微晶-非晶混合金合金及鍍膜、鍍覆液及鍍膜形成方法
2023-06-03 13:31:41 2
專利名稱：微晶-非晶混合金合金及鍍膜、鍍覆液及鍍膜形成方法
技術領域：
本發明涉及可有效用作電子機器部件的端子的鍍膜、電學特性及機械特性優異的微晶-非晶混合金合金鍍膜，可以形成該微晶-非晶混合金合金鍍膜的電鍍液，以及使用了該電鍍液的電鍍方法。
背景技術：
對於電氣或電子部件的連接器、電機械式小型繼電器、印刷電路板等，特別是作為要求高可靠性的部位的電觸點材料，現在廣泛使用被稱為硬質金鍍膜的金鍍膜。硬質金鍍膜由於向金中添加了鈷、鎳等，從而不會降低金本身的良好導電性和化學穩定性而提高鍍膜的硬度。該硬質金鍍膜被認為具有金的微晶(20 30nm)聚集的微細結構，通過該微細結構獲得了為得到觸點材料所要求的耐磨耗性所必需的最低限硬度(努普硬度約Hkl70)。另一方面，伴隨著近年來的電子部件的小型化，電觸點的尺寸也變得微小，在這樣的微小觸點形成的鍍膜也變得小尺寸化、薄膜化，為了得到高的磨耗性要求進一步提高硬度。並且，在不久的將來觸點的尺寸會接近上述的硬質金鍍膜的微晶的尺寸，在這樣的微細觸點上形成如上所述的硬質金鍍膜時，由於構成鍍膜的微晶的絕對數變少，可以預想得不到與在現在適用大小的觸點上形成硬質金鍍膜的情況同等的耐久性。因此，本發明人發明了由不具有微晶結構的均質非晶相形成的非晶金合金鍍膜(例如專利文獻6 8)。 然而，為了將金本身的良好電阻率和化學穩定性維持在可實用的程度的同時能夠提高硬度這樣的目的，還存在改善的餘地。現有技術文獻專利文獻與本發明相關的現有技術文獻信息如下專利文獻1 特開昭60-33382號公報專利文獻2 特開昭62-290893號公報專利文獻3 特許第3452724號公報專利文獻4 特許第3983207號公報專利文獻5 特開2004-300483號公報專利文獻6 特開2006-241594號公報專利文獻7 特開2007-92157號公報專利文獻8 特開2007-169706號公報非專利文獻非專利文獻1 川合慧，《金-二 , 』 >合金 > ,今 析出構造O研究》，金屬表面技術，1968 年，Vol. 19，No. 12，p. 487-491非專利文獻2 清水保雄，其他1人，《電析Au-Ni合金」微細構造i相(二関t易電子顕微鏡的研究》，金屬表面技術，1976年，Vol. 27，No. 1，p. 20-24
3
非專利文獻3 渡辺徹著，《7 7 4 > :/ k —歹4 >夕『的^ t膜Θ構造制御技術i 乃解析法》，技術情報協會，2002年2月，ρ 256-262非專利文獻4 小見崇，其他2人，《Ni-W合金力^ t皮膜O高W含有率化i皮膜特性》，金屬表面技術，1988 年，Vol. 39，No. 12，p. 809-812非專利文獻5 渡辺徹，《力仲法d石非晶質合金O形成機構》，表面技術，1989 年，Vol. 40，No. 3，ρ· 21-2
發明內容
本發明鑑於上述情況而進行，目的在於提供具有良好的導電性和化學穩定性的同時硬度提高的耐磨耗性優異的微晶-非晶混合金合金鍍膜，可以形成該微晶-非晶混合金合金鍍膜的電鍍液，以及使用了該電鍍液的電鍍方法。本發明人為了實現上述目的反覆進行研究的過程中設想了對於微小觸點不會降低硬度的鍍膜的微細結構儘管非晶相結構比結晶性的結構可以將金本身的良好電阻率和化學穩定性維持在可實用的程度的同時提高硬度和耐磨耗性，但是電子的平均自由行程比結晶膜短，因此導電性低，並且鍍膜由於內部應力容易發生開裂。在此基礎上進行了研究， 發現通過使用含有規定濃度的氰化金鹽、鎳鹽和/或鈷鹽，優選進一步含有有機酸、無機酸或其鹽等絡合劑以及氨或銨離子的液體穩定性良好的電鍍液進行電鍍，非常驚奇地得到微晶相和非晶相混合存在而形成的微晶-非晶混合金合金鍍膜，並且該鍍膜將金本身的良好電阻率值和化學穩定性保持在可實用的程度，同時硬度也提高了。進而，進行研究的結果完成了本發明。S卩，本發明提供(1)微晶-非晶混合金合金鍍膜，其特徵在於，微晶相和非晶相混合存在而形成；(2)液體穩定性良好的電鍍液，其特徵在於，以金為基準含有0. 0001 0. 4mol/dm3濃度的氰化金鹽，以鎳為基準含有0. 001 0. 5mol/dm3濃度的鎳鹽，和/或以鈷為基準含有0. 001 0. 5mol/dm3濃度的鈷鹽；優選進一步含有0. 001 2. Omol/dm3濃度的有機酸、無機酸或其鹽等絡合劑，0.001 5. Omol/dm3濃度的氨或銨離子；以及(3)電鍍方法，其特徵在於，使用該電鍍液在被鍍覆物上形成微晶-非晶混合金合金鍍膜。對於本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜，微晶相和非晶相混合存在而形成，其結果是金本身的良好電阻率值和化學穩定性保持在可實用的程度，同時硬度提高，從而可有效用作繼電器等電氣或電子部件的觸點材料。已知通常由微晶構成的結晶膜的情況，構成的晶粒的大小變小時硬度會增大到某一極限(例如鎳的情況4nm位)，但晶粒進一步變小時硬度會下降。金是否可以適用通常理論沒有實測的例子，通過金初次實現微晶-非晶混合結晶膜的本發明，微晶-非晶混合金合金鍍膜完全解決了這樣的問題並且導電性高，難以發生開裂，從而首次確認了完全可以適用作連接器和繼電器等電氣或電子部件的微小觸點材料。
圖1為表示實施例1、2、3、4、5中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜及比較例1、2 中得到的金合金鍍膜的XRD圖案的圖。圖2為表示實施例1中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(10萬倍)的圖。圖3為表示實施例1中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(100萬倍) 的圖。圖4為表示實施例1中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的THEED圖案的圖。圖5為表示實施例2中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(50萬倍) 的圖。圖6為表示實施例2中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(100萬倍) 的圖。圖7為表示實施例2中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的THEED圖案的圖。圖8為表示實施例3中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(30萬倍) 的圖。圖9為表示實施例3中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(100萬倍) 的圖。圖10為表示實施例3中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的THEED圖案的圖。圖11為表示實施例4中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像QO萬倍) 的圖。圖12為表示實施例4中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(70萬倍) 的圖。圖13為表示實施例4中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的THEED圖案的圖。圖14為表示實施例5中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像00萬倍) 的圖。圖15為表示實施例5中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的TEM圖像(100萬倍)的圖。圖16為表示實施例5中得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的THEED圖案的圖。圖17為表示比較例1中得到的非晶金合金鍍膜的TEM圖像(100萬倍)的圖。圖18為表示比較例1中得到的非晶金合金鍍膜的THEED圖案的圖。
具體實施例方式下面更詳細地說明本發明。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜由微晶相和非晶相混合存在而形成。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜在金中包含鎳和/或鈷，同時其微細結構為微晶相和非晶相混合存在的結構，通過這些特徵，與純非晶結構的非晶金合金鍍膜相比可實現良好的電阻率值和化學穩定性，以及高的硬度。這樣的微晶相和非晶相混合存在的結構可以通過X射線衍射(XRD)圖案、透射型電子顯微鏡(TEM)圖像及透射型高能電子射線衍射(THEED)圖像來確認。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜從維持高硬度的角度考慮優選微晶的平均粒徑為30nm以下，特別為20nm以下，進一步為15nm以下。另外，本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜從維持金本身的特性(良好的電阻率值和化學穩定性)或者現有金或金合金鍍膜所沒有的高硬度的角度考慮優選微晶的體積百分比為10 90%，特別為15 60%。根據本發明可以得到具有下述優異的硬度和電阻率的微晶-非晶混合金合金鍍膜努普硬度Hkl80以上、特別是Hk220以上、進一步Hk300以上、尤其是Hk350以上，並且電阻率200μ Ω · cm以下、特別是150μ Ω · cm以下、尤其是100 μ Ω · cm以下。另外，本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜利用300°C以下的退火處理(保持1小時)微晶相和非晶相混合存在的結構不會發生變化(即發生結晶化，微晶的平均粒徑和體積百分比增大)。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜具有優異的電阻率值和化學穩定性的同時具有現有的金或金合金鍍膜所沒有的高硬度，從這樣的特徵考慮可有效作為電磁開閉器、 斷路器、恆溫器、繼電器、各種開關、印刷電路板等電氣或電子部件的端子等的導通觸點。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜可以用組成式AUlQQ_x_yMxCy(這裡Au或M為主要成分，可以含有不可避免的雜質，M為Ni和/或0)，(為碳，1原子(％<1<80原子(％， 1原子y^ 30原子％ )表示。本發明的微晶-非晶混合金合金鍍膜可以通過使用了含有氰化金鹽、鎳鹽和/或鈷鹽的電鍍液的電鍍來形成。在該電鍍液中包含氰化金鹽、鎳鹽和/或鈷鹽，作為氰化金鹽具體地可列舉氰化金鉀、氰化金鈉、氰化金鋰等；作為鎳鹽具體地可列舉硫酸鎳、硝酸鎳等；作為鈷鹽具體地可列舉硫酸鈷、硝酸鈷等。電鍍液中氰化金鹽濃度以金為基準為0. 0001 0. 4mol/dm3，優選為0. 001 0. 2mol/dm3，更優選為0. 01 0. Imol/dm3 ；鎳鹽濃度以鎳為基準為0. 001 0. 5mol/dm3，優選為0. 01 0. 2mol/dm3 ；鈷鹽濃度以鈷為基準為0. 001 0. 5mol/dm3，優選為0. 01 0. 2mol/dm3。電鍍液中的金與鎳和/或鈷的比率[(Ni+Co)/Au]以摩爾比計優選為0.01 300，更優選為1 30的範圍。另外，該電鍍液優選還含有絡合劑。作為該絡合劑可列舉具有絡合作用和PH緩衝作用的有機酸、無機酸或其鹽，作為有機酸、無機酸或其鹽可列舉檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、焦磷酸、磷酸、氨基磺酸及它們的鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等。電鍍液中絡合劑的濃度優選為 0. 001 2. Omol/dm3，特別是0. 01 1. Omol/dm3，尤其是0. 1 0. 3mol/dm3。電鍍液中絡合劑與鎳和/或鈷的比率[絡合劑/(Ni+Co)]以摩爾比計優選為0. 01 100，更優選為1 4的範圍。另外，該電鍍液優選還含有氨或銨離子。作為氨或銨離子具體地可列舉氨水、硫酸銨、絡合劑的銨鹽等。電鍍液中氨或銨離子的濃度優選為0. 001 5. Omol/dm3，特別是 0.01 2. Omol/dm3。該氨與結晶相的平均粒徑、微晶(或非晶)的體積百分比這樣的鍍膜的結晶狀態、電鍍浴的穩定性密切相關。該電鍍液的pH優選為3 11，特別是pH5 9，尤其是pH6左右。pH的調節可以使用氨水、氫氧化鉀等以往公知的PH調節劑。進而，該電鍍液中只要不會對鍍膜的膜物性(微晶的體積百分比和平均粒徑、XRD 圖案的峰半幅值、努普硬度、電阻率)和膜組成產生大的影響，可以根據需要為了提高光澤性、防止凹陷、賦予導電性、賦予緩衝性、擴大可使用的電流密度範圍、促進析出速度、提高耐熱性、改善浸潤性等目的含有表面活性劑、溶劑等各種添加劑(例如參照特開平7-11476 號公報、特開2004-760 號公報、特開2006-37164號公報)。電鍍條件沒有特別限制，電鍍溫度為20 95°C，50 90°C特別適宜。陰極電流密度也根據電鍍液的組成而變化，沒有特別限制，在低電流密度區域(例如ImA/cm2以上、 不足lOmA/cm2)和高電流密度區域(例如大於10mA/Cm2、200mA/Cm2以下)兩個區域都可以得到微晶-非晶混合金合金鍍膜。並且，陽極可以使用鉬等不溶性陽極。也可以使用鎳和 /或鈷作為陽極。另一方面，作為被鍍覆物可列舉用於電布線等的銅、鎳等金屬材料。該金屬材料可以在金屬基材或非金屬基材上形成為底層。另外，是否有攪拌沒有關係，但優選在攪拌下進行電鍍。並且，還可以通過脈衝電流施加電流。下面列出實施例和比較例更具體地說明本發明，但本發明並不限於下面的實施例。另外，實施例中各分析、測定的方法和條件如下所述。結晶件、結晶粒徑利用理學電機社製造RINT2100-Ultima+，XRD 法，CuK α (40kV/40mA)或者利用日立「^ r ^ 7 α ^夕一 ？社製造HF-2200，TEM和THEED法，加速電壓 200V明視場圖像體積百分比利用日立「4歹夕7 口 4夕一文社製造HF-2200，TEM法和THEED法，加速電壓 200V明視場圖像金屬組成利用工i 7 i 於7於夕7 口夕一社製造SEA5100，EDXRF法絲麗除利用堀場製作所社製造EMIA-920V、美國LECO社製造TC-436努普硬度基於JIS Z 2251測定，載荷5gf、載荷保持時間30秒鐘，對在銅板上形成的30微米厚的鍍膜進行測定。電阻率利用共和理研社製造K-705RS，基於JIS K 7194進行測定(四探針法)實施例1使用含有0. 035mol/dm3 的 KAu (CN) 2、0. 076mol/dm3 的 NiSO4 ·6Η20、0· 2Imol/dm3 的檸檬酸三銨，並通過KOH和硫酸將pH調整至6的電鍍液，在溫度70°C、電流密度lOmA/cm2 條件下在純度99. 96%的銅板上形成微晶-非晶混合金合金鍍膜(膜厚Ιμπι)。這裡，使用鉬被覆鈦電極(網狀)作為陽極，電鍍過程中電鍍浴激烈攪拌。通過XRD、TEM和THEED分析得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜。在圖1中表示 XRD圖案，在圖2 4中表示TEM圖像及THEED圖案。在XRD圖案的2 θ = 40度附近可以確認到微晶或非晶特有的峰半幅值1度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以觀察到結晶特有的結晶條紋和非晶特有的不規則結構混合存在的情況。進而，在THEED圖案可以觀察到結晶特有的衍射斑和非晶特有的環狀暈混合存在的情況。由該結果可知得到的鍍膜形成了微晶-非晶混合結構。另外，觀察TEM圖像的結果是微晶的平均粒徑為lOnm，微晶相的體積百分比為50%。另一方面，對得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度和電阻率。關於金屬元素檢測出41. 2原子％金、46. O原子％鎳，關於非金屬元素檢測出12. 8原子％碳。努普硬度為Hk347，電阻率為89μ Ω · cm。實施例2
除了添加20Vol%的正丙醇以外，與實施例1同樣地進行電鍍，針對得到的鍍膜進行XRD、TEM和THEED分析。在圖1中表示XRD圖案，在圖5 7中表示TEM圖像及THEED 圖案。在XRD圖案的2 θ =40度附近可以確認到微晶或非晶特有的峰半幅值1度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以觀察到結晶特有的結晶條紋和非晶特有的不規則結構混合存在的情況進而，在THEED圖案可以觀察到結晶特有的衍射斑和非晶特有的環狀暈混合存在的情況由該結果可知得到的鍍膜形成了微晶-非晶混合結構。另外，觀察TEM圖像的結果是微晶的平均粒徑為lOnm，微晶相的體積百分比為50%。另一方面，對得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度和電阻率。關於金屬元素檢測出48. 1 原子％金、38. 1原子％鎳，關於非金屬元素檢測出13. 8原子％碳。努普硬度為Hk348，電阻率為 89μ Ω · cm。實施例3使檸檬酸濃度為0. 143mol/dm3，氨濃度為1. 2mol/dm3，以電流密度ImA/cm2 (通電時間50秒)和lOmA/cm2 (通電時間5秒)不間斷地交互進行電鍍，除此以外與實施例1同樣地進行電鍍，針對得到的鍍膜進行XRD、TEM和THEED分析。在圖1中表示XRD圖案，在圖 8 10中表示TEM圖像及THEED圖案。在XRD圖案的2 θ = 40度附近可以確認到微晶或非晶特有的峰半幅值1度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以觀察到結晶特有的結晶條紋和非晶特有的不規則結構混合存在的情況。進而，在THEED圖案可以觀察到結晶特有的衍射斑和非晶特有的環狀暈混合存在的情況。恆流電鍍的情況電流密度為ImA/cm2僅得到結晶相，為lOmA/cm2僅得到非晶相。由該結果可知由脈衝電鍍得到的鍍膜形成了微晶_非晶混合結構。另外，觀察TEM圖像的結果是微晶的平均粒徑為lOnm，微晶相的體積百分比為 60%。另一方面，對得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度和電阻率。關於金屬元素檢測出47. 4原子％金、47. O原子％鎳，關於非金屬元素檢測出5. 6 原子％碳。努普硬度為他222，電阻率為57口 Ω ·_。實施例4使檸檬酸濃度為0. 143mol/dm3,氨濃度為1. 2mol/dm3,電流密度為50mA/cm2， 除此以外，與實施例1同樣地進行電鍍，將得到的非晶金合金鍍膜在退火溫度(保溫溫度)400°C、升溫速度10°C /分、保溫1小時、大氣氛圍下進行退火處理，針對退火處理後的鍍膜進行XRD、TEM和THEED分析。在圖1中表示XRD圖案，在圖11 13中表示TEM圖像及THEED圖案。在XRD圖案的2 θ = 40度附近可以確認到微晶或非晶特有的峰半幅值1 度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以觀察到結晶特有的結晶條紋和非晶特有的不規則結構混合存在的情況。進而，在THEED圖案可以觀察到結晶特有的衍射斑和非晶特有的環狀暈混合存在的情況。由該結果可知得到的鍍膜形成了微晶-非晶混合結構。另外，觀察TEM 圖像的結果是微晶的平均粒徑為15nm，微晶相的體積百分比為60%。實施例5使用含有0. 035mol/dm3 的 KAu (CN) 2、0. 076mol/dm3 的 CoSO4 · 7H20、0. Imol/dm3 的檸檬酸· H2O,氨濃度為0. 44mol/dm3,並通過KOH和硫酸將pH調整至6的電鍍液，在溫度 70°C、電流密度lOmA/cm2條件下在純度99. 96%的銅板上形成微晶-非晶混合金合金鍍膜 (膜厚Iym)。這裡，使用鉬被覆鈦電極(網狀)作為陽極，電鍍過程中電鍍浴激烈攪拌。通過XRD、TEM和THEED分析得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜。在圖1中表示XRD圖案，在圖14 16中表示TEM圖像及THEED圖案。在XRD圖案的2 θ = 40度附近可以確認到微晶或非晶特有的峰半幅值1度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以觀察到結晶特有的結晶條紋和非晶特有的不規則結構混合存在的情況。進而，在THEED圖案可以觀察到結晶特有的衍射斑和非晶特有的環狀暈混合存在的情況。由該結果可知得到的鍍膜形成了微晶-非晶混合結構。另外，觀察TEM圖像的結果是微晶的平均粒徑為5nm，微晶相的體積百分比為15%。另一方面，對得到的微晶-非晶混合金合金鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度。關於金屬元素檢測出36. 4原子％金、40. 6原子％鈷，關於非金屬元素檢測出 23.0原子％碳。努普硬度為Hkl80。[比較例1]除了使檸檬酸濃度為0. 14;3m0l/dm3，氨濃度為0. 46mol/dm3以外，與實施例1同樣地進行電鍍，針對得到的鍍膜進行XRD、TEM和THEED分析。在圖1中表示XRD圖案，在圖 17 18中表示TEM圖像及THEED圖案。在XRD圖案的2 θ = 40度附近可以確認到非晶特有的峰半幅值1度以上的寬峰。並且，在TEM圖像可以確認到非晶特有的不規則結構， 沒有確認到晶粒晶界或結晶條紋這樣規則的結構。進而，在THEED圖案可以確認到非晶特有的環狀暈。從該結果可知得到的鍍膜形成了不具有微晶的均質的非晶結構。另外，對得到的鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度和電阻率。關於金屬元素檢測出15. 2原子％ 金、67. 5原子％鎳，關於非金屬元素檢測出17. 3原子％碳。努普硬度為Hk435，電阻率為 251 μ Ω · cm。[比較例2]使用含有0. (Mmol/dm3 的 KAu(CN)2、0. 0085mol/dm3 的 NiSO4 ·6Η20、0· 5mol/dm3 的檸檬酸· H20,0. 7mol/dm3的Κ0Η，並通過硫酸將pH調整至3. 5的電鍍液，在溫度30°C、電流密度lOmA/cm2條件下在純度99. 96%的銅板上形成微晶_非晶混合金合金鍍膜(膜厚1 μ m)。 這裡，使用鉬被覆鈦電極(網狀)作為陽極，電鍍過程中電鍍浴緩慢地攪拌。針對得到的鍍膜進行XRD、TEM和THEED分析。在圖1中表示XRD圖案。在XRD圖案的2 θ = 38度附近可以確認到源自Au(Ill)的尖銳峰。並且，從TEM圖像和THEED圖案確認到為結晶。從該結果可知得到的鍍膜形成了不具有非晶相的多晶結構。另外，從XRD 圖案算出的結果是結晶的平均粒徑為13nm。另一方面，對得到的鍍膜的組成進行了分析，測定了努普硬度和電阻率。關於金屬元素檢測出96. 5原子％金、0. 77原子％鎳，關於非金屬元素檢測出2. 7原子％碳。努普硬度為Hkl60，電阻率為17μ Ω · cm。另外，圖1所示的XRD圖案中在2 θ = 50度附近見到的尖銳峰是基於基板的銅。另外可以知道實施例1的微晶-非晶混合金合金鍍膜的努普硬度與金鍍膜中認為硬度高的無添加硬鈷(AFHG)、鎳硬鈷(NiHG)、CoHG的努普硬度達不到Hk200的程度相比， 具有相當於它們的2 3倍的高硬度。
權利要求
1.一種鍍膜，其為金合金的鍍膜，由結晶相和非晶相混合存在而形成。
2.根據權利要求1所述的鍍膜，其中結晶相的體積百分比為10 90%。
3.根據權利要求1所述的鍍膜，其中結晶相的平均粒徑為30nm以下。
4.根據權利要求1所述的鍍膜，其中X射線衍射圖案中2θ =40度附近的峰半幅值為 1度以上。
5.根據權利要求1 4中任一項所述的鍍膜，其中努普硬度為HklSO以上。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的鍍膜，其中電阻率為200μΩ · cm以下。
7.根據權利要求1 6中任一項所述的鍍膜，其中所述鍍膜由組成式Au1(l(l_x_yMxCy表示，這裡Au或M為主要成分，M為Ni和/或&)，(為碳，1原子％彡1彡80原子％，1原子％ Sy <30 原子 ％。
8.根據權利要求1 7中任一項所述的鍍膜，其中所述鍍膜用作電觸點材料。
9.一種電鍍液，其為用於形成權利要求1 8中任一項所述的鍍膜的電鍍液，包含氰化金鹽、鎳鹽和/或鈷鹽、絡合劑和pH調節劑。
10.根據權利要求9所述的電鍍液，其中絡合劑為選自檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、焦磷酸、磷酸、氨基磺酸及它們的鈉鹽、鉀鹽、銨鹽中的1種或2種以上，並且，pH調節劑為氨水或氫氧化鉀。
11.根據權利要求10所述的電鍍液，其中絡合劑為檸檬酸，pH調節劑為氨水。
12.金合金鍍膜的形成方法，使用權利要求9 11中任一項所述的電鍍液在被鍍覆物上形成結晶相和非晶相混合存在的金合金鍍膜。
13.電氣或電子部件，使用了權利要求1 8中任一項所述的鍍膜。
全文摘要
本發明旨在得到電氣特性和機械特性優異的微晶-非晶混合金合金鍍膜。通過微晶相和非晶相以一定比例混合存在，得到了同時具有結晶結構和非晶結構的優點的物性。其特徵在於，微晶的平均粒徑為30nm以下，微晶的體積百分比為10～90％，努普硬度為Hk180以上，電阻率為200μΩ·cm以下。金本身的良好電阻率值和化學穩定性保持在可實用的程度，同時硬度和耐磨耗性提高，從而可有效用作連接器、繼電器等電氣或電子部件的觸點材料。
文檔編號C25D7/00GK102317508SQ20108000807
公開日2012年1月11日 申請日期2010年2月17日 優先權日2009年2月17日
發明者加藤勝, 千田一敬, 巖井良太, 沖中裕, 逢坂哲彌 申請人:關東化學株式會社, 學校法人早稻田大學