移計41在兩處部位對直至條狀鏡35的背面為止的距離進行測定。在圖1中，雷射位移計控制裝置40通過主控制裝置70的控制，基於後述的條狀鏡35在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據2個分光幹涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率。主控制裝置70經由輸出入接口電路72來輸入雷射位移計控制裝置40的檢測結果。在圖6中，在搭載夾盤IOa的移動平臺的Y平臺16上所安裝的條狀鏡35的上表面，設有多個位置偏移檢測用標記37。搭載夾盤IOb的移動平臺的Y平臺16上所安裝的條狀鏡35也同樣。本實施方式中，在沿X方向延伸的條狀鏡35的兩邊附近，分別設有位置偏移檢測用標記37。位置偏移檢測用標記37隻要是適合於後述的圖像處理裝置60的圖像處理的形狀即可。在圖7以及圖8中，在主平臺底座11的上空，對應於條狀鏡35上表面的各位置偏移檢測用標記37而設置著多個相機61。本實施方式中，對應於沿X方向延伸的條狀鏡35的兩邊附近所設的各位置偏移檢測用標記37而設有2個相機61。但是，位置偏移檢測用標記37以及相機61的數量以及位置並不限於圖6 圖8所示的例子。各相機61例如包含電荷稱合器件(Charge Coupled Device,CCD)相機,用於獲取條狀鏡35的上表面的位置偏移檢測用標記37的圖像。各相機61被固定於光罩架20的上方所設的未圖示的框架(frame)，且以與條狀鏡35的位置偏移檢測用標記37的間隔相同的間隔而設置。圖12是表示本發明的一實施方式的接近曝光裝置的基板定位方法的流程圖。另夕卜，對搭載於夾盤IOa的基板I與搭載於夾盤IOb的基板1，交替地進行曝光位置處的處理，在一者在曝光位置處的處理的期間，進行另一者在裝載/卸載位置處的處理。首先，在裝載/卸載位置處，進行基板I向夾盤10a、10b的裝載(步驟301)。主控制裝置70通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及0平臺17，從而在各裝載/卸載位置處使夾盤10a、IOb朝向XY方向移動及朝向0方向旋轉，以進行基板I的預對準(步驟302)。接下來，主控制裝置70通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14，以使夾盤10a、10b朝向曝光位置移動，使各移動平臺朝向對條狀鏡35的位置偏移進行檢測的位置移動(步驟303)。圖13是表示使移動平臺朝向對條狀鏡的位置偏移進行檢測的位置移動的狀態的俯視圖。當使各移動平臺朝向對條狀鏡35的位置偏移進行檢測的位置移動時，條狀鏡35的上表面的各位置偏移檢測用標記37位於各相機61的視野內。當使各移動平臺的Y平臺16朝向Y方向移動時，搭載有Y平臺16的Y導軌15會因滑動阻力產生大量的熱。當該熱傳遞至Y平臺16而使Y平臺16產生因熱變形造成的形變時，安裝於Y平臺16的條狀鏡35的設置狀態會發生變化，條狀鏡35將從X方向開始稍許旋轉，從而導致條狀鏡35產生0方向的位置偏移。各相機61獲取條狀鏡35上表面的各位置偏移檢測用標記37的圖像，並將圖像信號輸出至圖1的圖像處理裝置60。在圖1中，圖像處理裝置60對從各相機61輸出的各位置偏移檢測用標記37的圖像信號進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置。該各位置偏移檢測用標記37的位置檢測例如是對各相機61所獲取的各位置偏移檢測用標記37的圖像、與預先準備的條狀鏡35無0方向的位置偏移時的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行比較而進行。雷射位移計控制裝置40根據圖像處理裝置60所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置，檢測出條狀鏡35在0方向上的位置偏移(圖12的步驟304)。本實施方式中，在安裝於Y平臺16的條狀鏡35的表面，設置多個位置偏移檢測用標記37，通過多個相機61來獲取條狀鏡35的各位置偏移檢測用標記37的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置來檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移，因此通過各位置偏移檢測用標記37的圖像處理，可精度良好地檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移。但是，本發明並不限於此，也可通過多個雷射幹涉儀33而在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的幹涉進行測定，並根據多個雷射幹涉儀33的測定結果來檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移。利用用於對各移動平臺在Y方向上的位置進行檢測的雷射幹涉儀33，能夠檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移。或者，也可將用於對條狀鏡35在0方向上的位置偏移進行檢測的雷射幹涉儀獨立於用於對各移動平臺在Y方向上的位置進行檢測的雷射幹涉儀33而設。在圖12中，接下來，主控制裝置70通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14以及Y平臺16，以使基板I朝向曝光位置的進行第I次照射的位置移動(步驟305)。繼而，主控制裝置70基於未圖示的間隙傳感器(sensor)的測定結果，驅動Z-傾斜機構來進行光罩2與基板I的間隙合攏(步驟306)。接下來，主控制裝置70通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14、Y平臺16以及0平臺17，以在曝光位置使夾盤10a、IOb朝向XY方向移動及朝向0方向旋轉，從而進行基板I的對準(步驟307)。進行基板I的對準(步驟307)時，雷射位移計控制裝置40通過主控制裝置70的控制，基於步驟304中檢測出的條狀鏡35在0方向上的位置偏移，並根據2個分光幹涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率。主控制裝置70基於雷射位移計控制裝置40對夾盤10a、IOb在0方向上的斜率的檢測結果，控制平臺驅動電路80a、80b，通過各移動平臺的0平臺17來使夾盤10a、IOb朝向0方向旋轉，以進行基板I在9方向上的定位。而且，主控制裝置70基於雷射測長系統控制裝置30對各移動平臺在XY方向上的位置的檢測結果，控制平臺驅動電路80a、80b，通過各移動平臺的X平臺14以及Y平臺16來使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，以進行基板I在XY方向上的定位。圖14A是表示未進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖，圖14B是表示通過本發明來進行條狀鏡的位置偏移管理時的各次照射的曝光區域的一例的圖。圖14A、圖14B示出了對於基板I的6個曝光區域la、lb、lc、ld、le、lf，將每個曝光區域分成6次照射來進行曝光的例子。當條狀鏡35產生了 0方向的位置偏移時，如果不進行條狀鏡35的位置偏移管理，而根據2個分光幹涉雷射位移計41的測定結果，以夾盤10a、10b與條狀鏡35成平行的方式來進行基板I在Q方向上的定位，則搭載於夾盤10a、10b的基板I以向0方向傾斜條狀鏡35在0方向上的位置偏移量的狀態而定位。因此，如圖14A所示，各次照射的曝光區域la、lb、lc、Id、le、lf在基板I上分別向0方向傾斜。例如，在液晶顯示器裝置的製造中，貼合TFT基板與彩色濾光器基板而構成液晶面板的作業通常是已在基板I上對多個曝光區域進行了曝光的狀態下進行。因此，如圖14A所示，若各次照射的曝光區域la、lb、lc、ld、le、lf在基板I上分別向0方向傾斜，則會產生下述問題，即，各曝光區域中形成的圖案的位置將偏離欲貼合的TFT基板上或彩色濾光器基板上的各曝光區域中形成的圖案的位置。本實施方式中，對安裝於Y平臺16的條狀鏡35在0方向上的位置偏移進行檢測，基於條狀鏡35在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個分光幹涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率，因此當各移動平臺的Y平臺16產生因熱變形造成的形變時，即使條狀鏡35的設置狀態發生變化而條狀鏡35產生0方向的位置偏移，但仍可準確地檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率。因而，如圖14B所示，各次照射的曝光區域la、lb、lc、Id、le、If不會在基板I上分別向0方向傾斜,從而不會產生下述問題，即，各曝光區域中形成的圖案的位置偏離欲貼合的TFT基板上或彩色濾光器基板上的各曝光區域中形成的圖案的位置。
另外，在圖12中，基板I的對準(步驟307)也可在光罩2與基板I的間隙合攏(步驟306)過程中，從光罩2與基板I接近至對準用的傳感器能夠對基板I以及光罩2上所設的對準用標記進行檢測的距離的時刻開始。此時，能夠部分並列地進行光罩2與基板I的間隙合攏(步驟306)和基板I的對準(步驟307)，因此節拍時間(tact time)縮短。當光罩2與基板I的間隙合攏結束並進行照射(步驟308)後，主控制裝置70判斷所有照射是否已結束(步驟309)。當所有照射尚未結束時，主控制裝置70使Z-傾斜機構移動到預先決定的光罩2與基板I無接觸可能的退避位置後，通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14以及Y平臺16，以進行基板I朝向XY方向的步進移動(步驟310)，使基板I朝向進行下次照射的位置移動。然後，回到步驟306，反覆進行步驟306 步驟310，直至所有照射結束照射為止。當所有照射結束時，主控制裝置70驅動Z-傾斜機構來使光罩2與基板I的間隙擴大後，通過平臺驅動電路80a、80b來驅動各移動平臺的X平臺14以及Y平臺16以使夾盤10a、IOb朝向裝載/卸載位置移動(步驟311)。然後，在裝載/卸載位置處，進行基板I從夾盤IOaUOb的卸載(步驟312)。圖15 圖17A、圖17B是說明先前的雷射位移計的動作的圖。圖15表示在專利文獻I以及專利文獻2中，安裝在搭載夾盤IOa的移動平臺上的雷射位移計42。用於對夾盤IOa在0方向上的斜率進行檢測的專用的條狀鏡44被安裝在夾盤IOa的朝向Y方向延伸的一側面。2個雷射位移計42分別通過臂46，以條狀鏡44的高度而安裝於X平臺14。安裝在搭載夾盤IOb的移動平臺上的條狀鏡44以及雷射位移計42呈在X方向上與圖15左右對稱的結構。專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計42是應用了三角測量的光學式位移計，將來自雷射光源的雷射光線照射至被測定物，並利用CCD傳感器等的受光元件來接收來自被測定物的反射光，以測定被測定物的位移。專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤10a、IOb上安裝條狀鏡44，通過設在X平臺14上的多個雷射位移計42，在多處部位測定條狀鏡44的位移，以檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率。因此，需要專用的條狀鏡44，但該條狀鏡44需要以高精度將表面加工成平坦，因此非常昂貴，要耗費巨大的費用。本實施方式中，在夾盤10a、10b上設置多個分光幹涉雷射位移計41，通過多個分光幹涉雷射位移計41，在多處部位對直至安裝於Y平臺16的條狀鏡35為止的距離進行測定，並根據多個分光幹涉雷射位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率，因此安裝於Y平臺16的條狀鏡35被兼用於使用雷射幹涉儀33的移動平臺的位置檢測與使用多個分光幹涉雷射位移計41的夾盤10a、IOb在0方向上的斜率檢測，不再需要用於檢測夾盤10a、10b在0方向上的斜率的專用條狀鏡。圖16表示從圖15所示的狀態，通過Y平臺16使夾盤IOa朝向Y方向移動的狀態。專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在X平臺14上設有雷射位移計42，因此在曝光位置處的基板的步進移動時，當通過Y平臺16使夾盤10a、10b朝向Y方向移動時，如圖15以及圖16所示，條狀鏡44的位置相對於雷射位移計42而發生變化。因此，測定結果中有可能包含因條狀鏡44的平坦度造成的誤差。圖17A表示在圖15所示的狀態下，夾盤IOa向0方向傾斜時的雷射位移計42與條狀鏡44的位置關係，圖17B表示在圖16所示的狀態下，夾盤IOa向0方向傾斜時的雷射位移計42與條狀鏡44的位置關係。如專利文獻I以及專利文獻2所記載的，當使用多個雷射位移計42來檢測夾盤IOaUOb在0方向上的斜率時，多個雷射位移計42設定得越遠，越能夠精度良好地檢測夾盤10a、10b在0方向上的斜率。但是，雷射位移計42的輸出特性缺乏直線性，如果加寬測定範圍，則測定誤差將變大。專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中，在夾盤10a、10b向e方向傾斜的狀態下，若通過Y平臺16使夾盤10a、IOb朝向Y方向移動，則如圖17A、圖17B所示，從各雷射位移計42到條狀鏡44為止的距離會發生變動，因此若使多個雷射位移計42設置得更遠，則雷射位移計42的測定範圍將變廣，從而測定誤差有可能變大。圖18以及圖19是說明分光幹涉雷射位移計的動作的圖。圖18以及圖19表示使基板I朝向進行各次照射的位置移動的狀態，圖19中，夾盤10a、IOb通過各移動平臺的Y平臺16而從圖18所示的狀態朝向Y方向移動。本實施方式中，在曝光位置處的基板I的步進移動時，即使通過移動平臺使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，但如圖18以及圖19所示，分光幹涉雷射位移計41始終對條狀鏡35的相同部位進行測定，因此因條狀鏡35的平坦度造成的測定誤差消失。而且，在夾盤10a、10b向0方向傾斜的狀態下，即使通過移動平臺使夾盤10a、10b朝向XY方向移動，但從分光幹涉雷射位移計41到條狀鏡35為止的距離仍不會發生變動，測定範圍不會變廣，因此能夠將多個分光幹涉雷射位移計41設置得更遠。進而，雷射位移計42的輸出特性會視設置狀態而發生變動，相對於被測定物的微小的角度變化，線性有所不同。因此，如專利文獻I以及專利文獻2所記載的，當使用多個雷射位移計42來檢測夾盤在0方向上的斜率時，各雷射位移計的測定值中包含取決於夾盤10a、10b的角度的變動值，有可能無法高精度地檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率。本實施方式中使用的分光幹涉雷射位移計41與專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術中使用的雷射位移計42相比，因被測定物的微小的角度變化造成的輸出特性的變化小而精度高，但測定範圍窄。本發明中，與專利文獻I以及專利文獻2所記載的技術不同，在夾盤10a、10b向0方向傾斜的狀態下，即使通過移動平臺來朝向XY方向移動夾盤10a、10b，從分光幹涉雷射位移計41到條狀鏡35為止的距離也不會發生變動，因此可使用測定範圍窄但精度高的分光幹涉雷射位移計41，能夠進一步精度良好地檢測夾盤10a、10b在9方向上的斜率。根據以上所說明的本實施方式，在各移動平臺的Y平臺16上安裝條狀鏡35，通過雷射幹涉儀33，對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據測定結果來檢測各移動平臺在Y方向上的位置，並對安裝於各移動平臺的Y平臺16的條狀鏡35在0方向上的位置偏移進行檢測，在夾盤10a、10b上設置多個光學式位移計41，通過多個光學式位移計41，在多處部位對直至安裝於各移動平臺的Y平臺16的條狀鏡35為止的距離進行測定，基於條狀鏡35在0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計41的測定結果來檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率，由此，能夠以低價的結構來精度良好地檢測夾盤10a、IOb在0方向上的斜率，以精度良好地進行基板I在0方向上的定位。進而，在安裝於Y平臺16的條狀鏡35的表面，設置多個位置偏移檢測用標記37，獲取條狀鏡35的多個位置偏移檢測用標記37的圖像，對所獲取的各位置偏移檢測用標記37的圖像進行處理，以檢測各位置偏移檢測用標記37的位置，並根據所檢測的各位置偏移檢測用標記37的位置，來檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移，由此，通過各位置偏移檢測用標記37的圖像處理，能夠精度良好地檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移。或者，通過多個雷射幹涉儀33，在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據多個雷射幹涉儀33的測定結果來檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移，由此，利用用於對各移動平臺在Y方向上的位置進行檢測的雷射幹涉儀33，能夠檢測條狀鏡35在0方向上的位置偏移。進而，使用分光幹涉雷射位移計41作為光學式位移計，由此，能夠進一步精度良好地檢測夾盤10a、10b在0方向上的斜率。進而，通過多個雷射幹涉儀33，在多處部位對來自雷射光源31的雷射光線與由條狀鏡35所反射的雷射光線的幹涉進行測定，根據多個雷射幹涉儀33的測定結果來檢測X平臺14以及Y平臺16移動時的偏擺，由此，利用安裝於Y平臺16的條狀鏡35，能夠檢測移動平臺移動時的偏擺。使用本發明的接近曝光裝置來進行基板的曝光，或者，使用本發明的接近曝光裝置的基板定位方法來定位基板以進行基板的曝光，由此，能夠精度良好地進行曝光時的基板在0方向上的定位，因此能夠精度良好地進行圖案的燒附，以製造高品質的基板。例如，圖20是表示液晶顯示器裝置的TFT基板的製造工序的一例的流程圖。在薄膜形成工序(步驟101)中，通過派鍍法或等離子體化學氣相沉積(Chemical VaporDeposition, CVD)法等,在基板上形成作為液晶驅動用透明電極的導電體膜或絕緣體膜等的薄膜。在抗蝕劑塗布工序(步驟102)中，通過輥(roll)式塗布法等來塗布感光樹脂材料(光致抗蝕劑)，以在薄膜形成工序(步驟101)中所形成的薄膜上形成光致抗蝕劑膜。在曝光工序(步驟103)中，使用接近曝光裝置或投影曝光裝置等，來將光罩的圖案轉印到光致抗蝕劑膜上。在顯影工序(步驟104)中，通過淋浴式(shower)顯影法等，將顯影液供給至光致抗蝕劑膜上，以去除光致抗蝕劑膜的多餘部分。在蝕刻工序(步驟105)中，通過溼式(wet)蝕刻，將薄膜形成工序(步驟101)中形成的薄膜內的未被光致抗蝕劑膜所遮蓋的部分予以去除。在剝離工序(步驟106)中，將在蝕刻工序(步驟105)中完成了光罩作用的光致抗蝕劑膜通過剝離液而剝離。在所述各工序之前或之後，視需要而實施基板的清洗/乾燥工序。反覆進行數次這些工序，從而在基板上形成TFT陣列(array)。而且，圖21是表示液晶顯示器裝置的彩色濾光器基板的製造工序的一例的流程圖。在黑矩陣(black matrix)形成工序(步驟201)中，通過抗蝕劑塗布、曝光、顯影、蝕刻、剝離等的處理，在基板上形成黑矩陣。在著色圖案形成工序(步驟202)中，通過染色法、顏料分散法、印刷法、電鍍法等，在基板上形成著色圖案。針對R、G、B的著色圖案，反覆進行該工序。在保護膜形成工序(步驟203)中，在著色圖案之上形成保護膜，在透明電極膜形成工序(步驟204)中，在保護膜上形成透明電極膜。在所述各工序之前、中途或之後，視需要而實施基板的清洗/乾燥工序。在圖20所示的TFT基板的製造工序中，在曝光工序(步驟103)中，在圖21所示的彩色濾光器基板的製造工序中，在黑矩陣形成工序(步驟201)的曝光處理中，能夠適用本發明的接近曝光裝置以及接近曝光裝置的基板定位方法。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
權利要求
1.一種接近曝光裝置，包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在所述光罩與所述基板之間設置微小的間隙而將所述光罩的圖案轉印至所述基板上，所述接近曝光裝置的特徵在於包括 移動平臺，具有朝向X方向或Y方向移動的第I平臺、搭載於所述第I平臺上且朝向所述Y方向或所述X方向移動的第2平臺、以及搭載於所述第2平臺上且朝向0方向旋轉的第3平臺，搭載所述夾盤以進行由所述夾盤所支撐的所述基板的定位； 雷射測長系統，具有產生雷射光線的光源、安裝於所述第I平臺的第I反射裝置、安裝於所述第2平臺的第2反射裝置、對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第I反射裝置所反射的所述雷射光線的幹涉進行測定的第I雷射幹涉儀、以及對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的幹涉進行測定的第2雷射幹涉儀；第I檢測裝置，根據所述第I雷射幹涉儀以及所述第2雷射幹涉儀的測定結果，來檢測所述移動平臺在XY方向上的位置； 位置偏移檢測裝置，對安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移進行檢測； 多個光學式位移計，設於所述夾盤上，在多處部位對直至安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置為止的距離進行測定； 第2檢測裝置，基於由所述位置偏移檢測裝置所檢測的所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移，並根據所述多個光學式位移計的測定結果來檢測所述夾盤在所述0方向上的斜率； 平臺驅動電路，驅動所述移動平臺；以及 控制裝置，基於所述第2檢測裝置的檢測結果來控制所述平臺驅動電路，通過所述第3平臺使所述夾盤朝向所述e方向旋轉，以進行所述基板在所述e方向上的定位，並基於所述第I檢測裝置的檢測結果來控制所述平臺驅動電路，通過所述第I平臺以及所述第2平臺來使所述夾盤朝向所述XY方向移動，以進行所述基板在所述XY方向上的定位。
2.根據權利要求1所述的接近曝光裝置，其特徵在於， 安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置在表面具有多個位置偏移檢測用標記，所述位置偏移檢測裝置具有多個圖像獲取裝置及圖像處理裝置，根據由所述圖像處理裝置所檢測的各所述位置偏移檢測用標記的位置來檢測所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移，所述多個圖像獲取裝置獲取所述第2反射裝置的所述多個位置偏移檢測用標記的圖像，所述圖像處理裝置對由各所述圖像獲取裝置所獲取的各所述位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各所述位置偏移檢測用標記的位置。
3.根據權利要求1所述的接近曝光裝置，其特徵在於， 所述雷射測長系統具有多個所述第2雷射幹涉儀， 所述位置偏移檢測裝置根據所述多個第2雷射幹涉儀的測定結果，來檢測安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移。
4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的接近曝光裝置，其特徵在於， 所述多個光學式位移計是分光幹涉雷射位移計，所述分光幹涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自所述參照反射面的反射光與來自所述被測定物的反射光的幹涉光的波長以及強度，來測定直至所述被測定物為止的距離。
5.一種接近曝光裝置的基板定位方法，所述接近曝光裝置包括支撐基板的夾盤以及保持光罩的光罩架，在所述光罩與所述基板之間設置微小的間隙而將所述光罩的圖案轉印至所述基板上，所述接近曝光裝置的基板定位方法的特徵在於， 將所述夾盤搭載於移動平臺上，所述移動平臺具有朝向X方向或Y方向移動的第I平臺、搭載於所述第I平臺且朝向所述Y方向或所述X方向移動的第2平臺、以及搭載於所述第2平臺且朝向0方向旋轉的第3平臺， 在所述第I平臺上安裝第I反射裝置，通過第I雷射幹涉儀，對來自光源的雷射光線與由所述第I反射裝置所反射的所述雷射光線的幹涉進行測定， 在所述第2平臺上安裝第2反射裝置，通過第2雷射幹涉儀，對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的幹涉進行測定， 對安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置在0方向上的位置偏移進行檢測， 在所述夾盤上設置多個光學式位移計，通過所述多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置為止的距離進行測定， 基於所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移的檢測結果，並根據所述多個光學式位移計的測定結果來檢測所述夾盤在所述9方向上的斜率，且基於檢測結果，通過第3平臺來使所述夾盤朝向所述9方向旋轉，以進行所述基板在所述0方向上的定位， 根據所述第I雷射幹涉儀以及所述第2雷射幹涉儀的測定結果，檢測所述移動平臺在XY方向上的位置，並基於檢測結果，通過所述第I平臺以及所述第2平臺來使所述夾盤朝向所述XY方向移動，以進行所述基板在所述XY方向上的定位。
6.根據權利要求5所述的接近曝光裝置的基板定位方法，其特徵在於，在安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置的表面，設置多個位置偏移檢測用標記，獲取所述第2反射裝置的所述多個位置偏移檢測用標記的圖像，對所獲取的各所述位置偏移檢測用標記的圖像進行處理，以檢測各所述位置偏移檢測用標記的位置，並根據所檢測的各所述位置偏移檢測用標記的位置，來檢測所述第2反射裝置在所述0方向上的位置偏移。
7.根據權利要求5所述的接近曝光裝置的基板定位方法，其特徵在於， 通過多個所述第2雷射幹涉儀，在多處部位對來自所述光源的所述雷射光線與由所述第2反射裝置所反射的所述雷射光線的幹涉進行測定， 根據所述多個第2雷射幹涉儀的測定結果，對安裝於所述第2平臺的所述第2反射裝置在所述9方向上的位置偏移進行檢測。
8.根據權利要求5至7中任一權利要求所述的接近曝光裝置的基板定位方法，其特徵在於， 使用分光幹涉雷射位移計作為所述光學式位移計，所述分光幹涉雷射位移計將寬波長帶寬的光照射至參照反射面以及被測定物，根據來自所述參照反射面的反射光與來自所述被測定物的反射光的幹涉光的波長以及強度，來測定直至所述被測定物為止的距離。
9.一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於， 使用根據權利要求1至4中任一權利要求所述的接近曝光裝置來進行基板的曝光。
10.一種顯示用面板基板的製造方法，其特徵在於， 使用根據權利要求5至8中任一權利要求所述的接近曝光裝置的基板定位方法來定位基板， 以進行基板的曝光。
全文摘要
一種接近曝光裝置、接近曝光裝置的基板定位方法及顯示用面板基板的製造方法。在搭載於第1平臺且朝向Y方向(或X方向)移動的第2平臺上安裝第2反射裝置，以對第2反射裝置在θ方向上的位置偏移進行檢測。在夾盤上設置多個光學式位移計，通過多個光學式位移計，在多處部位對直至安裝於第2平臺的第2反射裝置為止的距離進行測定。基於第2反射裝置在θ方向上的位置偏移的檢測結果，並根據多個光學式位移計的測定結果，來檢測夾盤在θ方向上的斜率，且基於檢測結果，通過第3平臺來使夾盤朝向θ方向旋轉，以進行基板在θ方向上的定位。
文檔編號H01L21/68GK103064255SQ20121030625
公開日2013年4月24日 申請日期2012年8月17日 優先權日2011年9月19日
發明者佐藤隆悟, 樋川博志, 高橋聰 申請人:株式會社日立高科技